JP2588860B2 - プリント基板製作の露光方法 - Google Patents
プリント基板製作の露光方法Info
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- JP2588860B2 JP2588860B2 JP63014398A JP1439888A JP2588860B2 JP 2588860 B2 JP2588860 B2 JP 2588860B2 JP 63014398 A JP63014398 A JP 63014398A JP 1439888 A JP1439888 A JP 1439888A JP 2588860 B2 JP2588860 B2 JP 2588860B2
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- printed circuit
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子部品の実装等で用いられるプリント基
板製作のための露光方法に関するものである。
板製作のための露光方法に関するものである。
［従来の技術］ 一般にプリント基板と呼ばれているものには、コンピ
ュータ，テレビ，ステレオ等で用いられるプリンティッ
ドワイヤードボード（以下、PWBという）や、カメラ，
電卓,VTR等で用いられるフレキシブルプリンティッドサ
ーキィット（以下、FPCという）等が知られている。PWB
は基板素材としてエポキシ樹脂，フェノール樹脂，セラ
ミック等を使用し厚さが0.8から3.2mm程度、FPCは基板
素材としてポリエステルフィルム，ポリイミドフィルム
等を使用し厚さが25から125μｍ程度である。
ュータ，テレビ，ステレオ等で用いられるプリンティッ
ドワイヤードボード（以下、PWBという）や、カメラ，
電卓,VTR等で用いられるフレキシブルプリンティッドサ
ーキィット（以下、FPCという）等が知られている。PWB
は基板素材としてエポキシ樹脂，フェノール樹脂，セラ
ミック等を使用し厚さが0.8から3.2mm程度、FPCは基板
素材としてポリエステルフィルム，ポリイミドフィルム
等を使用し厚さが25から125μｍ程度である。
これらプリント基板の製作には、基板に液状レジス
ト，ドライフィルムレジスト等の薄いフォトレジスト層
を設け、プリントすべきパターンが描かれたフォトマス
クを通して該フォトレジストの感光波長で露光する工程
を経て、所望のパターンを該フォトレジスト層に設け
る。
ト，ドライフィルムレジスト等の薄いフォトレジスト層
を設け、プリントすべきパターンが描かれたフォトマス
クを通して該フォトレジストの感光波長で露光する工程
を経て、所望のパターンを該フォトレジスト層に設け
る。
この際、基板素材とフォトマスクの位置関係の違いに
より、従来方式として密着方式とプロキシミティ方式の
２つの方式が知られている。前者はフォトレジスト層の
設けられた基板素材とフォトマスクとを密着させて配置
する露光方式であるのに対し、後者は基板素材とフォト
マスクとの間に一定のわずかな間隙を設けて配置する露
光方式である。また、これら二つの方式ともフォトマス
クと露光されるパターンの倍率は、実質上等倍である。
より、従来方式として密着方式とプロキシミティ方式の
２つの方式が知られている。前者はフォトレジスト層の
設けられた基板素材とフォトマスクとを密着させて配置
する露光方式であるのに対し、後者は基板素材とフォト
マスクとの間に一定のわずかな間隙を設けて配置する露
光方式である。また、これら二つの方式ともフォトマス
クと露光されるパターンの倍率は、実質上等倍である。
ところが最近、IC等と同じように、プリント基板も組
み込まれる製品，装置の精密化に伴い、パターンの微細
化が要求されるようになってきている。例えば、電卓や
時計等で用いられるFPC製プリント基板は100から50μｍ
程度のパターン線巾が要求されている。
み込まれる製品，装置の精密化に伴い、パターンの微細
化が要求されるようになってきている。例えば、電卓や
時計等で用いられるFPC製プリント基板は100から50μｍ
程度のパターン線巾が要求されている。
また他方では、一枚のプリント基板が大型化する傾向
もみられる。例えば、コンピュータメモリボード等で用
いられるプリント基板は500mm×600mm程度の大きさを有
し、この様な基板を一度に露光することが必要となって
きている。ここにおいて従来方式として掲げた前述の２
つの露光方式は、以下の諸点において問題点を抱えてお
り改良が望まれている。
もみられる。例えば、コンピュータメモリボード等で用
いられるプリント基板は500mm×600mm程度の大きさを有
し、この様な基板を一度に露光することが必要となって
きている。ここにおいて従来方式として掲げた前述の２
つの露光方式は、以下の諸点において問題点を抱えてお
り改良が望まれている。
まず、第１に、前述の通り等倍率を採る従来の密着方
式及びプロキシミティ方式においては、製作すべきプリ
ント基板の微細化に伴い、微細化に比例してフォトマス
クも微細なものを用意しなければならず、製作がしにく
くてコスト上昇の原因となる。
式及びプロキシミティ方式においては、製作すべきプリ
ント基板の微細化に伴い、微細化に比例してフォトマス
クも微細なものを用意しなければならず、製作がしにく
くてコスト上昇の原因となる。
第２に、プリント基板が大型化すると、等倍率を採る
従来の２つの方式においては、大型化に比例してフォト
マスクも大型のものを用意しなければならず、コスト上
昇の原因となる。
従来の２つの方式においては、大型化に比例してフォト
マスクも大型のものを用意しなければならず、コスト上
昇の原因となる。
第３に、前述のプロキシミティ方式は、フォトレジス
ト層の設けられた面とフォトマスクとがいずれの場所に
おいても同一の間隙を有すること、即ち平行度が要求さ
れるが、製作すべきプリント基板の大型化に伴い大型の
フォトマスクを使用するようになると、フォトマスクの
反りにより、どうしても平行度が悪くなる。その結果、
露光される像が歪んだり、ひどい場合はフォトマスクと
フォトレジストとが接触し、フォトマスクが汚れたりキ
ズがついたりして、密着方式と同じように不良品を発生
させる原因となる。
ト層の設けられた面とフォトマスクとがいずれの場所に
おいても同一の間隙を有すること、即ち平行度が要求さ
れるが、製作すべきプリント基板の大型化に伴い大型の
フォトマスクを使用するようになると、フォトマスクの
反りにより、どうしても平行度が悪くなる。その結果、
露光される像が歪んだり、ひどい場合はフォトマスクと
フォトレジストとが接触し、フォトマスクが汚れたりキ
ズがついたりして、密着方式と同じように不良品を発生
させる原因となる。
そこで最近では、IC等の製作における露光方式と同様
に、プリント基板製作の露光方式においても投影方式を
採用することが検討されるに至っている。なぜなら、投
影方式によるならば、製作すべきプリント基板が微細化
もしくは大型化しても作りやすい寸法，大きさにフォト
マスクを製作して、後は拡大露光したり、縮小露光した
りして所定の露光ができる長所があり、またフォトマス
クの反りによる像の歪みやフォトレジストとの接触によ
るフォトマスクの汚れ，キズの心配もなくなるからであ
る。
に、プリント基板製作の露光方式においても投影方式を
採用することが検討されるに至っている。なぜなら、投
影方式によるならば、製作すべきプリント基板が微細化
もしくは大型化しても作りやすい寸法，大きさにフォト
マスクを製作して、後は拡大露光したり、縮小露光した
りして所定の露光ができる長所があり、またフォトマス
クの反りによる像の歪みやフォトレジストとの接触によ
るフォトマスクの汚れ，キズの心配もなくなるからであ
る。
［発明が解決しようとする課題］ 上述の如く、従来の投影方式による露光方法は原画と
被露光物とのピント合わせを行う必要があり、特にFPC
の露光の場合は100μｍ程度の線巾の微細露光が要求さ
れるため、高精度のピント合わせを行わなければならな
いという課題がある。
被露光物とのピント合わせを行う必要があり、特にFPC
の露光の場合は100μｍ程度の線巾の微細露光が要求さ
れるため、高精度のピント合わせを行わなければならな
いという課題がある。
この発明はかかる課題を達成するためになされたもの
で、微細な線巾を要求されるプリント基板の露光にも適
した高精度のピント合わせの可能なプリント基板製作の
露光方法を提供することを目的とする。
で、微細な線巾を要求されるプリント基板の露光にも適
した高精度のピント合わせの可能なプリント基板製作の
露光方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、この発明の露光方法は
プリント基板素材の少なくとも一方の面にフォトレジス
ト層を設け、このフォトレジスト層が設けられた面に原
画の像を投影レンズで投影して露光するに際し、投影レ
ンズの出射側の光路中であって、露光面からの光を受光
する位置に半透過性薄膜を設け、この半透過性薄膜から
の反射光のモニタを行いつつ露光面における原画の像の
ピントを合わせて、当該ピント合わせ終了後、前記半透
明性薄膜を前記光路外に退避させて前記露光を行うもの
である。
プリント基板素材の少なくとも一方の面にフォトレジス
ト層を設け、このフォトレジスト層が設けられた面に原
画の像を投影レンズで投影して露光するに際し、投影レ
ンズの出射側の光路中であって、露光面からの光を受光
する位置に半透過性薄膜を設け、この半透過性薄膜から
の反射光のモニタを行いつつ露光面における原画の像の
ピントを合わせて、当該ピント合わせ終了後、前記半透
明性薄膜を前記光路外に退避させて前記露光を行うもの
である。
［作用］ この発明の露光方法によれば、半透過性薄膜を介して
高精度のピント合わせが可能なので、微細な線巾の露光
像に対しても充分な露光を行うことができる。
高精度のピント合わせが可能なので、微細な線巾の露光
像に対しても充分な露光を行うことができる。
［実施例］ 第１図はこの発明を実施するための露光装置の主要部
の概略を示す説明図であり、また、第２図（ａ）は第１
図の露光面結像モニタに用いる半透過性薄膜の平面図、
同図（ｂ）はその断面図である。
の概略を示す説明図であり、また、第２図（ａ）は第１
図の露光面結像モニタに用いる半透過性薄膜の平面図、
同図（ｂ）はその断面図である。
第１図，第２図において、11は超高圧水銀灯、12は楕
円集光鏡、13,15は平面反射鏡、14はインテグレータレ
ンズ、16はコンデンサレンズで、これら超高圧水銀灯11
乃至コンデンサレンズ16で照明系１を構成している。ま
た、２はプリントしようとする原画、2aは原画設定機
構、３は投影レンズ、４は半透過性薄膜、５は露光面に
配置される被露光物（以下ワークという）、６は露光面
結像モニタとしての光学顕微鏡（以下顕微鏡）で、予め
露光面にピント合わせを行っておく。また、第２図の4a
は半透過性薄膜本体、4bはこの半透過性薄膜本体4aを固
定するための枠体である。
円集光鏡、13,15は平面反射鏡、14はインテグレータレ
ンズ、16はコンデンサレンズで、これら超高圧水銀灯11
乃至コンデンサレンズ16で照明系１を構成している。ま
た、２はプリントしようとする原画、2aは原画設定機
構、３は投影レンズ、４は半透過性薄膜、５は露光面に
配置される被露光物（以下ワークという）、６は露光面
結像モニタとしての光学顕微鏡（以下顕微鏡）で、予め
露光面にピント合わせを行っておく。また、第２図の4a
は半透過性薄膜本体、4bはこの半透過性薄膜本体4aを固
定するための枠体である。
第１図の露光装置において、例えば前回の露光工程で
用いた原画２と異なる原画を用いて露光処理が必要な
時、まず露光処理を開始する前に、新しい原画２を前回
使用した原画２と取換える。そして、ワーク５が配置さ
れる位置と同じ位置に露光見本を置く。次に、超高圧水
銀灯11を点灯し、半透過性薄膜４を投影レンズ３の有効
光線領域内に配置した後、半透過性薄膜４を介して露光
見本に対する原画２の投影像を顕微鏡６で観察する。こ
の観察中、既に露光見本にプリントされたパターンと、
原画２による結像とが合致するように原画設定機構2aを
駆動して、原画２を上下（ｚ軸）方向に移動させてピン
ト合わせをする。
用いた原画２と異なる原画を用いて露光処理が必要な
時、まず露光処理を開始する前に、新しい原画２を前回
使用した原画２と取換える。そして、ワーク５が配置さ
れる位置と同じ位置に露光見本を置く。次に、超高圧水
銀灯11を点灯し、半透過性薄膜４を投影レンズ３の有効
光線領域内に配置した後、半透過性薄膜４を介して露光
見本に対する原画２の投影像を顕微鏡６で観察する。こ
の観察中、既に露光見本にプリントされたパターンと、
原画２による結像とが合致するように原画設定機構2aを
駆動して、原画２を上下（ｚ軸）方向に移動させてピン
ト合わせをする。
以上の位置合わせによって原画２が所定の位置に配置
されると、半透過性薄膜４を照射系１からの有効光線領
域外に取出し、露光見本をワーク５に置換して、超高圧
水銀灯11からの光を照明系1,原画2,投影レンズ３を介し
てワーク５に照射して露光する。
されると、半透過性薄膜４を照射系１からの有効光線領
域外に取出し、露光見本をワーク５に置換して、超高圧
水銀灯11からの光を照明系1,原画2,投影レンズ３を介し
てワーク５に照射して露光する。
また、第３図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚につ
いて説明するための図であり、４′は半透過性の膜で、
第１図の半透過性薄膜４に対して膜厚がやや厚く、露光
装置のモニタ手段として用いるには不適当な厚みを有す
るものであり、T1,T2はこの膜４′を透過した光及び透
過しない場合の光による結像点、Z1,Z2は膜４′を透過
しない場合の光による結像点T2からの膜４′表面及び内
面からのそれぞれの反射光である。
いて説明するための図であり、４′は半透過性の膜で、
第１図の半透過性薄膜４に対して膜厚がやや厚く、露光
装置のモニタ手段として用いるには不適当な厚みを有す
るものであり、T1,T2はこの膜４′を透過した光及び透
過しない場合の光による結像点、Z1,Z2は膜４′を透過
しない場合の光による結像点T2からの膜４′表面及び内
面からのそれぞれの反射光である。
第３図から明らかなように、膜４′を透過した光の結
像点T1は、透過しない場合の光の結像点T2とは異ってい
てずれがあり、また、例えば同一の結像点T2からの反射
光が膜４′の表面及び内面からの反射光Z1,Z2とは異っ
ているために、顕微鏡６に入射する入射光にずれがあ
り、露光像が歪んでモニタされてしまう。
像点T1は、透過しない場合の光の結像点T2とは異ってい
てずれがあり、また、例えば同一の結像点T2からの反射
光が膜４′の表面及び内面からの反射光Z1,Z2とは異っ
ているために、顕微鏡６に入射する入射光にずれがあ
り、露光像が歪んでモニタされてしまう。
従って、結像点のずれと露光面からの反射光のずれが
重なると、露光像の歪は倍加されることになって像はま
すます歪が大きくなる。その結果、膜４′の厚みはでき
るだけ薄くして、露光像のずれ，反射光のずれが無視で
きる程度に薄くする必要があり、使用可能な膜の厚さは
２μｍ程度まででなければならない。
重なると、露光像の歪は倍加されることになって像はま
すます歪が大きくなる。その結果、膜４′の厚みはでき
るだけ薄くして、露光像のずれ，反射光のずれが無視で
きる程度に薄くする必要があり、使用可能な膜の厚さは
２μｍ程度まででなければならない。
また、半透過性薄膜４は減光の役目もするのでモニタ
しやすくなる。
しやすくなる。
［発明の効果］ 以上説明したとおり、この発明の露光方法はプリント
基板素材の少なくとも一方の面にフォトレジスト層を設
け、このフォトレジスト層が設けられた面に原画の像を
投影レンズで投影して露光するに際し、露光のために照
射される光の有効光線の光路中であって、露光面からの
光を受光する位置に半透過性薄膜を設け、この半透過性
薄膜からの反射光のモニタを行いつつ露光面における原
画の像のピントを合わせて、当該ピント合わせ終了後、
前記半透明性薄膜を前記光路外に退避させて前記露光を
行うので、露光像をモニタしつつ原画の位置合わせを行
うことができ、少量多品種の露光に際して、簡単に高精
度に位置合わせを行うことができ、精細な原画に対して
も露光精度の高いものが可能である。
基板素材の少なくとも一方の面にフォトレジスト層を設
け、このフォトレジスト層が設けられた面に原画の像を
投影レンズで投影して露光するに際し、露光のために照
射される光の有効光線の光路中であって、露光面からの
光を受光する位置に半透過性薄膜を設け、この半透過性
薄膜からの反射光のモニタを行いつつ露光面における原
画の像のピントを合わせて、当該ピント合わせ終了後、
前記半透明性薄膜を前記光路外に退避させて前記露光を
行うので、露光像をモニタしつつ原画の位置合わせを行
うことができ、少量多品種の露光に際して、簡単に高精
度に位置合わせを行うことができ、精細な原画に対して
も露光精度の高いものが可能である。
第１図はこの発明の露光装置の主要部の概略を示す説明
図、第２図（ａ）は第１図の露光面結像モニタに用いる
半透過性薄膜の平面図、同図（ｂ）はその断面図、第３
図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚について説明する
ための図である。 図中． 1:照明系 2:原画 2a:原画設定機構 3:投影レンズ 4:半透過性薄膜 5:ワーク 6:顕微鏡
図、第２図（ａ）は第１図の露光面結像モニタに用いる
半透過性薄膜の平面図、同図（ｂ）はその断面図、第３
図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚について説明する
ための図である。 図中． 1:照明系 2:原画 2a:原画設定機構 3:投影レンズ 4:半透過性薄膜 5:ワーク 6:顕微鏡
Claims (1)
- 【請求項１】プリント基板の少なくとも一方の面にフォ
トレジスト層を設け、このフォトレジスト層が設けられ
た面に原画の像を投影レンズで投影して露光するに際
し、 投影レンズの出射側の光路中であって、露光面からの光
を受光する位置に半透明性薄膜を設け、 この半透明性薄膜からの反射光のモニタを行いつつ露光
面における原画の像のピントを合わせて、 当該ピント合わせ終了後、前記半透明性薄膜を前記光路
外に退避させて前記露光を行う ことを特徴とするプリント基板製作の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014398A JP2588860B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | プリント基板製作の露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014398A JP2588860B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | プリント基板製作の露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191493A JPH01191493A (ja) | 1989-08-01 |
| JP2588860B2 true JP2588860B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=11859941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63014398A Expired - Fee Related JP2588860B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | プリント基板製作の露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2588860B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165915A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
| JPS62200724A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| JPS62181430A (ja) * | 1987-01-23 | 1987-08-08 | Hitachi Ltd | 露光装置の校正方法 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63014398A patent/JP2588860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01191493A (ja) | 1989-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |