JPH10270343A - ステージ制御方法及び走査型露光装置 - Google Patents

ステージ制御方法及び走査型露光装置

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JPH10270343A
JPH10270343A JP9088731A JP8873197A JPH10270343A JP H10270343 A JPH10270343 A JP H10270343A JP 9088731 A JP9088731 A JP 9088731A JP 8873197 A JP8873197 A JP 8873197A JP H10270343 A JPH10270343 A JP H10270343A
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stage
mask
speed
scanning
substrate
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JP9088731A
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Toshio Ueda
稔夫 上田
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Original Assignee
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Publication date
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスクが搭載されるマスク側微動ステージと
感応基板が搭載される基板ステージとの整定時間短縮及
び同期誤差低減を図る。 【解決手段】 露光に先立って、第1のマスクステージ
34と感応基板Wが搭載された基板ステージ44とが投
影光学系PLの投影倍率に応じた速度で走査方向に相対
走査され、この際に生じる両ステージ34、44の速度
誤差が検出される。そして、露光の際には、上記検出さ
れた速度誤差のデータを用いてステージ34及びステー
ジ44の内の一方の速度指令値が補正され、該補正後の
一方のステージの速度指令値と他方のステージの所定の
速度指令値とをそれぞれ用いてステージ34とステージ
44との相対走査が行なわれ、この相対走査中に、ステ
ージ44に対するマスクRの相対速度誤差、相対位置誤
差が補正されるように第2のマスクステージ36が制御
される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ステージ制御方法
及び走査型露光装置に係り、更に詳しくはマスクと感応
基板とを同期して所定の走査方向に相対走査しつつ、マ
スクのパターンの像を投影光学系を介して感応基板上に
投影露光する走査型露光装置及びこの装置に適用される
ステージ制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をリソグ
ラフィ工程で製造する際に、露光光の下でフォトマスク
又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)のパター
ン像を投影光学系を介して感応基板上に投影する投影露
光装置が使用されている。かかる装置としては、従来
は、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露光
装置(いわゆるステッパー)が主流であったが、半導体
素子の高集積化によるパターンの微細化に伴い、より高
精度な露光が可能なステップ・アンド・スキャン方式等
の走査型露光装置が多く用いられるようになってきた。
【0003】かかる走査型露光装置として、初期の頃は
レチクルを保持するレチクルステージと、感応基板、例
えばウエハを保持するウエハステージとを同期して投影
光学系に対して互いに逆向きに投影光学系の投影倍率に
応じた速度比で相対走査することにより、レチクルのパ
ターンの像を投影光学系を介してウエハ上に投影する装
置が用いられていた。しかし、この装置では比較的大き
な重量を持つレチクルステージ及びウエハステージが用
いられていたため、走査露光時の両ステージの応答性が
悪い等の不都合があった。
【0004】かかる不都合を解消すべく、図7に示され
る如く、レチクル側のステージを走査方向に移動するレ
チクル走査ステージRCSTと、このレチクル走査ステ
ージRCST上に搭載され、レチクルRを保持してレチ
クルRの面と平行な面内で微小移動可能なレチクル微動
ステージRFSTとを設けた走査型露光装置が最近にな
って提案されている(詳しくは例えば、特開平6−14
0305号公報等参照)。
【0005】この図7に示される新型のタイプの走査型
露光装置では、投影光学系PLとして投影倍率が例えば
1/4のものを用いる場合には、走査露光時には、ウエ
ハステージWSTにある速度指令値を与えると同時に、
この速度指令値の4倍の指令値をレチクル走査ステージ
RCSTに与え、それぞれのステージの速度制御ループ
によりフィードバック制御を行なうことにより、ウエハ
ステージWSTとレチクル走査ステージRCSTとを
1:4の速度比で等速制御しようとするが、現実の露光
装置では応答遅れ等があるため、両ステージRCST,
WST間には図8(A)に示されるような相対速度誤差
が発生する。そこで、この誤差をレチクル微動ステージ
RFSTが吸収してウエハステージWSTとレチクル微
動ステージRFSTの相対速度と位置とが正確に1:4
になるように補正する、レチクル微動ステージの制御が
なされていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7を
用いて説明した上記従来の走査型露光装置のステージ制
御方法にあっては、ウエハステージWSTとレチクル走
査ステージRCSTとが等速同期状態に達し露光が開始
されても、レチクル走査ステージRCSTとウエハステ
ージWSTの速度誤差をレチクル微動ステージRFST
が吸収しきれず、露光中に図8(B)に示されるような
ウエハステージとレチクル微動ステージの速度差が残る
という不都合があった。
【0007】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、請求項1ないし4に記載の発明の目的は、マスクが
搭載されるマスク側微動ステージと感応基板が搭載され
る基板ステージとの整定時間短縮及び同期誤差低減を図
ることができるステージ制御方法を提供することにあ
る。
【0008】また、請求項5及び6に記載の発明の目的
は、マスクが搭載されるマスク側微動ステージと感応基
板が搭載される基板ステージとの整定時間短縮及び同期
誤差低減を図ることができる走査型露光装置を提供する
ことにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、パターンが形成されたマスク(R)を所定の走査方
向に移動させる第1のマスクステージ(34)と、前記
第1のマスクステージ(34)上に搭載され、当該第1
のマスクステージ(34)とは独立に前記マスク(R)
をその面に平行な面内で微少駆動する第2のマスクステ
ージ(36)と、感応基板(W)を少なくとも前記走査
方向に移動させる基板ステージ(44)と、前記マスク
(R)上のパターンの像を前記感応基板(W)上に投影
する投影光学系(PL)とを備え、前記マスク(R)を
所定の照明領域に対して前記走査方向に移動させるのに
同期して、前記照明領域と共役な露光領域に対して前記
走査方向に感応基板(W)を相対移動させることによ
り、前記マスク(R)のパターンの像を前記投影光学系
(PL)を介して感応基板(W)上に投影露光する走査
型露光装置(10)に用いられる、ステージの制御方法
であって、前記第1のマスクステージ(34)を所定の
速度で前記走査方向に移動させるのと同期して、前記投
影光学系(PL)の投影倍率に応じた速度で前記基板ス
テージ(44)を前記走査方向に相対移動させるととも
に、この際に生じる前記第1のマスクステージ(34)
と前記基板ステージ(44)との速度誤差を検出する第
1工程と;露光の際に、前記第1工程において検出され
た速度誤差のデータを用いて前記第1のマスクステージ
(34)及び前記基板ステージ(44)の内の一方のス
テージの速度指令値を補正するとともに該補正後の前記
一方のステージの速度指令値と他方のステージの所定の
速度指令値とをそれぞれ用いて前記第1のマスクステー
ジ(34)と前記基板ステージ(44)との相対走査を
行なう第2工程と;前記第2工程における前記両ステー
ジ(34,44)の相対走査中に、前記基板ステージ
(44)に対する前記マスク(R)の相対速度誤差、相
対位置誤差が補正されるように前記第2のマスクステー
ジ(36)を制御する第3工程とを含む。
【0010】これによれば、第1工程において、露光に
先立って、第1のマスクステージ(34)と基板ステー
ジ(44)とが投影光学系(PL)の投影倍率に応じた
速度で走査方向に相対走査され、この際に生じる両ステ
ージ(34、44)の速度誤差が検出される。そして、
露光の際には、第2工程において、第1工程において検
出された速度誤差のデータを用いて第1のマスクステー
ジ(34)及び基板ステージ(44)の内の一方のステ
ージの速度指令値が補正され、該補正後の一方のステー
ジの速度指令値と他方のステージの所定の速度指令値と
をそれぞれ用いて第1のマスクステージ(34)と基板
ステージ(44)との相対走査が行なわれ、この第2工
程における両ステージ(34,44)の相対走査中に、
基板ステージ(44)に対するマスク(R)の相対速度
誤差、相対位置誤差が補正されるように第2のマスクス
テージ(36)が制御される。
【0011】このため、第2工程における露光の際の両
ステージ(34,44)の相対走査中に生ずる相対速度
誤差が速度指令値が補正された分だけ小さくなり、結果
的に第2のマスクステージの速度補償負担が軽くなり、
第3工程における第2のマスクステージ(36)による
基板ステージ(44)に対するマスク(R)の相対速度
誤差、相対位置誤差の補正量が小さくて済む。従って、
マスクが搭載される第2のマスクステージと感応基板が
搭載される基板ステージとの整定時間の短縮及び同期誤
差の低減を図ることが可能となる。
【0012】この場合において、第1工程における速度
誤差の検出は、1回だけ行なっても良いが、請求請2に
記載の発明の如く、第1工程における前記速度誤差の検
出を複数回行い、その複数回の検出結果の単純平均ある
いは加重平均データに基づいて前記第2工程において前
記一方のステージの速度指令値を補正するようにしても
良い。このようにすれば、1回だけ速度誤差の検出を行
なった場合と比べ、平均化効果等により一層確実なデー
タに基づいて第2工程における速度指令値の補正が可能
である。
【0013】また、第1工程における速度誤差の検出に
際しては、両ステージは投影光学系の投影倍率に応じた
速度比で相対走査されれば、各ステージの速度は特に限
定されるものではないが、例えば、請求項3に記載の発
明の如く、前記第1工程における前記両ステージ(3
4、44)の走査速度は、ともに最高速度であることが
望ましい。このようにした場合には、両ステージ(3
4、44)間に生じ得る最大の速度誤差の情報が得られ
る確率が最も高いから、これを用いて第2工程において
一方のステージの速度の指令値を補正することで両ステ
ージ(33、34)間の速度誤差を最も確実に補正でき
る効果が期待できるからである。その上、請求項3に記
載の発明の如く、第1工程における両ステージ(34、
44)の走査速度を、ともに最高速度にして速度誤差の
検出を行なった場合には、請求項4に記載の発明の如
く、前記第2工程における速度指令値の補正を、現実の
走査速度と最高速度との比に基づいて行なうことによ
り、両ステージ(33、34)間の速度誤差を確実に補
正できる。
【0014】請求項5に記載の発明は、パターンが形成
されたマスク(R)を所定の照明領域に対して走査方向
に移動させるのに同期して、前記照明領域と共役な露光
領域に対して前記走査方向に感応基板(W)を相対移動
させることにより、前記マスク(R)のパターンの像を
投影光学系(PL)を介して感応基板上に投影露光する
走査型露光装置であって、前記マスク(R)を前記走査
方向に移動させる第1のマスクステージ(34)と;前
記第1のマスクステージ(34)上に搭載され、当該第
1のマスクステージ(34)とは独立に前記マスク
(R)をその面に平行な面内で微少駆動する第2のマス
クステージ(36)と;前記感応基板(W)を少なくと
も前記走査方向に移動させる基板ステージ(44)と;
前記第1のマスクステージ(34)が前記照明領域に対
して所定の速度で前記走査方向に相対走査されるのと同
期して、前記投影光学系(PL)の投影倍率に応じた速
度で前記基板ステージ(44)が前記露光領域に対して
前記走査方向に相対走査されるように、前記第1のマス
クステージ(34)と前記基板ステージ(44)とをそ
れぞれの速度指令値に基づいて制御する第1のステージ
制御系(52、54)と;前記第1のステージ制御系
(52、54)による前記両ステージの相対走査中に、
前記基板ステージ(44)に対する前記マスク(R)の
相対速度誤差、相対位置誤差が補正されるように前記第
2のマスクステージ(36)の前記走査方向の移動を制
御する第2のステージ制御系(56)と;前記第1のス
テージ制御系(52、54)による前記両ステージ(3
4、44)の相対走査中に発生する前記両ステージ(3
4、44)間の相対速度誤差が小さくなるような速度指
令値の補正値を前記第1のステージ制御系(52、5
4)に送出する速度指令補正手段(80)とを有する。
【0015】これによれば、露光時に、第1のステージ
制御系(52、54)により第1のマスクステージ(3
4)が照明領域に対して所定の速度で走査方向に相対走
査されるのと同期して、投影光学系(PL)の投影倍率
に応じた速度で基板ステージ(44)が露光領域に対し
て走査方向に相対走査されるように、第1のマスクステ
ージ(34)と基板ステージ(44)とがそれぞれの速
度指令値に基づいて制御される。この両ステージ(3
4、44)の相対走査中に、速度指令補正手段(80)
では、両ステージ(34、44)の相対走査中に発生す
る両ステージ(34、44)間の相対速度誤差が小さく
なるような速度指令値の補正値を第1のステージ制御系
(52、54)に送出しており、また、第2のステージ
制御系(56)では基板ステージ(44)に対するマス
ク(R)の相対速度誤差、相対位置誤差が補正されるよ
うに第2のマスクステージ(36)の走査方向の移動を
制御している。
【0016】このため、露光の際の両ステージ(34,
44)の相対走査中に生ずる相対速度誤差が速度指令補
正手段(80)によって速度指令値が補正された分だけ
小さくなり、結果的に第2のマスクステージの速度補償
負担が軽くなり、第2のステージ制御系(56)による
基板ステージ(44)に対するマスク(R)の相対速度
誤差、相対位置誤差の補正のための制御量が小さくて済
む。従って、マスクが搭載される第2のマスクステージ
(36)と感応基板が搭載される基板ステージ(44)
との整定時間の短縮及び同期誤差の低減を図ることが可
能となる。
【0017】この場合において、速度指令補正手段から
第1のステージ制御系に送出される速度指令値の補正値
の決定の方法としては、例えばシミュレーション結果等
に基づいて定める等種々の方法が考えられるが、請求項
6に記載の発明の如く、前記速度指令補正手段(80)
から前記第1のステージ制御系(52、54)に送出さ
れる速度指令値の補正値は、予め前記第1のマスクステ
ージ(34)を所定の速度で前記走査方向に走査するの
と同期して、前記投影光学系(PL)の投影倍率に応じ
た速度で前記基板ステージ(44)を前記走査方向に相
対走査するとともに、この際に生じる前記第1のマスク
ステージ(34)と前記基板ステージ(44)との速度
誤差を検出した結果に基づいて定められる値であること
が望ましい。かかる場合には、露光に先立って、露光に
使用されるのと同一の露光装置を用いて実際に計測した
計測結果に基づいて定められた補正値により、露光時に
第1のマスクステージ(34)及び基板ステージ(4
4)の内の一方のステージの速度指令値が補正されるの
で、結果的に両ステージ(34、44)間の速度誤差が
確実に補正されると期待できるからである。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図1
ないし図6に基づいて説明する。
【0019】図1には、一実施形態に係る走査型露光装
置10の概略構成が示されている。この走査型露光装置
10は、露光光ILによりマスクとしてのレチクルRを
照明する照明系12と、レチクルRをY軸方向(図1に
おける左右方向)に走査するとともにXY面内で微少駆
動するレチクル側ステージ系14と、このレチクル側ス
テージ系14の下方に配置された投影光学系PLと、こ
の投影光学系PLの下方に配置され感応基板としてのウ
エハWをXY面内で2次元移動させるウエハ側ステージ
系16と、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピ
ュータ(又はミニコンピュータ)から成る主制御系18
とを備えている。
【0020】前記照明系12は、光源系20、ミラー2
