JPH0584664B2 - - Google Patents
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- JPH0584664B2 JPH0584664B2 JP61041426A JP4142686A JPH0584664B2 JP H0584664 B2 JPH0584664 B2 JP H0584664B2 JP 61041426 A JP61041426 A JP 61041426A JP 4142686 A JP4142686 A JP 4142686A JP H0584664 B2 JPH0584664 B2 JP H0584664B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野］
本発明は、被露光体に原板上のパターン像、例
えば半導体回路パターンを位置整合良く焼付ける
投影露光装置に関し、特に液晶パネル等の大画面
を分割して露光する分割走査（ステツプアンドス
キヤン）型の投影露光装置に関する。
えば半導体回路パターンを位置整合良く焼付ける
投影露光装置に関し、特に液晶パネル等の大画面
を分割して露光する分割走査（ステツプアンドス
キヤン）型の投影露光装置に関する。
［従来の技術］
ミラープロジエクシヨン方式の半導体露光装置
においては、マスク（またはレチクル）と基板
（またはウエハ）をキヤリツジ上に乗せこれを露
光面上にスキヤン移動させることにより画面全体
を露光している。
においては、マスク（またはレチクル）と基板
（またはウエハ）をキヤリツジ上に乗せこれを露
光面上にスキヤン移動させることにより画面全体
を露光している。
しかし、最近の傾向として、チツプコストの低
減を目的としたウエハの大口径化や液晶TV用等
の大型の液晶表示板の製造のため、画面が大型化
してくると、投影光学系を大きくし、かつスキヤ
ン長を伸ばさなければならないことにより装置が
大型化してくるという問題があつた。
減を目的としたウエハの大口径化や液晶TV用等
の大型の液晶表示板の製造のため、画面が大型化
してくると、投影光学系を大きくし、かつスキヤ
ン長を伸ばさなければならないことにより装置が
大型化してくるという問題があつた。
この対策として、画面を分割してスキヤン焼き
を複数回に分けて行なうステツプアンドスキヤン
焼方式が考えられている。
を複数回に分けて行なうステツプアンドスキヤン
焼方式が考えられている。
マスクと基板とが一体となつてミラー投影系に
対して走査することにより基板上にマスクの像を
転写することは以前から半導体露光装置として既
知の技術であつたが、その露光方式は一回の走査
によりマスク全面を基板全面に転写するものであ
り、一括露光方式と呼ばれていた。この一括露光
方式の場合、マスクと基板とを相対的に位置合せ
すれば良く、マスクの絶対位置決め精度は厳しく
ない。例えば、マスクおよび基板の位置決めは、
通常、マスクと基板の位置決めマークをレーザ等
の光で照射し、顕微鏡を通して反射してくる光の
光量変化からマーク位置を検出し、演算回路にて
マスクと基板の位置ずれ量を計算し、その位置ず
れ量に基づいてマスクないし基板を駆動すること
により位置決めを行なう自動位置決め装置により
行なわれるが、一括露光方式においてはこの自動
位置決め装置の補足範囲は±0.2mmであり、マス
クの位置決め精度はこの補足範囲の内に入つてい
れば良かつた。
対して走査することにより基板上にマスクの像を
転写することは以前から半導体露光装置として既
知の技術であつたが、その露光方式は一回の走査
によりマスク全面を基板全面に転写するものであ
り、一括露光方式と呼ばれていた。この一括露光
方式の場合、マスクと基板とを相対的に位置合せ
すれば良く、マスクの絶対位置決め精度は厳しく
ない。例えば、マスクおよび基板の位置決めは、
通常、マスクと基板の位置決めマークをレーザ等
の光で照射し、顕微鏡を通して反射してくる光の
光量変化からマーク位置を検出し、演算回路にて
マスクと基板の位置ずれ量を計算し、その位置ず
れ量に基づいてマスクないし基板を駆動すること
により位置決めを行なう自動位置決め装置により
行なわれるが、一括露光方式においてはこの自動
位置決め装置の補足範囲は±0.2mmであり、マス
クの位置決め精度はこの補足範囲の内に入つてい
れば良かつた。
ところが、ステツプアンドスキヤン露光方式の
露光装置は画面を分割してスキヤン焼きを複数回
に分けて行なうものである。そのため、基板のス
テツプ移動軸に対してマスクの位置を精度良く
（0.1〜0.2μｍ）絶対位置決めする必要がある。
露光装置は画面を分割してスキヤン焼きを複数回
に分けて行なうものである。そのため、基板のス
テツプ移動軸に対してマスクの位置を精度良く
（0.1〜0.2μｍ）絶対位置決めする必要がある。
マスクの位置決め精度が悪い場合、基板上に転
写されたマスクのパターン像はシヨツト間にてず
れてしまうため、シヨツトの境界位置にてパター
ンの不良が発生してしまう。このことからマスク
を装置側の絶対位置基準に精度良く位置決めする
ことが必要である。
写されたマスクのパターン像はシヨツト間にてず
れてしまうため、シヨツトの境界位置にてパター
ンの不良が発生してしまう。このことからマスク
を装置側の絶対位置基準に精度良く位置決めする
ことが必要である。
IC、LSI等を製造するいわゆるステツパの場
合、レチクルに位置合せ用のマークを設け、また
装置本体側の絶対位置基準としてレンズの鏡筒に
レチクルの位置合せマークに対応するレチクル基
準マークを設けて、上記の自動位置決めの方式と
同様にレチクルのマークと装置本体側のマークと
の位置ずれ量を計算し、その位置ずれ量に基づい
てレチクルを駆動することにより位置決めを行な
つていた。
合、レチクルに位置合せ用のマークを設け、また
装置本体側の絶対位置基準としてレンズの鏡筒に
レチクルの位置合せマークに対応するレチクル基
準マークを設けて、上記の自動位置決めの方式と
同様にレチクルのマークと装置本体側のマークと
の位置ずれ量を計算し、その位置ずれ量に基づい
てレチクルを駆動することにより位置決めを行な
つていた。
ところで、前記したステツプアンドスキヤン型
の投影露光装置においても上記のステツパと同様
のマスク位置決め方式をとつてマスク基準マーク
を固定ミラー投影系の鏡筒に取り付けたとする
と、マスクと基板とは固定ミラー系に対して一体
で走査するため、走査方向の位置決め精度が悪い
場合、基板のステツプ移動軸に対してマスク基準
マークの位置はずれてしまう。その決果、マスク
をマスク基準マークに対して精度良く位置決めし
ても、マスクと基板のステツプ移動軸に対してず
れてしまい基板上に転写されたマスクのパターン
像はシヨツト間にてずれてしまうという欠点があ
つた。
の投影露光装置においても上記のステツパと同様
のマスク位置決め方式をとつてマスク基準マーク
を固定ミラー投影系の鏡筒に取り付けたとする
と、マスクと基板とは固定ミラー系に対して一体
で走査するため、走査方向の位置決め精度が悪い
場合、基板のステツプ移動軸に対してマスク基準
マークの位置はずれてしまう。その決果、マスク
をマスク基準マークに対して精度良く位置決めし
ても、マスクと基板のステツプ移動軸に対してず
れてしまい基板上に転写されたマスクのパターン
像はシヨツト間にてずれてしまうという欠点があ
つた。
［発明の目的］
本発明の目的は、上述の従来形の問題点に鑑
み、ステツプアンドスキヤン方式による投影露光
装置において、走査方向の位置決め精度に影響さ
れることなく常に高精度にマスクを装置本体の絶
対位置基準に位置決め可能とすることにある。
み、ステツプアンドスキヤン方式による投影露光
装置において、走査方向の位置決め精度に影響さ
れることなく常に高精度にマスクを装置本体の絶
対位置基準に位置決め可能とすることにある。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例に係る投影露光装
置の概略構成を示す。同図の装置は、ミラー投影
系を用いて分割走査により大画面を露光するステ
ツプアンドスキヤン型の露光装置である。
置の概略構成を示す。同図の装置は、ミラー投影
系を用いて分割走査により大画面を露光するステ
ツプアンドスキヤン型の露光装置である。
同図において、１は焼付パターンが形成されて
いるフオトマスク、２はマスク１を搭載してＸ、
Ｙ、θ方向に移動可能なマスクステージである。
３は基板、４は基板３を保持してＸ、Ｙ方向にス
テツプ移動させるためのXYステージである。
XYステージ４のステツプ移動は不図示のレーザ
干渉計を用いた精密測長システムによつて制御さ
れる。５は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる周
知のミラー投影系で、マスクステージ２によつて
所定位置にアライメントされたマスクのパターン
像を基板３上へ等倍投影する。６は不図示の光源
からの特定の波長の光で露光位置にあるマスクを
照明する照明光学系で、マスク上のパターンを介
して基板３上の感光層を露光することにより、マ
スク上のパターンを基板３に転写可能とするため
のものである。なお、投影系５の光軸は照明系６
の光軸と一致させてある。
いるフオトマスク、２はマスク１を搭載してＸ、
Ｙ、θ方向に移動可能なマスクステージである。
３は基板、４は基板３を保持してＸ、Ｙ方向にス
テツプ移動させるためのXYステージである。
XYステージ４のステツプ移動は不図示のレーザ
干渉計を用いた精密測長システムによつて制御さ
れる。５は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる周
知のミラー投影系で、マスクステージ２によつて
所定位置にアライメントされたマスクのパターン
像を基板３上へ等倍投影する。６は不図示の光源
からの特定の波長の光で露光位置にあるマスクを
照明する照明光学系で、マスク上のパターンを介
して基板３上の感光層を露光することにより、マ
スク上のパターンを基板３に転写可能とするため
のものである。なお、投影系５の光軸は照明系６
の光軸と一致させてある。
７はＹ方向（紙面に垂直な方向）に設けられた
２つのガイドレール８に沿つて移動可能なLAB
（リニアエアベアリング）で、一方はＸ方向（紙
面の左右方向）、Ｚ方向（紙面の上下方向）拘束
タイプ、他方はＺ方向拘束タイプである。９はマ
スクステージ２のXYステージ４を一定の関係で
保持するホルダ（キヤリツジ）で、LAB７に支
持されることによりマスクステージ２上のマスク
とXYステージ４上の基板３とを一体的に移送可
能としている。１３は投影系５、照明系６および
ガイドレール８を一定の関係で取付けるための基
台である。
２つのガイドレール８に沿つて移動可能なLAB
（リニアエアベアリング）で、一方はＸ方向（紙
面の左右方向）、Ｚ方向（紙面の上下方向）拘束
タイプ、他方はＺ方向拘束タイプである。９はマ
スクステージ２のXYステージ４を一定の関係で
保持するホルダ（キヤリツジ）で、LAB７に支
持されることによりマスクステージ２上のマスク
とXYステージ４上の基板３とを一体的に移送可
能としている。１３は投影系５、照明系６および
ガイドレール８を一定の関係で取付けるための基
台である。
また、１７は装置本体側のマスク基準マークで
ある。このマスク基準マーク１７はマスクと基板
とを一体で移送するホルダ９上に設けてある。１
８はマスク基準マーク１７の取付台、１９はマス
クの位置決めマークとマスク基準マーク１７を計
測し、またマスク１と基板３の位置決めマークを
計測するための顕微鏡である。２０は両マークの
像信号を電気信号に変換して両マークの相対変位
量を計測し、マスク１を所定位置に位置決めする
ためにマスクステージ２を駆動する信号を発生す
る電気処理器である。
ある。このマスク基準マーク１７はマスクと基板
とを一体で移送するホルダ９上に設けてある。１
８はマスク基準マーク１７の取付台、１９はマス
クの位置決めマークとマスク基準マーク１７を計
測し、またマスク１と基板３の位置決めマークを
計測するための顕微鏡である。２０は両マークの
像信号を電気信号に変換して両マークの相対変位
量を計測し、マスク１を所定位置に位置決めする
ためにマスクステージ２を駆動する信号を発生す
る電気処理器である。
第１図の装置において、第１シヨツトの露光を
行なう場合、まず、マスク１を装置本体側のホル
ダ９上に設けられたマスク基準マーク１７に対し
顕微鏡１９を用いて位置決めする。その後、マス
ク１の位置決めマークと基板３の位置決めマーク
とを顕微鏡１９を用いて計測してマスク１と基板
３の位置決めをし、第１シヨツトの露光を行な
う。第２シヨツト以降の露光を行なう場合も同様
である。
行なう場合、まず、マスク１を装置本体側のホル
ダ９上に設けられたマスク基準マーク１７に対し
顕微鏡１９を用いて位置決めする。その後、マス
ク１の位置決めマークと基板３の位置決めマーク
とを顕微鏡１９を用いて計測してマスク１と基板
３の位置決めをし、第１シヨツトの露光を行な
う。第２シヨツト以降の露光を行なう場合も同様
である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、ステツプ
アンドスキヤン方式による投影露光装置におい
て、装置本体側の位置決め基準マークをマスク等
の原板と被露光体である基板とを一体的に移送す
る部材上に設けているので、その走査方向の位置
決め精度に影響されることなく常に高精度に原板
を装置本体の絶対位置基準に位置決めすることが
可能である。
アンドスキヤン方式による投影露光装置におい
て、装置本体側の位置決め基準マークをマスク等
の原板と被露光体である基板とを一体的に移送す
る部材上に設けているので、その走査方向の位置
決め精度に影響されることなく常に高精度に原板
を装置本体の絶対位置基準に位置決めすることが
可能である。
第１図は、本発明の一実施例に係る投影露光装
置の概略構成図である。 １：フオトマスク、２：マスクステージ、３：
基板、４：XYステージ、５：ミラー投影系、
９：ホルダ（キヤリツジ）、１３：基台、１７：
マスク基準マーク、１９：顕微鏡、２０：電気処
理器。
置の概略構成図である。 １：フオトマスク、２：マスクステージ、３：
基板、４：XYステージ、５：ミラー投影系、
９：ホルダ（キヤリツジ）、１３：基台、１７：
マスク基準マーク、１９：顕微鏡、２０：電気処
理器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被露光体表面を複数の被露光領域に分割し、
同一または異種の原板と該被露光領域とを位置的
に整合した後、これらの原板と被露光体とを投影
光学系に対して一体的に走査することにより該原
板の像をそれぞれ各被露光領域に投影する投影露
光装置であつて、 上記原板を所定の位置に位置決めする際に使用
する原板上の位置決めマークに対する装置本体側
の位置決め基準マークを原板と被露光体とを一体
的に移送する部材上に備えることを特徴とする投
影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041426A JPS62200724A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041426A JPS62200724A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200724A JPS62200724A (ja) | 1987-09-04 |
| JPH0584664B2 true JPH0584664B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=12608033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61041426A Granted JPS62200724A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62200724A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2588860B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-03-12 | ウシオ電機株式会社 | プリント基板製作の露光方法 |
| US6018384A (en) | 1994-09-07 | 2000-01-25 | Nikon Corporation | Projection exposure system |
| US6151122A (en) | 1995-02-21 | 2000-11-21 | Nikon Corporation | Inspection method and apparatus for projection optical systems |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61041426A patent/JPS62200724A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62200724A (ja) | 1987-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |