JP3148647B2 - 走査型露光装置およびオフセット調整方法 - Google Patents
走査型露光装置およびオフセット調整方法Info
- Publication number
- JP3148647B2 JP3148647B2 JP20756296A JP20756296A JP3148647B2 JP 3148647 B2 JP3148647 B2 JP 3148647B2 JP 20756296 A JP20756296 A JP 20756296A JP 20756296 A JP20756296 A JP 20756296A JP 3148647 B2 JP3148647 B2 JP 3148647B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- substrate
- scanning
- original plate
- stages
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
パネルを製造する走査型露光装置およびオフセット調整
方法に関するものである。
パネルを製造する走査型露光装置およびオフセット調整
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子や液晶パネルを走査型
露光装置を用いて露光する際には、マスクと基板を同一
筐体上に固定し、筐体自体を投影光学系に対して走査す
ることによって露光を行ってきた。この方法ではマスク
と基板は必ず筐体のもつ同一走査軸上を同時に走査する
ので、マスクに配置されたパターンは基板に正確に露光
されていた。
露光装置を用いて露光する際には、マスクと基板を同一
筐体上に固定し、筐体自体を投影光学系に対して走査す
ることによって露光を行ってきた。この方法ではマスク
と基板は必ず筐体のもつ同一走査軸上を同時に走査する
ので、マスクに配置されたパターンは基板に正確に露光
されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、基板
の大型化や素子の高集積度化に伴い、拡大縮小機能を有
する走査型露光装置すなわちマスク・ステージと基板ス
テージが個別に動作する露光装置が必要となってきた。
の大型化や素子の高集積度化に伴い、拡大縮小機能を有
する走査型露光装置すなわちマスク・ステージと基板ス
テージが個別に動作する露光装置が必要となってきた。
【０００４】しかしながら、マスク・ステージと基板ス
テージが個別に動作する走査型露光装置においては、機
構的な走査方向に組立上の誤差や各ステージの加工精度
の誤差があると、走査露光を行う際のマスク・ステージ
の走査直線に対して基板ステージ走査直線が前記誤差分
により平行に動かないという不都合があった。また各々
のステージが完全には直線的に走査されないので、基板
上に露光されたパターンはマスクのパターンに対して誤
差分がずれて露光されてしまいパターン不良となってし
まうという不都合があった。
テージが個別に動作する走査型露光装置においては、機
構的な走査方向に組立上の誤差や各ステージの加工精度
の誤差があると、走査露光を行う際のマスク・ステージ
の走査直線に対して基板ステージ走査直線が前記誤差分
により平行に動かないという不都合があった。また各々
のステージが完全には直線的に走査されないので、基板
上に露光されたパターンはマスクのパターンに対して誤
差分がずれて露光されてしまいパターン不良となってし
まうという不都合があった。
【０００５】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、上記のようなマスク・ステージ
と基板ステージが個別に動作する走査型露光装置におい
て、基板上に露光されるパターンがマスク上に配置され
たパターン通りに正しく露光されるようにすることを目
的とする。
鑑みてなされたもので、上記のようなマスク・ステージ
と基板ステージが個別に動作する走査型露光装置におい
て、基板上に露光されるパターンがマスク上に配置され
たパターン通りに正しく露光されるようにすることを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の走査型露光装置は、原板を保持して走査す
る第１ステージと、被露光体である基板を保持して走査
する第２ステージと、原板の像を基板上に投影する投影
光学系とを有し、第１ステージと第２ステージを投影光
学系に対してそれぞれ走査することにより原板の像を基
板上に転写する走査型露光装置において、前記第１およ
び第２ステージの一方を固定して他方を前記走査方向に
移動させ第１ステージと第２ステージの複数の位置関係
における前記原板と基板との前記走査方向と交差する方
向へのずれ量を計測する手段と、その計測結果を記憶す
る手段と、走査露光時、前記記憶手段に記憶されたデー
タに基づいて第１ステージと第２ステージが互いに平行
な直線上を走査するように第１および第２ステージの少
なくとも一方を前記走査方向と交差する方向に補正駆動
する手段とを備えたことを特徴とする。
め、本発明の走査型露光装置は、原板を保持して走査す
る第１ステージと、被露光体である基板を保持して走査
する第２ステージと、原板の像を基板上に投影する投影
光学系とを有し、第１ステージと第２ステージを投影光
学系に対してそれぞれ走査することにより原板の像を基
板上に転写する走査型露光装置において、前記第１およ
び第２ステージの一方を固定して他方を前記走査方向に
移動させ第１ステージと第２ステージの複数の位置関係
における前記原板と基板との前記走査方向と交差する方
向へのずれ量を計測する手段と、その計測結果を記憶す
る手段と、走査露光時、前記記憶手段に記憶されたデー
タに基づいて第１ステージと第２ステージが互いに平行
な直線上を走査するように第１および第２ステージの少
なくとも一方を前記走査方向と交差する方向に補正駆動
する手段とを備えたことを特徴とする。
【０００７】前記ずれ量計測手段は、それぞれ位置検出
パターンを配置され予め第１および第２ステージに保持
させた位置検出用の原板および基板の前記位置検出パタ
ーンを、前記走査露光に先立って第１および第２ステー
ジにそれぞれ保持される原板と基板とを位置合わせする
ために設けられている位置検出系を用いて計測するもの
であることが好ましい。また、前記補正駆動手段は、前
記記憶手段に記憶されたデータに基づいて走査方向全面
に対する走査方向と直交する方向へのずれ量を補間計算
し、この補間計算結果に基づいて前記補正駆動を行うも
のであることが好ましい。
パターンを配置され予め第１および第２ステージに保持
させた位置検出用の原板および基板の前記位置検出パタ
ーンを、前記走査露光に先立って第１および第２ステー
ジにそれぞれ保持される原板と基板とを位置合わせする
ために設けられている位置検出系を用いて計測するもの
であることが好ましい。また、前記補正駆動手段は、前
記記憶手段に記憶されたデータに基づいて走査方向全面
に対する走査方向と直交する方向へのずれ量を補間計算
し、この補間計算結果に基づいて前記補正駆動を行うも
のであることが好ましい。
【０００８】また、上記の目的を達成するため、本発明
のオフセット調整方法は、原板を保持して走査する第１
ステージと、被露光体である基板を保持して走査する第
２ステージと、原板の像を基板上に投影する投影光学系
と、前記原板および基板のそれぞれに配置された位置合
わせマークに基づいて該原板と基板との位置ずれ量を検
出する位置検出系とを有し、第１ステージと第２ステー
ジに保持された原板と基板を位置合わせした後、第１ス
テージと第２ステージを投影光学系に対してそれぞれ走
査することにより原板の像を基板上に転写する走査型露
光装置の、第１ステージと第２ステージのオフセット調
整を行う方法において、所定の位置検出パターンをそれ
ぞれ配置された原板および基板をそれぞれ第１および第
２ステージに保持させ、第１および第２ステージの一方
を固定しておき他方を前記走査方向に移動させて第１ス
テージと第２ステージの複数の位置関係における前記原
板および基板上の位置検出パターン間の前記走査方向と
直交する方向へのずれ量を前記位置検出系を用いて計測
し、この計測データに基づいて走査方向全面に対する走
査方向と直交する方向へのずれ量を補間計算し、この補
間計算結果に基づいて前記走査露光を行う際に第１ステ
ージと第２ステージが互いに平行な直線上を走査するよ
うな第１および第２ステージの少なくとも一方の前記走
査方向と直交する方向の補正駆動データを求め、それを
前記走査露光時の走査方向と直交する方向への駆動デー
タとして設定することを特徴とする。
のオフセット調整方法は、原板を保持して走査する第１
ステージと、被露光体である基板を保持して走査する第
２ステージと、原板の像を基板上に投影する投影光学系
と、前記原板および基板のそれぞれに配置された位置合
わせマークに基づいて該原板と基板との位置ずれ量を検
出する位置検出系とを有し、第１ステージと第２ステー
ジに保持された原板と基板を位置合わせした後、第１ス
テージと第２ステージを投影光学系に対してそれぞれ走
査することにより原板の像を基板上に転写する走査型露
光装置の、第１ステージと第２ステージのオフセット調
整を行う方法において、所定の位置検出パターンをそれ
ぞれ配置された原板および基板をそれぞれ第１および第
２ステージに保持させ、第１および第２ステージの一方
を固定しておき他方を前記走査方向に移動させて第１ス
テージと第２ステージの複数の位置関係における前記原
板および基板上の位置検出パターン間の前記走査方向と
直交する方向へのずれ量を前記位置検出系を用いて計測
し、この計測データに基づいて走査方向全面に対する走
査方向と直交する方向へのずれ量を補間計算し、この補
間計算結果に基づいて前記走査露光を行う際に第１ステ
ージと第２ステージが互いに平行な直線上を走査するよ
うな第１および第２ステージの少なくとも一方の前記走
査方向と直交する方向の補正駆動データを求め、それを
前記走査露光時の走査方向と直交する方向への駆動デー
タとして設定することを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記の構成によれば、予め位置検出パターンを
高精度にパターニングされた原板と基板をそれぞれ第１
ステージと第２ステージに固定し、前記位置検出パター
ンを例えば露光装置に一般的に配置されているような位
置合わせ機構を用いて位置合わせした後、第１ステージ
あるいは第２ステージのみを動作させて原板と基板の相
対ずれ量を前記位置合わせ機構の位置検出系を用いて計
測する。この計測を第１ステージおよび第２ステージ全
面に行うと各々のステージの持つ走査方向に対する前記
の非平行成分と非直線的な成分の測定を行うことが可能
となり、これらの成分を露光装置に設けられた補正機構
を用いて補正しながら走査動作を行うことにより各々の
ステージは平行かつ直線的に走査動作を行うことが可能
となり、原板上のパターンは基板上に正しく露光される
ことになる。
高精度にパターニングされた原板と基板をそれぞれ第１
ステージと第２ステージに固定し、前記位置検出パター
ンを例えば露光装置に一般的に配置されているような位
置合わせ機構を用いて位置合わせした後、第１ステージ
あるいは第２ステージのみを動作させて原板と基板の相
対ずれ量を前記位置合わせ機構の位置検出系を用いて計
測する。この計測を第１ステージおよび第２ステージ全
面に行うと各々のステージの持つ走査方向に対する前記
の非平行成分と非直線的な成分の測定を行うことが可能
となり、これらの成分を露光装置に設けられた補正機構
を用いて補正しながら走査動作を行うことにより各々の
ステージは平行かつ直線的に走査動作を行うことが可能
となり、原板上のパターンは基板上に正しく露光される
ことになる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明では、例えば、マスクを保
持して走査するマスク・ステージと、基板を保持して走
査する基板ステージの２つのステージを有し、投影光学
系を介して原板であるマスクと被露光体である基板を走
査することにより、マスクの像を基板上に転写する露光
装置において、半導体素子や液晶パネル製造用に露光パ
ターンが配置されたマスクと基板をそれぞれマスク・ス
テージおよび基板ステージに固定し、マスク・ステージ
あるいは基板ステージの一方を固定しておき、他を移動
させてマスクおよび基板に配置された位置検出パターン
のずれ量を、予め配置されている位置検出系を用いて計
測して予め設けられた記憶装置にずれ量データを記憶し
ておき、走査露光を行う場合に記憶されたデータを基に
マスク・ステージおよび基板ステージを平行な直線で走
査するように補正を行う補正手段を備え、マスク上の露
光パターン通りに基板上に転写を行えることを特徴とす
る走査型露光装置が提供される。
持して走査するマスク・ステージと、基板を保持して走
査する基板ステージの２つのステージを有し、投影光学
系を介して原板であるマスクと被露光体である基板を走
査することにより、マスクの像を基板上に転写する露光
装置において、半導体素子や液晶パネル製造用に露光パ
ターンが配置されたマスクと基板をそれぞれマスク・ス
テージおよび基板ステージに固定し、マスク・ステージ
あるいは基板ステージの一方を固定しておき、他を移動
させてマスクおよび基板に配置された位置検出パターン
のずれ量を、予め配置されている位置検出系を用いて計
測して予め設けられた記憶装置にずれ量データを記憶し
ておき、走査露光を行う場合に記憶されたデータを基に
マスク・ステージおよび基板ステージを平行な直線で走
査するように補正を行う補正手段を備え、マスク上の露
光パターン通りに基板上に転写を行えることを特徴とす
る走査型露光装置が提供される。
【００１１】この走査型露光装置においては、予め高精
度にパターンが配置されたマスクと基板をそれぞれマス
ク・ステージと基板ステージに固定し、マスクと基板に
パターニングされた位置検出パターンを予め配置された
位置合わせ機構を用いて位置合わせした後、マスク・ス
テージあるいは基板ステージのみを動作させてマスクと
基板の相対ずれ量を前記位置検出系を用いて計測する。
この計測をマスク・ステージおよび基板ステージ全面に
行うと各々のステージの持つ走査方向に対する前記の非
平行成分と非直線的な成分の測定を行うことが可能とな
り、これらの成分を露光装置に設けられた補正機構を用
いて補正しながら走査動作を行うことにより各々のステ
ージは平行かつ直線的に走査動作を行うことが可能とな
り、マスク上のパターンは基板上に正しく露光されるこ
とになる。
度にパターンが配置されたマスクと基板をそれぞれマス
ク・ステージと基板ステージに固定し、マスクと基板に
パターニングされた位置検出パターンを予め配置された
位置合わせ機構を用いて位置合わせした後、マスク・ス
テージあるいは基板ステージのみを動作させてマスクと
基板の相対ずれ量を前記位置検出系を用いて計測する。
この計測をマスク・ステージおよび基板ステージ全面に
行うと各々のステージの持つ走査方向に対する前記の非
平行成分と非直線的な成分の測定を行うことが可能とな
り、これらの成分を露光装置に設けられた補正機構を用
いて補正しながら走査動作を行うことにより各々のステ
ージは平行かつ直線的に走査動作を行うことが可能とな
り、マスク上のパターンは基板上に正しく露光されるこ
とになる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明の一実施例に係る走査型露光装置の構
成を示す。同図において、１０は焼き付けるパターンが
形成されているマスク、１４はマスク１０を搭載しＸＹ
θ方向に移動可能でＹ方向には走査露光機能を有するマ
スクステージである。７は液晶表示板を製造するための
トランジスタなどのパターンが通常のフォトリソグラフ
ィの手段で形成されるガラス基板である。１５は基板７
を保持してＸＹθ方向に移動可能な基板ステージであ
り、Ｙ方向に走査露光を行う機能を有している。６は凸
凹面鏡を組み合わせて構成される周知のミラー投影系で
あり、マスクステージ１４によって所定位置に位置決め
されたマスク１０のパターン像を基板７上に等倍投影す
る。１は特定の波長の光で露光位置にあるマスク１０を
照明する照明光学系で、マスク１０上のパターンを介し
て基板７上の感光層を露光することによって、マスク１
０上のパターンを基板７に転写可能とするためのもので
ある。９は基板ステージ１５を搭載しているベース定盤
であり、４はマスクステージ１４を搭載しているマスク
ステージ定盤である。マスクステージ定盤４は連結板５
によりベース定盤９と連結されている。３および８はそ
れぞれ各ステージ１４，１５を図面に対して平行方向
（Ｙ方向）に移動させるためのモータである。１１，１
２は各ステージ１４，１５すなわちマスク１０および基
板７の位置をモニタするための計測機例えばレーザ干渉
計である。制御回路１３は、走査露光時にレーザ干渉計
１１，１２のステージ位置情報を基にモータ３，８への
駆動量を制御することにより、ステージ１４，１５をお
互いに同期して移動させる。この制御の方式としては、
例えばモータ３を一定電圧で駆動してマスクステージ１
４を定速走行させ、レーザ干渉計１１，１２で計測され
る各ステージ１４，１５の位置に応じた駆動量をモータ
８に供給して基板ステージ１５を移動させる。この場
合、各ステージの移動速度は必ずしも同一である必要は
なく、適当な速度比を持たせてもよい。
る。図１は本発明の一実施例に係る走査型露光装置の構
成を示す。同図において、１０は焼き付けるパターンが
形成されているマスク、１４はマスク１０を搭載しＸＹ
θ方向に移動可能でＹ方向には走査露光機能を有するマ
スクステージである。７は液晶表示板を製造するための
トランジスタなどのパターンが通常のフォトリソグラフ
ィの手段で形成されるガラス基板である。１５は基板７
を保持してＸＹθ方向に移動可能な基板ステージであ
り、Ｙ方向に走査露光を行う機能を有している。６は凸
凹面鏡を組み合わせて構成される周知のミラー投影系で
あり、マスクステージ１４によって所定位置に位置決め
されたマスク１０のパターン像を基板７上に等倍投影す
る。１は特定の波長の光で露光位置にあるマスク１０を
照明する照明光学系で、マスク１０上のパターンを介し
て基板７上の感光層を露光することによって、マスク１
０上のパターンを基板７に転写可能とするためのもので
ある。９は基板ステージ１５を搭載しているベース定盤
であり、４はマスクステージ１４を搭載しているマスク
ステージ定盤である。マスクステージ定盤４は連結板５
によりベース定盤９と連結されている。３および８はそ
れぞれ各ステージ１４，１５を図面に対して平行方向
（Ｙ方向）に移動させるためのモータである。１１，１
２は各ステージ１４，１５すなわちマスク１０および基
板７の位置をモニタするための計測機例えばレーザ干渉
計である。制御回路１３は、走査露光時にレーザ干渉計
１１，１２のステージ位置情報を基にモータ３，８への
駆動量を制御することにより、ステージ１４，１５をお
互いに同期して移動させる。この制御の方式としては、
例えばモータ３を一定電圧で駆動してマスクステージ１
４を定速走行させ、レーザ干渉計１１，１２で計測され
る各ステージ１４，１５の位置に応じた駆動量をモータ
８に供給して基板ステージ１５を移動させる。この場
合、各ステージの移動速度は必ずしも同一である必要は
なく、適当な速度比を持たせてもよい。
【００１３】このようにマスクステージ１４と基板ステ
ージ１５を個別に移動させる走査型露光装置において
は、走査方向の組立上の誤差や各ステージの加工精度の
誤差があると、マスクと基板が平行に動作しないで走査
露光する場合があった。図２はマスクと基板が異なる走
査カーブを描いて走査露光する場合を示している。例え
ば、図３のようにはパターニングされたマスクを用いて
走査露光を行うと、図２と違ってマスクの走査カーブ１
７と基板の走査カーブ１８が完全に平行となる理想的な
場合には、図４で示すようにマスク上のパターン１９は
基板上に位置ずれなく基板パターン２０のように露光さ
れるが、図２で示すように完全に平行でない場合には、
図５のように基板上のパターン２１は理想的なパターン
２０からずれ量２１のようにずれて露光されてしまう。
しかしながら、マスクステージ１４の走査カーブ１７と
基板ステージの走査カーブ１８を機構的にお互いに平行
にすることは、基板サイズの大型化に伴う各ステージ１
４，１５の大型化に伴い、現在の加工技術・組立技術で
は実現は非常に困難になってきている。
ージ１５を個別に移動させる走査型露光装置において
は、走査方向の組立上の誤差や各ステージの加工精度の
誤差があると、マスクと基板が平行に動作しないで走査
露光する場合があった。図２はマスクと基板が異なる走
査カーブを描いて走査露光する場合を示している。例え
ば、図３のようにはパターニングされたマスクを用いて
走査露光を行うと、図２と違ってマスクの走査カーブ１
７と基板の走査カーブ１８が完全に平行となる理想的な
場合には、図４で示すようにマスク上のパターン１９は
基板上に位置ずれなく基板パターン２０のように露光さ
れるが、図２で示すように完全に平行でない場合には、
図５のように基板上のパターン２１は理想的なパターン
２０からずれ量２１のようにずれて露光されてしまう。
しかしながら、マスクステージ１４の走査カーブ１７と
基板ステージの走査カーブ１８を機構的にお互いに平行
にすることは、基板サイズの大型化に伴う各ステージ１
４，１５の大型化に伴い、現在の加工技術・組立技術で
は実現は非常に困難になってきている。
【００１４】本実施例は、このようなずれ量２１を、図
６のフローチャートの流れに示すように、観察顕微鏡２
を用いて走査方向に対して複数ポイント前もって計測し
て記憶装置１６に記憶しておくことによって、マスクス
テージ１４、プレートステージ１５を、記憶されたずれ
量に従って理想的に平行かつ直線になるように制御しな
がら駆動することにより、図３で示すようなマスク上パ
ターン１９を図４のように基板７上に理想的に転写する
ことを可能したものである。図７から図９は図６のフロ
ーチャートを露光装置の動作と合わせた側面図である。
６のフローチャートの流れに示すように、観察顕微鏡２
を用いて走査方向に対して複数ポイント前もって計測し
て記憶装置１６に記憶しておくことによって、マスクス
テージ１４、プレートステージ１５を、記憶されたずれ
量に従って理想的に平行かつ直線になるように制御しな
がら駆動することにより、図３で示すようなマスク上パ
ターン１９を図４のように基板７上に理想的に転写する
ことを可能したものである。図７から図９は図６のフロ
ーチャートを露光装置の動作と合わせた側面図である。
【００１５】以下、図１の装置の動作を図６〜図９を参
照しながら説明する。先ずマスク１０と基板７を各々の
ステージ１４，１５に固定する。次いで図７の状態で観
察顕微鏡２でマスク１０と基板７の位置合わせを行った
後に、図８および図９に示すように基板ステージ１５を
Ｙ方向に動作させた状態で各々マスク１０と基板７の走
査方向（Ｙ方向）と直角方向（Ｘ方向）のずれ量を計測
する。この際のずれ量が前述のように記憶装置１６に記
憶される。それ以降は記憶されたずれ量を基準として、
すなわち図７〜図９の状態で測定された３データを用い
て、制御回路１３が走査方向全面に対するＸ方向ずれ量
を補間計算し、ステージ１４，１５の走査位置に対応し
て基板ステージ１５のＸ方向の位置を補正する。すなわ
ち、基板ステージ１５は詳細には図１０で示すように構
成されており、制御回路１３は、マスクと基板のＸ方向
のずれ量を補間計算結果データで補正するように基板ス
テージＸ方向駆動モータ２３を基板ステージＸ方向レー
ザ干渉計２２による計測値に基づいて制御しながら基板
ステージ１５をＸ方向に駆動して各々の走査カーブ１
７，１８（図２参照）が平行に走査するようにしてい
る。これにより、マスク上パターンを基板上にＸ方向に
ずれることなく正しく転写することができる。
照しながら説明する。先ずマスク１０と基板７を各々の
ステージ１４，１５に固定する。次いで図７の状態で観
察顕微鏡２でマスク１０と基板７の位置合わせを行った
後に、図８および図９に示すように基板ステージ１５を
Ｙ方向に動作させた状態で各々マスク１０と基板７の走
査方向（Ｙ方向）と直角方向（Ｘ方向）のずれ量を計測
する。この際のずれ量が前述のように記憶装置１６に記
憶される。それ以降は記憶されたずれ量を基準として、
すなわち図７〜図９の状態で測定された３データを用い
て、制御回路１３が走査方向全面に対するＸ方向ずれ量
を補間計算し、ステージ１４，１５の走査位置に対応し
て基板ステージ１５のＸ方向の位置を補正する。すなわ
ち、基板ステージ１５は詳細には図１０で示すように構
成されており、制御回路１３は、マスクと基板のＸ方向
のずれ量を補間計算結果データで補正するように基板ス
テージＸ方向駆動モータ２３を基板ステージＸ方向レー
ザ干渉計２２による計測値に基づいて制御しながら基板
ステージ１５をＸ方向に駆動して各々の走査カーブ１
７，１８（図２参照）が平行に走査するようにしてい
る。これにより、マスク上パターンを基板上にＸ方向に
ずれることなく正しく転写することができる。
【００１６】
【発明の適用範囲】上述の実施例は本発明をミラー投影
光学系を用いた露光装置に適用した例を示しているが、
当然のことながら、レンズ投影光学系を用いた露光装置
においても本発明は適用可能である。また、上述におい
てはマスクステージを固定し基板ステージを駆動して特
性を測定し補正することを示しているが、基板ステージ
を固定しマスクステージを駆動して特性を測定し補正す
ることも可能である。
光学系を用いた露光装置に適用した例を示しているが、
当然のことながら、レンズ投影光学系を用いた露光装置
においても本発明は適用可能である。また、上述におい
てはマスクステージを固定し基板ステージを駆動して特
性を測定し補正することを示しているが、基板ステージ
を固定しマスクステージを駆動して特性を測定し補正す
ることも可能である。
【００１７】また、上述においては基板ステージの上下
２点のみのずれ量計測および補正を示したが、より多数
の基板ステージ位置でずれ量を読み込むことにより、よ
り高精度の補正を行い投影性能を向上させることも可能
である。
２点のみのずれ量計測および補正を示したが、より多数
の基板ステージ位置でずれ量を読み込むことにより、よ
り高精度の補正を行い投影性能を向上させることも可能
である。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板上
に焼き付けられるパターンがマスクに形成されたパター
ンと同一になるので、正しい半導体素子や液晶パネルの
生産が可能になるとともに、機構精度によらない補正に
より露光装置コストを抑えることが可能となった。
に焼き付けられるパターンがマスクに形成されたパター
ンと同一になるので、正しい半導体素子や液晶パネルの
生産が可能になるとともに、機構精度によらない補正に
より露光装置コストを抑えることが可能となった。
【図１】 本発明の一実施例に係る走査型投影露光装置
の構成を示す側面図である。
の構成を示す側面図である。
【図２】 マスクと基板の走査方向のずれを示す説明図
である。
である。
【図３】 マスクおよびマスク上の露光パターン図であ
る。
る。
【図４】 理想的な走査状態において基板上に露光され
たパターンの図である。
たパターンの図である。
【図５】 走査方向のずれがある場合の基板上に露光さ
れたパターンの図である。
れたパターンの図である。
【図６】 図１の装置における基板ステージの位置ずれ
量測定の動作を示すフローチャートである。
量測定の動作を示すフローチャートである。
【図７】 図１の装置の位置ずれ量測定時の各部材の一
配列図である。
配列図である。
【図８】 位置ずれ量測定時の他の配列図である。
【図９】 位置ずれ量測定時のさらに他の配列図であ
る。
る。
【図１０】 図１の装置における基板ステージの構成図
である。
である。
１：照明光学系、２：観察顕微鏡、３：マスクステージ
Ｙ方向駆動モータ、４：マスクステージ定盤、５：連結
板、６：投影光学系、７：基板、８：基板ステージＹ方
向駆動モータ、９：ベース定盤、１０：マスク、１１：
マスクステージＹ方向制御レーザ干渉計、１２：基板ス
テージＹ方向制御レーザ干渉計、１３：ステージ制御回
路、１４：マスクステージ、１５：基板ステージ、１
６：記憶装置、１７：基板ステージの走査カーブ、１
８：マスクステージの走査カーブ、１９：マスク上に形
成された焼き付け用パターン、２０：基板上に焼き付け
られるべき理想的なパターン、２１：ずれて焼き付けら
れたパターン、２２：基板ステージＸ方向制御レーザ干
渉計、２３：基板ステージＸ方向駆動モータ。
Ｙ方向駆動モータ、４：マスクステージ定盤、５：連結
板、６：投影光学系、７：基板、８：基板ステージＹ方
向駆動モータ、９：ベース定盤、１０：マスク、１１：
マスクステージＹ方向制御レーザ干渉計、１２：基板ス
テージＹ方向制御レーザ干渉計、１３：ステージ制御回
路、１４：マスクステージ、１５：基板ステージ、１
６：記憶装置、１７：基板ステージの走査カーブ、１
８：マスクステージの走査カーブ、１９：マスク上に形
成された焼き付け用パターン、２０：基板上に焼き付け
られるべき理想的なパターン、２１：ずれて焼き付けら
れたパターン、２２：基板ステージＸ方向制御レーザ干
渉計、２３：基板ステージＸ方向駆動モータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｂ ５２５Ｗ ５２５Ｘ (56)参考文献 特開 平４−235558（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−235559（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142331（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−249567（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−302754（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−307284（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−51063（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−130180（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−129537（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−22351（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−29803（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−128713（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521 G03F 9/00
Claims (4)
- 【請求項１】 原板を保持して走査する第１ステージ
と、基板を保持して走査する第２ステージと、原板の像
を基板上に投影する投影光学系とを有し、第１ステージ
と第２ステージを投影光学系に対してそれぞれ走査する
ことにより原板の像を基板上に転写する走査型露光装置
において、 前記第１および第２ステージの一方を固定して他方を前
記走査方向に移動させ第１ステージと第２ステージの複
数の位置関係における前記原板と基板との前記走査方向
と交差する方向へのずれ量を計測する手段と、 その計測結果を記憶する手段と、 走査露光時、前記記憶手段に記憶されたデータに基づい
て第１ステージと第２ステージが互いに平行な直線上を
走査するように第１および第２ステージの少なくとも一
方を前記走査方向と交差する方向に補正駆動する手段と
を備えたことを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記ずれ量計測手段は、それぞれ位置検
出パターンを配置され予め第１および第２ステージに保
持させた位置検出用の原板および基板の前記位置検出パ
ターンを、前記走査露光に先立って第１および第２ステ
ージにそれぞれ保持される原板と基板とを位置合わせす
るために設けられている位置検出系を用いて計測するも
のである請求項１記載の走査型露光装置。 - 【請求項３】 前記補正駆動手段は、前記記憶手段に記
憶されたデータに基づいて走査方向全面に対する走査方
向と直交する方向へのずれ量を補間計算し、この補間計
算結果に基づいて前記補正駆動を行うものである請求項
１または２記載の走査型露光装置。 - 【請求項４】 原板を保持して走査する第１ステージ
と、基板を保持して走査する第２ステージと、原板の像
を基板上に投影する投影光学系と、前記原板および基板
のそれぞれに配置された位置合わせマークに基づいて該
原板と基板との位置ずれ量を検出する位置検出系とを有
し、第１ステージと第２ステージに保持された原板と基
板を位置合わせした後、第１ステージと第２ステージを
投影光学系に対してそれぞれ走査することにより原板の
像を基板上に転写する走査型露光装置の、第１ステージ
と第２ステージのオフセット調整を行う方法において、 所定の位置検出パターンをそれぞれ配置された原板およ
び基板をそれぞれ第１および第２ステージに保持させ、 第１および第２ステージの一方を固定しておき他方を前
記走査方向に移動させて第１ステージと第２ステージの
複数の位置関係における前記原板および基板上の位置検
出パターン間の前記走査方向と直交する方向へのずれ量
を前記位置検出系を用いて計測し、 この計測データに基づいて走査方向全面に対する走査方
向と直交する方向へのずれ量を補間計算し、 この補間計算結果に基づいて前記走査露光を行う際に第
１ステージと第２ステージが互いに平行な直線上を走査
するような第１および第２ステージの少なくとも一方の
前記走査方向と直交する方向の補正駆動データを求め、
それを前記走査露光時の走査方向と直交する方向への駆
動データとして設定することを特徴とする走査型露光装
置のオフセット調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20756296A JP3148647B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 走査型露光装置およびオフセット調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20756296A JP3148647B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 走査型露光装置およびオフセット調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041217A JPH1041217A (ja) | 1998-02-13 |
| JP3148647B2 true JP3148647B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=16541803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20756296A Expired - Fee Related JP3148647B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 走査型露光装置およびオフセット調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3148647B2 (ja) |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP20756296A patent/JP3148647B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1041217A (ja) | 1998-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4878086A (en) | Flat panel display device and manufacturing of the same | |
| KR100330069B1 (ko) | 주사형노광장치및그의노광방법 | |
| US5617211A (en) | Exposure apparatus | |
| JP3308063B2 (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
| US5777722A (en) | Scanning exposure apparatus and method | |
| JPH0945608A (ja) | 面位置検出方法 | |
| JP3991165B2 (ja) | 位置合わせ方法及び露光方法 | |
| JPH0584663B2 (ja) | ||
| JP2010087310A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3303386B2 (ja) | 投影露光装置及び方法 | |
| KR20090039641A (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| US6342943B1 (en) | Exposure apparatus | |
| JP3337921B2 (ja) | 投影露光装置および位置合せ方法 | |
| JP3148647B2 (ja) | 走査型露光装置およびオフセット調整方法 | |
| KR100445850B1 (ko) | 노광방법및장치 | |
| JP3282681B2 (ja) | 露光方法、露光装置、及び素子製造方法 | |
| JP2000012422A (ja) | 露光装置 | |
| JP3126645B2 (ja) | 走査型露光装置、デバイス製造方法およびデバイス | |
| JP3722330B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH09306811A (ja) | 露光方法 | |
| JP3530716B2 (ja) | 走査投影露光装置 | |
| JP3702486B2 (ja) | 露光方法及びそれに用いるレチクル | |
| KR100346535B1 (ko) | 주사형노광장치 | |
| JPH09199398A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0584664B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090112 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090112 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140112 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |