KR100883248B1 - 노광 조건 산출 방법 및 노광 조건 산출 프로그램을저장하고 있는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체 - Google Patents

Abstract

원판의 패턴의 상(image)을 기판 위에 투영할 때 이용되는 노광 조건을 산출하는 방법은 노광 조건을 설정하는 설정 스텝; 상기 설정된 노광 조건하에서 상기 기판 위에 투영되는 상의 치수를 계산하는 상 계산 스텝; 상기 상 계산 스텝에서의 계산 결과에 따라, 상기 기판 위에 형성되는 패턴 중 배선으로서 사용되는 부분 및 트랜지스터로서 사용되는 부분의 적어도 한쪽의 전기적 특성을 계산하는 전기적 특성 계산 스텝; 상기 전기적 특성 계산 스텝에서 계산된 전기적 특성이 요구조건을 충족하는지의 여부를 판정하는 판정 스텝; 및 상기 판정 스텝에서 상기 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족하지 않는다고 판정된 경우에, 상기 설정된 노광 조건을 조정하는 조정 스텝을 포함한다.

Description

노광 조건 산출 방법 및 노광 조건 산출 프로그램을 저장하고 있는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체{METHOD FOR DETERMINING EXPOSURE CONDITION AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIA STORING PROGRAM FOR DETERMINING EXPOSURE CONDITION}

본 발명은 노광 조건 산출 방법 및 노광 조건 산출 프로그램을 저장하고 있는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 관한 것이다.

노광은, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 반도체 디바이스의 회로 패턴의 선폭을 결정하는 데 가장 중요한 처리이다. 노광 처리에서는 광원으로부터의 광으로 조명 광학계에 의해 원판을 조명하고, 투영 광학계를 개입시켜 원판의 패턴의 상(image)을 기판 위에 도포된 감광제에 투영한다. 이 처리는 노광 장치에 의해 수행된다.

노광에 이용되는 광원의 광의 파장에 비해 보다 적은 선폭을 가지는 회로가 요구되므로, 고해상도를 실현하는 기술을 채용한 노광 장치가 개발되고 있다. 해상도를 결정하는 파라미터의 예로서는 광원의 광의 파장, 투영 광학계의 개구수(NA) 및 프로세스 의존 수치, 소위 처리 인자 k1을 들 수 있다. 상기와 같이, 고해상도를 실현하는 기술의 예로서는 고NA화 및 저k1화를 들 수 있다. 저k1화 기 술의 예로서는 변형 조명, 편광 조명 및 투영 광학계의 수차 조정을 들 수 있다.

고해상도를 실현하는 기술의 수가 증가하고, 이러한 기술은 복잡화가 가중되고 있다. 따라서, 패턴을 기판 위에 투영해서 해당 기판을 고정밀도로 노광하기 위해서는, 이러한 기술을 충분히 활용해서 여러 가지 파라미터(예를 들어, 조명광의 형상(이하, "조명 형상"이라 칭함), NA, 수차, 조명광의 편광 상태 등)를 설정함으로써, 노광을 위한 조건(즉, 노광 조건)을 적절하게 설정할 것이 요망된다.

하나의 수법은 패턴을 최적으로 해상하기 위한 조명 형상을 시뮬레이션에 의해 산출하는 방법이다. 일본국 공개 특허 평6－120119호 공보에서는 광학 조건(예를 들어, NA, 파장, σ)의 초기값 및 조명 형상의 초기값을 설정하고, 원판의 패턴을 기판 위에 투영했을 때의 기판 표면 위의 패턴 상을 계산해서, 목표로 하는 패턴 상에 가장 가깝게 될 때까지, 반복적으로 조명 형상을 변경하는 방법이 개시되어 있다.

또, 일본국 공개 특허 제2005－26701호 공보에서는 노광 장치에 사용하는 파라미터와 광 근접 보정을 최적화하는 방법이 개시되어 있다. 노광 장치에 이용하는 파라미터의 예로서는 NA나 σ를 들 수 있다. 광 근접 보정 예로는 설계된 패턴의 선폭을 변경하거나 해상되지 않는 보조 패턴을 부가하거나 하는 것을 들 수 있다.

상기 특허문헌에 개시된 방법에서도, 일본국 공개 특허 평6－120119호 공보에서와 마찬가지로, 시뮬레이션에 의해서 기판 위에 투영되는 패턴 상을 계산하고, 노광 장치에 사용되는 파라미터와 레이아웃 패턴에 대한 광 근접 보정을 포함하는 노광 조건을, 기판 위에 투영되는 패턴 상이 목표로 하는 패턴 상에 가장 가깝게 될 때까지 반복해서 변경한다.

상기 두 특허 문헌에 개시된 방법은 목표로 하는 패턴을 기판 위에 가장 잘 재현할 수 있는 노광 조건을 구하고 있다. 이것은 기판 위에 형성된 패턴의 해상 불량의 수를 저감한다.

그러나, 제조된 디바이스가 우량품인지 혹은 불량품인지의 여부는 디바이스의 전기적 특성의 검사에 의해 판정된다. 그 때문에, 기판 위에 형성된 평가 패턴의 선폭이 불균일한 디바이스가 우량품으로 판정될 경우가 있고, 그와 반대로, 기판 위에 형성된 평가 패턴의 선폭이 균일해도 디바이스가 불량품으로 판정될 경우도 있다. 즉, 목표로 하는 패턴을 기판 위에 최적으로 재현하는 것과 디바이스의 제조 수율은 서로 완전히 일치하지 않는다.

그 결과, 디바이스의 제조 수율을 향상시키기 위해서, 노광 조건의 설정시, 제조되는 디바이스의 전기적 특성을 고려할 필요가 있다.

본 발명은 디바이스의 제조 수율을 향상시킬 수 있는 노광 조건을 산출하는 방법 및 노광 조건 산출 프로그램을 저장하고 있는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 제 1 측면에 따르면, 원판의 패턴의 상을 기판 위에 투영할 때 이용되는 노광 조건을 산출하는 방법이 제공되며, 이 방법은 컴퓨터에 의해 수행가능하다. 또, 상기 방법은 노광 조건을 설정하는 설정 스텝; 상기 설정 스텝에서 설정된 노광 조건하에서 상기 기판 위에 투영되는 상의 치수를 계산하는 상 계산 스텝; 상기 상 계산 스텝에서 계산된 결과에 따라, 상기 기판 위에 형성되는 패턴 중 배선(interconnection)으로서 사용되는 부분 및 트랜지스터로서 사용되는 부분의 적어도 한쪽의 전기적 특성을 계산하는 전기적 특성 계산 스텝; 상기 전기적 특성 계산 스텝에서 계산된 전기적 특성이 요구조건을 충족하는지의 여부를 판정하는 판정 스텝; 및 상기 판정 스텝에서 상기 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족하지 않는다고 판정된 경우에, 상기 설정 스텝에서 설정된 노광 조건을 조정하는 조정 스텝을 포함한다.

본 발명의 제 2 측면에 따르면, 원판의 패턴의 상을 기판 위에 투영할 때 이용되는 노광 조건을 산출하는 방법이 제공되며, 이 방법은 컴퓨터에 의해 수행가능하다. 또, 상기 방법은 디바이스의 레이아웃을 설계하는 설계 스텝; 노광 조건을 설정하는 설정 스텝; 상기 설정 스텝에서 설정된 노광 조건하에서 상기 기판 위에 투영되는 상의 치수를 계산하는 상 계산 스텝; 상기 상 계산 스텝에서 계산된 결과에 따라, 상기 기판 위에 형성되는 패턴 중 배선으로서 사용되는 부분 및 트랜지스터로서 사용되는 부분의 적어도 한쪽의 전기적 특성을 계산하는 전기적 특성 계산 스텝; 상기 전기적 특성 계산 스텝에서 계산된 전기적 특성이 요구조건을 충족하는지의 여부를 판정하는 판정 스텝; 및 상기 판정 스텝에서 상기 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족하지 않는다고 판정된 경우에, 상기 설계 스텝에서 설계된 레이아웃을 변경하는 변경 스텝을 포함한다.

본 발명의 기타 특징과 이점은 첨부 도면과 관련하여 취한 이하의 설명으로부터 명백해질 것이며, 첨부 도면에 있어서 동일한 참조 부호는 도면 전체를 통해서 동일 또는 유사한 부분을 나타낸다.

명세서에 포함되고, 명세서의 일부를 구성하는 첨부도면은, 본 발명의 실시 형태를 예시하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 기능을 한다.

이상 본 발명의 노광 조건 산출 방법에 의하면, 디바이스의 제조 수율을 향상시킬 수 있는 노광 조건을 산출할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 이러한 노광 조건을 산출하는 프로그램을 저장하고 있는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체를 제공하는 것 또한 가능하다.

이하, 본 발명의 각종 실시형태, 특성 및 양상에 대해 첨부 도면에 따라 상세히 설명한다.

우선, 실시형태의 기본으로서의 반도체 디바이스의 제조 방법의 예를 도 3 및 도 4를 참조해서 설명한다.

도 3은 반도체 디바이스의 제조 공정을 설명하기 위한 순서도이다. 반도체 디바이스의 예로서는 반도체 칩(예를 들어, LSI(large-scale integrated circuit), IC(intergrated-circuit) 및 메모리), 액정 패널, CCD(charge-coupled device) 및 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 센서 등을 들 수 있다. 여기에서는 반도체 칩의 제조를 일례로서 설명한다.

도 3을 참조하면, 스텝 1(회로설계)에서는 반도체 칩의 회로를 설계한다. 스텝 2(마스크 제작)에서는 설계한 회로 패턴이 형성된 마스크를 제작한다. 스텝 3(웨이퍼 제조)에서는 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼를 제조한다. 스텝 4(웨이퍼 프로세스)는 전(前) 공정으로 불리며 마스크를 이용해서 웨이퍼 위에 리 소그라피에 의해 실제의 회로를 형성한다. 스텝 5(조립)는 후 공정으로 불리며 스텝 4에서 작성된 웨이퍼를 칩화하는 공정으로, 이 공정은 어셈블리(다이싱, 본딩), 패키징(칩 밀봉) 등의 공정을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는 스텝 5에서 작성된 반도체 디바이스에 대해 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 실시한다. 스텝 7(출하)에서는 이들 공정 후 완성된 반도체 디바이스를 출하한다.

여기서, 스텝 1의 회로설계에 대해 설명한다. 여기에서는 LSI의 설계를 예를 들어 설명한다. LSI의 설계에 있어서, 우선 시스템을 설계한다. 시스템 설계에서는, 예를 들어 시스템을 하드웨어와 소프트웨어로 분리하고, 하드웨어를 블록으로 분리하도록 LSI의 사양을 작성한다. 전형적인 LSI는 단위 회로(이하 "블록"이라 칭함)를 포함한다. 블록의 예로는 작은 논리 게이트(예를 들어 플립-플롭 회로)를 가진 회로로부터 대규모 회로(예를 들어, CPU(central processing unit)나 DSP(digital signal processor))까지 들 수 있다. 예를 들어, 도 16에 나타낸 바와 같이, 1개의 LSI는 CPU(1101), DSP(1102), ROM(read-only memory)(1103), RAM(random-access memory)(1104), 로직(Logic)(1105), (1106), ADC(analog-to-digital converter)(1107), DAC(digital-to-analog converter)(1108) 및 PLL(phase-locked loop)(1109)의 블록("매크로 셀"이라고도 칭함)을 포함한다.

다음에, LSI의 논리 설계를 실시한다. 논리 설계에서는 시스템 설계에서 설계된 시스템을 하드웨어에 의해 실현하는 구체적인 논리 회로를 자동으로 생성한다. 최종적으로는 반도체 디바이스의 회로 소자인 트랜지스터의 게이트 레벨의 논리 회로를 생성한다.

다음에, LSI의 레이아웃을 설계한다. 레이아웃 설계에서는 LSI 칩에 있어서의 게이트 레벨의 논리 회로를 포함하는 각 블록의 배치를 특정하고, 이들 블록 간의 배선을 설계한다.

상기 설명한 바와 같이 레이아웃 설계가 완료된 LSI의 회로 패턴의 데이터(이하, "레이아웃 데이터"라 칭함)가 후술하는 실시형태에 있어서 이용된다. 또한, 이러한 회로 패턴을 레이아웃 패턴이라 칭한다. 광 근접 보정을 고려한 보조 패턴이 부가된 레이아웃 패턴의 데이터를 이용해도 무방하다.

도 4는 도 3의 스텝 4에 표시된 웨이퍼 프로세스의 상세를 나타낸 순서도이다. 스텝 11(산화)에서는 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 12(CVD)에서는 웨이퍼의 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 13(전극 형성)에서는 웨이퍼 위에 전극을 증착 등에 의해서 형성한다. 스텝 14(이온 주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 15(레지스트 처리)에서는 웨이퍼에 감광재를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는 후술하는 노광 장치에 의해서 마스크의 회로 패턴을 웨이퍼에 노광한다. 스텝 17(현상)에서는 노광한 웨이퍼를 현상한다. 스텝 18(에칭)에서는 현상한 레지스트 상 이외의 부분을 제거한다. 스텝 19(레지스트 박리)에서는 에칭 후의 불필요해진 레지스트를 제거한다. 이들 스텝을 반복함으로써 웨이퍼 위에 다중에 회로 패턴이 형성된다.

다음에, 도 4의 스텝 16에 표시된 노광에 이용되는 노광 장치에 대해 도 5를 참조해서 설명한다. 광원(1)으로부터 발사된 광은 빔 정형 광학부(2)에 의해 소망의 광속 형상을 가진 광속으로 변환된다. 광원(1)은 초고압 수은등이나 엑시머 레 이저일 수 있다. 광학부(3)는 집광광학부, 옵티컬 로드 및 줌 렌즈를 포함한다. 줌 렌즈는 옵티컬 로드의 사출면 근방의 광 강도 분포의 상을 파리의 눈 렌즈(6)의 입사면(6a)에 소정의 배율로 결상시키고 있다. 또, 줌 렌즈에 의해, 파리의 눈 렌즈(6)에 입사하는 광속의 단면의 크기를 조정하는 것이 가능하고, 광 강도 분포를 변경할 수 있다. 또, 광학부(3)는 조명 형상 설정 수단으로서 옵티컬 로드로부터의 광속으로부터 환형상 조명, 이중극 조명 및/또는 사중극 조명을 형성하기 위한 광학 소자를 가진다.

파리의 눈 렌즈(6)는 미소 렌즈 요소의 2차원적 어레이를 포함한다. 사출면(6b) 근방의 영역은 조명 광학계(4)의 동공면에 상당한다. 여기서, 파리의 눈 렌즈(6) 대신에 2조의 원통형 렌즈 어레이를 이용할 수 있다.

조명 광학계(4)의 동공면에는 불필요한 광을 차광하여 소정의 조명 형상을 갖도록 하기 위해 사용되는 개구 조리개(aperture stop)(7)가 배치되어 있다. 개구 조리개(7)의 개구의 크기 및 형상은 개구 구동 기구(도시생략)에 의해 변경될 수 있다.

파리의 눈 렌즈(6)의 사출면(6b) 근방(동공면)의 2차 광원으로부터 소정의 형상을 가진 광에 의해 조사 렌즈(8)를 통해 시야 조리개(field stop)(9)를 균일한 광 강도 분포로 조명한다. 시야 조리개(9)는 복수의 가동 차광판을 포함한다. 또, 시야 조리개(9)는 임의의 개구 형상을 가져, 마스크(레티클)(13)의 면 및 웨이퍼(15)의 면의 노광 범위를 제한하며, 이들 면은 피조사면이다. 결상 렌즈(10), (11)는 시야 조리개(9)의 개구 형상을 가진 상을 원판인 마스크(13) 위에 결상하고 있다. (12)는 편향 미러이다.

마스크(13)는 마스크 스테이지(17)에 의해서 지지되고, 마스크 스테이지(17)의 구동은 마스크 스테이지 구동장치(도시 생략)에 의해서 구동 제어되고 있다.

투영 광학계(14)는 조명 광학계(4)로 조명된 마스크의 패턴의 상을 기판인 웨이퍼(15) 위에 투영한다. 마스크(13) 및 마스크 스테이지(17)를 광로로부터 이동시킨 경우, 투영 광학계(4)의 동공면에서는 조명 광학계의 동공면에서의 조명 형상과 상사인 광량 분포(광강도 분포)가 형성된다. 여기서, 조명 광학계(4)의 동공면에서의 조명 형상은 마스크(13) 면에 입사하는 노광광의 각도 분포에 대응해서, 투영 광학계(14)의 동공면(14e)에 형성되는 광의 광량 분포(광 강도 분포)에 관련된다. 여기서, 투영 광학계의 동공면(14e)은 조명 광학계의 동공면과 광학적으로 공액이다.

웨이퍼(15)는 웨이퍼 스테이지(18)에 의해 지지되고, 웨이퍼 스테이지(18)는 투영 광학계(14)의 광축 방향 및 해당 광축과 직교하는 평면을 따라서 이동가능하다. 웨이퍼 스테이지(18)의 구동은 웨이퍼 스테이지 구동장치(도시 생략)에 의해서 제어되고 있다.

2차원 이미지 센서(16)는 웨이퍼(15)에 입사하는 광의 광량을 계측한다. 예를 들면, 2차원 이미지 센서(16)로서 CCD를 이용할 수 있다. 2차원 이미지 센서(16)는 웨이퍼 스테이지(18)의 구동과 함께 이동하여 조사 영역 내의 조명광을 수광한다. 그리고, 2차원 이미지 센서(16)는 수광한 광에 따른 신호를 주제어장치(20)에 송신한다. 2차원 이미지 센서(16)로 계측되는 광량은 투영 광학계(14)의 동공면에서의 광량 분포(광 강도 분포)에 대응한다.

여기서, 조명 광학계(4)는 빔 정형 광학부(2)로부터 결상 렌즈(11)까지의 하류에서 광학 성분으로 구성된다.

또, 주제어장치(20)로부터 작동기(22)에 대해서 광학 소자(예를 들어, 광학부(3)의 렌즈)를 구동하는 지령을 제공함으로써, 광학 소자를 구동하여 광원으로부터의 광속을 소망의 형상으로 변환해서, 조명 광학계(4)의 동공면에서의 조명 형상을 조정 가능하게 하고 있다.

제어장치(21)는 주제어장치(20)로부터의 지령에 따라 투영 광학계(14) 내의 광학 소자(14a) 내지 (14d)의 구동을 제어한다.

노광 장치는 도 5에 나타낸 구성 요소 (2) 내지 (22)를 포함한다. 광원(1)은 전형적으로 노광 장치의 외부에 배치된다. 그러나, 광원(1)은 노광장치와 일체로 설치되어도 무방하다. 시뮬레이션용 컴퓨터(23)는 노광 장치와 일체로 설치되어 있어도 되거나, 대안적으로, 노광 장치의 외부에 설치되어 유선 혹은 무선 네트워크로 접속되어 있어도 된다.

여기서 노광 조건에 대해 설명한다. 노광 조건이란, 광원의 파장이나 파장 분포, 투영 광학계의 개구수, 조명 광학계의 사출측 개구수(NA), σ값(이하에 정의됨), 조명 광학계의 동공면에서의 광 강도 분포(이중극 조명 형상 및 환형 조명 형상을 포함함) 및 투영 광학계의 수차 등의 광학적인 조건을 의미한다. 대안적으로, 노광조건은 그러한 광학 조건과 마스크의 패턴의 정보(예를 들어, 레이아웃 패턴 및 보조 패턴 등)와의 조합에 의해 정해지는 조건이다. 여기서, σ값은 조명 광학계의 사출측 개구수를 투영 광학계의 입사측 개구수로 나눔으로써 얻어진 값이다.

제 1 실시예

도면을 참조하면서 제 1 실시예에 대해 설명한다.

도 6은 노광 조건을 산출하는 노광 조건 산출 프로그램을 실행하는 컴퓨터의 블록도이다. 이 컴퓨터는 도 5에 나타낸 시뮬레이션용 컴퓨터(23)에 상당한다.

도 6을 참조하면, 컴퓨터(30)는 제어부(31), 기억부(32), 브리지(33), 출력 인터페이스(34), 네트워크 인터페이스(35) 및 입력 인터페이스(36)를 포함한다. 이들 구성 요소(31), (32), (34), (35), (36)는 버스를 통해서 브리지(33)로 접속되어 있다. 출력 인터페이스(34)는 디스플레이(37)에 접속되어 있다. 입력 인터페이스(36)는 입력부(38)에 접속되고 있다. 네트워크 인터페이스(35)는 LAN 등의 네트워크에 접속되어 다른 컴퓨터와 데이터의 통신이 가능하다. 또, 네트워크 인터페이스(35)는 전술한 노광 장치 내의 주제어장치(20)에 접속되어 있다.

각 부의 구체적인 구성예로는 다음과 같이 설명된다. 제어부(31)는 CPU, DSP, FPGA(field-programmable gate array) 및 마이크로컴퓨터일 수 있다. 기억부(32)는 ROM 또는 RAM 등의 메모리일 수 있다. 입력부(38)는 마우스나 키보드일 수 있다. 제어부(31)는 기억부(32)에 기억된 정보를 기본으로 해서 소프트웨어 코드(프로그램)의 실행 및 데이터의 연산을 실시하여, 필요시, 그 연산 결과를 출력 인터페이스(34)를 통해서 디스플레이(37)에 표시한다. 기억부(32)에 기억되는 정보의 예로는 후술하는 조명 광학계의 동공면에서의 광량 분포(조도 분포 또는 강도 분포), 조명광의 편광도, NA, 광원(조명광)의 파장 분포, 디바이스의 레이아웃 데이터, 투영 광학계의 수차 정보, 프로그램의 소프트웨어 코드이다. 투영 광학계의 수차 정보 및 레이아웃 데이터는 네트워크 인터페이스(35)를 통해서 기억부(32)에 기억된다. 또, 프로그램의 소프트웨어 코드는 컴퓨터(30) 내에 미리 인스톨되어 기억부(32)에 기억되어 있어도 된다. 대안적으로는, 프로그램의 소프트웨어 코드는 네트워크를 통해서 다운로드되어도 된다. 이 경우, 네트워크 인터페이스(35)를 통해서 소프트웨어 코드가 기억된다.

다음에, 도 1을 참조해서 노광 조건 산출 프로그램에 의해 수행되는 처리의 흐름을 설명한다. 우선, 스텝 S101에서, 노광 조건의 초기값을 설정한다. 본 실시예에서는 노광 조건으로서 광원의 파장 분포, 조명 광학계의 사출측 개구수(NA), 조명 광학계의 동공면에서의 광 강도 분포 및 조명광의 편광도를 설정한다.

광원의 광의 전체 에너지의 95％가 집중하고 있는 스펙트럼폭, 소위 "E95"가 크면 해상도가 저하할 우려가 있으므로, E95의 최소치를 광원의 파장 분포의 초기값으로 설정한다. 초점심도(DOF)를 제외하고는 높은 NA가 요구되기 때문에 최대 NA를 초기값으로 설정한다.

조명 광학계의 동공면에서의 광 강도 분포의 초기값을 설정하는 방법에는 2가지가 있다. 그 중 하나는 함수로 표현하는 방법이고, 다른 하나는 비트 맵 형식으로 표현하는 방법이다. 함수로 표현하는 예로는 도 7 내지 9에 나타내고 있다.

도 7에 나타낸 바와 같이, 통상(원형) 조명의 경우, 중심(광축)으로부터의 반경(R)을 파라미터로 한 함수로 표현한다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 환형상 조 명의 경우, 발광부에 대해서 안쪽 원의 반경(R1)과 바깥쪽의 반경(R2)을 파라미터로 한 함수로서 표현된다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 이중극 조명의 경우, 원형의 발광부의 중심 위치(R3)와 발광부의 반경(R4)을 파라미터로 한 함수로서 표현된다. 사중극 조명의 경우 도 9에 나타낸 경우와 같은 설정을 실시할 수 있다. 따라서, 원형, 환형상, 이중극 및 기타 조명으로부터 선택되는 조명 형상에 대해서, 초기값이 되는 파라미터를 설정하게 된다. 또한, 발광부의 조도는 균일해도 되고, 또는 미리 결정된 분포를 발휘해도 된다.

비트 맵 형식의 광강도 분포를 표현하는 방법에서는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 조명 광학계의 동공면을 직사각형의 비트 맵 형상으로 세분화할 수 있고, 또 각 비트에 대해 광의 강도를 설정할 수 있다. 각 비트의 초기값으로서는 임의의 값을 설정할 수 있다. 예를 들면, 초기값은 도 10에 나타낸 바와 같이 설정할 수 있다. 광 강도 분포를 비트 맵 형상으로 표현하는 방법에 대해서는, 조명 광학계의 동공면에서의 광 강도 분포의 하나의 초기값만을 설정한다.

마찬가지로, 조명광의 편광도의 초기값을 설정하는 방법에는 2가지가 있다. 즉, 하나는 편광도 분포가 함수로서 표현되는 방법이고, 다른 하나는 비트 맵 형식으로 표현되는 방법이다. 함수로서 표현하기 위해서는, 도 7 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 원형 발광부를 사용할 경우, 도 11 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 서로 직교하는 2개의 방향으로 진행하는 편광광을 설정한다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 환형상 조명의 경우, 도 12에 나타낸 바와 같이 광축 중심에 대해 반경 방향으로 진행하는 편광 광속과 원주 방향으로 진행하는 편광 광속을 설정한다. 또, 비트 맵 형상으로 표현하기 위해서는, 각 비트에 대해 편광 광속을 설정할 수 있다. 또한, 조명 광은 무편광이어도 된다.

다음에, 도 1로 되돌아가서, 스텝 S102에서는, 스텝 S101에서 설정된 노광 조건하에 웨이퍼 위에 투영되는 패턴 상을 광학 시뮬레이션에 의해 계산한다. 이 스텝에서는, 물체면(마스크 면)에서의 레이아웃 패턴이 조명 광학계에 의해 조명된 후 투영 광학계를 통해 상 면(웨이퍼 면)에 투영되는 상을 계산한다.

다음에, 스텝 S103에서, 웨이퍼 위에 투영되는 상에 의거해서, 웨이퍼 위에 형성되는 패턴으로부터 배선으로서 이용되는 패턴의 전기적 특성을 계산한다. 웨이퍼 위에 투영된 후 현상 공정을 거쳐 웨이퍼 위에 형성되는 패턴에는 디바이스의 배선에 이용하기 위해 설계된 것 및 트랜지스터에 이용하기 위해 설계된 것 등, 기능이 다른 다양한 부분을 포함한다. 따라서, 웨이퍼 위에 투영되는 전체의 패턴을 저항, 용량 등의 기생 파라미터로 나타내고, 디바이스 전체, 트랜지스터 또는 배선에 있어서의 소비 전력, 배선을 통과하는 전기신호의 파형의 교란 및/또는 전기 신호의 전파 지연 시간의 적어도 하나를 전기적 특성으로서 계산한다. 이때, 이들 전기적 특성 중 하나 이상이 계산될 수 있다.

트랜지스터나 배선에서의 소비 전력은 그러한 선폭이 작을수록 커진다. 따라서, 목표로 하는 패턴의 선폭이 작아짐에 따라, 소비 전력을 고려하는 것은 더욱더 중요해진다.

배선을 통과하는 전기신호의 파형의 교란은 전기적 노이즈에 의한 것과 전기신호가 배선을 통과할 때 일어나는 감쇠에 의해서 생길 수 있다. 전기적 노이즈의 발생은 서로 이웃한 선 간의 거리가 작을수록 증가한다.

배선은 저항과 용량으로 표현된다. 배선을 통과하는 전기 신호의 전파 지연 시간은 배선의 용량과 저항의 곱에 비례한다. 따라서, 그 용량과 저항이 증가하면 전파 지연 시간도 증가한다. 패턴의 선폭의 미세화에 의해서 배선의 저항은 증가하고, 용량은 감소한다. 그러나, 인접하는 배선 사이에 형성되는 용량이 증가하고, 결과적으로 선폭의 미세화에 의해서 전기신호의 전파 지연 시간은 증가하여 바람직하지 않게 된다. 전파 지연 시간이 증가하면, 플립-플롭 회로, NAND 회로 및 NOR 회로 등의 연산 회로의 연산 결과에 악영향을 미친다.

스텝 S103에서는 레이아웃 패턴의 직사각형 도형으로 구성되는 레이아웃 데이터를 이용하지 않고, 실제로 웨이퍼 위에 형성되는 연속적인 곡선으로 구성되는 패턴을 이용해서, 전기적 특성을 계산한다. 패턴의 치수의 변환은 다음과 같이 실시한다.

예를 들면, 디바이스의 레이아웃 패턴이 도 14에 나타낸 바와 같이 실선으로 표시되는 패턴 상으로서 웨이퍼 위에 투영된다. 점선으로 둘러싸인 영역은 트랜지스터가 형성될 부분을 나타낸다. 따라서, 점선으로 둘러싸인 영역 내에 존재하는 부분은 트랜지스터의 게이트로서 이용되는 한편, 점선 밖에 있는 부분은 배선으로서 이용된다.

웨이퍼 위에 투영되는 패턴 상에 있어서, 레이아웃 패턴의 가장자리가 둥글게 되어 있어, 그 부분은 더욱 짧아진다. 그 결과, 부분(1001)(패턴의 부분)과 같이, 점선 바깥쪽 부분이 소멸되고, 점선으로 둘러싸인 영역 내에는 상기 둥글게 된 부분의 일부가 존재한다. 트랜지스터의 소스-드레인 전류는 게이트의 가장 가는 부분에 의해 주로 결정되므로, 패턴(1001)에서의 트랜지스터의 게이트의 길이를 (L)이 아니라, (L')로 설정한다.

또, 점선 부근이 구부러져 있는 패턴(1002)의 경우, 모서리는 둥글게 된다. 그 구부러져 있는 부분이 점선으로 둘러싸인 영역 안쪽에 존재하는 경우, 게이트의 폭을 (W)로부터 (W')(즉, 점선으로 둘러싸인 영역 내의 직선 부분의 길이)로 변환한다. 그 이유는 트랜지스터의 소스-드레인 전류가 게이트의 가장 가는 부분에서 주로 결정되기 때문이고, 이것에 의해 둥글게 된 부분은 무시될 수 있다.

또, 부분(1003)이 둥근 단부를 가져서 길이가 짧아지고, 또한 부분(1003)의 상부층 혹은 하부층에서 형성될 부분(1004)과의 접촉면적이 감소되는 경우, 접촉 저항을 비접촉 면적에 상당하는 양만큼 증가시킨다. 그 이유는 접촉 저항이 접촉 면적에 반비례하기 때문이다. 상기 설명한 바와 같이, 형성되는 패턴의 상층 혹은 하층을 고려해서 상기 전기적 특성을 계산한다. 그때, 도 5에 나타낸 마스크 스테이지(17) 또는 웨이퍼 스테이지(18)의 위치 결정 오차를 고려할 수도 있다. 이 경우, 제조되는 디바이스의 전기적 특성을 고정밀도로 계산할 수 있다.

점선 바깥쪽에 있는 게이트는 배선으로 이용되고 있어 트랜지스터와는 관련이 없다. 따라서, 설계치를 변경하지 않고 이용하거나, 또는, 웨이퍼에 투영되는 패턴 상의 선폭이 레이아웃 패턴의 선폭과 크게 다르면 배선폭을 변경한다. 배선폭은 전기적 특성상, 저항값에 상당한다.

반대로, 점선으로 나타낸 범위가 도 15에 나타낸 바와 같이 실선으로 나타낸 범위로서 형성되었을 경우에도, 부분(1005)의 게이트의 폭을 (W)로부터 (W')로 변경하고, 부분(1006)의 접촉 저항을 비접촉 면적에 상당하는 양만큼 증가시킨다.

상기 설명한 바와 같이, 게이트의 길이나 접촉 저항을 레이아웃 패턴이 아니고, 웨이퍼 위에 투영되는 패턴 상에 근거해서 추출함으로써, 실제로 제조되는 디바이스의 전기적 특성을 고정밀도로 계산할 수 있다.

도 1을 다시 참조하면, 스텝 S104에서는 스텝 S103에서 계산된 전기적 특성이 적절한지의 여부를 평가한다. 구체적으로는, 소정의 요구조건을 설정하고, 전기적 특성이 그 요구조건을 충족하는지의 여부를 컴퓨터에 의해 판단한다. 예를 들어, 트랜지스터나 배선에서의 소비 전력의 최대 허용치를 그 요구조건으로서 설정하고, 계산된 값이 최대 허용치와 동일 혹은 그 이하인지의 여부를 판단한다. 전기신호의 전파 지연 시간에 대해서는, 상기 최대 허용치를 상기 요구조건으로서 설정하여, 계산된 값이 상기 최대 허용치를 넘지 않는지의 여부를 판단한다. 대안적으로는, 플립-플롭 회로나 연산 회로로서 이용되는 패턴의 부분의 논리 연산 결과(0 또는 1)에 의거해서 결정할 수 있다.

또, 고려되는 노광 조건으로부터 평가한 값이 최적으로 될 수 있는 조건을 도출한다. 스텝 S104에서 상기 요구조건을 충족하면, 계산을 종료하고, 스텝 S101에서 설정한 노광 조건의 데이터를 도 5에 나타낸 주제어장치(20)로 전송한다. 이어서, 주제어장치(20)는 조명 광학계, 투영 광학계, 광원 등의 구성 요소를 제어하여, 노광 처리를 한다.

스텝 S104에서 상기 요구조건을 충족하지 않으면, 설정된 노광 조건을 조정 하고, 스텝 S106에서 새로운 노광 조건을 산출한다. 예를 들면, 광원의 파장 분포를 증가시킬 수 있거나, 또는 피크 파장이 서로 다른 2개의 광원의 파장을 이용할 수 있다. 대안적으로, 예를 들어, 조명 형상의 파라미터를 변경할 수 있다.

일단 노광 조건이 조정되면, 계산된 전기적 특성이 요구조건을 충족할 때까지 스텝 S102 내지 S104를 반복해서 실시한다. 그리고, 요구조건을 충족하면, 계산을 종료하고, 산출된 노광 조건의 데이터를 도 5에 나타낸 노광 장치의 주제어장치(20)에 전송한다.

도 17 및 도 18은 노광 조건과 디바이스의 전기적 특성 간의 대응을 나타낸다. 도 17은 주어진 노광 조건 하에서의 레이아웃 전체에 있어서의 전기적 특성을 나타낸다. 도 17에 있어서, 콘트라스트(contrast: 색의 농담의 변화)가 높은 영역은 전기적 특성이 나쁘고, 반대로 콘트라스트가 낮은 영역은 전기적 특성이 양호하다. 이 전기적 특성은 형성되는 패턴의 치수 분포 특성으로부터 도출된 것이다. 도 18은 도 17에 있어서의 노광 조건과는 다른 노광 조건하에서 레이아웃 전체에 있어서의 전기적 특성을 나타낸 도면이다.

도 17과 도 18을 비교하면, 영역(A), (B)보다 영역(A'), (B')의 전기적 특성이 양호한 것을 알 수 있다. 영역(A), (B), (A'), (B')은 예를 들어 반도체 디바이스에 중요한 회로가 존재하는 영역이다. 따라서, 도 18에 나타낸 전기적 특성을 발휘할 수 있는 노광 조건하에서 노광을 실시함으로써, 반도체 디바이스의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 제조되는 디바이스의 전기적 특성을 고려해서 노광 조건을 계산하고, 그 계산된 노광 조건하에서 노광을 실시함으로써, 디바이스의 제조 수율을 향상시킬 수 있다. 노광 조건은 시뮬레이션용 컴퓨터(23)에 의해서 얻어진 노광 조건의 데이터의 주제어장치(20)로의 송신, 노광 장치의 각종 구성 요소(예를 들어, 광학 소자의 지지 부재) 및 광원의 설정의 주제어장치(20)를 통한 제어 및 적절한 전기적 특성의 결정에 의해 설정된다. 노광 조건이 설정된 노광 장치, 및 마스크를 이용해서, 웨이퍼의 노광을 실시한다.

그 결과, 본 실시예에 따른 노광 조건 산출 프로그램 또는 노광 조건 산출 방법을 이용함으로써, 반도체 디바이스의 제조 수율을 향상시킬 수 있는 노광 조건을 산출할 수 있다.

또, 디바이스의 회로 패턴의 선폭이 미세화됨에 따라, 디바이스의 배선으로서 사용되는 패턴의 일부의 전기적 특성을 고려함으로써, 디바이스의 제조 수율을 한층 더 향상시킬 수 있는 노광 조건을 산출할 수 있다. 그 이유는, 디바이스의 배선으로서 사용되는 패턴의 일부의 전기적 특성이 디바이스 전체의 전기적 특성에 미치는 영향이 커지기 때문이다.

또한, 본 실시예에서는, 전술한 바와 같이, 웨이퍼 위에 투영되는 패턴의 상에 근거해서 전기적 특성을 계산한다. 그러나, 이것 대신에, 감광제에 투영될 패턴 상의 현상에 의해 감광제에 형성되는 레지스트 상을 계산하고, 그 계산 결과에 근거해서 전기적 특성을 계산해도 무방하다. 이 경우, 감광제의 특성도 고려할 수 있으므로, 노광 조건을 산출할 때에, 제조되는 디바이스의 전기적 특성을 고정밀도로 계산할 수 있다. 게다가, 해당 레지스트 상이 형성되는 층과 그 하층 간의 단 차를 고려해서, 레지스트 상을 계산해도 무방하다.

또, 본 실시예에서는 디바이스의 레이아웃 전체에 대해서, 전기적 특성을 계산했지만, 블록(예를 들어, CPU, RAM 및 ADC) 가운데 적어도 1개의 블록에 대해 패턴 상 및 전기적 특성을 계산하여, 적절한 노광 조건을 산출할 수도 있다. 이 경우, 디바이스의 제조 수율을 향상시킬 수 있는 노광 조건을 쉽게 산출할 수 있다.

또한, 투영 광학계(14)의 실제의 수차 정보, 조명 광학계의 동공면에서의 광 강도 분포 및/또는 편광 상태를, 2차원 센서(16)를 이용해서 실제로 계측할 수 있다. 그 경우, 상기 수차 정보, 광 강도 분포 정보 및/또는 편광 상태를 컴퓨터(30)에 포획하여 노광 조건의 초기값으로서 설정하고 나서, 스텝 S102 및 스텝 S103을 통해서 적절한 노광 조건을 산출해도 무방하다.

본 실시예가 컴퓨터 시스템에 사용하기 위한 프로그램에 의해 실현되는 경우, 그 프로그램은 범용 컴퓨터의 프로세서에 의해 실행가능한 소프트웨어 코드를 포함한다. 소프트웨어 코드의 실행 중에, 소프트웨어 코드 및 그 관련 데이터는 컴퓨터의 메모리에 격납된다. 또, 소프트웨어 코드 혹은 그 관련 데이터는 다른 컴퓨터에 격납되어, 복수의 컴퓨터 간에 소프트웨어 코드를 송수신하면서 프로그램을 실행하는 것도 가능하다. 따라서, 소프트웨어 코드는 적어도 1개의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 저장 매체(예를 들어, CD-ROM이나 DVD-ROM 등)에 저장될 수 있다. 또, 네트워크를 통해서 소프트웨어 코드를 포함하는 프로그램의 데이터를 컴퓨터에 다운로드해서, 소프트웨어 코드를 실행하는 것도 가능하다. 본 실시예에서 설명한 프로그램은 전술한 바와 같은 소프트웨어 코드라고 하는 형식으로 기술되어 1개 또는 그 이상의 소프트웨어로서 기능시킬 수 있다.

제 2 실시예

다음에, 본 발명의 제 2 실시예에 대해 설명한다. 제 2 실시예는, 계산된 전기적 특성이 적절하지 않은(요구조건을 충족시키지 않은) 경우, 처리 흐름은 레이아웃 설계로 복귀해서, 레이아웃을 재설계하는 점에서 상기 제 1 실시예와 다르다. 이하에서는 제 1 실시예와 같은 설명은 생략한다.

도 2는 제 2 실시예에 따른 노광 조건을 산출할 때의 처리의 흐름을 나타낸다. 우선, 스텝 S201 내지 S203에 있어서는, LSI의 설계에서 전술한 것처럼, 디바이스의 시스템 설계, 논리 및 레이아웃을 설계한다. 이어서, 설계된 레이아웃 데이터에 근거하여, 스텝 S204 내지 S207을 수행한다. 스텝 S206에서 계산된 전기적 특성이 요구조건을 충족하면, 계산을 종료한다. S206에서 상기 계산된 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족하지 않으면, 스텝 S208로 진행하여, 스텝 S203에서 설계된 디바이스 레이아웃을 변경한다. 예를 들면, LSI의 설계에서는, 도 16에 나타낸 CPU, DSP, ROM, RAM, 로직, ADC, DAC 및 PLL의 각각의 위치를 변경하고/하거나 그의 형상을 변경할 수 있다. 그리고, 이들 요소 사이의 배선을 재설계한다.

레이아웃을 재설계할 경우, 계산된 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족시킬 때까지 스텝 S205 내지 S207을 반복한다. 그리고, 계산된 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족시키면, 계산을 종료한다. 계산된 레이아웃 데이터는 마스크의 패턴의 설계에 이용하기 위한 데이터로서 이용된다.

예를 들어, 주어진 노광 조건 하에서 시뮬레이션에 의해 디바이스 전체의 전 기적 특성의 계산 결과가 도 19에 표시되어 있다. 이 경우, 영역(C)에 존재하는 블록(예를 들어, CPU)을 전기적 특성이 보다 양호한 영역(D)으로 이동시키거나, 혹은 블록 자체의 형상을 변경하고, 그 블록을 전기적 특성이 더욱 양호한 영역(E) 또는 (F)으로 이동시킬 수 있다. 도 19에 있어서, 도 17 및 도 18과 마찬가지로, 고콘트라스트 영역은 전기적 특성이 나쁜 영역을 나타내는 반면, 저콘트라스트 영역은 전기적 특성이 양호한 영역을 나타내고 있다.

본 실시예에 의하면, 디바이스의 레이아웃을 재설계함으로써, 디바이스의 제조 수율을 향상시킬 수 있는 노광 조건을 산출할 수 있다.

또한, 도 20의 스텝 S209에 나타낸 바와 같이, 상기 디바이스 레이아웃 및 노광 조건의 양쪽 모두를 변경해도 무방하다. 이 경우, 보다 적합한 해법(디바이스 레이아웃 및 노광 조건)을 찾을 수 있다. 이와 같이 해서 찾은 해법을 이용해서 노광 처리를 실시함으로써 수율 및/또는 해상도를 더욱 향상시킬 수 있다.

이상, 본 발명을 예시된 실시예를 참조해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 개시된 실시예로 한정되지 않는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 이하의 특허청구범위는 모든 변형, 등가의 구성 및 기능을 망라하도록 최광의로 해석할 필요가 있다.

도 1은 제 1 실시예에 따른 노광 조건을 산출할 때의 처리 흐름 예를 나타낸 도면;

도 2는 제 2 실시예에 따른 노광 조건을 산출할 때의 처리 흐름 예를 나타낸 도면;

도 3은 디바이스의 제조 프로세스의 일례를 나타낸 도면;

도 4는 웨이퍼 프로세스의 일례를 나타낸 도면;

도 5는 노광 장치의 일례를 나타낸 도면;

도 6은 노광 조건 산출 프로그램을 실행하는 컴퓨터의 일례의 블록도;

도 7은 함수로 표현된 원형 조명의 파라미터를 설명하는 도면;

도 8은 함수로 표현된 환형상 조명의 파라미터를 설명하는 도면;

도 9는 함수로 표현된 이중극 조명의 파라미터를 설명하는 도면;

도 10은 비트 맵화된 조명을 나타낸 도면;

도 11은 함수로 표현된 원형 조명의 편광광을 설명하는 도면;

도 12는 함수로 표현된 환형상 조명의 편광광을 설명하는 도면;

도 13은 함수로 표현된 이중극 조명의 편광광을 설명하는 도면;

도 14는 웨이퍼 위에 투영되는 패턴을 나타낸 도면;

도 15는 웨이퍼 위에 투영되는 패턴을 나타낸 도면;

도 16은 LSI의 블록의 레이아웃을 나타낸 도면;

도 17은 제 1 실시예에 따른 주어진 노광 조건하에 있어서의 디바이스의 전 기적 특성을 나타낸 도면;

도 18은 제 1 실시예에 따른 다른 노광 조건하에 있어서의 디바이스의 전기적 특성을 나타낸 도면;

도 19는 제 2 실시예에 따른 디바이스 레이아웃의 변경 방법을 설명하는 도면;

도 20은 제 2 실시예에 따른 디바이스 레이아웃 변경 및 노광 조건의 변경 방법을 설명하는 순서도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1:광원 2: 빔 정형 광학부

3: 광학부 4: 조명 광학계

6: 파리의 눈 렌즈 7: 개구 조리개

8: 조사 렌즈 9: 시야 조리개

10, 11: 결상 렌즈 12: 편향 미러

13: 마스크(레티클) 14: 투영 광학계

15: 웨이퍼 16: 2차원 이미지 센서

17: 마스크 스테이지 18: 웨이퍼 스테이지

20: 주제어장치 22: 작동기

23: 시뮬레이션용 컴퓨터 30: 컴퓨터

31: 제어부 32: 기억부

33: 브리지 34: 출력 인터페이스

35: 네트워크 인터페이스 36: 입력 인터페이스

37: 디스플레이

Claims (13)

1. 원판의 패턴의 상(image)을 기판 위에 투영할 때 이용되는 노광 조건을 컴퓨터의 실행에 의해 산출하는 노광 조건 산출 방법에 있어서,

   노광 조건을 설정하는 설정 스텝;

   상기 설정 스텝에서 설정된 노광 조건하에서 상기 기판 위에 투영되는 상의 치수를 계산하는 상 계산 스텝;

   상기 상 계산 스텝에서 계산된 결과에 따라, 상기 기판 위에 형성되는 패턴 중 배선으로서 사용되는 부분 및 트랜지스터로서 사용되는 부분의 적어도 한쪽의 전기적 특성을 계산하는 전기적 특성 계산 스텝;

   상기 전기적 특성 계산 스텝에서 계산된 전기적 특성이 요구조건을 충족하는지의 여부를 판정하는 판정 스텝; 및

   상기 판정 스텝에서 상기 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족하지 않는다고 판정된 경우에, 상기 설정 스텝에서 설정된 노광 조건을 조정하는 조정 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 전기적 특성 계산 스텝에 있어서, 상기 전기적 특성으로서 상기 배선의 소비 전력, 상기 배선을 통과하는 전기신호의 파형의 교란 및 상기 전기신호의 전파 지연 시간 중 적어도 하나를 계산하는 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 전기적 특성 계산 스텝에 있어서, 상기 상 계산 스텝에서 계산된 상의 치수에 의거하여, 상기 기판 위에 형성되는 패턴의 치수를 변경하고, 해당 변경된 치수를 이용해서 상기 전기적 특성을 계산하는 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
4. 제 1항에 있어서, 상기 노광 조건은 광원의 파장 분포, 투영 광학계의 사출측 개구수, σ, 조명 광학계의 동공면(pupil surface)에 있어서의 광 강도 분포 및 조명광의 편광도 중 적어도 1개인 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
5. 원판의 패턴의 상을 기판 위에 투영할 때 이용되는 노광 조건을 컴퓨터의 실행에 의해 산출시키는 노광 조건 산출 방법에 있어서,

   디바이스의 레이아웃을 설계하는 설계 스텝;

   노광 조건을 설정하는 설정 스텝;

   상기 설정 스텝에서 설정된 노광 조건하에서 상기 기판 위에 투영되는 상의 치수를 계산하는 상 계산 스텝;

   상기 상 계산 스텝에서 계산된 결과에 따라, 상기 기판 위에 형성되는 패턴 중 배선으로서 사용되는 부분 및 트랜지스터로서 사용되는 부분의 적어도 한쪽의 전기적 특성을 계산하는 전기적 특성 계산 스텝;

   상기 전기적 특성 계산 스텝에서 계산된 전기적 특성이 요구조건을 충족하는 지의 여부를 판정하는 판정 스텝; 및

   상기 판정 스텝에서 상기 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족하지 않는다고 판정된 경우에, 상기 설계 스텝에서 설계된 레이아웃을 변경하는 변경 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
6. 제 5항에 있어서, 전기적 특성 계산 스텝에 있어서, 상기 전기적 특성으로서 상기 배선의 소비 전력, 상기 배선을 통과하는 전기신호의 파형의 교란 및 상기 전기신호의 전파 지연 시간 중 적어도 하나를 계산하는 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
7. 제 5항에 있어서, 전기적 특성 계산 스텝에 있어서, 상기 상 계산 스텝에서 계산된 상의 치수에 의거하여, 상기 기판 위에 형성되는 패턴의 치수를 변경하고, 해당 변경된 치수를 이용해서 상기 전기적 특성을 계산하는 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
8. 제 5항에 있어서, 상기 변경 스텝에 있어서, 상기 전기적 특성 계산 스텝에서 계산된 결과에 따라, 상기 설계 스텝에서 설계된 레이아웃 및 상기 설정 스텝에서 설정된 노광 조건을 변경하는 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
9. 제 5항에 있어서, 상기 노광 조건은 광원의 파장 분포, 투영 광학계의 사출 측 개구수, σ, 조명 광학계의 동공면에서의 광 강도 분포 및 조명광의 편광도 중 적어도 1개인 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
10. 원판의 패턴의 상을 기판 위에 투영할 때 이용되는 노광 조건을 산출하기 위한 컴퓨터 실행가능한 명령을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 저장하고 있는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 있어서,

    노광 조건을 설정하는 컴퓨터 실행가능한 명령;

    설정된 노광 조건하에서 상기 기판 위에 투영되는 상의 치수를 계산하는 컴퓨터 실행가능한 명령;

    상기 계산 결과에 따라, 상기 기판 위에 형성되는 패턴 중 배선으로서 사용되는 부분 및 트랜지스터로서 사용되는 부분의 적어도 한쪽의 전기적 특성을 계산하는 컴퓨터 실행가능한 명령;

    상기 전기적 특성을 계산하는 스텝에서 계산된 전기적 특성이 요구조건을 충족하는지의 여부를 판정하는 컴퓨터 실행가능한 명령; 및

    상기 판정을 행하는 스텝에서 상기 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족하지 않는다고 판정된 경우에, 상기 설정을 행하는 스텝에서 상기 설정된 노광 조건을 조정하는 컴퓨터 실행가능한 명령을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체.
11. 원판의 패턴의 상을 기판 위에 투영할 때 이용되는 노광 조건을 산출하는 컴 퓨터 실행가능한 명령을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 저장하고 있는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 있어서,

    디바이스의 레이아웃을 설계하는 컴퓨터 실행가능한 명령;

    노광 조건을 설정하는 컴퓨터 실행가능한 명령;

    상기 설정을 행하는 스텝에서 설정된 노광 조건하에서 상기 기판 위에 투영되는 상의 치수를 계산하는 컴퓨터 실행가능한 명령;

    상기 상의 치수를 계산하는 스텝에서 상기 계산 결과에 따라, 상기 기판 위에 형성되는 패턴 중 배선으로서 사용되는 부분 및 트랜지스터로서 사용되는 부분의 적어도 한쪽의 전기적 특성을 계산하는 컴퓨터 실행가능한 명령;

    상기 전기적 특성을 계산하는 스텝에서 계산된 전기적 특성이 요구조건을 충족하는지의 여부를 판정하는 컴퓨터 실행가능한 명령; 및

    상기 판정을 행하는 스텝에서 상기 전기적 특성이 상기 요구조건을 충족하지 않는다고 판정된 경우에, 상기 설계를 행하는 스텝에서 설계된 레이아웃을 변경하는 컴퓨터 실행가능한 명령을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체.
12. 제 1항에 있어서, 원판의 패턴의 상을 기판에 투영하는 스텝; 및 산출된 노광 조건하에서 기판을 노광하는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.
13. 제 5항에 있어서, 원판의 패턴의 상을 기판에 투영하는 스텝; 및 산출된 노광 조건하에서 기판을 노광하는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 조건 산출 방법.

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