JP5406861B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
図2は、原版と基板とを走査しながら基板の複数のショット領域を露光する走査露光装置の概略構成を示す図である。走査露光装置EX1は、照明系ILと原版ステージ駆動部11と投影光学系7と基板ステージ駆動部12と測定部13,14と制御部15とを備えている。照明系ILは、例えば、基板8を露光するための光を射出する光源1と前段照明光学系3と開口絞り4と後段照明光学系5とを含む。原版ステージ駆動部11は、原版6を保持する原版ステージ9を駆動する。投影光学系7は、原版6のパターンの像を基板ステージ10によって保持された基板8に投影する。基板ステージ駆動部12は、基板を保持する基板ステージ10を駆動する。測定部13は、原版ステージ9の位置、回転及び傾きを測定する。測定部14は、基板ステージ10の位置、回転及び傾きを測定する。測定部13,14は、例えばレーザ干渉計である。制御部15は、光源1、測定部13、原版ステージ駆動部11、基板ステージ駆動部12及び測定部14を制御する。
実施例1では、単一の正弦波で構成したステージ駆動プロファイルの例を示した。しかし、複数の正弦波を合成して駆動プロファイルを構成してもよい。駆動プロファイルの作成負担を軽減するために、駆動プロファイルを構成するために合成する正弦波の数は3つ以下とする。例えば、3つの正弦波から構成した加速度プロファイルは、式1で表現される。加速度プロファイルを1つの正弦波で構成する場合は、式1中の右辺の第2項、第3項が存在せず、第1項(第1の周波数)のみから構成される。加速度プロファイルを2つの正弦波で構成する場合は、式1中の右辺の第3項が存在しない。
ここで、Aはステージの加速度の振幅、πは円周率、fはステージの走査動作の基本周波数(Hz)、k1、k2は互いに異なる3以上の奇数である。
一般に知られるフーリエ級数の式から、式1のように複数の正弦波を合成することで、露光区間の速度に相当する領域の波形変化幅が小さくなることが知られている。そのため、実施例1では式1を用いて加速度駆動プロファイルを作成する例を示した。しかし、本発明では、複数の正弦波を合成して駆動プロファイルを作成する際に、式1に限定されるものではない。ステージ制御の共振周波数よりも小さい周波数の正弦波であれば、露光量の制御性やステージの制御性の他様々なシステム的な制限で、合成する正弦波の周波数や振幅を選択してもかまわない。本実施例では、式1とは異なる式2で定義される加速度駆動プロファイルの例を示す。
ここで、Aはステージの加速度の振幅、πは円周率、fはステージの走査動作の基本周波数(Hz)である。
実施例1〜3では、主にKrFレーザやArFレーザ等のエキシマレーザを光源とした露光装置で、いわゆる非液浸タイプの走査露光装置を想定した例を示してきた。しかしながら、液浸露光装置にも適用可能であるばかりでなく、液浸露光装置に適用した場合の特有の効果も期待できる。以下に液浸露光装置に適用した場合の特有の効果について説明する。
本発明の構成は電子ビーム(EB)露光装置や液晶露光装置に適用した場合も効果が期待できる。EB露光装置では、露光量制御は基板8に届く電子の量を制御することで行うことが可能である。電子線で描画しながら、ステージ速度に応じて、電子の量を制御することでDOSE量を一定にすることが出来る。EB露光装置においても、加減速中に露光を行う場合は、ステージ速度の変化率が小さく、ステージの速度偏差がほぼ0であり、ステージの位置決め誤差が小さいことが望まれる。そのため、実施例1〜3で説明した駆動プロファイルを用いて電子線による露光を行うことで、露光量制御性能およびパターンの重ね合わせ精度の低下を抑制した加減速中露光を行うことが可能になる。
次に、デバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
Claims (8)
- 原版と基板とを走査しながら前記基板の複数のショット領域を露光する走査露光装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記基板を露光するための光を射出する光源と、
前記ステージの移動を規定する駆動プロファイルに基づいて前記ステージの移動を制御する制御部と、を備え、
前記駆動プロファイルのうち少なくとも1つのショット領域の露光中の前記ステージの移動を規定する部分は、前記ステージの制御系における共振周波数よりも低い周波数の正弦波から構成されており、
前記制御部は、前記少なくとも1つのショット領域を露光する間、前記ステージの速度に応じた光量で前記基板に光を照射するように、前記駆動プロファイルの正弦波に対応する正弦波から構成されている露光量プロファイルに基づいて前記光源を制御する、
ことを特徴とする走査露光装置。 - 前記制御部は、前記共振周波数よりも低い周波数の正弦波から構成されている前記ステージの加速度プロファイルを取得し、該取得された加速度プロファイルから前記ステージの速度プロファイル及び位置プロファイルを生成し、前記生成された位置プロファイルに基づいて前記ステージの移動を制御し、前記生成された速度プロファイルに基づいて前記光源を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の走査露光装置。
- 前記駆動プロファイルは、前記共振周波数の1/2よりも低い周波数の正弦波から構成されている、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の走査露光装置。
- 前記駆動プロファイルは、第1の周波数の正弦波と、該第1の周波数の3倍の周波数と3分の1の振幅を有する正弦波とを合成して構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の走査露光装置。
- 前記ステージの少なくとも1回の往復スキャン動作において、前記制御部は、前記駆動プロファイルに基づいて前記ステージの移動を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の走査露光装置。
- 原版と基板とを走査しながら前記基板の複数のショット領域を露光する走査露光装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記基板を露光するための光を射出する光源と、
前記ステージの移動を規定する駆動プロファイルに基づいて前記ステージの移動を制御する制御部と、を備え、
前記駆動プロファイルのうち少なくとも1つのショット領域の露光中の前記ステージの移動を規定する部分は、前記ステージの制御系における共振周波数よりも低い周波数の3つ以下の正弦波を合成してから構成されており、
前記制御部は、前記少なくとも1つのショット領域を露光する間、前記ステージの速度に応じた光量で前記基板に光を照射するように、前記駆動プロファイルの正弦波に対応する正弦波から構成されている露光量プロファイルに基づいて前記光源を制御する、
ことを特徴とする走査露光装置。 - 前記走査露光装置は、液浸露光装置である、ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の走査露光装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の走査露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むデバイス製造方法。
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US7884919B2 (en) * | 2006-02-09 | 2011-02-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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WO2010040185A1 (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | Newcastle Innovation Limited | A positioning system and method |
NL2007633A (en) * | 2010-11-22 | 2012-05-23 | Asml Netherlands Bv | A positioning system, a lithographic apparatus and a method for positional control. |
NL2007606A (en) * | 2010-11-22 | 2012-05-23 | Asml Netherlands Bv | Controller, lithographic apparatus, method of controlling the position of an object and device manufacturing method. |
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Cited By (3)
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