JPH11317367A - ステ―ジ装置、ステ―ジ駆動方法並びに露光装置 - Google Patents

ステ―ジ装置、ステ―ジ駆動方法並びに露光装置

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JPH11317367A
JPH11317367A JP11073042A JP7304299A JPH11317367A JP H11317367 A JPH11317367 A JP H11317367A JP 11073042 A JP11073042 A JP 11073042A JP 7304299 A JP7304299 A JP 7304299A JP H11317367 A JPH11317367 A JP H11317367A
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movement stage
stage
signal
fine movement
speed
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JP11073042A
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Kazuaki Saeki
和明 佐伯
Yuan Bausan
ユアン バウサン
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Nikon Corp
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題は、高精度走査位置決めシステ
ム用の位置制御装置であって、最小の同期誤差を持つと
ともに、システムの整定時間を最小にするような位置制
御装置を提供することである。 【解決手段】 上記課題を解決するために、本位置制御
装置は、走査中、アクチュエータを用いて両微調整ステ
ージを相対的に6自由度になるように調整することによ
って、いかなる同期誤差をも走査過程中に動的に修正す
ることができるようにした。更に、アクチュエータを用
いて、システムの加速及び減速の間に微調整ステージを
正方向送りすることにより、システムの整定時間を最小
化できるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精度位置決め装
置の動きを検出し、制御するための位置制御装置及び方
法に関するものである。より詳しくは、本発明は、走査
型マイクロリソグラフィに用いられる微動ステージに対
する同期位置決め制御に係わるものである。
【0002】
【従来の技術】位置制御装置は、画定された通路に従っ
て工作機械やリソグラフィ・ステージ等のシステムを駆
動するのに用いられる。通路は1方向例えばX方向を持
つこともあるし、2方向例えばX及びY方向を持つこと
もある。一般に、半導体ウェーハ加工用のリソグラフィ
装置では、マスク(レチクル)を2次元面内で位置決め
するのにステージが用いられ、また一方で、プレート
(ウェーハ)を位置決めするのに別個のステージが用い
られる。これらのステージは、ステージと他の部品、例
えば放射エネルギー源やそのエネルギーを合焦する投影
レンズとを支える基礎構造体に対して動かされる。ステ
ージは、ステップアンドリピート型で動かされる場合も
あるし、露光の間ステージが一定速度を保つ走査型で動
かされる場合もある。
【0003】ステージを駆動し、位置決めするために用
いる位置制御装置がすでに知られている。米国特許第
5,184,055号、及び4,952,858号を参
照されたい。一般に、位置制御装置は、ステージの振動
を制約する補償力と関連がある。このことは、駆動され
ているステージの加速(及び減速)が数多く行われるス
テップアンドリピート・システムの場合に特に当てはま
る。システムの振動ないし共振を制約するために、位置
制御装置は加速度をフィードバック制御機構として利用
する。
【0004】図1は、制御対象16における振動を制約
する位置制御装置10を示すブロック図である。位置制
御装置10は、ノード14から位置決め誤差信号を受け
取る制御回路12を持つ。位置決め誤差信号は、制御対
象の所望位置と実際の現在位置との差を表す。実際の位
置は、レーザ干渉計又は他の適当な位置測定装置によっ
て測定される。制御回路12は、位置決め誤差信号を受
け取り、制御信号を生成する。X−Yステージ等の制御
対象16は、制御回路12からの制御信号とフィードバ
ック回路20からの加速度フィードバック信号との差を
表す信号をノード18から受け取る。加速度フィードバ
ック信号を供給する加速度センサ(図示せず)が、制御
対象16に取り付けられている。フィードバック回路2
0は、加速度フィードバック信号の利得を調整し、結果
として生じた信号をノード18に供給する。レーザ干渉
計等の位置測定装置22が、制御対象16の実際の現在
位置を表す信号を与える。そのあと、位置測定装置22
からの信号は、ノード14にフィードバックされる。
【0005】こうして、図1の位置制御装置は、制御対
象16を新しい所望位置へ動かす。加速度フィードバッ
ク・ループを用いると、制御回路12からの制御信号
を、制御対象16の現在の加速度に応じて修正すること
が可能になる。その結果、制御対象16は、その共振が
減少するように移動される。
【0006】しかし、ステージは、走査型で動かされる
場合は一定速度で動かされる。ステージは、主として走
査の初めと終りに加速度を受ける。従って、走査型シス
テムの場合には、システムの共振によって生じる問題
は、ステップアンドリピート・システムの場合のように
支配的ではない。
【0007】しかしながら、走査型システムでは、両ス
テージ(マスク用ステージとプレ−ト用ステージ)は同
期した状態で動かされなければならない。位置制御装置
は、両ステージ間の位置合わせ(アラインメント)を維
持しながら、両ステージを一定速度で駆動しなければな
らない。ミクロン以下の規模で画像を生成するマイクロ
リソグラフィの場合のように極めて高い精度が求められ
る場合には、両ステージ間に少しでも位置合わせ誤差が
あれば、露光像に欠陥が生じる。両ステージ間の位置合
わせ誤差は、同期誤差として知られている。従って、一
定速度で両ステージを駆動し、最小の同期誤差を持つ位
置制御装置が必要となる。
【0008】更に、プレートの露光はシステムが一定速
度の時にしか行われないので、システムは、ステージが
露光を始める前の走査の開始時に一定速度まで加速する
のを待たなければならず、また、走査の終了時にステー
ジを減速する前に露光を終えなければならない。システ
ムを加速したり減速したりするのに費やされる時間は、
そのシステムの整定時間として知られているが、これは
システムのスル−プットに対する制約になる。システム
の効率を高めるためには、この整定時間を短縮すること
が望ましい。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
の問題点に鑑みて、最小の同期誤差を持つとともに、シ
ステムの整定時間を最小にするような位置制御装置を提
供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の位置制御装置は、マイクロリソグラフィ・
システム等の高精度走査型位置決め装置における微動ス
テージの動きを同期した状態に制御するようにしてい
る。そのため、走査中に一定速度で動く粗動ステージに
2つの微動ステージを取り付けている。1つの実施例で
は、各微動ステージは、粗動ステージに取り付けられた
フレーム要素を含むようにしている。このフレーム要素
は、アクチュエータを介して、マスク又はプレートを保
持する保持要素に取り付けられている。走査中、本位置
制御装置は、アクチュエータを用いて両微動ステージを
相対的に6自由度になるように調整する。微動ステージ
を調節することによって、いかなる同期誤差をも走査過
程中に動的に修正することが可能である。更に、アクチ
ュエータを用いて、システムの加速及び減速の間に微動
ステージをフィ−ドフォワ−ドすることによって、シス
テムの整定時間を最小化することができる。
【0011】エンコ−ダをアクチュエータに結合して、
粗動ステージに対する微動ステージの位置の変化率(速
度)を示す信号を出力するようにしている。微動ステー
ジの実際の位置は干渉計によって測定する。本位置制御
装置は、微動ステージの実際の位置を表す信号に関する
位置フィードバック・ループを用いて、アクチュエータ
を制御するための制御信号を生成する。粗動ステージに
対する微動ステージの速度を表す信号に関する速度フィ
ードバック・ループが、その制御信号を修正して微動ス
テージを同期した状態に制御する。
【0012】すなわち、一実施例を表す図面に対応付け
て説明すると、請求項1記載のステージ装置は、粗動ス
テージ(102)に移動可能に接続された第1の微動ス
テージ(104)と、この第1の微動ステージ(10
4)を粗動ステージ(102)に対して駆動するアクチ
ュエータ(118)と、このアクチュエータ(118)
に接続され、粗動ステージ(102)に対する第1の微
動ステージ(104)の速度に対応する速度信号を出力
する第1のセンサ(119)と、第1の微動ステージ
(104)の位置に関する位置信号を出力する位置測定
装置と、アクチュエータ(118)を制御する位置決め
制御回路(200)とを備えたステージ装置であって、
この位置決め制御回路(200)が、前記位置信号に応
答する位置フィードバック回路(IX1,204X)
と、前記速度信号に応答する速度フィードバック回路
(118、218、224、230)とを有している。
【0013】請求項15記載のステージ装置は、第1方
向に移動するステージ(102)と;このステージ(1
02)に追従可能な第1微動ステージ(104)と;ス
テージ(102)に追従するように第1微動ステージ
(104)を駆動する駆動装置(118)と;ステージ
(102)が前記第1方向に移動している間のステージ
(102)に対する第1微動ステージ(104)の位置
を測定する位置測定装置と;駆動装置(118)に接続
され、ステージ(102)に追従するように第1微動ス
テージ(104)に第1速度信号を出力する速度信号出
力装置(109)と;前記位置測定装置に応じて前記第
1微動ステージの位置を制御する位置フィ−ドバック回
路(IX1,204X)と;速度信号出力装置(10
9)に応じて第1微動ステージ(104)の駆動を制御
する速度フィ−ドバック回路(118、218、22
4、230)とを備えている。
【0014】請求項17記載の露光装置は、パターンが
形成されたマスクと基板とを同期移動して、前記マスク
のパターンを前記基板に形成する露光装置にであって、
第1方向に移動する粗動ステージ(102)と;粗動ス
テージ(102)に対して可動に接続され、前記マスク
を保持する第1微動ステージと(104);第1微動ス
テージ(104)を駆動する駆動装置(118)と;こ
の駆動装置(118)に接続され、粗動ステージ(10
2)の速度に応じた重み付けで第1微動ステージの位置
を制御する制御装置(252X,250X)とを備えて
いる。
【0015】なお、一実施例を表す図面に対応付けて本
発明を説明したが、本発明がこれに限定されるものでは
ないことはいうまでもない。
【0016】
【発明の実施の形態】図2は、単純化して示した走査型
マイクロリソグライ位置決めテーブル機構100の正面
図を示す。このテーブル機構100は、粗動ステージ1
02、マスク(レチクル)微動ステージ104、及びプ
レート(ウェーハ)微動ステージ106を含む。図2に
は、投影レンズ108、照明装置110、並びに、マス
ク微動ステージ104とプレート微動ステージ106と
の位置9を制御する位置制御装置101も示されてい
る。粗動ステージ102は防振装置(図示せず)によって
支えられ、例えば線形サーボモータとボールねじとによ
って、又はロータリ・モータによって従来方式で駆動さ
れる。粗動ステージ102は、当業界ではよく知られて
いるように、空気軸受やころ軸受等の耐摩擦軸受で支え
てもよい。粗動ステージ102は、照明装置110と投
影レンズ108とが相対的に静止した状態のままで、従
来方式で一定速度でX座標の方向に走査される。粗動ス
テージの走査は当業者にはよく知られているので、これ
以上の説明を要しない。本発明は、走査型マイクロリソ
グラフィ・システムに関して記述したものであるが、他
の高精度位置決めシステムにも当てはまることを理解さ
れたい。
【0017】照明装置110は、従来のマイクロリソグ
ラフィ用照明装置であり、半導体ウェーハやガラスプレ
−トなどの基板を露光するのに用いられるビーム112
を生成する。本発明には、適当な照明設備でさえあれ
ば、高圧水銀ランプ、ArFレーザ、KRFレーザ、紫
外線、X線、イオンビーム、又は電子ビーム等、いかな
る光源を使用してもよい。投影レンズ108は、従来の
マイクロリソグラフィ装置に用いられるレンズ系であっ
てもよい。照明装置110と投影レンズ108とは共に
静止しており、防振装置(図示せず)によって支えられ
ている。
【0018】図3は、マイクロリソグライ位置決めテー
ブル機構100の斜視図を示す。この位置決めテーブル
の機構100はX軸方向に駆動されるので、マスク微動
ステージ104とプレート微動ステージ106とは、照
明装置110と投影レンズ108(図3では示さず)と
を横切って走査される。図3に示すように、照明装置1
10によって照明されているマスク微動ステージ104
上の点(点Aとして示す)は、露光されているプレート
微動ステージ106上の点(点A´として示す)と位置
合わせされている。粗動ステージ102が一定速度で走
査している時、マスク微動ステージ104上の点Aと、
プレート微動ステージ106上の点A´とは、位置合わ
せされた状態のままでなければならない。微動ステージ
104、106の間に、同期誤差として知られる位置合
わせ誤差が少しでもあれば、露光されたプレートに不正
確さが生じる。同期誤差は、解像度がミクロン以下の規
模であるマイクロリソグライにおいて特に重要である。
【0019】粗動ステージ102が動いている間、マス
ク微動ステージ104とプレート微動ステージ106と
は、粗動ステージ102に対して動き、いかなる同期誤
差をも動的に修正し、こうして点Aと点A‘とを位置合
わせされた状態に保つ。図3に示すように、マスク微動
ステージ104とプレート微動ステージ106との組合
わさった動きは、6つの自由度を持つ。例えば、マスク
微動ステージ104はX、Y、θZ座標内を動き、一
方、プレート微動ステージ106はθX、θY、Z座標
内を動く。しかしながら、微動ステージ104、106
は、本発明によれば、例えば一方の微動ステージを粗動
ステージ102に対して静止状態に保つ一方、他方の微
動ステージをまるまる6つの自由度で動かすといった、
いかなる動きの組合わせ方をしてもよいことが理解され
よう。
【0020】図4は、本発明の一実施例によるマスク微
動ステージ104の側面図を示す。このマスク微動ステ
ージ104は、粗動ステージ102に取り付けられたマ
スクフレーム114を含む。マスクホルダ116は、ア
クチュエータ118、120、122を介して、マスク
フレーム114に連結されている。マスク124が、当
業界ではよく理解されているように、従来の方法でマス
クホルダ116によって保持されている。アクチュエー
タ118、120、122が、マスクホルダ116とマ
スクフレーム114との間に配設されている。それは、
粗動ステージ102が矢印103で示すようなX方向に
一定速度で動いている間に、アクチュエータ118、1
20、122が、マスクホルダ116をX、Y、又はθ
Z座標内で動かして、これらの方向におけるいかなる同
期誤差をも修正できるようにするためである。マスク微
動ステージ104を動かすということは、マスクホルダ
116を動かすことを必然的に伴うことが理解されよ
う。
【0021】アクチュエータ118は、マスクホルダ1
16をX座標内で動かし、一方アクチュエータ120、
122は、もし同じ方向に同時に動かされるならば、マ
スクホルダ116をY座標内で動かすことができる。
又、アクチュエータ120、122は、もし一方のアク
チュエータが1方向に、他方のアクチュエータよりも余
計に動かされるならば、マスクホルダをθZ方向に動か
すことができる。
【0022】システム精度を制御するため、微動ステー
ジ104、106の実際の位置は相対的に測定され、
又、既知の定位置に対して測定される。マスクホルダ1
16の実際の位置は、レーザ干渉計等の位置測定装置に
よって測定される。図4は、マスクホルダ116上の測
定ミラー126、127、128を示すが、これらは、
X、Y、θZ座標内のマスクホルダ116の位置を測定
するのに用いられる。レ−ザ干渉計は差動式の装置であ
るから、マスクホルダ116の実際の位置を得るために
は、マスクホルダ116の位置を、図2に示す投影レン
ズ108等、位置決めテーブル機構の静止要素に対して
測定する。しかし、マスクホルダ116の位置は、プレ
ート・ステージ106に対しても測定されなければなら
ない。従って、プレート・ステージ106も、X、Y、
θZ座標内におけるその位置を測定するために測定ミラ
ー126、127、128を持つ。マスクホルダ116
のθX、θY、Z座標も測定ミラー154、156、1
58を用いて測定され、同じ座標内のプレート微動ステ
ージ106の位置と比較される。レーザ干渉計によるス
テージの現在位置の測定は、十分、当業者の技量の範囲
内にある。
【0023】図5は、エンコ−ダ119が付設されたア
クチュエータ118の詳細側面図である。アクチュエー
タ120、122は、アクチュエータ118と同じもの
であることを理解されたい。アクチュエータ118は、
マスクフレーム114に取り付けられたボイスコイル
(線形)モータ130を含むボイスコイル・アクチュエ
ータであってもよい。モータ130は、矢印135で示
すように、マスクフレーム114に平行な方向にウェッ
ジ(くさび部材)134を駆動する軸132を動かす。
ウェッジ134の動きは、ローラ136に伝達され、ロ
ーラ136は、矢印137で示すように、ウェッジ13
4によりマスクフレーム114に対して垂直に動く。ロ
ーラ136はマスクホルダ116に接しているので、ロ
ーラの垂直運動はマスクホルダ116に伝達される。ア
クチュエータ118は例として示したもので、別のアク
チュエータ、例えば他の種類の電磁アクチュエータやね
じ式アクチュエータ等を使用してもよい。
【0024】アクチュエータ118を通じてマスクホル
ダ116に与えられる駆動量を決定するために、エンコ
−ダ119等のセンサがアクチュエータ118の軸13
2に直接取り付けられている。エンコ−ダ119はアク
チュエータ118の位置を測定する。図2に示す位置制
御装置101は、エンコ−ダ119からの位置情報を用
いて、アクチュエータ118の位置の変化率を測定す
る。この変化率は、近似的に、X座標における、粗動ス
テージ102に対するマスクホルダ116の速度の大き
さである。エンコ−ダ119はアクチュエータ118に
直接取り付けられているので、マスクホルダ116のた
わみ(flexation)や振動は、マスクホルダ116の速度
測定にはほとんど影響を与えないはずである。位置制御
装置101が、Y、θZ座標における、粗動ステージ1
02に対するマスクホルダ116の近似速度を決定でき
るように、追加のエンコ−ダが、同様に、それぞれのア
クチュエータ120、122に直接取り付けられる。エ
ンコ−ダによって与えられたマスクホルダ116の速度
測定値は、位置制御装置における速度フィードバック・
ループに用いられる。
【0025】別の選択可能な実施例では、マスクホルダ
116は、アクチュエータを介して粗動ステージ102
に連結されているので、マスクフレーム114は不必要
である。このような実施例では、アクチュエータ12
0、122がマスクホルダ116と粗動ステージ102
との間に配設されている場合には、これらのアクチュエ
ータを用いて、マスクホルダ116をY、θZ座標内で
動かしてもよい。しかし、アクチュエータ118を粗動
ステージ102に取り付けて、ウェッジ134とローラ
136を使用することなく、直接にマスクホルダをX座
標内で動かすのに用いてもよい。
【0026】図6はプレート微動ステージ106の詳細
を示す図面であり、図6(a)、(b)は、それぞれプ
レート微動ステージ106の正面図及び側面図を示す。
プレート微動ステージ106は、粗動ステージ102に
連結されたプレートフレーム140と、従来の方法でプ
レート144を保持するプレートホルダ142とを含
む。アクチュエータ146、148、150は、図6
(a)、(b)に示すように、プレートフレーム140
とプレートホルダ142との間に配置され、プレートホ
ルダ142がθX、θY、Z座標内を動き得るようにし
てある。粗動ステージ102は、図6(b)において矢
印103で示すように、X方向に一定速度で動かされ、
一方、プレートホルダ142は、θX、θY、Z座標内
のいかなる同期誤差をも補償するようにアクチュエータ
146、148、150によって動かされる。アクチュ
エータ146、148、150は、図5に示すアクチュ
エータ118に類似している。しかしながら、本発明
は、異なった個数のアクチュエータ及び/又は別に選択
可能な位置に配置されたアクチュエータを用いて実施し
てもよいことが理解されよう。更に、マスクステージ1
04とプレートステージ106との間の6自由度は、本
発明から逸脱することなく相互に交換してもよいことも
了解されよう。
【0027】θX、θY、Z座標において、投影レンズ
108とマスクホルダ116とに対するプレートホルダ
142の現在位置は、図6(a)、(b)に示すよう
に、プレートホルダ142上に位置する位置センサ15
4A、156A、158Aによって測定される。上述の
ように、プレートホルダ142は、そのX、Y、θZ位
置を測定するために、付属の測定ミラー126、12
7、128を持つ。図5のアクチュエータ118の場合
と同様に、エンコ−ダがアクチュエータ146、14
8、150に結合され、プレートホルダ142に与えら
れた運動の量を検出する。エンコ−ダをアクチュエータ
に直接取り付けることによって、プレートホルダ142
の運動が、プレートホルダ142のたわみや振動等の要
因に影響されることなしに、正確に検出することができ
るようになる。
【0028】走査中、粗動ステージ102は、マスク微
動ステージ104とプレート微動ステージ106とを一
定速度で運ぶ。しかしながら、走査過程中に、粗動ステ
ージ102の運動における僅かのずれ、又は微動ステー
ジ104及び106の間の同期誤差があれば、プレート
144の露光に欠陥が生じることになる。
【0029】図7は、マスク微動ステージ104とプレ
ート微動ステージ106との同期誤差を示す図であり、
図7(a)は、粗動ステージ102がα度のヨーイング
を持つ場合の同期誤差の一例を示す。このヨーイング
は、説明のために、図7(a)に大きく誇張して示して
いる。投影レンズ108と照明装置110とは静止して
いる。図7(a)に示すように、微動ステージ104及
び106上のそれぞれの点A及びA´は、粗動ステージ
102のヨーイングのせいで、もはや位置合わせされた
状態にはない。この同期誤差を補償するためには、マス
ク微動ステージ104がX方向に距離δXだけ動くよう
にしてもよく、且つ/又は微動ステージ106がプレー
トホルダ142を負のθY方向にα度だけ動かしてもよ
い。
【0030】図7(b)は、同期誤差に関する別の例
で、粗動ステージ102がβ度のロ−リング(横揺れ)
を持つ場合の例を示す。このロ−リングは、説明のため
に、図7(b)に大きく誇張して示している。粗動ステ
ージ102のロ−リングによって、微動ステージ10
4、106上のそれぞれの点A及びA´の間に位置合わ
せ誤差が生じる。この同期誤差を補償するためには、マ
スク微動ステージ104が負のY方向に距離δYだけ動
くようにしてもよく、且つ/又はプレート微動ステージ
106が負のθX方向にβ度だけ動くようにしてもよ
い。
【0031】同期誤差の別の原因が図7(c)に示され
る。図7(c)は、分かりやすいように、プレートフレ
ーム140及びマスクフレーム114を付けてないプレ
ートホルダ142及びマスクホルダ116を示す。も
し、プレートホルダ142が図示のようにθY方向に回
転させられ、その結果プレートホルダ142がマスクホ
ルダ116と水平にならなくなれば短縮効果(倍率誤
差)が生じる。X−Y面におけるプレートホルダ142
の正面の位置は、量γXだけ小さくなる。この同期誤差
を補償するためには、マスクホルダ116を負のX方向
にγXだけ動かされなければならない。もしプレートホ
ルダ142がθX方向に回転すれば、やはり同じ種類の
同期誤差がY方向に生じる。マスクホルダ116がY方
向に適当な量だけ動くことによっても、この同期誤差を
補償することができる。
【0032】プレートホルダ142とマスクホルダ11
6との間の距離の誤差という形を取る同期誤差の別の原
因を示す。図7(d)は、分かりやすいように、再びプ
レートフレーム140及びマスクフレーム114を付け
てないプレートホルダ142及びマスクホルダ116の
正面図を示す。もしプレートホルダ142が図示のよう
にθX方向に回転させられれば、プレートホルダ142
の上端と下端とは、Z方向に量ΔZだけ誤差を生じる。
この同期誤差を補償するためには、プレートホルダ14
2は負のZ方向にΔZだけ動かされなければならない。
【0033】粗動ステージ102が一定速度でX方向に
動いている間に、プレート144の露光が行われる。し
かし、粗動ステージ102は、プレート144の露光の
前に、一定速度になるまで加速されなければならず、そ
して露光は粗動ステージ102を減速させる前に終了し
なければならない。加速又は減速に要する時間は整定時
間として知られる。整定時間は、スル−プットを制約
し、従ってシステムの効率に影響を及ぼす。
【0034】図8は粗動ステージ102及びマスクホル
ダ116の状態を表す図である。図8(a)は粗動ステ
ージ102のX座標における加速度−時間を表すグラフ
であり、図8(b)は粗動ステージ102のX座標にお
ける速度−時間を表すグラフであり、図8(c)は粗動
ステージ102のX座標における位置−時間を表すグラ
フである。また、図8(d)はX座標における粗動ステ
ージ102の追従誤差−時間を表すグラフであり、図8
(e)はマスクホルダ116の追従誤差−時間を表すグ
ラフである。図8(a)は、時刻t0からt1までの粗
動ステージ102の加速度と、時刻t2からt3までの
粗動ステージ102の減速度とをグラフで示したもので
ある。粗動ステージは、時刻t1とt2との間で一定速
度Vcであり、この間にプレート144の露光が行われ
る。図8(b)は、粗動ステージ102の速度のグラフ
表示であるが、その速度は時刻t0とt1との間で増大
し、時刻t2とt3との間で減少している。粗動ステージ
102は、時刻t1とt2との間で一定速度Vcであ
る。従って、図8(c)に示すように、粗動ステージ1
02の位置は、時刻t1とt2との間の時間に対して直
線関係を持つ。
【0035】加速及び減速中に追従誤差が生じるので、
プレート144の露光は、粗動ステージ102が一定速
度の時にのみ行われ得る。追従誤差とは、粗動ステージ
102の実際の位置と所望のステージ位置との差のこと
である。前述のように、図8(d)はX座標における粗
動ステージ102の追従誤差−時間を表すグラフであ
り、時刻t0からt1まで粗動ステージ102はXFE
の追従誤差を受け時刻t2からt3まで−XFEの追従
誤差が生じる。
【0036】マスクステージ104は、マスクホルダ1
16をX座標内で動かすアクチュエータ118を用いる
ことによって、追従誤差を補償する。粗動ステージ10
2がX座標内で一定速度Vcまで加速すると、位置制御
装置101は、アクチュエータ118を用いてマスクホ
ルダ116を正方向に送る。こうして、マスクホルダ1
16は粗動ステージ102よりも速い所望の一定速度に
達し、これにより追従誤差を減少させる。更に、粗動ス
テージ102が一定速度から減速している時、位置制御
装置101は、マスクホルダ116を正方向に送って、
より長い時間の間マスクホルダ116を一定速度Vcに
保つ。図8(e)はマスクホルダ116の追従誤差を示
しており、マスクホルダ116はtFF1からtFF2
まで一定速度Vcになり、これによって整定時間を縮小
し、スル−プットを増大することができる。
【0037】図9は、本発明による、マスク微動ステー
ジ104を制御する位置制御装置101に用いられる位
置決め制御回路200の略図である。
【0038】ディジタル信号プロセッサ、又はマイクロ
プロセッサ等の軌道指令コンピュータ(trajectory comm
and computer)202は、マスク微動ステージ104の
X、Y、θZ座標内の所望の位置及び速度についての指
令信号を発生する。指令コンピュータ202により生成
された位置指令信号は、ノード204X、204Y、2
04Tにおいて、マスクホルダ116の重心の実際の
X、Y、θZ位置を表す信号と比較される。マスクホル
ダ116の実際の位置は、図4に示すような測定ミラー
126,127,128を用いたレ−ザ干渉計によって
決定される。もちろん、実際位置の測定には別の方法を
用いてもよい。
【0039】レ−ザ干渉計により測定されるような、マ
スクホルダ116の実際の重心の位置と、軌道指令コン
ピュータ202により与えられた所望位置との差は位置
誤差として知られる。位置誤差信号がノード204X、
204Y、204Tで生成される。座標ごとの位置語差
信号は、簡単な比例ゲインであるフィルタ206X、2
06Y、206Tで増幅される。座標ごとの、増幅され
た位置語差信号は、このあと従来の2次ノッチフィルタ
208X、208Y、208Tによって濾波される。ノ
ッチフィルタ208X、208Y、208Tは、図9で
は点線で示しているが、これは別の選択可能な実施例で
は除かれる場合があるからである。
【0040】座標ごとの位置語差信号は、ライン209
X、209Y、209Tを介して座標変換センタ210
に供給される。座標変換センタ210とは、アクチュエ
ータ118、120、122を制御するのに必要な制御
信号を発生するためのソフトウェアを用いるコンピュー
タのことである。
【0041】軌道指令コンピュータ202は、追従誤差
を補償するのに用いられる、所望速度を得るための速度
制御信号も発生する。座標変換センタ210は、ライン
211X、211Y、211Tを介して、軌道指令コン
ピュータ202からX、Y、θZ座標に関する速度指令
信号を受け取り、これらの速度制御信号に基づき、座標
変換センタ210はフィ−ドフォワ−ド指令を生成す
る。これらの制御信号とフィ−ドフォワ−ド指令とは、
ノード212、214、216において結合される。結
果して生じた制御信号は、ノード218、220、22
2において、速度フィードバック・ループからのアクチ
ュエータ速度信号と結合される。結果として発生した信
号は、このあとPIフィルタ224、226、228に
それぞれ送り込まれる。
【0042】各PIフィルタ224、226、228
は、受信したそれぞれの制御信号の比例と積分とを実行
し、マスクホルダ116に取り付けられたそれぞれのア
クチュエータ118、120、122を駆動する信号を
発生する。アクチュエータ118、120、122に直
接取り付けられたエンコ−ダには、速度フィードバック
・ループが設けられている。各エンコ−ダは、これを取
り付けたアクチュエータの位置を表すアクチュエータ位
置信号を生成する。これらのアクチュエータ位置信号
は、ライン118ENC、120ENC、122ENC
を介して伝達され、それぞれ、差動回路230、23
2、234に送り込まれる。差動回路230、232、
234は、アクチュエータ位置信号の1次導関数を利用
してアクチュエータ速度信号を生成する。このアクチュ
エータ速度信号は、アクチュエータ118、120、1
22の位置の変化率すなわち速度を表す。アクチュエー
タ118、120、122の速度は、システムの安定性
維持のため、ノード218、220、222において、
制御信号から減じられる。
【0043】マスクホルダ上の測定ミラー126、12
7、128の、投影レンズ108等、他の要素に対する
実際の位置、並びにプレートホルダ142に対する位置
を測定する干渉計によって、位置フィードバック・ルー
プが与えられる。干渉計によって生成され、ミラー12
6、127、128の実際の位置を表す位置信号は、ラ
インIX1、IX2、IYを介して2次座標変換センタ
240に供給される。この座標変換センタ240は、測
定ミラー126、127、128の位置の干渉計による
測定値を、マスクホルダ116の重心のX、Y、θZ座
標に変換する。更に、マスクホルダ116のZ座標位置
は、プレートホルダ142のZ座標位置と比較される。
この情報は、又、図7(c)に示す短縮誤差を含めて、
マスクホルダ116とプレートホルダ142との間の一
切のレベリング誤差を修正できるように、座標変換セン
タ240にも供給される。次いで、マスクホルダ116
の重心を表す座標信号は、ノード204X、204Y、
204Tにおいて、位置指令信号から減じられる。
【0044】図9も適応フィルタ250X、250Y、
250Tを含むが、これらの適応フィルタは、粗動ステ
ージ102の速度を受信するほか、ブロック252X、
252Y、252Tを介して、それぞれのノード204
X、204Y、204Tから位置誤差信号を受信する。
これらの粗動ステージ102の速度及び位置誤差信号を
用いて、ブロック252X、252Y、252Tは、マ
スクホルダ116の位置を更新するための重み信号W
(n+1)を生成する。重み信号が表す信号は、次の平
均最小2乗適応アルゴリズムに従って生成される。
【0045】 W(n+1)=W(n)+2u(en)*V(c) [式1] ここで、W(n+1)は更新後の重み、W(n)は更新
前の重み、2uは係数、enはマスクホルダ116に要
求されている位置と現在のマスクホルダ116の位置と
のずれを表し、V(c)は粗動ステージ102の速度を
表す。係数2uは、更新前の重みがいかに迅速に更新後
の重みに収束するかに影響する。もし大きな係数が用い
られれば、重みは迅速に収束するが、システムは不安定
になる可能性があり、ことによるとシステムの振動ない
し発振を引き起こすかもしれない。一方、小さな係数が
用いられた場合は、システムは安定であるが、収束時間
はより長くなる。一実施例においては、係数2uは、重
みが10サイクルごとに1回、又はほぼ5秒ごとに1回
更新されるように選ばれる。
【0046】ブロック252X、252Y、252T
は、式1に従って重みを更新するように従来方式でプロ
グラムされたディジタル信号プロセッサ、又はマイクロ
プロセッサであってもよい。ブロック252X、252
Y、252Tの出力信号は、それぞれの適応フィルタ2
50X、250Y、250Tにより受信されるが、これ
らのフィルタは、このような重みを粗動ステージ102
の速度と結合する。
【0047】座標変換センタ210は、適応フィルタ2
50X、250Y、250Tから重み信号を受け取る。
座標変換センタ210は、その重み信号の変換を行う。
このあと、その変換された重み信号は、ノード252、
254、256において制御信号と結合される。
【0048】このように、マスクホルダ116の位置決
めは、適応フィルタ250X、250Y、250Tを使
用して、位置誤差信号、並びに粗動ステージ102の速
度に基礎を置くことになる。粗動ステージ102の速度
と、マスクホルダ116の所望位置からのずれとは互い
に比例するので、マスクホルダ116をその所望位置ま
で駆動している時の粗動ステージ102の速度を検討す
ることが、制御の安定性の向上につながる。更に、レジ
スト感度や露光強度等の露光条件を最も良く適応させる
ために、種々の粗動ステージ102速度を用いてもよい
が、適応フィルタ250X、250Y、250Tによっ
て生成される重み信号は、使用する特定の粗動ステージ
102速度に比例するように設定すべきである。
【0049】図10は、プレート微動ステージ106を
制御するための位置制御回路300のブロック図であ
る。この位置制御回路300は、回路200と類似して
おり、両者において同じ名称の構成部品は同じものであ
る。しかし、位置制御回路300は、プレートホルダ1
42のθX、θY、Z座標を制御するものである。構成
部品の名称はこれを反映している。制御回路200と制
御回路300の両方とも、位置制御装置101の内部に
あってよいことが理解されよう。
【0050】本発明を特定の実施例について説明した
が、これらの実施例を種々に変更して実施できること
は、当業者には明らかであろう。例えば、微動ステージ
104、106は、本発明によって、一方の微動ステー
ジが6自由度で動かされ、他方の微動ステージが粗動ス
テージ102に対して静止状態にあるように変更するこ
ともできる。更に、微動ステージ104、106を粗動
ステージ102に直接連結してもよく、こうすればフレ
ーム114及び140が不必要になる。
【0051】上記実施例では基板(プレート)とマスク
とが垂直方向に沿って配置されたいわゆる縦型タイプの
露光装置を例に挙げて説明したが、基板とマスクとが水
平方向に沿って支持され、倒立系(正立系でも適用は可
能)の投影光学系を有した露光装置にも上記実施例説明
したステージ駆動方法を適用することができる。以下図
11を用いて説明する。なお、ここでは、基板としてウ
エハWを用いることとする。
【0052】図11に示す走査型露光装置302では、
不図示のエキシマレーザ光源(KrF,ArF)あるいは固体
レーザ光源(F2)からの露光用照明光がコラム330
に支持された照明光学系304に入射するようになって
いる。照明光学系304は、マスクMの照明領域を可変
に設定するブラインド機構、フライアイレンズ、コンデ
ンサレンズ等を有し、マスクMを露光用照明光にて照明
する。マスクステージ306とマスク微動ステージ30
8とは、マスクMを走査方向(X方向)に駆動する。マ
スク微動ステージ308は、マスクステージ306に接
続されており、後述のウエハステージWSTに追従するよ
うにX方向に駆動する。このマスク微動ステージ308
に先の実施例の制御が適用されている。また、マスク微
動ステージ308はヨーイング補正のために微少回転移
動も行う。また、マスクステージ306とマスク微動ス
テージ308との一端にはレーザ干渉計310、312
からの測長ビ−ムを反射する移動鏡314、316が固
定され、マスクMのX方向の位置がレーザ干渉計31
0、312によって計測される。
【0053】マスクMに形成されたパターンの像は、コ
ラム332に支持された投影光学系PLにより例えば1
/4に縮小されてウエハWに結像される。ウエハWは、
XYZ方向に移動可能なウエハステージWSTに載置さ
れている。このウエハステージWSTは、不図示の防振
機構を介してコラム318に移動可能に支持され、ウエ
ハ駆動系320の指令に基づいて駆動される。
【0054】露光時には、マスクステージ306とマス
ク微動ステージ308とをマスク駆動系322によりX
方向に一定速度V1で走査する。これに同期して、ウエ
ハステージWSTをウエハ駆動系320により−X方向
に一定速度V2で走査する。投影光学系PLの投影倍率
を1/4とすると、速度V2はv1/4である。このよ
うにして、マスクMとウエハWとを同期して走査するこ
とにより、マスクのパターンの像がウエハに投影露光さ
れる。なお、ウエハステージWSTのX方向の一端には
レーザ干渉計324からの測長ビ−ムを反射する移動鏡
326が固定され、ウエハステージWSTのX方向の座
標位置がレーザ干渉計324によって計測される。図示
は省略したがウエハステージWSTのY方向の一端にも
X方向と同様に、レーザ干渉計からの測長ビ−ムを反射
する移動鏡が固定され、ウエハステージWSTのY方向
の座標位置がレーザ干渉計によって計測される。
【0055】走査型露光装置302における露光動作の
制御は、主制御部328により統括的に管理される。主
制御部328は、レーザ干渉計310、312、324
等からの位置情報、駆動系320、322等からの速度
情報等に基づいて、走査露光時にマスクMとウエハWと
の相対位置関係を維持しつつ、マスクMとウエハWとを
相対移動させることにある。なお、ウエハステージWS
Tにも微動ステージ機構を設けてもいいことはいうまで
もない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術による位置制御装置のブロック図を
示す図である。
【図2】 粗動ステージ、マスク微動ステージ、及びプ
レート微動ステージを含む単純化されたマイクロリソグ
ライ位置決めテーブル機構の正面図を示す図である。
【図3】 図2のマイクロリソグライ位置決めテーブル
の機構の斜視図を示す図である。
【図4】 粗動ステージに取り付けられたマスクフレー
ムと、アクチュエータを介してマスクフレームに連結さ
れたマスクホルダとを含むマスク微動ステージの側面図
を示す図である。
【図5】 マスクフレームとマスクホルダとの間に配設
されたアクチュエータの側面図を示す図である。
【図6】 図6はプレート微動ステージ106の詳細を
示す図面であり、図6(a)、(b)は、それぞれプレ
ート微動ステージ106の正面図及び側面図を示す図で
ある。
【図7】 図7は、マスク微動ステージ104とプレー
ト微動ステージ106との同期誤差を示す図であり、図
7(a)は粗動ステージ102がヨ−イングを持つ場合
の例であり、図7(b)は粗動ステージ102がロ−リ
ングを持つ場合の例であり、図7(c)、(d)はプレ
ートホルダ142が回転誤差を持つ場合の例である。
【図8】 図8は粗動ステージ102及びマスクホルダ
116の状態を表す図であり、図8(a)は粗動ステー
ジ102のX座標における加速度−時間を表すグラフで
あり、図8(b)は粗動ステージ102のX座標におけ
る速度−時間を表すグラフであり、図8(c)は粗動ス
テージ102のX座標における位置−時間を表すグラフ
であり、図8(d)はX座標における粗動ステージ10
2の追従誤差−時間を表すグラフであり、図8(e)は
マスクホルダ116の追従誤差−時間を表すグラフであ
る。
【図9】 本実施例によるマスク微動ステージを制御す
る位置決め制御回路の略図を示す図である。
【図10】 本実施例によるプレート微動ステージを制
御する位置決め制御回路の略図を示す図である。
【図11】走査型露光装置の概略を示す図である。
【符号の説明】
100 マイクロリソグライ位置決
めテーブル機構 101 位置制御装置 102 粗動ステージ 104 マスク微動ステージ 106 プレート微動ステージ 114 マスクフレーム 116 マスクホルダ 118、120、122 アクチュエータ(マスク微
動ステージ用) 119 エンコ−ダ 124 マスク 140 プレートフレーム 142 プレートホルダ 144 プレート 146、148、150 アクチュエータ(プレート
微動ステージ用) 154、156、158 センサ

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】粗動ステージに移動可能に接続された第1
    の微動ステージと;前記第1の微動ステージを前記粗動
    ステージに対して駆動するアクチュエータと;前記アク
    チュエータに接続され、前記粗動ステージに対する前記
    第1の微動ステージの速度に対応する速度信号を出力す
    る第1のセンサと;前記第1の微動ステージの位置に関
    する位置信号を出力する位置測定装置と;前記アクチュ
    エータを制御する位置決め制御回路と;を備えたステー
    ジ装置において、前記位置決め制御回路が、前記位置信
    号に応答する位置フィードバック回路と、前記速度信号
    に応答する速度フィードバック回路とを有していること
    を特徴とするステージ装置。
  2. 【請求項2】前記第1の微動ステージは、前記粗動ステ
    ージに固着された微動ステージ・フレームと、該微動ス
    テージ・フレームに結合されたホルダとを有し、前記微
    動ステージ・フレームと前記ホルダとの間に前記アクチ
    ュエータを配設し、前記アクチュエータが前記ホルダを
    前記微動ステージ・フレームに対して駆動することを特
    徴とする請求項1記載のステージ装置。
  3. 【請求項3】前記ホルダがマスクを保持することを特徴
    とする請求項2記載のステージ装置。
  4. 【請求項4】前記アクチュエータは複数配設されてお
    り、前記複数のアクチュエータは、前記微動ステージ・
    フレームに対して、少なくとも3つの自由度で前記ホル
    ダを動かすことを特徴とする請求項2記載のステージ装
    置。
  5. 【請求項5】前記粗動ステージに移動可能に結合された
    第2の微動ステージと;前記第2の微動ステージを前記
    粗動ステージに対して駆動する第2のアクチュエータ
    と;前記第2のアクチュエータに結合され、前記粗動ス
    テージに対する前記第2の微動ステージの速度に対応す
    る第2の速度信号を供給する第2のセンサとを備え、 前記位置測定装置は、前記第2の微動ステージの位置に
    関する第2の位置信号を出力し;前記位置制御回路は、
    前記第2の位置信号に応答する第2の位置フィードバッ
    ク回路と、前記第2の速度信号に対応する第2の速度フ
    ィードバック回路とを有していることを特徴とする請求
    項1から4のいずれか一項に記載のステージ装置。
  6. 【請求項6】前記第1の微動ステージと前記第2の微動
    ステージとを同期駆動する駆動装置を備えたことを特徴
    とする請求項5記載ステージ装置。
  7. 【請求項7】前記位置測定装置が、前記第1の微動ステ
    ージと前記第2の微動ステージとの相対的な位置を測定
    することを特徴とする請求項5または6記載のステージ
    装置。
  8. 【請求項8】前記位置測定装置が、干渉計であることを
    特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のステ
    ージ装置。
  9. 【請求項9】粗動ステージに接続された微動ステージを
    駆動するステージ駆動方法であって、 前記粗動ステージに接続された第1の微動ステージに所
    望位置を得るための指令信号を供給する工程と;前記第
    1の微動ステージの位置を表す位置信号を供給する工程
    と;前記指令信号と前記位置信号とを比較して位置誤差
    信号を生成する工程と;前記位置誤差信号に基づいて、
    前記第1の微動ステージの駆動を制御する制御信号を生
    成する工程と;前記粗動ステージに対する前記第1の微
    動ステージの速度を表す速度信号を供給する工程と;前
    記制御信号と前記速度信号と比較して、移動信号を生成
    する工程と;前記移動信号に応じて、前記第1の微動ス
    テージを前記粗動ステージに対して駆動する工程と;を
    含むことを特徴とするステージ駆動方法。
  10. 【請求項10】前記粗動ステージに接続された第2の微
    動ステージに所望位置を得るための第2の指令信号を供
    給する工程と;前記第2の微動ステージの位置を表す第
    2の位置信号を供給する工程と;前記第2の指令信号と
    前記第2の位置信号とを比較して第2の位置誤差信号を
    生成する工程と;前記第2の位置誤差信号に基づいて、
    前記第2の微動ステージの駆動を制御する第2の制御信
    号を生成する工程と;前記粗動ステージに対する前記第
    2の微動ステージの速度を表す第2の速度信号を供給す
    る工程と;前記第2の制御信号を前記第2の速度信号と
    比較して、第2の移動信号を生成する工程と;前記第2
    の移動信号に応じて、前記第2の微動ステージを前記粗
    動ステージに対して動かす工程と;を含むことを特徴と
    する請求項9記載のステージ駆動方法。
  11. 【請求項11】前記第1の微動ステージと前記第2の微
    動ステージとを同期制御することを特徴とする請求項1
    0に記載のステージ駆動方法。
  12. 【請求項12】前記微動ステージの所望速度を得るため
    の速度指令信号を供給する工程と;前記速度指令信号に
    基づいてフィ−ドフォワ−ド信号を生成する工程と;前
    記フィ−ドフォワ−ド指令信号に応じて、前記微動ステ
    ージを前記粗動ステージに対して動かす工程と;を含む
    ことを特徴とする請求項9に記載のステージ駆動方法。
  13. 【請求項13】前記粗動ステージの速度を表す第3の速
    度信号を供給する工程と;前記第3の速度信号と前記位
    置誤差信号とに基づいて、重み信号を生成する工程と;
    前記重み信号と前記制御信号と結合する工程と;を含む
    ことを特徴とする請求項9に記載のステージ駆動方法方
    法。
  14. 【請求項14】前記重み信号を生成する前記工程が、最
    小2乗平均を用いていることを特徴とする請求項13に
    記載のステージ駆動方法方法。
  15. 【請求項15】第1方向に移動するステージと;前記ス
    テージに追従可能な第1微動ステージと;前記ステージ
    に追従するように前記第1微動ステージを駆動する駆動
    装置と;前記ステージが前記第1方向に移動している間
    の前記ステージに対する前記第1微動ステージの位置を
    測定する位置測定装置と;前記駆動装置に接続され、前
    記ステージに追従するように前記第1微動ステージに第
    1速度信号を出力する速度信号出力装置と;前記位置測
    定装置に応じて前記第1微動ステージの位置を制御する
    位置フィ−ドバック回路と;前記速度信号出力装置に応
    じて前記第1微動ステージの駆動を制御する速度フィ−
    ドバック回路とを備えたことを特徴とするステージ装
    置。
  16. 【請求項16】前記速度信号出力装置の少なくとも一部
    が前記駆動装置に接続されていることを特徴とする請求
    項16記載のステージ装置。
  17. 【請求項17】パターンが形成されたマスクと基板とを
    同期移動して、前記マスクのパターンを前記基板に形成
    する露光装置において、 第1方向に移動する粗動ステージと;前記粗動ステージ
    に対して可動に接続され、前記マスクを保持する第1微
    動ステージと;前記第1微動ステージを駆動する駆動装
    置と;前記駆動装置に接続され、前記粗動ステージの速
    度に応じた重み付けで前記第1微動ステージの位置を制
    御する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。
  18. 【請求項18】前記制御装置は適応フィルタを有してい
    ることを特徴とする露光装置。
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