JP2670984B2 - デバイス製造方法 - Google Patents

デバイス製造方法

Info

Publication number
JP2670984B2
JP2670984B2 JP30942494A JP30942494A JP2670984B2 JP 2670984 B2 JP2670984 B2 JP 2670984B2 JP 30942494 A JP30942494 A JP 30942494A JP 30942494 A JP30942494 A JP 30942494A JP 2670984 B2 JP2670984 B2 JP 2670984B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
stage
mask
original plate
original
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP30942494A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07235486A (ja
Inventor
純二 磯端
光一 松下
碩徳 山本
真 宮崎
邦貴 小沢
秀樹 吉成
Original Assignee
キヤノン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by キヤノン株式会社 filed Critical キヤノン株式会社
Priority to JP30942494A priority Critical patent/JP2670984B2/ja
Publication of JPH07235486A publication Critical patent/JPH07235486A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2670984B2 publication Critical patent/JP2670984B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、被露光体に原板上のパ
ターン像、例えば半導体回路を焼付けるデバイス製造方
法に関し、特に大画面を分割焼きする分割走査(ステッ
プアンドスキャン)形として好適な投影露光装置を用い
て実施することができるデバイス製造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】従来、スキャン方式の半導体焼付装置を
用いたデバイス製造方法においては、マスクと基板(ま
たはウエハ)をキャリッジ上に乗せ、これを露光面上に
スキャン移動させることにより画面全体を露光してい
る。 【0003】しかし、最近の傾向として、チップコスト
の低減を目的としたウエハの大口径化や液晶TV用等の
大型の液晶表示板の製造のため、画面が大型化してくる
と、露光範囲を大きくし、かつスキャン長を伸ばさなけ
ればならないことにより装置が大型化してくるという問
題があった。 【0004】この対策として、画面を分割してスキャン
焼きを複数回に分けて行うステップアンドスキャン焼方
式が考えられている。 【0005】第2図は、このようなステップアンドスキ
ャン形の露光装置として本発明者等が先に提案したもの
の構成を示す。同図において、1は焼付パターンが形成
されているフォトマスク、2はマスク1を搭載してX,
Y,θ方向に移動可能なマスクステージである。3は液
晶表示板を製造するためにその表面に多数の画素とこれ
らの画素のオン・オフを制御するためのスイッチングト
ランジスタが通常のフォトリソグラフィの手順で形成さ
れるガラス基板で、対角線の長さが14インチ程度の方
形である。4は基板3を保持してX,Y,θ方向に移動
可能な基板ステージである。5は凹画鏡と凸画鏡の組み
合せからなる周知のミラー投影系で、マスクステージ2
によって所定位置にアライメントされたマスク1のパタ
ーン像を基板3上へ等倍投影する。6は不図示の光源か
らの特定の波長の光で露光位置にあるマスク1を照明す
る照明光学系で、マスク上のパターンを介して基板3上
の感光層を露光することにより、マスク上のパターンを
基板3に転写可能とするためのものである。なお、投影
系5の光軸は照明系6の光軸と一致させてある。 【0006】7はY方向(紙面に垂直な方向)に設けら
れた2つのガイドレール8に沿って移動可能なLAB
(リニアエアベアリング)で、一方はX方向(紙面の左
右方向)、Z方向(紙面の上下方向)拘束タイプ、他方
はZ方向拘束タイプである。9はマスクステージ2と基
板ステージ4を一定の関係で保持するホルダ(キャリッ
ジ)で、LAB7に支持されることによりマスクステー
ジ2上のマスク1と基板ステージ4上の基板3とを一体
的に移送可能としている。 【0007】11はマスク搬送装置で、複数のマスク1
がセットされており、所望のマスクをホルダ9の移送に
よって基板3が分割露光されるごとにマスクステージ2
に搬送する。12は投影系5のピント面と基板3の表面
との間隔を検出するためのギャップセンサで、例えばエ
アマイクロセンサや、基板3からの反射光で間隔を検出
する光電タイプのセンサである。13は投影系5、照明
系6およびガイドレール8を一定の関係で取付けるため
の基台である。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】ところで、同図の装置
は、基板3をステップ移動させるための基板ステージ4
や、基板3上の各焼付対象部分に対応してマスク1を交
換するためのマスク搬送装置11およびマスクステージ
2等をキャリッジ9に搭載しているが、この場合、基板
ステージ4だけでも例えば40kg程度と比較的重く、
キャリッジ9をエアで浮上させているLAB7への負荷
が大きくなり、平滑な走査が困難になる。さらに、キャ
リッジは軽量化の要請から柔構造となり勝ちであり、キ
ャリッジ9が基板ステージ4等の重量によって変形し、
マスク1および基板3とミラー投影系5との距離が変化
してデフォーカスしたり、基板3をステップ送りするた
めに基板ステージ4を移動するとマスク1の位置決め基
準と基板3の位置決め基準との相対ずれが発生して分割
焼きした各パターン間に段差や重なり、あるいは逆に隙
間が生じるという不都合があった。 【0009】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、ステップアンドスキャン露光により高精度
なデバイスの製造を可能にするデバイス製造方法を提供
することにある。 【0010】 【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、スキャン露光を用いたデバイス製造方法に
おいて、スキャン露光時に原板を保持する原板ステージ
を第1駆動源で移動し、基板を保持する基板ステージを
前記第1駆動源とは別個に設けられた第2駆動源で移動
し、スキャン露光のために前記原板ステージを前記第1
駆動源で移動すると共に前記基板ステージを前記第2駆
動源で移動している際に前記原板ステージと前記基板ス
テージの位置情報をレーザ干渉計を介して計測し、前記
レーザ干渉計を介して計測された前記原板ステージと前
記基板ステージの位置情報に基づいて前記第1及び第2
駆動源に供給される駆動信号の少なくとも一方を制御す
