JPH09129547A - 走査型露光装置、デバイス製造方法およびデバイス - Google Patents
走査型露光装置、デバイス製造方法およびデバイスInfo
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- JPH09129547A JPH09129547A JP7308519A JP30851995A JPH09129547A JP H09129547 A JPH09129547 A JP H09129547A JP 7308519 A JP7308519 A JP 7308519A JP 30851995 A JP30851995 A JP 30851995A JP H09129547 A JPH09129547 A JP H09129547A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度な露光転写を可能にし、半導体素子の
高集積化および液晶表示板の高精細化に対応できる走査
型露光装置を提供する。 【解決手段】 原版１を移動させる第１の移動手段２，
１２、原版の位置を計測する第１の計測手段１３、基板
３を移動させる第２の移動手段４，１４、基板の位置を
計測する第２の計測手段１５、原版上のパターンを照明
する照明光学系９、および第１計測手段と第２計測手段
の計測値に基づいて第１移動手段と第２移動手段の駆動
を制御する制御手段２０を有し、原版と基板を位置的に
整合した状態で照明光学系に対して相対的に移動しなが
らスキャン露光することにより原版上のパターンを基板
上に転写する走査型露光装置において、第１計測手段と
第２計測手段間の相対位置を計測する第３の計測手段１
７，１８を有し、制御手段は、相対位置をも考慮して第
１移動手段または第２移動手段を駆動することにより相
対位置の変化により生じる整合状態の誤差を補正するも
のである。
高集積化および液晶表示板の高精細化に対応できる走査
型露光装置を提供する。 【解決手段】 原版１を移動させる第１の移動手段２，
１２、原版の位置を計測する第１の計測手段１３、基板
３を移動させる第２の移動手段４，１４、基板の位置を
計測する第２の計測手段１５、原版上のパターンを照明
する照明光学系９、および第１計測手段と第２計測手段
の計測値に基づいて第１移動手段と第２移動手段の駆動
を制御する制御手段２０を有し、原版と基板を位置的に
整合した状態で照明光学系に対して相対的に移動しなが
らスキャン露光することにより原版上のパターンを基板
上に転写する走査型露光装置において、第１計測手段と
第２計測手段間の相対位置を計測する第３の計測手段１
７，１８を有し、制御手段は、相対位置をも考慮して第
１移動手段または第２移動手段を駆動することにより相
対位置の変化により生じる整合状態の誤差を補正するも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
パネル等の製造に使用される走査型露光装置およびそれ
を用いたデバイス製造方法ならびにその製造方法により
製造されるデバイスに関するものである。
パネル等の製造に使用される走査型露光装置およびそれ
を用いたデバイス製造方法ならびにその製造方法により
製造されるデバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、半導体素子、液晶パネル等を露光する方式として
は、投影光学系を介し、マスクと基板（またはウエハ）
をキャリッジ上に載せて一体的に移動させながら走査露
光することによりマスク全面の像を基板上に転写する方
式がある。しかし、最近の動向としては、基板を大型化
し、１枚の基板から取得できる液晶パネルの枚数を増や
すことにより液晶パネルのコストを下げる方向に向かっ
ている。その際生じる問題として基板が大型になること
により、マスクと基板を一体で保持しているキャリッジ
の重量が増加するという問題がある。その結果、キャリ
ッジを高速で制御することが困難になり、スループット
が大幅に低下してしまう。その対策として、マスクと基
板のそれぞれに個別の走査ステージ、駆動系およびレー
ザ干渉計を設け、同期駆動によりマスクの像を基板上に
転写する方式がある（特公平５−１５０５４号公報）。
この方式の場合、従来のマスクと基板を連結するキャリ
ッジが必要なくなり走査重量は大幅に減少する。それに
より、マスクと基板の同期を高速で制御することが可能
になり、スループットは大幅に向上する。しかし新たに
発生する問題もある。すなわち、走査中のマスクの位置
を計測するレーザ干渉計の干渉部分を取り付けている本
体構造体の箇所Ａと走査中の基板の位置を計測するレー
ザ干渉計の干渉部分を取り付けている本体構造体の箇所
Ｂが、移動体の移動に伴う重量移動や移動体の加速時の
反力により本体構造体の箇所ＡおよびＢ間に相対位置変
化が生じる。その結果、マスクと基板との間に同期位置
誤差が発生し、オーバーレイ精度が劣化する。
来、半導体素子、液晶パネル等を露光する方式として
は、投影光学系を介し、マスクと基板（またはウエハ）
をキャリッジ上に載せて一体的に移動させながら走査露
光することによりマスク全面の像を基板上に転写する方
式がある。しかし、最近の動向としては、基板を大型化
し、１枚の基板から取得できる液晶パネルの枚数を増や
すことにより液晶パネルのコストを下げる方向に向かっ
ている。その際生じる問題として基板が大型になること
により、マスクと基板を一体で保持しているキャリッジ
の重量が増加するという問題がある。その結果、キャリ
ッジを高速で制御することが困難になり、スループット
が大幅に低下してしまう。その対策として、マスクと基
板のそれぞれに個別の走査ステージ、駆動系およびレー
ザ干渉計を設け、同期駆動によりマスクの像を基板上に
転写する方式がある（特公平５−１５０５４号公報）。
この方式の場合、従来のマスクと基板を連結するキャリ
ッジが必要なくなり走査重量は大幅に減少する。それに
より、マスクと基板の同期を高速で制御することが可能
になり、スループットは大幅に向上する。しかし新たに
発生する問題もある。すなわち、走査中のマスクの位置
を計測するレーザ干渉計の干渉部分を取り付けている本
体構造体の箇所Ａと走査中の基板の位置を計測するレー
ザ干渉計の干渉部分を取り付けている本体構造体の箇所
Ｂが、移動体の移動に伴う重量移動や移動体の加速時の
反力により本体構造体の箇所ＡおよびＢ間に相対位置変
化が生じる。その結果、マスクと基板との間に同期位置
誤差が発生し、オーバーレイ精度が劣化する。
【０００３】これを、図２を用いて具体的に説明する。
図２は従来例に係る露光装置の構成を示す。図中、１は
焼付パターンが形成されているマスク、２はマスク１を
搭載してＸ、Ｙおよびθ方向に移動可能なマスクステー
ジ、３は液晶表示板を製造するためにその表面に多数の
画素とこれらの画素のオンまたはオフを制御するための
スイッチングトランジスタが通常のフォトリソグラフィ
の手段で形成されるガラス基板、４は基板３を保持して
Ｘ、Ｙおよびθ方向に移動可能な基板ステージである。
図２は従来例に係る露光装置の構成を示す。図中、１は
焼付パターンが形成されているマスク、２はマスク１を
搭載してＸ、Ｙおよびθ方向に移動可能なマスクステー
ジ、３は液晶表示板を製造するためにその表面に多数の
画素とこれらの画素のオンまたはオフを制御するための
スイッチングトランジスタが通常のフォトリソグラフィ
の手段で形成されるガラス基板、４は基板３を保持して
Ｘ、Ｙおよびθ方向に移動可能な基板ステージである。
【０００４】５は特定の波長の光で露光位置にあるマス
ク１を照明する照明光学系であり、マスク１上のパター
ンを介して基板３上の感光層を露光することにより、マ
スク１上のパターンを基板３に転写可能とするためのも
のである。６は凹面鏡であり、凸面鏡７および折曲げ鏡
８との組合わせにより周知のミラー投影系を構成し、マ
スクステージ２によって所定位置にアライメントされた
マスク１のパターン像を基板３上に等倍投影するもので
ある。
ク１を照明する照明光学系であり、マスク１上のパター
ンを介して基板３上の感光層を露光することにより、マ
スク１上のパターンを基板３に転写可能とするためのも
のである。６は凹面鏡であり、凸面鏡７および折曲げ鏡
８との組合わせにより周知のミラー投影系を構成し、マ
スクステージ２によって所定位置にアライメントされた
マスク１のパターン像を基板３上に等倍投影するもので
ある。
【０００５】９は基板ステージ４を載置しているベース
定盤であり、１０はマスクステージ２が載置されている
マスクステージ定盤である。マスクステージ定盤１０は
連結板１１によりベース定盤９と連結されている。１２
および１４はそれぞれマスクステージ２および基板ステ
ージ４をＸ方向に移動させるためのモータである。１３
および１５はそれぞれ各ステージ２および４すなわちマ
スク１および基板３の位置をモニタするための測長器で
あり、例えばレーザ干渉計である。
定盤であり、１０はマスクステージ２が載置されている
マスクステージ定盤である。マスクステージ定盤１０は
連結板１１によりベース定盤９と連結されている。１２
および１４はそれぞれマスクステージ２および基板ステ
ージ４をＸ方向に移動させるためのモータである。１３
および１５はそれぞれ各ステージ２および４すなわちマ
スク１および基板３の位置をモニタするための測長器で
あり、例えばレーザ干渉計である。
【０００６】１６は、走査露光時、レーザ干渉計１３お
よび１５のステージ位置情報を基にモータ１２および１
４の駆動量を制御することにより、ステージ２および４
を互いに同期させて移動する制御回路である。制御回路
１６は、例えばモータ１２を一定電圧で駆動してマスク
ステージ２を定速走行させ、レーザ干渉計１３および１
５で計測されるステージ２および４の位置に応じた駆動
量をモータ１４に供給して基板ステージ４を移動する。
この場合、各ステージの移動速度は、必ずしも同一であ
る必要はなく、適当な速度比を持たせても良い。
よび１５のステージ位置情報を基にモータ１２および１
４の駆動量を制御することにより、ステージ２および４
を互いに同期させて移動する制御回路である。制御回路
１６は、例えばモータ１２を一定電圧で駆動してマスク
ステージ２を定速走行させ、レーザ干渉計１３および１
５で計測されるステージ２および４の位置に応じた駆動
量をモータ１４に供給して基板ステージ４を移動する。
この場合、各ステージの移動速度は、必ずしも同一であ
る必要はなく、適当な速度比を持たせても良い。
【０００７】この制御方式の場合に発生する問題とし
て、マスクステージ２および基板ステージ４の移動中の
位置をモニタする測長器１３および１５を取り付けてい
る部材間で、移動体の移動に伴う重量移動、または移動
体の加速時の反力により相対位置変化が生じる。その場
合、上記制御方式では相対位置変化は補正できず、その
相対位置変化量だけマスク１と基板３の間に同期位置誤
差が発生し、マスクのパターンが基板の所定の位置に転
写できない。その結果、画素を制御するためのスイッチ
ングトランジスタの特性不良が発生する。
て、マスクステージ２および基板ステージ４の移動中の
位置をモニタする測長器１３および１５を取り付けてい
る部材間で、移動体の移動に伴う重量移動、または移動
体の加速時の反力により相対位置変化が生じる。その場
合、上記制御方式では相対位置変化は補正できず、その
相対位置変化量だけマスク１と基板３の間に同期位置誤
差が発生し、マスクのパターンが基板の所定の位置に転
写できない。その結果、画素を制御するためのスイッチ
ングトランジスタの特性不良が発生する。
【０００８】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、高精度な露光転写を可能にし、半導体素子
の高集積化および液晶表示板の高精細化に対応できる走
査型露光装置を提供することにある。
題点に鑑み、高精度な露光転写を可能にし、半導体素子
の高集積化および液晶表示板の高精細化に対応できる走
査型露光装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】この目的を達
成するため、本発明の走査型露光装置は、原版を移動さ
せる第１の移動手段、原版の位置を計測する第１の計測
手段、基板を移動させる第２の移動手段、基板の位置を
計測する第２の計測手段、原版上のパターンを照明する
照明光学系、および第１計測手段と第２計測手段の計測
値に基づいて第１移動手段と第２移動手段の駆動を制御
する制御手段を有し、原版と基板を位置的に整合した状
態で照明光学系に対して相対的に移動しながらスキャン
露光することにより原版上のパターンを基板上に転写す
る走査型露光装置において、第１計測手段と第２計測手
段間の相対位置を計測する第３の計測手段を有し、制御
手段は、相対位置をも考慮して第１移動手段または第２
移動手段を駆動することにより相対位置の変化により生
じる整合状態の誤差を補正するものであることを特徴と
する。
成するため、本発明の走査型露光装置は、原版を移動さ
せる第１の移動手段、原版の位置を計測する第１の計測
手段、基板を移動させる第２の移動手段、基板の位置を
計測する第２の計測手段、原版上のパターンを照明する
照明光学系、および第１計測手段と第２計測手段の計測
値に基づいて第１移動手段と第２移動手段の駆動を制御
する制御手段を有し、原版と基板を位置的に整合した状
態で照明光学系に対して相対的に移動しながらスキャン
露光することにより原版上のパターンを基板上に転写す
る走査型露光装置において、第１計測手段と第２計測手
段間の相対位置を計測する第３の計測手段を有し、制御
手段は、相対位置をも考慮して第１移動手段または第２
移動手段を駆動することにより相対位置の変化により生
じる整合状態の誤差を補正するものであることを特徴と
する。
【００１０】また、第３計測手段は、第１または第２計
測手段の近傍に固定されたレーザ干渉計であり、その近
傍に位置しない第２または第１計測手段の位置を計測す
るものであることを特徴とする。
測手段の近傍に固定されたレーザ干渉計であり、その近
傍に位置しない第２または第１計測手段の位置を計測す
るものであることを特徴とする。
【００１１】また、スキャン露光を基板をステップ送り
するごとに繰り返すステップアンドスキャン方式のもの
であることを特徴とする。
するごとに繰り返すステップアンドスキャン方式のもの
であることを特徴とする。
【００１２】また、投影光学系を有し、スキャン露光
は、この投影光学系を介して行うことを特徴とする。
は、この投影光学系を介して行うことを特徴とする。
【００１３】また、投影光学系は、ミラー投影光学系で
あることを特徴とする。
あることを特徴とする。
【００１４】また、投影光学系は、レンズ投影光学系で
あることを特徴とする。
あることを特徴とする。
【００１５】また、投影光学系は、縮小投影光学系であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００１６】また、本発明のデバイス製造方法は、原版
の位置および基板の位置をそれぞれ第１および第２の計
測手段により計測しつつ、その計測結果に基づいて原版
および基板を位置的に整合した状態で照明光学系に対し
て相対的に移動させながらスキャン露光することにより
原版上のパターンを基板上に転写するデバイス製造方法
において、第３の計測手段により第１および第２計測手
段間の相対位置を計測しつつ、この計測結果にも基づい
て整合した状態での移動を行うことを特徴とする。
の位置および基板の位置をそれぞれ第１および第２の計
測手段により計測しつつ、その計測結果に基づいて原版
および基板を位置的に整合した状態で照明光学系に対し
て相対的に移動させながらスキャン露光することにより
原版上のパターンを基板上に転写するデバイス製造方法
において、第３の計測手段により第１および第２計測手
段間の相対位置を計測しつつ、この計測結果にも基づい
て整合した状態での移動を行うことを特徴とする。
【００１７】また、第３計測手段は、第１または第２計
測手段の近傍に固定されたレーザ干渉計であり、その近
傍に位置しない第２または第１計測手段の位置を計測す
るものであることを特徴とする。
測手段の近傍に固定されたレーザ干渉計であり、その近
傍に位置しない第２または第１計測手段の位置を計測す
るものであることを特徴とする。
【００１８】また、スキャン露光を基板をステップ送り
するごとに繰り返すステップアンドスキャン方式の露光
を行うことを特徴とする。
するごとに繰り返すステップアンドスキャン方式の露光
を行うことを特徴とする。
【００１９】また、投影光学系を有し、スキャン露光
は、この投影光学系を介して行うことを特徴とする。
は、この投影光学系を介して行うことを特徴とする。
【００２０】また、投影光学系は、ミラー投影光学系で
あることを特徴とする。
あることを特徴とする。
【００２１】また、投影光学系は、レンズ投影光学系で
あることを特徴とする。
あることを特徴とする。
【００２２】また、投影光学系は、縮小投影光学系であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００２３】また、本発明のデバイスは、原版の位置お
よび基板の位置をそれぞれ第１および第２の計測手段に
より計測しつつ、その計測結果に基づいて原版および基
板を同期させて移動させながら、原版のパターンを基板
上にスキャン露光するデバイス製造方法であって、第３
の計測手段により第１および第２計測手段間の相対位置
を計測しつつ、この計測結果にも基づいて同期した移動
を行うデバイス製造方法により製造されることを特徴と
する。
よび基板の位置をそれぞれ第１および第２の計測手段に
より計測しつつ、その計測結果に基づいて原版および基
板を同期させて移動させながら、原版のパターンを基板
上にスキャン露光するデバイス製造方法であって、第３
の計測手段により第１および第２計測手段間の相対位置
を計測しつつ、この計測結果にも基づいて同期した移動
を行うデバイス製造方法により製造されることを特徴と
する。
【００２４】これにより、第１計測手段と第２計測手段
間の相対位置変化、すなわち、これら計測手段が設置さ
れた本体構造体の変形による同期誤差が補正される。
間の相対位置変化、すなわち、これら計測手段が設置さ
れた本体構造体の変形による同期誤差が補正される。
【００２５】
【実施例】図１は、本発明の一実施例に係る露光装置の
構成を示す図である。この装置では、図２のものに対し
て次のような要素１７〜２０が追加されている。すなわ
ち１７は測長器、例えばレーザ干渉計であり、基板ステ
ージ４の位置を計測するための計測器１５の近傍に取り
付けられ、ベース定盤９上に取り付けられている架台１
９に固定されている。測長器１７は架台１９に固定され
ている折曲げミラー１８を介して、マスクステージ２の
位置を計測する計測器１３が固定されたマスクステージ
定盤１０の位置の変化を測定するための測定器である。
制御回路２０は、走査露光時、レーザ干渉計１３および
１５のステージ位置情報とレーザ干渉計１７の本体構造
体の相対位置変化情報を基にモータ１２および１４への
駆動量を制御することにより、ステージ２および４を互
いに同期させて移動する。より具体的には、例えばモー
タ１２を一定電圧で駆動してマスクステージ２を定速走
行させ、レーザ干渉計１３および１５で計測されるステ
ージ２および４の位置に応じた駆動量にレーザ干渉計１
７で計測された位置の変化量に見合った駆動量を加算し
た駆動量をモータ１４に供給して基板ステージ４を移動
すればよい。なお、上述においては投影光学系としてミ
ラー投影光学系を用いているが、この代わりにレンズ投
影光学系を用いることも可能である。また、本体構造体
の変形量を測定する測長器は必ずしもレーザ干渉計に限
らず、静電容量センサ等の微小変位測定器でもよい。
構成を示す図である。この装置では、図２のものに対し
て次のような要素１７〜２０が追加されている。すなわ
ち１７は測長器、例えばレーザ干渉計であり、基板ステ
ージ４の位置を計測するための計測器１５の近傍に取り
付けられ、ベース定盤９上に取り付けられている架台１
９に固定されている。測長器１７は架台１９に固定され
ている折曲げミラー１８を介して、マスクステージ２の
位置を計測する計測器１３が固定されたマスクステージ
定盤１０の位置の変化を測定するための測定器である。
制御回路２０は、走査露光時、レーザ干渉計１３および
１５のステージ位置情報とレーザ干渉計１７の本体構造
体の相対位置変化情報を基にモータ１２および１４への
駆動量を制御することにより、ステージ２および４を互
いに同期させて移動する。より具体的には、例えばモー
タ１２を一定電圧で駆動してマスクステージ２を定速走
行させ、レーザ干渉計１３および１５で計測されるステ
ージ２および４の位置に応じた駆動量にレーザ干渉計１
７で計測された位置の変化量に見合った駆動量を加算し
た駆動量をモータ１４に供給して基板ステージ４を移動
すればよい。なお、上述においては投影光学系としてミ
ラー投影光学系を用いているが、この代わりにレンズ投
影光学系を用いることも可能である。また、本体構造体
の変形量を測定する測長器は必ずしもレーザ干渉計に限
らず、静電容量センサ等の微小変位測定器でもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、第１計
測手段と第２計測手段間の相対位置を計測する第３の計
測手段を有し、その相対位置をも考慮して第１移動手段
または第２移動手段を駆動することにより相対位置変化
により生じる同期誤差を補正するようにしたため、原版
（マスク）と基板（ウエハ）のそれぞれの位置を計測す
るための計測器を取り付けている本体構造体が走査露光
時の相対位置変化による同期位置誤差を補正することが
可能となり、マスクのパターンを基板上に高い配置精度
で転写することができる。これにより今後ますます進む
であろう半導体素子の高集積化、液晶表示板の高精細化
に十分対応可能である。
測手段と第２計測手段間の相対位置を計測する第３の計
測手段を有し、その相対位置をも考慮して第１移動手段
または第２移動手段を駆動することにより相対位置変化
により生じる同期誤差を補正するようにしたため、原版
（マスク）と基板（ウエハ）のそれぞれの位置を計測す
るための計測器を取り付けている本体構造体が走査露光
時の相対位置変化による同期位置誤差を補正することが
可能となり、マスクのパターンを基板上に高い配置精度
で転写することができる。これにより今後ますます進む
であろう半導体素子の高集積化、液晶表示板の高精細化
に十分対応可能である。
【図１】 本発明の一実施例に係る露光装置を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図２】 従来例に係る露光装置を示す概略構成図であ
る。
る。
１：マスク、２：マスクステージ、３：基板、４：基板
ステージ、５：照明系、６：凹面鏡、７：凸面鏡、８：
折曲げ鏡、９：ベース定盤、１０：マスクステージ定
盤、１１：連結板、１２，１４：モータ、１３，１５，
１７：測長器、１６，２０：制御回路、１８：折曲げミ
ラー、１９：架台。
ステージ、５：照明系、６：凹面鏡、７：凸面鏡、８：
折曲げ鏡、９：ベース定盤、１０：マスクステージ定
盤、１１：連結板、１２，１４：モータ、１３，１５，
１７：測長器、１６，２０：制御回路、１８：折曲げミ
ラー、１９：架台。
Claims (15)
- 【請求項１】 原版を移動させる第１の移動手段、前記
原版の位置を計測する第１の計測手段、基板を移動させ
る第２の移動手段、前記基板の位置を計測する第２の計
測手段、前記原版上のパターンを照明する照明光学系、
および前記第１計測手段と第２計測手段の計測値に基づ
いて前記第１移動手段と前記第２移動手段の駆動を制御
する制御手段を有し、前記原版と基板を位置的に整合し
た状態で前記照明光学系に対して相対的に移動しながら
スキャン露光することにより前記原版上のパターンを前
記基板上に転写する走査型露光装置において、 前記第１計測手段と前記第２計測手段間の相対位置を計
測する第３の計測手段を有し、前記制御手段は、前記相
対位置をも考慮して前記第１移動手段または第２移動手
段を駆動することにより前記相対位置の変化により生じ
る前記整合状態の誤差を補正するものであることを特徴
とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記第３計測手段は、前記第１または第
２計測手段の近傍に固定されたレーザ干渉計であり、そ
の近傍に位置しない前記第２または第１計測手段の位置
を計測するものであることを特徴とする請求項１記載の
デバイス製造装置。 - 【請求項３】 前記スキャン露光を前記基板をステップ
送りするごとに繰り返すステップアンドスキャン方式の
ものであることを特徴とする請求項１記載の走査型露光
装置。 - 【請求項４】 投影光学系を有し、前記スキャン露光
は、この投影光学系を介して行うことを特徴とする請求
項１記載の走査型露光装置。 - 【請求項５】 前記投影光学系は、ミラー投影光学系で
あることを特徴とする請求項４記載の走査型露光装置。 - 【請求項６】 前記投影光学系は、レンズ投影光学系で
あることを特徴とする請求項４記載の走査型露光装置。 - 【請求項７】 前記投影光学系は、縮小投影光学系であ
ることを特徴とする請求項４〜６記載の走査型露光装
置。 - 【請求項８】 原版の位置および基板の位置をそれぞれ
第１および第２の計測手段により計測しつつ、その計測
結果に基づいて前記原版および基板を位置的に整合した
状態で照明光学系に対して相対的に移動させながらスキ
ャン露光することにより前記原版上のパターンを前記基
板上に転写するデバイス製造方法において、 第３の計測手段により前記第１および第２計測手段間の
相対位置を計測しつつ、この計測結果にも基づいて前記
整合した状態での移動を行うことを特徴とするデバイス
製造方法。 - 【請求項９】 前記第３計測手段は、前記第１または第
２計測手段の近傍に固定されたレーザ干渉計であり、そ
の近傍に位置しない前記第２または第１計測手段の位置
を計測するものであることを特徴とする請求項８記載の
デバイス製造方法。 - 【請求項１０】 前記スキャン露光を前記基板をステッ
プ送りするごとに繰り返すステップアンドスキャン方式
の露光を行うことを特徴とする請求項８記載のデバイス
製造方法。 - 【請求項１１】 投影光学系を有し、前記スキャン露光
は、この投影光学系を介して行うことを特徴とする請求
項８記載のデバイス製造方法。 - 【請求項１２】 前記投影光学系は、ミラー投影光学系
であることを特徴とする請求項１１記載のデバイス製造
方法。 - 【請求項１３】 前記投影光学系は、レンズ投影光学系
であることを特徴とする請求項１１記載のデバイス製造
方法。 - 【請求項１４】 前記投影光学系は、縮小投影光学系で
あることを特徴とする請求項１１〜１３記載のデバイス
製造方法。 - 【請求項１５】 原版の位置および基板の位置をそれぞ
れ第１および第２の計測手段により計測しつつ、その計
測結果に基づいて前記原版および基板を同期させて移動
させながら、前記原版のパターンを前記基板上にスキャ
ン露光するデバイス製造方法であって、第３の計測手段
により前記第１および第２計測手段間の相対位置を計測
しつつ、この計測結果にも基づいて前記同期した移動を
行うデバイス製造方法により製造されることを特徴とす
るデバイス。
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|---|---|---|---|
| JP07308519A JP3126645B2 (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 走査型露光装置、デバイス製造方法およびデバイス |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07308519A JP3126645B2 (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 走査型露光装置、デバイス製造方法およびデバイス |
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|---|---|
| JPH09129547A true JPH09129547A (ja) | 1997-05-16 |
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ID=17982009
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|---|---|---|---|
| JP07308519A Expired - Fee Related JP3126645B2 (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 走査型露光装置、デバイス製造方法およびデバイス |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3126645B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7423723B2 (en) | 2002-07-01 | 2008-09-09 | Obayashiseikou Co., Ltd. | Transverse electric-field type liquid crystal display device, process of manufacturing the same, and scan-exposing device |
| CN107727889A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-02-23 | 北京国网富达科技发展有限责任公司 | 一种配网架空线超声波缺陷辅助指示装置 |
| CN107831405A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-03-23 | 北京国网富达科技发展有限责任公司 | 一种配网架空线超声波红外综合检测装置 |
| JP2021092801A (ja) * | 2014-03-28 | 2021-06-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法及びデバイス製造方法 |
-
1995
- 1995-11-02 JP JP07308519A patent/JP3126645B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7423723B2 (en) | 2002-07-01 | 2008-09-09 | Obayashiseikou Co., Ltd. | Transverse electric-field type liquid crystal display device, process of manufacturing the same, and scan-exposing device |
| US7749688B2 (en) | 2002-07-01 | 2010-07-06 | Obayashiseikou Co., Ltd. | Transverse electric-field type liquid crystal display device, process of manufacturing the same, and scan-exposing device |
| US9201309B2 (en) | 2002-07-01 | 2015-12-01 | Obayashiseikou Co., Ltd. | Transverse electric-field type liquid crystal display device, process of manufacturing the same, and scan-exposing device |
| JP2021092801A (ja) * | 2014-03-28 | 2021-06-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法及びデバイス製造方法 |
| CN107727889A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-02-23 | 北京国网富达科技发展有限责任公司 | 一种配网架空线超声波缺陷辅助指示装置 |
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| CN107831405B (zh) * | 2017-11-20 | 2024-05-28 | 北京国网富达科技发展有限责任公司 | 一种配网架空线超声波红外综合检测装置 |
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|---|---|
| JP3126645B2 (ja) | 2001-01-22 |
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