JP2656204B2 - マスク交換装置 - Google Patents
マスク交換装置Info
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- JP2656204B2 JP2656204B2 JP5134666A JP13466693A JP2656204B2 JP 2656204 B2 JP2656204 B2 JP 2656204B2 JP 5134666 A JP5134666 A JP 5134666A JP 13466693 A JP13466693 A JP 13466693A JP 2656204 B2 JP2656204 B2 JP 2656204B2
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- mask
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- stage
- exposure position
- masks
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板に露光転写されるパ
ターンが形成されたマスクを交換するマスク交換装置に
関する。
ターンが形成されたマスクを交換するマスク交換装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種のマスク交換装置は種
々のタイプのものが知られ、例えば特開昭４８−３０８
７４号公報では、複数のマスクを並列的にガラスプレー
ト上に保持し、このプレートを露光位置に対して移動す
ることにより、マスクの交換を迅速に行うことができる
装置が提案されている。
々のタイプのものが知られ、例えば特開昭４８−３０８
７４号公報では、複数のマスクを並列的にガラスプレー
ト上に保持し、このプレートを露光位置に対して移動す
ることにより、マスクの交換を迅速に行うことができる
装置が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】ところで、上述の
特開昭４８−３０８７４号公報に示された装置では、複
数のマスクを保持するプレートを移動して一つのマスク
を露光位置にセットした後、露光位置にセットされたマ
スクを複数のマスクを保持するプレートごとＸ，Ｙ，θ
の各方向に微動させることにより、露光位置にセットさ
れたマスクのアライメントを行っている。
特開昭４８−３０８７４号公報に示された装置では、複
数のマスクを保持するプレートを移動して一つのマスク
を露光位置にセットした後、露光位置にセットされたマ
スクを複数のマスクを保持するプレートごとＸ，Ｙ，θ
の各方向に微動させることにより、露光位置にセットさ
れたマスクのアライメントを行っている。
【０００４】このため、このマスク交換装置では、複数
のマスクを保持するような比較的大きなプレートがＸ，
Ｙ，θの各方向に移動可能な空間を露光装置に設けるこ
とが必要になる。また、斯かるプレートをマスク交換の
ために大きく移動させることができると共に、マスクの
アライメントのために微動させることもできる駆動機構
を設ける必要がある。このような駆動機構はその構成が
複雑になり、一般的には、マスク交換時のプレートの移
動速度を高速にしようとするとマスクアライメント時の
微動精度が低下しがちであり、逆にマスクのアライメン
ト時の微動精度を高くするとマスク交換時のプレートの
移動速度の高速化が困難になりがちである。
のマスクを保持するような比較的大きなプレートがＸ，
Ｙ，θの各方向に移動可能な空間を露光装置に設けるこ
とが必要になる。また、斯かるプレートをマスク交換の
ために大きく移動させることができると共に、マスクの
アライメントのために微動させることもできる駆動機構
を設ける必要がある。このような駆動機構はその構成が
複雑になり、一般的には、マスク交換時のプレートの移
動速度を高速にしようとするとマスクアライメント時の
微動精度が低下しがちであり、逆にマスクのアライメン
ト時の微動精度を高くするとマスク交換時のプレートの
移動速度の高速化が困難になりがちである。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、その目的は、マスクを高速度に交換可能である
と共に、露光位置に高精度に設定することのできるマス
ク交換装置を提供することにある。
もので、その目的は、マスクを高速度に交換可能である
と共に、露光位置に高精度に設定することのできるマス
ク交換装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、マスクのパターンを基板に露光転写する
ための露光光が照射される露光位置でマスクをアライメ
ントするマスクステージに対してマスクの交換を行うマ
スク交換装置において、前記マスクステージ上のマスク
を前記露光位置で前記マスクステージから取り外し、前
記マスクステージから取り外されたマスクを含む複数の
マスクを並列的に保持したまま前記露光光の光路と交差
する方向に移動して前記複数のマスクの中から次に前記
マスクステージに保持されるマスクを前記露光位置に搬
送し、前記次のマスクを前記露光位置へ搬送した後に前
記露光位置で前記マスクステージに装着するマスク搬送
機構を有することを特徴としている。
めに本発明は、マスクのパターンを基板に露光転写する
ための露光光が照射される露光位置でマスクをアライメ
ントするマスクステージに対してマスクの交換を行うマ
スク交換装置において、前記マスクステージ上のマスク
を前記露光位置で前記マスクステージから取り外し、前
記マスクステージから取り外されたマスクを含む複数の
マスクを並列的に保持したまま前記露光光の光路と交差
する方向に移動して前記複数のマスクの中から次に前記
マスクステージに保持されるマスクを前記露光位置に搬
送し、前記次のマスクを前記露光位置へ搬送した後に前
記露光位置で前記マスクステージに装着するマスク搬送
機構を有することを特徴としている。
【０００７】
【実施例】図１は本発明のマスク交換装置をミラープロ
ジエクシヨンタイプの露光装置に適用した一実施例を示
すものあるが、以下この実施例に基づいて本発明を詳細
に説明する。
ジエクシヨンタイプの露光装置に適用した一実施例を示
すものあるが、以下この実施例に基づいて本発明を詳細
に説明する。
【０００８】図１において、１ａ〜１ｄはそれぞれ異な
ったパターンが設けられているマスクで、例えば一つの
パターンを４分割した部分パターンをそれぞれ有するも
のである。２はマスク１ａ〜１ｄの一つを露光位置で保
持するマスクステージで、保持したマスクを露光位置で
アライメントするために移動する。５は液晶表示板を構
成するためにその表面に多数の画素と、画素のオンオフ
を制御するためのスイツチングトランジスタが各画素ご
とに通常のフオトリソグラフイの手順で形成されるガラ
ス基板で、対角線の長さが１４インチ程度の方形であ
る。
ったパターンが設けられているマスクで、例えば一つの
パターンを４分割した部分パターンをそれぞれ有するも
のである。２はマスク１ａ〜１ｄの一つを露光位置で保
持するマスクステージで、保持したマスクを露光位置で
アライメントするために移動する。５は液晶表示板を構
成するためにその表面に多数の画素と、画素のオンオフ
を制御するためのスイツチングトランジスタが各画素ご
とに通常のフオトリソグラフイの手順で形成されるガラ
ス基板で、対角線の長さが１４インチ程度の方形であ
る。
【０００９】６は不図示の光源からの特定の波長の光で
露光位置にあるマスクを照明し、マスクを介して基板５
上の感光層を露光することにより、マスク上のパターン
を基板５に露光転写する照明光学系で、以下の説明で
は、その光軸７（図２参照）をＺ方向、光軸７に直交す
る平面内で直交する２つの方向をそれぞれＸ，Ｙ方向、
光軸７を中心とした回転方向をθ方向と呼ぶ。
露光位置にあるマスクを照明し、マスクを介して基板５
上の感光層を露光することにより、マスク上のパターン
を基板５に露光転写する照明光学系で、以下の説明で
は、その光軸７（図２参照）をＺ方向、光軸７に直交す
る平面内で直交する２つの方向をそれぞれＸ，Ｙ方向、
光軸７を中心とした回転方向をθ方向と呼ぶ。
【００１０】８は基板５を保持するための基板ステージ
で、基板５をＸ，Ｙ，Ｚ，θの各方向に移動する。基板
５は露光位置に設定されたマスクに対して任意の領域が
投影光学系１１を介して対向できるようにステージ８に
よって移動される。また、ステージ８の斯かる移動はレ
ーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御され
る。９ａ，９ｂ（図２参照）はアライメント光学系の対
物レンズで、露光位置にあるマスクと基板５のある領域
をアライメントするために利用される。
で、基板５をＸ，Ｙ，Ｚ，θの各方向に移動する。基板
５は露光位置に設定されたマスクに対して任意の領域が
投影光学系１１を介して対向できるようにステージ８に
よって移動される。また、ステージ８の斯かる移動はレ
ーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制御され
る。９ａ，９ｂ（図２参照）はアライメント光学系の対
物レンズで、露光位置にあるマスクと基板５のある領域
をアライメントするために利用される。
【００１１】１０はマスク１ａ〜１ｄを並列的に保持す
ると共に、各マスク１ａ〜１ｄを図２の矢印で示す方
向、即ち照明系６からの露光光の光路と交差する方向に
移動することにより、各マスク１ａ〜１ｄを露光光が通
過する露光位置にあるマスクステージ２の上方に順次搬
送するマスク搬送機構、１１はマスクステージ２によっ
て所定位置にアライメントされたマスクのパターンを基
板５上へ等倍投影する凹面鏡と凸面鏡の組合せからなる
周知のミラー投影系である。
ると共に、各マスク１ａ〜１ｄを図２の矢印で示す方
向、即ち照明系６からの露光光の光路と交差する方向に
移動することにより、各マスク１ａ〜１ｄを露光光が通
過する露光位置にあるマスクステージ２の上方に順次搬
送するマスク搬送機構、１１はマスクステージ２によっ
て所定位置にアライメントされたマスクのパターンを基
板５上へ等倍投影する凹面鏡と凸面鏡の組合せからなる
周知のミラー投影系である。
【００１２】１２は投影系１１のピント面と基板５の表
面の間隔を検出するためのギヤツプセンサで、例えばエ
アーマイクロセンサや、基板５からの反射光で間隔を検
出する光電タイプのセンサである。ギヤツプセンサ１２
は複数設けられ、基板５の表面上の複数の点についてピ
ント面までの距離を検出する。
面の間隔を検出するためのギヤツプセンサで、例えばエ
アーマイクロセンサや、基板５からの反射光で間隔を検
出する光電タイプのセンサである。ギヤツプセンサ１２
は複数設けられ、基板５の表面上の複数の点についてピ
ント面までの距離を検出する。
【００１３】１３はＹ方向（紙面に垂直な方向）に設け
られた２つのガイドレール１４に沿って移動可能なＬＡ
Ｂ（リニアエアーベアリング）で、一方はＸ，Ｚ方向拘
束タイプ、他方はＺ方向拘束タイプとなされている。な
お、投影系１１の光軸は照明系６の光軸７と一致してい
る。１５はマスクステージ２、基板ステージ８、マスク
搬送機構１０を一定の関係で保持しているホルダで、Ｌ
ＡＢ１３に支持されることによりマスクステージ２上の
マスクと基板ステージ８上の基板を投影系１１に対して
一体的に移動する。
られた２つのガイドレール１４に沿って移動可能なＬＡ
Ｂ（リニアエアーベアリング）で、一方はＸ，Ｚ方向拘
束タイプ、他方はＺ方向拘束タイプとなされている。な
お、投影系１１の光軸は照明系６の光軸７と一致してい
る。１５はマスクステージ２、基板ステージ８、マスク
搬送機構１０を一定の関係で保持しているホルダで、Ｌ
ＡＢ１３に支持されることによりマスクステージ２上の
マスクと基板ステージ８上の基板を投影系１１に対して
一体的に移動する。
【００１４】１６はマスクステージ２上のマスクを照明
するための照明系６、ミラー投影系１１、ガイドレール
１４が一定の位置関係となるように取付けられる基台、
１７は基板収納部１８内の基板５を基板ステージ８へ搬
送するための基板搬送機構の一部を構成するベルトで、
ベルト１７を介して収納部１８から取り出された基板５
は所定のプリアライメントが行なわれた後、ステージ８
上に固定される。
するための照明系６、ミラー投影系１１、ガイドレール
１４が一定の位置関係となるように取付けられる基台、
１７は基板収納部１８内の基板５を基板ステージ８へ搬
送するための基板搬送機構の一部を構成するベルトで、
ベルト１７を介して収納部１８から取り出された基板５
は所定のプリアライメントが行なわれた後、ステージ８
上に固定される。
【００１５】ステージ８は上述した如くホルダ１５に対
して基板５をＸ，Ｙ，Ｚ，θの各方向に移動可能とする
と共に、レーザ干渉計を用いた測長システムによって
Ｘ，Ｙ方向の移動が制御される。
して基板５をＸ，Ｙ，Ｚ，θの各方向に移動可能とする
と共に、レーザ干渉計を用いた測長システムによって
Ｘ，Ｙ方向の移動が制御される。
【００１６】次に、この実施例の動作を図２を用いて説
明する。この図では１番目のマスク１ａのパターン
（１）が基板５の領域５ａに転写され、２番目のマスク
１ｂのパターン（２）が基板５の領域５ｂに転写されて
いる状態を示しているが、動作はマスク１ａのパターン
（１）の転写が終了した時点から説明する。
明する。この図では１番目のマスク１ａのパターン
（１）が基板５の領域５ａに転写され、２番目のマスク
１ｂのパターン（２）が基板５の領域５ｂに転写されて
いる状態を示しているが、動作はマスク１ａのパターン
（１）の転写が終了した時点から説明する。
【００１７】基板５の領域５ａへのパターン（１）の転
写が終了すると、マスク搬送機構１０は先ずマスクステ
ージ２からマスク１ａを取り外す。そして、マスク１ａ
〜１ｄのそれぞれを図２の矢印方向に移動して、マスク
１ｂをマスクステージ２の上方に位置させ、その後マス
ク１ｂをマスクステージ２上に装着する。装着されたマ
スク１ｂを保持したマスクステージ２は、周知の方法に
よりＸ，Ｙ，Ｚ，θの各方向に移動してマスク１ｂを所
定の露光位置にセツトする。
写が終了すると、マスク搬送機構１０は先ずマスクステ
ージ２からマスク１ａを取り外す。そして、マスク１ａ
〜１ｄのそれぞれを図２の矢印方向に移動して、マスク
１ｂをマスクステージ２の上方に位置させ、その後マス
ク１ｂをマスクステージ２上に装着する。装着されたマ
スク１ｂを保持したマスクステージ２は、周知の方法に
よりＸ，Ｙ，Ｚ，θの各方向に移動してマスク１ｂを所
定の露光位置にセツトする。
【００１８】また、これと同時に基板ステージ８は基板
５をホルダ１５に対してステツプ移動し、基板５の領域
５ｂを投影系１１によってマスク１ｂのパターン（２）
が投影される位置にセツトする。この移動は不図示のレ
ーザ干渉計によって極めて正確に制御される。
５をホルダ１５に対してステツプ移動し、基板５の領域
５ｂを投影系１１によってマスク１ｂのパターン（２）
が投影される位置にセツトする。この移動は不図示のレ
ーザ干渉計によって極めて正確に制御される。
【００１９】この後、ギヤツプセンサー１２によって検
出された投影系１１のピント面と基板５の領域５ｂ間の
複数の間隔情報に基づいてステージ８のＺ駆動系が作動
し、投影系１１のピント面に領域５ｂの表面が一致され
る。このＺ方向のアライメント（フオーカシング）が完
了すると、アライメント光学系の対物レンズ９ａ，９ｂ
によってマスク１ｂ上の２つのアライメント用の十字マ
ーク（＋）と部分５ｂ上のアライメント用の十字マーク
（＋）が投影系１１を介してそれぞれ同時に観察され、
両者が一致するまで基板５がＸ，Ｙ，θの各方向に移動
される。
出された投影系１１のピント面と基板５の領域５ｂ間の
複数の間隔情報に基づいてステージ８のＺ駆動系が作動
し、投影系１１のピント面に領域５ｂの表面が一致され
る。このＺ方向のアライメント（フオーカシング）が完
了すると、アライメント光学系の対物レンズ９ａ，９ｂ
によってマスク１ｂ上の２つのアライメント用の十字マ
ーク（＋）と部分５ｂ上のアライメント用の十字マーク
（＋）が投影系１１を介してそれぞれ同時に観察され、
両者が一致するまで基板５がＸ，Ｙ，θの各方向に移動
される。
【００２０】アライメントが完了すると、照明系６は投
影系１１の最良結像領域の形状に対応して照明領域が円
弧状となるようにマスク１ｂを照明する。この状態でホ
ルダ１５はＹ方向（矢印方向）にＬＡＢ１３によって案
内されながら一定の速度で移動する。これによりマスク
１ｂと基板５の領域５ｂは一体的に投影系１１に対して
移動することになり、領域５ｂはマスク１ｂを通過した
照明光によって順次露光され、パターン（２）が転写さ
れる。
影系１１の最良結像領域の形状に対応して照明領域が円
弧状となるようにマスク１ｂを照明する。この状態でホ
ルダ１５はＹ方向（矢印方向）にＬＡＢ１３によって案
内されながら一定の速度で移動する。これによりマスク
１ｂと基板５の領域５ｂは一体的に投影系１１に対して
移動することになり、領域５ｂはマスク１ｂを通過した
照明光によって順次露光され、パターン（２）が転写さ
れる。
【００２１】領域５ｂへのパターン（２）の転写が完了
すると、基板ステージ８、マスク搬送機構１０は再び作
動し、基板５の領域５ｃを投影系１１の投影領域に移動
させると共に、ステージ２上のマスク１ｂをマスク１ｃ
に交換する。なお、この時には対物レンズ９ａ，９ｂを
Ｙ方向に所定量移動して、マスク１ｃ上のアライメント
用の十字マーク（＋）を観察可能とする。以後、前述と
同様な動作を繰り返して、マスク１ｃのパターン（３）
を基板５の部分５ｃに、また、マスク１ｄのパターン
（４）を部分５ｄにそれぞれ転写する。
すると、基板ステージ８、マスク搬送機構１０は再び作
動し、基板５の領域５ｃを投影系１１の投影領域に移動
させると共に、ステージ２上のマスク１ｂをマスク１ｃ
に交換する。なお、この時には対物レンズ９ａ，９ｂを
Ｙ方向に所定量移動して、マスク１ｃ上のアライメント
用の十字マーク（＋）を観察可能とする。以後、前述と
同様な動作を繰り返して、マスク１ｃのパターン（３）
を基板５の部分５ｃに、また、マスク１ｄのパターン
（４）を部分５ｄにそれぞれ転写する。
【００２２】このようにして、基板５の全面にパターン
（１）〜（４）がそれぞれ重なり合うことなく、もしく
は僅かに重なり合って転写され、基板５上に液晶表示板
のための画素とスイツチングトランジスタ等が形成され
る。
（１）〜（４）がそれぞれ重なり合うことなく、もしく
は僅かに重なり合って転写され、基板５上に液晶表示板
のための画素とスイツチングトランジスタ等が形成され
る。
【００２３】また、マスク１ａ〜１ｄの各パターンが全
面に転写された基板５は、基板搬送機構によってステー
ジ８から収納部１８に搬送収納される。この間にマスク
搬送機構１０は、各マスク１ａ〜１ｄを図２の矢印方向
とは逆の方向に移動してマスク１ａをマスクステージ２
の上方に位置させ、マスク１ａを再びステージ２にセツ
トする。新たな基板５がステージ８にセツトされた際、
前述の露光動作は再び繰り返される。
面に転写された基板５は、基板搬送機構によってステー
ジ８から収納部１８に搬送収納される。この間にマスク
搬送機構１０は、各マスク１ａ〜１ｄを図２の矢印方向
とは逆の方向に移動してマスク１ａをマスクステージ２
の上方に位置させ、マスク１ａを再びステージ２にセツ
トする。新たな基板５がステージ８にセツトされた際、
前述の露光動作は再び繰り返される。
【００２４】なお、前述の実施例では、ミラープロジエ
クシヨンタイプの露光装置に本願発明のマスク交換装置
を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、例えばプロキシミテイタイプや、レンズプ
ロジエクシヨンタイプの露光装置にも適用可能である。
クシヨンタイプの露光装置に本願発明のマスク交換装置
を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、例えばプロキシミテイタイプや、レンズプ
ロジエクシヨンタイプの露光装置にも適用可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、露
光光が照射される露光位置でマスクをアライメントする
マスクステージに対してマスクを高速度に交換すること
が可能になると共に、露光位置でマスクをマスクステー
ジによって高精度にアライメントすることが可能とな
る。このため本発明によれば、複数のマスクを使用する
露光装置においても、高精度な露光を高いスループット
で行うことが可能になる。また本発明によれば、従来の
マスクステージをそのまま利用することも可能となるの
で、マスク交換のための構成を比較的簡単なものにでき
る。
光光が照射される露光位置でマスクをアライメントする
マスクステージに対してマスクを高速度に交換すること
が可能になると共に、露光位置でマスクをマスクステー
ジによって高精度にアライメントすることが可能とな
る。このため本発明によれば、複数のマスクを使用する
露光装置においても、高精度な露光を高いスループット
で行うことが可能になる。また本発明によれば、従来の
マスクステージをそのまま利用することも可能となるの
で、マスク交換のための構成を比較的簡単なものにでき
る。
【図１】本発明の露光装置の一実施例を示す平面図。
【図２】本実施例の動作を説明するための斜視図。
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ マスク ２ マスクステージ ５ ガラス基板 ６ 照明光学系 ８ 基板ステージ ９ アライメント光学系 １０ マスク搬送装置 １１ ミラー投影系 １３ ＬＡＢ（リニアエアーベアリング） １５ ホルダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 義治 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キ ヤノン株式会社小杉事業所内 (56)参考文献 特開 昭48−30874（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 マスクのパターンを基板に露光転写する
ための露光光が照射される露光位置でマスクをアライメ
ントするマスクステージに対してマスクの交換を行うマ
スク交換装置において、前記マスクステージ上のマスク
を前記露光位置で前記マスクステージから取り外し、前
記マスクステージから取り外されたマスクを含む複数の
マスクを並列的に保持したまま前記露光光の光路と交差
する方向に移動して前記複数のマスクの中から次に前記
マスクステージに保持されるマスクを前記露光位置に搬
送し、前記次のマスクを前記露光位置へ搬送した後に前
記露光位置で前記マスクステージに装着するマスク搬送
機構を有することを特徴とするマスク交換装置。 - 【請求項２】 前記マスク搬送機構はそれぞれ異なった
パターンが形成された複数のマスクを保持していること
を特徴とする請求項１に記載のマスク交換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5134666A JP2656204B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | マスク交換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5134666A JP2656204B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | マスク交換装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60068736A Division JPS61226924A (ja) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075692A JPH075692A (ja) | 1995-01-10 |
| JP2656204B2 true JP2656204B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=15133723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5134666A Expired - Lifetime JP2656204B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | マスク交換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656204B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057105A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Nec Corp | 半導体薄膜製造方法、半導体薄膜製造装置、およびマトリクス回路駆動装置 |
| JP5066948B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-11-07 | 株式会社ニコン | マスク保持装置、マスク調整方法、露光装置及び露光方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546866B2 (ja) * | 1971-08-25 | 1979-04-02 |
-
1993
- 1993-06-04 JP JP5134666A patent/JP2656204B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH075692A (ja) | 1995-01-10 |
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