ることにより前記原板ステージと前記基板ステージを同
期を取りながら移動してスキャン露光することを特徴と
するスキャン露光後に前記基板ステージにより前記原
板に対して前記基板をステップ移動することにより前記
基板上の複数領域を順にステップアンドスキャン露光す
ることができる。 【0011】前記原板ステージと前記基板ステージの移
動の際の同期は、例えば、前記原板ステージと前記基板
ステージの駆動を、それぞれの位置情報をレーザ干渉計
を介して計測し、制御することにより取ることができ
る。 【0012】 【作用】これによれば、原板ステージと基板ステージを
同期を取りながら別個の駆動源でそれぞれ移動するよう
にしたため、原板および基板ステージを保持するための
ホルダ(キャリッジ)を走行させる必要がなくなり、キ
ャリッジを浮上させるためのLABが不要になる。した
がって、LABのエアパッドの剛性の不足による走行の
不安定性の問題が解消されるとともに、上記ホルダは基
台に固定され、より堅固な装置によりスキャン動作等が
行われることになる。これにより、ホルダの変形に伴う
原板と基板の相対位置精度およびデフォーカスが軽減な
いし防止される。したがってスキャン動作等が高精度で
行われ、高精度なデバイスの製造が行われる。 【0013】また、原板および基板を走行させるための
ステージやモータならびに制御回路、さらに原板および
基板の位置を検出するための測長器等は、本来原板およ
び基板の位置合せ等のために必要なものをそのまま、ま
たは多少変形して用いることにより、簡略化された装置
構成によりデバイス製造が行われる。そして特に、スキ
ャン動作時に基板を移動させるのと同じ基板ステージに
より基板のステップ移動を行うようにしたため、さらに
簡便・軽量な装置構成により高精度なデバイス製造が行
われる。 【0014】さらに、原板と基板との走行速度比を任意
に設定することにより、従来のステップアンドスキャン
形露光装置にはなかった拡大・縮小機能が実現される。 【0015】 【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。なお、従来例と共通または対応する部分については
同一の符号で表わす。図1は、本発明の一実施例に係る
デバイス製造方法を実施するためのミラープロジエクシ
ョン露光装置の構成を示す。同図は、図2が装置のXZ
平面による断面を示すのに対し、YZ平面による断面を
示したものである。但し、Y方向を焼付け時の走査方
向、Z方向を鉛直方向とする。 【0016】図1の装置は、図2のものに対し、ホルダ
9を基台13に固定し、かつマスクステージ2および基
板ステージ4のY方向のストロークを、マスク1および
基板3を投影光学系5に対して走査し得る程度に延長す
るとともに、走査時、これらのマスクステージ2および
基板ステージ4のY方向への移動量を同期制御する制御
回路15を付加したものである。第1図において、16
および17はそれぞれマスクステージ2および基板ステ
ージ4をY方向に移動させるためのパルスモータ、18
および19はそれぞれ各ステージ2、4すなわちマスク
1および基板3の位置をモニタするための測長器例えば
レーザ干渉計である。また、51、52、53は、それ
ぞれ、投影光学系5を構成する台形ミラー、凸面ミラー
および凹面ミラーである。 【0017】上述構成において、制御回路15は、走査
露光時、レーザ干渉計18および19からのステージ位
置情報を基にパルスモータ16および17への駆動パル
(信号)のパルス数および周期を制御することによ
り、ステージ2および4を互いに同期して移動させる。
この制御の方法としては、例えばモータ16を一定周期
のパルスで駆動してマスクステージ2を定速走行させ、
レーザ干渉計18および19で計測されるステージ2お
よび4の位置に応じた駆動パルス(信号)をモータ17
に供給して基板ステージ4を移動すればよい。 【0018】この場合、各ステージ2および4の移動速
度は、必ずしも同一である必要はなく、適当な速度比を
持たせてもよい。例えばレーザ干渉計18および19の
出力波長を異ならせるだけでも上記ステージ2、4を異
なる速度(速度比≠1)で走査することができる。ま
た、より積極的に上記制御回路15に上記速度比の可変
手段を設け、上記ステージ2、4を図示しないコンソー
ルキーボード等からの指令に基づく速度比で駆動するよ
うにしてもよい。 【0019】このようにマスク1と基板3の走査速度を
異ならせた場合、基板3の速度をマスク1の速度より遅
くすると基板3上にはマスク像が走行方向(Y方向)に
縮小されて転写される。また、基板3の速度の方を速く
すると基板3上にはマスク像がY方向に拡大されて転写
される。すなわち、走査形の露光装置に1軸(Y)方向
のみではあるが、拡大・縮小機能を持たせることができ
る。そしてこの機能、特に拡大機能を活用すれば、例え
ば、現在、マスクサイズの点から縦(Y)・横(X)に
4分割してステップアンドスキャンしていたものが、縦
方向を2倍に拡大(基板速度/マスク速度=2)するこ
とにより同一サイズのマスクで縦方向の2分割のみで足
りることとなり、基板のステップ移動およびマスク交換
の回数を減少して装置のスループットを向上させること
ができる他、マスク制作の手間も4枚を2枚分に減らす
ことができる。 【0020】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
板ステージと基板ステージを同期を取りながら別個の駆
動源でそれぞれ移動するようにしたため、製造に使用す
る装置を簡便で軽量かつ堅固のものとすることができ、
したがってスキャン動作等を高精度で行い、高精度なデ
バイスの製造を行うことができる。また、駆動源やレー
ザ測長器として、本来原板および基板の位置合せ等のた
めに必要なものをそのまま、または多少変形して用いる
ことにより、簡略化された装置構成によりデバイス製造
を行うことができる。特に、スキャン動作時に基板を移
動させるのと同じ基板ステージにより基板のステップ移
動を行うようにしたため、さらに簡便・軽量な装置構成
により高精度なデバイス製造を行うことができる。さら
に、原板と基板との走行速度比を任意に設定することに
より、従来のステップアンドスキャン形露光装置にはな
かった拡大・縮小機能を実現することができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】 本発明の一実施例に係る半導体焼付装置の概
略構成図である。 【図2】 本発明者等の先願に係る半導体焼付装置の概
略構成図である。 【符号の説明】 1:フォトマスク、2:マスクステージ、3:基板、
4:基板ステージ、5:ミラー投影系、9:ホルダ(キ
ャリッジ)、13:基台、15:制御回路、16,1
7:パルスモータ、18,19:レーザ干渉計。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 真 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キ ヤノン株式会社小杉事業所内 (72)発明者 小沢 邦貴 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 吉成 秀樹 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キ ヤノン株式会社小杉事業所内

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.スキャン露光を用いたデバイス製造方法において、
    スキャン露光時に原板を保持する原板ステージを第1駆
    動源で移動し、基板を保持する基板ステージを前記第1
    駆動源とは別個に設けられた第2駆動源で移動し、スキ
    ャン露光のために前記原板ステージを前記第1駆動源で
    移動すると共に前記基板ステージを前記第2駆動源で移
    動している際に前記原板ステージと前記基板ステージの
    位置情報をレーザ干渉計を介して計測し、前記レーザ干
    渉計を介して計測された前記原板ステージと前記基板ス
    テージの位置情報に基づいて前記第1及び第2駆動源に
    供給される駆動信号の少なくとも一方を制御することに
    より前記原板ステージと前記基板ステージを同期を取り
    ながら移動してスキャン露光することを特徴とするデバ
    イス製造方法。 2.スキャン露光後に前記基板ステージにより前記原板
    に対して前記基板をステップ移動することにより前記基
    板上の複数領域を順にステップアンドスキャン露光する
    ことを特徴とする請求項1のデバイス製造方法。
JP30942494A 1994-11-21 1994-11-21 デバイス製造方法 Expired - Lifetime JP2670984B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30942494A JP2670984B2 (ja) 1994-11-21 1994-11-21 デバイス製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30942494A JP2670984B2 (ja) 1994-11-21 1994-11-21 デバイス製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60090892A Division JPS61251025A (ja) 1985-04-30 1985-04-30 投影露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07235486A JPH07235486A (ja) 1995-09-05
JP2670984B2 true JP2670984B2 (ja) 1997-10-29

Family

ID=17992845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30942494A Expired - Lifetime JP2670984B2 (ja) 1994-11-21 1994-11-21 デバイス製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2670984B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008059794B3 (de) * 2008-12-01 2010-04-01 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Umkehr der Beschickung von Sputter-Beschichtungsanlagen in Reinräumen, sowie Computerprogramm zur Durchführung des Verfahrens und maschinenlesbarer Träger mit dem Programmcode
JP2012018256A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Hitachi High-Technologies Corp 液晶用配向膜露光方法及びその装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5021232A (ja) * 1973-06-28 1975-03-06
JPS56111218A (en) * 1980-01-07 1981-09-02 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Projection and exposuring device
JPS5835547A (ja) * 1981-08-27 1983-03-02 Canon Inc 像形成装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5021232A (ja) * 1973-06-28 1975-03-06
JPS56111218A (en) * 1980-01-07 1981-09-02 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Projection and exposuring device
JPS5835547A (ja) * 1981-08-27 1983-03-02 Canon Inc 像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07235486A (ja) 1995-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0793073B1 (en) Surface position detecting method and scanning exposure method using the same
US6665054B2 (en) Two stage method
US4708466A (en) Exposure apparatus
JPH0584663B2 (ja)
JPS61247025A (ja) 表示パネル製造方法
KR950009366A (ko) 투영 노광 방법 및 장치
JPH0515054B2 (ja)
JPH0922863A (ja) 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法
US6785005B2 (en) Switching type dual wafer stage
JPH09106941A (ja) 走査型露光装置及び露光方法
JP4214849B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JPH09115800A (ja) 露光装置
JPH07142331A (ja) 投影露光装置
US5523574A (en) Exposure apparatus
JP2670984B2 (ja) デバイス製造方法
JPH11212266A (ja) 走査型露光装置
JPH06140305A (ja) 投影露光装置
KR100889581B1 (ko) 처리량이 개선된 리소그래피 스캐너
JP3126645B2 (ja) 走査型露光装置、デバイス製造方法およびデバイス
JP2670984C (ja)
JPS61247026A (ja) 露光装置
JPH06177009A (ja) 投影露光装置
JP2743199B2 (ja) 露光装置
JPH06291019A (ja) ステージ駆動方法
JPH05251303A (ja) 投影型露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 2670984

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

EXPY Cancellation because of completion of term
R154 Certificate of patent or utility model (reissue)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154