JPH0630335B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0630335B2 JPH0630335B2 JP61041427A JP4142786A JPH0630335B2 JP H0630335 B2 JPH0630335 B2 JP H0630335B2 JP 61041427 A JP61041427 A JP 61041427A JP 4142786 A JP4142786 A JP 4142786A JP H0630335 B2 JPH0630335 B2 JP H0630335B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- mask
- substrate
- exposure
- scan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の属する分野］ 本発明は、原板と被露光体とを露光光に対して一体的に
走査して原板のパターンを被露光体に焼付けるいわゆる
走査型の露光装置に関する。本発明は、特に液晶パネル
等の大画面を分割して露光する分割走査（ステップアン
ドスキャン）型の露光装置に適用して好適である。
走査して原板のパターンを被露光体に焼付けるいわゆる
走査型の露光装置に関する。本発明は、特に液晶パネル
等の大画面を分割して露光する分割走査（ステップアン
ドスキャン）型の露光装置に適用して好適である。
［従来の技術］ ミラープロジェクション方式の半導体露光装置において
は、マスク（またはレチクル）と基板（またはウエハ）
をキャリッジ上に乗せこれを露光面上にスキャン移動さ
せることにより画面全体を露光している。
は、マスク（またはレチクル）と基板（またはウエハ）
をキャリッジ上に乗せこれを露光面上にスキャン移動さ
せることにより画面全体を露光している。
しかし、最近の傾向として、チップコストの低減を目的
としたウエハの大口径化や液晶ＴＶ用等の大型の液晶表
示板の製造のため、画面が大型化してくると、投影光学
系を大きくし、かつスキャン長を伸ばさなければならな
いことにより装置が大型化してくるという問題があっ
た。
としたウエハの大口径化や液晶ＴＶ用等の大型の液晶表
示板の製造のため、画面が大型化してくると、投影光学
系を大きくし、かつスキャン長を伸ばさなければならな
いことにより装置が大型化してくるという問題があっ
た。
この対策として、画面を分割してスキャン焼きを複数回
に分けて行なうステップアンドスキャン焼方式が考えら
れている。そして、このステップアンドスキャン焼きを
高精度で行なうために、該キャリッジの基板側にＸ，Ｙ
平面内で移動可能なステージを搭載することが考えられ
ている。
に分けて行なうステップアンドスキャン焼方式が考えら
れている。そして、このステップアンドスキャン焼きを
高精度で行なうために、該キャリッジの基板側にＸ，Ｙ
平面内で移動可能なステージを搭載することが考えられ
ている。
ところで、ステップアンドスキャン露光方式の露光装置
は画面を分割してスキャン焼きを複数回に分けて行なう
ものである。そのため、基板およびマスクの位置を精度
良く（ 0.1〜 0.2μｍ）絶対位置決めする必要がある。
は画面を分割してスキャン焼きを複数回に分けて行なう
ものである。そのため、基板およびマスクの位置を精度
良く（ 0.1〜 0.2μｍ）絶対位置決めする必要がある。
基板ないしマスクの位置決め精度が悪い場合、基板上に
転写されたマスクのパターン像はショット間にてずれて
しまうため、ショットの境界位置にてパターンの不良が
発生してしまう。このことからマスクを装置側の絶対位
置基準に精度良く位置決めすることが必要である。
転写されたマスクのパターン像はショット間にてずれて
しまうため、ショットの境界位置にてパターンの不良が
発生してしまう。このことからマスクを装置側の絶対位
置基準に精度良く位置決めすることが必要である。
このような技術として既に知られているものにＩＣ，Ｌ
ＳＩ等を製造するいわゆるステッパがある。ステッパ方
式とは、レンズ投影系を用いてウエハのステップアンド
リピート動作によりレチクルパターンをウエハ上に分割
露光していく露光方式である。ステッパの場合、レチク
ルは光電検知等の方法を用いて絶対位置基準に位置決め
し、ウエハ側はステージの位置をレーザ干渉計を用い高
精度（ 0.1〜 0.2μｍ）で計測して、サーボモータとボ
ールネジ等によりステージを駆動し位置決めが行なわれ
る。
ＳＩ等を製造するいわゆるステッパがある。ステッパ方
式とは、レンズ投影系を用いてウエハのステップアンド
リピート動作によりレチクルパターンをウエハ上に分割
露光していく露光方式である。ステッパの場合、レチク
ルは光電検知等の方法を用いて絶対位置基準に位置決め
し、ウエハ側はステージの位置をレーザ干渉計を用い高
精度（ 0.1〜 0.2μｍ）で計測して、サーボモータとボ
ールネジ等によりステージを駆動し位置決めが行なわれ
る。
しかしながら、ステップアンドスキャン露光方式の露光
装置にＸＹステージを搭載し、そのＸＹステージの位置
を従来のステッパと同様にして計測しても、ＸＹステー
ジの位置を精度良く計測することはできず、マスクの位
置決め精度も期待するほどには良くならないという不具
合があった。本発明者の知見によれば、これは、次の理
由による。すなわち、ステッパにおけるウエハ側の位置
計測方式としては、ステージがベース上に設置されてい
るため、レーザ干渉計も同一ベース上に固定して計測す
るのが一般的である。ところが、ステップアンドスキャ
ン方式の露光方式においては、基板ステージはマスクと
一体になって走査される構造部材（キャリッジ）上に載
置され、流体軸受をガイドとして走査される。
装置にＸＹステージを搭載し、そのＸＹステージの位置
を従来のステッパと同様にして計測しても、ＸＹステー
ジの位置を精度良く計測することはできず、マスクの位
置決め精度も期待するほどには良くならないという不具
合があった。本発明者の知見によれば、これは、次の理
由による。すなわち、ステッパにおけるウエハ側の位置
計測方式としては、ステージがベース上に設置されてい
るため、レーザ干渉計も同一ベース上に固定して計測す
るのが一般的である。ところが、ステップアンドスキャ
ン方式の露光方式においては、基板ステージはマスクと
一体になって走査される構造部材（キャリッジ）上に載
置され、流体軸受をガイドとして走査される。
この場合、従来のステッパと同様にレーサ干渉計をベー
ス上に固定して計測したとすると、その計測値はマスク
に対する基板ステージの位置を示すものではなく、キャ
リッジの位置と基板ステージの位置を複合したものとし
て計測した値であることとなる。この複合された計測値
から基板ステージの位置を分離することは、キャリッジ
の振動およびステージの重心移動によるキャリッジの変
形等を考えた場合、非常に困難である。すなわち、この
ような場合はマスクに対する基板ステージの位置がキャ
リッジの位置要因に左右されてしまいステージの位置を
精度良く計測することができないという不具合があっ
た。
ス上に固定して計測したとすると、その計測値はマスク
に対する基板ステージの位置を示すものではなく、キャ
リッジの位置と基板ステージの位置を複合したものとし
て計測した値であることとなる。この複合された計測値
から基板ステージの位置を分離することは、キャリッジ
の振動およびステージの重心移動によるキャリッジの変
形等を考えた場合、非常に困難である。すなわち、この
ような場合はマスクに対する基板ステージの位置がキャ
リッジの位置要因に左右されてしまいステージの位置を
精度良く計測することができないという不具合があっ
た。
［発明の目的］ 本発明の目的は、上述の従来形の問題点に鑑み、ステッ
プアンドスキャン方式による投影露光装置において、マ
スクに対する基板ステージの位置の計測をキャリッジの
位置要因に影響されることなく常に精度良く行なうこと
にある。
プアンドスキャン方式による投影露光装置において、マ
スクに対する基板ステージの位置の計測をキャリッジの
位置要因に影響されることなく常に精度良く行なうこと
にある。
［実施例の説明］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略
構成を示す。同図の装置は、ミラー投影系を用いて分割
走査により大画面を露光するステップアンドスキャン型
の露光装置である。
構成を示す。同図の装置は、ミラー投影系を用いて分割
走査により大画面を露光するステップアンドスキャン型
の露光装置である。
同図において、１は焼付パターンが形成されているフォ
トマスク、２はマスク１を搭載してＸ，Ｙ，θ方向に移
動可能なマスクステージである。３は基板、４は基板３
を保持してＸ，Ｙ方向にステップ移動させるためのＸＹ
ステージである。ＸＹステージ４のステップ移動は後述
するレーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制
御される。５は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる周知
のミラー投影系で、マスクステージ２によって所定位置
にアライメントされたマスク１のパターン像を基板３上
へ等倍投影する。６は不図示の光源からの特定の波長の
光で露光位置にあるマスク１を照明する照明光学系で、
マスク上のパターンを介して基板３上の感光層を露光す
ることにより、マスク上のパターンを基板３に転写可能
とするためのものである。なお、投影系５の光軸は照明
系６の光軸と一致させてある。
トマスク、２はマスク１を搭載してＸ，Ｙ，θ方向に移
動可能なマスクステージである。３は基板、４は基板３
を保持してＸ，Ｙ方向にステップ移動させるためのＸＹ
ステージである。ＸＹステージ４のステップ移動は後述
するレーザ干渉計を用いた精密測長システムによって制
御される。５は凹面鏡と凸面鏡の組み合せからなる周知
のミラー投影系で、マスクステージ２によって所定位置
にアライメントされたマスク１のパターン像を基板３上
へ等倍投影する。６は不図示の光源からの特定の波長の
光で露光位置にあるマスク１を照明する照明光学系で、
マスク上のパターンを介して基板３上の感光層を露光す
ることにより、マスク上のパターンを基板３に転写可能
とするためのものである。なお、投影系５の光軸は照明
系６の光軸と一致させてある。
７はＹ方向（紙面に垂直な方向）に設けられた２つのガ
イドレール８に沿って移動可能なＬＡＢ（リニアエアベ
アリング）で、一方はＸ方向（紙面の左右方向），Ｚ方
向（紙面の上下方向）拘束タイプ、他方はＺ方向拘束タ
イプである。９はマスクステージ２とＸＹステージ４を
一定の関係で保持するホルダ（キャリッジ）で、ＬＡＢ
７に支持されることによりマスクステージ２上のマスク
１とＸＹステージ４上の基板３とを一体的に移送可能と
している。
イドレール８に沿って移動可能なＬＡＢ（リニアエアベ
アリング）で、一方はＸ方向（紙面の左右方向），Ｚ方
向（紙面の上下方向）拘束タイプ、他方はＺ方向拘束タ
イプである。９はマスクステージ２とＸＹステージ４を
一定の関係で保持するホルダ（キャリッジ）で、ＬＡＢ
７に支持されることによりマスクステージ２上のマスク
１とＸＹステージ４上の基板３とを一体的に移送可能と
している。
また、11はマスク１を順次マスクステージ２へ搬送し交
換するマスクチェンジャであり、13は投影系５、照明系
６およびガイドレール８を一定の関係で取付けるための
基台である。14はレーザチューブ、15は反射ミラー（ス
コヤ）、16はレーザ干渉計の干渉部分である。なお、レ
ーザチューブ14からの光の経路を示すため、ＬＡＢ７や
ホルダ９の一部分等は省略している。
換するマスクチェンジャであり、13は投影系５、照明系
６およびガイドレール８を一定の関係で取付けるための
基台である。14はレーザチューブ、15は反射ミラー（ス
コヤ）、16はレーザ干渉計の干渉部分である。なお、レ
ーザチューブ14からの光の経路を示すため、ＬＡＢ７や
ホルダ９の一部分等は省略している。
第１図の装置において、第１ショットの露光を行なう場
合、まず、マスク１を装置側のマスク基準マークに対し
顕微鏡を用いて位置決めする。その後、マスク１の位置
決めマークと基板３の位置決めマークとを顕微鏡を用い
て計測してマスク１と基板３の位置決めをし、第１ショ
ットの露光を行なう。
合、まず、マスク１を装置側のマスク基準マークに対し
顕微鏡を用いて位置決めする。その後、マスク１の位置
決めマークと基板３の位置決めマークとを顕微鏡を用い
て計測してマスク１と基板３の位置決めをし、第１ショ
ットの露光を行なう。
次に、第２ショット以降の露光を行なう場合は、レーザ
チューブ14、スコヤ15、干渉部分16により構成されるレ
ーザ干渉計を用いて基板３を搭載したステージ４の位置
を計測しつつ、基板３が所定の位置に設定されるように
正確にステップ移動し、露光を行なう。
チューブ14、スコヤ15、干渉部分16により構成されるレ
ーザ干渉計を用いて基板３を搭載したステージ４の位置
を計測しつつ、基板３が所定の位置に設定されるように
正確にステップ移動し、露光を行なう。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、ステップアンドス
キャン方式等による投影露光装置において、被露光体を
搭載するステージとそのステージの位置計測をするため
のレーザ干渉計の干渉部分を原板と被露光体とを一体的
に移送する部材上に設けているので、原板に対するステ
ージの位置の計測はこの移送部材の位置要因に影響され
ることなく常に精度良く行なうことができる。
キャン方式等による投影露光装置において、被露光体を
搭載するステージとそのステージの位置計測をするため
のレーザ干渉計の干渉部分を原板と被露光体とを一体的
に移送する部材上に設けているので、原板に対するステ
ージの位置の計測はこの移送部材の位置要因に影響され
ることなく常に精度良く行なうことができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略
構成図である。 １：フォトマスク、２：マスクステージ、 ３：基板、４：ＸＹステージ、５：ミラー投影系、 ９：ホルダ（キャリッジ）、13：基台、 14：レーザチューブ、15：反射ミラー、 16：レーザ干渉計の干渉部分。
構成図である。 １：フォトマスク、２：マスクステージ、 ３：基板、４：ＸＹステージ、５：ミラー投影系、 ９：ホルダ（キャリッジ）、13：基台、 14：レーザチューブ、15：反射ミラー、 16：レーザ干渉計の干渉部分。
Claims (1)
- 【請求項１】原板に対して被露光体を位置合わせした
後、露光光に対して前記原板と被露光体とを一体的に走
査することにより前記原板のパターンを前記被露光体上
に投影する露光装置であって、前記原板と被露光体とを
一体的に走査するための前記原板と被露光体とを一体的
に移送する移送部材上に、前記被露光体を搭載して２次
元的に移動可能なＸＹステージと前記ＸＹステージの位
置を計測するためのレーザ干渉計の干渉部分とを設ける
ことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041427A JPH0630335B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041427A JPH0630335B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200725A JPS62200725A (ja) | 1987-09-04 |
| JPH0630335B2 true JPH0630335B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=12608062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61041427A Expired - Lifetime JPH0630335B2 (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630335B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001117213A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-04-27 | Nikon Corp | フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、該フォトマスクを扱う投影露光装置、及び投影露光方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021232A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-06 | ||
| JPS52124369A (en) * | 1976-04-10 | 1977-10-19 | Kawaguchiko Seimitsu Kk | Back cover for watch |
| JPS5828748A (ja) * | 1981-08-13 | 1983-02-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 転写装置の位置合わせ装置 |
| JPS60182444A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-18 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61041427A patent/JPH0630335B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62200725A (ja) | 1987-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |