KR100346535B1 - 주사형노광장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마스크를 조명하고 이 마스크의 상을 투영 광학 시스템을 거쳐서 감광 기판상에 투영함과 동시에 상기 마스크와 상기 감광 기판을 상기 투영 광학 시스템에 대해서 주사시키는 것에 의해, 상기 마스크의 전체면을 상기 감광 기판상에 노광하는 주사형 노광 장치에 관한 것이고, 상기 주사형 노광 장치는 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하는 위치 검출기와, 상기 위치 검출기에 의해 얻어진 위치 정보를 기억하는 기어 장치와, 상기 기억 장치로부터 판독된 위치 정보에 의거해서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하는 위치 보정 장치 및, 상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 투영광학 시스템의 투영 영역을 통과하여 노광 시작 위치로 이동될 때 상기 위치 검출기에 의해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하고, 상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 노광 시작 위치에 정지될때 및/또는 상기 노광시에 상기 위치 보정 장치에 의해 상기 기억 장치로부터 판독된 위치 정보에 의거해서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하는 제어기를 포함한다.
Description
발명의 배경
발명의 분야
본 발명은 주사형 노광 장치(scanning exposure apparatus)에 관한 것이며, 특히 액정 표시 디바이스(device)의 제조시에 사용하기 적합한 주사형 노광 장치에 관한 것이다.
종래 기술
이런 종류의 종래 노광 장치는 주사 노광중에 마스크(mask)와 감광 기판(photosensitive substrate)간의 면내 방향(in-plane direction)의 상대 위치와 투영 광학 시스템(projection optical system)의 광축 방향을 따르는 위치를 검출하는 방법과, 상기 상대 위치의 위치 결정(얼라인먼트 동작; alignment operation)과 광축 방향을 따르는 위치 결정(포커스 동작; focus operation)을 동시에(즉, 리얼타임; real time) 보정하는 방법을 사용한다 즉, 상기 종래 장치는 주사 노광중에 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하면서 마스크상에 형성된 패턴을 감광 기판에 노광하는 방법을 사용한다.
그러나, 이 방법은 상기 장치 자체에 기인한 요인(예를 들면, 기계적 응집성 또는 제어 시스템의 정밀도등) 또는 재료에 기인한 요소(예를 들면, 마스크 또는 감광 기판 자체의 급격한 평탄도 변화등) 때문에 입력 결과 또는 검출 결과에 대한 보정 동작이 지연되고, 보정 동작이 주사 속도를 따르지 않는 것이 있다. 이 경우에, 마스크와 감광 기판간의 위치 관계가 항상 양호한 정밀도 범위내에 유지되지 않고, 국부적 해상도(resolution)의 저하에 기인한 디바이스(device)의 동작 불량이 발생 한다.
예를 들면, 그 두께의 변화, 특히, 열처리에 의한 감광 기판의 변형, 감광기판과 지지면 사이에 혼입한 이물질등 때문에 마스크 또는 감광 기판의 평탄도 (flatness)에 국부적인 급격한 변화가 나타나기 쉽다. 이와 같은 변화가 나타나는 경우에, 변화량의 검출과 구동 시스템에 의한 위치 보정간의 시간이 주사 속도와 잘 어울리지 않기 때문에 상기 해상도가 저하될 가능성이 있다.
보정량을 검출하기 위해 사용된 측정 지점이 노출 영역내에 설치되어 있다면상기 보정량은 측정값으로부터 직접 구할 수 있으나, 이 측정 지점이 노출 영역 외측에 설치되는 경우에 상기 보정량은 끝까지 측정값으로부터 예측되기 때문에, 상기 보정량이 급격한 변화에 잘 어울리지 않을 가능성이 높아진다.
이와 같은 문제를 회피하기 위하여 상기 주사 속도가 감소되는 것으로 고려된다. 그러나, 이 방법은 쓰루풋(throught; 즉, 처리 능력)의 저하를 필연적으로 발생시킨다.
또한, 미세 가공 기술의 발달에 따른 이런 종류의 노광 장치의 제어가 복잡하게 된다. 이러한 제어 기술중 한가지는 감광 기판을 적절한 위치로 이동시키는 것에 의해 투영 광학 시스템의 초점 위치 또는 감광 기판에 형성된 요철(asperity)과 같은 오차를 보정하기 위한 레벨링(leveling) 기술이 공지되어 있다.
그런데, 투영 광학 시스템(1)의 초점 거리에 관해서는, 제 1도에 도시된 바와 같이, 입사측 초점거리(entrance-side focal length; d1)와 출사측(exit-side)초점거리(02) 양자 모두가 일정하다. 따라서 마스크(2)상에 형성된 패턴을 정확히 전사하기 위하여, 주사 노광중에 마스크(2)와 감광 기판(3)간의 간극이 적당한 간극으로 일정하게 유지되어야만 한다.
그러나, 마스크면(2A)과 감광 기판면(3A) 양자가 이상적인 상태로 되어 있으나, 다소 요철을 포함하는 것이 통상적이다. 따라서, 주사 노광이 이 요철을 고려함 없이 실행된다면 마스크와 감광 기판간의 간극은 상기 위치에 따라 변화하게 된다. 즉, 마스크와 감광 기판이 평균적인 간극으로 유지된다면, 마스크와 감광 기판간의 상기 간극은 표면의 요철 때문에 상기 위치에 따라 국부적으로 변화한다(마스크와 감광 기판이 투영 광학 시스템에 관해서 서로 적합하지 않는 것을 의미한다).
또한, 주사형 노광 장치가 복수의 투영 광학 시스템을 배열하여 한번에 큰 면적의 주사 노광을 실행하기 위한 주사 노광 방법중 하나일 경우에, 그 초점 거리의 변화(variation)가 더해지고, 전체 노출 영역내에서 마스크와 감광 기판을 접합하여 유지하는 것이 어렵다. 이 상태가 제 2도에 도시되어 있다.
상술한 바와 같이, 주사 노광중에 마스크(2)와 감광 기판간의 간극이 변화하는 문제점이 있다.
발명의 요약
본 발명의 목적은 평탄도에 예측불가능한 변화가 생기는 경우에 조차 높은 쓰루풋으로 마스크와 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 적정한 위치 관계로 보정하여 노광을 실행할 수 있는 주사형 노광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 노광 영역에서 마스크와 감광 기판간의 간극이 항상 노광을 위해 적절한 간극으로 유지되도록 제어하면서 주사 노광을 실행할 수 있는 주사형 노광 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 특징은 마스크를 조명하고 이 마스크의 상을 투영 광학 시스템을 거쳐서 감광 기판상에 투영함과 동시에 상기 마스크와 상기 감광 기판을 상기 투영 광학 시스템에 대해서 주사시키는 것에 의해, 상기 마스크의 전체면을 상기 감광 기판상에 노광하는 주사형 노광 장치를 제공하는 것이며, 상기 주사형 노광 장치는 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하는 위치 검출기와, 상기 위치 검출기에 의해 얻어지는 위치 정보를 기억하는 기어 장치와, 상기 기억 장치로부터 판독된 위치 정보에 의거해서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하는 위치 보정 장치 및, 상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 투영 광학 시스템의 투영 영역을 통과하여 노광 시작 위치로 이동될 때 상기 위치 검출기에 의해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하고, 상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 노광 시작 위치에 정지될 때 및/또는 상기 노광시에 상기 위치 보정 장치에 의해 상기 기억 장치로부터 판독된 위치 정보에 의거해서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하는 제어기를 포함하는 것이다.
상기 위치 정보는 상기 투영 광학 시스템의 광축에 수직한 방향에 관한 제 1 위치 정보와 상기 투영 광학 시스템의 광축 방향에 관한 제 2 위치 정보를 포함하는 것이 적합하다. 이 경우에, 상기 제 1 위치 정보는 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치이고, 상기 제 2 위치 정보는 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 광축 방향에 관한 상대 위치와 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 경사량인 것이 적합하다.
양호하게는, 상기 제어기는 상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 노광 시작 위치에 정지될 때 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치에 의거해서 상기 위치 보정 장치를 제어하고, 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계에서 상기 투영 광학 시스템의 광축에 수직한 방향에 관한 위치 관계를 보정하고, 또한 상기 제어기는 상기 노광중에 상기 마스크와 상기 감광 기판 사이에서 상기 광축방향에 관한 상대 위치 및/또는 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 경사량에 의거해서 상기 위치 보정 장치를 제어하고, 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계에서 상기 투영 광학 시스템의 광학 방향에 관한 위치 관계를 보정하는 것이 적합하다.
상기 기억 장치는 상기 위치 검출기에 의해 검출된 상기 주사 방향에 관한 임의 위치에서 상기 위치 정보에 의거하여 얻어진 데이타 맵을 유지하는 것이 적합하다.
상기 위치 보정 장치는 상기 데이타 맵으로부터 판독된 상기 위치 정보에 의거하여 구해지는 상기 마스크면에 대해 존재할 평균적인 상기 감광 기판면 또는 상기 감광 기판면에 대해 존재할 평균적인 상기 마스크면과 일치하도록 상기 감광 기판과 상기 마스크간의 위치 관계를 상기 노광 시작 위치에 정지하고 있을 때 미리 보정하는 것이 적합하다.
더욱이, 상기 위치 보정 장치는 상기 데이타 맵으로부터 판독된 상기 위치 정보에 의거해서 상기 임의 위치에 보정값을 나타내는 보정 맵을 작성하고, 상기 보정 맵에 따라서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계를 상기 노광중에 연속적으로 보정하는 것이 적합하거나 또는, 상기 위치 보정 장치는 상기 데이타 맵으로부터 판독된 상기 위치 정보에 의거해서 상기 임의 위치에 보정값을 나타내는 보정 맵을 작성하고, 상기 보정 맵에 따라서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계와 상기 위치 검출기에 의해 실제로 검출된 위치 관계를 상기 노광중에 연속적으로 보정하는 것이 적합하다.
상술한 바와 같이 본 발명의 제 1 특징에 있어서, 노광 시작 위치로 운송중에 마스크와 감광 기판간의 상대적인 위치 관계가 미리 검출되고, 노광시에 미리 검출된 위치 정보를 기억 장치에서 판독하여 마스크와 노광기판간의 상대적인 위치 관계가 보장되는 것에 의해, 노광 주사중에 마스크와 감광 기판간의 상대적인 위치관계의 측정과 보정을 동시에 실행하는 종래 방법에선 예측할 수 없는 급격한 변화를 포함하는 마스크와 감광 기판이 사용되는 경우에도 쓰루풋을 저하시키지 않고, 결상 불량의 발생 가능성없이 노광을 실행할 수 있다.
이 경우에, 위치 검출 수단에 의해 검출된 위치 정보는 투영 광학 시스템의 광축에 수직한 방향에 관한 제 1 위치 정보와, 투영 광학 시스템의 광축 방향에 관한 제 2 위치 정보이고, 이에 의한 위치 결정의 정확도는 향상되고 또한 결상 불량의 가능성도 더 저하시킬 수 있다.
더욱이, 제 1 위치 정보는 마스크와 감광 기판간의 상대적인 위치이고, 제 2 위치 정보는 마스크와 감광 기판간의 광축 방향에 관한 상대 위치 및 마스크와 감광 기판간의 상대적인 경사량이고, 이에 의한 상대적인 위치 관계가 효율 좋게 보정된다.
상기 마스크와 감광 기판이 노광 시작 위치에 정지될 때 마스크와 감광 기판간의 상대적인 위치에 의거해서 투영 광학 시스템의 광축에 수직한 방향에 관한 위치 관계가 보정되고, 마스크와 감광 기판의 주사가 시작된 후에 마스크와 감광 기판간의 광측 방향에 관한 상대적인 위치 및/또는 마스크와 감광 기판간의 상대적인 경사량에 의거해서 투영 광학 시스템의 광축 방향에 관한 위치 관계가 보정되도록 상기 장치가 배치되어 있으므로, 쓰루풋을 저하시키지 않고 또한 결상 불량이 없는상태로 노광 주사를 실행할 수 있다.
또한, 기억 수단은 주사 방향에 관한 임의 위치에 상대적인 위치 관계에 의거하여 작성된 데이타 맵을 유지하고, 마스크와 감광 기판간의 상대적인 위치 관계는 노광중에 재차 측정되지 않으므로, 노광중에 주사 방향의 향상을 실현할 수 있다.
더욱이, 데이타 맵으로부터 판독된 위치 정보에 의거해서 구해지는 바와 같이 마스크면에 대해 존재할 감광 기판의 평균적인 면 또는 감광 기판면에 의해 존재할 마스크의 평균적인 면과 일치하도록 감광 기판과 마스크간의 위치 관계는 주사 시작전에 미리 보정되고, 그에 의해 노광시에 주사 속도와 쓰루풋이 더 향샹된다.
또한, 임의 위치에 보정값을 지시하는 보정 맵은 데이타 맵으로부터 판독된 위치 정보에 의거해서 작성되고, 마스크와 감광 기판간의 위치 관계는 상기 보정 맵에 따라 노광중에 연속적으로 보정되는 것에 의해, 마스크와 감광 기판간의 위치 관계는 항상 가장 적합한 상태로 보정되고 그 해상도는 현저하게 향상된다.
더욱이, 임의 위치에 보정값을 지시하는 보정 맵은 데이타 맵으로부터 판독된 위치 정보에 의거해서 작성되고, 마스크와 감광 기판간의 위치 관계는 위치 검출 수단에 의해 리얼 타임에 검출된 보정 맵과 위치 정보에 따라 노광중에 연속적으로 보정되고, 그에 의해 제어 맵에 따른 제어가 더 확실하게 실행된다.
본 발명의 제 2 특징은 마스크상의 복수 영역을 각각 조명하고 이 복수 영역의 각 상을 복수의 투영 광학 시스템을 거쳐서 감광 기판상에 투영함과 동시에 상기 마스크와 상기 감광 기판을 상기 복수의 투영 광학 시스템에 대해서 주사시키는 것에 의해, 상기 마스크의 전체면을 상기 감광 기판상에 노광하는 주사형 노광 장치를 제공하는 것이며, 이 주사형 노광 장치는 상기 노광보다 먼저 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 간극을 상기 마스크와 상기 감광 기판상의 임의 위치에서 측정하는 측정 장치와, 상기 측정 장치에 의해 측정된 상기 상대적인 간극과 이와 관련한 위치를 기억하는 기억 장치와, 상기 마스크 및/또는 상기 감광 기판을 구동하고 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하는 위치 보정 장치 및, 상기 노광시에 기억된 상기 상대적인 간극과 상기 위치에 의거해서 상기 마스크의 상이 투영되는 상기 복수의 영역에 대해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 간극이 소정 관계를 만족하도록 상기 위치 보정 장치를 제어하는 제어기를 포함한다.
상기 기억 장치는 상기 마스크와 상기 감광 기판의 주사 방향에 대해서 상기 복수의 투영 광학 시스템의 각 결상면의 위치에 관한 정보를 기억하고, 상기 제어기는 상기 복수의 투영 광학 시스템의 초점 거리간의 차이에 의거해서 상기 제어를 실행하는 것이 적합하다. 또한, 상기 위치 보정 장치는 상기 마스크면 및/또는 상기 감광 기판면과 직교하는 방향과, 상기 주사 방향의 중심축에 관한 제 1 회전 방향 및, 상기 주사 방향과 상기 직교 방향에 수직한 방향의 중심축에 관한 제 2 회전 방향중 적어도 하나를 구동 방향으로 하는 것이 적합하다.
상술한 바와 같이 본 발명의 제 2 특징에선, 노광보다 먼저 복수의 투영 광학 시스템에 의해 조명되는 마스크와 감광 기판간의 상대적인 간극이 각 임의 위치에서 구해지고, 마스크와 감광 기판간의 상대적인 간극은 주사 노광시에 상기 상대적인 간극에 의거해서 소정 관계를 만족하도록 보정되는 것에 의해, 마스크와 감광 기판간의 간극이 거의 일정하게 유지된다.
또한, 복수의 투영 광학 시스템의 각 결상면의 위치에 관한 정보는 주사 방향에서 미리 구해지고, 마스크와 감광 기판간의 위치 관계는 복수의 투영 광학 시스템의 초점거리간의 차이에 의해서 보정되는 것에 의해, 광학적 거리 차이로 인한 노광 패턴 차이가 제거된다.
또한, 상기 구동 방향은 마스크 및/또는 감광 기판면에 수직한 방향과, 주사방향의 중심축에 관한 제 1 회전 방향 및, 주사 방향에 수직한 방향 및 직교 방향의 중심축에 관한 제 2 회전 방향중 적어도 일방향으로 설정하고, 이에 의해 상기 장치는 어떤 위치에서 신속한 보정을 실행할 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 목적과, 특징 및, 장점이 도면을 참조로 한 하기 설명에 상세히 기술된다.
적합한 실시예의 상세한 설명
본 발명에 따른 주사형 노광(scanning exposure) 장치의 일 실시예를 도시한 제 3도를 참조하면, 참조부호 101 은 전체로서 주사형 노광 장치를 지시하고 있다. 이 주사형 노광 장치(101)는 두개의 결상 광학 계열(또는 투영 광학 계열; 102A, 102B)로 구성되는 결상 광학 시스템(imaging optical system; 102)의 양 측면상에 서로 대향 배치된 마스크(mask; 103)와 감광 기판(photosensitive substrate; 104)을 도면의 평면에서 좌우 방향(X방향)으로 동기 주사시키므로써 마스크(103)상에형성된(또는 기록된) 최초 패턴(original pattern)을 감광 기판(104)에 투영 노광하는 방식중 하나이다.
여기서, 두개의 결상 광학 계열(102A, 102B) 각각은 도면의 Y 방향으로 배치된 복수의 결상 광학 시스템을 구비하고, 이 복수의 결상 광학 시스템은 감광 기판(104)상의 투영 상(projected image)이 지그재그 방법으로 배치되어 있고 다른 열에 있는 인접상의 단부부분이 Y 방향으로 서로 중복되도록 배치되어 있다. 즉, 두 개의 결상 광학 계열(102A, 102B)에 의해 투영된 영역중에 단부 영역은 일정 시간차이를 두고 노광을 중복시키며, 그 결과 단일 주사에 의해 Y 방향으로 큰 면적이 노광될 수 있다.
그런데, 이 주사형 노광 장치(101)의 경우에, 마스크(103)와 감광 기판(104)을 각 홀더(103A, 104A)로 운송하기 위한 운송 시스템(도시 않음)은 결상 광학 시스템(102)의 양측에는 없는 반면에 그 일 측에는 있다. 이것은 마스크와 감광 기판을 각 홀더상에 장착하여 노광(exposure)을 완료한 후에 감광 기판과 마스크를 교환하기 위하여 운송 시스템의 위치까지 다시 이동해야만 하는 것을 의미한다.
그런 다음, 주사형 노광 장치(101)가 결상 광학 시스템(102)에 대해서 벗어난 위치에 설치된 운송 시스템의 위치에서 결상 광학 시스템(102)의 위치(투영 영역)를 통과하여 노광 시작 위치(즉, 진행 주사 기간)까지 이동하는 동안에, 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 위치 관계가 측정되고, 그런 다음 마스크(103)와 감광 기판(104)은 이 측정 결과에 의거하여 상대적인 위치 관계를 보정하는 동안 역방향으로 이동(즉, 복귀 주사가 실행됨)하고 마스크(103)상에 형성된 패턴은 감광기판(104)상에 투영 노광을 실행하도록 되어 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에서 설명한 주사형 노광 장치(101)는 필수 주사 기간인 진행 주사(go scan)동안 상대적인 위치 관계의 검출 기간을 가지며 이 기간동안 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 위치 관계를 검출하고, 이에 의해 쓰루풋(throughput)의 저하없이 마스크(103)와 감광 기판(104)에서 평탄도 (flatness)의 급격한 변화를 따를 수 있다.
이와 같은 노광을 실현할 수 있는 주사형 노광 장치(101)의 각 요소에 대해서 설명한다.
먼저, 마스크(103)와 감광 기판(104)에 대해서 기술 했지만, 마스크(103)와 감광 기판(104)은 각 홀더(103A, 104A)를 거쳐서 C 형상 단면의 주사 스테이지 (scan stage; 105)에 부착되어 있다. 이 주사 스테이지(105)는 레일(106A)을 따라 이동할 수 있도록 본체(106)에 부착되어 있고, 이 주사 스테이지(105)의 이동에 의해 마스크(103)와 감광 기판(104)의 동기 주사가 실현 되도록 되어 있다.
조명 광학 시스템(106B)이 본체(106)에 의해 유지되고 이 조명 광학 시스템(106B)으로부터 방출된 조명광에 의해 마스크(103)상에 형성된(또는 기록된) 최초 패턴을 조명하도록 되어 있다.
더욱이, 이 주사형 노광 장치(101)에 마스크(103)와 감광 기판(104)을 정확히 위치 설정시키기 위한 두개의 검출 광학 시스템이 준비되어 있다.
이들 중 하나는 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 위치를 측정하기 위해 사용되는 얼라인먼트(alignment) 센서(107)이고, 다른 하나는 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 거리[또는 결상 광학 시스템(102)을 거치지 않은 높이]를 측정하기 위해 사용되는 포커스(focus) 센서(108)이다. 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 거리는 결상 광학 시스템(102)의 광축 방향의 간격이다.
여기서, 얼라인먼트 센서(107)는 결상 광학 시스템(102)과 함께 본체(106)에 고정되어 있고, 마스크(103)와 감광 기판(104)의 주사 방향(X 방향)에서 임의 위치에 배치된 상대 위치 측정용 마크(mark; 이하, 얼라인먼트 마크라 함)를 측정하도록 되어 있다. 이와 관련하여, 본 실시예에서 얼라인먼트 센서(107)의 주 구성부품은 CCD 카메라이고, 이 카메라는 결상 평면(image plane)의 신호 처리에 의해 마스크(103)와 감광 기판(104)상에 형성된 얼라인먼트 마크간의 위치 편차를 측정하기 위해 배치되어 있다.
한편, 각 포커스 센서(108)는 발광 소자(108A)와 수광 소자(108B)인 두개의 광학 소자로 구성되어 있다. 본 실시예에서, 주사 방향에(또는 Y 축 방향에) 수직한 방향을 따라 복수의 포커스 센서(108)가 배치되어 있다. 또한, 이들 복수의 포커스 센서(108)는 포커스 센서(108)에 의해 검출지점을 연결하는 직선이 연합된 결상 광학 계열(102A, 102B)에 의해 투영 영역을 연결하는 두개의 직선 사이에 끼워지도록 배치되어 있다.
이 포커스 센서(108)는 발광 소자(108A)로부터 조명되는 슬릿 형상을 한 조명광을 마스크(103)와 감광 기판(104)의 면상에 조사하고, 각 면상에 결상된 슬릿상(slit image)을 수광 소자(108B)상에 재결상시키고, 각 상의 상대 거리를 측정하는 것에 의해 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 거리를 측정하도록 되어있다.
이들 두개의 검출 광학 시스템[얼라인먼트 센서(107)와 포커스 센서(108)]은 측정 결과(S1, S2)를 각 검출 광학 시스템에 대응하는 검출 시스템(109, 110)을 거쳐서 기억 장치(111)에 송출하도록 배치되어 있다. 이와 관련하여 상기 기억 장치(111)에는 고정 디스크와 같은 기억 매체가 설치되어 있고, 얼라인먼트 센서(107)와 포커스 센서(108)에 의해 측정지점의 위치 정보를 기억하도록 되어 있다.
여기서, 기어 장치(111)는 각 측정 지점에서 얻어진 검출 결과(S1, S2)를 기억시키기 위해 배치되어 있다. 특히, 마스크(103)와 감광 기판(104)의 표면 평탄도를 표시하는 평탄도 맵(flatness map)은 광축 방향에 대한 검출 결과(52)에 의거해서 작성되고, 상기 기억 장치(111)는 이것을 기억하도록 배치되어 있다.
기억 장치(111)에 기억되어 있는 위치 정보에 의거해서 홀더(103A, 104A)와 주사 스테이지(105)를 미세 조정하는 제어 수단으로서는 제어 시스템(112)이 준비되어 있다. 이 제어 시스템(112)은 기억 장치(111)로부터 판독된 위치 정보에 의거해서 구동 시스템(113, 114, 115)을 각각 제어하고, 홀더(103A, 104A)와 주사 스테이지(105)의 위치를 보정하도록 되어 있다. 즉, 상기 홀더(103A, 104A)를 X-Y방향으로 이동시키는 것에 의해 얼라인먼트가 보정될 수 있고, 이 홀더를 Z 방향으로 이동시키는 것에 의해 포커스[결상 광학 시스템(102)의 광축을 따르는 방향의 위치]나 레벨링[leveling; 결상 광학 시스템(102)의 광축에 대한 경사]이 보정될 수있다.
이상과 같은 구성에서 주사형 노광 장치(101)에 의한 일련의 주사 노광 작동의 일실시예를 제 4A도 내지 제 4E도를 사용하여 설명한다.
먼저 초기 설정시, 주사 스테이지(105)는 제 4A도에 도시한 바와 같이 결상 광학 시스템(102)에서 벗어난 위치에 정지되어 있다. 주사형 노광 장치(101)는 이 위치에 정지되어 있는 주사 스테이지(105)의 홀더(103A, 104A)상에 운송 시스템으로부터의 마스크(103)와 감광 기판(104)을 장착하고 이들을 노광 시작 위치로의 운송을 시작한다.
이때의 운송 방향은 제 4B도 및 제 4C도에서 화살표로 도시된 방향이다. 이 주사 스테이지(105)의 이동은 마스크(103)와 감광 기판(104)의 동기 주사를 실행한다. 이 진행 주사중에, 제어 시스템(112)은 기억 장치(111)로부터 미리 설정되어 있는 주사 방향으로 일정 측정 간극 또는 위치에서 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 광축 방향의 간극을 연속적으로 측정한다. 또한 제어 시스템은 동일하게 기억 매체에 미리 설정되어 있는 임의 갯수의 얼라인먼트 마크의 각 위치에 주사 스테이지(105)를 일단 정지시키고, 각 위치에서 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 위치 편차를 측정한다.
얼라인먼트 마크의 위치와 광축을 따르는 간극의 측정을 완료한 후에, 상기 주사 스테이지(105)는 역방향으로의 주사(즉, 복귀 주사)에 의해 감광 기판(104)에 마스크 패턴의 노광을 시작하기 위하여 제 4D도에 도시한 바와 같이 마스크(103)와 감광 기판(104)이 결상 광학 시스템(102)으로부터 완전히 떨어져 있는 위치에 정지되어 있다.
이때에 제어 시스템(112)은 복수의 얼라인먼트 마크의 측정에 의해 얻어진 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 위치 편차량으로부터 최소 자승(square)법을 사용하는 기술에 의해 시프트, 회전, 배율(magnification), 직교(orthogonality; 주사 방향에 수직한 축의 경사)등의 요소들을 도출하고, 이에 의거해서 제어 신호를 구동 시스템(113)에 부여하여 홀더(103A)의 설치 위치를 보정하고 그에 의해 감광 기판(104)에 대한 마스크(103)의 위치 편차를 교정한다.
이때 제어 시스템(112)은 또한 결상 광학 시스템(102)에 설치되어 있는 배율 조절기구(도시 않음)와 전사된 상의 전사(transfer) 위치를 조절하기 위한 상 시프터(image shifter) 기구(도시 않음)를 거쳐서 배율과 직교를 또한 교정한다.
더욱이, 이때의 제어 시스템(112)은 복수의 포커스 센서(108)의 측정 결과에 의거해서 마스크(103)의 평탄도 맵(flatness map)과 감광 기판(104)의 평탄도 맵을 각각 작성 한다.
결상 광학 시스템(102)을 구성하는 각 결상 시스템은 가장 적합한 해상력 (resolving power)을 얻기 위해 포커스 높이와 범위(초점 깊이)를 각각 가지고, 상기 제어 시스템(112)은 이들을 고려해서 마스크(103)와 감광 기판(104) 모두가 초점 깊이내로 설정되도록 근사면(approximate plane)을 마스크(103)의 기준면으로 적상한다. 이 제어 시스템은 감광 기판[104; 또는 마스크(103)]의 포커스 높이와, 복수의 결상 시스템의 투영 영역 모두를 포함하는 영역의 표면 경사를 최소 자승법으로 도출한다. 상기 제어 시스템(112)은 이 단계에서 감광 기판(104)의 경사가 근사면과 일치하도록 구동 시스템(114)을 제어하고, 마스크(103)와 감광 기판(104)의 부착 위치를 보정한다.
이와 같이 마스크(103)의 부착 위치의 교정과 상술한 평탄도 맵에 의거한 광축 방향의 간극과 경사의 제어가 종료된 때, 상기 제어 시스템(112)은 제 4E도에 도시한 바와 같이 화살표로 도시한 방향으로 주사 스테이지(105)의 주사를 시작하고, 마스크(103)상에 형성된 패턴의 상을 감광 기판(104) 으로 차례로 투영 노광한다.
그런데, 본 실시예의 경우에는 이미 상술한 보정 처리에 의해 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 위치 관계가 가장 적합한 조건으로 보정되도록 배치되어 있기 때문에 노광 주사에 의한 결상 불능등의 가능성이 없다.
또한 이 경우에, 주사 기간동안에 복잡한 연산(arithmetic) 처리를 필요로 하지 않기 때문에 노광중에 주사 속도가 증가할 수 있고, 종래 기술에 비해서 훨씬 더 짧은 기간내에 노광 동작을 종료할 수 있다.
운송 시스템의 위치까지 주사 스테이지(105)의 주사가 종료한 후에, 제어 시스템(112)은 주사 스테이지(105)를 정지시키고 현재 홀더(103A, 104A)에 설치된 마스크(103)와 감광 기판(104)을 다음에 노광하는 새로운 마스크(103)와 감광 기판(104)으로 교환한다. 이상의 동작은 노광 동작의 싸이클이다.
상기 구조는 운송 시스템으로부터 수용된 감광 기판(104)을 결상 광학 시스템(102)의 위치를 통과하여 운송 시스템과는 반대측에 설치된 노광 시작 위치로 운송하는 진행 주사동안에, 상기 얼라인먼트 센서(107)가 마스크(103)와 감광기판(104)간의 상대 위치를 측정하고 포커스 센서(108)가 마스크(103)와 감광 기판(104) 사이에서 광축 방향으로의 거리를 측정하도록 배치되어 있고, 이들 정보에 의해서 주사 노광전에 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 위치 관계가 보정되는 것에 의해, 복귀 주사중에 주사 속도를 증가시킬 수 있고 종래 기술과 비교하면 주목할만한 쓰루풋을 향상시킬 수 있다.
특히, 종래 기술과 같은 노광시에 상대적인 위치 관계의 측정과 보정을 실행하기 위한 방법의 경우에, 높은 처리 능력을 갖는 CPU 는 얻어진 측정 데이타가 최소 자승법으로 대표되는 복잡한 통계(statistical) 처리를 실시할 필요가 있기 때문에 사용되어야만 한다. 이와 반대로, 본 실시예는 CPU 를 사용할 필요가 없으며 경제적이다.
또한, 마스크(103)와 감광 기판(104)간의 상대적인 위치 관계를 보정하기 위해 필요한 각종 요소가 노광 동작전에 얻어지기 때문에, 노광과 동시에 측정과 보정을 실행하기 위한 방법의 예측이 곤란하고 급격한 변화를 구비하는 마스크(103)와 감광 기판(104)을 사용하여 노광하는 경우에도 결상 불량등의 발생이 효과적으로 방지 된다.
이상 상술한 실시예는 진행 주사의 종료 지점에 있는 노광 시작 위치에서 마스크(103)를 기준면으로 하여 얻은 근사면에 감광 기판(104)이 일치하도록 미리 보정하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지는 않고 하기에 상세히 기술하는 바와 같이 복귀 주사증에 감광 기판(104)의 위치가 연속적으로 보정되도록 하여도 좋다. 이 경우에, 노광 시작 위치에 주사 스테이지(105)가 정지되어있는 상태로 평탄도 법을 기준으로 한 보정용 제어 맵(감광 기판 상의 임의 위치에 보정값을 표시)이 미리 작성될 수 있고, 주사가 시작된 추에 제어 맵을 기준으로 광축 방향의 간극 및/또는 광축에 대한 경사각을 연속적으로 보정하도록 하면 좋다. 이와 관련하여, 상기 경사각은 주사 방향을 따르는 방향으로 또는 주사 방향에 수직한 방향으로 보정할 수 있다.
또한 실제 노광중에 얻어지는 포커스 센서(108)의 측정값을 사용하면, 그 제어 맵에 따른 제어가 보다 확실하게 실행된다.
이와 같은 주사 노광중에 감광 기판(104)의 위치가 보정되는 경우에도, 노광영역에 관한 위치 정보가 사전에 얻어지고 보정을 위한 제어량이 미리 산출되기 때문에 상기 감광 기판(104)은 마스크(103)에 대해서 항상 적합한 위치에 배치되도록 제어할 수 있다. 이것은 결상 불량이 없는 노광을 허용한다.
또한, 이 경우에, 감광 기판(104)의 광축 방향의 위치와 경사를 제어하기 위한 구동 시스템의 응답성이 양호하지 않는 경우나 마스크 및/또는 감광 기판의 평탄도 변화를 상기 구동 시스템이 따를 수 없는 경우에, 주사 속도를 점점 저하시키고 조명 광속의 조도를 제어하기 위한 기구가 추가로 설치되어 있고, 이것을 이용하여 조도를 저하시키면 좋다. 이와 같이 하여도 종래 기술에 비해서 쓰루풋은 향상되고 해상도의 저하 가능성없이 노광이 실행된다.
더욱이, 주사 노광중의 보정은 마스크(103)의 위치를 고정하여 감광 기판(104)등의 높이를 연속적으로 보정하는 경우에 대해서 기술했지만, 본 발명은 감광기판(104)을 고정하여 마스크(104)를 보정하는 경우나 또는 마스크(103)와 감광 기판(104)을 동시에 보정하는 경우에도 폭넓게 적용된다. 이와 같은 경우에, 해상도의 열화(degradation) 가능성없이 노광을 실행할 수 있다.
또한 상술한 실시예는 본 발명이 두개의 결상 광학 계열을 사용하여 주사형 노광 장치에 적용되는 경우에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이것에 제한되지 않는다. 본 발명은 단일 또는 일 열의 결상 광학 시스템을 사용하는 주사형 노광 장치의 경우에 또는 3열 이상의 결상 광학 시스템을 사용하는 주사형 노광 장치의 경우에도 적용할 수 있다. 양 경우에, 종래 기술과 비교하면 쓰루풋이 높고 해상도 열화가 낮은 주사형 노광을 실현할 수 있다.
더욱이, 상술한 실시예는 얼라인먼트 센서(107)가 CCD 카메라로 구성되고 CCD 카메라로 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위하여 얼라인먼트시에 주사 스테이지(105)가 일단 정지되는 경우에 대해서 기술했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 레이저 간섭계(interferometric) 얼라인먼트 방법을 채용하면 주사 스테이지(105)는 얼라인먼트 측정시 정지되지 않아도 된다. 이것은 쓰루풋을 현저하게 향상시킬 수 있다.
비록 상기 실시예가 광축 방향으로 위치 정보의 측정 위치에 대해 어떤 특정 한정을 하지 않았을지라도, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 상기 위치 정보는 얼라인머트 센서(107)에 의해 얼라인먼트 마크를 측정하는 위치에서 동시에 측정하여 얻을 수 있다. 이와 같은 구성은 쓰루풋을 더 향상시킨다.
더욱이, 상술한 실시예는 광축방향을 따르는 위치 정보가 결상 광학 계열(102A, 102B)의 간섭없이 측정되는 위치, 즉, 측정 위치가 노광 영역 부근에설치되어 있는 경우에 대해서 기술했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 본 발명은 상기 위치가 결상 광학 계열(102A, 102B)을 거쳐서 광축을 따르는 방향에서 측정되어 경우에, 상기 보정 정밀도는 노광 영역내의 위치 정보가 정확히 측정된 값으로 얻어지기 때문에 더 향상된다.
상기 실시예는 포커스 센서(108)의 부착 위치와 얼라인먼트 센서(107)의 부착 위치간의 상호 관계에 대해서 설명하지 않았지만, 포커스 센서(108)를 얼라인먼트 센서(107)에 대해서 진행 주사 방향의 상류측에 배치시키기 위해 쓰루풋을 저하 시킴없이 얼라인먼트 마크의 위치에서 정화한 포커스를 실행할 수 있고 얼라인먼트 정밀도를 더 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예가 제 5도 내지 제 10도를 참조로 하여 하기에 상세히 설명된다.
상술한 바와 같이 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 간극을 제어하기 위해 세가지 방법을 고려할 수 있다. 즉, 마스크(202)를 고정하여 유지하는 동안 감광기판(203)을 구동하는 방법과, 감광 기판(203)을 고정하여 유지하는 동안 마스크 고려할 수 있다. 본 실시예에서는 마스크(202)를 고정하여 유지하는 동안 감광기판(203)을 구동하는 경우를 예로 하여 복수의 투영 광학 시스템을 사용하는 주사형 노광 장치를 설명한다.
상기 주사형 노광 장치의 개략적인 구성이 제 5도에 도시되어 있다. 이 주사형 노광 장치(211)는 세개의 투영 광학 시스템(212A, 212B, 212C)의 양측에 서로 대향하도록 배치된 마스크(202)와 감광 기판(203)을 도면의 평면에 수직한 방향(X방향)으로 동기 주사시키는 것에 의해 마스크(202)상에 형성된(기록된) 패턴을 감광 기판(203)상에 투영 노광하는 방법의 것이다.
세개의 투영 광학 시스템(212A, 212B, 212C)은 도면에 도시된 Y 방향으로 지그재그 방식으로 배치되어 있고, 그 각각의 투영 영역은 인접 영역 사이에서 Y 방향으로 부분적으로 중복되어 있고, 각 노광 영역의 단부 부분간의 상호 중복의 큰 면적을 단일 주사로 노광할 수 있도록 되어 있다.
각 부품의 구성이 다음에 설명된다. 마스크(202)와 감광 기판(203)은 각 홀더(213, 214)를 거쳐서 C 형상 단면의 주사 스테이지(215)에 부착되어 있다. 여기서, 실제의 장치에는 주사 스테이지(215)의 개구 부분이 하향을 향하는 상태로 사용된다. 이 주사 스테이지(215)는 레일(216A)을 따르는 X 방향으로 이동할 수 있도록 본체(215)에 부착되어 있다. 이 주사 스테이지(215)의 이동은 마스크(202)와 감광 기판(203)의 동기 주사를 실현한다. 이에 의해, 동기 주사되는 마스크(202)와 감광 기판(203)을 조명하는 조명 광학 시스템(216B)이 본체(216)에 유지되어 있다.
그런데, 이 주사형 노광 장치(211)에는 마스크(202)와 감광 지판(203)간의 위치 관계를 정확히 조정하기 위한 두개의 검출 광학 시스템이 설치되어 있다. 이중 하나는 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 상대 위치를 측정하기 위해 사용되는 얼라인먼트 센서(도시 않음)이다. 다른 하나는 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 상대적인 간극을 측정하기 위해 사용되는 포커스 센서(217)이다. 이와 관련하여, 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 상대적인 간극이 투영 광학 시스템(212A, 212B, 212C)의 초점 방향을 지시하기 때문에, 이하에서 포커스 방향(도면에서 Z 방향)이라고 한다.
각 포커스 센서(217)는 발광 소자(217A)와 수광 소자(217B)인 두개의 광학소자로 구성되어 있다. 이들 한 방의 발광 소자(217A)와 수광 소자(217B)는 각 투영 광학 시스템의 부재중에 축외(off-axis) 위치에 설치되어 있다. 측정시에 발광 소자(217A)로부터 마스크 면(202A)과 감광 기판면(203A)의 양면을 향해 조명광이 사출되고, 각 면에서 반사된 반사광으로부터 얻어진 상간의 상대적인 거리가 측정되어 마스크 면(202A)과 감광 기판면(203A)간의 상대적인 간극이 얻어진다. 본 실시예에서는 마스크면(202A)과 감광 기판면(203A)상의 복수 지점에서 상대적인 간극이 측정된다고 가정한다. 이때 측정 지점이 더 많으면 많을수록 후술하는 바와같이 평탄도 맵의 정밀도가 더 높아지지만, 너무 많은 측정 지점은 신호 처리시에 너무 많은 시간이 소비되기 때문에 측정 지점의 적정한 수가 선택되어야 한다.
포커스 센서(217)에 의해 각 측정 지점에서 측정된 검출 결과(S21)는 검출시스템(218)을 거쳐서 기억 장치(219)에 공급되고, 고정 디스크와 같은 기억 매체에 위치 정보로 저장된다. 그런데 검출 시스템(218)으로부터 부여된 측정 값은 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 상대적인 간극만이 있고, 제 6A도에 도시한 바와같이 마스크(202) 또는 감광 기판(203)의 요철이 구별되지 않는다.
본 실시예는 제 6B도에 도시한 바와 같이 마스크(202)가 이상적인 평면에 있다고 가정하면 모든 요철이 감광 기판(203)에 존재한다. 즉, 마스크면(202A)을 기준으로 하여 측정값에 의해 감광 기판(203)의 높이와 경사가 제어된다. 이 때문에, 기억 장치(219)는 검출 시스템(218)으로부터 부여된 검출 결과(S21)에 의거해서 감광 기판면(219A)상의 요철을 등고선(contour line)으로 연결한 곡면(이하, 이것을 평탄도 법이라고 한다)을 생성하여 이것을 기억한다.
상기 제어 시스템(220)은 홀더(213, 214)와 주사 스테이지(215)의 위치를 보정하기 위하여 평탄도 맵에 의거해서 구동 시스템(2221, 222, 223)을 제어한다. 노광 영역내의 감광 기판(203)이 이와 같은 방법으로 평탄도 맵을 따라 제어된다면, 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 간극은 항상 가장 적합하게 될 수 있다.
그러나, 감광 기판(203)은 투영 광학 시스템(212A 내지 212C)에 대응하는 각 노광 영역중 각각에 의해 이송되지 않는다.
그런데, 이 주사형 노광 장치(211)는 노광 영역내에 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 간극을 가장 적합하게 할 수 있고, 후술하는 바와 같이 Z, Zθ1, Zθ2방향으로의 이동 또는 회전에 의해 제어될 수 있는 면과 같은 근사면을 작성한다. 그리고, 제 7도에 도시한 바와 같이, 감광 기판(203)은 주사 방향(X 방향)을 중심축(L1)으로 한 회전 방향(Zθ1)으로 회전시키거나 또는 주사 방향(X 방향)과 포커스방향(Z 방향)에 수직한 방향(Y 방향)을 중심축(L2)으로 한 회전 방향(Zθ2)으로 회전시키므로서 근사면과 일치하도록 제어된다(여기서, Zθ2를 구동할 때는 두 계열의 투영 광학 시스템이 주사 방향으로 얼라인먼트되어 있는 경우이다).
상기 근사면의 작성 방법의 변화가 고려된다. 먼저, 최소 자승(least square)법을 사용하는 간단한 방법이 고려된다. 이 방법이 사용될 때, 감광 기판면(203A)내에서 주사 방향(X 방향)에 수직한 방향(Y 방향)으로 얼라인먼트된복수지점에서 평탄도가 구해지고, 이 복수의 평탄도 값으로 최소 자승법에 의해 근사선(approximate line; LV)이 작성된다. 이 근사선(LV)이 제 8도에 도시되어 있다.
노광시 주사 방향상의 각 위치에서 구해진 근사선(LV)에 감광 기판면(203A)을 일치시키기 위하여 상기 홀더(214)는 회전(Zθ1방향) 또는 이동(Z 방향)된다.
그런데, 상기 주사형 노광 장치(211)는 세개의 투영 광학 시스템(212A, 212B, 212C)을 갖는다. 이 때문에 마스크(202)와 감광 기판(203)이 근사면과 결합시키기 위해 간단히 조절된다면 각 투영 광학 시스템(212A, 212B, 212C)의 초점거리의 차이 때문에 상기 감광 기판은 가정 적합한 위치에 배치되지 않을 가능성이 있다. 따라서, 평탄도 맵은 각 투영 광학 시스템(212A, 212B, 212C)의 초점 거리의 차이도 고려하여 작성된다.
예를 들면, Y 방향으로 얼라인먼트된 복수의 투영 광학 시스템(212A, 212B, 212C)의 초점 거리의 차이로 주사 노광이 실행된다면, 제 9도에 도시한 바와 같이 감광 기판(203)의 Y 방향으로 감김(winding)이 있는 것처럼 말할 수 있다. 다른 한편, 초점 거리의 차이는 감광 기환(203)의 요철로 고려된다. 이 경우에, 상기 차이는 주사 노광중에 주사 방향(X 방향)과 평행한 중심축(L1)을 중심으로 감광 기판(203)을 회전(Zθ1방향)시키므로써 극복된다.
이 방법에서, 주사형 노광 장치(211)는 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 간극에 의해 구해진 근사면에 관한 정보와 초점 거리에 관한 정보에 의거해서 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 위치 관계를 보정하므로써 투영 광학 시스템(212A, 212B, 212C)을 통해서 조명되는 각 노광 영역에 의해 상기 마스크(202) 패턴이 정확히 감광 기판(203)에 전사될 수 있도록 비치되어 있다.
이상의 구성에서 주사형 노광 장치(211)에 의한 주사 노광 동작이 다음에 설명된다.
먼저, 노광에 앞서, 주사형 노광 장치(211)는 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 상대적인 간극을 마스크(202)와 감광 기판(203)상의 임의 위치에서 측정하고, 이 위치와 상대적인 관계를 기억 장치(219)내의 기억 매체에 기억시킨다. 또한, 상기 주사형 노광 장치는 이들 정보에 의거해서 상술한 평탄도 맵을 작성하고 근사면을 작성한다. 또한, 상기 장치는 각 투영 광학 시스템(212A, 212B, 212C)의 초점 거리의 차이에 의해서 보정량을 구한다.
필요한 정보가 이들 처리에 의해 구해질 때, 상기 제어 시스템(220)은 구동 시스템(223)에 제어 데이타를 공급하여 주사 스테이지(215)의 주사를 시작한다. 또한, 제어 시스템(220)은 구동 시스템(222)에 제어 데이타를 공급하여 감광 기판(203)이 장착되어 있는 홀더(214)를 Z 방향으로 이동시키거나 또는 두개의 중심축(L1, L2)에 관해 이것을 회전(Zθ1, Zθ2)시키고(두개의 투영 광학 시스템이 주사방향으로 얼라인먼트되어 있다면 Zθ2로 구동된다. 이와 동일), 이에 의해 주사 노광중에 감광 기판(203)과 마스크(202)의 위치가 가장 적합한 상태로 제어된다.
상기 장치는 감광 기판(203)에 관한 제어 데이타가 제어 시스템(220)으로부터 구동 시스템(222)까지 보내지고 감광 기판(203)이 이 데이타 값에 의해 구동되도록 배치되어 있으나, 제어 데이타의 송출 지점에서 노광될 영역에 관한 제어 데이타가 제어 시스템(220)으로부터 구동 시스템(222)까지 보내진다면 이 처리가 지연될 것이다. 즉, 감광 기판(203)은 구동 시스템(222)이 제어 데이타에 의거한 동작을 시작하기 전에 주행하고, 실제로 위치 보정을 위한 제어가 실행될때 감광 기판(203)의 구동은 제어 시스템(220)에 의해 지정된 위치에서 지연된 위치에 의해 동작이 실행된다.
따라서, 제어 시스템(220)은 감광 기판(203)의 주행 속도[또는 주사 스테이지(215)의 주사 속도]를 고려하여 지정 위치에서 홀더(214)에 의한 구동을 완료하기 위해 제어 위치 바로 앞의 위치에서 제어 데이타를 보내도록 배치되어 있다.
예를 들면, 제어 시스템(220)에서 구동 시스템(222) 까지 제어 데이타로서 위치 정보가 보내질때까지의 시간을 t1, 구동 시스템(222)이 위치 정보를 판단하여 구동을 완료할때까지의 시간을 t2, 또한 이때에 감광 기판(203)의 이동 속도를 v라고 하면, 어떤 노광 영역이 위치(x)로 올 때에 감광 기판(203)의 위치를 보정하는 것으로 하면, 위치 정보는 하기 식(1)로 도시된 위치(X)에 노광 영역이 올때에 보내진다.
X = x - v(t1 + t2) ‥‥ (1)
상술한 바와 같이, 주사형 노광 장치(211)는 제어 데이타를 기본으로 필요에 따라서 감광 기판(203)을 Z 방향으로 이동시키거나 또는 두개의 중심축(L1, L2)을중심으로 회전(Zθ1, Zθ2)시키는 동안 노광을 실행한다(두 열의 투영 광학 시스템이 주사 방향으로 얼라인먼트된 경우에 Zθ2로의 구동이 실행된다).
상기 구성에 따르면, 미리 측정되어 기억된 상대적인 간극과 위치에 관한 정보에 의거하여 주사 노광중에 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 위치 관계는 항상 가장 적합한 상태(해상력과 텔레센트릭시티가 가장 양호한 상태)로 제어되고, 이에 의해 정밀도가 좋은 상태로 마스크(202)상의 패턴이 감광 기판(203)에 전사될 수 있다.
더욱이, 상기 장치는 광축 방향(Z 방향)을 따라 감광 기판(203)의 위치를 보정하지 않을 뿐만 아니라 주사 방향(X 방향)과 평행한 중심축(L1)에 관해 또는 주사 방향에 수직한 중심축(L2)에 관해 회전시키므로써 감광 기판(203)의 경사를 보정하도록 되어 있는 것에 의해 마스크면(202A)과 감광 기판면(203A)의 형상에 어울리는 미세한 제어가 실현된다.
상기 실시예는 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 상대적인 위치 관계를 보정하기 위해 감광 기판(203)만이 상기 마스크(202)를 고정하여 유지하는 동안 주사 노광중에 연속적으로 구동되는 실시예에 대해 기술했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 마스크(202)만이 감광 기판(203)을 고정하여 유지하는 동안 주사 노광중에 연속적으로 구동되도록 구성되거나 또는, 마스크(202)와 감광 기판(203) 양자가 주사 노광중에 연속적으로 구동되도록 구성해도 좋다.
또한, 상기 실시예는 세개의 투영 광학 시스템을 사용하는 실시예에 대해서기술했지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 본 발명은 두개의 투영 광학 시스템을 사용하는 경우 또는 네개 이상의 시스템을 사용하는 경우에도 폭넓게 적용된다.
더욱이, 상기 실시예는 투영 광학 시스템(212A 내지 212C)이 주사 방향(X 방향)에 수직하고 투영 광학 시스템의 광측 방향(Z 방향)에 수직한 방향(Y 방향)을 따라 얼라인먼트되어 있는 경우에 대해서 기술했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 Y 방향으로 얼라인먼트된 복수열의 투영 광학 시스템 그룹이 주사 방향(X 방향)으로 얼라인먼트되어 있는 경우에도 적용된다.
예를 들면, 제 10도에 도시한 바와 같이, 복수개의 투영 광학 시스템이 주사방향을 따라 두열로 설치되어 있다. 이 경우에, 제 1 열의 투영 광학 시스템(212A 내지 212C)과 제 2 열의 투영 광학 시스템(212D, 212E)간의 초점 거리의 차이가 있고 주사 노광이 이것으로 실행된다면, 제 1 열의 노광 패턴과 제 2 열의 노광 패턴사이에서 초점거리의 차이로 인한 차이가 나타난다. 그런 다음, 이 경우에 상기 차이는 주사 방향(X 방향)에 수직한 중심축(L2)에 관한 마스크(202) 또는 감광 기판(203)을 회전(B8 2)시키므로써 극복된다 즉, 상기 차이는 근사면과 일치하도록 하기 위해 마스크(202)와 감광 기판(203)을 Z 방향으로 이동시키거나 또는 마스크(202)와 감광 기판(203)을 두 축(L1, L2)에 관해 회전시키므로써 극복된다. 이것은 초점 거리의 차이로 인해 패턴 차이를 감소시킬 수 있다.
더욱이, 상기 실시예에서는 근사면을 작성할 시에 자승법을 사용하는 경우에 대해서 기술했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 근사면은 다른 방법을 사용하여 작성할 수 있다. 예를 들면, 평탄도의 최고 참을 고려하기 위한 방법이 고려된다. 최소 자승법을 사용하는 방법에 있어서, 평균적인 평면이 전체 영역에서 얻어지기 때문에 미세한 최고값 또는 최소 값이 있다면 근사면과의 차이는 그 부분에서 크게된다. 다른 한편, 노광시에 미세한 것이 있다면, 국부적 피크(local peak)의 존재는 노광 변화로 나타난다. 따라서, 전체 노광 영역의 평균적 평면보다도 최대값과 최소값을 서서히 연결하는 평면이 적합하다.
다른 방법은 초점 길이를 고려하는 방법이 있다. 광학 시스템은 초점 심도를 가지고 범위내에서 상기 시스템은 초점이 유지된다. 즉, 마스크(202) 및/또는 감광 기판(203)에 요철이 있거나 또는 복수의 투영 광학 시스템(212A 내지 212C)간의 초점 거리의 차이가 있다면, 마스크(202)와 감광 기판(203)은 이들이 이 범위내에 유지되는 한 구동되지 않는다. 따라서, 초점 심도가 미리 측정되고 그 범위내에서 플레이트가 구동되는 것으로 고려된다.
주사 방향(X 방향)과 포커스 방향(Z 방향)에 수직한 방향(Y 방향)에서 복수의 평탄도 값이 얻어질 때, 매부 상이한 값이 평탄도로써 도시되어 있는 것을 고려할 수 있다. 그 이유로서는 플레이트의 부분적이 변형, 먼지의 부착, 검출기의 이상 등이 고려된다. 이 경우에, 상기 정보가 그대로 사용된다면, 이상값의 사용이 다른 평탄도 값에 영향을 미치기 때문에 정화한 근사값이 얻어지지 않는다. 이와같은 불편을 회피하기 위하여, 허용가능한 값이 설정되고 그 허용가능한 값을 초과하는 평탄도 값은 생략된다.
상술한 실시예는 감광 기판(i03)의 평탄도 맵이 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 상대적인 간극으로부터 마스크(202)를 기준으로 하여 작성하는 기술에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명은 감광 기판(203)을 기준으로 하여 마스크(202)의 평탄도 맵을 작성하는 경우 또는 마스크(202)와 감광 기판(203) 각각에 대해 평탄도 맵을 구하는 경우에도 적용할 수 있다. 마스크(203)와 감광 기판(203)의 평탄도 맵을 얻을때, 상기와 같은 제어는 마스크(202)와 감광 기판(203)간의 상대적인 간극이 공지되어 있기 때문에 적용할 수 있다.
더욱이, 상기 실시예는 마스크(202)와 감광 기판(203)이 중심축(L1, L2)에 관해 회전되도록 배치된 경우의 실시예에 대해 기술했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 마스크(202)와 감광 기판(203)은 X-Y 평면내에서 이동하도록 배열되어 있다[또는 중심축(L1, L2)이 각각 X-Y 평면내로 이동한다].
따라서, 본 발명은 상술한 적합한 실시예에 제한되지 않고, 또한 본 발명은 첨부된 청구범위의 정신내에 떨어지는 모든 실시예를 포함한다.
제 1도는 주사형 노광(scanning exposure) 장치에 의한 주사 노광을 설명하기 위한 개략도.
제 2도는 투영 광학 시스템(projection optical system)의 초점 거리(focal length)의 변화를 도시한 개략도.
제 3도는 본 발명에 따른 주사형 노광 장치의 일 실시예를 도시한 개략 블록선도.
제 4A도 내지 제 4E도는 주사형 노광을 설명하기 위한 개략도.
제 5도는 본 발명에 따른 주사형 노광 장치의 다른 실시예를 도시한 개략 블록선도.
제 6A도 및 제 6B도는 마스크 면(mask surface)과 감광 기판(photosensitive substrate) 양쪽에 존재하는 요철(asperity)이 감광 기판에서만 요철로 된다고 가정하는 상태를 설명하기 위한 개략도.
제 7도는 위치 관계의 보정에 사용되는 구동축을 설명하기 위한 개략도.
제 8도는 근사면(approximate plane)을 설명하기 위한 개략도.
제 9도는 초점 거리가 다른 투영 광학 시스템을 사용하는 주사형 노광에 의해 얻어지는 초점 위치의 궤적(trace)을 도시한 개략 사시도.
제 10도는 주사 방향으로 배치된 복수의 투영 광학 시스템을 설명하기 위한 개략 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
101, 211 : 주사형 노광 장치 102 : 결상 광학 시스템
103, 202 : 마스크 104, 203 : 감광 기판
105, 215 : 주사 스테이지 107 : 얼라인먼트 센서
108, 217 : 포커스 센서 109, 110, 218 : 검출 시스템
111, 219 : 기억 장치 112, 220 : 제어 시스템
113, 114, 221, 222, 223 : 구동 시스템
213, 214 : 홀더
Claims (23)
- 마스크를 조명하고 이 마스크의 상을 투영 광학 시스템을 거쳐서 감광 기판상에 투영함과 동시에, 상기 마스크와 상기 감광 기판을 상기 투영 광학 시스템에 대해 주사시키는 것에 의해, 상기 마스크의 전체면을 상기 감광 기판상에 노광하는 주사형 노광 장치에 있어서,상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하는 위치 검출기와,상기 위치 검출기에 의해 얻어진 위치 정보를 기억하는 기어 장치와,상기 기억 장치에 기억된 위치 정보에 의거해서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하는 위치 보정 장치 및,상기 마스크와 상기 감광 기판을 상기 투영 광학 시스템의 투영 영역에 대해서 미리 이동시키므로써 상기 위치 검출기에 의해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하고, 상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 노광 시작 위치에 정지 될때 또는 상기 노광시에 상기 위치 보정 장치에 의해 상기 기억장치에 기억된 위치 정보에 의거해서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 위치 정보는 상기 투영 광학 시스템의 광축에 대해서 수직한 방향에 관한 제 1 위치 정보와 상기 투영 광학 시스템의 광축 방향에 관한 제 2 위치 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 2항에 있어서,상기 제 1 위치 정보는 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치이고, 상기 제 2 위치 정보는 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 광측 방향에 관한 상대 위치와 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 경사량인 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 3항에 있어서,상기 제어기는 상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 노광 시작 위치에 정지될때 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치에 의거해서 상기 위치 보정 장치를 제어하고, 이에 의해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계중에 상기 투영 광학 시스템의 광축에 대해서 수직한 방향에 관한 위치 관계를 보정하며,상기 노광중에 상기 제어기는 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상기 광축 방향에 관한 상대 위치 또는 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 경사량에 의거해서 상기 위치 보정 장치를 제어하고, 이에 의해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위처 관계중에 상기 투영 광학 시스템의 광축 방향에 관한 위치 관계를 보정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 4항에 있어서,상기 기억 장치는 상기 위치 검출기에 의해 검출된 상기 주사 방향에 관한 임의 위치에서 상기 위치 정보에 의거하여 얻어진 데이타 맵을 유지하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 5항에 있어서,상기 위치 보정 장치는 상기 데이타 맵으로부터 판독된 상기 위치 정보에 의거하여 구해지는 상기 마스크면에 대해 존재할 평균적인 상기 감광 기판면 또는 상기 감광 기판면에 대해 존재할 평균적인 상기 마스크면과 일치하도록 상기 감광기판과 상기 마스크간의 위치 관계를 상기 노광 시작 위치에 정지하고 있을 때 미리 보정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 5항에 있어서,상기 위치 보정 장치는 상기 데이타 맵으로부터 판독된 상기 위치 정보에 의거해서 상기 임의 위치에서 보정값을 나타내는 보정 맵을 작성하고, 상기 보정 맵에 따라서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계를 상기 노광중에 연속적으로 보정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 5항에 있어서,상기 위치 보정 장치는 상기 데이타 맵으로부터 판독된 상기 위치 정보에 의거해서 상기 임의 위치에서 보정값을 나타내는 보정 맵을 작성하고, 상기 보정 맵에 따라서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계와 상기 위치 검출기에 의해 실시간에 검출된 위치 관계를 상기 노광중에 연속적으로 보정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 마스크상의 복수 영역을 각각 조명하고, 이 복수 영역의 각 상을 복수의 투영 광학 시스템을 거쳐서 감광 기판상에 투영함과 동시에, 상기 마스크와 상기 감광 기판을 상기 복수의 투영 광학 시스템에 대해서 주사시키는 것에 의해, 상기 마스크의 전체면을 상기 감광 기판상에 노광하는 주사형 노광 장치에 있어서,상기 노광에 앞서서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 간극을 상기 마스크와 상기 감광 기판상의 임의 위치에서 측정하는 측정 장치와,상기 측정 장치에 의해 측정된 상기 상대적인 간극과 이와 관련한 위치를 기억하는 기억 장치와,상기 마스크 또는 상기 감광 기판을 구동하고 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하는 위치 보정 장치 및,상기 노광시에 기억된 상기 상대적인 간극과 상기 위치에 의거해서 상기 마스크의 상이 투영되는 상기 복수의 영역에 관한 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 간극이 소정 관계를 만족하도록 상기 위치 보정 장치를 제어하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 9항에 있어서,상기 기억 장치는 상기 마스크와 상기 감광 기판의 주사 방향에 대해서 상기 복수의 투영 광학 시스템의 각 결상면의 위치에 관한 정보를 기억하고,상기 제어기는 상기 복수의 투영 광학 시스템의 초점 거리간의 차이에 의거해서 상기 제어를 실행하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 10항에 있어서,상기 위치 보정 장치는 상기 마스크면 또는 상기 감광 기판면에 대해서 직교하는 방향과, 상기 주사 방향의 중심축에 관한 제 1 회전 방향 및, 상기 주사 방향과 상기 직교 방향에 수직한 방향의 중심축에 관한 제 2 회전 방향중 적어도 하나를 구동 방향으로 하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 마스크와 감광 기판을 소정 주사 방향으로 동시에 이동시켜서 투영 광학시스템을 통하여 감광 기판상에 마스크의 패턴을 연속전으로 전송하는 주사형 노광 장치에 있어서,상기 투영 광학 시스템의 광축에 대해 수직한 2차원 방향으로 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하는 제 1 위치 검출기와,상기 광축 방향으로 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하는 제 2 위치 검출기와,상기 광축에 대해 수직한 2차원 방향으로 상기 마스크와 상기 감광 기판간의상대적인 위치 관계를 조절하는 제 1 조절기와,상기 광축 방향에 대해서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치관계를 조절하는 제 2 조절기와,상기 제 1 위치 검출기와 제 2 위치 검출기에 연결되고 상기 제 2 위치 검출기의 출력을 감시하는 동안 소정 얼라인먼트 지점에서 상기 광축 방향에 대해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 조절하는 제 2 조절기를 제어하는 반면에, 상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 투영 광학 시스템의 투영 영역을 지나서 노출 시작 위치로 동시에 운송된 후에 상기 제 1 위치 검출기가 상기 광축에 대해 수직한 2차원 방향으로 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하는 제 1 검출기 및,상기 제 1 위치 검출기에 연결되고, 상기 마스크와 상기 감광 기판이 노광 시작 위치로 운송된 후와 노광 시작전에 상기 광축에 대해 수직한 2차원 방향으로 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계에 의거하여 상기 제 1 위치 검출기에 의해 검출된 상기 광축에 대해 수직한 2차원 방향으로 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 조절하도록 제 1 조절기를 제어하는 제 2제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 마스크와 상기 감광 기판간의 주사 노광중에 상기 제 2 위치 검출기로부터의 출력에 의거하여 상기 광축 방향에 대해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의상대적인 위치 관계를 조절하도록 제 2 조절기를 제어하는 제 3 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 제어기가 상기 소정 얼라인먼트 지점에서 상기 제 2 조절기를 제어할 시에 상기 제 2 제어기의 제어량을 기억하는 기억 장치를 더 포함하고,상기 제 3 제어기는 상기 제 2 위치 검출기로부터의 출력과 상기 기억 장치에 기억된 상기 제 2 조절기의 제어량에 의거하여 상기 주사 노광중에 상기 제 2 조절기를 제어하는 것을 특정으로 하는 주사형 노광 장치.
- 마스크와 감광 기판을 서로 직면하도록 유지하고, 복수의 투영 광학 시스템을 동시에 이동시킴으로써 마스크의 패턴을 감광 기판상에 노광하기 위한 주사형 노광 방법에 있어서,상기 마스크와 상기 감광 기판을 노광 시작 위치로 운송하는 중에 소정 얼라인먼트 지점에서 상기 투영 광학 시스템의 광축 방향에 대해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 조절하는 단계와,상기 조절 단계 후에 상기 소정 얼라인먼트 지점에서 상기 광축에 수직한 방향에 대해서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계를 검출하는 단계 및,상기 광축에 수직한 방향에 대해서 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 마스크와 상기 감광 기판은 소정 얼라인먼트 지점에 정지되는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 광축에 수직한 방향에 대해 상기 마크와 상기 감광 기판간의 위치 관계를 조절하는 단계는 노광이 시작되기 전에 수행되는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 광축에 수직한 방향에 대해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 위치 관계를 조절한 후에, 상기 투영 광학 시스템의 광축 방향에 대해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 투영 광학 시스템의 광축 방향에 대해 상기 마스크와 상가 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 조절하는 단계는 노광중에 수행되는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 투영 광학 시스템의 광축 방향에 대해 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 조절하는 단계는 적어도 상기 소정 얼라인먼트 지점에서 수행되는 상기 얼라인먼트 단계에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 마스크와 상기 감광 기판은 동일 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 방법.
- 마스크와 감광 기판을 동시에 이동시키고, 상기 마스크의 패턴 상(이미지)의 노광을 상기 감광 기판상에 실행하기 위한 주사형 노광 방법에 있어서,상기 주사 노광이 실행되는 방향에 대향하는 방향으로 상기 마스크와 상기 감광 기판을 일체로 운송하는 중에 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 검출하는 단계와,상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 노광이 시작되는 노광 시작 지점에 정지해 있을 때 또는 상기 노광중에 상기 검출 단계에 의해 얻어진 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계에 의거하여 상기 마스크와 상기 감광 기판간의 상대적인 위치 관계를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 방법.
- 제 22 항에 따른 주사형 노광 방법을 사용하여 제조되는 액정 표시 장치.
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