JP4274578B2 - 投影露光装置 - Google Patents
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まず、駆動反力による振動はステージそのものを直に支えている定盤などの構造物だけでなく、露光装置の心臓部である投影光学系も振動させている。当然に、ステージを直に支持する定盤などの構造物とは異なる振動モードである。そして、概ね円柱の構造物の投影光学系は、通常、鉛直方向に立てられ、フランジと称する結合部位で機械的に本体構造体に接続する。したがって、低次の振動モードで、かつ露光性能に甚大な影響を及ぼすモードは、円柱状の投影光学系が倒れを発生する振動である。例えば、半導体露光装置が走査型である場合、レチクルとウエハとを所定の速度比で同期スキャンすることによって、レチクルの回路パターンがウエハ上では静止した状態にあって露光がなされることが重要となる。このとき、投影光学系が振動していれば、回路パターンもウエハ上で振動することになり、したがって露光精度を劣化させてしまうのである。
図1に本発明の走査型の半導体露光装置を示す。同図において、光源1から出射した露光光ILは、ミラー2、レチクルブラインド3、リレーレンズ4、ミラー5、コンデンサレンズ6を通ることによって、均一な照度かつレチクルブラインド3によって設定したスリット状の照明領域でレチクル7を照明する。レチクルステージ8はレチクルステージ定盤9の上に支持され、そしてレチクルステージ8上の移動鏡10にレーザビームLBを当ててその反射光を受光することによってレチクルステージ8の位置を検出するレチクル干渉計11が設けられて、図中左右方向(y軸方向)に走査される。
概略円柱状の投影光学系POがある回転中心で回転したとき、PO内のレンズ群にとっては並進と回転の両者の変位が与えられる。ここで、「ある回転中心」が投影光学系POにおける「節点」のとき、レンズ群に与えられた並進と回転に起因する露光光のシフトが相互に相殺し合って最終的なウエハ上の結像位置のシフトとしては現われない。すなわち、収差は発生させてしまうものの、露光位置のずれに対する補正は本来不要なのである。しかるに、特開平10−261580の露光装置によれば、投影光学系が節点で回転の振動をしていたとしても、投影光学系の下方に装着した振動センサの出力を使って、常にレチクル微動ステージの位置を修正してしまうので、本来補正すべきでないところを無意味に補正して露光の位置誤差を招いてしまうのである。そして、もともと、ステージに対する位置計測手段としてのレーザ干渉計に重畳する振動の影響を補正するために、レーザ干渉計と一体的に振動していると見做せるであろうところの投影光学系の振動を計測し、この信号出力を使ってレチクル微動ステージの位置に対して修正を掛けることを意図しており、レーザ干渉計とは様相を異にする投影光学系の振動に起因する露光誤差への影響を補正することはできない、という問題があった。
半導体素子の製造に際して求められる高スループット化に伴い、レチクルステージとウエハステージの高速スキャンもしくは高速位置決めがなされている。その際、各ステージの駆動反力によって、本体構造体と剛に結合している各ステージの位置計測手段としてのレーザ干渉計を振動させていた。同時に、半導体露光装置の心臓部たる投影光学系POにも、先のレーザ干渉計とは様相を異にする振動を発生させていた。
なお、前記振動計測手段は、例えば、前記投影光学系の光軸方向および光軸に垂直な平面内の直交する2軸方向の1〜3方向の振動を計測できるものである。また、前記投影光学系の加速度、速度および変位のいずれかを計測できる手段である。また、前記振動計測手段はレーザ干渉計を用いたものであってもよい。
前記振動モードは、例えば、前記投影光学系の回転運動と並進運動とを含んでいる。または、前記投影光学系の回転運動と並進運動を含む剛体振動モードと、前記投影光学系の変形による振動モードとを含んでいる。
(実施例1)
図1は、本発明の一実施例に係る半導体露光装置の構成を示す。既に、[従来の技術]の項で、同図を用いての説明は行なっており、新規部分についてのみ説明を追加する。
図2は、図1における主制御装置17の具体的構成の一例を示す。ここで、ウエハステージ12は、x軸方向に駆動されるXステージ12X、y軸方向に駆動されるYステージ12Y、および微動ステージ12Bから構成される。まず、ウエハWを載置する微動ステージ12Bを上下動かつ傾斜させる位置決め制御系の説明を行なう。微動ステージ12Bに対しては運動モードに基づく非干渉化制御系が採用されており、本出願人の先の出願に係る特開平7−319549号公報に詳しい。簡単に説明すると、36は運動モード抽出演算手段であり、微動ステージ12Bのz軸方向変位を計測する不図示の変位検出手段からの信号を入力してz軸方向並進運動、x軸回りの回転運動、およびy軸回りの回転運動という運動モード信号を抽出する。その出力は、指令値発生手段31の出力信号と比較して運動モード偏差信号(eg,eθx,eθy)を生成する。ここで、egはz軸方向並進運動を表わす運動モード偏差信号、eθxはx軸回りの回転運動を表わす運動モード偏差信号、eθyはy軸回りの回転運動を表わす運動モード偏差信号である。これらの運動モード偏差信号は運動モードごとに最適な補償を施すための補償器32G,32X,32Yに導かれ、運動モード分配演算手段33への入力となる。運動モード分配演算手段33の出力は微動ステージ12Bを駆動するアクチュエータ34M,34R,34Lを付勢する電力アンプ35M,35R,35Lへの入力となる。ここで、指令値発生手段31ヘの入力は、投影光学系POを基準にしてウエハWの露光面までのフォーカス距離を計測する不図示の位置計測手段からの信号である。なお、特開平7−319549号公報ではアクチュエータ34M,34R,34Lが変位拡大機構を含めたピエゾ素子であったが、本実施例においてはそのようなアクチュエータに限定されるものではなく電磁アクチュエータも含むものである。
(1)ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型半導体露光装置の場合、屈曲状の振動が所定のトレランス内になったことを検出もしくは判定してから露光を掛ける。
(2)走査型投影露光装置の場合、スキャン露光時に屈曲状の振動が所定のトレランス内になるように、ウエハステージ12とレチクルステージ8のどちらか一方もしくは両ステージの加減速プロファイルあるいは一定速のスキャンに先立つ助走距離を最適化する。すなわち、図2を参照して図中のスキャンプロファイラー20のパターンを最適化する。
(3)ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型半導体露光装置と走査型投影露光装置ともに、投影光学系POにおける屈曲状の振動を最小と成すように、投影光学系POを支える不図示の除振装置のパラメータを選定する。特に、除振装置がアクチュエータとセンサとを備えるアクティブ型の場合にはパラメータ選定の妙が発揮できる。すなわち、屈曲状の振動を抑制するようにアクティブ型除振動装置のフィードバックパラメータもしくはフィードフォワードパラメータを定常動作時に対して切り替える等の操作を行なう。
(1)半導体露光装置の高スループット化に伴ってレチクルおよびウエハの高速スキャンあるいは高速位置決めが行なわれるため、半導体露光装置の構造体に駆動反力に起因する振動を発生せしめる。特に、半導体露光装置の心臓部である投影光学系に振動を惹起せしめてしまうため露光性能に甚大な影響を与えていた。しかるに、本実施例によれば、概ね円柱という特有の形状であるが故に発生する投影光学系の振動モードをよく検出するように振動センサが装着され、その出力信号に基づいてレチクルステージとウエハステージのスキャンもしくは位置決めがコントロールできる。
(2)したがって、高速スキャンもしくは高速位置決めに起因する駆動反力によって投影光学系が振動しても安定かつ高精度な露光が行なえる、という効果がある。
(3)加えて、本実施例によれば、投影光学系を含めた半導体露光装置の構造体を過大に剛に制作する必要はなくなるので、半導体露光装置に求められる微細化と高スループット化に応じて上昇していたコストを抑制できる、という効果がある。
(4)もって、半導体露光装置によって生産される半導体素子の品質と生産性向上に寄与するところ大という効果がある。
図5は本発明の他の実施例に係る制御手段が適用されるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置の構成を示す。同図において、回路パターンを有するレチクル7は、均一な照度の照明光ILによって照明される。レチクル7のパターンは投影レンズPOによって半導体デバイス作成用のウエハWに結像投影される。ウエハWはZ駆動およびレベリング駆動を行なうZステージ12B上に載置され、駆動系34M,34R,34Lによって駆動される。これらZステージ12Bと駆動系34M,34R,34Lは水平面内で2次元的に平行移動するXYステージ12XYの上に設けられており、XYステージ12XYはモータ等を含むXYステージ駆動部120によって駆動され、その座標位置はステージ干渉計121により逐次計測される。また上記Zステージ12Bは駆動系34M,34R,34Lをそれぞれ独立に上下動(投影レンズPOの光軸方向へ動作)させることにより、フォーカスずれや傾きずれの調整を行なう。この駆動系34M,34R,34LはZステージ駆動部122からの駆動量指令に応答して上下動する。
加速度センサの個数については、2個であれば剛体モードの振動が分かり、3個、4個と増やせば2次、3次の変形モードを知ることが可能である。
次に上記説明した投影露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図6は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
Claims (12)
- 原版に形成されたパターンを被露光基板上に投影する投影光学系を有する投影露光装置であって、
前記投影光学系の振動を計測するための少なくとも2個の振動計測手段と、前記原版を搭載して前記投影光学系の光軸に垂直な方向に移動可能な原版ステージと、前記被露光基板を搭載して前記投影光学系の光軸に垂直な方向に移動可能な基板ステージと、前記原版および被露光基板の位置を計測する位置計測手段と、前記振動計測手段の出力に基づいて、前記投影光学系の振動による前記被露光基板上の露光光のシフト量を振動モードごとに算出し、該算出された結果と前記位置計測手段の計測値とに基づいて前記原版および被露光基板の少なくとも一方の位置を制御する制御手段とを備えていることを特徴とする投影露光装置。 - 前記振動計測手段は、前記投影光学系の原版側と被露光基板側とに離れて設置されていることを特徴とする請求項1記載の投影露光装置。
- 前記振動計測手段が、前記投影光学系の原版側および被露光基板側の各端部に設置されていることを特徴とする請求項2記載の投影露光装置。
- ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置であって、前記振動計測手段は前記投影光学系の屈曲状の振動を検出し、その屈曲状の振動が所定のトレランス内になったことを検出もしくは判定してから露光を掛けることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の投影露光装置。
- 走査型投影露光装置であって、前記振動計測手段は前記投影光学系の屈曲状の振動を検出し、スキャン露光時に前記投影光学系の屈曲状の振動が所定のトレランス内になるように、前記原版および被露光基板の少なくとも一方を駆動するため加減速プロファイルまたは一定速のスキャンに先立つ助走距離を最適化したことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の投影露光装置。
- 前記投影光学系における屈曲状の振動を最小と成すように前記投影光学系を支える除振装置のパラメータを最適選定したことを特徴とする請求項4または5記載の投影露光装置。
- 前記振動計測手段は、前記投影光学系の光軸方向および光軸に垂直な平面内の直交する2軸方向の1〜3方向の振動を計測できることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の投影露光装置。
- 前記振動計測手段は、前記投影光学系の加速度、速度および変位のいずれかを計測できる手段であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の投影露光装置。
- 前記振動計測手段はレーザ干渉計を用いたものであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の投影露光装置。
- 前記振動モードは、前記投影光学系の回転運動と並進運動とを含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の投影露光装置。
- 前記振動モードは、前記投影光学系の回転運動と並進運動を含む剛体振動モードと、前記投影光学系の変形による振動モードとを含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載の投影露光装置。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の投影露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
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