JPH01191150A - プリント基板製作の露光方法 - Google Patents

プリント基板製作の露光方法

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JPH01191150A
JPH01191150A JP63014396A JP1439688A JPH01191150A JP H01191150 A JPH01191150 A JP H01191150A JP 63014396 A JP63014396 A JP 63014396A JP 1439688 A JP1439688 A JP 1439688A JP H01191150 A JPH01191150 A JP H01191150A
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Kazuya Tanaka
一也 田中
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Ushio Denki KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電子部品の実装等で用いられるプリント基板
製作のための露光方法に関するものである。
[従来の技術] 一般にプリント基板と呼ばれているものには、コンピュ
ータ、テレビ、ステレオ等で用いられるプリンティラド
ワイヤードボート(以下、PWBという)や、カメラ、
電卓、VTR等で用いられるフレキシブルプリンティッ
ドサーキイット(以下、FPCという)等が知られてい
る。PWBは基板素材としてエポキシ樹脂、フェノール
樹脂。
セラミック等を使用し厚さが0.8から3.2.、程度
、FPCは基板素材としてポリエステルフィルム、ポリ
イミドフィルム等を使用し厚さが25から125鉢、程
度で′ある。
これらプリント基板の製作には、基板に液状レジスト、
ドライフィルムレジスト等の薄いフォトレジスト層を設
け、プリントすべきパターンが描かれたフォトマスクを
通して該フォトレジストの感光波長で露光する工程を経
て、所望のパターンを該フォトレジスト層に設ける。
この際、基板素材とフォトマスクの位置関係の違いによ
り、従来方式として密着方式とプロキシミティ方式の2
つの方式が知られている。前者はフォトレジスト層の設
けられた基板素材とフォトマスクとを密着させて配置す
る露光方式であるのに対し、後者は基板素材とフォトマ
スクとの間に一定のわずかな間隙を設けて配置する露光
方式である。また、これら二つの方式ともフォトマスク
と露光されるパターンの倍率は、実質上等倍である。
ところが最近、IC等と同じように、プリント基板も組
み込まれる製品、装置の精密化に伴い、パターンの微細
化が要求されるようになってきている。例えば、電卓や
時計等で用いられるFPC製プリプリント基板00から
51輸程度のパターン線巾が要求されている。
また他方では、−枚のプリント基板が大型化する傾向も
みられる0例えば、コンピュータメモリボート等で用い
られるプリント基板は500×600、、程度の大きさ
を有し、この様な基板を一度に露光することが必要とな
ってきている。ここにおいて従来方式として掲げた前述
の2つの露光方式は、以下の諸点において問題点を抱え
ており改良が望まれている。
まず、第1に、前述の通り等倍率を採る従来の密着方式
及びプロキシミティ方式においては、製作すべきプリン
ト基板の微細化に伴い、微細化に比例してフォトマスク
も微細なものを用意しなければならず、製作がしにくく
てコスト上昇の原因となる。
第2に、プリント基板が大型化すると、等倍率を採る従
来の2つの方式においては、大型化に比例してフォトマ
スクも大型のものを用意しなければならず、コスト上昇
の原因となる。
第3に、前述のプロキシミティ方式は、フォトレジスト
層の設けられた面とフォトマスクとがいずれの場所にお
いても同一の間隙を有すること、即ち平行度が要求され
るが、製作すべきプリント基板の大型化に伴い大型のフ
ォトマスクを使用するようになると、フォトマスクの反
りにより、どうしても平行度が悪くなる。その結果、露
光される像か歪んだり、ひどい場合はフォトマスクとフ
ォトレジストとが接触し、フォトマスクが汚れたリキズ
がついたりして、密着方式と同じように不良品を発生さ
せる原因となる。
そこで最近では、IC等の製作における露光方式と同様
に、プリント基板製作の露光方式においても投影方式を
採用することが検討されるに至っている。なぜなら、投
影方式によるならば、製作すべきプリント基板が微細化
もしくは大型化しても作りやすい寸法、大きさにフォト
マスクを製作して、後は拡大露光したり、縮小露光した
りして所定の露光ができる長所があり、またフォトマス
クの反りによる像の歪みやフォトレジストとの接触によ
るフォトマスクの汚れ、キズの心配もなくなるからであ
る。
また、プリント基板として用いられる回路は大量生産向
けの場合と、各種多様な用途を有するいわゆる多品種少
量生産向けの場合とがある。そして、後者の場合は露光
装置に用いられる原画を頻繁に取換える必要があり、原
画交換の際、原画の位置合わせの操作をしなければなら
ない。
一般に、プリント基板製作の際の露光においてFPC等
の場合、100ル、程度の微細な間隔の精密度の露光を
要求されているものあり、高精度のアラインメントの技
術が必要とされている。
[発明が解決しようとする課lfI] 上述の如く光学系を用いた投影方式による少量多品種生
産の場合、プリント基板製作の露光には原画の位置合わ
せが正確になされていなければならないという課題があ
る。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、簡単な方法で原画の位置合わせが正確になされてい
るか否かを確認し、位置合わせな行って、露光すること
のできる露光方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、この発明はプリント基板
素材の少なくとも一方の面にフォトレジスト層を設け、
このフォトレジスト層が設けられた面に原画の像を光学
系を介して投影露・光するに際し、投影レンズの出射側
の光路中であつて、露光面からの光を受光する位置に半
透過性薄膜を設け、この半透過性薄膜からの反射光をモ
ニタしつつ前記原画の位置合わせをすることにより、前
記投影露光を行うものである。
[作用] 上記の露光方法によって、露光処理のために原画を頻繁
に交換しても、半透過性薄膜を用いて露光像をモニタし
ながら簡単に原画の位置合わせを行うことかできるので
、少量多品種の生産にも適合している。
[実施例] 第1図はこの発明を実施するための露光装置の主要部の
概略を示す説明図であり、また、第2図(a)は第1図
の露光面結像モニタに用いる半透過性薄膜の平面図、同
図(b)はその断面図である。
第1図、第2図において、11は超高圧水銀灯、12は
楕円集光鏡、13.15は平面反射鏡、14はインテグ
レータレンズ、16はコンデンサレンズで、これら超高
圧水銀灯11乃至コンデンサレンズ16で照明系lを構
成している。また、2はプリントしようとする原画、2
aは原画位置調整機構、3は投影レンズ、4は半透過性
薄膜、5は露光面に配置される被露光物(以下ワークと
いう)、6は露光面結像モニタとしての光学顕微鏡(以
下顕微鏡)で、予め露光面にピント合わせな行っておく
、また、第2図の4aは半透過性薄膜本体、4bはこの
半透過性薄膜本体4aを固定するための枠体である。
第1図の露光装置において、例えば、前回の露光工程で
用いた原画2と異なる原画を用いる露光処理が必要な時
、まず露光処理を開始する前に使用する新しい原画2を
原画位置調整機構2aによって設定する。その後、ワー
ク5が配置される位置と同じ位置に露光見本を置く。
次に、超高圧水銀灯11からの光を照明系l。
原画2.投影レンズ3を介して露光面に配置された露光
見本に照射して、露光見本への原画2の投影像を顕微1
116によってモニタする。そして、既に露光見本に焼
付けされたパターンと原画2による露光像が一致するよ
うに、原画位置調整機構2aによって水平面(X−Y輌
)方向に原画2を動かして位置合わせなする。尚、他の
実施例として、原画2及びワーク5にそれぞれ位置決め
用のマークを数個所流して、これらマークが合致するよ
うに原画位置調整機構28を動かしても良い。
この場合は、露光処理中も常時モニタが可能である。
また、露光処理に際して、ワークとしてのプリント基板
の厚みが異なる等のために被露光面への距離が異なる時
は、原画位置調整機構23を上記移動動作の他に、垂直
(2輌)方向に動かしてピント合わせなすればよい。
以上の位置合わせによって原画2が所定の位置に配置さ
れると、半透過性薄膜4を照射系lからの光路の外に取
出し、露光見本をワーク5に置換して、超高圧水銀灯1
1からの光を照明系l、原画2.投影レンズ3を介して
ワーク5に照射して露光する。
また、第3図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚につい
て説明するための図であり、4′は半透過性の膜で、第
1図の半透過性薄1114に対して膜厚がやや厚く、露
光装置のモニタ手段として用いるには不適当な厚みを有
するものであり、TI 。
T2はこの3g14’を透過した光及び透過しない場合
の光による結像点、2..2.はJl14’を透過しな
い場合の光による結像点T2からの膜4′表面及び、内
面からのそれぞれの反射光である。
第3図から明らかなように、膜4′を透過した光の結像
点T、は、透過しない場合の光の結像点T2とは異って
いてずれがあり、また1例えば同一の結像点T2からの
反射光が膜4′の表面及び内面からの反射光Z I、 
Z tとは異っているために、顕微鏡6に入射する入射
光にずれがあり、露光像が歪んでモニタされてしまう。
その結果、結像点のずれと露光面からの反射光のずれが
重なると、露光像の歪は倍加されることになって像はま
すます歪が大きくなる。従って、膜4′の厚みはできる
だけ薄くして、露、光像のずれ2反射光のずれが無視で
きる程度に薄くする必要があり、使用可能な膜の厚さは
2ル、程度まででなければならない。
また、半透過性薄1114は減光の役目もするのでモニ
タしやすくなる。
[発明の効果] 以上説明したとおり、この発明の露光方法はプリント基
板素材の少なくとも一方の面にフォトレジスト層を設け
、このフォトレジスト層が設けられた面に原画の像を光
学系を介して投影露光するに際し、投影レンズの出射側
の光路中であって、露光面からの光を受光する位置に半
透過性薄膜を設け、この半透過性薄膜からの反射光をモ
ニタしつつ前記原画の位置合わせをすることにより、前
記投影露光を行うので、露光像をモニタしつつ原画の位
置合わせを行うことができ、少量ではあっても多品種の
露光に際して、簡単に高精度に位置合わせな行うことが
でき、精細な原画に対しても露光精度の高いものが可能
である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の露光装置の主要部の概略を示す説明
図、第2図(a)は第1図の露光面結像モニタに用いる
半透過性薄膜の平面図、同図(b)はその断面図、第3
図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚について説明する
ための図である。 図中。 l:照明系 2:原画 2a:JF;(鋤位置調整機構 3:投影レンズ 4:半透過性薄膜 5:ワーク 6:顕微鏡 代理人 弁理士 1)北 嵩 晴 第2図 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)プリント基板素材の少なくとも一方の面にフォト
    レジスト層を設け、このフォトレジスト層が設けられた
    面に原画の像を光学系を介して投影露光するに際し、投
    影レンズの出射側の光路中であって、露光面からの光を
    受光する位置に半透過性薄膜を設け、この半透過性薄膜
    からの反射光をモニタしつつ前記原画の位置合わせをす
    ることにより、前記投影露光を行うことを特徴とするプ
    リント基板製作の露光方法。
  2. (2)反射光のモニタは、光学顕微鏡により行うことを
    特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のプリント基
    板製作の露光方法。
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