JPH0934100A - レティクルとレティクルにより作成される半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ラインアンドスペースの一番外側にあるライ
ンを２光結像させ、解像度と焦点深度の低下がない露光
を行うレティクルを提供する。 【構成】 縮小投影露光装置に組み込まれ、斜入射照明
光の照射により、基板上に投影露光される転写パターン
が形成されたレティクルであり、転写パターンが、一方
向に長い形状で繰り返されるライン幅Ｌのラインパター
ン２１とスペース幅Ｓのスペースパターン２２とからな
るラインアンドスペースパターン２３と、ラインアンド
スペースパターン２３の外側に、スペース幅Ｓの距離に
形成され、縮小投影露光装置の解像限界以下のダミーラ
インパターン２４とで構成されている。最外側のライン
パターン２１のコントラストは、内側のラインパターン
２１とほぼ等しく、解像度や焦点深度の低下がなく、斜
入射照明を行った場合に、基板上の投影像の解像度と焦
点深度とを向上され、高精度で精密なレジストパターン
の形成が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レティクルとレテ
ィクルを用いて作成される半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体メモリや液晶素子の半導体回路な
どの半導体装置の作成には、転写パターンが形成された
レティクル（マスク）に露光光を照射し、投影光学系を
介して、転写パターンをウエハに結像投影するフォトリ
ソグラフィの技術が利用されている。このようにして作
成される半導体装置の解像度Ｒと焦点深度ＤＯＦは、波
長をλ、開口数をＮＡとして、（１）式に示すレイリー
の式で与えられる。

【０００３】 Ｒ＝ｋ１（λ／ＮＡ） ＤＯＦ＝ｋ２（λ／ＮＡ² ） （１）

【０００４】このレイリーの式から、フォトリソグラフ
ィによる半導体の作成には、露光波長の短波長化が効果
的であることが解る。特に、半導体装置のデザインルー
ルが縮小化し、サブハーフミクロンルールになると、現
在露光に主に使用されているｉ線（波長３６５ｎｍ）で
は、限界に近付いていることが明らかである。

【０００５】ところで、露光波長を短波長化するには、
ＫｒＦレーザの利用が考えられるが、ＫｒＦレーザで用
いられる化学増幅型レジストは、塩基による酸の失活や
下地依存の問題があり、また、定在波効果が大きくな
り、反射防止膜が必要で製造コストが増大するという問
題がある。また、ＫｒＦレーザの投影露光装置では、色
収差を抑えるためＫｒＦレーザの波長の狭帯化が必要で
あるが、その信頼度が不十分であり、アライメントでＴ
ＴＬが不可能でｏｆｆ−ａｘｉｓとなり、重ね合わせ精
度が低下するという問題がある。一方、ＮＡを拡大する
ことも考えられるが、現在でもＮＡは０．６３程度にな
っており、これ以上のレンズの大口径化は、製造コスト
の面で実用的ではない。

【０００６】これに対して、３光束結像を利用した通常
の露光光の照射に代えて、２光束結像を利用した露光法
が開発使用されている。この２光束結像には、レベンソ
ンタイプの位相シフトマスクによる方法と、斜入射照明
による方法とがある。

【０００７】レベンソンタイプの位相シフトマスクによ
る方法では、レティクル上のシフタにより位相を１８０
°反転させることによって、±１次光の回折角を３光束
結像よりも小さくし投影レンズに導き、０次光を消失さ
せるものである。レベンソンタイプの位相シフトマスク
による方法は、３光束結像と比較して、回折角が１／２
になるために、理論的に限界解像度が半分になり、ま
た、回折角が小さくなるために焦点深度の拡大が大き
い。

【０００８】しかし、レベンソンタイプの位相シフトマ
スクでは、シフタの配置に矛盾が生じ易いために、現在
でもＣＡＤによる自動配置が困難であり、ＣＡＤによる
シフタ配置後に、矛盾部を手作業で修正する必要があ
る。また、無欠陥のシフタを作成する技術やその検査方
法が、未だ確立されていないという問題もあり、実際の
製造ラインでは使用されていない。

【０００９】一方、斜入射照明は、光源の中心部を遮光
することにより、斜め方向の光のみを用いてレティクル
を照明し、回折光の内±１次光の一方を投影レンズの瞳
面の外に出すことにより、０次光と±１次光の一方で結
像させる方法である。０次光と±１次光の一方を用いる
ため３光束結像では、±１次光が投影レンズからはみ出
していた微細なラインアンドスペースについても、０次
光と±１次光の一方のなす角が、投影レンズに取込むこ
とが可能であれば、ウエハ上に結像することができ、限
界解像度が向上する。

【００１０】また、ウエハへ入射する角度は、３光束結
像より小さいため焦点深度も拡大する。さらに、斜入射
照明は特別なレティクルが不要であるため、現有の縮小
投影露光装置にも、光源の中心部を遮光するアパーチャ
を用いるだけで容易に実現可能であり、すでにサブハー
フミクロンルールのデバイスの一部では実用化が進めら
れている。

【００１１】この斜入射照明には、特開昭６１−９１６
６２号公報に開示されている照明を環帯状とする輪帯照
明と、特開平４−１８０６１２号公報に開示されている
照明を四分割状とする四ツ目照明とがある。四ツ目照明
は、瞳の中心及び瞳中心を通り縦横パターンの方向へ延
びる一対の各部分よりも他の部分、望ましくは、一対の
軸とほぼ４５°と１３５°の方向にある対称な部分の光
強度が大きい光量分布を備える有効光源を形成する。

【００１２】図４は従来の縮小投影露光装置の構成を示
す説明図、図５は図４のアパーチャの説明図である。ラ
ンプ１が、楕円反射鏡２の第１の焦点に配置され、ラン
プ１からの光が楕円反射鏡２、コールドミラー１１を介
して、楕円反射鏡２の第２の焦点３付近に集光され、イ
ンプットレンズ４により平行光束にされ、オプチカルイ
ンテグレータ５に入射される。オプチカルインテグレー
タ５の通過によって、光の照射均一性が高められ、オプ
チカルインテグレータ５を出た光は、アウトプットレン
ズ６からコールドミラー１２を介してコリメータレンズ
７に入り、オプチカルインテグレータ５の各レンズから
の光束が、レクティル８上に重畳して入射するように集
光され、レクティル８上の照射強度がほぼ均一にされ
る。

【００１３】輪帯照射を行う場合には、図５（ａ）に示
すように遮光領域Ｓに対して、リング状の光透過領域Ｐ
が形成されたアパーチャ２０が、オプチカルインテグレ
ータ５の出射位置に配置される。また、四ツ目照射を行
う場合には、同図（ｂ）に示すように、遮光領域Ｓの中
心に対称に円形の光透過領域Ｐが形成されたアパーチャ
２０が、オプチカルインテグレータ５の出射位置に配置
される。

【００１４】この斜入射照明は、レティクル８で照明光
が回折することを基本にしており、レティクル８上に形
成される最小線幅の転写パターンは、一方向に長い形状
で繰り返されるライン幅Ｌとスペース幅Ｓのラインアン
ドスペースパターンで形成されている。従って、転写パ
ターンは回折格子と見做すことができ、輪帯照明や四ツ
目照明による斜入射照明によって２光束結像ができ、こ
のために解像度と焦点深度が向上する。

【００１５】しかし、ラインアンドスペースパターンに
おいて、内側のラインは完全な回折格子と見做すことが
できるが、パターンの一番外側にあるラインは、パター
ンの外側が回折格子となっていないために、回折角が一
意に規定できない。このために、２光束結像が実現でき
ず、パターンの外側において解像度と焦点深度が劣化す
る。

【００１６】図６は図４のレティクルに形成される転写
パターンの説明図、図７は従来の縮小投影露光装置の焦
点強度を示す特性図である。ｉ線を使用し、ＮＡ＝０．
５４の縮小投影露光装置（投影倍率１／５）を用い、四
ツ目照明によって、図６に示すような、ライン幅Ｌ＝
０．３５μｍ、スペース幅Ｓ＝０．３５μｍの転写パタ
ーンＴＰの焦点深度を測定すると、図７に示すような結
果が得られる。同図に示すように、内側のラインは焦点
深度１．４μｍを実現しているが、一番外側のライン
は、焦点深度１．０μｍとなり、内側のラインと比較し
焦点深度が低下していることが確認された。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】この場合、一番外側の
ラインの回折角を一義的に規定するために、転写パター
の外側に新たにパターンを設けることも考えられるが、
このパターンもレジストを塗布した基板上に結像し配線
となり、余分なゲート電極が形成されたり、配線容量が
増加するために採用することはできない。

【００１８】本発明は、前述したようなレティクルの現
状に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、ラ
インアンドスペースの一番外側にあるラインを２光結像
させて、解像度と焦点深度の低下がない露光を行うこと
が可能なレティクルを提供することにある。

【００１９】また、本発明の第２の目的は、ラインアン
ドスペースの一番外側にあるラインを２光結像させて、
解像度と焦点深度の低下がない露光を行うレティクルに
より作成され、不要なゲート電極の形成や配線容量の増
加のない半導体装置を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】前記第１の目的を達成す
るために、請求項１記載の発明は、縮小投影露光装置に
組み込まれ、斜入射照明光で照射されることにより、基
板上に投影露光される転写パターンが形成されたレティ
クルであり、前記転写パターンは、一方向に長い形状で
繰り返されるライン幅Ｌとスペース幅Ｓのラインアンド
スペースパターンと、該ラインアンドスペースパターン
の外側に、前記スペース幅Ｓの距離に形成され、前記縮
小投影露光装置の解像限界以下のダミーラインパターン
とを有することを特徴とするものである。

【００２１】同様に前記第１の目的を達成するために、
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、
前記縮小投影露光装置の投影倍率が１／ｎ、露光波長が
ｉ線（波長３６５ｎｍ）、前記ダミーラインパターンの
ライン幅が０．２ｎ（μｍ）以下であることを特徴とす
るものである。

【００２２】同様に前記第１の目的を達成するために、
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、
前記縮小投影露光装置の投影倍率が１／ｎ、露光波長が
ＫｒＦレーザの波長（２４８ｎｍ）、前記ダミーライン
パターンのライン幅が０．１５ｎ（μｍ）以下であるこ
とを特徴とするものである。

【００２３】前記第２の目的を達成するために、請求項
４記載の発明は、縮小投影露光装置によりレティクルを
斜入射照明光で照射し、前記レティクルに形成された転
写パターンを、基板上に露光することにより得られるレ
ジストパターンに基づいて作成される半導体装置であ
り、前記転写パターンは、一方向に長い形状で繰り返さ
れるライン幅Ｌとスペース幅Ｓのラインアンドスペース
パターンと、該ラインアンドスペースパターンの外側
に、前記スペース幅Ｓの距離に形成され、前記縮小投影
露光装置の解像限界以下のダミーラインパターンとを有
することを特徴とするものである。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係るレティクルに
形成される転写パターンの説明図であり、本発明では、
レティクル８Ａに、一方向に長い形状で繰り返されるラ
イン幅Ｌのラインパターン２１及びスペース幅Ｓのスペ
ースパターン２２からなるラインアンドスペースパター
ン２３が形成され、さらに、ラインアンドスペースパタ
ーン２３の両外側に、最外側のラインパターン２１か
ら、スペースパターン２２のスペース幅に等しい距離Ｓ
の位置に、レティクルが装着される縮小投影露光装置の
解像限界以下のダミーラインパターン２４が形成されて
いる。

【００２５】このような構成を取っているために、最外
側のラインパターン２１の外側には、ダミーラインパタ
ーン２４が、一定ピッチの回折格子として存在し、最外
側のラインパターン２１は、回折角が内側のラインとほ
ぼ等しくなる。このために、最外側のラインパターン２
１によっても、内側のラインパターン２１と同様に２光
束結像が実現でき、最外側のラインパターン２１の解像
度及び焦点深度が、内側のラインパターン２１と等しく
なり、解像度及び焦点深度の低下が防止される。

【００２６】また、最外側のラインパターン２１の外側
に設けられたダミーラインパターン２４は、レティクル
が組み込まれる縮小投影露光装置の解像限界以下であ
り、転写パターンが投影されるレジストを塗布した基板
（Ｓｉウエハー、石英基板）上の膜に、現像後にレジス
トパターンとして残らない。このために、基板上の膜を
エッチングした後にも、余分な被エッチング膜のパター
ンが基板上に残らず、余分なゲート電極が形成されず、
また配線容量の増加につながる余分な配線の形成を防止
することが可能になる。

【００２７】図２は、本発明に係るレティクルの四ツ目
照明時の光強度特性を示す特性図、図３は、図２と対比
される従来のレティクルの四ツ目照明時の光強度特性を
示す特性図である図３は、ＮＡ＝０．５４、投影倍率１
／５の縮小投影露光装置に装着されたレティクル上に、
ライン幅Ｌ＝１．７５μｍ、スペース幅Ｓ＝１．７５μ
ｍで繰り返される５本組のラインアンドスペースパター
ンが形成され、このレティクルに対して、ｉ線（３６５
ｎｍ）による四ツ目照明を行った場合の光強度を、シュ
ミレーションした結果であり、ウエハ上でのライン幅
Ｌ′及びスペース幅Ｓ′は、Ｌ′＝０．３５μｍ、Ｓ′
＝０．３５μｍとなる。

【００２８】一方、図２は、図３と同一の縮小投影露光
装置を使用し、本発明に係るレティクルとして、ライン
幅Ｌ＝１．７５μｍ、スペース幅Ｓ＝１．７５μｍで繰
り返される５本組のラインアンドスペースパターンと、
最外側のラインパターンの外側に、スペース幅Ｓ＝１．
７５μｍの距離に、縮小投影露光装置の解像限界以下の
ライン幅Ｌｄ＝０．５０μｍのダミーラインパターンと
を形成した場合の光強度をシュミレーションしたもので
ある。この場合も、ウエハ上のライン幅Ｌ′及びスペー
ス幅Ｓ′は、Ｌ′＝０．３５μｍ、Ｓ′＝０．３５μｍ
となる。

【００２９】図３では、最外側のラインパターンに隣接
するスペースパターンの光強度が、内側のスペースパタ
ーンの光強度より低下しており、このために、外側のラ
インパターンのコントラストが、内側のラインパターン
のコントラストよりも低下し、解像度及び焦点深度が小
さくなる。これに対して、図２では、ダミーラインパタ
ーンが配置されているために、最外側のラインパターン
に隣接するスペースパターンの光強度が、内側のスペー
スパターンとほぼ同程度となり、最外側のラインパター
ンのコントラストは、内側のラインパターンとほぼ等し
くなり、解像度や焦点深度の低下が防止される。また、
ダミーラインパターンの光強度は、ラインアンドスペー
スパターンのラインバターンの光強度より著しく大き
く、図２では１０倍程度になり、ダミーラインパターン
のコントラストは、０．２倍程度と小さくなる。

【００３０】一般に、ノボラックレジストを用いた単層
レジストプロセスの場合、コントラストは０．６以上で
あればパターンが解像するが、ダミーラインパターンの
コントラストは０．２程度であるので全く解像しない。
このため、投影像を用いて基板の膜上にレジストパター
ンを形成しても、ダミーラインパターンは転写されな
い。また、図２の結果より、ラインアンドスペースパタ
ーンの外側にスペースパターン幅Ｓの距離に配置するダ
ミーラインパターンは一本で十分であることが明らかで
ある。

【００３１】次に、ラインアンドスペースパターンの外
側に、スペースパターンの幅Ｓと同一の距離に配置され
る解像度限界以下のダミーラインパターンのライン幅Ｌ
ｄについて説明する。露光波長がｉ線（３６５ｎｍ）の
場合、通常のノボラックレジストを用いた単層レジスト
プロセスでは、レイリーの式で記述されるｋ１は、通常
照明で０．６、変形照明では０．４〜０．５となること
が知られている。また、縮小投影露光装置のＮＡは、レ
ンズの大口径化と装置コストの条件から、限界値が０．
６３程度である。この条件をレイリーの式に代入する
と、Ｒ＝０．４〜０．５×（０．３６５／０．６３）＝
０．２３〜０．２９μｍとなる。

【００３２】レイリーの式では、投影倍率は解像度と無
関係であり、またＣＡＤによるパターン設計では、通常
０．０５μｍ単位でなされることが多いので、ｉ線（３
６５ｎｍ）を使用する場合には、縮小投影露光装置の投
影倍率を１／ｎ倍とすると、ラインアンドスペースパタ
ーンの外側に、スペースパターン幅Ｓに等しい距離に、
配置されるダミーラインパターンのライン幅Ｌｄを０．
２ｎ（μｍ）以下にするとよい。露光波長がＫｒＦレー
ザ（２４８ｎｍ）の場合には、通常の化学増幅型レジス
トを用いた単層レジストプロセスでは、レイリーの式で
記述されるｋ１は、変形照明の場合０．４〜０．５とな
る。また、縮小投影露光装置のＮＡは、現在は０．５〜
０．５５程度であるが、ｉ線の縮小投影露光装置と同様
に、０．６程度まで拡大される可能性がある。これらの
条件下では、解像限界Ｒは、Ｒ＝０．４〜０．５×
（０．２４８／０．６０）＝０．１６〜０．２１μｍと
なる。

【００３３】そこで、パターン設計が０．０５μｍ単位
であることを考慮すると、ＫｒＦレーザ（２４８ｎｍ）
を用いる場合、縮小投影露光装置の投影倍率を１／ｎと
すると、ラインアンドスペースパターンの外側に、スペ
ース幅Ｓの距離に配置されるダミーラインパターンのラ
イン幅Ｌｄを０．１５ｎ（μｍ）以下にするのが望まし
い。

【００３４】

【実施例】

［第１の実施例］本実施例では、５００９サイズの石英
（５インチ角で厚さ０．９ｍｍ）で５倍レティクルが形
成され、このレティクルには、ライン幅Ｌ＝１．７５μ
ｍ、スペース幅Ｓ＝１．７５μｍの５本組のラインアン
ドスペースパターンと、ラインアンドスペースパターン
の外側に、１．７５μｍの距離の位置にライン幅０〜
１．７５μｍのダミーラインパターンとが設けられてい
る。

【００３５】このレティクルが、投影倍率１／５、ＮＡ
＝０．５４の縮小投影露光装置に装着され、ｉ線（３６
５ｎｍ）による四ツ目照明が行われた。基板としては、
ｉ線レジストを、１．０５μｍ塗布したＳｉウエハーを
使用し、焦点距離を変化させながら露光し、１１０℃で
６０秒のＰＥＢ処理後、ＴＭＡＨ溶液２．３８％で１分
間現像した後に、ＳＥＭによる断面観察により、５本組
のラインの外側と内側の焦点深度を測定した。なお、ラ
インアンドスペースの解像は、フォーカスの＋側でレジ
ストの膜減りが無く、−側で隣接のラインと分離してい
ることを条件とした。また、ダミーラインは、一部でも
レジストパターンがある場合には解像とした。

【００３６】本実施例で得られた特性を〔表１〕に示
す。

【００３７】

【表１】

【００３８】〔表１〕から、本実施例では、ダミーライ
ンパターンのライン幅は、１．００μｍ以下であれば、
Ｓｉウエハー上でレジストは解像されず、且つ５本組の
ラインアンドスペースの外側のラインの焦点深度の低下
が防止可能であった。

【００３９】［第２の実施例］本実施例では、５００９
サイズの石英（５インチ角で厚さ０．９ｍｍ）で５倍レ
ティクルが形成され、このレティクルには、ライン幅Ｌ
＝１．００μｍ、スペース幅Ｓ＝１．００μｍの５本組
のラインアンドスペースパターンと、ラインアンドスペ
ースパターンの外側に、１．００μｍの距離の位置にラ
イン幅０〜１．２５μｍのダミーラインパターンとが設
けられている。

【００４０】このレティクルが、投影倍率１／５、ＮＡ
＝０．４５の縮小投影露光装置に装着され、ＫｒＦレー
ザ（２４８ｎｍ）による輪帯照明が行われた。基板とし
ては、化学増幅型レジストを０．９μｍ、オーバコート
剤を０．１μｍ塗布したＳｉウエハーを使用し、焦点距
離を変化させながら露光し、１１０℃で６０秒のＰＥＢ
処理後、ＴＭＡＨ溶液２．３８％で１分間現像した後
に、ＳＥＭによる断面観察により、５本組のラインの外
側と内側の焦点深度を測定した。なお、ラインアンドス
ペースの解像は、フォーカスの＋側でレジストの膜減り
が無く、−側で隣接のラインと分離していることを条件
とした。また、ダミーラインは、一部でもレジストパタ
ーンがある場合には解像とした。

【００４１】本実施例で得られた特性を〔表２〕に示
す。

【００４２】

【表２】

【００４３】〔表２〕から、本実施例では、ダミーライ
ンパターンのライン幅は、０．７５μｍ以下であれば、
Ｓｉウエハー上でレジストは解像されず、且つ５本組の
ラインアンドスペースの外側のラインの焦点深度の低下
が防止可能であった。

【００４４】［第３の実施例］本実施例では、ゲート幅
０．３５μｍのゲートアレイの第１層目のＡｌ配線の露
光において、〔表３〕の３種のレティクルを使用し、投
影倍率１／５、開口ＮＡ＝０．５４の縮小投影露光装置
により、ｉ線により四ツ目照明を行った。Ａｌ膜上のレ
ジストは１．８μｍとし、露光後１１０℃で６０秒のＰ
ＥＢ処理を行い、ＴＭＡＨ２．３８％溶液で１分間現像
後に、１２０℃で６０秒のポストベーク及びＵＶ光を照
射しながらのレジスト熱硬化を経て、有磁場マグネトロ
ンエッチング装置を用いて、Ａｌエッチングを行いＡｌ
配線を形成した。なお、レティクル上のパターンは、ラ
イン幅とスペース幅が同じラインアンドスペースパター
ンで、パターンの外側に、スペース幅と同一間隔で解像
限界以下のダミーラインを設けないもの（では
ライン幅が異なる）と、ダミーラインを設けたものと
がある。そして、メタル−メタル間の層間隔（ＮＳＧ
０．８μｍ）及び第２層目のＡｌ配線を形成し、パッシ
ベーション膜（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ０．５μｍ）で被覆し歩留
を評価した。

【００４５】

【表３】

【００４６】本実施例において、レティクルでの歩留
低下の主な原因は、焦点深度の不足によるショート不良
である。このため、解像限界以下のダミーラインを設け
たレティクルを使用することにより、第１層目のＡｌ配
線の微細化が可能となり、歩留を向上させることが可能
になる。なお、レティクルを用いた場合（第１層目の
Ａｌ配線は０．４５μｍラインアンドスペース）と比較
して５％のチップ面積の縮小が可能となった。

【００４７】

【発明の効果】請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の発明によると、レティクルにライン幅Ｌとスペース
幅Ｓのラインアンドスペースパターンと、このラインア
ンドスペースパターンの外側に、スペース幅Ｓの距離に
縮小投影露光装置の解像限界以下のダミーラインパター
ンとが形成されているので、最外側のラインパターンの
コントラストは、内側のラインパターンとほぼ等しくな
り、解像度や焦点深度の低下が防止され、斜入射照明を
行った場合に、基板上の投影像の解像度と焦点深度とを
向上させ、高精度で精密なレジストパターンを形成する
ことが可能になる。請求項４記載の発明によると、レテ
ィクルにライン幅Ｌとスペース幅Ｓのラインアンドスペ
ースパターンと、このラインアンドスペースパターンの
外側に、スペース幅Ｓの距離に縮小投影露光装置の解像
限界以下のダミーラインパターンとが形成されているレ
ティクルによる露光が行われ、基板上に形成された解像
度と焦点深度とが向上した高精度で精密なレジストパタ
ーンに基づいて、ゲート電極や配線等が作成されるの
で、不要なゲート電極の形成や配線容量の増加のない、
低消費電力化された精密回路が形成された半導体装置が
提供可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るレティクルに形成される転写パタ
ーンの説明図である。

【図２】■本発明に係るレティクルの四ツ目照明時の光
強度特性を示す特性図である。

【図３】従来のレティクルの四ツ目照明時の光強度特性
を示す特性図である。

【図４】従来の縮小投影露光装置の構成を示す説明図で
ある。

【図５】図３のアパーチャの説明図である。

【図６】図３のレティクルに形成される転写パターンの
説明図である。

【図７】従来の縮小投影露光装置の焦点強度を示す特性
図である。

【符号の説明】

８Ａ レティクル ２１ ラインパターン ２２ スペースパターン ２３ 転写パターン ２４ ダミーラインパターン

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 縮小投影露光装置に組み込まれ、斜入射
   照明光で照射されることにより、ウエハ上に投影露光さ
   れる転写パターンが形成されたレティクルであり、 前記転写パターンは、一方向に長い形状で繰り返される
   ライン幅Ｌとスペース幅Ｓのラインアンドスペースパタ
   ーンと、該ラインアンドスペースパターンの外側に、前
   記スペース幅Ｓの距離に形成され、前記縮小投影露光装
   置の解像限界以下のダミーラインパターンとを有するこ
   とを特徴とするレティクル。
2. 【請求項２】 前記縮小投影露光装置の投影倍率が１／
   ｎ、露光波長がｉ線（波長３６５ｎｍ）、前記ダミーラ
   インパターンのライン幅が０．２ｎ（μｍ）以下である
   ことを特徴とする請求項１記載のレティクル。
3. 【請求項３】■前記縮小投影露光装置の投影倍率が１／
   ｎ、露光波長がＫｒＦレーザの波長（２４８ｎｍ）、前
   記ダミーラインパターンのライン幅が０．１５ｎ（μ
   ｍ）以下であることを特徴とする請求項１記載のレティ
   クル。
4. 【請求項４】 縮小投影露光装置によりレティクルを斜
   入射照明光で照射し、前記レティクルに形成された転写
   パターンを、基板上に露光することにより得られるレジ
   ストパターンに基づいて作成される半導体装置であり、 前記転写パターンは、一方向に長い形状で繰り返される
   ライン幅Ｌとスペース幅Ｓのラインアンドスペースパタ
   ーンと、該ラインアンドスペースパターンの外側に、前
   記スペース幅Ｓの距離に形成され、前記縮小投影露光装
   置の解像限界以下のダミーラインパターンとを有するこ
   とを特徴とする半導体装置。