KR100551209B1 - 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 61
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001093 anti-cancer Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
조명세기조정기(10)는 조명필드(IFL)를 가로질러 연장되는 반음영(half-shadow)들을 투사(cast)하도록 투영빔(PB)내에 배치된 복수의 블레이드(11)를 포함한다. 상기 블레이드는 투영빔(PB)에 수직인 그들의 폭을 증가시켜 균일성을 제어하도록 선택적으로 회전될 수 있다.
Description
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 리소그래피투영장치를 도시한 도면,
도 2 및 도 3은 최대 개방 위치에 그것의 블레이드가 있는, 각각 본 발명의 제1실시예에서 사용되는 세기조정기의 측면도 및 평면도,
도 4 및 도 5는 부분적으로 경사진 2개의 블레이드를 가진, 도 2 및 도 3에 대응하는 도면,
도 6은 본 발명의 제2실시예에서 세기조정기의 평면도,
도 7은 본 발명의 제3실시예에서 세기조정기의 측면도,
도 8은 도 7에 도시된 세기조정기 세트를 가진 본 발명의 제3실시예에서 조명필드를 가로지르는 위치에서 세기의 그래프,
도 9는 도 7의 세기조정기의 평면도,
도 10은 도 7의 세기조정기의 와이어를 위치설정하는 메커니즘을 추가로 도시한, 도 9의 유사도면,
도 11은 도 7의 세기조정기의 와이어를 위치설정하는 대안적인 메커니즘을 추가로 도시한, 도 7의 유사도면,
도 12는 제3실시예의 변형례로서 세기조정기의 평면도,
도 13은 본 발명의 제4실시예의 세기조정기에서 핀붙이(finned)부재의 사시도,
도 14 및 도 15는 각각 폐쇄 및 개방 위치에서 도 13의 핀붙이부재의 측면도,
도 16 및 도 17은 모든 블라인드 부재가 개방된 상태 및 어떤 블라인드 부재는 부분적으로 폐쇄된 상태의 본 발명의 제5실시예에 따른 세기조정장치의 평면도,
도 18은 지지빔을 도시한, 도 16 및 도 17의 제기조정기의 2개의 블라인드 부재에 확대 평면도,
도 19는 변형된 형태의 지지빔을 가진 제5실시예의 2개의 블라인드 부재의 평면도,
도 20은 제5실시예에서 기울임 블라인드 부재의 효과를 도시한 도면,
도 21 및 도 22는 도 22의 경사진 1개의 블라인드 부재를 가진, 본 발명의 제6실시예의 2개의 블라인드 부재의 사시도,
도 23은 제6실시예의 블라인드 부재의 변형례를 도시한 측면도,
도 24는 제6실시예의 블라인드 부재의 또다른 변형례의 사시도,
도 25는 제6실시예의 블라인드 부재에 의한 그레이징 입사(grazing incidence)시 반사된 방사선의 차단을 도시한 도면.
본 발명은,
- 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템,
- 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체,
- 기판을 잡아주는 기판테이블,
- 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템, 및
- 적어도 스캐닝방향으로 상기 투영시스템에 대하여 상기 기판을 이동시키는 위치설정수단을 포함하는 리소그래피 투영장치에 관한 것이다.
"패터닝수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정 기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번 위상쉬프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상쉬프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 형식도 포함한다. 투영빔 내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과 마스크의 경우) 또는 반사(반사 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에, 그 지지구조체는 일반적으로 마스크테이블이며 이것은 입사하는 방사선빔 내 의 소정 위치에서 마스크를 잡아줄 수 있고 필요에 따라서는 빔에 대하여 이동될 수 있다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참조되고 있는 미국특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호로부터 얻을 수 있다. 프로그래밍가능한 거울배열의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상기와 마찬가지로, 이러한 경우 상기 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 묘화될 수 있다. 일반적으로 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 ＜1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 상세한 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며 본 명세서에서도 참조자료로 채용된다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피쳐의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 모두가 개별층을 마무르도록 하는 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어하기 위한 임의의 이들 설계방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 더 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 트윈스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용 참조되고 있다.
리소그래피장치의 묘화품질(imaging quality)을 결정하는 주요인은 기판표면에 전달되는 도즈(dose)의 균일성에 있다. 묘화된 영역(imaged area)의 전반에 걸쳐 웨이퍼 레벨에서의 전달된 에너지밀도에 편차가 있으면, 이것은 레지스트의 현상후 이미지피처의 크기에 변화를 초래할 수 있다. 웨이퍼 레벨에서의 균일성은 마스크 레벨에서의 조명필드(슬릿)가 균일하게 조명되도록 보장함으로써 고도로 보장될 수 있다. 이것은 그 안에서 빔이 다중 반사를 거치게 되는 쿼츠로드와 같은 인티그레이터(integrator), 또는 광원의 다중의 중첩 이미지를 만드는 플라이스아이렌즈(fly's eye lens)를 거쳐 빔을 통과시킴으로써 성취될 수 있다. 플라이스아이렌즈나 그 등가물은 회절광학기 및 반사광학기 모두로 제작될 수 있지만, 조명필드의 전반적인 세기에는 여전히 어느정도 잔여의 불균일성을 남길 수 있다.
US 6,013,401호 및 US 5,895,737호는 스캐닝방향에 수직인 직사각형 조명필드의 길이를 따라 조명세기를 제어하는 구성장치를 가진 스텝-앤드-스캔장치를 개 시한다. 이 장치는 조명필드 또는 슬릿의 하나의 에지를 따라 배열된 복수의 링크블레이드(linked blade)를 포함한다. 상기 블레이드는 슬릿의 유효폭을 줄이도록 슬릿 안에 선택적으로 삽입되어 유효 슬릿폭이 그것의 길이에 따라 변동될 수 있다. 조명에너지밀도가 상대적으로 높은 위치에서 유효 슬릿폭을 줄임으로써, 마스크의 더욱 균일한 조명 즉, 스캐닝시 기판레벨에서의 더 균일한 도즈를 얻을 수 있다. 하지만, 이 구성장치는 투영시스템의 퓨필(pupil)의 비대칭충만(asymmetric filling)을 야기하고 조명빔의 무게중심을 천이시키기 때문에 텔레센트릭(telecentricity) 문제를 일으킨다. 또한, 슬라이딩 메커니즘은 잠재적인 오염원으로서, 이것은 진공에서 유지되어야 하는 EUV 장치에서는 특히 바람직하지 않다.
본 발명의 목적은 조명 도즈를 국부적으로 제어하는 개선된 수단을 제공하는 것이다.
본 발명에 따라, 서두에 언급된 리소그래피장치로서,
상기 패터닝수단상의 조명필드 위에, 상기 조명필드의 중심선을 두고 상기 스캐닝방향으로 실질적 대칭인 반암부(penumbra)를 투사하는 복수의 부재를 포함하며 상기 방사선시스템내에 배치된 세기조정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치에서 상기 및 기타 목적이 달성된다.
상기 반암부가 조명필드의 중심선을 두고 스캐닝방향으로 실질적 대칭임을 보장함으로써, 어떠한 텔레센트릭 에러의 개입을 피하거나 최소화될 수 있는데 즉, 조명필드의 일측의 빔으로부터 에너지 흡수의 영향이 필드의 타측으로부터 상응하는 에너지 흡수를 통해 상쇄된다. 따라서, 반암부가 조명필드의 중심선을 두고 거울대칭 또는 회전대칭이어야 하는 것이 필수적인 것이 아니고, 오히려 일측상의 중심선으로부터의 거리 y에서 흡수된 에너지가 타측상의 중심선으로부터의 거리 y에서 흡수된 에너지와 동일한 것이다. 또한 각 부재에 의해 투사된 반암부가 대칭일 필요는 없으며, 하나의 부재가 다른 것을 보상하도록 2이상의 부재에 의해 투사된 반암부의 합이 대칭이면 된다. 투영시스템이 거울을 수반하는 경우 기판의 스캐닝방향에 대응하는 패터닝수단에서의 방향이 스캐닝방향과 평행하지 않아도 된다는 것을 알 수 있다. 그 경우에, 반암부의 대칭요건은 스캐닝방향에 대응하는 방향이라는 것을 이해하여야 한다.
조명필드의 전반에 걸쳐 반암부가 확실히 연장되게 함으로써, 또는 중앙에 위치된 반암부에 의해서, 또는 조명필드의 양측으로부터 안 쪽으로 연장된 반암부에 의해서, 대칭을 제공할 수 있음을 알 수 있다. 텔레센트릭에 미치는 영향은 필드의 중앙에서보다는 필드의 에지에서 방사선이 차단될 경우에 더 크기 때문에, 대칭요건은 슬릿의 중앙영역에 속하는 반암부에는 덜 엄격하다.
바람직하게, 본 발명에 따른 세기조정기의 부재들은 패터닝수단상에 그들의 반암부를 조작할 수 있도록 선택적으로 조정된다. 부재들을 조정할 수 있게 함으로써, 장치의 상태, 조명세팅 또는 묘화되는 패턴의 변화에 따른 보상을 위해서 도즈의 동적조정(dynamic adjustment)이 가능하다. 특히 바람직한 실시예에서, 상기 부재들은 투영빔에 수직인 방향에서 그들의 유효폭을 변경하여 차단되는 투영빔의 방사선량을 변화시키도록 회전하는 블레이드이다.
조정 가능한 부재들의 반암부는 그들의 폭을 조정함에 따른 텔레센트릭 문제를 일으키지 않도록 작은 각도(바람직하게는 부재의 피치를 필드 폭으로 나눈 것과 동일)에서 패터닝수단(마스크)상의 조명필드(슬릿)의 전반에 걸쳐 연장되도록 배열될 수 있다. 그러한 조정을 통해서 빔의 세기가 국부적으로 변동되더라도, 이러한 변동은 조명필드의 폭에 걸쳐 대칭이다. 본 발명의 세기조정기는 또한 조명필드의 전반에 걸친 도즈의 조절을 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 세기조정기는 조명필드내 투영빔의 세기의 불균일성 및 패터닝수단의 반사율 또는 투과율의 편차를 교정하는 데 사용될 수 있다. 조명빔의 세기가 상대적으로 높은 즉, 반사율/투과율이 상대적으로 높은 영역의 블레이드는 투영빔의 방사선의 더 많은 부분을 차단하도록 경사져 있다. 세기조정기는 사용자별로 정해진 도즈 프로파일의 사용에 따른 기타 영향에 의하여 야기된 라인-폭 편차를 교정하는 데에도 사용될 수 있다.
스캐닝장치에서는 본 발명의 세기조정기가 정밀격자(fine grid)상의 조명빔세기에 대한 제어를 효과적으로 하는 데 사용될 수 있다. 이를 위해서, 블레이드의 회전위치는 스캔과 동기로 제어된다. 조명빔세기에 대한 이러한 제어는 패턴의 조밀부(dense portion) 또는 반사 배경(reflective background)상의 작은 비-반사영역을 가진 부분에서 이웃각 원계 표류광(near-angle and far-field stray light)과 같은 패턴 의존 영향(pattern dependent effect)을 보상하도록 사용될 수 있다. 상기 표류광은 기판에서 배경세기(background intensity)의 국부적 증가를 야기, 국부적으로 총 도즈를 증가시킬 것이며, 레지스트는 입수되는 총 도즈에 감응하므로 라인폭 편차를 야기한다. 본 발명의 세기조정기는 이것을 보상하는 데 사용될 수 있다.
본 발명의 또다른 실시형태에 따르면, 디바이스 제조방법으로서,
- 적어도 부분적으로는 방사선감응재의 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및
- 적어도 스캐닝방향으로 기판을 이동시키면서 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하며,
상기 패터닝수단상의 조명필드 위에, 상기 조명슬릿의 중심선을 두고 상기 스캐닝방향으로 실질적 대칭인 반암부를 투사하도록 배치된 복수의 부재를 포함하는 세기조정기를 상기 패터닝수단의 상류측 상기 투영빔내에 배치하는 단계를 특징으로 하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟 부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인)자외선 및 (예를 들어, 파장이 5 내지 20㎚ 범위인)극자외선(EUV)을 포함한 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
이하, 첨부된 개략적인 도면을 참조로 단지 예시의 방식으로 본 발명의 실시예를 서술한다.
제1실시예
도 1은 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
- 방사선(예를 들어, EUV 방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(이 경우에는 특별히 방사선시스템이 방사원(LA)도 포함한다);
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 미러그룹)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (반사마스크를 구비한) 반사형(reflective type)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (투과마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램 가능한 거울 배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 방전 또는 레이저생성 플라즈마원)은 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함하고 있다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 도달하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(흔히 예를 들어, 방사원(LA)이 수은 램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향 거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사원(LA)이 흔히 엑시머레이저인 때의 경우이다. 본 발명과 청구 범위는 이들 시나리오를 모두 포함하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)을 포커스한다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))(PW)에 의하여, 기 판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단(PM)은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 장행정모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단행정모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는, 마스크테이블(MT)은 단지 단행정 엑추에이터에 연결되거나 또는 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동 가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 M=1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도 를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 세기조정기(10)는 투영빔(PB)의 경로내, 조명시스템(IL)내에 배치된 복수의 블레이드(11)를 포함한다. 세기조정기(10)는 마스크(MA)로부터 광 거리 d에, 또는 마스크(MA)와 켤레인 평면에 놓여 그것들은 마스크 레벨에서 포커스 밖에 있으며 또한 방사선시스템의 퓨필평면내에 있지도 않다. 일반적으로 세기조정기는 퓨필평면보다는 마스크, 또는 그것의 켤레평면에 더 가깝게 있어야 한다. 방사선시스템이 중간 이미지평면을 가지는 경우, 블레이드는 퓨필평면보다는 거기에 더 가깝게 위치될 수 있다. 균일성을 제공하기 위해서 필드 및 퓨필 파셋미러(facet mirror)를 활용하는 조명시스템에서는 세기조정기가 필드파셋미러 앞에 위치될 수 있다.
블레이드(11)들은 투영빔의 전반에 걸쳐 연장되어 그들의 반음영(half shadow)이 (장치의 스캐닝방향을 따라) 조명필드(IFL)의 폭을 가로질러 그것의 장축에 실질적 수직으로 연장된다. 블레이드들은 마스크레벨에서 그들의 반음영이 중첩하도록(그것이 인접하기만 해도 충분하지만) 일정 거리 떨어져 이격되어 있고, 그들의 반음영이 전체 조명필드를 덮을 만큼 충분한 수이어야 한다. 블레이드의 그림자 프로파일은 차차 약해지고(tail-off) 그 말단부는 중첩한다. 그들의 유효폭이 증가되도록 블레이드를 회전시키면 그들의 그림자 프로파일은 더 어두워진다. 블레이드를 하나하나 선택적으로 회전시키기 위해서 엑추에이터(12)가 위치된다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 블레이드(11) 중 하나를 도 2 및 도 3에 도시된 최대개방위치로부터 회전시키면 투영빔내 그것의 유효폭이 증가하게 되어 입사하는 방사선의 더 많은 부분을 차단하게 된다. 바람직하게, 블레이드는 산란된 표류광을 최소화하도록 투영빔의 방사선을 흡수하는 (혹은 비-반사 코팅을 한)재료로 만들어진다. 따라서, 입사하는 세기가 더 큰 빔의 영역에 입사하는 방사선의 더 많은 부분을 흡수하도록 블레이드(11) 하나하나의 개별적인 경사각을 조정할 수 있고 따라서 조명의 균일성을 증가시킨다. 반음영내 세기를 줄이기 위해서 블레이드의 각도를 대략 10% 까지 변경하여도 텔레센트릭 영향은 심하지 않다. 본 명세서에서 도 4에 도시된 경사도는 명료하게 보이도록 과장된 것임을 밝혀둔다. 또한 도 2 내지 도 5에 도시된 블레이드의 수는 실제의 경우보다 현저히 적은 것임을 알 수 있다. 예를 들어, EUV를 사용하는 NA = 0.25 이고 σ= 0.5 인 장치에서 마스크로부터 64㎜인 곳에 배치된 블레이드의 경우, 웨이퍼레벨에서 반음영의 반경은 0.5㎜ 이므로, 길이 30㎜의 조명필드를 커버하는 데에는 대략 60개의 블레이드가 사용될 것이다. 가령, DUV 방사선을 사용하는 또다른 장치에서는, 이격거리(stand-off distance)가 1/4 이나 1/5이 될 수 있다.
또한 블레이드의 정확한 형상은 본 발명의 중요한 사안이 아니지만, 블레이드가 그들의 최대개방위치에서 식현상(obscuration)을 최소화하도록 가능한 얇게 만들어져야 한다는 것을 알 수 있다. 블레이드의 폭은 흡수되는 방사선의 양에 대한 소정의 제어 가능도를 제공하기 위해서 엑추에이터(12)의 정밀도에 따라 결정되어야 한다.
엑추에이터(12)는 예를 들어, 압전 엑추에이터 또는 기타 다른 적절한 회전 엑추에이터일 수 있다. 기어장치를 거쳐 로드를 구동하는 선형 엑추에이터도 가능하다.
본 발명의 세기조정기(10)는 4가지 기능을 수행할 수 있다.
우선, 세기조정기(10)는 조명시스템에 의하여 제공되는 투영빔의 바람직하지 않은 불균일성을 교정(correct)하는 데 사용될 수 있다. 이 방식에서 사용될 때, 그러한 균일성은 적절한 센서 또는 캘리브레이션 실행(calibration run)에 의하여 측정될 수 있다. 그러면 바람직한 균일성 교정을 성취하기 위한 적절한 블레이드각이 계산되고 엑추에이터(12)는 제어기(13)에 의하여 이것을 달성하도록 제어된다. 그런 다음, 적절한 간격으로 투영빔의 균일성을 재측정하여 언제든지 불균일성의 변동이 검출되면 필요한 대로 블레이드각을 조정한다. 이 기능을 위해서는 블레이드 엑추에이터의 응답속도가 중요한 것이 아니라 블레이드 위치가 엑추에이터를 계속해서 기동하지 않아도 비교적 오랜 기간 유지될 수 있도록 설계되어야 하는 것이 바람직하다.
제2모드에서, 블레이드는 패턴 또는 기계 의존적인 표류광 영향을 교정하는 데 사용될 수 있다. 필연적으로 EUV 방사선용 마스크는 반사형이며 차단되기를 바라는 상대적으로 높은 부분의 방사선이 흡수되지 않고 표류광으로 산란되는 문제를 겪게 된다. 이것은 다량의 표류광이 생기는 마스크패턴의 조밀영역에서 특히 문제이다. 표류광은 조밀패턴영역에서 배경조명의 레벨을 상승시키면서 기판으로 투영될 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 조명교정기(10)는 조밀영역과 같이 표류광으로부터 나쁜 영향을 받게 되는 패턴 영역상의 조명세기를 감소시키는 데 사용될 수 있다. 이 모드에서, 블레이드(11)의 위치는 마스크패턴의 스캐닝과 동기로 제어되 어 교정이 필요한 패턴 영역 위로 조명필드(IFL)가 스캔함에 따라 블레이드가 소정 위치로 조정될 수 있다. 본 발명의 상기 모드는 제1모드와 함께 사용되어 표류광에 대한 교정이 부가된 베이스라인을 형성하는 균일한 조명을 제공하는 데 꼭 필요한 위치에 블레이드가 있을 수 있다는 것을 알 수 있다.
본 발명의 제3모드는 모든 블레이드를 동일한 양만큼 회전시켜 전체 도즈를 제어하는 것이다. 마찬가지로, 제1 및 제2모드에 따른 불균일성 제어 및 패턴 의존 영향에 대한 일부 블레이드의 선택적 회전에 모든 블레이드의 회전을 추가할 수 있다. 블레이드폭이 충분하다면, 투영빔을 완전히 차단하는 즉, 광원을 스위치오프하는 수단을 제공하는 데 사용될 수 있다. 이 모드는 세기교정기가 소정의 세기 조정을 수행하며 광원이 일정한 세기로 작동되게 할 수 있고, 이것은 광원의 수명을 현저히 향상시킨다. 세기조정기가 상기 모드로만 사용되는 경우에는 마스크의 부근보다는 조명시스템의 퓨필평면이나 그것의 켤레평면에 또는 그 가까이에 놓일 수 있다. 조명시스템내 상이한 위치에 여러 개의 세기조정기를 두고 상이한 모드로 작동되게 할 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 제4모드는 마스크의 전반에 대한 임계선폭 편차를 교정하는 수단을 제공하는 것이다. 레티클상의 구조체들은 묘화된 피처(imaged feature)의 소정 치수에 대응하도록 공칭 치수(nominal dimension)로 이미 결정되어 있다. 하지만, 현상된 피처의 치수는 레지스트 한계(resist threshold) 및 총 도즈에도 의존하기 때문에, 공칭 치수로부터 마스크내 국부적 편차는 본 발명에 따른 세기조정기를 사용하여 교정될 수 있다. 상기 모드가 다른 모드에 따른 교정과 연계하여 사용될 수 있음은 물론이다.
상기 모드의 1이상을 실제 작동에 적용하기 위해서, 리소그래피장치에는 적절히 프로그램된 제어기가 제공된다. 상기 제어기에는 상이한 모드를 위해 필요에 따라 적절한 센서에 의하여 제공되는 투영빔내 불균일성에 관한 정보 및/또는 예를 들어, 상이한 영역에서의 라인밀도 및 라인폭과 같은 피처 치수의 공칭값으로부터의 편차 등의 마스크패턴에 관한 정보가 제공된다.
수 개의 교정을 함께 적용하게 될 경우 세기 감소는 블레이드각과 직선을 이루지 않기 때문에, 소정의 총 세기교정이 결정된 다음 필요한 블레이드각이 결정되어야 하는 것은 자명하다.
또한, 블레이드의 밀도 및 교차각(XY 평면에서의 방위)은 동적으로 또는 정적으로 변경될 수 있다.
제2실시예
본 발명의 제2실시예에서는, 하기 서술되는 내용을 제외하고는 일반적으로 본 발명의 제1실시예와 동일한데, 세기교정기에서 블레이드 대신에 와이어를 사용한다.
도 6은 제2실시예에 따른 세기조정기(20)를 도시한다. 상기 세기조정기는 투영빔을 가로질러 연장된 복수의 와이어를 포함하여 그들의 반음영이 조명필드(IFL)를 가로질러 스캐닝(Y)방향과 일반적으로 평행하게 연장된다. 텔레센트릭 에러를 완벽히 피하기 위해서는 와이어의 피치를 조명필드의 폭으로 나눈 것과 대략 동일한 스캐닝방향에 대하여 약간의 각도를 주는 것이 더 바람직하다. 와이어의 양단은 빔 양측의 마운트(22)에 각각 유지되어 있다. 어떤 경우에는 1이 상의 와이어가 한 쌍의 마운트 사이에서 연장될 수도 있다. 제1실시예에서와 마찬가지로, 와이어는 마스크 레벨에서 포커스를 벗어나 있으며 투영빔의 일정 부분을 산란 또는 흡수하여 국부적인 세기 감소를 가져올 것이다.
제2실시예의 세기조정기(20)는 와이어의 위치 및 방위가 임의의 정적 시스템 세기편차를 교정하도록 설정된 정적 모드에서 사용될 수 있다. 와이어가 함께 인접하여 있는 경우에 그들의 반음영은 세기 감소를 증가시키도록 중첩될 것이다.
대안으로, 일측 또는 양측의 마운트(22)에 와이어의 양단의 위치를 이동시키기 위한 엑추에이터가 제공될 수 있다. 이것은 마스크 레벨에서 투영빔의 세기의 동적제어가 가능하게 하고 그러면 세기교정기(20)가 제1실시예의 제1, 제2 및 제4모드를 수행하도록 사용될 수 있다.
또한 본 발명이 예를 들어, 활형 조명필드(arcuate illumination field)와 같은 직사각형이 아닌 조명필드에 적합하게 될 수 있음을 알 수 있다. 또한, 블레이드나 와이어가 슬릿의 길이를 따라 또는 예를 들어, 스캐닝장치가 아닌 경우, 투영빔에 직각인 임의의 방향으로 배치될 수 있다.
제3실시예
본 발명의 제3실시예에서는, 하기 서술되는 내용을 제외하고는 일반적으로 본 발명의 제2실시예와 동일한데, 와이어가 선택적으로 위치될 수 있고 투영빔으로부터 제거될 수 있다. 도 7은 마스크(MA)상에 반암부(33)를 투사하도록 투영빔내에서 각각 개별적으로 또 선택적으로 위치될 수 있는 복수의 와이어(31)를 포함하는 세기교정기(30)를 도시한다. 도 7의 와이어 배열로부터 형성되는 세기분포는 도 8에 도시된다. 그래프에서 와이어가 가장 인접하여 함께 있는 영역에 대응하여 세기의 강하가 있음을 볼 수 있다. 도 9는 와이어가 스캐닝방향(Y)에 대략 직각인 조명필드(IFL)의 폭을 가로질러 연장되어 있는 상태를 도시한 평면도이다. 제1실시예에서와 마찬가지로 와이어(31)가 스캐닝방향(Y)에 대하여 약간의 각도를 가지는 것이 바람직할 수 있음을 밝혀둔다.
와이어(31)를 위치설정하는 메커니즘은 도 10에서 평면도 및 측면도로 도시된다. 와이어의 반 쪽에 대한 메커니즘만이 도시되었는데, 대응하는 메커니즘이 조명필드(IFL)의 타측에도 위치될 것이다. 상기 메커니즘에서 각각의 와이어(31)는 조명필드(IFL)와 평행하게 연장된 일반적으로 U자형 프레임(32)의 끝을 가로질러 연결된다. 각 프레임(32)의 기저부로부터 연장된 탭(33)은 각 와이어가 빔내에서 개별적으로 위치될 수 있도록 엑추에이터(도시되지 않음)에 연결된다. 각 엑추에이터의 이동범위는 필요하다면 모든 와이어(31)가 그들의 반암부가 조명필드(IFL) 위에 떨어지지 않는 위치로 제거될 수 있도록 되어야 한다.
도 11은 와이어(31)를 위치설정하는 변형된 메커니즘을 도시한다. 마찬가지로, 와이어(31)는 일반적으로 U자형 프레임(35)의 양단간에 연결되지만, 프레임(35)이 투영빔의 외측에 위치된 피봇(36)에 연결되는 경우에는 그들이 화살표로 나타낸 바대로 투영빔안으로 선회할 수 있다. 프레임(35)은 투영빔의 외측에 계속 있으면서 서로 하나씩 포개어질 수 있도록 하는 크기로 할 수 있다.
도 12는 와이어(37)가 자체 지지식 캔틸레버(self-supporting cantilever)를 형성하도록 보다 견고하게 되어 있고 투영빔의 일측으로 피봇(38) 위에 장착되어 있는, 제3실시예의 또다른 변형이다.
제4실시예
본 발명의 제4실시예에서는 하기 서술되는 내용을 제외하면 일반적으로 제1실시예와 동일한데, 세기조정기가 스캐닝방향(Y)과 평행하게 서로 인접하여 배열된 복수의 핀붙이부재(finned member)(41)를 포함한다. 도 13에 도시된 바와 같이, 각각의 핀붙이부재(41)는 힌지부(43)를 거쳐 핀붙이부(44)에 결합되는 마운팅부(42)를 포함한다. 핀붙이부(44)는 투영빔의 진행방향(Z)에 대하여 소정각도로 배치된 복수(본 예시에서는 3개)의 핀(45)을 가진다. 도 14에 도시된 바와 같이, 핀붙이부재(41)가 휴지위치에 있을 때, 핀(45)의 간격과 각도는 투영빔(PB)을 완전히 차단하게 된다. 하지만, 핀부재(41)가 엑추에이터(도시되지 않음)에 의하여 그것의 힌지(43)를 중심으로 꺾어지면, 핀(45)은 빔을 최소한으로 가로막는 위치로 회전될 수 있다. 따라서 핀붙이부재는 투과율을 0%와 거의 100% 사이에서 제어되게 할 수 있다. 보이스 코일(voice coil)이나 압전 엑추에이터와 같은 적절한 엑추에이터가 이들 두 한계값 사이에서 임의의 소정 제어도를 가능하게 할 수 있다. 핀지지대(46) 및 핀(45)은 최대개방위치에서 세기손실을 최소화하도록 가능한 얇게 만들어진다. 대부분의 또는 모든 핀지지대(46)를 분산시킬 수 있는 하나의 큰 핀을 가지는 것도 가능하다.
핀붙이부재(41)는 예컨대, 불꽃침식(spark erosion)에 의하여 재료의 고체블럭으로부터 쉽게 만들어질 수 있다. 선형 작동은 회전 운동으로 전환되고 예를 들어, 스캔하는 동안 그레이스케일 조정(gray scale adjustment)을 가능하게 하는, 고속 작동이 가능한 짧은 이동만을 요구한다. 평행배치(parallel arrangement)는 엑추에이터의 케이블작업 및 장착을 간단히 할 수 있는 레이아웃을 창출한다.
제5실시예
본 발명의 제5실시예에서는 조명필드(IFL)의 중앙부에 스캐닝방향(Y)으로, 조정가능한 블라인드부재를 위치시킴으로써 텔레센트릭에 대한 영향이 최소화된다. 이것은 도 16 및 도 17에 도시되며, 만곡 조명필드(IFL)의 중심선을 따라 위치된 세기조정기(50)를 구성하는 복수의 블라인드부재(51)를 나타낸다. 도 17에서 도면의 중앙과 좌측의 일부 블라인드부재(51)는 스캐닝방향으로 그들의 유효폭을 증가시켜 방사선의 양을 차단하도록 경사져 있다.
도 18은 조명필드(IFL)의 측면으로부터 연장된 지지빔(52)을 가진 2개의 블라인드부재(51)를 도시한다. 상기 빔(52)은 소정 각도로 연장되어 Y 방향으로 집적되는 도즈가 모든 X 위치에 대하여 일정하다. 도 19는 빔(53)이 지그재그로 있는 대안적인 지지 구성을 도시한다. 그리고 도 20은 블라인드(51)가 어떻게 부분 폐쇄위치(윗 그림)와 완전 개방위치(아래 그림)의 사이에서 기울어지는 지를 도시한다.
Y 방향에서 조명필드의 세기 프로파일이 불균일한 경우, 그것을 보상하도록 빔(52, 53)의 폭이 그들의 길이방향을 따라 변경될 수 있음을 주목한다.
제6실시예
도 21 내지 도 25에 도시된 제6실시예는 슬릿의 중심을 따라 블라인드부재를 위치시킨 점에서 제5실시예와 유사하지만 블라인드의 형태 및 그들의 지지구조가 다르다.
제6실시예에서, 블라인드부재(61)는 조명필드(IFL)의 중심선을 따라 나아가는 만곡 리브(62)에 의하여 지지된다. 블라인드부재(61)는, 리브(62)부근 절취부에 의하여 형성되고 투영빔의 한 쪽에서 엑추에이터(도시되지 않음)로 연장되는 와이어(64)에 부착되는 힌지(63)를 가진다. 따라서 블라인드부재는 도 22에 도시된 바와 같이 차단되는 방사선의 양을 증가시키도록 투영빔 안으로 기울어진다. 와이어(64)에 의한 흡수로 인하여 도입되는 잠재적인 균일성 에러를 최소화하기 위해서, 와이어는 투영빔을 가로질러 대각으로 연장되고 가능한 얇은 것으로 배치된다. 와이어(64)가 연결된 탭(65)이 균일성 에러를 야기할 수도 있고 이것을 보상하기 위해서 더미(dummy)탭(66)이 도 23에 도시된 바와 같이 블라인드(61)의 폭을 가로질러 제공될 수 있다. 도 24는 플렌지(67)가 블라인드(61)의 전체 폭을 가로질러 연장되는, 와이어(64)의 연결을 위한 대안적인 구성을 도시한다. 이것도 블라인드(61)에 의하여 그레이징 입사(grazing incidence)시 바람직하지 않게 반사될 수 있는 방사선을 차단하는 역할을 한다.
블라인드(61)가 보통 투영빔과 평행하게 배열되므로, 블라인드가 투영빔 안으로 기울어졌을 때 방사선은 그레이징 입사시 블라인드(61)상에 입사될 것이다. 따라서 블라인드(61)상에 입사하는 방사선은 흡수되기 보다는 반사될 수 있다. 이에 따라, 방사선이 투영렌즈의 퓨필 밖으로 반사될 만큼 블라인드에 대하여 충분히 큰 각도라면 방사선이 반사만 되도록 리브(61)의 끝에 리브나 폴드(68)가 제공된다. 블라인드의 전체 폭을 가로질러 작은 리브 또는 리지부(ridge)가 제공될 수 있는데, 리브들이 서로 더 근접하여 위치될수록 필요한 높이는 줄어든다.
제7실시예
제7실시예(도시되지 않음)에서는 세기조정기의 부재들이 스캐닝방향에 직각인 조명필드의 측면을 따라 배열된 복수의 부재를 포함한다. 상기 부재는 스캐닝방향에 수직인 축선을 중심으로 회전이 가능하도록 각각의 암(arm) 위에 장착되어 그들이 투영빔안으로 돌출되는 크기를 변경한다. 이것은 종래기술에 알려진 슬라이딩 운동보다는 메커니즘이 더 간단하고 미립자 오염원일 수 있는 슬라이딩하는 금속 대 금속 접촉이 줄어든다는 장점이 있다.
이상 본 발명의 특정 실시예를 서술하였지만 본 발명이 서술된 내용과 다르게도 실시될 수 있음은 자명하다. 본 서술내용은 본 발명을 제한하지 않는다.
본 발명에 따르면 조명 도즈를 국부적으로 제어함으로써 균일한 조명필드를 생성할 수 있다.
Claims (21)
- - 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템,- 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체,- 기판을 잡아주는 기판테이블,- 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템, 및- 적어도 스캐닝방향으로 상기 투영시스템에 대하여 상기 기판을 이동시키는 위치설정수단을 포함하는 리소그래피 투영장치에 있어서,사용시 상기 패터닝수단상의 조명필드 위에 반암부를 투사하는 복수의 부재를 포함하고 상기 방사선시스템내에 배치된 세기조정기를 포함하며, 상기 반암부는 상기 조명필드의 중심선을 두고 상기 스캐닝방향으로 실질적 대칭이고,상기 부재는 그들의 유효폭을 변경하기 위해서 투영빔에 수직한 축선을 중심으로 개별적으로 회전이 가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 복수의 부재는 복수의 블레이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 복수의 부재는 복수의 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제6항에 있어서,상기 와이어의 하나하나를 선택적으로 위치설정하여 그들의 반암부가 상기 조명필드내의 선택된 위치에 떨어지게 하는 수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제7항에 있어서,상기 선택적으로 위치설정하는 수단은 또한 상기 와이어의 하나하나를 투영빔의 외측에 위치시킬 수 있게 되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제7항에 있어서,상기 선택적으로 위치설정하는 수단은 상기 와이어의 각각을 유지하는 U자형 프레임을 포함하며, 상기 U자형 프레임은 상기 와이어를 위치시키도록 병진 또는 회전이 가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제7항에 있어서,상기 와이어는 피봇으로부터 연장되는 캔틸레버로서 상기 와이어가 위치설정되도록 상기 피봇을 중심으로 회전이 가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항에 있어서,상기 부재의 각각은 상기 스캐닝방향과 실질적으로 평행하게 연장되는 지지물 및 상기 지지물로부터 지지되는 적어도 하나의 핀(fin)을 포함하며, 상기 지지물은 상기 핀이 상기 투영빔의 진행방향과 실질적으로 평행하게 되는 제1위치 및 상기 핀이 상기 투영빔에 대하여 예각으로 있는 제2위치로부터 상기 스캐닝방향에 수직인 축선을 중심으로 피봇이 가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항에 있어서,상기 부재의 각각은 상기 조명필드의 중심부에 상기 반암부를 투사하도록 놓인, 상기 투영빔내에서 그것의 유효면적을 변경하도록 회전이 가능한 블라인드부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제12항에 있어서,상기 블라인드부재는 상기 투영빔의 외측으로부터 연장되는 수단에 의하여 지지되고, 상기 빔들은 상기 스캐닝방향과 평행하지 않는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제13항에 있어서,상기 블라인드부재는 일반적으로 상기 조명필드의 중심선을 따라 연장되는 빔위에 힌지로 장착되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 제1항 또는 제4항에 있어서,상기 세기조정기는 상기 방사선시스템내에서 퓨필평면보다는 이미지평면 또는 상기 이미지평면에 켤레인 평면에 더 가깝게 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- - 부분적으로 또는 전체적으로 방사선감응재 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;- 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및- 상기 방사선감응재층의 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,상기 패터닝수단상의 조명필드 위에 반암부를 투사하는 복수의 부재를 포함하는 세기조정기를 상기 패터닝수단의 상류측 상기 투영빔내에 배치하는 단계를 포함하고, 상기 반암부는 상기 조명슬릿의 중심선을 두고 상기 스캐닝방향으로 실질적 대칭이며,상기 부재는 그들의 유효폭을 변경하기 위해서 투영빔에 수직한 축선을 중심으로 개별적으로 회전이 가능한 것을 특징으로 하는 방법.
- 제16항에 있어서,상기 반암부를 조작하도록 상기 부재의 하나하나를 선택적으로 조정하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서,상기 투영빔의 세기에서 임의의 불균일성을 검출하는 단계를 더욱 포함하며, 상기 선택적으로 조정하는 단계는 상기 불균일성을 감소시키도록 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항 또는 제18항에 있어서,상기 패터닝수단을 사용하는 단계는 상기 투영빔을 가로질러 패턴을 스캐닝하는 단계를 포함하고, 상기 선택적으로 조정하는 단계는 상기 패턴의 미리 설정된 영역에서 상기 투영빔의 세기를 감소시키도록 스캐닝하는 동안에 상기 부재의 하나하나를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항 또는 제18항에 있어서,상기 패터닝수단을 사용하는 단계는 상기 투영빔을 가로질러 패턴을 스캐닝하는 단계를 포함하고 공칭값으로부터 상기 패턴내 피처의 치수의 편차를 판정하는 단계를 더욱 포함하며, 상기 조정하는 단계는 상기 피처의 치수의 상기 편차를 보상하도록 상기 패턴의 스캐닝과 동기로 상기 부재의 하나하나를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP01307613 | 2001-09-07 | ||
| EP01307613.8 | 2001-09-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030022077A KR20030022077A (ko) | 2003-03-15 |
| KR100551209B1 true KR100551209B1 (ko) | 2006-02-14 |
Family
ID=8182249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020053882A KR100551209B1 (ko) | 2001-09-07 | 2002-09-06 | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6741329B2 (ko) |
| JP (1) | JP3836418B2 (ko) |
| KR (1) | KR100551209B1 (ko) |
| DE (1) | DE60225216T2 (ko) |
| TW (1) | TWI251721B (ko) |
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- 2002-09-06 KR KR1020020053882A patent/KR100551209B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-09-06 DE DE60225216T patent/DE60225216T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-06 US US10/235,854 patent/US6741329B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-06 JP JP2002301097A patent/JP3836418B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-09 TW TW091120440A patent/TWI251721B/zh not_active IP Right Cessation
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| KR20030022077A (ko) | 2003-03-15 |
| DE60225216D1 (de) | 2008-04-10 |
| JP2003178969A (ja) | 2003-06-27 |
| DE60225216T2 (de) | 2009-03-05 |
| US20030063266A1 (en) | 2003-04-03 |
| US6741329B2 (en) | 2004-05-25 |
| JP3836418B2 (ja) | 2006-10-25 |
| TWI251721B (en) | 2006-03-21 |
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