JP2593823B2 - プリント基板製作の露光方法 - Google Patents
プリント基板製作の露光方法Info
- Publication number
- JP2593823B2 JP2593823B2 JP63014396A JP1439688A JP2593823B2 JP 2593823 B2 JP2593823 B2 JP 2593823B2 JP 63014396 A JP63014396 A JP 63014396A JP 1439688 A JP1439688 A JP 1439688A JP 2593823 B2 JP2593823 B2 JP 2593823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- printed circuit
- circuit board
- original image
- semi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子部品の実装等で用いられるプリント基
板製作のための露光方法に関するものである。
板製作のための露光方法に関するものである。
［従来の技術］ 一般にプリント基板と呼ばれているものには、コンピ
ュータ，テレビ，ステレオ等で用いられるプリンティッ
ドワイヤードボード（以下、PWBという）や、カメラ，
電卓,VTR等で用いられるフレキシブルプリンティッドサ
ーキィット（以下、FPCという）等が知られている。PWB
は基板素材としてエポキシ樹脂，フェノール樹脂，セラ
ミック等を使用し厚さが0.8から3.2mm程度、FPCは基板
素材としてポリエステルフィルム，ポリイミドフィルム
等を使用し厚さが25から125μｍ程度である。
ュータ，テレビ，ステレオ等で用いられるプリンティッ
ドワイヤードボード（以下、PWBという）や、カメラ，
電卓,VTR等で用いられるフレキシブルプリンティッドサ
ーキィット（以下、FPCという）等が知られている。PWB
は基板素材としてエポキシ樹脂，フェノール樹脂，セラ
ミック等を使用し厚さが0.8から3.2mm程度、FPCは基板
素材としてポリエステルフィルム，ポリイミドフィルム
等を使用し厚さが25から125μｍ程度である。
これらプリント基板の製作には、基板に液状レジス
ト，ドライフィルムレジスト等の薄いフォトレジスト層
を設け、プリントすべきパターンが描かれたフォトマス
クを通して該フォトレジストの感光波長で露光する工程
を経て、所望のパターンを該フォトレジスト層に設け
る。
ト，ドライフィルムレジスト等の薄いフォトレジスト層
を設け、プリントすべきパターンが描かれたフォトマス
クを通して該フォトレジストの感光波長で露光する工程
を経て、所望のパターンを該フォトレジスト層に設け
る。
この際、基板素材とフォトマスクの位置関係の違いに
より、従来方式として密着方式とプロキシミティ方式の
２つの方式が知られている。前者はフォトレジスト層の
設けられた基板素材とフォトマスクとを密着させて配置
する露光方式であるのに対し、後者は基板素材とフォト
マスクとの間に一定のわずかな間隙を設けて配置する露
光方式である。また、これら二つの方式ともフォトマス
クと露光されるパターンの倍率は、実質上等倍である。
より、従来方式として密着方式とプロキシミティ方式の
２つの方式が知られている。前者はフォトレジスト層の
設けられた基板素材とフォトマスクとを密着させて配置
する露光方式であるのに対し、後者は基板素材とフォト
マスクとの間に一定のわずかな間隙を設けて配置する露
光方式である。また、これら二つの方式ともフォトマス
クと露光されるパターンの倍率は、実質上等倍である。
ところが最近、IC等と同じように、プリント基板も組
み込まれる製品，装置の精密化に伴い、パターンの微細
化が要求されるようになってきている。例えば、電卓や
時計等で用いられるFPC製プリント基板は100から50μｍ
程度のパターン線巾が要求されている。
み込まれる製品，装置の精密化に伴い、パターンの微細
化が要求されるようになってきている。例えば、電卓や
時計等で用いられるFPC製プリント基板は100から50μｍ
程度のパターン線巾が要求されている。
また他方では、一枚のプリント基板が大型化する傾向
もみられる。例えば、コンピュータメモリボード等で用
いられるプリント基板は500×600mm程度の大きさを有
し、この様な基板を一度に露光することが必要となって
きている。ここにおいて従来方式として掲げた前述の２
つの露光方式は、以下の諸点において問題点を抱えてお
り改良が望まれている。
もみられる。例えば、コンピュータメモリボード等で用
いられるプリント基板は500×600mm程度の大きさを有
し、この様な基板を一度に露光することが必要となって
きている。ここにおいて従来方式として掲げた前述の２
つの露光方式は、以下の諸点において問題点を抱えてお
り改良が望まれている。
まず、第１に、前述の通り等倍率を採る従来の密着方
式及びプロキシミティ方式においては、製作すべきプリ
ント基板の微細化に伴い、微細化に比例してフォトマス
クも微細なものを用意しなければならず、製作がしにく
くてコスト上昇の原因となる。
式及びプロキシミティ方式においては、製作すべきプリ
ント基板の微細化に伴い、微細化に比例してフォトマス
クも微細なものを用意しなければならず、製作がしにく
くてコスト上昇の原因となる。
第２に、プリント基板が大型化すると、等倍率を採る
従来の２つの方式においては、大型化に比例してフォト
マスクも大型のものを用意しなければならず、コスト上
昇の原因となる。
従来の２つの方式においては、大型化に比例してフォト
マスクも大型のものを用意しなければならず、コスト上
昇の原因となる。
第３に、前述のプロキシミティ方式は、フォトレジス
ト層の設けられた面とフォトマスクとがいずれの場所に
おいても同一の間隙を有すること、即ち平行度が要求さ
れるが、製作すべきプリント基板の大型化に伴い大型の
フォトマスクを使用するようになると、フォトマスクの
反りにより、どうしても平行度が悪くなる。その結果、
露光される像が歪んだり、ひどい場合はフォトマスクと
フォトレジストとが接触し、フォトマスクが汚れたりキ
ズがついたりして、密着方式と同じように不良品を発生
させる原因となる。
ト層の設けられた面とフォトマスクとがいずれの場所に
おいても同一の間隙を有すること、即ち平行度が要求さ
れるが、製作すべきプリント基板の大型化に伴い大型の
フォトマスクを使用するようになると、フォトマスクの
反りにより、どうしても平行度が悪くなる。その結果、
露光される像が歪んだり、ひどい場合はフォトマスクと
フォトレジストとが接触し、フォトマスクが汚れたりキ
ズがついたりして、密着方式と同じように不良品を発生
させる原因となる。
そこで最近では、IC等の製作における露光方式と同様
に、プリント基板製作の露光方式においても投影方式を
採用することが検討されるに至っている。なぜなら、投
影方式によるならば、製作すべきプリント基板が微細化
もしくは大型化しても作りやすい寸法，大きさにフォト
マスクを製作して、後は拡大露光したり、縮小露光した
りして所定の露光ができる長所があり、またフォトマス
クの反りによる像の歪みやフォトレジストとの接触によ
るフォトマスクの汚れ，キズの心配もなくなるからであ
る。
に、プリント基板製作の露光方式においても投影方式を
採用することが検討されるに至っている。なぜなら、投
影方式によるならば、製作すべきプリント基板が微細化
もしくは大型化しても作りやすい寸法，大きさにフォト
マスクを製作して、後は拡大露光したり、縮小露光した
りして所定の露光ができる長所があり、またフォトマス
クの反りによる像の歪みやフォトレジストとの接触によ
るフォトマスクの汚れ，キズの心配もなくなるからであ
る。
また、プリント基板として用いられる回路は大量生産
向けの場合と、各種多様な用途を有するいわゆる多品種
少量生産向けの場合とがある。そして、後者の場合は露
光装置に用いられる原画を頻繁に取換える必要があり、
原画交換の際、原画の位置合わせの操作をしなければな
らない。
向けの場合と、各種多様な用途を有するいわゆる多品種
少量生産向けの場合とがある。そして、後者の場合は露
光装置に用いられる原画を頻繁に取換える必要があり、
原画交換の際、原画の位置合わせの操作をしなければな
らない。
一般に、プリント基板製作の際の露光においてFPC等
の場合、100μｍ程度の微細な間隔の精密度の露光を要
求されているものあり、高精度のアラインメントの技術
が必要とされている。
の場合、100μｍ程度の微細な間隔の精密度の露光を要
求されているものあり、高精度のアラインメントの技術
が必要とされている。
［発明が解決しようとする課題］ 上述の如く光学系を用いた投影方式による少量多品種
生産の場合、プリント基板製作の露光には原画の位置合
わせが正確になされていなければならないという課題が
ある。
生産の場合、プリント基板製作の露光には原画の位置合
わせが正確になされていなければならないという課題が
ある。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたも
ので、簡単な方法で原画の位置合わせが正確になされて
いるか否かを確認し、位置合わせを行って、露光するこ
とのできる露光方法を提供することを目的とする。
ので、簡単な方法で原画の位置合わせが正確になされて
いるか否かを確認し、位置合わせを行って、露光するこ
とのできる露光方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、この発明はプリント基
板素材の少なくとも一方の面にフォトレジスト層を設
け、このフォトレジスト層が設けられた面に原画の像を
光学系を介して投影露光するに際し、投影レンズの出射
側の光路中であって、露光面からの光を受光する位置に
半透過性薄膜を設け、この半透過性薄膜からの反射光を
モニタしつつ前記原画の位置合わせをすることにより、
前記投影露光を行うものである。
板素材の少なくとも一方の面にフォトレジスト層を設
け、このフォトレジスト層が設けられた面に原画の像を
光学系を介して投影露光するに際し、投影レンズの出射
側の光路中であって、露光面からの光を受光する位置に
半透過性薄膜を設け、この半透過性薄膜からの反射光を
モニタしつつ前記原画の位置合わせをすることにより、
前記投影露光を行うものである。
［作用］ 上記の露光方法によって、露光処理のために原画を頻
繁に交換しても、半透過性薄膜を用いて露光像をモニタ
しながら簡単に原画の位置合わせを行うことができるの
で、少量多品種の生産にも適合している。
繁に交換しても、半透過性薄膜を用いて露光像をモニタ
しながら簡単に原画の位置合わせを行うことができるの
で、少量多品種の生産にも適合している。
［実施例］ 第１図はこの発明を実施するための露光装置の主要部
の概略を示す説明図であり、また、第２図（ａ）は第１
図の露光面結像モニタに用いる半透過性薄膜の平面図、
同図（ｂ）はその断面図である。
の概略を示す説明図であり、また、第２図（ａ）は第１
図の露光面結像モニタに用いる半透過性薄膜の平面図、
同図（ｂ）はその断面図である。
第１図，第２図において、11は超高圧水銀灯、12は楕
円集光鏡、13,15は平面反射鏡、14はインテグレータレ
ンズ、16はコンデンサレンズで、これら超高圧水銀灯11
乃至コンデンサレンズ16で照明系１を構成している。ま
た、２はプリントしようとする原画、2aは原画位置調整
機構、３は投影レンズ、４は半透過性薄膜、５は露光面
に配置される被露光物（以下ワークという）、６は露光
面結像モニタとしての光学顕微鏡（以下顕微鏡）で、予
め露光面にピント合わせを行っておく。また、第２図の
4aは半透過性薄膜本体、4bはこの半透過性薄膜本体4aを
固定するための枠体である。
円集光鏡、13,15は平面反射鏡、14はインテグレータレ
ンズ、16はコンデンサレンズで、これら超高圧水銀灯11
乃至コンデンサレンズ16で照明系１を構成している。ま
た、２はプリントしようとする原画、2aは原画位置調整
機構、３は投影レンズ、４は半透過性薄膜、５は露光面
に配置される被露光物（以下ワークという）、６は露光
面結像モニタとしての光学顕微鏡（以下顕微鏡）で、予
め露光面にピント合わせを行っておく。また、第２図の
4aは半透過性薄膜本体、4bはこの半透過性薄膜本体4aを
固定するための枠体である。
第１図の露光装置において、例えば、前回の露光工程
で用いた原画２と異なる原画を用いる露光処理が必要な
時、まず露光処理を開始する前に使用する新しい原画２
を原画位置調整機構2aによって設定する。その後、ワー
ク５が配置される位置と同じ位置に露光見本を置く。
で用いた原画２と異なる原画を用いる露光処理が必要な
時、まず露光処理を開始する前に使用する新しい原画２
を原画位置調整機構2aによって設定する。その後、ワー
ク５が配置される位置と同じ位置に露光見本を置く。
次に、超高圧水銀灯11からの光を照明系1,原画2,投影
レンズ３を介して露光面に配置された露光見本に照射し
て、露光見本への原画２の投影像を顕微鏡６によってモ
ニタする。そして、既に露光見本に焼付けされたパター
ンと原画２による露光像が一致するように、原画位置調
整機構2aによって水平面（X-Y軸）方向に原画２を動か
して位置合わせをする。尚、他の実施例として、原画２
及びワーク５にそれぞれ位置決め用のマークを数個所施
して、これらマークが合致するように原画位置調整機構
2aを動かしても良い。この場合は、露光処理中も常時モ
ニタが可能である。
レンズ３を介して露光面に配置された露光見本に照射し
て、露光見本への原画２の投影像を顕微鏡６によってモ
ニタする。そして、既に露光見本に焼付けされたパター
ンと原画２による露光像が一致するように、原画位置調
整機構2aによって水平面（X-Y軸）方向に原画２を動か
して位置合わせをする。尚、他の実施例として、原画２
及びワーク５にそれぞれ位置決め用のマークを数個所施
して、これらマークが合致するように原画位置調整機構
2aを動かしても良い。この場合は、露光処理中も常時モ
ニタが可能である。
また、露光処理に際して、ワークとしてのプリント基
板の厚みが異なる等のために被露光面への距離が異なる
時は、原画位置調整機構2aを上記移動動作の他に、垂直
（ｚ軸）方向に動かしてピント合わせをすればよい。
板の厚みが異なる等のために被露光面への距離が異なる
時は、原画位置調整機構2aを上記移動動作の他に、垂直
（ｚ軸）方向に動かしてピント合わせをすればよい。
以上の位置合わせによって原画２が所定の位置に配置
されると、半透過性薄膜４を照射系１からの光路の外に
取出し、露光見本をワーク５に置換して、超高圧水銀灯
11からの光を照明系1,原画2,投影レンズ３を介してワー
ク５に照射して露光する。
されると、半透過性薄膜４を照射系１からの光路の外に
取出し、露光見本をワーク５に置換して、超高圧水銀灯
11からの光を照明系1,原画2,投影レンズ３を介してワー
ク５に照射して露光する。
また、第３図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚につ
いて説明するための図であり、４′は半透過性の膜で、
第１図の半透過性薄膜４に対して膜厚がやや厚く、露光
装置のモニタ手段として用いるには不適当な厚みを有す
るものであり、T1,T2はこの膜４′を透過した光及び透
過しない場合の光による結像点、Z1,Z2は膜４′を透過
しない場合の光による結像点T2からの膜４′表面及び内
面からのそれぞれの反射光である。
いて説明するための図であり、４′は半透過性の膜で、
第１図の半透過性薄膜４に対して膜厚がやや厚く、露光
装置のモニタ手段として用いるには不適当な厚みを有す
るものであり、T1,T2はこの膜４′を透過した光及び透
過しない場合の光による結像点、Z1,Z2は膜４′を透過
しない場合の光による結像点T2からの膜４′表面及び内
面からのそれぞれの反射光である。
第３図から明らかなように、膜４′を透過した光の結
像点T1は、透過しない場合の光の結像点T2とは異ってい
てずれがあり、また、例えば同一の結像点T2からの反射
光が膜４′の表面及び内面からの反射光Z1,Z2とは異っ
ているために、顕微鏡６に入射する入射光にずれがあ
り、露光像が歪んでモニタされてしまう。
像点T1は、透過しない場合の光の結像点T2とは異ってい
てずれがあり、また、例えば同一の結像点T2からの反射
光が膜４′の表面及び内面からの反射光Z1,Z2とは異っ
ているために、顕微鏡６に入射する入射光にずれがあ
り、露光像が歪んでモニタされてしまう。
その結果、結像点のずれと露光面からの反射光のずれ
が重なると、露光像の歪は倍加されることになって像は
ますます歪が大きくなる。従って、膜４′の厚みはでき
るだけ薄くして、露光像のずれ，反射光のずれが無視で
きる程度に薄くする必要があり、使用可能な膜の厚さは
２μｍ程度まででなければならない。
が重なると、露光像の歪は倍加されることになって像は
ますます歪が大きくなる。従って、膜４′の厚みはでき
るだけ薄くして、露光像のずれ，反射光のずれが無視で
きる程度に薄くする必要があり、使用可能な膜の厚さは
２μｍ程度まででなければならない。
また、半透過性薄膜４は減光の役目もするのでモニタ
しやすくなる。
しやすくなる。
［発明の効果］ 以下説明したとおり、この発明の露光方法はプリント
基板素材の少なくとも一方の面にフォトレジスト層を設
け、このフォトレジスト層が設けられた面に原画の像を
光学系を介して投影露光するに際し、投影レンズの出射
側の光路中であって、露光面からの光を受光する位置に
半透過性薄膜を設け、この半透過性薄膜からの反射光を
モニタしつつ前記原画の位置合わせをすることにより、
前記投影露光を行うので、露光像をモニタしつつ原画の
位置合わせを行うことができ、少量ではあっても多品種
の露光に際して、簡単に高精度に位置合わせを行うこと
ができ、精細な原画に対しても露光精度の高いものが可
能である。
基板素材の少なくとも一方の面にフォトレジスト層を設
け、このフォトレジスト層が設けられた面に原画の像を
光学系を介して投影露光するに際し、投影レンズの出射
側の光路中であって、露光面からの光を受光する位置に
半透過性薄膜を設け、この半透過性薄膜からの反射光を
モニタしつつ前記原画の位置合わせをすることにより、
前記投影露光を行うので、露光像をモニタしつつ原画の
位置合わせを行うことができ、少量ではあっても多品種
の露光に際して、簡単に高精度に位置合わせを行うこと
ができ、精細な原画に対しても露光精度の高いものが可
能である。
第１図はこの発明の露光装置の主要部の概略を示す説明
図、第２図（ａ）は第１図の露光面結像モニタに用いる
半透過性薄膜の平面図、同図（ｂ）はその断面図、第３
図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚について説明する
ための図である。 図中． 1:照明系 2:原画 2a:原画位置調整機構 3:投影レンズ 4:半透過性薄膜 5:ワーク 6:顕微鏡
図、第２図（ａ）は第１図の露光面結像モニタに用いる
半透過性薄膜の平面図、同図（ｂ）はその断面図、第３
図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚について説明する
ための図である。 図中． 1:照明系 2:原画 2a:原画位置調整機構 3:投影レンズ 4:半透過性薄膜 5:ワーク 6:顕微鏡
Claims (2)
- 【請求項１】プリント基板素材の少なくとも一方の面に
フォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層が設け
られた面に原画の像を光学系を介して投影露光するに際
し、投影レンズの出射側の光路中であって、露光面から
の光を受光する位置に半透過性薄膜を設け、この半透過
性薄膜からの反射光をモニタしつつ前記原画の位置合わ
せをすることにより、前記投影露光を行うことを特徴と
するプリント基板製作の露光方法。 - 【請求項２】反射光のモニタは、光学顕微鏡により行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のプリ
ント基板製作の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014396A JP2593823B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | プリント基板製作の露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014396A JP2593823B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | プリント基板製作の露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191150A JPH01191150A (ja) | 1989-08-01 |
| JP2593823B2 true JP2593823B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=11859890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63014396A Expired - Fee Related JP2593823B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | プリント基板製作の露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2593823B2 (ja) |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63014396A patent/JP2593823B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01191150A (ja) | 1989-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3445100B2 (ja) | 位置検出方法及び位置検出装置 | |
| KR100523350B1 (ko) | 백-사이드 마스크 정렬이 가능한 노광장치 | |
| JP2790469B2 (ja) | フィルム露光装置 | |
| JP2892079B2 (ja) | フィルム露光装置 | |
| US5721079A (en) | Process for positioning a mask relative to a workpiece and device executing the process | |
| JP2593823B2 (ja) | プリント基板製作の露光方法 | |
| JP2593822B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2588860B2 (ja) | プリント基板製作の露光方法 | |
| JP2593824B2 (ja) | プリント基板製作の露光方法及び装置 | |
| JPS62122126A (ja) | 露光方法 | |
| JPH0154854B2 (ja) | ||
| JP2001022098A (ja) | 露光装置におけるアライメント装置、被露光基板、及びアライメントマーク | |
| JPH1152541A (ja) | 露光マスク装置 | |
| JPH0810667B2 (ja) | ３次元結像システムおよび方法 | |
| JPH07297115A (ja) | マスクとワークの位置合わせ方法および装置 | |
| JPS62293248A (ja) | フレキシブル基板の両面露光方法 | |
| JPH08339959A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPS6385561A (ja) | プリント基板製作の露光方式 | |
| JP3326446B2 (ja) | 露光方法及び装置、リソグラフィ方法、マーク焼き付け装置、及びプロキシミティ露光装置 | |
| JP2000267294A (ja) | 露光装置 | |
| JP2555970Y2 (ja) | 投影型露光機における結像モニタ装置 | |
| JPS63141389A (ja) | プリント基板製作の露光方式 | |
| JPS62183518A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0584664B2 (ja) | ||
| KR20040016067A (ko) | 감광막 노광 방법 및 이를 이용한 노광 설비 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |