JP2593822B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JP2593822B2 JP2593822B2 JP63014395A JP1439588A JP2593822B2 JP 2593822 B2 JP2593822 B2 JP 2593822B2 JP 63014395 A JP63014395 A JP 63014395A JP 1439588 A JP1439588 A JP 1439588A JP 2593822 B2 JP2593822 B2 JP 2593822B2
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- exposure
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば、電子部品の実装等で用いられるプ
リント基板製作のための露光装置に関するものである。
リント基板製作のための露光装置に関するものである。
［従来の技術］ 一般にプリント基板と呼ばれているものには、コンピ
ュータ，テレビ，ステレオ等で用いられるプリンティッ
ドワイヤードボード（以下、PWBという）や、カメラ，
電卓,VTR等で用いられるフレキシブルプリンティッドサ
ーキィット（以下、FPCという）等が知られている。PWB
は基板素材としてエポキシ樹脂，フェノール樹脂，セラ
ミック等を使用し厚さが0.8から3.2mm程度、FPCは基板
素材としてポリエステルフィルム，ポリイミドフィルム
等を使用し厚さが25から125μｍ程度である。
ュータ，テレビ，ステレオ等で用いられるプリンティッ
ドワイヤードボード（以下、PWBという）や、カメラ，
電卓,VTR等で用いられるフレキシブルプリンティッドサ
ーキィット（以下、FPCという）等が知られている。PWB
は基板素材としてエポキシ樹脂，フェノール樹脂，セラ
ミック等を使用し厚さが0.8から3.2mm程度、FPCは基板
素材としてポリエステルフィルム，ポリイミドフィルム
等を使用し厚さが25から125μｍ程度である。
これらプリント基板の製作には、基板に液状レジス
ト，ドライフィルムレジスト等の薄いフォトレジスト層
を設け、プリントすべきパターンが描かれたフォトマス
クを通して該フォトレジストの感光波長で露光する工程
を経て、所望のパターンを該フォトレジスト層に設け
る。
ト，ドライフィルムレジスト等の薄いフォトレジスト層
を設け、プリントすべきパターンが描かれたフォトマス
クを通して該フォトレジストの感光波長で露光する工程
を経て、所望のパターンを該フォトレジスト層に設け
る。
この際、基板素材とフォトマスクの位置関係の違いに
より、従来方式として密着方式とプロキシミティ方式の
２つの方式が知られている。前者はフォトレジスト層の
設けられた基板素材とフォトマスクとを密着させて配置
する露光方式であるのに対し、後者は基板素材とフォト
マスクとの間に一定のわずかな間隙を設けて配置する露
光方式である。また、これら二つの方式ともフォトマス
クと露光されるパターンの倍率は、実質上等倍である。
より、従来方式として密着方式とプロキシミティ方式の
２つの方式が知られている。前者はフォトレジスト層の
設けられた基板素材とフォトマスクとを密着させて配置
する露光方式であるのに対し、後者は基板素材とフォト
マスクとの間に一定のわずかな間隙を設けて配置する露
光方式である。また、これら二つの方式ともフォトマス
クと露光されるパターンの倍率は、実質上等倍である。
ところが最近、IC等と同じように、プリント基板も組
み込まれる製品，装置の精密化に伴い、パターンの微細
化が要求されるようになってきている。例えば、電卓や
時計等で用いられるFPC製プリント基板は100から50μｍ
程度のパターン線巾が要求されている。
み込まれる製品，装置の精密化に伴い、パターンの微細
化が要求されるようになってきている。例えば、電卓や
時計等で用いられるFPC製プリント基板は100から50μｍ
程度のパターン線巾が要求されている。
また他方では、一枚のプリント基板が大型化する傾向
もみられる。例えば、コンピュータメモリボード等で用
いられるプリント基板は500×600mm程度の大きさを有
し、この様な基板を一度に露光することが必要となって
きている。ここにおいて従来方式として掲げた前述の２
つの露光方式は、以下の諸点において問題点を抱えてお
り改良が望まれている。
もみられる。例えば、コンピュータメモリボード等で用
いられるプリント基板は500×600mm程度の大きさを有
し、この様な基板を一度に露光することが必要となって
きている。ここにおいて従来方式として掲げた前述の２
つの露光方式は、以下の諸点において問題点を抱えてお
り改良が望まれている。
まず、第１に、前述の通り等倍率を採る従来の密着方
式及びプロキシミティ方式においては、製作すべきプリ
ント基板の微細化に伴い、微細化に比例してフォトマス
クも微細なものを用意しなければならず、製作がしにく
くてコスト上昇の原因となる。
式及びプロキシミティ方式においては、製作すべきプリ
ント基板の微細化に伴い、微細化に比例してフォトマス
クも微細なものを用意しなければならず、製作がしにく
くてコスト上昇の原因となる。
第２に、プリント基板が大型化すると、等倍率を採る
従来の２つの方式においては、大型化に比例してフォト
マスクも大型のものを用意しなければならず、コスト上
昇の原因となる。
従来の２つの方式においては、大型化に比例してフォト
マスクも大型のものを用意しなければならず、コスト上
昇の原因となる。
第３に、前述のプロキシミティ方式は、フォトレジス
ト層の設けられた面とフォトマスクとがいずれの場所に
おいても同一の間隙を有すること、即ち平行度が要求さ
れるが、製作すべきプリント基板の大型化に伴い大型の
フォトマスクを使用するようになると、フォトマスクの
反りにより、どうしても平行度が悪くなる。その結果、
露光される像が歪んだり、ひどい場合はフォトマスクと
フォトレジストとが接触し、フォトマスクが汚れたりキ
ズがついたりして、密着方式と同じように不良品を発生
させる原因となる。
ト層の設けられた面とフォトマスクとがいずれの場所に
おいても同一の間隙を有すること、即ち平行度が要求さ
れるが、製作すべきプリント基板の大型化に伴い大型の
フォトマスクを使用するようになると、フォトマスクの
反りにより、どうしても平行度が悪くなる。その結果、
露光される像が歪んだり、ひどい場合はフォトマスクと
フォトレジストとが接触し、フォトマスクが汚れたりキ
ズがついたりして、密着方式と同じように不良品を発生
させる原因となる。
そこで最近では、IC等の製作における露光方式と同様
に、プリント基板製作の露光方式においても投影方式を
採用することが検討されるに至っている。なぜなら、投
影方式によるならば、製作すべきプリント基板が微細化
もしくは大型化しても作りやすい寸法，大きさにフォト
マスクを製作して、後は拡大露光したり、縮小露光した
りして所定の露光ができる長所があり、またフォトマス
クの反りによる像の歪みやフォトレジストとの接触によ
るフォトマスクの汚れ，キズの心配もなくなるからであ
る。
に、プリント基板製作の露光方式においても投影方式を
採用することが検討されるに至っている。なぜなら、投
影方式によるならば、製作すべきプリント基板が微細化
もしくは大型化しても作りやすい寸法，大きさにフォト
マスクを製作して、後は拡大露光したり、縮小露光した
りして所定の露光ができる長所があり、またフォトマス
クの反りによる像の歪みやフォトレジストとの接触によ
るフォトマスクの汚れ，キズの心配もなくなるからであ
る。
しかし、投影方式による場合、当然のことながら露光
面における原画に対する像のピスト合わせ等の作業が必
要となる。即ち、原画が設計通りの大きさや精度で製作
されていなかったり、原画の位置が正しくなかったりし
て、露光面における原画に対する像のピンボケ，位置ず
れ等を生ずるから、これを補正することが必要となる。
面における原画に対する像のピスト合わせ等の作業が必
要となる。即ち、原画が設計通りの大きさや精度で製作
されていなかったり、原画の位置が正しくなかったりし
て、露光面における原画に対する像のピンボケ，位置ず
れ等を生ずるから、これを補正することが必要となる。
またプリント基板の露光線巾も、FPCの場合、100μｍ
程度の微細な間隔の精密度の露光を要求されているもの
もあり、LSIやVLSIにおける露光の場合のオーダーには
及ばないものの、かなり高精度のアラインメント技術が
要求されている。
程度の微細な間隔の精密度の露光を要求されているもの
もあり、LSIやVLSIにおける露光の場合のオーダーには
及ばないものの、かなり高精度のアラインメント技術が
要求されている。
［発明が解決しようとする課題］ 上述の如く光学系を用いた投影方式による露光装置の
場合、露光面において原画に対する像のピンボケ，位置
ずれ等を防止するために、露光されるべき被露光物への
結像状況をモニタする手段が必要であり、また、露光線
巾の微細化に伴い、高精度のモニタ手段でなければなら
ないという技術的課題がある。
場合、露光面において原画に対する像のピンボケ，位置
ずれ等を防止するために、露光されるべき被露光物への
結像状況をモニタする手段が必要であり、また、露光線
巾の微細化に伴い、高精度のモニタ手段でなければなら
ないという技術的課題がある。
この発明はかかる課題を達成するためになされたもの
で、プリント基板の製作工程に用いられる露光装置にお
いて、プリント基板製作の露光に適した露光モニタ手段
を備えた露光装置を提供することを目的とする。
で、プリント基板の製作工程に用いられる露光装置にお
いて、プリント基板製作の露光に適した露光モニタ手段
を備えた露光装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、この発明の露光装置は
投影レンズの出射側の光路中に、半透過性薄膜を設け、
この半透過性薄膜の反射光を受光する位置に、露光面結
像モニタを設けたものである。
投影レンズの出射側の光路中に、半透過性薄膜を設け、
この半透過性薄膜の反射光を受光する位置に、露光面結
像モニタを設けたものである。
［作用］ 上記の構成を有することにより、ペリクル膜として半
透過性薄膜を用いたので、露光面での結像を鮮明にモニ
タすることができる。
透過性薄膜を用いたので、露光面での結像を鮮明にモニ
タすることができる。
［実施例］ 第１図はこの発明の露光装置の主要部の概略を示す説
明図であり、また、第２図（ａ）は第１図の露光面結像
モニタに用いる半透過性薄膜の平面図、同図（ｂ）はそ
の断面図である。
明図であり、また、第２図（ａ）は第１図の露光面結像
モニタに用いる半透過性薄膜の平面図、同図（ｂ）はそ
の断面図である。
第１図，第２図において、11は超高圧水銀灯、12は楕
円集光鏡、13,15は平面反射鏡、14はインテグレータレ
ンズ、16はコンデンサレンズで、これら超高圧水銀灯11
乃至コンデンサレンズ16で照明系１を構成している。ま
た、２はプリントしようとする原画、2aは原画設定機
構、３は投影レンズ、４は半透過性薄膜、５は露光面に
配置される被露光物（以下ワークという）、６は露光面
結像モニタとしての光学顕微鏡（以下顕微鏡）で、予め
露光面にピント合わせを行っておく。また、第２図の4a
は半透過性薄膜本体、4bはこの半透過性薄膜本体4aを固
定するための枠体である。
円集光鏡、13,15は平面反射鏡、14はインテグレータレ
ンズ、16はコンデンサレンズで、これら超高圧水銀灯11
乃至コンデンサレンズ16で照明系１を構成している。ま
た、２はプリントしようとする原画、2aは原画設定機
構、３は投影レンズ、４は半透過性薄膜、５は露光面に
配置される被露光物（以下ワークという）、６は露光面
結像モニタとしての光学顕微鏡（以下顕微鏡）で、予め
露光面にピント合わせを行っておく。また、第２図の4a
は半透過性薄膜本体、4bはこの半透過性薄膜本体4aを固
定するための枠体である。
第１図の露光装置において、まず露光処理を開始する
前に使用する原画２を原画設定機構2aによって設定す
る。
前に使用する原画２を原画設定機構2aによって設定す
る。
次に、超高圧水銀灯11からの光を照明系1,原画2,投影
レンズ３を介して露光面に配置されたワーク５に照射す
る。ワーク５に照射された光は散乱し、この散乱した光
の一部は半透過性薄膜４に反射し顕微鏡６に入射し、こ
の顕微鏡６によって露光像を直接モニタすることができ
る。モニタの結果、露光像のピストずれ，位置ずれがあ
れば照明系，ワークの位置、または原画の位置の調整を
行う。モニタの結果、ピントずれ，位置ずれがなければ
半透過性薄膜４を光路中から除去して露光を開始する。
レンズ３を介して露光面に配置されたワーク５に照射す
る。ワーク５に照射された光は散乱し、この散乱した光
の一部は半透過性薄膜４に反射し顕微鏡６に入射し、こ
の顕微鏡６によって露光像を直接モニタすることができ
る。モニタの結果、露光像のピストずれ，位置ずれがあ
れば照明系，ワークの位置、または原画の位置の調整を
行う。モニタの結果、ピントずれ，位置ずれがなければ
半透過性薄膜４を光路中から除去して露光を開始する。
尚、露光に支障のない位置であれば、半透過性薄膜４
をそのままの位置で露光を開始しても良く、この場合
は、原画２及びワーク５にアライメントマークを設ける
等して、常時モニタすると好適である。
をそのままの位置で露光を開始しても良く、この場合
は、原画２及びワーク５にアライメントマークを設ける
等して、常時モニタすると好適である。
また、露光面結像モニタとして顕微鏡を用いたが、顕
微鏡に代えてCCD等の半導体素子を用いた撮像装置を用
いてもよい。
微鏡に代えてCCD等の半導体素子を用いた撮像装置を用
いてもよい。
また、第３図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚につ
いて説明するための図であり、４′は半透過性の膜で、
第１図の半透過性薄膜４に対して膜厚がやや厚く、露光
装置のモニタ手段として用いるには不適当な厚みを有す
るものであり、T1,T2はこの膜４′を透過した光及び透
過しない場合の光による結像点、Z1,Z2は膜４′を透過
しない場合の光による結像点T2からの膜４′表面及び内
面からのそれぞれの反射光である。
いて説明するための図であり、４′は半透過性の膜で、
第１図の半透過性薄膜４に対して膜厚がやや厚く、露光
装置のモニタ手段として用いるには不適当な厚みを有す
るものであり、T1,T2はこの膜４′を透過した光及び透
過しない場合の光による結像点、Z1,Z2は膜４′を透過
しない場合の光による結像点T2からの膜４′表面及び内
面からのそれぞれの反射光である。
第３図から明らかなように、膜４′を透過した光の結
像点T1は、透過しない場合の光の結像点T2とは異ってい
てずれがあり、また、例えば同一の結像点T2からの反射
光が膜４′の表面及び内面からの反射光Z1,Z2とは異っ
ているために、顕微鏡６に入射する入射光にずれがあ
り、露光像が歪んでモニタされてしまう。
像点T1は、透過しない場合の光の結像点T2とは異ってい
てずれがあり、また、例えば同一の結像点T2からの反射
光が膜４′の表面及び内面からの反射光Z1,Z2とは異っ
ているために、顕微鏡６に入射する入射光にずれがあ
り、露光像が歪んでモニタされてしまう。
その結果、結像点のずれと露光面からの反射光のずれ
が重なると、露光像の歪は倍加されることになって像は
ますます歪が大きくなる。従って、膜４′の厚みはでき
るだけ薄くして、露光像のずれ，反射光のずれが無視で
きる程度に薄くする必要があり、使用可能な膜の厚さは
２μｍ程度まででなければならない。
が重なると、露光像の歪は倍加されることになって像は
ますます歪が大きくなる。従って、膜４′の厚みはでき
るだけ薄くして、露光像のずれ，反射光のずれが無視で
きる程度に薄くする必要があり、使用可能な膜の厚さは
２μｍ程度まででなければならない。
また、半透過性薄膜４は減光の役目を果すのでモニタ
しやすくなる。
しやすくなる。
［発明の効果］ 以上説明したとおり、この発明の露光装置は投影レン
ズの出射側の光路中に、半透過性薄膜を設け、この半透
過性薄膜の反射光を受光する位置に露光面結像モニタを
設けた構成を有するので、露光像を高精度にモニタする
ことができ、それによって精度の高い露光が可能とな
る。
ズの出射側の光路中に、半透過性薄膜を設け、この半透
過性薄膜の反射光を受光する位置に露光面結像モニタを
設けた構成を有するので、露光像を高精度にモニタする
ことができ、それによって精度の高い露光が可能とな
る。
第１図はこの発明の露光装置の主要部の概略を示す説明
図、第２図（ａ）は第１図の露光面結像モニタに用いる
半透過性薄膜の平面図、同図（ｂ）はその断面図、第３
図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚について説明する
ための図である。 図中． 1:照明系 2:原画 2a:原画設定機構 3:投影レンズ 4:半透過性薄膜 5:ワーク 6:顕微鏡
図、第２図（ａ）は第１図の露光面結像モニタに用いる
半透過性薄膜の平面図、同図（ｂ）はその断面図、第３
図は半透過性の膜を用いる場合の膜厚について説明する
ための図である。 図中． 1:照明系 2:原画 2a:原画設定機構 3:投影レンズ 4:半透過性薄膜 5:ワーク 6:顕微鏡
Claims (3)
- 【請求項１】光源及び光学系からなる照明系と、原画
と、投影レンズとよりなる露光装置において、投影レン
ズの出射側の光路中に、半透過性薄膜を設け、この半透
過性薄膜の反射光を受光する位置に、露光面結像モニタ
を設けたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】露光面結像モニタを、光学顕微鏡で構成す
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の露
光装置。 - 【請求項３】露光面結像モニタは、CCDからなる撮像装
置であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014395A JP2593822B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014395A JP2593822B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191151A JPH01191151A (ja) | 1989-08-01 |
| JP2593822B2 true JP2593822B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=11859866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63014395A Expired - Fee Related JP2593822B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2593822B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04368952A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | レジストの露光方法 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63014395A patent/JP2593822B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01191151A (ja) | 1989-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |