JPS62200725A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPS62200725A JPS62200725A JP61041427A JP4142786A JPS62200725A JP S62200725 A JPS62200725 A JP S62200725A JP 61041427 A JP61041427 A JP 61041427A JP 4142786 A JP4142786 A JP 4142786A JP S62200725 A JPS62200725 A JP S62200725A
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- Japan
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- mask
- stage
- exposed
- projection
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- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 26
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 10
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野］
本発明は、被露光体に原板上のパターン像、例えば半導
体回路パターンを位置整合良く焼付ける投影露光装置に
関し、特に液晶パネル等の大画面を分割して露光する分
割走査（ステップアンドスキャン）型の投影露光装置に
関する。
体回路パターンを位置整合良く焼付ける投影露光装置に
関し、特に液晶パネル等の大画面を分割して露光する分
割走査（ステップアンドスキャン）型の投影露光装置に
関する。
［従来の技術ｊ
ミラープロジェクション方式の半導体露光装置において
は、マスク（またはレチクル）と基板（またはウェハ）
をキャリッジ上に乗せこれを露光面上にスキャン移動さ
せることにより画面全体を露光している。
は、マスク（またはレチクル）と基板（またはウェハ）
をキャリッジ上に乗せこれを露光面上にスキャン移動さ
せることにより画面全体を露光している。
しかし、最近の傾向として、チップコス１〜の低減を目
的としたウェハの大口径化や液晶ＴＶ／？］等の大型の
液晶表示板の製造のため、画面が大型化してくると、投
影光学系を大きくし、かつスキャン長を伸ばさなければ
ならないことにより装置が大型化してくるという問題が
あった。
的としたウェハの大口径化や液晶ＴＶ／？］等の大型の
液晶表示板の製造のため、画面が大型化してくると、投
影光学系を大きくし、かつスキャン長を伸ばさなければ
ならないことにより装置が大型化してくるという問題が
あった。
この対策として、画面を分割してスキャン焼きを複数回
に分けて行なうステップアンドスキセン焼方式が考えら
れている。そして、このステップアンドスキャン焼きを
高精度で行なうために、該キャリッジの基板側にＸ、Ｙ
平面内で移動可能なステージを１５載づることか考えら
れている。
に分けて行なうステップアンドスキセン焼方式が考えら
れている。そして、このステップアンドスキャン焼きを
高精度で行なうために、該キャリッジの基板側にＸ、Ｙ
平面内で移動可能なステージを１５載づることか考えら
れている。
ところで、ステップアンドスキャン露光方式の露光袋ざ
は画面を分割してスキャン焼きを複数回に分けて行なう
ものである。そのため、基板のステップ移動軸に対して
マスクの位置を精度良く（０，１〜０．２μｍ）絶対位
置決めする必要があるマスクの位ｆＴ！決め精度が悪い
場合、ＦＡ根板上転写されたマスクのパターン（争はシ
ヨ・ブト間にてずれてしまうため、ショットのｊＪｌ界
位行にてパターンの不良が発生してしまう。このことか
らマスクを装置側の絶対位置基準に精度良く位置決めす
ることが必要である。
は画面を分割してスキャン焼きを複数回に分けて行なう
ものである。そのため、基板のステップ移動軸に対して
マスクの位置を精度良く（０，１〜０．２μｍ）絶対位
置決めする必要があるマスクの位ｆＴ！決め精度が悪い
場合、ＦＡ根板上転写されたマスクのパターン（争はシ
ヨ・ブト間にてずれてしまうため、ショットのｊＪｌ界
位行にてパターンの不良が発生してしまう。このことか
らマスクを装置側の絶対位置基準に精度良く位置決めす
ることが必要である。
このような技術として既に知られているらのにＩＣ，Ｌ
ＳＩ等を製造するいわゆるステッパがある。ステッパ方
式とは、レンズ投影系を用いてウェハのステップアンド
リピート動作によりレヂクルパターンをウェハ上に分割
ｎ光していく露光方式である。ステッパの場合、レチク
ルは光電検′ＦＪ１等の方法を用いて絶対位置基型に位
置決めし、ウェハ側はステージの位置をレーザ干渉計を
用い高開度（０，１〜０．２μｍ）で計測して、１ナー
ボモータとボールネジ等によりステージを駆動し位置決
めが行なわれる。
ＳＩ等を製造するいわゆるステッパがある。ステッパ方
式とは、レンズ投影系を用いてウェハのステップアンド
リピート動作によりレヂクルパターンをウェハ上に分割
ｎ光していく露光方式である。ステッパの場合、レチク
ルは光電検′ＦＪ１等の方法を用いて絶対位置基型に位
置決めし、ウェハ側はステージの位置をレーザ干渉計を
用い高開度（０，１〜０．２μｍ）で計測して、１ナー
ボモータとボールネジ等によりステージを駆動し位置決
めが行なわれる。
ステッパにおけるウェハ側の位置計測方式としては、ス
テージがベース上に固定されているため、レーザ干渉計
も同一ベース上に固定して！！ｆ測するのが一般的であ
る。ところが、ステップアンドスキセン方式の露光方式
においては、基板ステージはマスクと一体になって走査
される構造部材（キャリッジ）上に載置され、流体軸受
をガイドとして走査される。
テージがベース上に固定されているため、レーザ干渉計
も同一ベース上に固定して！！ｆ測するのが一般的であ
る。ところが、ステップアンドスキセン方式の露光方式
においては、基板ステージはマスクと一体になって走査
される構造部材（キャリッジ）上に載置され、流体軸受
をガイドとして走査される。
この場合、従来のステッパと同（しにレーザ干渉計をベ
ース上に固定して晶］測したとすると、その計測値はマ
スクに対する基板ステージの位７１を示すものではなく
、キャリッジの位置と基板ステージの位置を複合したも
のとして計測した値であることとなる。この複合された
計測値から基板ステージの位置を分離することは、キャ
リッジの振動およびステージの重心移動によるキャリッ
ジの変形等を考えた場合、非常に困難である。すなわち
、このような場合はマスクに対する基板ステージの位置
がキャリッジの位置要因に左右されてしまいステージの
位置を精度良く計測することができないという不具合が
あった。
ース上に固定して晶］測したとすると、その計測値はマ
スクに対する基板ステージの位７１を示すものではなく
、キャリッジの位置と基板ステージの位置を複合したも
のとして計測した値であることとなる。この複合された
計測値から基板ステージの位置を分離することは、キャ
リッジの振動およびステージの重心移動によるキャリッ
ジの変形等を考えた場合、非常に困難である。すなわち
、このような場合はマスクに対する基板ステージの位置
がキャリッジの位置要因に左右されてしまいステージの
位置を精度良く計測することができないという不具合が
あった。
［発明の目的］
本発明の目的は、上述の従来形の問題点に鑑み、ステッ
プアンドスキャン方式による投影露光装置において、マ
スクに対する基板ステージの位置の計測をキャリッジの
位置要因に影響されることなく常に精度良く行なうこと
にある。
プアンドスキャン方式による投影露光装置において、マ
スクに対する基板ステージの位置の計測をキャリッジの
位置要因に影響されることなく常に精度良く行なうこと
にある。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略
構成を示す。同図の装置は、ミラー投影系を用いて分υ
１走査により大画面を露光するステップアンドスキャン
型の露光装置である。
構成を示す。同図の装置は、ミラー投影系を用いて分υ
１走査により大画面を露光するステップアンドスキャン
型の露光装置である。
同図において、１は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、２はマスク１を搭載してＸ。
トマスク、２はマスク１を搭載してＸ。
Ｙ、θ方向に移動可能なマスクステージである。
３は基板、４は基板３を保持してＸ、Ｙ方向にステップ
移動させるためのＸＹステージである。ＸＹステ、−ジ
４のステップ移動は後述するレーザ干渉計を用いた清缶
測長システムによって制御される。５は凹面鏡と凸面鏡
の組み合せからなる周知のミラー投影系で、マスクステ
ージ２によって所定位置にアライメントされたマスク１
のパターン像を基板３上へ等倍投影する。６は不図示の
光源からの特定の波長の光で露光位置にあるマスク１を
照明する照明光学系で、マスク上のパターンを介して基
板３上の感光層を露光することにより、マスク上のパタ
ーンを基板３に転写可能とするためのものである。なお
、投影系５の光軸は照明系６の光軸と一致させである。
移動させるためのＸＹステージである。ＸＹステ、−ジ
４のステップ移動は後述するレーザ干渉計を用いた清缶
測長システムによって制御される。５は凹面鏡と凸面鏡
の組み合せからなる周知のミラー投影系で、マスクステ
ージ２によって所定位置にアライメントされたマスク１
のパターン像を基板３上へ等倍投影する。６は不図示の
光源からの特定の波長の光で露光位置にあるマスク１を
照明する照明光学系で、マスク上のパターンを介して基
板３上の感光層を露光することにより、マスク上のパタ
ーンを基板３に転写可能とするためのものである。なお
、投影系５の光軸は照明系６の光軸と一致させである。
７はＹ方向（紙面に垂直な方向）に設けられた２つのガ
イドレール８に沿って移動可能なＬＡＢ（リニアエアベ
アリング）で、一方はＸ方向（紙面の左右方向）、Ｚ方
向（紙面の上下方向）拘束タイプ、他方はＺ方向拘束タ
イプである。９はマスクステージ２とＸＹステージ４を
一定の関係で保持するホルダ（キレリッジ）で、ＬＡＢ
７に支持されることにＪ：リマスクステージ２上のマス
ク１とＸＹステージ４上の基板３とを一体的に移送可能
としている。
イドレール８に沿って移動可能なＬＡＢ（リニアエアベ
アリング）で、一方はＸ方向（紙面の左右方向）、Ｚ方
向（紙面の上下方向）拘束タイプ、他方はＺ方向拘束タ
イプである。９はマスクステージ２とＸＹステージ４を
一定の関係で保持するホルダ（キレリッジ）で、ＬＡＢ
７に支持されることにＪ：リマスクステージ２上のマス
ク１とＸＹステージ４上の基板３とを一体的に移送可能
としている。
また、１１はマスク１を順次マスクステージ２へ搬送し
交換するマ゛スクチェンジャであり、１３は投影系５、
照明系６およびガイドレール８を一定の関係で取付ける
ための基台である。１４はレーザチューブ、１５は反射
ミラー（スコヤ）、１６はレーザ干渉計の干渉部分であ
る。なお、レーザチューブ１４からの光の経路を示すた
め、ＬＡＢ７やボルダ９の一部分等は省略している。
交換するマ゛スクチェンジャであり、１３は投影系５、
照明系６およびガイドレール８を一定の関係で取付ける
ための基台である。１４はレーザチューブ、１５は反射
ミラー（スコヤ）、１６はレーザ干渉計の干渉部分であ
る。なお、レーザチューブ１４からの光の経路を示すた
め、ＬＡＢ７やボルダ９の一部分等は省略している。
第１図の装置において、第１シヨツトの露光を行なう場
合、まず、マスク１を装置側のマスク基準マークに対し
顕微鏡を用いて位置決めする。その後、マスク１の位置
決めマークと基板３の位置決めマークとを顕微鏡を用い
て計測してマスク１と基板３の位置決めをし、第１シヨ
ツトの露光を行なう。
合、まず、マスク１を装置側のマスク基準マークに対し
顕微鏡を用いて位置決めする。その後、マスク１の位置
決めマークと基板３の位置決めマークとを顕微鏡を用い
て計測してマスク１と基板３の位置決めをし、第１シヨ
ツトの露光を行なう。
次に、第２シヨツト以降の露光を行なう場合は、レーザ
チューブ１４、スコヤ１５、干渉部分１６により構成さ
れるレーザ干渉５１を用いて基板３を搭載したステ、−
ジ４の位置を計測しつつ、基板３が所定の位置に設定さ
れるように正確にステップ移動し、露光を行なう。
チューブ１４、スコヤ１５、干渉部分１６により構成さ
れるレーザ干渉５１を用いて基板３を搭載したステ、−
ジ４の位置を計測しつつ、基板３が所定の位置に設定さ
れるように正確にステップ移動し、露光を行なう。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、ステップアンドス
キャン方式等による投影露光装置において、被露光体を
搭載するステージとそのステージの位置計測をするため
のレーザ干渉計の干渉部分を原板と被露光体とを一体的
に移送する部材上に設けているので、原板に対するステ
ージの位置の計測はこの移送部材の位置要因に影響され
ることなく常に精度良く行なうことができる。
キャン方式等による投影露光装置において、被露光体を
搭載するステージとそのステージの位置計測をするため
のレーザ干渉計の干渉部分を原板と被露光体とを一体的
に移送する部材上に設けているので、原板に対するステ
ージの位置の計測はこの移送部材の位置要因に影響され
ることなく常に精度良く行なうことができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略
構成図である。 １：フォトマスク、 ２：マスクステージ、３：基板、
４：ＸＹステージ、５：ミラー投影系、９：ホルダ（キ
ャリッジ）、１３：基台、１４：レーデチューブ、
１５：反射ミラー、１６：レーザ干渉計の干渉部分。
構成図である。 １：フォトマスク、 ２：マスクステージ、３：基板、
４：ＸＹステージ、５：ミラー投影系、９：ホルダ（キ
ャリッジ）、１３：基台、１４：レーデチューブ、
１５：反射ミラー、１６：レーザ干渉計の干渉部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被露光体表面を複数の被露光領域に分割し、同一ま
たは異種の原板と該被露光領域とを位置的に整合した後
、これらの原板と被露光体とを投影光学系に対して一体
的に走査することにより該原板の像をそれぞれ各被露光
領域に投影する投影露光装置であつて、 上記被露光体を搭載してＸ、Ｙ平面内で移動可能なステ
ージおよび該ステージの位置計測をするためのレーザ干
渉計の干渉部分を上記原板と被露光体とを一体的に移送
する部材上に設けることを特徴とする投影露光装置。 ２、前記レーザ干渉計のレーザ発生部が、前記移送部材
上に設けられていない特許請求の範囲第１項記載の投影
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041427A JPH0630335B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041427A JPH0630335B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200725A true JPS62200725A (ja) | 1987-09-04 |
| JPH0630335B2 JPH0630335B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=12608062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61041427A Expired - Lifetime JPH0630335B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630335B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001013177A1 (fr) * | 1999-08-10 | 2001-02-22 | Nikon Corporation | Photomasque et son procede de fabrication, graveur a projection utilisant ledit photomasque, et procede d'exposition pour projection |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021232A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-06 | ||
| JPS52124369A (en) * | 1976-04-10 | 1977-10-19 | Kawaguchiko Seimitsu Kk | Back cover for watch |
| JPS5828748A (ja) * | 1981-08-13 | 1983-02-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 転写装置の位置合わせ装置 |
| JPS60182444A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-18 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61041427A patent/JPH0630335B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021232A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-06 | ||
| JPS52124369A (en) * | 1976-04-10 | 1977-10-19 | Kawaguchiko Seimitsu Kk | Back cover for watch |
| JPS5828748A (ja) * | 1981-08-13 | 1983-02-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 転写装置の位置合わせ装置 |
| JPS60182444A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-18 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001013177A1 (fr) * | 1999-08-10 | 2001-02-22 | Nikon Corporation | Photomasque et son procede de fabrication, graveur a projection utilisant ledit photomasque, et procede d'exposition pour projection |
| US6665049B1 (en) | 1999-08-10 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Photomask, method for manufacturing the same, projection aligner using the photomask, and projection exposing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0630335B2 (ja) | 1994-04-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |