JPS61247026A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS61247026A JPS61247026A JP60087552A JP8755285A JPS61247026A JP S61247026 A JPS61247026 A JP S61247026A JP 60087552 A JP60087552 A JP 60087552A JP 8755285 A JP8755285 A JP 8755285A JP S61247026 A JPS61247026 A JP S61247026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposed
- original plate
- stage
- exposure
- theta
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、被露光体に原板上のパターン像、例えば半導
体回路を焼付ける露光装置に関し、特に大画面を分割焼
きす・る分割露光形として好適な露光装置に関する。
体回路を焼付ける露光装置に関し、特に大画面を分割焼
きす・る分割露光形として好適な露光装置に関する。
［従来の技術の説明］
ミラープロジェクション方式の半導体焼付装置において
は、マスクと基板（またはウェハ）をキャリッジ上に乗
せこれを露光面上にスキャン移動させることにより画面
全体を露光している。
は、マスクと基板（またはウェハ）をキャリッジ上に乗
せこれを露光面上にスキャン移動させることにより画面
全体を露光している。
しかし、最近の傾向として、チップコストの低減を目的
としたウェハの大口径化や液晶ＴＶ用等の大型の液晶表
示板の製造のため、画面が大型化してくると、露光範囲
を大きくし、かつスキャン長を伸ばさなければならない
ことにより装置が大型化してくるという問題があった。
としたウェハの大口径化や液晶ＴＶ用等の大型の液晶表
示板の製造のため、画面が大型化してくると、露光範囲
を大きくし、かつスキャン長を伸ばさなければならない
ことにより装置が大型化してくるという問題があった。
この対策として、画面を分割してスキャン焼きを複数回
に分けて行なうステップアンドスキャン焼方式が考えら
れている。
に分けて行なうステップアンドスキャン焼方式が考えら
れている。
第３図は、このようなステップアンドスキャン形の露光
装置として本発明者等が先に提案したものの構成を示す
。同図において、１は焼付パターンが形成されているフ
ォトマスク、２はマスク１を搭載してｘ、ｙ、θ方向に
移動可能なマスクステージである。３は液晶表示板を製
造するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオ
ン・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが
通常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基
板で、対角線の良さが１４インチ程度の方形である。４
は基板３を保持してＸ、Ｙ、θ方向に移動可能な基板ス
テージである。基板ステージ４のステップ移動は不図示
のレーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御
される。５は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる周知の
ミラー投影系で、マスクステージ２によって所定位置に
アライメントされたマスク１のパターン像を基板３上へ
等倍投影する。６は不図示の光源からの特定の波長の光
で露光位置にあるマスク１を照明する照明光学系で、マ
スク上のパターンを介して基板３上の感光層を露光する
ことにより、マスク上のパターンを基板３に転写可能と
するためのものである。なお、投影系５の光軸は照明系
６の光軸と一致させである。
装置として本発明者等が先に提案したものの構成を示す
。同図において、１は焼付パターンが形成されているフ
ォトマスク、２はマスク１を搭載してｘ、ｙ、θ方向に
移動可能なマスクステージである。３は液晶表示板を製
造するためにその表面に多数の画素とこれらの画素のオ
ン・オフを制御するためのスイッチングトランジスタが
通常のフォトリソグラフィの手順で形成されるガラス基
板で、対角線の良さが１４インチ程度の方形である。４
は基板３を保持してＸ、Ｙ、θ方向に移動可能な基板ス
テージである。基板ステージ４のステップ移動は不図示
のレーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御
される。５は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる周知の
ミラー投影系で、マスクステージ２によって所定位置に
アライメントされたマスク１のパターン像を基板３上へ
等倍投影する。６は不図示の光源からの特定の波長の光
で露光位置にあるマスク１を照明する照明光学系で、マ
スク上のパターンを介して基板３上の感光層を露光する
ことにより、マスク上のパターンを基板３に転写可能と
するためのものである。なお、投影系５の光軸は照明系
６の光軸と一致させである。
７はＹ方向（紙９面に垂直な方向）に設けられた２つの
ガイドレール８に沿って移動可能なＬＡＢ（リニアエア
ベアリング）で、一方はＸ方向（紙面の左右方向）、Ｚ
方向（紙面の上下方向）拘束タイプ、他方はＺ方向拘束
タイプである。９はマスクステージ２と基板ステージ４
を一定の関係で保持するホルダ（キャリッジ）で、ＬＡ
Ｂ７に支持されることによりマスクステージ２上のマス
ク１と基板ステージ４上の基板３とを一体的に移送可能
としている。
ガイドレール８に沿って移動可能なＬＡＢ（リニアエア
ベアリング）で、一方はＸ方向（紙面の左右方向）、Ｚ
方向（紙面の上下方向）拘束タイプ、他方はＺ方向拘束
タイプである。９はマスクステージ２と基板ステージ４
を一定の関係で保持するホルダ（キャリッジ）で、ＬＡ
Ｂ７に支持されることによりマスクステージ２上のマス
ク１と基板ステージ４上の基板３とを一体的に移送可能
としている。
１１は各マスク１を順次マスクステージ２へ搬送するた
めのマスク搬送装置、１２は投影系５のピント面と基板
３の表面との間隔を検出するためのギャップセンサで、
例えばエアマイクロセンサや、基板３からの反射光で間
隔を検出する光電タイプのセンサである。１３は投影系
５、照明系６およびガイドレール８を一定の関係で取付
けるための基台である。
めのマスク搬送装置、１２は投影系５のピント面と基板
３の表面との間隔を検出するためのギャップセンサで、
例えばエアマイクロセンサや、基板３からの反射光で間
隔を検出する光電タイプのセンサである。１３は投影系
５、照明系６およびガイドレール８を一定の関係で取付
けるための基台である。
同図の装置においては、基板３表面を例えば４つの被露
光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ４
のステップ移動によりマスク１および投影光学系５下の
露光領域に順番に送り込んで４回のマスクパターンの露
光を行ない、基板３の全面に液晶表示板のルイヤ分のパ
ターンを焼付ける。そして、このステップアンドスキャ
ン焼きをより高速かつ高精度に行なう目的で、キせリッ
ジ９に基板ステージ４を搭載している。
光領域に分割し、これらの被露光領域を基板ステージ４
のステップ移動によりマスク１および投影光学系５下の
露光領域に順番に送り込んで４回のマスクパターンの露
光を行ない、基板３の全面に液晶表示板のルイヤ分のパ
ターンを焼付ける。そして、このステップアンドスキャ
ン焼きをより高速かつ高精度に行なう目的で、キせリッ
ジ９に基板ステージ４を搭載している。
ところで、この基板ステージ４は例えば４０ｋ（Ｊ程度
と比較的重く、一方、キャリッジ９はマスク１と基板３
をスキャンさせる際、走行させる必要から軽量化が要求
され柔構造となり勝ちであり、かつＬＡＢ７により浮上
されている。また、基板“ステージ４自体もキャリッジ
９に搭載するために軽量化されており、剛性が小さい。
と比較的重く、一方、キャリッジ９はマスク１と基板３
をスキャンさせる際、走行させる必要から軽量化が要求
され柔構造となり勝ちであり、かつＬＡＢ７により浮上
されている。また、基板“ステージ４自体もキャリッジ
９に搭載するために軽量化されており、剛性が小さい。
従って、この装置において、基板３をステップ送りする
ために基板３を搭載した基板ステージ４を移動させると
、キャリッジ９の変形、ＬＡＢ７への負荷の不均一によ
るキャリッジ９の姿勢変動、または基板ステージ４の構
造材の変形等により、基板ステージ４がヨーイングし、
てマスク１と基板３との間にθ誤差が発生し、特に、フ
ァーストマスクにおいては、分割焼きした各パターン同
士で段差や重なりや逆に隙間が生じるという不都合があ
った。また、第２マスク以降であってもマスク１と基板
３との位置合せ時、θ誤差を補正するためθステージ駆
動の時間を要し、スループット低下の原因となる。
ために基板３を搭載した基板ステージ４を移動させると
、キャリッジ９の変形、ＬＡＢ７への負荷の不均一によ
るキャリッジ９の姿勢変動、または基板ステージ４の構
造材の変形等により、基板ステージ４がヨーイングし、
てマスク１と基板３との間にθ誤差が発生し、特に、フ
ァーストマスクにおいては、分割焼きした各パターン同
士で段差や重なりや逆に隙間が生じるという不都合があ
った。また、第２マスク以降であってもマスク１と基板
３との位置合せ時、θ誤差を補正するためθステージ駆
動の時間を要し、スループット低下の原因となる。
なお、従来、このような移動ステージの位置を計測する
ための精密副長系は、縮小投影光学系を用いたステッパ
と呼ばれる露光装置に見られるが、このステッパにおい
ては、レーザ光線反射用のスコヤはＸＹステージに取り
付けられていた。これは、ステップ送りによる被露光体
のヨーイングは、ステージのガイド等の機械精度により
定まるものであり、ガイド等の剛性や工作精度を上げる
ことにより防止すべきものと考えられていたためである
。
ための精密副長系は、縮小投影光学系を用いたステッパ
と呼ばれる露光装置に見られるが、このステッパにおい
ては、レーザ光線反射用のスコヤはＸＹステージに取り
付けられていた。これは、ステップ送りによる被露光体
のヨーイングは、ステージのガイド等の機械精度により
定まるものであり、ガイド等の剛性や工作精度を上げる
ことにより防止すべきものと考えられていたためである
。
［発明の目的］
本発明は、前述の問題点に鑑み、ステージのヨーイング
に基因するパターンずれの防止が可能な露光装置を提供
することを目的とする。
に基因するパターンずれの防止が可能な露光装置を提供
することを目的とする。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
なお、従来例と共通または対応する部分については同一
の符号で表わす。
の符号で表わす。
第１図は、本発明の一実施例に係るミラープロジェクシ
ョン形露光装置の基板ステージ４部分をＹ方向へ見た概
略断面図、第２図はこの基板ステージ４およびレーザ干
渉計の配置を示す概略上面図である。図において、４１
は基板３を基板ステージ４上に保持するためのチャック
、４２は基板３をＸＹ平面内でチャック４１ごと回動さ
せるθテーブル、４３は本発明の特徴とするスコヤ（Ｌ
形ミラー）である。４４はＸＹテーブルで、θテーブル
４２はこのＸＹテーブル４５に対しボールベアリングを
介し、て回動自在に取り付けられている。４５は基板３
を７方向に移動してフォーカス調整やチルト調整を行な
うためのアクチュエータで、圧電素子等からなる。４６
はＹスライダで、図示しないモータで駆動されるボール
ネジ４７の回転に応じてＸスライダ４８上に形成された
Ｙ−ガイド４９に沿ってＹ方向に移動する。ＸＹテーブ
ル４４は、アクチュエータ４５を介してこのＹスライダ
４６に固定されている。５０はＹスライダ４６をＹガイ
ド４９に沿わせるための摺動駒である。また、Ｘスライ
ダ４８は、キャリッジ９のベース部９１上面にＸ方向に
形成されているＸガイド５１に沿って、図示しないモー
タで駆動されるボールネジ５２の回転に応じてＸ方向に
移動する。
ョン形露光装置の基板ステージ４部分をＹ方向へ見た概
略断面図、第２図はこの基板ステージ４およびレーザ干
渉計の配置を示す概略上面図である。図において、４１
は基板３を基板ステージ４上に保持するためのチャック
、４２は基板３をＸＹ平面内でチャック４１ごと回動さ
せるθテーブル、４３は本発明の特徴とするスコヤ（Ｌ
形ミラー）である。４４はＸＹテーブルで、θテーブル
４２はこのＸＹテーブル４５に対しボールベアリングを
介し、て回動自在に取り付けられている。４５は基板３
を７方向に移動してフォーカス調整やチルト調整を行な
うためのアクチュエータで、圧電素子等からなる。４６
はＹスライダで、図示しないモータで駆動されるボール
ネジ４７の回転に応じてＸスライダ４８上に形成された
Ｙ−ガイド４９に沿ってＹ方向に移動する。ＸＹテーブ
ル４４は、アクチュエータ４５を介してこのＹスライダ
４６に固定されている。５０はＹスライダ４６をＹガイ
ド４９に沿わせるための摺動駒である。また、Ｘスライ
ダ４８は、キャリッジ９のベース部９１上面にＸ方向に
形成されているＸガイド５１に沿って、図示しないモー
タで駆動されるボールネジ５２の回転に応じてＸ方向に
移動する。
なお、第１図ではＸスライダ４８の下半分からキャリッ
ジベース９１へかけての部分は一部Ｘ方向から見た断面
を現わしである。
ジベース９１へかけての部分は一部Ｘ方向から見た断面
を現わしである。
第２図において、６１．６２はそれぞれ基板ステージ４
のＸ座標読取り用のレーザ干渉計、６３は基板ステージ
４のＹ座標読取り用のレーザ干渉計である°。
のＸ座標読取り用のレーザ干渉計、６３は基板ステージ
４のＹ座標読取り用のレーザ干渉計である°。
上記構成によれば、レーザ干渉計６１．６２の読み、す
なわち基準位置からの基板ステージ４のＸ方向移動量を
Ｘｌ 、 Ｘ２ 、レーザ干渉計８１．６２間の距離を
Ｌとすれば、ヨーイング角θは、 θ−ｔａｎ −’ （Ｘｌ −Ｘ２ ） ／Ｌにより
求めることができる。従って、ステップ移動後、このヨ
ーイング角θを補正するように、θテーブル４２を回動
し、ざらに必要に応じてＸＹテーブル４４を移動してＸ
Ｙｈ向の位置を補正することにより、基板ステージ４を
より高精度に位置決めすることができる。なお、レーザ
測長用のスコヤをθテーブルに載置した場合、ヨーイン
グが大きく例えば０．１５°を超えるとスコヤで反射さ
れたレーザ光線が干渉計に戻ってこないレーザエラーが
発生するが、このレーザエラーは、θテーブルの振れ角
を機械的に制限したり、上記ヨーイング角θの検出結果
に基づいてθテーブルをサーボ制御し電気的に制限する
ことにより防止することができる。
なわち基準位置からの基板ステージ４のＸ方向移動量を
Ｘｌ 、 Ｘ２ 、レーザ干渉計８１．６２間の距離を
Ｌとすれば、ヨーイング角θは、 θ−ｔａｎ −’ （Ｘｌ −Ｘ２ ） ／Ｌにより
求めることができる。従って、ステップ移動後、このヨ
ーイング角θを補正するように、θテーブル４２を回動
し、ざらに必要に応じてＸＹテーブル４４を移動してＸ
Ｙｈ向の位置を補正することにより、基板ステージ４を
より高精度に位置決めすることができる。なお、レーザ
測長用のスコヤをθテーブルに載置した場合、ヨーイン
グが大きく例えば０．１５°を超えるとスコヤで反射さ
れたレーザ光線が干渉計に戻ってこないレーザエラーが
発生するが、このレーザエラーは、θテーブルの振れ角
を機械的に制限したり、上記ヨーイング角θの検出結果
に基づいてθテーブルをサーボ制御し電気的に制限する
ことにより防止することができる。
［発明・の適用例］
なお、上述においては、本発明をミラープロジェクショ
ン方式の露光装置に適用した例について説明したが、本
発明は一括または分割露光方式の他の装置例えばプロキ
シミティもしくはコンタクト方式の露光装置または前述
のステッパに適用することも可能であるー。例えば本発
明をステッパに適用した場合、ファーストマスク焼付け
や第２マスク以降であっても待にレーザ干渉計の読みを
頼りにステップ送りを行なういわゆるグローバルアライ
メントやゾーンアライメント時のステップ送り精度の向
上を図ることができる。
ン方式の露光装置に適用した例について説明したが、本
発明は一括または分割露光方式の他の装置例えばプロキ
シミティもしくはコンタクト方式の露光装置または前述
のステッパに適用することも可能であるー。例えば本発
明をステッパに適用した場合、ファーストマスク焼付け
や第２マスク以降であっても待にレーザ干渉計の読みを
頼りにステップ送りを行なういわゆるグローバルアライ
メントやゾーンアライメント時のステップ送り精度の向
上を図ることができる。
［発明の効果］
以上のように、本発明によると、被露光体例えば基板の
回転方向の誤差を補正するためのθテーブルにレーザ測
長用のスコヤを載置しているため、基板ステージのヨー
イングによる基板そのもののθ誤差を検出することが可
能となり、基板のステップ送りをより高精度化すること
ができる。また、本発明をマスク等の原板を搭載するス
テージに適用すれば、原板を保管場所から露光位置に搬
送する際のヨーイングを検出し補正することが可能であ
り、マスクの交換や露光位置への設定をより高速かつ高
糧度に行なうことが可能となる。
回転方向の誤差を補正するためのθテーブルにレーザ測
長用のスコヤを載置しているため、基板ステージのヨー
イングによる基板そのもののθ誤差を検出することが可
能となり、基板のステップ送りをより高精度化すること
ができる。また、本発明をマスク等の原板を搭載するス
テージに適用すれば、原板を保管場所から露光位置に搬
送する際のヨーイングを検出し補正することが可能であ
り、マスクの交換や露光位置への設定をより高速かつ高
糧度に行なうことが可能となる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体焼付装置の基板
ステージ部分の概略構成図、 第２図は第１図の基板ステージとレーザ干渉計の配置図
、 第３図は木発明者等の先願に係る半導体焼付装置の概略
構成図である。 １：フォトマスク、２：マスクステージ、３：基板、４
：基板ステージ、５：ミラー投影系、９：ホルダ（キャ
リッジ）、１３：基台、４２：θテーブル、４３：スコ
ヤ、４４：ＸＹテーブル、６１、６２．６３：レーザ干
渉計。
ステージ部分の概略構成図、 第２図は第１図の基板ステージとレーザ干渉計の配置図
、 第３図は木発明者等の先願に係る半導体焼付装置の概略
構成図である。 １：フォトマスク、２：マスクステージ、３：基板、４
：基板ステージ、５：ミラー投影系、９：ホルダ（キャ
リッジ）、１３：基台、４２：θテーブル、４３：スコ
ヤ、４４：ＸＹテーブル、６１、６２．６３：レーザ干
渉計。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光前、原板または被露光体を露光位置へ移動させ
るとともに該露光位置で原板と被露光体を位置的に整合
させるため、原板または被露光体を搭載して所定の平面
内で回転可能なθステージと、該θステージを搭載して
上記所定平面と平行に移動可能なＸＹステージと、該Ｘ
Ｙステージの移動による上記原板または被露光体の移動
距離を測長するレーザ干渉計とを具備する露光装置にお
いて、上記レーザ干渉計による測長用のスコヤを上記θ
ステージ上に載置したことを特徴とする露光装置。 ２、前記被露光体表面を複数の被露光領域に分割し、各
被露光領域を順番に前記原板の像の投影面領域に位置さ
せて露光することによりパターン焼付けを行なう特許請
求の範囲第１項記載の露光装置。 ３、等倍投影光学系を有し、前記原板と被露光体とを位
置的に整合した後、これらの原板と被露光体とを上記投
影系に対して一体的に走査し露光する特許請求の範囲第
１または２項記載の露光装置。 ４、前記被露光体を所定の間隔でステップ送りしながら
該被露光体上に縮小投影光学系を介して前記原版の像を
投影し露光することにより上記被露光体上に上記原板の
像複数個を転写する特許請求の範囲第１または２項記載
の露光装置。 ５、前記原板と被露光体とを位置的に整合した状態で近
接もしくは密着して露光する特許請求の範囲第１または
２項記載の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087552A JPS61247026A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 露光装置 |
| US06/854,541 US4676630A (en) | 1985-04-25 | 1986-04-22 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087552A JPS61247026A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247026A true JPS61247026A (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=13918149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60087552A Pending JPS61247026A (ja) | 1985-04-25 | 1985-04-25 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61247026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128713A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法 |
| JPH04122013A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Canon Inc | 露光装置 |
| US8659845B2 (en) | 2008-04-07 | 2014-02-25 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | High-precision monolithic optical assemblies and methods for fabrication and alignment thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972135A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-24 | Hitachi Ltd | 超精密ｘｙ移動装置 |
| JPS6132517A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Hitachi Ltd | ステツプアンドリピ−トステ−ジのドリフト補正方法 |
-
1985
- 1985-04-25 JP JP60087552A patent/JPS61247026A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972135A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-24 | Hitachi Ltd | 超精密ｘｙ移動装置 |
| JPS6132517A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Hitachi Ltd | ステツプアンドリピ−トステ−ジのドリフト補正方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128713A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法 |
| JPH0529129B2 (ja) * | 1986-11-19 | 1993-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPH04122013A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Canon Inc | 露光装置 |
| US8659845B2 (en) | 2008-04-07 | 2014-02-25 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | High-precision monolithic optical assemblies and methods for fabrication and alignment thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0584663B2 (ja) | ||
| US4676630A (en) | Exposure apparatus | |
| US4748477A (en) | Exposure apparatus | |
| US6727978B2 (en) | Projection exposure apparatus and projection exposure method | |
| JP2679186B2 (ja) | 露光装置 | |
| US4708466A (en) | Exposure apparatus | |
| US4814830A (en) | Flat panel display device and manufacturing of the same | |
| JPH0658410B2 (ja) | ステ−ジ装置 | |
| JPS61247025A (ja) | 表示パネル製造方法 | |
| US5850291A (en) | Projection exposure apparatus and method for controlling a stage on the basis of a value corrected by ABBE error | |
| JPH0515054B2 (ja) | ||
| US5150152A (en) | Exposure apparatus including device for determining movement of an object | |
| US5523574A (en) | Exposure apparatus | |
| JPH09223650A (ja) | 露光装置 | |
| US6341011B1 (en) | Exposure method | |
| JPS61247026A (ja) | 露光装置 | |
| JPS61251026A (ja) | 露光装置 | |
| JP2670984B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
| JP2656204B2 (ja) | マスク交換装置 | |
| JPS62200724A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS61251028A (ja) | 露光装置 | |
| JPH09289160A (ja) | 露光装置 | |
| JP2743199B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH09129547A (ja) | 走査型露光装置、デバイス製造方法およびデバイス | |
| JPS62183517A (ja) | 露光方法 |