2、視野絞りとしてのレチクルブラインド24、リレー
レンズ26、ミラー28及びコンデンサレンズ30等を
含んで構成されている。この内、光源系20は、例えば
超高圧水銀ランプ又はレーザ光源等の光源及びオプティ
カルインテグレータ等より構成されている。また、レチ
クルブラインド24は、レチクルRの下面のパターン形
成面と共役な位置に配置されている。
【0021】光源系20から出射された露光光ILは、
ミラー22、レチクルブラインド24、リレーレンズ2
6、ミラー28及びコンデンサレンズ30を経て均一な
照度で、レチクルR上のレチクルブラインド24によっ
て設定されたスリット状の照明領域を照明する。この場
合、スリット状の照明領域の長手方向がX方向(図1に
おける紙面直交方向)に設定され、レチクルRとそのス
リット状の照明領域との相対走査の方向はY方向である
とする。
【0022】前記レチクル側ステージ系14は、XY平
面に平行に配置され、その上面に不図示のリニアガイド
がY軸方向に延設されたレチクル側ベース32と、この
レチクル側ベース32上を上記リニアガイドに沿って移
動する第1のマスクステージとしてのレチクル走査ステ
ージ34と、このレチクル走査ステージ34上に載置さ
れレチクルRを保持してXY平面内での微動(回転を含
む)する第2のマスクステージとしてのレチクル微動ス
テージ36とを有している。
【0023】レチクル微動ステージ36上には、移動鏡
38が設けられており、この移動鏡38にレーザビーム
を投射し、その反射光を受光することによりレチクル微
動ステージ36の位置を検出するレチクルレーザ干渉計
40が、移動鏡38に対向して設けられている。ここ
で、実際には、移動鏡は、X軸方向に直交する反射面を
有するX移動鏡と、Y軸方向に直交する反射面を有する
2つのY移動鏡の合計3つの移動鏡が設けられ、これに
対応してレチクルレーザ干渉計もX軸方向位置計測用干
渉計と2つのY軸方向位置計測用干渉計との合計3つが
設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡3
8、レチクルレーザ干渉計40として示されている。
【0024】これらの3つのレチクルレーザ干渉計の出
力は、主制御系18に供給されており、主制御系18で
はX軸方向位置計測用干渉計の出力に基づいてレチクル
微動ステージ36のX位置を計測し、2つのY軸方向位
置計測用干渉計の出力の平均値に基づいてレチクル微動
ステージ36のY位置を算出し、2つのY軸方向位置計
測用干渉計の出力の差分に基づいてレチクル微動ステー
ジ36のXY面内での回転角を算出するようになってい
る。
【0025】前記投影光学系PLとしては、その光軸方
向がXY平面に直交するZ軸方向とされ、例えば両側テ
レセントリックで所定の縮小倍率β(ここでは、β=1
/4とする)を有する屈折光学系が用いられている。こ
のため、露光時には、レチクルRのパターン領域内のス
リット状の照明領域のパターンの縮小像が投影光学系P
Lを介してその表面にフォトレジストが塗布されたウエ
ハW上の照明領域に共役な露光領域に投影露光される。
【0026】前記ウエハ側ステージ系16は、XY平面
に平行に配置されたウエハ側ベース42と、このウエハ
側ベース42上をウエハWを保持してXY2次元方向に
自在に移動する基板ステージとしてのウエハステージ4
4とを有している。ここで、ウエハステージ44は、実
際には、ウエハ側ベース42上に不図示のエアパッドを
介して浮上支持され、ベース42上面に沿って2次元移
動するXYステージと、このXYステージ上に設けられ
たレベリング用のステージと、このレベリング用のステ
ージ上に配置され、ウエハを保持するZ・θステージ等
を含んで構成されるが、図1ではこれらが代表的にウエ
ハステージ44として示されている。
【0027】ウエハステージ44上には、移動鏡46が
設けられており、この移動鏡に46にレーザビームを投
射し、その反射光を受光することによりウエハステージ
44の位置を検出するウエハレーザ干渉計48が、移動
鏡46に対向して設けられている。ここで、実際には、
移動鏡は、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡
と、X軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設
けられ、これに対応してウエハレーザ干渉計として、Y
移動鏡からの反射光を受光するY軸方向位置計測用干渉
計と、X移動鏡からの反射光を受光するX軸方向位置計
測用干渉計及び回転計測用干渉計との合計3つが設けら
れているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡46、ウ
エハレーザ干渉計48として示されている。
【0028】これらの3つのウエハレーザ干渉計の出力
は、主制御系18に供給されており、主制御系18では
X軸方向位置計測用干渉計の出力に基づいてウエハステ
ージ44のX位置を計測し、Y軸方向位置計測用干渉計
の出力に基づいてウエハステージ44のY位置を計測
し、X軸方向位置計測用干渉計の出力に対する回転計測
用干渉計の出力に基づいてウエハステージ44のXY面
内での回転角を算出するようになっている。
【0029】主制御系18は、露光時に、例えば、不図
示の相対走査用の駆動装置を介してレチクル走査ステー
ジ34を所定の走査速度VR で+Y方向に走査するのと
同期して不図示の駆動装置を介してウエハステージ44
を−Y方向に走査速度VW (VW =β・VR )で走査
し、この際に生ずるレチクル走査ステージ34とウエハ
ステージ44との相対速度誤差を吸収し、レチクルRと
ウエハWとの相対速度と位置が4:1になるように不図
示の微動制御用の駆動装置を介してレチクル微動ステー
ジ36の動作を制御する。これにより、露光光ILで照
明されたスリット状の照明領域に対してレチクルRが+
Y方向に走査されるのと同期して照明領域と共役な露光
領域に対してウエハWが投影光学系PLの縮小倍率に応
じた速度で−Y方向に走査され、レチクルRのパターン
形成面に形成されたパターンの像がウエハW上のショッ
ト領域に逐次転写される。なお、この露光時の各ステー
ジの具体的な制御方法については後に詳述する。
【0030】また、1つのショット領域の露光が終了す
ると、主制御系18では、ウエハステージ44を非走査
方向(X方向に)所定距離移動して、次のショットの露
光開始位置へのステッピング動作を行った後、走査露光
を行い、このようにしてステップ・アンド・スキャン方
式で露光を行なう。
【0031】図2には、本実施形態に係る走査型露光装
置10のステージ制御系の制御ブロック図が示されてい
る。この図2に示されるステージ制御系は、図1の主制
御系18の機能(ソフトウェアにて実現される)を制御
ブロック図にて示したものであるが、各構成要素を対応
する個々のハードウェアにて構成しても良いことは勿論
である。
【0032】このステージ制御系は、不図示のメインコ
ンピュータからの指示に応じ、ウエハステージの速度指
令値VW を出力するスキャン速度発生器50と、このス
キャン速度発生器50からの速度指令値VW 、これを1
/β倍(ここでは4倍)した速度指令値VR にそれぞれ
基づいてウエハステージ44、レチクル走査ステージ3
4の速度をそれぞれ制御するウエハステージ速度制御系
52、レチクル走査ステージ速度制御系54と、ウエハ
ステージ44の位置を4倍した位置情報に基づいてレチ
クル微動ステージ36の位置(及び速度)を制御する第
2のステージ制御系としてのレチクル微動ステージ制御
系56とを備えている。本実施形態ではウエハステージ
速度制御系52とレチクル走査ステージ速度制御系54
とによって第1のステージ制御系が構成されている。
【0033】これを更に詳述すると、ウエハステージ速
度制御系52は、速度指令値VW と後述する第1の積分
回路62の出力をゲインKRW倍したウエハステージ44
の速度との差である速度偏差を演算する減算器58と、
この減算器58からの速度偏差を動作信号として(比例
+積分)制御動作を行なうPIコントローラ(伝達関数
2 (s)で表示)60と、このPIコントローラ60
からの推力により駆動されるウエハステージ44の加速
度を積分する前記第1の積分回路62とを含んで構成さ
れている。ここで、実際には、ウエハステージ44の位
置は、ウエハレーザ干渉計48によって計測されてお
り、このウエハレーザ干渉計48の計測値を微分するこ
とによりウエハステージ44の速度が求められるのであ
って、ウエハステージ44の加速度が直接的に計測さ
れ、これを積分してウエハステージ44の速度が求めら
れるのではないが、説明の便宜上及び制御ブロック図の
書き方の慣習に従って図2の如く示されているものであ
る。従って、第1の積分回路62及びこの出力を積分す
る第2の積分回路64は実際には存在しないものであ
る。
【0034】前記レチクル走査ステージ速度制御系54
は、レチクル走査ステージ34の速度指令値VRCと後述
する第3の積分回路70の出力をゲインKRRC 倍したレ
チクル走査ステージ34の速度との差である速度偏差を
演算する減算器66と、この減算器66からの速度偏差
を動作信号として(比例+積分)制御動作を行なうPI
コントローラ(伝達関数G1 (s)で表示)68と、こ
のPIコントローラ68からの推力により駆動されるレ
チクル走査ステージ34の加速度を積分する前記第3の
積分回路70とを含んで構成されている。
【0035】また、前記レチクル微動ステージ制御系5
6は、第2積分回路64の出力であるウエハステージ4
4の位置情報(ウエハ干渉計48の計測値に相当)を4
倍した位置情報を目標位置として入力し、この目標位置
と後述する加算器78の出力であるレチクル微動ステー
ジ36の位置情報(レチクル干渉計40の出力に相当)
との差である位置偏差を算出する減算器74と、この減
算器74の出力である位置偏差を位置ループのゲインk
p倍した電圧を入力し、対応する速度情報に変換する速
度ループの応答ゲインKvと、この速度ループの応答ゲ
インkvを経て出力される速度情報を積分して位置情報
(レチクル走査ステージ34上の基準点からのレチクル
微動ステージ36の相対位置情報)に変換する第5の積
分回路76と、この第5の積分回路76の出力である位
置情報と、前述した第3の積分回路70の出力を積分し
た第4の積分回路72の出力であるレチクル走査ステー
ジ34の位置情報とを加算した位置情報を演算する加算
器78とを含んで構成されている。ここで、速度ループ
の応答ゲインkvは、実際にはレチクル微動ステージ3
6も含む速度ループの応答ゲインであって、1V(ボル
ト)の入力によりレチクル微動ステージ36が何mm/
secで走るかをゲインkvとして示したもので、実際
には前述したレチクル走査ステージ速度制御系54と同
様の速度ループから構成されるが、速度ループの応答ゲ
インkvとしても大きな誤差が生じないので簡単のた
め、このような形で示されている。
【0036】また、ここで、実際には、レチクル微動ス
テージ36は、レチクル走査ステージ34上を移動する
ので、第4の積分回路72の出力であるレチクル走査ス
テージ34の位置情報が加算器78に入力され、この位
置情報と第5の積分回路76の出力であるレチクル走査
ステージ34上の基準点からのレチクル微動ステージ3
6の相対位置情報とが加算されている。従って、加算器
78の出力がレチクル干渉計40の出力に相当する。す
なわち、実際にはレチクル走査ステージ34の位置及び
速度は直接的に計測されておらず、レチクル微動ステー
ジ36の位置がレチクルレーザ干渉計38によって計測
されているのみであるが、説明の便宜上及び制御ブロッ
ク図の書き方の慣習に従って図2の如く示されているも
のである。従って、第3の積分回路70、この出力を積
分する第4の積分回路、及び第5の積分回路76は実際
には存在しないものである。
【0037】更に、本実施形態では、速度指令補正手段
としての誤差速度補正器80が設けられており、この誤
差速度補正器80からの速度指令値の補正値が加算器8
2に入力され、この加算器82では速度指令値VR と速
度指令値の補正値との和である補正後の速度指令値VRC
を演算して前記減算器66にレチクル走査ステージ34
の速度指令値VRCとして送出するようになっている。
【0038】ここで、本実施形態の特徴部分である誤差
速度補正器80から出力される速度指令値の補正値の具
体的内容等について説明する。
【0039】本実施形態では、予め、図2の誤差速度補
正器80の機能をオフにした状態で、スキャン速度発生
器50からウエハステージ44の速度指令値VW =V
Wmax=80(mm/s)を出力し、このスキャン速度発
生器50からの速度指令値VW、これを4倍した速度指
令値VR =VRmax=320(mm/s)にそれぞれ基づ
いてウエハステージ速度制御系52、レチクル走査ステ
ージ速度制御系54によりウエハステージ44、レチク
ル走査ステージ34の速度をそれぞれ制御して、ウエハ
ステージ44、レチクル走査ステージ34の相対走査を
行ない、その際に生じるレチクル走査ステージ34とウ
エハステージ44の速度誤差を検出(測定)している。
【0040】この時の検出結果が、図3に示されてい
る。この図3において、横軸が時間縦軸が速度誤差であ
る。この図3に示されるような速度誤差データの符号を
逆転した補正データがテーブルデータとして、主制御系
18内の不図示のメモリに記憶されている。
【0041】ところで、一般に走査型の露光装置では、
露光量(あるいはウエハ上のレジスト感度)に応じて走
査速度を変更することが必須であるため、実際の露光時
に、誤差速度補正器80から出力される速度指令値の補
正値Cp(t)は、次式(1)に基づいて定められる。
【0042】 Cp(t)=(VW /VWmax)×table_data(t) ………(1) ここで、table_data(t)は、上記不図示のメモリ内に
記憶されている図3に示されるような最高走査速度時の
速度誤差データの符号を逆転した補正データである。
【0043】この補正データCp(t)が、加算器82
にレチクル走査ステージの目標速度の補正データ(速度
指令値の補正値)として与えられ、加算器82では速度
指令値VR =4VW にこの補正データCp(t)を加算
し、その加算結果である補正後の速度指令値VRCを図2
のレチクル走査ステージ速度制御系54に目標速度とし
て与える。
【0044】従って、実際の露光時に、レチクル走査ス
テージ速度制御系54に与えられる目標速度VRCは、次
式(2)で示される。
【0045】 VRC=4VW +Cp(t) ………(2) この目標速度VRCは、補正なしの時のウエハステージ4
4、レチクル走査ステージ34の速度誤差を時間軸で補
正したものであるから、この目標速度VRCに基づいてレ
チクル走査ステージ速度制御系54によりレチクル走査
ステージ34が制御されれば、レチクル走査ステージ3
4とウエハステージ44の速度誤差はほぼ零になる。
【0046】図4には、図2の誤差速度補正器80の機
能をオンにした状態で、図3と同一条件で、すなわちス
キャン速度発生器50からウエハステージ44の速度指
令値VWmax=80(mm/s)を出力し、このスキャン
速度発生器50からの速度指令値VWmax 、これを4倍
した速度指令値VRmax=320(mm/s)にそれぞれ
基づいてウエハステージ速度制御系52、レチクル走査
ステージ速度制御系54によりウエハステージ44、レ
チクル走査ステージ34の速度をそれぞれ制御して、ウ
エハステージ44、レチクル走査ステージ34の相対走
査を行ない、その際に生じるレチクル走査ステージ36
とウエハステージ44の速度誤差を検出(測定)した結
果が示されている。
【0047】この図4と図3とを比較すれば明らかなよ
うに、本実施形態のように、式(2)で示される速度補
正機能を有する誤差速度補正器80及び加算器82をレ
チクル走査ステージ速度制御系54の入力段に設けるこ
とにより、ウエハステージ44と、レチクル走査ステー
ジ34との相対速度誤差を大きく減少させることが可能
であることが判る。
【0048】また、式(2)で示される通りの補正を実
施すれば、走査速度が変更された時の速度誤差も図5
(A),(B)に示されるように、補正前よりも格段に
少なくなる。ここで、図5(A)はウエハステージ走査
速度VW =40mm/sの場合であり、図5(B)はウ
エハステージ走査速度VW =20mm/sの場合であ
る。
【0049】以上説明したように、本実施形態による
と、誤差速度補正器80及び加算器82の作用により、
走査時のレチクル走査ステージ34とウエハステージ4
4との速度誤差が減少することから、両ステージ34、
44の相対走査時にウエハステージ44とレチクルRと
の相対速度誤差、相対位置誤差を補正するようにレチク
ル微動ステージ34の移動を制御するレチクル微動ステ
ージ制御系56の負担が軽減され、結果的にレチクル微
動ステージ36とウエハステージ44との同期整定時間
の短縮と同期精度の向上を図ることができる。
【0050】ここで、これについて、図6(A)〜
(C)を用いて具体的に説明する。図6(A)には、ウ
エハステージ44を目標速度80mm/sで走査する際
のウエハステージ44の速度変化の様子が示されてお
り、図6(B)には、これに対応してレチクル走査ステ
ージ36が320mm/sで走査された際のレチクル走
査ステージ36の速度変化の様子が示されている。ま
た、図6(C)には、図6(A),(B)のように両ス
テージが相対走査される際に、本実施形態に係るレチク
ル微動ステージ34とウエハステージ44の位置誤差の
時間変化の様子が示されている。
【0051】図6(A)、(B)を見ると、走査開始
後、0.2秒の時点では両ステージ34、44は、等速
同期状態に達しており、この時点では、図6(C)から
明らかなように、レチクル微動ステージ36とウエハス
テージ44の位置誤差はほぼ零になっており、このこと
よりウエハステージ44とレチクル走査ステージ34と
が等速同期状態に達し露光が開始された時点では、レチ
クル走査ステージ34とウエハステージ44の速度誤差
をレチクル微動ステージ36が完全に吸収していること
が判る。
【0052】なお、上記実施形態では、予め、図2の誤
差速度補正器80の機能をオフにした状態で、最高走査
速度でウエハステージ速度制御系52、レチクル走査ス
テージ速度制御系54によりウエハステージ44、レチ
クル走査ステージ34の速度をそれぞれ制御して、ウエ
ハステージ44、レチクル走査ステージ34の相対走査
を行ない、その際に生じるレチクル走査ステージ36と
ウエハステージ44の速度誤差を検出(測定)している
が、この速度誤差の検出は、1回だけ行なっても良い
が、複数回行い、その複数回の検出結果の単純平均ある
いは加重平均データを主制御系36内のメモリに記憶し
ておいても良い。そして、これらのデータを用いて露光
の際に、前述の如くしてレチクル走査ステージ34の速
度指令値の補正を行なうようにしても良い。このように
すれば、1回だけ速度誤差の検出を行なった場合と比
べ、平均化効果等により一層確実なデータに基づいて速
度指令値の補正が可能である。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし4
に記載の発明によれば、マスクが搭載されるマスク側微
動ステージ(第2のマスクステージ)と感応基板が搭載
される基板ステージとの整定時間短縮及び同期誤差低減
を図ることができるという従来にない優れた効果があ
る。
【0054】また、請求項5及び6に記載の発明によれ
ば、マスクが搭載されるマスク側微動ステージと感応基
板が搭載される基板ステージとの整定時間短縮及び同期
誤差低減を図ることができ、この結果、マスクと感応基
板とが等速同期状態に達した時点ではマスクと感応基板
に相対位置誤差が殆ど残存しない高精度な走査露光が可
能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施形態に係る走査型露光装置の構成を概略
的に示す図である。
【図2】図1の装置のステージ制御系の構成を示すブロ
ック図である。
【図3】図2の誤差速度補正器の機能をオフにした状態
で、最高走査速度でウエハステージとレチクル走査ステ
ージとを相対走査し、この時得られた両ステージの速度
誤差のデータを示す線図である。
【図4】図2の誤差速度補正器の機能をオンにした状態
で、最高走査速度でウエハステージとレチクル走査ステ
ージとを相対走査し、この時得られた両ステージの速度
誤差のデータを示す線図である。
【図5】図2の誤差速度補正器の機能をオンにした状態
で、最高走査速度以外の走査速度でウエハステージとレ
チクル走査ステージとを相対走査し、この時得られた両
ステージの速度誤差のデータを示す線図であって、
(A)はウエハステージ走査速度40mm/sの場合を
示し、(B)はウエハステージ走査速度20mm/sの
場合を示す。
【図6】一実施形態の効果を説明するための図であっ
て、(A)は最高目標走査速度時のウエハステージの速
度変化を示し、(B)は最高目標走査速度時のレチクル
走査ステージの速度変化を示し、(C)は(A)、
(B)に対応するウエハステージとレチクル微動ステー
ジとの位置誤差の時間変化を示す。
【図7】従来例を示す説明図である。
【図8】(A)は、従来の走査型露光装置における走査
時のウエハステージとレチクル走査ステージとの間に生
ずる速度誤差を示す線図、(B)は(A)に対応するウ
エハステージとレチクル微動ステージとの速度誤差の時
間変化を示す線図である。
【符号の説明】
10 走査型露光装置 34 レチクル走査ステージ(第1のマスクステージ) 36 レチクル微動ステージ(第2のマスクステージ) 44 ウエハステージ(基板ステージ) 52 ウエハステージ速度制御系(第1のステージ制御
系の一部) 54 レチクル走査ステージ速度制御系(第1のステー
ジ制御系の一部) 56 レチクル微動ステージ制御系(第2のステージ制
御系) 80 誤差速度補正器(速度指令補正手段) R レチクル(マスク) W ウエハ(感応基板) PL 投影光学系

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パターンが形成されたマスクを所定の走
    査方向に移動させる第1のマスクステージと、前記第1
    のマスクステージ上に搭載され、当該第1のマスクステ
    ージとは独立に前記マスクをその面に平行な面内で微少
    駆動する第2のマスクステージと、感応基板を少なくと
    も前記走査方向に移動させる基板ステージと、前記マス
    ク上のパターンの像を前記感応基板上に投影する投影光
    学系とを備え、前記マスクを所定の照明領域に対して前
    記走査方向に移動させるのに同期して、前記照明領域と
    共役な露光領域に対して前記走査方向に感応基板を相対
    移動させることにより、前記マスクのパターンの像を前
    記投影光学系を介して感応基板上に投影露光する走査型
    露光装置に用いられる、ステージの制御方法であって、 前記第1のマスクステージを所定の速度で前記走査方向
    に移動させるのと同期して、前記投影光学系の投影倍率
    に応じた速度で前記基板ステージを前記走査方向に相対
    移動させるとともに、この際に生じる前記第1のマスク
    ステージと前記基板ステージとの速度誤差を検出する第
    1工程と;露光の際に、前記第1工程において検出され
    た速度誤差のデータを用いて前記第1のマスクステージ
    及び前記基板ステージの内の一方のステージの速度指令
    値を補正するとともに該補正後の前記一方のステージの
    速度指令値と他方のステージの所定の速度指令値とをそ
    れぞれ用いて前記第1のマスクステージと前記基板ステ
    ージとの相対走査を行なう第2工程と;前記第2工程に
    おける前記両ステージの相対走査中に、前記基板ステー
    ジに対する前記マスクの相対速度誤差、相対位置誤差が
    補正されるように前記第2のマスクステージを制御する
    第3工程とを含むステージの制御方法。
  2. 【請求項2】 前記第1工程における前記速度誤差の検
    出を複数回行い、その複数回の検出結果の単純平均ある
    いは加重平均データに基づいて前記第2工程において前
    記一方のステージの速度指令値を補正することを特徴と
    する請求項1に記載のステージの制御方法。
  3. 【請求項3】 前記第1工程における前記両ステージの
    走査速度は、ともに最高速度であることを特徴とする請
    求項1に記載のステージ制御方法。
  4. 【請求項4】 前記第2工程における速度指令値の補正
    は、現実の走査速度と最高速度との比に基づいて行われ
    ることを特徴とする請求項1に記載のステージ制御方
    法。
  5. 【請求項5】 パターンが形成されたマスクを所定の照
    明領域に対して走査方向に移動させるのに同期して、前
    記照明領域と共役な露光領域に対して前記走査方向に感
    応基板を相対移動させることにより、前記マスクのパタ
    ーンの像を投影光学系を介して感応基板上に投影露光す
    る走査型露光装置であって、 前記マスクを前記走査方向に移動させる第1のマスクス
    テージと;前記第1のマスクステージ上に搭載され、当
    該第1のマスクステージとは独立に前記マスクをその面
    に平行な面内で微少駆動する第2のマスクステージと;
    前記感応基板を少なくとも前記走査方向に移動させる基
    板ステージと;前記第1のマスクステージが前記照明領
    域に対して所定の速度で前記走査方向に相対走査される
    のと同期して、前記投影光学系の投影倍率に応じた速度
    で前記基板ステージが前記露光領域に対して前記走査方
    向に相対走査されるように、前記第1のマスクステージ
    と前記基板ステージとをそれぞれの速度指令値に基づい
    て制御する第1のステージ制御系と;前記第1のステー
    ジ制御系による前記両ステージの相対走査中に、前記基
    板ステージに対する前記マスクの相対速度誤差、相対位
    置誤差が補正されるように前記第2のマスクステージの
    前記走査方向の移動を制御する第2のステージ制御系
    と;前記第1のステージ制御系による前記両ステージの
    相対走査中に発生する前記両ステージ間の相対速度誤差
    が小さくなるような速度指令値の補正値を前記第1のス
    テージ制御系に送出する速度指令補正手段とを有する走
    査型露光装置。
  6. 【請求項6】 前記速度指令補正手段から前記第1のス
    テージ制御系に送出される速度指令値の補正値は、予め
    前記第1のマスクステージを所定の速度で前記走査方向
    に走査するのと同期して、前記投影光学系の投影倍率に
    応じた速度で前記基板ステージを前記走査方向に相対走
    査するとともに、この際に生じる前記第1のマスクステ
    ージと前記基板ステージとの速度誤差を検出した結果に
    基づいて定められる値であることを特徴とする請求項5
    に記載の走査型露光装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223157A (ja) * 1999-11-30 2001-08-17 Canon Inc 投影露光装置、投影露光方法、及び半導体装置の製造方法
WO2005036620A1 (ja) * 2003-10-10 2005-04-21 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR100487430B1 (ko) * 2001-11-15 2005-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노광기와 그를 사용한 노광 방법
JP2011097070A (ja) * 1999-11-30 2011-05-12 Canon Inc 投影露光装置、投影露光方法、及び半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223157A (ja) * 1999-11-30 2001-08-17 Canon Inc 投影露光装置、投影露光方法、及び半導体装置の製造方法
JP2011097070A (ja) * 1999-11-30 2011-05-12 Canon Inc 投影露光装置、投影露光方法、及び半導体装置の製造方法
KR100487430B1 (ko) * 2001-11-15 2005-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노광기와 그를 사용한 노광 방법
WO2005036620A1 (ja) * 2003-10-10 2005-04-21 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

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