JP4521912B2 - 露光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイスや液晶パネル等の製造に用いる露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の露光装置の要部概略図を図8に示す。図中に示すように、照明系(不図示)により円弧状に形成された露光用照明光4が原版となるところのマスク5に照射され、露光用照明光4によって照明されたパターン19a、19bは光学部材1、2、3により、プレート6上に反転して転写(19a’、19b’)される。すなわち、マスク5左端に配置されているパターン19aは光路24a−1、24a−2、24a−3、24a−4、24a−5、24a−6を経てプレートの右端19a’に転写される。同様に、マスク右端に配置されているパターン19bはプレートの左端19b’に転写される。
【0003】
一方、マスク5を保持しているマスクステージ8は、マスクステージスキャン駆動装置7により光軸23と平行にスキャンされる。また、プレート6を保持しているプレートステージ9は、プレートステージスキャン駆動機構13により同様に光軸23と平行にスキャンされる。この時、マスクステージ8の位置はレーザ干渉計14により、プレートステージ9の位置はレーザ干渉計25、26により測定されていて、その測定結果によりマスク5の移動速度とプレート6の移動速度が同じになるように制御回路(不図示)により同期駆動される。
【0004】
このように構成されることによって、マスク上に描かれたパターンはプレート上に全面転写される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の露光装置において、光学部材の一つである台形鏡1は、焦点位置の調整が必要なため光軸方向(以下、Y軸方向という)及び光軸周り回転方向(以下、θ方向という)に可動構造となっていて、光学調整完了後は固定される。
【0006】
通常、光学系が調整された状態においては、図2の如く、マスク5のパターンはウエハ6上に1:1で左右が反転した像に転写される。しかしながら、露光中に外部からの衝撃やスキャン中の振動により、台形鏡1の姿勢が図3又は図4の如く変動した場合、台形鏡での反射点は1uから1u’に、1dから1d’にそれぞれ移動することになり、その結果、転写される像は図5又は図6の如く、マスクのパターンとは異なった形状に転写されてしまう。このような転写像のずれが生じると、複数の露光工程を繰り返しながらも正確な重ね合わせ精度を要求される半導体デバイスや液晶パネル等の製造においては、不良品を生じる原因となっていた。
【0007】
本発明の目的は、このような光学部材の姿勢変動による転写像のずれを低減させることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明の露光装置は、原版に形成されたパターンをプレートに結像する結像光学系を有する露光装置において、露光中に前記結像光学系中の台形鏡の姿勢を測定する測定手段を有し、前記台形鏡の姿勢変動による前記プレート面上での転写位置のずれを補正するように、前記測定手段の測定結果に基づいて原版ステージ、およびプレートステージのうちの少なくともいずれかの駆動を行うことを特徴とする。
【0009】
【作用】
光学部材の姿勢変動の一例を図7に示す。図中に示すように、台形鏡1がθ方向に回転した場合、センサ20lとセンサ20rの台形鏡1との距離測定値にL・tanθの差が出てくる。ここにLは両センサ間の距離である。一方、プレート面上に転写される像は光学的に2θずれる。従って、この場合はプレートステージ9をプレートステージ回転駆動機構10にて2θだけ駆動させることにより、マスクのパターンはプレート上の正規の位置に転写されることになる。
【0010】
このように、センサ20l、20r、21u、21dにより台形鏡の姿勢を常時モニタし、この測定値を演算器30に通して補正すべき値を計算し、プレートステージスキャン駆動機構13ないしプレートステージ回転駆動機構10にそれぞれ必要な補正駆動司令を与えることで、各スキャン位置での台形鏡1の姿勢変動によるプレート面上での転写位置のずれを補正することができ、その結果プレート面全面に正確にマスクパターンが転写される。
【0011】
【実施例】
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
[実施例1]
図1に本発明の一実施例に係る露光装置の構成を示す。同図において1、2、3は光学部材、4は照明系(不図示)によって照明されたスリット状の露光用照明光、5はマスク、6は半導体ウエハやガラス基板等のプレート、7はマスクステージスキャン駆動機構、8はマスクステージ、9はプレートステージ、10はプレートステージ回転機構、11はプレートステージX方向微動機構、12はプレートステージY方向微動機構、13はプレートステージスキャン駆動機構、14、25、26はレーザ干渉計、15、16、18は反射ミラー、17はビームスプリッタ、19a、19bはマスクパターン、19a’、19b’はプレート上に反転転写されたマスクパターン、20l、20r、21u、21dは台形鏡姿勢モニタセンサ、22はプレートステージの回転機構駆動モータ、23は光学部材の光学系中心軸、24a−1、24a−2、24a−3、24a−4、24a−5、24a−6は照明光4によって照明されたパターン19aがプレート6上に転写される時の光路、30は演算器である。
【0012】
上記構成において、露光用照明光4によって照明されたパターン19aは、光学部材1、2、3により反射されながら光路24a−1〜24a−6を経てプレート上の19a’に反転転写される。同様に、19bは19b’に反転転写される。一方、マスク5が固定されているマスクステージ8は、レーザ干渉計14の測定値を基にマスクステージスキャン駆動機構7によって定速駆動され、プレートステージ9はレーザ干渉計25の測定値を基に、マスクステージ8と同期駆動される。このように構成することにより、マスク全体のパターンがプレート上に左右反転した像として転写される。
【0013】
今、光学部材の一部、例えば台形鏡1が外部からの衝撃やスキャン中の振動でその姿勢が変動した場合、その光学部材をモニタしているセンサが変動の量及び方向を検知して、その情報を演算器30に送り込む。演算器30の中では、光学部材の動きがプレート6への転写精度に与える影響を計算し、その結果に基づいて転写精度への影響を補正する司令値をプレートステージ駆動機構であるプレートステージY方向微動機構12及び回転機構駆動モータ22へ与え、Y軸方向及びθ方向の補正駆動をさせる。結果として、露光中の光学部材の姿勢変動による転写像のずれを、露光中にプレートステージに前記補正駆動を加えることにより、転写精度を向上させることができる。
【0014】
[実施例2]
実施例1では、補正駆動をプレート側で行っているが、マスク(原版)側を駆動可能な構造にしてマスク(原版)側にて補正駆動しても同じ効果が得られる。
更に、光学部材をモニタすることにより該光学部材の位置が変動した場合には元の正規の位置に戻るよう、該光学部材を補正駆動させる機構を光学部材側に持たせても良い。
これらは単独でいずれかを行う(マスク、光学部材、プレートのいずれかのみ補正駆動する)形となるが、これらを組合わせて複合的に補正するようにしても良い。
【0015】
[デバイス生産方法の実施例]
次に上記説明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図9は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造の流れを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0016】
図10は上記ウエハプロセスの詳細な流れを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0017】
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【0018】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、光学部材の姿勢変動による転写像のずれを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る露光装置を示す要部概略図である。
【図2】 正規状態でのマスクパターンの転写を説明する図であり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c),(d)は正面図である。
【図3】 光学部材の一部である台形鏡が回転した時の光路変化を説明する図であり、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図4】 光学部材の一部である台形鏡が傾いた時の光路変化を説明する図である。
【図5】 光学部材の一部である台形鏡が回転した時のプレート上の転写パターンを説明する図である。
【図6】 光学部材の一部である台形鏡が傾いた時のプレート上の転写パターンを説明する図である。
【図7】 光学部材の一部である台形鏡が回転した場合のプレートステージでの補正を説明する図であり、(a)は要部概略図、(b),(c)は正面図である。
【図8】 従来の露光装置を示す要部概略図である。
【図9】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図10】 図9におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【符号の説明】
1,2,3:光学部材、1u:台形鏡上側反射面、1u’:台形鏡がθ回転した時の上側反射面、1d:台形鏡下側反射面、1d’:台形鏡がθ回転した時の下側反射面、4:露光用照明光、5:マスク、6:プレート、7:マスクステージスキャン駆動機構、8:マスクステージ、9:プレートステージ、10:プレートステージ回転駆動機構、11:プレートステージX方向微動機構、12:プレートステージY方向微動機構、13:プレートステージスキャン駆動機構、14,25,26:レーザ干渉計、15,16,18:反射ミラー、17:ビームスプリッタ、19a,19b:マスク上のパターン、19a’,19b’:プレート上転写パターン、20l,20r,21u,21d:台形鏡姿勢モニタセンサ、22:回転機構駆動モータ、23:光学系中心軸、24a−1,24a−2,24a−3,24a−4,24a−5,24a−6:光路、30:演算器。
Claims (3)
- 原版に形成されたパターンをプレートに結像する結像光学系を有する露光装置において、
露光中に前記結像光学系中の台形鏡の姿勢を測定する測定手段を有し、
前記台形鏡の姿勢変動による前記プレート面上での転写位置のずれを補正するように、前記測定手段の測定結果に基づいて原版ステージ、およびプレートステージのうちの少なくともいずれかの駆動を行うことを特徴とする露光装置。 - 前記駆動を露光中に行うことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 請求項1または2に記載の露光装置を用いてウエハを露光するステップと、該露光されたウエハを現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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