JPH08236438A - 照明装置、走査型露光装置及びこの走査型露光装置を用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

照明装置、走査型露光装置及びこの走査型露光装置を用いたデバイスの製造方法

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JPH08236438A
JPH08236438A JP7333305A JP33330595A JPH08236438A JP H08236438 A JPH08236438 A JP H08236438A JP 7333305 A JP7333305 A JP 7333305A JP 33330595 A JP33330595 A JP 33330595A JP H08236438 A JPH08236438 A JP H08236438A
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illumination
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容三 深川
Kazuhiro Takahashi
和弘 高橋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 照明むらを小さくする。 【解決手段】 パルス光の照明領域の走査方向の端部で
ある第１の点（Ｐ1またはＰ8）から、光強度の増加の仕
方が変わる第２の点（Ｐ2またはＰ7）までの幅（Ｗａま
たはＷｄ）と、光強度の増加の仕方が変わる第３の点
（Ｐ3またはＰ6）から、光強度が最高である第４の点
（Ｐ4またはＰ5）までの幅（ＷｂまたはＷｃ）のうち、
少なくとも一方は、照明領域に対する１パルス毎の被照
明物体の相対的な移動量とほぼ等しいか、それ以上とな
るように設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は照明装置に関し、特
にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、Ｃ
ＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを製造
する際に用いる走査型露光装置に好適な照明装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図２２は従来の走査型露光装置を示す図
である。図２２において、２０１は水銀ランプ等紫外線
を放射する光源であり、楕円ミラー２０２の第１焦点近
傍に配置された光源２０１の発光部からの光束は楕円ミ
ラー２０２により第２焦点２０３に集光される。第２焦
点２０３に集光した光はコンデンサーレンズ２０４とミ
ラー２０５を介してハエノ目レンズ等のオプティカルイ
ンテグレーター２０６の光入射面に再び集光される。ハ
エノ目レンズは複数の微小なレンズの集まりからなるも
のであり、その光射出面近傍に複数の２次光源が形成さ
れる。２０７はコンデンサーレンズであり２次光源から
の光束によりマスキングブレード２０９をケーラー照明
している。マスキングブレード２０９とレチクル２１２
は結像レンズ２１０とミラー２１１により共役な位置に
配置されており、マスキングブレード２０９の開口形状
によりレチクル２１２における照明領域の形と寸法とが
規定される。通常レチクル２１２における照明領域は、
レチクル２１２の走査方向が該走査方向に直交する方向
よりも短い長方形のスリット状である。２１３は投影光
学系であり、レチクル２１２に描かれた回路パターンを
ウエハー２１４に縮小投影している。２１６はレチクル
２１２とウエハー２１４を、不図示の駆動装置により、
投影光学系２１３の倍率と同じ比率で正確に一定速度で
移動させるための制御系である。２１５は光量検出器で
あり、ハーフミラー２０８により分割された一部の光束
をモニターすることにより、間接的にウエハー２１４に
おける露光量をモニターしている。制御系２１８は、ウ
エハー２１４における露光量を常に一定に保つように光
量演算器２１７からの露光量値に応じて光源２０１の水
銀ランプに入力する電力を制御している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の走査型露光装置
は、前述のように水銀ランプ等の連続照射型の光源をお
もに用いている。パターンの解像度は照明光の波長に比
例するため、回路の高集積化が進む現在、より短波長な
遠紫外領域の光を発する光源が求められている。水銀ラ
ンプの遠紫外領域の光の使用も考えられているが、露光
装置に使用出来るほどの十分な出力が得られない。そこ
で、遠紫外領域の短い波長の光に対して十分な出力が得
られるエキシマレーザが有用になってきている。
【０００４】パルス発振方式であるエキシマレーザを光
源とした露光装置で走査露光を行う場合には、露光量を
目標値にするために、レチクルとウエハーの走査速度レ
ーザの発光周波数、１パルスあたりの照射エネルギーを
決めることになる。以下、この露光量の目標値を目標積
算露光量という。
【０００５】図２３に示すように走査方向に矩形の強度
分布を持つパルス光で露光をする場合レチクル（または
ウエハー）上の、パルス光の照明領域の走査方向の幅が
１パルスごとのレチクル（またはウエハー）の移動量の
整数倍のときには、すべての露光領域に対して同数のパ
ルス光が照射されるため、露光むらは生じない。
【０００６】一方、照明領域の非走査方向において照度
の不均一性が存在する場合などでは、非走査方向のどの
位置においても積算露光量が等しくなるようにするた
め、非走査方向の各位置における照明領域の走査方向の
幅を変えている。しかし、このような場合には、パルス
光の境界域の重なりにより、１パルス分の光量の露光む
らが生じてしまう。この１パルス分の露光むらは、露光
に用いるパルス数が多い（例えば数百パルス以上）場合
にはさほど問題にならない。しかしながら、スループッ
ト向上のため露光に用いるパルス数を少なくしていく
と、この１パルス分の露光むらが、問題となってくる。
【０００７】本発明は、エキシマレーザ等のパルス発振
方式の光源を用いた走査型露光装置等の露光むらを小さ
くすることができる照明装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願第１発明は、パルス光の照明領域に対して被照
明物体を相対的に走査させる走査手段を有する照明装置
において、前記照明領域の走査方向の光強度分布は、少
なくとも一方の端部から光強度が最高である点まで非線
形に変化し、前記端部である第１の点から、光強度の増
加の仕方が変わる第２の点までの幅Ｗａと、光強度の増
加の仕方が変わる第３の点から、光強度が最高である第
４の点までの幅Ｗｂのうち、少なくとも一方は、前記照
明領域に対する１パルス毎の前記被照明物体の相対的な
移動量とほぼ等しい、若しくは前記相対的な移動量以上
であることを特徴とする。
【０００９】本願第２発明は、パルス光の照明領域に対
して被照明物体を相対的に走査させる照明装置におい
て、前記照明領域の走査方向の光強度分布は、少なくと
も一方の端部から光強度が最高である点まで非線形に変
化し、前記端部である第１の点から、光強度の増加の仕
方が変わる第２の点までの幅Ｗａと、光強度の増加の仕
方が変わる第３の点から、光強度が最高である第４の点
までの幅Ｗｂと、光強度が最高である第５の点から、光
強度の減少の仕方が変わる第６の点までの幅Ｗｃと、光
強度の減少の仕方が変わる第７の点から、前記端部とは
反対側の端部である第８の点までの幅Ｗｄのうち、少な
くとも一つは、前記照明領域に対する１パルス毎の前記
被照明物体の相対的な移動量とほぼ等しい、若しくは前
記相対的な移動量以上であることを特徴とする。
【００１０】本願第３発明は、パルス光の照明領域に対
して被照明物体を相対的に走査させる走査手段を有する
照明装置において、前記照明領域の走査方向の光強度分
布は、四隅のうち少なくとも１つの光強度が滑らかな曲
線状に変化する台形に近い形状であって、滑らかな曲線
状に変化する部分の幅のうち、少なくとも１つは、前記
照明領域に対する１パルス毎の前記被照明物体の相対的
な移動量とほぼ等しい、若しくは前記相対的な移動量以
上であることを特徴とする。
【００１１】本願第４発明は、本願第１、第２、第３発
明の照明装置を有し、前記被照明物体はレチクル及びウ
エハーであって、該レチクルに形成されたパターンを複
数のパルス光により該ウエハーに露光することを特徴と
する。
【００１２】本願第５発明は、本願第４発明の走査型露
光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデ
バイスの製造方法である。
【００１３】本発明の照明装置を走査型露光装置に適用
することにより、従来は難しかった高集積度の半導体デ
バイスの製造が可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態を示す
概略図であり、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶
デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデ
バイスを製造する際に用いる走査型投影露光装置を示
す。
【００１５】図１において、エキシマレーザ等のパルス
光を放射するパルス光源１からの光束はビーム整形光学
系２により所望の形状に整形され、ハエノ目レンズ等の
オプティカルインテグレーター３の光入射面に指向され
る。ハエノ目レンズは複数の微小なレンズの集まりから
なるものであり、その光射出面近傍に複数の２次光源が
形成される。４はコンデンサーレンズであり、コンデン
サーレンズ４はオプティカルインテグレーター３の２次
光源からの光束でマスキングブレード６をケーラー照明
している。マスキングブレード６は結像レンズ７とミラ
ー８によりレチクル９との共役な位置からずらして配置
されており、マスキングブレード６の開口の形状を定め
ることによりレチクル９におけるパルス光の照明領域の
形と寸法が規定される。レチクル９における照明領域
は、レチクル９の走査方向が短手方向を設定した長方形
のスリット形状を備える。１０は投影光学系であり、レ
チクル９に描かれた回路パターンをウエハー１１に縮小
投影している。１０１はレチクル９とウエハー１１を不
図示の駆動装置により投影光学系１０の投影倍率と同じ
比率で正確に一定速度で移動させるための移動制御系で
ある。１２は光量検出器であり、ハーフミラー５により
分割されたパルス光の一部の光束をモニターすることに
より、間接的にウエハー１１における各パルス光の露光
量をモニターしている。制御系１０３は、光量演算器１
０２からの露光量値に応じてパルス光源１を発光させる
タイミングを制御している。
【００１６】図２は露光時にウエハー１１がレチクル９
を介しパターンの情報を得た照明光束１０４の光路と垂
直な矢印で示す方向に移動してゆく状態を示したもので
ある。ウエハー１１が図２の矢印の方向に動くことによ
って、スリット上の光束１０４の照明領域１０５がウエ
ハー１１を走査／露光することになる。図３は図２のウ
エハー１１を照明方向（真上）から見た図であり、ウエ
ハー１１上のある点ａがウエハー１１の移動と共に照明
領域１０５を横切ってゆく（ａ→ａ1→ａ2）様子を示し
たものである。点ａがａ1の位置に来た時に点ａの露光
が開始され、点ａがａ2の位置に来た時に点ａの露光が
終了する。
【００１７】本発明の特徴を最もよく表すパルス光によ
る照明領域の走査方向の光強度分布の概念図を図４に示
す。図中、左側端部の第１の点Ｐ1から光強度の増加の
仕方が変わる第２の点Ｐ2までの幅をＷａ、光強度の増
加の仕方が変わる第３の点Ｐ3から光強度が最高である
第４の点Ｐ4までの幅をＷｂ、光強度が最高の第５の点
Ｐ5から、光強度の減少の仕方が変わる第６の点Ｐ6まで
の幅をＷｃ、光強度の減少の仕方が変わる第７の点Ｐ7
から右側端部の第８の点Ｐ8までの幅をＷｄとしてい
る。
【００１８】図４に示した他に、図５から図９に示した
ような光強度分布が考えられる。図５は、光強度の増加
及び減少の仕方が変わる点（Ｐ2とＰ3、Ｐ6とＰ7）が同
一の点である場合である。図６は、図５の場合に加えて
光強度が最高である点（Ｐ4とＰ5）が同一の点の場合で
ある。そして、図７は、直線的に光強度が変化する場
合、図８は、照明領域の両端部において光強度が滑らか
に変化する場合、図９は、元となる台形光強度分布に対
して１角の光強度が滑らかに変化する場合である。これ
らの形態以外にも本発明の主旨を逸脱しない範囲で様々
な形の光強度分布をとることができる。
【００１９】なお、本実施形態中で光強度の増加（また
は減少）の仕方が変わる点とは、例えば、その点の前後
において光強度の変化を示した関数が異なる点、関数が
同一の場合は変曲点などを言っている。
【００２０】図１０に従来のパルス光の台形の光強度分
布を示し、図１１に本実施形態のパルス光の光強度分布
を示す。図１０のパルス光の光強度分布は、ウエハー１
１面上で上底が３ｍｍ、下底が５ｍｍの等脚台形をして
いる。図１１のパルス光の光強度分布は、図１０のパル
ス光の台形状の光強度分布の角を２次曲線的に丸めたよ
うな形になっている。図１１のパルス光の光強度分布に
おいて、図４におけるＷａからＷｄはすべて等しく、Ｓ
ｌで表されている。本実施形態においてＳｌはウエハー
１１面上で０．２５ｍｍとなるように設定されている。
【００２１】図１２に図１０の光強度分布のパルス光を
用いたパルス数と露光むらの関係を、図１３に図１１の
光強度分布のパルス光を用いたパルス数と露光むらの関
係を示す。ここで言うパルス数とは、ウエハー１１上の
照明領域の幅Ｌを１パルス毎のウエハー１１の移動量で
割った値であり、露光領域のある点が照射されるパルス
数の平均値を表わす。したがって、整数になるとは限ら
ない。ただし、図１１のような強度分布をもつパルス光
のＬの定義は同図に示したようになっている。
【００２２】図１１に示した光強度分布のパルス光を用
いた時、図１０に示した光強度分布のパルス光を用いた
時に比べて、全体的に露光むらが小さくなっているのが
一目瞭然である。
【００２３】また、図１３において、パルス数が２０パ
ルス近傍から２０パルス以上の領域において、特に露光
むらが小さくなっているのが分かる。パルス数が２０パ
ルスの時の、１パルス毎のウエハー１１の移動量は０．
２５ｍｍであり、本実施形態におけるＳｌと等しくなっ
ている。すなわち、図１３のパルス数が２０パルス以上
の領域とは、１パルス毎の移動量が０．２５ｍｍ以下と
いうことを表しており、Ｓｌが、１パルス毎の移動量と
ほぼ等しいか、それ以上だと露光むらが特に小さくなる
ことが分かる。
【００２４】本実施形態においては、２組の直交する可
変スリットからなるマスキングブレード６のうち走査方
向の照明領域の幅を決定する方向の２枚の可変スリット
の像をデフォーカス可能にして、Ｓｌの値を自由に設定
できるようにしている。
【００２５】本実施形態においては、結像レンズ７を介
してマスキングブレード６の開口の像をレチクル９のパ
ターン面に投影しているが、結像レンズ７は必ずしも必
要ではなく、例えば、レチクル９の直前にマスキングブ
レード６を配置してもよい。
【００２６】また、光強度分布を設定する他の方法とし
て、マスキングブレード６の位置に図１４に示したグラ
デーションフィルターを設ける方法、図１５に示したグ
レーティングフィルターを設ける方法等がある。
【００２７】グラデーションフィルターとは、図１４に
示すように所定の透過率を有する膜を部分的に重ねて形
成することにより、光の入射する位置によって透過率を
異ならせしめ、所望の光強度分布の形状が得られるよう
にしたものである。一方、グレーティングフィルターと
は振幅型の回折格子であるが、ここでは、図１５に示す
ように０次光によって所望の光強度分布の形状が得られ
るようにしており、０次以外の回折光はフィルターの後
方に設けた遮光部によって遮光される。なお、図１４の
グラデーションフィルター及び図１５のグレーティング
フィルターを用いた方法だと光強度分布が非連続的にな
るが、図１４、図１５中に示したようにΔＧだけフィル
ターをレチクル６との共役位置からわずかに移動させる
ことにより、滑らかな光強度分布にすることができる。
このように複雑な光強度分布形状の場合、Ｓ１は近似し
たものを用いる。
【００２８】更に、ハエノ目レンズ射出面近傍の複数の
２次光源の総括的な形状（例えば、円形、長円形、正方
形、多角形、これらが複数集まったもの）を選択するこ
とによっても、光強度分布を所望の形状にすることがで
きる。
【００２９】図１６〜図１９はウエハー１１上のある点
（ここでは点ａ）においてウエハー１１の移動と共に積
算露光量が増えてゆく状態を表している。ここでＥ0は
目標積算露光量である。Ｔ1は点ａが図３におけるａ1の
位置にきた時（照明領域に入った時＝露光開始）、Ｔ2
は点ａがａ2の位置にきた時（照明領域を出た時＝露光
終了）を表している。水銀ランプ等の連続発光光源を露
光光源として使用した場合、図１６に示すように露光開
始から露光終了まで連続的に露光量が増えてゆくので、
あらかじめ走査速度と単位時間当たりのエネルギー照射
量及び照明領域の巾を決めておき、それらを一定に保っ
て露光してゆけば露光むらも起きず正確な露光量制御が
できる。また、本発明のようにパルス光を露光光として
使用した場合でも、１パルス当たりの照射エネルギーが
常に一定であれば、図１７に示したように連続発光光源
と同様に露光むらも起きず正確な露光量制御が可能であ
る。しかしながら、エキシマレーザなどのパルス光源は
発光周波数を一定にすることはできても、各パルス光の
エネルギーを正確に一定にすることはできない。従っ
て、１パルス毎の平均エネルギー照射量から算出した条
件（エネルギー設定、照射スリット巾設定、レチクルと
ウエハーの走査速度設定、発光周波数設定）により露光
を行っても、各パルス光のエネルギーのバラツキや偏り
により、図１８に示すように正確な露光量制御が出来な
い。これは走査型露光装置のように露光時間が実質的に
一定の露光を行なう場合、ウエハー上の露光むらを引き
起こすことになる。
【００３０】図１９は本実施形態における露光量制御を
示す説明図である。本実施形態においてはレチクル９お
よびウエハー１１の走査速度を常に一定に保ちつつ走査
露光を行っている間に順次供給される各パルス光による
露光量を光量検出器１２によりモニターしている。そし
て、制御系１０３によりあるパルス光による露光量が所
望の露光量よりも大きかった場合には、次のパルス光を
発光するタイミングを遅らせ、また、あるパルス光によ
る露光量が所望の露光量よりも小さかった場合には次の
パルス光を発光するタイミングを早める。これにより、
パルス光毎の光量のバラツキが生じても、ウエハー１１
上における各点の露光むらを小さくすることができる。
【００３１】なお、発光周波数の初期設定は、パルス光
源の最高周波数に対して、各パルス光のエネルギーのバ
ラツキを考慮した値以下にすることが望ましい。例え
ば、パルスエネルギーのバラツキが±５％で最高周波数
が５００Ｈｚのレーザーの場合、発光周波数の初期設定
は５００×１００÷１０５≒４７６Ｈｚ以下に設定する
ことが望ましい。
【００３２】次に図１の投影露光装置を利用した半導体
デバイスの製造方法の実施例を説明する。図２０は半導
体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ
２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した
マスク（レクチル９）を製作する。一方、ステップ３
（ウエハー製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
ー（ウエハー１１）を製造する。ステップ４（ウエハー
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハーとを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ
ー上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成された
ウエハーを用いてチップ化する工程であり、アッセンブ
リ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング
工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検
査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした
工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステ
ップ７）される。
【００３３】図２１は上記ウエハープロセスの詳細なフ
ローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエ
ハー１１）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ
１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レ
クチル９）の回路パターンの像でウエハーを露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）
ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらステップを繰り返し行なうことによりウエハ
ー上に回路パターンが形成される。
【００３４】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが可
能になる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
照明むらを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した走査型露光装置を示す概略図
である。
【図２】スリット状の照明光束が形成するウエハー上の
照明領域を示す図である。
【図３】照明領域に対してウエハー上の点が移動してゆ
く状態を表す図である。
【図４】本発明のパルス光の光強度分布の概念図であ
る。
【図５】本発明のパルス光の光強度分布の一例を示す図
である。
【図６】本発明のパルス光の光強度分布の一例を示す図
である。
【図７】本発明のパルス光の光強度分布の一例を示す図
である。
【図８】本発明のパルス光の光強度分布の一例を示す図
である。
【図９】本発明のパルス光の光強度分布の一例を示す図
である。
【図１０】台形のパルス光の光強度分布を示す図であ
る。
【図１１】本実施例のパルス光の光強度分布を示す図で
ある。
【図１２】図１０に示した光強度分布を有するパルス光
の露光むらとパルス数の関係を示す図である。
【図１３】図１１に示した光強度分布を有するパルス光
の露光むらとパルス数の関係を示す図である。
【図１４】グラデーションフィルターを用いて本発明の
光強度分布を設定する方法を示す概略図である。
【図１５】グラデーションフィルターを用いて本発明の
光強度分布を設定する方法を示す概略図である。
【図１６】連続発光光源を有する装置で露光量が積算さ
れてゆく状態を示す図である。
【図１７】照射エネルギーが一定のパルス光によって露
光量が積算されてゆく状態を示す図である。
【図１８】照射エネルギーにバラツキがあるパルス光に
よって露光量が積算されてゆく状態を示す図である。
【図１９】本実施形態の露光量制御方法により露光量が
積算されてゆく状態を示す図である。
【図２０】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャ
ートである。
【図２１】図２０の工程中のウエハープロセスの詳細を
示すフローチャートである。
【図２２】従来の走査型露光装置を示す概略構成図であ
る。
【図２３】矩形のパルス光の光強度分布を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ パルス光源 ２ ビーム整形光学系 ３ オプティカルインテグレーター ４ コンデンサーレンズ ５ ハーフミラー ６ マスキングブレード ７ 結像レンズ ９ レチクル １０ 投影光学系 １１ ウエハー １２ 光量検出器 １０１ 移動制御系 １０２ 光量演算器 １０３ 制御系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１８ (72)発明者 高橋 和弘 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キヤ ノン株式会社小杉事業所内

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パルス光の照明領域に対して被照明物体
    を相対的に走査させる走査手段を有する照明装置におい
    て、 前記照明領域の走査方向の光強度分布は、少なくとも一
    方の端部から光強度が最高である点まで非線形に変化
    し、 前記端部である第１の点から、光強度の増加の仕方が変
    わる第２の点までの幅Ｗａと、光強度の増加の仕方が変
    わる第３の点から、光強度が最高である第４の点までの
    幅Ｗｂのうち、少なくとも一方は、前記照明領域に対す
    る１パルス毎の前記被照明物体の相対的な移動量とほぼ
    等しい、若しくは前記相対的な移動量以上であることを
    特徴とする照明装置。
  2. 【請求項２】 前記光強度分布は、走査方向に関して対
    称な形状であることを特徴とする請求項１記載の照明装
    置。
  3. 【請求項３】 前記光強度の増加の仕方が変わる第２の
    点と第３の点とが同一の点であることを特徴とする請求
    項１、２記載の照明装置。
  4. 【請求項４】 前記幅Ｗａと幅Ｗｂとが等しいことを特
    徴とする請求項１乃至３記載の照明装置。
  5. 【請求項５】 前記幅Ｗａと幅Ｗｂに相当する部分の光
    強度分布が２次曲線で近似できることを特徴とする請求
    項１乃至４記載の照明装置。
  6. 【請求項６】 前記照明領域の形状を決めるマスキング
    ブレードを有し、該マスキングブレードは、前記被照明
    物体との共役面から外れた位置に置かれることを特徴と
    する請求項１乃至５記載の照明装置。
  7. 【請求項７】 前記照明領域の光強度分布を決めるフィ
    ルターを有することを特徴とする請求項１乃至５記載の
    照明装置。
  8. 【請求項８】 前記フィルターは、前記被照明物体との
    共役面からわずかに外れた位置に置かれることを特徴と
    する請求項７記載の照明装置。
  9. 【請求項９】 前記フィルターは、光の入射する位置に
    よって透過率が異なることを特徴とする請求項７、８記
    載の照明装置。
  10. 【請求項１０】 前記フィルターは、光の入射する位置
    により０次回折光の光強度が異なる回折格子であること
    を特徴とする請求項７、８記載の照明装置。
  11. 【請求項１１】 前記０次回折光以外の回折光を遮光す
    る遮光手段を有することを特徴とする請求項１０記載の
    照明装置。
  12. 【請求項１２】 前回のパルス光の光量に基づいて今回
    のパルス光の発光時刻を制御する手段を備えることを特
    徴とする請求項１乃至１１記載の照明装置。
  13. 【請求項１３】 前記パルス光は、エキシマレーザ光で
    あることを特徴とする請求項１乃至１２記載の照明装
    置。
  14. 【請求項１４】 パルス光の照明領域に対して被照明物
    体を相対的に走査させる照明装置において、 前記照明領域の走査方向の光強度分布は、少なくとも一
    方の端部から光強度が最高である点まで非線形に変化
    し、 前記端部である第１の点から、光強度の増加の仕方が変
    わる第２の点までの幅Ｗａと、光強度の増加の仕方が変
    わる第３の点から、光強度が最高である第４の点までの
    幅Ｗｂと、光強度が最高である第５の点から、光強度の
    減少の仕方が変わる第６の点までの幅Ｗｃと、光強度の
    減少の仕方が変わる第７の点から、前記端部とは反対側
    の端部である第８の点までの幅Ｗｄのうち、少なくとも
    一つは、前記照明領域に対する１パルス毎の前記被照明
    物体の相対的な移動量とほぼ等しい、若しくは前記相対
    的な移動量以上であることを特徴とする照明装置。
  15. 【請求項１５】 前記光強度分布は、走査方向に関して
    対称な形状であることを特徴とする請求項１４記載の照
    明装置。
  16. 【請求項１６】 前記光強度の増加の仕方が変わる第２
    の点と第３の点とが同一の点であることを特徴とする請
    求項１４、１５記載の照明装置。
  17. 【請求項１７】 前記光強度の減少の仕方が変わる第６
    の点と第７の点とが同一の点であることを特徴とする請
    求項１４乃至１６記載の照明装置。
  18. 【請求項１８】 前記光強度分布が最高となる第４の点
    と第５の点とが同一の点であることを特徴とする請求項
    １４乃至１７記載の照明装置。
  19. 【請求項１９】 前記幅Ｗａ，幅Ｗｂ，幅Ｗｃ及び幅Ｗ
    ｄが等しいことを特徴とする請求項１４乃至１８記載の
    照明装置。
  20. 【請求項２０】 前記幅Ｗａ，幅Ｗｂ，幅Ｗｃ及び幅Ｗ
    ｄに相当する部分の光強度分布が２次曲線で近似できる
    ことを特徴とする請求項１４乃至１９記載の照明装置。
  21. 【請求項２１】 前記照明領域の形状を決めるマスキン
    グブレードを有し、該マスキングブレードは、前記被照
    明物体との共役面から外れた位置に置かれることを特徴
    とする請求項１４乃至２０記載の照明装置。
  22. 【請求項２２】 前記照明領域の光強度分布を決めるフ
    ィルターを有することを特徴とする請求項１４乃至２０
    記載の照明装置。
  23. 【請求項２３】 前記フィルターは、前記被照明物体と
    の共役面からわずかに外れた位置に置かれることを特徴
    とする請求項２２記載の照明装置。
  24. 【請求項２４】 前記フィルターは、光の入射する位置
    によって透過率が異なることを特徴とする請求項２２、
    ２３記載の照明装置。
  25. 【請求項２５】 前記フィルターは、光の入射する位置
    により０次回折光の光強度が異なる回折格子であること
    を特徴とする請求項２２、２３記載の照明装置。
  26. 【請求項２６】 前記０次回折光以外の回折光を遮光す
    る遮光手段を有することを特徴とする請求項２５記載の
    照明装置。
  27. 【請求項２７】 前回のパルス光の光量に基づいて今回
    のパルス光の発光時刻を制御する手段を備えることを特
    徴とする請求項１４乃至２６記載の照明装置。
  28. 【請求項２８】 前記パルス光は、エキシマレーザ光で
    あることを特徴とする請求項１４乃至２７記載の照明装
    置。
  29. 【請求項２９】 パルス光の照明領域に対して被照明物
    体を相対的に走査させる走査手段を有する照明装置にお
    いて、 前記照明領域の走査方向の光強度分布は、四隅のうち少
    なくとも１つの光強度が滑らかな曲線状に変化する台形
    に近い形状であって、 滑らかな曲線状に変化する部分の幅のうち、少なくとも
    １つは、前記照明領域に対する１パルス毎の前記被照明
    物体の相対的な移動量とほぼ等しい、若しくは前記相対
    的な移動量以上であることを特徴とする照明装置。
  30. 【請求項３０】 前記光強度分布は、走査方向に関して
    対称な形状であることを特徴とする請求項２９記載の照
    明装置。
  31. 【請求項３１】 前記滑らかな曲線状に変化する部分の
    幅が等しいことを特徴とする請求項２９、３０記載の照
    明装置。
  32. 【請求項３２】 前記滑らかな曲線状に変化する部分の
    光強度分布が２次曲線で近似できることを特徴とする請
    求項２９乃至３１記載の照明装置。
  33. 【請求項３３】 前記照明領域の形状を決めるマスキン
    グブレードを有し、該マスキングブレードは、前記被照
    明物体との共役面から外れた位置に置かれることを特徴
    とする請求項２９乃至３２記載の照明装置。
  34. 【請求項３４】 前記照明領域の光強度分布を決めるフ
    ィルターを有することを特徴とする請求項２９乃至３２
    記載の照明装置。
  35. 【請求項３５】 前記フィルターは、前記被照明物体と
    の共役面からわずかに外れた位置に置かれることを特徴
    とする請求項３４記載の照明装置。
  36. 【請求項３６】 前記フィルターは、光の入射する位置
    によって透過率が異なることを特徴とする請求項３４、
    ３５記載の照明装置。
  37. 【請求項３７】 前記フィルターは、光の入射する位置
    により０次回折光の光強度が異なる回折格子であること
    を特徴とする請求項３４、３５記載の照明装置。
  38. 【請求項３８】 前記０次回折光以外の回折光を遮光す
    る遮光手段を有することを特徴とする請求項３７記載の
    照明装置。
  39. 【請求項３９】 前回のパルス光の光量に基づいて今回
    のパルス光の発光時刻を制御する手段を備えることを特
    徴とする請求項２９乃至３８記載の照明装置。
  40. 【請求項４０】 前記パルス光は、エキシマレーザ光で
    あることを特徴とする請求項２９乃至３９記載の照明装
    置。
  41. 【請求項４１】 請求項１乃至４０記載の照明装置を有
    し、前記被照明物体はレチクル及びウエハーであって、
    該レチクルに形成されたパターンを複数のパルス光によ
    り該ウエハーに露光することを特徴とする走査型露光装
    置。
  42. 【請求項４２】 請求項４１記載の走査型露光装置を用
    いてデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製
    造方法。
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