JPH0478126A - 自動焦点検出装置 - Google Patents

自動焦点検出装置

Info

Publication number
JPH0478126A
JPH0478126A JP2190471A JP19047190A JPH0478126A JP H0478126 A JPH0478126 A JP H0478126A JP 2190471 A JP2190471 A JP 2190471A JP 19047190 A JP19047190 A JP 19047190A JP H0478126 A JPH0478126 A JP H0478126A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording medium
optical system
image
projection optical
printed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2190471A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiro Hanzawa
半澤 次郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2190471A priority Critical patent/JPH0478126A/ja
Publication of JPH0478126A publication Critical patent/JPH0478126A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体焼付装置における自動焦点検出装置に関
し、詳しくはステッパ等のマスクアライナにおいて投影
系を通して記録媒体に露光された像によって投影系の最
適焦点位置を検出する自動焦点検出装置に関する。
[従来の技術] 従来、この種の装置例えば半導体焼付装置における焦点
検出方法としては、■レティクルのパターンの投影光学
系による設計上の結像面にウニへ面を合わせる方法が提
案されている。また、■レティクル側から投影光学系を
通してウェハのマークを観察し、各々のコントラストを
一致させ、最適焦点位置にウェハを合わせる方式がある
。さらに、■レティクル側から投影光学系を通してつ工
[発明か解決しようとしている課題] しかしながら、上記従来例■の、投影光学系による設計
上の結像面にウニへ面を合わせる方式では、装置周辺の
環境の変化により投影光学系に歪が発生し結像面の位置
が不安定になるため、実際のウェハを焼き付ける前に、
必ずテストウェハに数千回の試し露光を行い、そのウェ
ハを処理して結像面の位置の確認を行う必要がある。
また、上記従来例■の、クエへのマークを観察し、各々
のコントラストを一致させ、最適焦点位置にクエへを合
わせる方式においては、ある条件の下ではウェハのマー
クのコントラストが悪くなり、測定が不安定になるとい
う欠点がある。
ざらに、上記従来例■の、レティクル側からウニへ面に
斜めから光を照射し、その反射光の位置から最適焦点位
置にウェハを合わせる方式では、レジストをウニ八表面
に塗布したとき、そのレジストの影響を受けて別の反射
光をみることがあり、測定が不安定になるという欠点が
ある。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、
自動焦点検出装置において、より筒車かつ迅速に安定し
た最適焦点合せができるようにすることにある。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため本発明では、原版のパターンを
投影光学系を介して半導体基板上に焼き付ける半導体焼
付装置の自動焦点検出装置において、原版上に設けられ
た検出用マークと、投影光学系を介して検出用マーク像
が焼き付けられる記録媒体と、記録媒体面が投影光学系
の結像面に対し所定の角度を有しかつ投影光学系を介し
て記録媒体上に検出用マーク像が最適焦点状態を含んで
焼き付けられるような所定の位置において記録媒体を保
持する記録媒体保持手段と、この所定位置で記録媒体上
に焼き付けられた検出用マーク像を撮像する撮像手段と
、撮像手段が得た画像情報に基づき投影光学系の最適焦
点位置を求める情報処理手段とを備えるようにしている
記録媒体は、解像性能及び諸特性が実際に使用する半導
体基板のフォトレジストとほぼ同一で、焼き付けられた
像を消去することによフて綬返し使用可能なものであり
、そしてこの記録媒体上の焼付像を消去する手段を有す
るのが好ましい。
記録媒体保持手段は、例えば、傾斜駆動手段とステージ
手段とを宥し、傾斜駆動手段はステージ手段上において
記録媒体を投影光学系の結像面に対し所定の角度を有す
る位置に位置させうるものであり、ステージ手段は前記
所定角度位置にある記録媒体上に検出用マークを焼き付
けたときには最適焦点状態を含んで焼き付けられるよう
な所定の焼付位置と、この位置で焼き付けられた検出用
マーク像を撮像手段が撮像しうる所定の撮像位置との間
で、記録媒体および傾斜駆動手段を保持して移動可能な
ものとして構成される。
情報処理手段は、通常、最適焦点位置を示す信号を出力
する。
[作用] この構成において、焦点位置検出に際しては、記録媒体
を投影光学系の結像面に対し所定の角度を有する位置に
位置させ、この記録媒体上に検出用マークを最適焦点状
態を含むように焼き付け、そしてその焼き付けられた検
出用マーク像を撮像し、それによって得られた画像情報
に基づき投影光学系の最適焦点位置が求められる。最適
焦点位置は、検出用マーク像を焼き付けたときの記録媒
体面位置と、撮像手段が得た画像情報の検出用マーク像
のうちの最適焦点状態部分の位置とから、特定される。
すなわち、−回の試し露光で従来より簡単かつ高速に投
影光学系の最適焦点位置が検出される。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る自動焦点検出装置を
備えた半導体焼付装置を示し、本発明の特徴を最も良く
表わす図面である。同図において、1は焼き付けるべき
パターンが描かれているレティクル(マスク)、2はレ
ティクル1のパターンをウェハもしくは記録媒体6に焼
き付は転写するための投影光学系、3はレティクル1上
に設けられた最適焦点位置検出用マーク、4は記録媒体
6を投影光学系2及び観察光学系12の結像面付近で位
置決めできるxyzステージ、5は記録媒体6を傾ける
ことが可能な上下機構、6は解像性能及び諸特性が実際
に使用するフォトレジストとほぼ同一で繰り返し使用可
能な記録媒体、7は投影光学系の設計上の結像面(不図
示の光学式距離検出器で保証されている)、8は記録媒
体6基板を角度θで傾けたと籾水平方向座標では焦点位
置検出マーク3が転写される位置にあり高さは投影光学
系2の設計上の結像面7と同じ位置にあるように位置検
出用マーク3の転写時に位置される記録媒体6上の基準
点、9aおよび9bは投影光学系2および観察光学系1
2の光軸である。
dはマーク3が転写された記録媒体6基板の基準点8を
観察光学系12の光軸9b上までステージ4で送るため
に基準長Sに対して補正される量であり、(レティクル
1上における光軸9aからマーク3までの距@) X 
(投影倍率)+(記録媒体6上下時の基準点8のずれδ
)として表すことができる。
Sは投影光学系2と観察光学系12の光軸9a、9b間
の距離であり、保証されている。
12は転写されたパターンを観察するための観察光学系
、13は転写されたパターンの画像情報を取り込むため
のカメラ、14は記録媒体を繰り返し使用するために、
記録媒体上に転写されたパターンを消去する記録媒体消
去機構、15はカメラ13で取り込んだパターン情報を
処理し最適焦点位置を求めるための画像処理部である。
装置各部の動作は不図示の駆動制御手段によって制御さ
れる。
第2図は、第1図の装置の動作を示すフロー図であり、
′!J3図はそれを補足して説明するための説明図であ
る。!1図と同一の符号は同一部分を示す。第3図にお
いて、Cはレティクルjの中心(投影光学系の光軸)、
Xr、Yrは中心Cを基準とした焦点位置検出マーク3
のレティクル上位置を現わす値、jは投影光学系2の最
適焦点位置J(装置環境などにより変化する)に対応し
た記録媒体6上の位置を示すライン、θは録媒体6基板
の傾き角度、Lは基準点8から最適焦点位置jまでの距
離、2.は設計上の結像面7に対する最適焦点位置Jの
ずれ量である。
次に、本発明の動作を各図に基ずいて説明する。ここで
は、最適焦点位置Jを求めるレティクルパターンの例と
して線状のパターン16(第3図(a))を用いる。ま
た、第1および3図中に記述しである記録媒体6上基準
点8の位置は、記録媒体6基板を傾けたときレティクル
1上の中心から任意の距si (xr 、 Yt )だ
け離れている焦点位置検出マーク3が転写される位置で
、かつ投影光学系2の設計上の結像面7上にあり、この
位置はすでに把握しである。同様に記録媒体6基板の傾
は角度θも予め把握しである。
最適焦点位置検出処理を開始すると、駆動制御手段はま
ず、投影光学系2の下で、記録媒体6基板にレティクル
1上の焦点位置検出マーク3を転写できる位置に記録媒
体6基板を移動し、第3図(b)に示す位置関係となる
ように記録媒体6面をxyzステージ4及び上下機構6
で位置決めする(ステップS1およびS2)。そして、
レティクル1のパターンの露光を行なう(ステップS2
)、つぎに、記録媒体6を水平にもどしくステップS4
)、第1図中の基準点8の光軸からのずれ量d十基準長
Sだけステージ4を送り観察光学系12の下に記録媒体
6基板を位置決めする(ステップS5)、その後、観察
光学系12で画像情報を取り込んで処理し、線状パター
ンの最も細くなっているポイント(記録媒体6の特性上
太くなることもある)すなわち最適焦点に対応する位置
Jを求め、また同時に、記録媒体6基板上での最適焦点
位置jから基準点8(観察光学系中心)までの距NIL
 (第3図(b))を求める(ステップSS)。
次に、距11Lと基板傾き角θとから下式を用いてずれ
量2.を求め、露光装置側へ出力する(ステップS7)
Z、=L−sin θ そして最後に、転写されたパターン像を記録媒体消去機
構14により消去して、次の動作タイミングを待つ(ス
テップSa)。
露光装置側では上述のデータに従い、ウェハを送り込む
高さ(投影光学系の設計上の結像面位置)にずれ量Z、
を加えて最適焦点位置に位置させて通常の露光を行なう
本実施例によれば、通常のウェハー露光工程に於て必ず
装置を止めてテストウェハを実際に露光して行なわれて
いた投影光学系の最適焦点位置確認作業を、露光装置の
繰り返し行える一つの動作として且つ、−回の実露光だ
けで高速に行うことが可能である。また、実際に露光し
て確認するため環境変化などによる誤差も吸収すること
ができる。
なお、前記実施例では、レティクル上の最適焦点位置を
線状パターンを用いてその太さから検出しているが、こ
の代わりに円状または多角形状パターンを用い、その大
ぎさから検出するようにしてもよいし、前述のパターン
のコントラストを用いて検出してもよい。
また、前記実施例では説明上、記録媒体上で投影光学系
の設計上の結像面に位置される点を基準点としたが、こ
れは座標が把握されている任意のポイントでもよいし、
基準となるマークをエツチングなどで基板上に設けてこ
れを用いるようにしてもよい。
さらに他の例として、この記録媒体を傾けずに、結像面
付近において微少ストロークで階段状に高さを変える動
作中にステップ露光を行い、その転写されたショット等
のパターンを画像処理して最適焦点位置の高さを求める
ようにしてもよい。
[発明の効果] 以上説明したように、記録媒体を投影光学系の結像面に
対し所定の角度で傾けた記録媒体上に検出用マークを最
適焦点状態を含むように焼き付け、その画像情報に基づ
き投影光学系の最適焦点位置を求めるようにしたため、
−回の試し露光で従来より簡単かつ高速に投影光学系の
最適焦点位置を検出し、迅速にウェハ等を最適結像面に
合わせることができる。
さらに、記録媒体を繰り返し使用可能とすることにより
、例えば熱による投影光学系の歪などで焦点位置の変化
が起こっても、装置のスルーブツトを落とすことなく迅
速に且つ装置が動作中の任意の時期に最適焦点位置を検
出してウェハ等の位置を正確に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る自動焦点検出装置を
説明するための概略図、 第2図は、¥S1図の装置における自動焦点検出の動作
を示すフロー図、そして 第3図(a)および(b)は、レティクル上の焦点位置
検出マーク、それを投影光学系で記録媒体基板上に焼き
付は転写した状態、およびそれらの位置関係を示す説明
図である。 1 レティクル、 置検出マーク、4: 構、6:記録媒体、 単点、9a、9b 13:カメラ、1 置。 2:投影光学系、3:焦点位 xyzステージ、5:上下機 7:設計上の結像面、8:基 :光軸、12:観察光学系、 4:IA理部、J:最適焦点位 特許比願人

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)原版のパターンを投影光学系を介して半導体基板
    上に焼き付ける半導体焼付装置の自動焦点検出装置であ
    って、原版上に設けられた検出用マークと、投影光学系
    を介して検出用マーク像が焼き付けられる記録媒体と、
    記録媒体面が投影光学系の結像面に対し所定の角度を有
    しかつ投影光学系を介して記録媒体上に検出用マーク像
    が最適焦点状態を含んで焼き付けられるような所定の位
    置において記録媒体を保持する記録媒体保持手段と、こ
    の所定位置で記録媒体上に焼き付けられた検出用マーク
    像を撮像する撮像手段と、撮像手段が得た画像情報に基
    づき投影光学系の最適焦点位置を求める情報処理手段と
    を具備することを特徴とする自動焦点検出装置。
  2. (2)記録媒体は、解像性能及び諸特性が実際に使用す
    る半導体基板のフォトレジストとほぼ同一で、焼き付け
    られた像を消去することによつて繰返し使用可能なもの
    である、請求項1記載の自動焦点検出装置。
  3. (3)さらに記録媒体上の焼付像を消去する手段を有す
    る、請求項2記載の自動焦点検出装置。
  4. (4)記録媒体保持手段は、傾斜駆動手段とステージ手
    段とを有し、傾斜駆動手段はステージ手段上において記
    録媒体を投影光学系の結像面に対し所定の角度を有する
    位置に位置させうるものであり、ステージ手段は前記所
    定角度位置にある記録媒体上に検出用マークを焼き付け
    たときには最適焦点状態を含んで焼き付けられるような
    所定の焼付位置と、この位置で焼き付けられた検出用マ
    ーク像を撮像手段が撮像しうる所定の撮像位置との間で
    、記録媒体および傾斜駆動手段を保持して移動可能なも
    のである、請求項1記載の自動焦点検出装置。
  5. (5)情報処理手段は、最適焦点位置を示す信号を出力
    するものである、請求項1記載の自動焦点検出装置。
JP2190471A 1990-07-20 1990-07-20 自動焦点検出装置 Pending JPH0478126A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2190471A JPH0478126A (ja) 1990-07-20 1990-07-20 自動焦点検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2190471A JPH0478126A (ja) 1990-07-20 1990-07-20 自動焦点検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0478126A true JPH0478126A (ja) 1992-03-12

Family

ID=16258668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2190471A Pending JPH0478126A (ja) 1990-07-20 1990-07-20 自動焦点検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0478126A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008140911A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Toshiba Corp フォーカスモニタ方法
JP2009042234A (ja) * 1999-06-24 2009-02-26 Asml Holding Nv 光学系の特徴を測定する方法及び装置
JP2009152563A (ja) * 2007-11-20 2009-07-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法
US7804601B2 (en) 1999-06-24 2010-09-28 Asml Holding N.V. Methods for making holographic reticles for characterizing optical systems

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009042234A (ja) * 1999-06-24 2009-02-26 Asml Holding Nv 光学系の特徴を測定する方法及び装置
US7804601B2 (en) 1999-06-24 2010-09-28 Asml Holding N.V. Methods for making holographic reticles for characterizing optical systems
JP2008140911A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Toshiba Corp フォーカスモニタ方法
JP2009152563A (ja) * 2007-11-20 2009-07-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法
US8289516B2 (en) 2007-11-20 2012-10-16 Asml Netherlands B.V. Method of measuring focus of a lithographic projection apparatus
US8436998B2 (en) 2007-11-20 2013-05-07 Asml Netherlands B.V. Method of measuring focus of a lithographic projection apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3224041B2 (ja) 露光方法及び装置
JP4323608B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP3211491B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体製造方法並びに装置
JP3809268B2 (ja) デバイス製造方法
KR20090089820A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4289961B2 (ja) 位置決め装置
JP3466893B2 (ja) 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3531894B2 (ja) 投影露光装置
JPH09223650A (ja) 露光装置
JPH0478126A (ja) 自動焦点検出装置
JPH09139342A (ja) プリアライメント方法及び装置
JP3428825B2 (ja) 面位置検出方法および面位置検出装置
JPH11288867A (ja) 位置合わせ方法、アライメントマークの形成方法、露光装置及び露光方法
JP2005116779A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JPH01194322A (ja) 半導体焼付装置
JP2637412B2 (ja) 位置あわせ方法
JP4332891B2 (ja) 位置検出装置、位置検出方法、及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP3919689B2 (ja) 露光方法、素子の製造方法および露光装置
JPH09260252A (ja) 投影光学系の結像特性評価方法及び該方法を使用する投影露光装置
JPH01228130A (ja) 投影露光方法およびその装置
JP3531895B2 (ja) 投影露光装置
JP3604801B2 (ja) 露光装置および露光方法
JPS62200724A (ja) 投影露光装置
JPH10326739A (ja) 位置合わせ方法及び露光方法
JP2005167073A (ja) 露光装置