JP4759119B2 - スキャン露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
スキャン露光装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4759119B2 JP4759119B2 JP2000239425A JP2000239425A JP4759119B2 JP 4759119 B2 JP4759119 B2 JP 4759119B2 JP 2000239425 A JP2000239425 A JP 2000239425A JP 2000239425 A JP2000239425 A JP 2000239425A JP 4759119 B2 JP4759119 B2 JP 4759119B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- exposure apparatus
- mark
- accumulation
- storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パルス光を露光光として使用するスキャン露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高密度のメモリやハイスペックＣＰＵを製造する半導体製造装置（露光装置等）では、要求される露光解像力が０．２０［μｍ］以下となっている。そのため、より微細なパターンを転写するために、露光光源として、ＫｒＦレーザ（２４８［ｎｍ］）、ＡｒＦレーザ（１９３［ｎｍ］）、さらにはＦ２レーザ（１５７［ｎｍ］）が使用されている。一方、半導体製造装置の位置合わせ方法の一環として、原版であるレチクルの位置あるいはレチクルをセットするレチクルステージ（原版ステージ）の位置と、ウエハステージ（基板ステージ）の位置関係を精密に計測する必要が有る。その測定方法として最も有利なのが、レチクルとステージを同時に測定するＴＴＲ計測である。ＴＴＲ計測は、レチクルとステージの間に存在する投影レンズを介して計測を行う。ＴＴＲ計測で使用する照明光源は、露光光が最も適している。理由は、投影レンズの収差が（色収差等）露光光に合わせられており、その結果レチクルとステージを同時に計測することができる。
【０００３】
ところで、現在高エネルギーで、かつ短い波長の光を発光することができる照明装置は、エキシマレーザ等が主流である。これらのレーザは、パルス発光のレーザ（パルス発光装置）である。
【０００４】
パルス化されたレーザの画像取り込み装置として、特開平３−２２６１８７号および特開平５−１９０４２１号公報で示されているような下記の概４つの方法を用いて照度むらの少ない画像を作成していた。
（１）照明装置内で揺動手段によりレーザの照度むらを押さえる。
（２）画像取り込み装置に入力する映像同期信号にレーザを同期させ、光蓄積中のパルス数が同数になるようにレーザを制御する。
（３）照度むらを軽減させるために、取り込んだ電気信号を積算する。
（４）揺動手段の周期を画像取り込みの周期に同期させる。
【０００５】
図１１は、従来例に係る受光装置の概略構成図である。パルス発光装置であるパルスレーザ（Laser ）１４の光をウェッジ等の揺動手段７で平均化（均一化）し、ミラー４，５およびハーフミラー６の後、投影レンズ２を通して基板ステージ上のマーク３を照明し、マーク３からの反射光を投影レンズ２を通してミラー５およびハーフミラー６を通過した後、蓄積型ポジションセンサであるＣＣＤカメラ（cam ）８で撮像する。ＣＣＤカメラ８の同期信号は、同期信号発生器（Sync）１５より発行している。同時に、同期信号は揺動手段７、レーザ（Laser ）１４にも送られ、ＣＣＤカメラ８と揺動手段７、レーザ１４は同期している。
【０００６】
図１１において、１はレチクル、９は駆動手段（motor ）、１０は干渉計（inter ）、１１はステージ制御装置（SF）、１２は露光制御装置（com ）をそれぞれ示す。さらに、１３は揺動制御装置（IS Cont）、１６はＡＤ変換器（AD）、１８は画像処理装置（proc）をそれぞれ示す。
【０００７】
ＣＣＤカメラ８は、ＮＴＳＣ方式のため、ｅｖｅｎ／ｏｄｄのタイミングに分けて光を蓄積し、図１２に示されるように、揺動周期をｅｖｅｎ／ｏｄｄフィールドの整数倍の周期になるように合わせている。ここで、図１２は、従来例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【０００８】
従来例では、蓄積した画像データは、図１１の加算器（sum ）１７にて加算され、図１２の場合、３フレームないし６フレームの画像を合成して計測用画像を作製している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
スキャン露光が行われるようになってからは、揺動手段は、スキャンスピードに同期する必要が出てきた。すなわち、スキャン露光は、スリットがあたかもウエハ（基板）上をスキャンしているようにパルスレーザの光をウエハ上のレジストに照射する。スキャン領域内では、照度斑のない露光を行うには、ウエハ上のある点がスリット幅を移動する間に揺動手段の１周期分、あるいはｎ周期（ｎ：自然数）のパルス光を露光させなければならない。そのため、スキャンスピードが速くなると揺動手段の揺動周波数を大きくする必要が有る。一方、スキャンスピードは、ウエハ上のレジストを露光するエネルギーに反比例する。露光量を多くするには、多くのレーザパルス数が必要となる。レーザの発振周波数は固定で（通常最大で）あるので、スキャンスピードを遅くすることで制御される。このように、揺動手段はスキャンスピード（露光量）によって、変化しなければならない。
【００１０】
一方、ＮＴＳＣ方式のＣＣＤカメラでパルス光を蓄積する場合、露光時間が１／６０秒と限定されてしまう。蓄積時間が限定された場合、ＮＴＳＣ方式特有のｅｖｅｎ／ｏｄｄに時分割されたインターレース方式の撮像で常に照度の斑がなく、ｅｖｅｎ／ｏｄｄ差が発生しない様にするためには、１／６０秒の整数倍に揺動を合わせなければならない。
【００１１】
スキャンスピードによって最適な揺動周波数が有るのに、計測のために揺動周波数を合わせるのは、揺動手段の制御が計測の度に発生することである。通常、高速で動いている物を、短時間で動作速度を変更するには、数秒程度の制御時間が必要である。この時間を、数ミリ秒にまで短縮するには、性能の高い制御手段を用いなければならない。そのために、計測専用の揺動手段を持つ構成もある。しかし、この構成の問題は、照明装置が大型化し、光学部材が２倍必要となる点である。しかも、光の一部を計測専用光学系に導かなければならず、最悪パターン露光用の照度が低下することが有る。よって、専用光学系を作らず、スキャン露光系の照明系の一部を利用するのが最も適した構成である。
【００１２】
ＴＴＲ計測は、ステージ位置とレチクル位置のキャリブレーション、投影レンズのキャリブレーション等に使用されるので、ウエハ交換時間等に行われる。しかし、近年の露光装置はウエハ交換時間を最短にしスループット（単位時間当りのウエハ処理能力）を上げている。ウエハ交換時に行われる計測のために、揺動手段が安定化するまでの時間は装置の無駄な時間を使うことになる。
【００１３】
従来の方式では、計測のための画像取り込みのために揺動手段を制御しなければならず、それが装置のスループットに影響を与えてしまう問題があった。
【００１４】
画像取り込み装置において、ＮＴＳＣ方式の様なｅｖｅｎ／ｏｄｄフィールドに別れた光蓄積を行うタイプのカメラを使用すると、１６．６［ｍｓｅｃ］毎に切り替わるｅｖｅｎ／ｏｄｄ間に明るさの差（照度差）が発生してしまう。照度差が発生する原因としては、下記の項目が挙げられる。
（１）１６．６［ｍｓｅｃ］期間のレーザエネルギーのばらつき。特に、第１パルス目のレーザエネルギーの量は高めで、過渡的に安定していく。
（２）揺動手段のむら。
【００１５】
照度差の発生による悪影響は、取り込んだ画像の計測の精度が悪くなる点である。例えば、取り込まれた信号のコントラストより、デフォーカス量の定量化を行う計測では、光量は一定でなければ、正確に測定できない。コントラスト値が明るさで振られてしまうからである。
【００１６】
そこで、計測精度を向上させるために照度差を軽減させる必要が有る。その方法として、取り込んだ電気信号を積算する時間（回数）を多くする方法や、最初にカメラが取り込んだ画像を捨てる、といった従来の方法がある。しかし、これらの対策は画像取り込みの時間が長くなってしまうといった問題がでる。
【００１７】
もう一つ対策として、ｅｖｅｎ／ｏｄｄフィールド毎に取り込み開始と揺動手段の原点を同期させる方法が有る。この方法は、画像取り込みの時間が長くなるだけでなく、揺動手段の制御と取り込みの制御が複雑になる欠点が有る。
【００１８】
ｅｖｅｎ／ｏｄｄ時系列に取り込む方式の別の問題は、全ての画素が同じ時間に蓄積されていないと言う点である。レチクルステージと、ウエハステージは同期制御されているが、最初の１／６０［ｓｅｃ］と後の１／６０［ｓｅｃ］の位置が異なると、平均化された光蓄積がされるのではなく、ステップ状に変化した画像となってしまう。
【００１９】
以上をまとめると、従来の技術の問題点は下記の通りとなる。
＜１＞揺動手段を画像取り込みの時間の周期に短時間に合わせることができない。長時間かけて合わせた場合、スループットに影響する。
＜２＞ＮＴＳＣ方式で画像を取り込む場合、ｅｖｅｎ／ｏｄｄ間の照明光量の斑が発生し、計測精度に影響する。
＜３＞ＮＴＳＣ方式で画像を取り込む場合、ｅｖｅｎ／ｏｄｄ時分割の画像の同時性がないため、微少な位置変化が発生した場合、積分された信号とならない。
【００２０】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、スキャン露光装置のスループットを向上させることを課題とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題解決のため試行錯誤して検討した結果、以下の手段によって解決されることを見いだし、本発明を完成せしめた。
【００２２】
すなわち、上記課題を解決するために、本発明のスキャン露光装置は、レチクルステージと、基板ステージと、パルス光を発する光源と、スキャンスピードにより決まる周期で該パルス光を揺動する揺動手段と、該揺動されたパルス光で該レチクルのパターンを該基板に投影する投影光学系と、該揺動されたパルス光で前記レチクルステージ上のマークおよび前記基板ステージ上のマークのうち少なくとも一方のマークを照明する照明手段と、該少なくとも一方のマークを介し、該揺動されたパルス光を受ける蓄積型センサと、を有し、レチクルを介して基板を露光するスキャン露光装置であって、前記揺動手段の周期と前記蓄積型センサの蓄積中に必要な該パルス光の数とに基づき、前記光源の発光周波数と前記蓄積型センサの蓄積時間とを決定する、ことを特徴とする。
【００４５】
【作用】
本発明によれば、スキャン露光装置のスループットを向上させることができる。
【００５１】
【実施例】
次に、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
＜実施例１＞
図１は、本発明の特徴を最も良く表す一実施例に係る受光装置およびマーク検出装置の概略構成図であり、ＴＴＲ方式でレチクルステージ（原版ステージ）上のマークとウエハステージ（基板ステージ）上のマークを観察し、両マークの両方またはどちらか一方を計測する場合を示す。なお、図１において、図６と同様の符号は、図６と同一の構成要素を示す。
【００５２】
計測される値としては、マークの明るさ、マークのコントラスト（デフォーカス量）、マークの位置である。本発明においては、明るさ、コントラスト、マーク位置の測定方法の詳細は重要ではない。より高精度のマーク明るさ、コントラスト、マーク位置の計測を目的としたパルス光の照明方法と蓄積型（ポジション）センサでの光蓄積方法が主題である。よって、上記のマーク計測法の説明は省略する。
【００５３】
エキシマレーザ等のパルスレーザ（Laser）１４は、ＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ２等が封入されたガスレーザであり、パルス化されたレーザ光を発生する光源（パルス発光装置）である。ここで発生されたパルス光は、揺動手段７に入射する。揺動手段７は、入射したビームを出力において円周状に揺動させるための光学系であり、例えばウェッジをモータによって回転することにより実現される。揺動手段７によって揺動されたビームは、（ミラー４で反射され）ハーフミラー６を通過し、ミラー５で反射されてレチクルステージ上のレチクル側マーク１（位置合わせマーク若しくはコントラスト測定マーク）に達する。さらに、光（揺動手段７によって揺動されたビーム）は投影レンズ２を通り、ウエハステージ上の基準マーク３（位置合わせマーク若しくはコントラスト測定マーク）を照明する。この照明手段は、レチクルステージ上のマークと投影光学系とを介して基板ステージ上のマークを照明することを特徴とする。
【００５４】
エキシマレーザの出射パルス光は、一般的に水銀ランプの様な連続光に比べてビーム内照度むらが大きいため、ビームを固定したままで露光したのでは、複数パルスを要して露光してもウエハ上の照度むらを許容範囲以内に抑えることはできない。そのため、本実施例では、揺動手段７によってビームを円周状に揺動しながら、エキシマレーザ１４を発光させている。
【００５５】
一方、図１において、基準マーク３で反射されたビームは投影レンズ２、レチクルマーク１を通り、ミラー５で反射され、ハーフミラー６を通過して蓄積型ポジションセンサであるＣＣＤカメラ（cam ）８の撮像面に入射する。このため、ＣＣＤカメラ８では、ステージ基準マーク３およびレチクルマーク１を同時に観察することができ、この画像を処理することによりウエハステージおよびレチクルステージの相対位置（マーク位置）若しくは各マークの明るさ（マーク光量）やコントラスト（マークコントラスト）を知ることができる。
【００５６】
揺動手段７の回転数、即ち周期は、露光時のスキャンスピードによって決まっている。蓄積中に必要なパルス数は、計測精度に影響しない十分なパルス数が予め決められている。
【００５７】
上記２つのパラメータ、すなわち揺動手段の回転数（Ｒ）、蓄積中に必要なパルス数（Ｐ）から（蓄積型ポジションセンサの）蓄積時間（ＣＴ）とレーザ（パルス）発光周波数（ＬＦ）が次式によって決定する。
【００５８】
【数１】
【００５９】
レーザのパルス周波数は、揺動手段７の回転数とＣＣＤカメラ８に蓄積させるパルス数によって求められ、制御装置（com ）１２によって、制御される。ＣＣＤカメラ８の蓄積時間は、揺動手段７の回転数とＣＣＤカメラ８に蓄積されるパルス数によって求められ、制御装置１２より画像処理装置の制御部（proc）１８に伝えられ、カメラ同期制御装置（Sync）１５にセットされる。
【００６０】
画像の取り込みと、取り込み画像からのレチクルマーク、ステージマークの計測は、以下のフロー（Ｓ１〜Ｓ８）で行われる。揺動手段７の回転数は、予め制御装置１２よりコントローラ（IS Cont）１３に司令され、安定した回転が行われているとする。
・Ｓ１：レチクル、ウエハステージが所定の位置に到達する。
・Ｓ２：揺動手段７の周波数に合わせた蓄積時間ＣＴをcom →proc→Syncのルートで設定する。
・Ｓ３：レーザ周波数（ＬＦ）をcom →Laser で司令される。同時に、外部からレーザ制御された際に発光すべきパルス数（Ｐ）をcom →Laser に司令する（ダミーパルス発光ステップ）。
・Ｓ４：計測コマンドをcom →procに司令する。
・Ｓ５：レーザ発振信号、ＣＣＤカメラ蓄積信号がカメラ同期制御装置（Sync）から発生される（計測パルス発光ステップ）。
・Ｓ６：レーザ発光（求められた周波数（ＬＦ）で発光）と、取り込み（蓄積型ポジションセンサで蓄積を開始）を行う。
・Ｓ７：取り込まれた画像はビデオ信号として出力され、ＡＤコンバータ（AD）でアナログ信号（電気信号）からデジタル信号に変換される。
・Ｓ８：デジタルデータを画像処理装置（proc）で処理し、レチクルマーク、ステージマークの位置計測が行われる。
【００６１】
上記フローのＳ５およびＳ６に関して、図２を用いて説明する。ここで、図２は、本実施例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【００６２】
揺動手段の１回転を１周期としたレーザ発光（Laser）と、ＣＣＤ蓄積（Charge）を実施した例を示す。使用するカメラは、全画素取り込みカメラ（蓄積時間をコントロールできるノンインターレース型ＣＣＤカメラ）とした。
【００６３】
レーザの発光周波数は、揺動手段の回転数（周波数）と必要なパルス数（Ｐ）で決まっている。映像信号は、蓄積が終了してから、通常のＣＣＤカメラの使い方にしたがって出力される。
【００６４】
式３によって、揺動手段の１周期に必要なパルス数を発光するためのレーザ発光周波数と蓄積時間は決定されている。図２では、Fireで示されている（レーザ発光パルス）周波数でレーザを必要回数発光すると、ちょうど揺動１周期分である。レーザヘの発光制御信号（Laser）とＣＣＤカメラの蓄積制御信号（Charge）は同一タイミングに行う。
【００６５】
揺動手段とレーザ発光およびＣＣＤ取り込みの原点を同期させる必要はないため、図２のように、非同期にレーザ発振を開始して構わない。
【００６６】
また、レーザ発光開始に若干の遅れが存在することがわかっていれば、その時間を予め見込んでＣＣＤの取り込み終了を左記遅れ分をマージンとして広げておく（パルス発光終了より蓄積時間を遅く終了する）ことが可能である（蓄積型ポジションセンサの蓄積時間はパルス発光開始より早く開始することも可能）。
【００６７】
蓄積時間が多少長くなっても、その期間不要な光が入ってくることはないので計測に影響はない。
【００６８】
図２では、１周期で示したが、揺動周波数が高い場合、レーザの発光最大周波数の能力によっては、揺動手段の１周期内で発光させるパルス数が不足する場合が有る。その場合は、２周期分（２回転）の蓄積とし、２周期の間パルスを打つ。
【００６９】
もちろん必要なパルス数がさらに多く必要な場合は、３，４，５周期と増えることが有る。
【００７０】
図３に揺動手段の２周期分の蓄積を示した例を示す。式１〜４（数１）を用いて、必要な揺動周期数も決定することができる。
【００７１】
本実施例では、ＣＣＤカメラを例にして説明した。しかし、光を蓄積することのできるセンサであれば、２次元カメラだけでなく、アレイセンサ、１次元ＣＣＤ、フォトセンサ等の多くの種類のセンサに応用することができる。
【００７２】
さらに、半導体製造装置（露光装置等）だけでなく、同様の照明機構、光蓄積センサを用いた装置、例えば検査装置でも応用することができる。
【００７３】
＜実施例２＞
実施例１では、ノンインターレースのカメラで取り込みの様子を説明した。実施例２では、図４を用いてインターレースカメラの様なｅｖｅｎ／ｏｄｄとして時分割に撮像領域を分けて光蓄積を行う（ｅｖｅｎ／ｏｄｄの蓄積時間をコントロールできる）インターレース型ＣＣＤカメラの場合の取り込み方法を示す。
【００７４】
蓄積時間は、ｅｖｅｎ／ｏｄｄの蓄積時間で考えると、実施例１で説明したものと同様に考えることができる。揺動周波数とｅｖｅｎ／ｏｄｄ、それぞれのフィールドに蓄積させたいパルス数を用いてレーザ発光周波数、蓄積時間を計算し、取り込みを開始する（蓄積時間をコントロールすることができる）。
【００７５】
この場合、ｅｖｅｎ／ｏｄｄの蓄積時間は、ＮＴＳＣ方式のような１／６０［ｓｅｃ］固定では使用しない。また、蓄積時間は可変とする。
【００７６】
映像信号は、ｅｖｅｎの蓄積後ｅｖｅｎフィールドの画像、ｏｄｄの蓄積後ｏｄｄフィールドの画像がそれぞれ出力される。ただし、撮像された対象物の位置は同一時刻に記憶されたものでないので、マーク位置計測を目的とした場合、計測において若干精度が劣る。その場合、搭載されている干渉計（inter ）のｅｖｅｎ／ｏｄｄ蓄積時間内の変位を蓄積と同時に測定し、利用することでキャンセルできる。
【００７７】
＜実施例３＞
本実施例においては、パルスレーザ発光開始直後の過渡的なエネルギー変化をキャンセルする取り込み方法を示す。過渡的な変化が発生しそうな初期数パルスの光を蓄積しない様に、レーザ（パルス光）の制御と蓄積の制御をコントロールする。
【００７８】
実施例１では、レーザ発光制御信号と、ＣＣＤ蓄積制御信号は同じ物（実施例１におけるＳ５）を使用している。レーザ発光開始時の光を蓄積しないために、図５に示されるように、レーザ制御信号と、ＣＣＤ蓄積制御信号を独立に制御する。最初にレーザを数パルス発光し、レーザエネルギーが安定するのを待つ。安定したところで、ＣＣＤ蓄積を開始し、必要なパルスのレーザ発光を行う。このようにすると、常に同一のエネルギーの光だけを蓄積することが可能となるため、極めて安定した計測が可能となる。
【００７９】
＜半導体生産システムの実施例＞
次に、上記説明した露光装置を利用した半導体等のデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは、半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若しくはソフトウェア提供等の保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワーク等を利用して行うものである。
【００８０】
図６は、全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００８１】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００８２】
さて、図７は、本実施形態の全体システムを図６とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお、図７では、製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット等を構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０等、ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインターネット若しくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００８３】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、若しくはネットワークファイルサーバ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図８に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェースは、さらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０，４１１，４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【００８４】
次に、上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図９は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
【００８５】
図１０は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００８６】
【発明の効果】
本発明によれば、スキャン露光装置のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る受光装置およびマーク検出装置の概略構成図である。
【図２】 本発明の一実施例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である（１周期分（揺動手段１回転）の蓄積）。
【図３】 本発明の一実施例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である（２周期分（揺動手段２回転）の蓄積）。
【図４】 本発明の一実施例に係るｅｖｅｎ／ｏｄｄに時分割に撮像領域を分けて光蓄積を行う場合の揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【図５】 本発明の一実施例に係るレーザ発光開始時の光を蓄積しない場合の揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【図６】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図７】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図８】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェースの具体例を示す図である。
【図９】 本発明の一実施例に係る露光装置によるデバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図１０】 本発明の一実施例に係る露光装置によるウエハプロセスを説明する図である。
【図１１】 従来例に係る受光装置の概略構成図である。
【図１２】 従来例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【記号の説明】
１：レチクル（レチクル基準プレート）、２：投影レンズ、３：ステージ基準プレート、４，５：ミラー、６：ハーフミラー、７：揺動手段、９：ＣＣＤカメラ（cam ）、９：駆動手段（motor）、１０：干渉計（inter）、１１：ステージ制御装置（SF）、１２：露光制御装置（com ）、１３：揺動制御装置（IS Cont）、１４：エキシマレーザ（パルスレーザ：Laser ）、１５：同期信号発生器（Sync）、１６：ＡＤ変換器（AD）、１７：加算器（sum ）、１８：画像処理装置（proc）、１０１：ベンダの事業所、１０２，１０３，１０４：製造工場、１０５：インターネット、１０６：製造装置、１０７：工場のホスト管理システム、１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１１０：操作端末コンピュータ、１１１：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部ネットワーク、２０１：製造装置ユーザの製造工場、２０２：露光装置、２０３：レジスト処理装置、２０４：成膜処理装置、２０５：工場のホスト管理システム、２０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２１０：露光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、２２０：レジスト処理装置メーカ、２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、４０１：製造装置の機種、４０２：シリアルナンバー、４０３：トラブルの件名、４０４：発生日、４０５：緊急度、４０６：症状、４０７：対処法、４０８：経過、４１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能。
【発明の属する技術分野】
本発明は、パルス光を露光光として使用するスキャン露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高密度のメモリやハイスペックＣＰＵを製造する半導体製造装置（露光装置等）では、要求される露光解像力が０．２０［μｍ］以下となっている。そのため、より微細なパターンを転写するために、露光光源として、ＫｒＦレーザ（２４８［ｎｍ］）、ＡｒＦレーザ（１９３［ｎｍ］）、さらにはＦ２レーザ（１５７［ｎｍ］）が使用されている。一方、半導体製造装置の位置合わせ方法の一環として、原版であるレチクルの位置あるいはレチクルをセットするレチクルステージ（原版ステージ）の位置と、ウエハステージ（基板ステージ）の位置関係を精密に計測する必要が有る。その測定方法として最も有利なのが、レチクルとステージを同時に測定するＴＴＲ計測である。ＴＴＲ計測は、レチクルとステージの間に存在する投影レンズを介して計測を行う。ＴＴＲ計測で使用する照明光源は、露光光が最も適している。理由は、投影レンズの収差が（色収差等）露光光に合わせられており、その結果レチクルとステージを同時に計測することができる。
【０００３】
ところで、現在高エネルギーで、かつ短い波長の光を発光することができる照明装置は、エキシマレーザ等が主流である。これらのレーザは、パルス発光のレーザ（パルス発光装置）である。
【０００４】
パルス化されたレーザの画像取り込み装置として、特開平３−２２６１８７号および特開平５−１９０４２１号公報で示されているような下記の概４つの方法を用いて照度むらの少ない画像を作成していた。
（１）照明装置内で揺動手段によりレーザの照度むらを押さえる。
（２）画像取り込み装置に入力する映像同期信号にレーザを同期させ、光蓄積中のパルス数が同数になるようにレーザを制御する。
（３）照度むらを軽減させるために、取り込んだ電気信号を積算する。
（４）揺動手段の周期を画像取り込みの周期に同期させる。
【０００５】
図１１は、従来例に係る受光装置の概略構成図である。パルス発光装置であるパルスレーザ（Laser ）１４の光をウェッジ等の揺動手段７で平均化（均一化）し、ミラー４，５およびハーフミラー６の後、投影レンズ２を通して基板ステージ上のマーク３を照明し、マーク３からの反射光を投影レンズ２を通してミラー５およびハーフミラー６を通過した後、蓄積型ポジションセンサであるＣＣＤカメラ（cam ）８で撮像する。ＣＣＤカメラ８の同期信号は、同期信号発生器（Sync）１５より発行している。同時に、同期信号は揺動手段７、レーザ（Laser ）１４にも送られ、ＣＣＤカメラ８と揺動手段７、レーザ１４は同期している。
【０００６】
図１１において、１はレチクル、９は駆動手段（motor ）、１０は干渉計（inter ）、１１はステージ制御装置（SF）、１２は露光制御装置（com ）をそれぞれ示す。さらに、１３は揺動制御装置（IS Cont）、１６はＡＤ変換器（AD）、１８は画像処理装置（proc）をそれぞれ示す。
【０００７】
ＣＣＤカメラ８は、ＮＴＳＣ方式のため、ｅｖｅｎ／ｏｄｄのタイミングに分けて光を蓄積し、図１２に示されるように、揺動周期をｅｖｅｎ／ｏｄｄフィールドの整数倍の周期になるように合わせている。ここで、図１２は、従来例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【０００８】
従来例では、蓄積した画像データは、図１１の加算器（sum ）１７にて加算され、図１２の場合、３フレームないし６フレームの画像を合成して計測用画像を作製している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
スキャン露光が行われるようになってからは、揺動手段は、スキャンスピードに同期する必要が出てきた。すなわち、スキャン露光は、スリットがあたかもウエハ（基板）上をスキャンしているようにパルスレーザの光をウエハ上のレジストに照射する。スキャン領域内では、照度斑のない露光を行うには、ウエハ上のある点がスリット幅を移動する間に揺動手段の１周期分、あるいはｎ周期（ｎ：自然数）のパルス光を露光させなければならない。そのため、スキャンスピードが速くなると揺動手段の揺動周波数を大きくする必要が有る。一方、スキャンスピードは、ウエハ上のレジストを露光するエネルギーに反比例する。露光量を多くするには、多くのレーザパルス数が必要となる。レーザの発振周波数は固定で（通常最大で）あるので、スキャンスピードを遅くすることで制御される。このように、揺動手段はスキャンスピード（露光量）によって、変化しなければならない。
【００１０】
一方、ＮＴＳＣ方式のＣＣＤカメラでパルス光を蓄積する場合、露光時間が１／６０秒と限定されてしまう。蓄積時間が限定された場合、ＮＴＳＣ方式特有のｅｖｅｎ／ｏｄｄに時分割されたインターレース方式の撮像で常に照度の斑がなく、ｅｖｅｎ／ｏｄｄ差が発生しない様にするためには、１／６０秒の整数倍に揺動を合わせなければならない。
【００１１】
スキャンスピードによって最適な揺動周波数が有るのに、計測のために揺動周波数を合わせるのは、揺動手段の制御が計測の度に発生することである。通常、高速で動いている物を、短時間で動作速度を変更するには、数秒程度の制御時間が必要である。この時間を、数ミリ秒にまで短縮するには、性能の高い制御手段を用いなければならない。そのために、計測専用の揺動手段を持つ構成もある。しかし、この構成の問題は、照明装置が大型化し、光学部材が２倍必要となる点である。しかも、光の一部を計測専用光学系に導かなければならず、最悪パターン露光用の照度が低下することが有る。よって、専用光学系を作らず、スキャン露光系の照明系の一部を利用するのが最も適した構成である。
【００１２】
ＴＴＲ計測は、ステージ位置とレチクル位置のキャリブレーション、投影レンズのキャリブレーション等に使用されるので、ウエハ交換時間等に行われる。しかし、近年の露光装置はウエハ交換時間を最短にしスループット（単位時間当りのウエハ処理能力）を上げている。ウエハ交換時に行われる計測のために、揺動手段が安定化するまでの時間は装置の無駄な時間を使うことになる。
【００１３】
従来の方式では、計測のための画像取り込みのために揺動手段を制御しなければならず、それが装置のスループットに影響を与えてしまう問題があった。
【００１４】
画像取り込み装置において、ＮＴＳＣ方式の様なｅｖｅｎ／ｏｄｄフィールドに別れた光蓄積を行うタイプのカメラを使用すると、１６．６［ｍｓｅｃ］毎に切り替わるｅｖｅｎ／ｏｄｄ間に明るさの差（照度差）が発生してしまう。照度差が発生する原因としては、下記の項目が挙げられる。
（１）１６．６［ｍｓｅｃ］期間のレーザエネルギーのばらつき。特に、第１パルス目のレーザエネルギーの量は高めで、過渡的に安定していく。
（２）揺動手段のむら。
【００１５】
照度差の発生による悪影響は、取り込んだ画像の計測の精度が悪くなる点である。例えば、取り込まれた信号のコントラストより、デフォーカス量の定量化を行う計測では、光量は一定でなければ、正確に測定できない。コントラスト値が明るさで振られてしまうからである。
【００１６】
そこで、計測精度を向上させるために照度差を軽減させる必要が有る。その方法として、取り込んだ電気信号を積算する時間（回数）を多くする方法や、最初にカメラが取り込んだ画像を捨てる、といった従来の方法がある。しかし、これらの対策は画像取り込みの時間が長くなってしまうといった問題がでる。
【００１７】
もう一つ対策として、ｅｖｅｎ／ｏｄｄフィールド毎に取り込み開始と揺動手段の原点を同期させる方法が有る。この方法は、画像取り込みの時間が長くなるだけでなく、揺動手段の制御と取り込みの制御が複雑になる欠点が有る。
【００１８】
ｅｖｅｎ／ｏｄｄ時系列に取り込む方式の別の問題は、全ての画素が同じ時間に蓄積されていないと言う点である。レチクルステージと、ウエハステージは同期制御されているが、最初の１／６０［ｓｅｃ］と後の１／６０［ｓｅｃ］の位置が異なると、平均化された光蓄積がされるのではなく、ステップ状に変化した画像となってしまう。
【００１９】
以上をまとめると、従来の技術の問題点は下記の通りとなる。
＜１＞揺動手段を画像取り込みの時間の周期に短時間に合わせることができない。長時間かけて合わせた場合、スループットに影響する。
＜２＞ＮＴＳＣ方式で画像を取り込む場合、ｅｖｅｎ／ｏｄｄ間の照明光量の斑が発生し、計測精度に影響する。
＜３＞ＮＴＳＣ方式で画像を取り込む場合、ｅｖｅｎ／ｏｄｄ時分割の画像の同時性がないため、微少な位置変化が発生した場合、積分された信号とならない。
【００２０】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、スキャン露光装置のスループットを向上させることを課題とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題解決のため試行錯誤して検討した結果、以下の手段によって解決されることを見いだし、本発明を完成せしめた。
【００２２】
すなわち、上記課題を解決するために、本発明のスキャン露光装置は、レチクルステージと、基板ステージと、パルス光を発する光源と、スキャンスピードにより決まる周期で該パルス光を揺動する揺動手段と、該揺動されたパルス光で該レチクルのパターンを該基板に投影する投影光学系と、該揺動されたパルス光で前記レチクルステージ上のマークおよび前記基板ステージ上のマークのうち少なくとも一方のマークを照明する照明手段と、該少なくとも一方のマークを介し、該揺動されたパルス光を受ける蓄積型センサと、を有し、レチクルを介して基板を露光するスキャン露光装置であって、前記揺動手段の周期と前記蓄積型センサの蓄積中に必要な該パルス光の数とに基づき、前記光源の発光周波数と前記蓄積型センサの蓄積時間とを決定する、ことを特徴とする。
【００４５】
【作用】
本発明によれば、スキャン露光装置のスループットを向上させることができる。
【００５１】
【実施例】
次に、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
＜実施例１＞
図１は、本発明の特徴を最も良く表す一実施例に係る受光装置およびマーク検出装置の概略構成図であり、ＴＴＲ方式でレチクルステージ（原版ステージ）上のマークとウエハステージ（基板ステージ）上のマークを観察し、両マークの両方またはどちらか一方を計測する場合を示す。なお、図１において、図６と同様の符号は、図６と同一の構成要素を示す。
【００５２】
計測される値としては、マークの明るさ、マークのコントラスト（デフォーカス量）、マークの位置である。本発明においては、明るさ、コントラスト、マーク位置の測定方法の詳細は重要ではない。より高精度のマーク明るさ、コントラスト、マーク位置の計測を目的としたパルス光の照明方法と蓄積型（ポジション）センサでの光蓄積方法が主題である。よって、上記のマーク計測法の説明は省略する。
【００５３】
エキシマレーザ等のパルスレーザ（Laser）１４は、ＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ２等が封入されたガスレーザであり、パルス化されたレーザ光を発生する光源（パルス発光装置）である。ここで発生されたパルス光は、揺動手段７に入射する。揺動手段７は、入射したビームを出力において円周状に揺動させるための光学系であり、例えばウェッジをモータによって回転することにより実現される。揺動手段７によって揺動されたビームは、（ミラー４で反射され）ハーフミラー６を通過し、ミラー５で反射されてレチクルステージ上のレチクル側マーク１（位置合わせマーク若しくはコントラスト測定マーク）に達する。さらに、光（揺動手段７によって揺動されたビーム）は投影レンズ２を通り、ウエハステージ上の基準マーク３（位置合わせマーク若しくはコントラスト測定マーク）を照明する。この照明手段は、レチクルステージ上のマークと投影光学系とを介して基板ステージ上のマークを照明することを特徴とする。
【００５４】
エキシマレーザの出射パルス光は、一般的に水銀ランプの様な連続光に比べてビーム内照度むらが大きいため、ビームを固定したままで露光したのでは、複数パルスを要して露光してもウエハ上の照度むらを許容範囲以内に抑えることはできない。そのため、本実施例では、揺動手段７によってビームを円周状に揺動しながら、エキシマレーザ１４を発光させている。
【００５５】
一方、図１において、基準マーク３で反射されたビームは投影レンズ２、レチクルマーク１を通り、ミラー５で反射され、ハーフミラー６を通過して蓄積型ポジションセンサであるＣＣＤカメラ（cam ）８の撮像面に入射する。このため、ＣＣＤカメラ８では、ステージ基準マーク３およびレチクルマーク１を同時に観察することができ、この画像を処理することによりウエハステージおよびレチクルステージの相対位置（マーク位置）若しくは各マークの明るさ（マーク光量）やコントラスト（マークコントラスト）を知ることができる。
【００５６】
揺動手段７の回転数、即ち周期は、露光時のスキャンスピードによって決まっている。蓄積中に必要なパルス数は、計測精度に影響しない十分なパルス数が予め決められている。
【００５７】
上記２つのパラメータ、すなわち揺動手段の回転数（Ｒ）、蓄積中に必要なパルス数（Ｐ）から（蓄積型ポジションセンサの）蓄積時間（ＣＴ）とレーザ（パルス）発光周波数（ＬＦ）が次式によって決定する。
【００５８】
【数１】
レーザのパルス周波数は、揺動手段７の回転数とＣＣＤカメラ８に蓄積させるパルス数によって求められ、制御装置（com ）１２によって、制御される。ＣＣＤカメラ８の蓄積時間は、揺動手段７の回転数とＣＣＤカメラ８に蓄積されるパルス数によって求められ、制御装置１２より画像処理装置の制御部（proc）１８に伝えられ、カメラ同期制御装置（Sync）１５にセットされる。
【００６０】
画像の取り込みと、取り込み画像からのレチクルマーク、ステージマークの計測は、以下のフロー（Ｓ１〜Ｓ８）で行われる。揺動手段７の回転数は、予め制御装置１２よりコントローラ（IS Cont）１３に司令され、安定した回転が行われているとする。
・Ｓ１：レチクル、ウエハステージが所定の位置に到達する。
・Ｓ２：揺動手段７の周波数に合わせた蓄積時間ＣＴをcom →proc→Syncのルートで設定する。
・Ｓ３：レーザ周波数（ＬＦ）をcom →Laser で司令される。同時に、外部からレーザ制御された際に発光すべきパルス数（Ｐ）をcom →Laser に司令する（ダミーパルス発光ステップ）。
・Ｓ４：計測コマンドをcom →procに司令する。
・Ｓ５：レーザ発振信号、ＣＣＤカメラ蓄積信号がカメラ同期制御装置（Sync）から発生される（計測パルス発光ステップ）。
・Ｓ６：レーザ発光（求められた周波数（ＬＦ）で発光）と、取り込み（蓄積型ポジションセンサで蓄積を開始）を行う。
・Ｓ７：取り込まれた画像はビデオ信号として出力され、ＡＤコンバータ（AD）でアナログ信号（電気信号）からデジタル信号に変換される。
・Ｓ８：デジタルデータを画像処理装置（proc）で処理し、レチクルマーク、ステージマークの位置計測が行われる。
【００６１】
上記フローのＳ５およびＳ６に関して、図２を用いて説明する。ここで、図２は、本実施例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【００６２】
揺動手段の１回転を１周期としたレーザ発光（Laser）と、ＣＣＤ蓄積（Charge）を実施した例を示す。使用するカメラは、全画素取り込みカメラ（蓄積時間をコントロールできるノンインターレース型ＣＣＤカメラ）とした。
【００６３】
レーザの発光周波数は、揺動手段の回転数（周波数）と必要なパルス数（Ｐ）で決まっている。映像信号は、蓄積が終了してから、通常のＣＣＤカメラの使い方にしたがって出力される。
【００６４】
式３によって、揺動手段の１周期に必要なパルス数を発光するためのレーザ発光周波数と蓄積時間は決定されている。図２では、Fireで示されている（レーザ発光パルス）周波数でレーザを必要回数発光すると、ちょうど揺動１周期分である。レーザヘの発光制御信号（Laser）とＣＣＤカメラの蓄積制御信号（Charge）は同一タイミングに行う。
【００６５】
揺動手段とレーザ発光およびＣＣＤ取り込みの原点を同期させる必要はないため、図２のように、非同期にレーザ発振を開始して構わない。
【００６６】
また、レーザ発光開始に若干の遅れが存在することがわかっていれば、その時間を予め見込んでＣＣＤの取り込み終了を左記遅れ分をマージンとして広げておく（パルス発光終了より蓄積時間を遅く終了する）ことが可能である（蓄積型ポジションセンサの蓄積時間はパルス発光開始より早く開始することも可能）。
【００６７】
蓄積時間が多少長くなっても、その期間不要な光が入ってくることはないので計測に影響はない。
【００６８】
図２では、１周期で示したが、揺動周波数が高い場合、レーザの発光最大周波数の能力によっては、揺動手段の１周期内で発光させるパルス数が不足する場合が有る。その場合は、２周期分（２回転）の蓄積とし、２周期の間パルスを打つ。
【００６９】
もちろん必要なパルス数がさらに多く必要な場合は、３，４，５周期と増えることが有る。
【００７０】
図３に揺動手段の２周期分の蓄積を示した例を示す。式１〜４（数１）を用いて、必要な揺動周期数も決定することができる。
【００７１】
本実施例では、ＣＣＤカメラを例にして説明した。しかし、光を蓄積することのできるセンサであれば、２次元カメラだけでなく、アレイセンサ、１次元ＣＣＤ、フォトセンサ等の多くの種類のセンサに応用することができる。
【００７２】
さらに、半導体製造装置（露光装置等）だけでなく、同様の照明機構、光蓄積センサを用いた装置、例えば検査装置でも応用することができる。
【００７３】
＜実施例２＞
実施例１では、ノンインターレースのカメラで取り込みの様子を説明した。実施例２では、図４を用いてインターレースカメラの様なｅｖｅｎ／ｏｄｄとして時分割に撮像領域を分けて光蓄積を行う（ｅｖｅｎ／ｏｄｄの蓄積時間をコントロールできる）インターレース型ＣＣＤカメラの場合の取り込み方法を示す。
【００７４】
蓄積時間は、ｅｖｅｎ／ｏｄｄの蓄積時間で考えると、実施例１で説明したものと同様に考えることができる。揺動周波数とｅｖｅｎ／ｏｄｄ、それぞれのフィールドに蓄積させたいパルス数を用いてレーザ発光周波数、蓄積時間を計算し、取り込みを開始する（蓄積時間をコントロールすることができる）。
【００７５】
この場合、ｅｖｅｎ／ｏｄｄの蓄積時間は、ＮＴＳＣ方式のような１／６０［ｓｅｃ］固定では使用しない。また、蓄積時間は可変とする。
【００７６】
映像信号は、ｅｖｅｎの蓄積後ｅｖｅｎフィールドの画像、ｏｄｄの蓄積後ｏｄｄフィールドの画像がそれぞれ出力される。ただし、撮像された対象物の位置は同一時刻に記憶されたものでないので、マーク位置計測を目的とした場合、計測において若干精度が劣る。その場合、搭載されている干渉計（inter ）のｅｖｅｎ／ｏｄｄ蓄積時間内の変位を蓄積と同時に測定し、利用することでキャンセルできる。
【００７７】
＜実施例３＞
本実施例においては、パルスレーザ発光開始直後の過渡的なエネルギー変化をキャンセルする取り込み方法を示す。過渡的な変化が発生しそうな初期数パルスの光を蓄積しない様に、レーザ（パルス光）の制御と蓄積の制御をコントロールする。
【００７８】
実施例１では、レーザ発光制御信号と、ＣＣＤ蓄積制御信号は同じ物（実施例１におけるＳ５）を使用している。レーザ発光開始時の光を蓄積しないために、図５に示されるように、レーザ制御信号と、ＣＣＤ蓄積制御信号を独立に制御する。最初にレーザを数パルス発光し、レーザエネルギーが安定するのを待つ。安定したところで、ＣＣＤ蓄積を開始し、必要なパルスのレーザ発光を行う。このようにすると、常に同一のエネルギーの光だけを蓄積することが可能となるため、極めて安定した計測が可能となる。
【００７９】
＜半導体生産システムの実施例＞
次に、上記説明した露光装置を利用した半導体等のデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは、半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若しくはソフトウェア提供等の保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワーク等を利用して行うものである。
【００８０】
図６は、全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００８１】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００８２】
さて、図７は、本実施形態の全体システムを図６とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお、図７では、製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット等を構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０等、ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインターネット若しくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００８３】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、若しくはネットワークファイルサーバ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図８に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェースは、さらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０，４１１，４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【００８４】
次に、上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図９は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
【００８５】
図１０は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００８６】
【発明の効果】
本発明によれば、スキャン露光装置のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る受光装置およびマーク検出装置の概略構成図である。
【図２】 本発明の一実施例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である（１周期分（揺動手段１回転）の蓄積）。
【図３】 本発明の一実施例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である（２周期分（揺動手段２回転）の蓄積）。
【図４】 本発明の一実施例に係るｅｖｅｎ／ｏｄｄに時分割に撮像領域を分けて光蓄積を行う場合の揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【図５】 本発明の一実施例に係るレーザ発光開始時の光を蓄積しない場合の揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【図６】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図７】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図８】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェースの具体例を示す図である。
【図９】 本発明の一実施例に係る露光装置によるデバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図１０】 本発明の一実施例に係る露光装置によるウエハプロセスを説明する図である。
【図１１】 従来例に係る受光装置の概略構成図である。
【図１２】 従来例に係る揺動手段とレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【記号の説明】
１：レチクル（レチクル基準プレート）、２：投影レンズ、３：ステージ基準プレート、４，５：ミラー、６：ハーフミラー、７：揺動手段、９：ＣＣＤカメラ（cam ）、９：駆動手段（motor）、１０：干渉計（inter）、１１：ステージ制御装置（SF）、１２：露光制御装置（com ）、１３：揺動制御装置（IS Cont）、１４：エキシマレーザ（パルスレーザ：Laser ）、１５：同期信号発生器（Sync）、１６：ＡＤ変換器（AD）、１７：加算器（sum ）、１８：画像処理装置（proc）、１０１：ベンダの事業所、１０２，１０３，１０４：製造工場、１０５：インターネット、１０６：製造装置、１０７：工場のホスト管理システム、１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１１０：操作端末コンピュータ、１１１：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部ネットワーク、２０１：製造装置ユーザの製造工場、２０２：露光装置、２０３：レジスト処理装置、２０４：成膜処理装置、２０５：工場のホスト管理システム、２０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２１０：露光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、２２０：レジスト処理装置メーカ、２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、４０１：製造装置の機種、４０２：シリアルナンバー、４０３：トラブルの件名、４０４：発生日、４０５：緊急度、４０６：症状、４０７：対処法、４０８：経過、４１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能。
Claims (8)
- レチクルステージと、
基板ステージと、
パルス光を発する光源と、
スキャンスピードにより決まる周期で該パルス光を揺動する揺動手段と、
該揺動されたパルス光で該レチクルのパターンを該基板に投影する投影光学系と、
該揺動されたパルス光で前記レチクルステージ上のマークおよび前記基板ステージ上のマークのうち少なくとも一方のマークを照明する照明手段と、
該少なくとも一方のマークを介し、該揺動されたパルス光を受ける蓄積型センサと、
を有し、レチクルを介して基板を露光するスキャン露光装置であって、
前記揺動手段の周期と前記蓄積型センサの蓄積中に必要な該パルス光の数とに基づき、前記光源の発光周波数と前記蓄積型センサの蓄積時間とを決定する、
ことを特徴とするスキャン露光装置。 - 前記照明手段は、前記レチクルステージ上のマークと前記投影光学系とを介して前記基板ステージ上のマークを照明する、ことを特徴とする請求項１に記載のスキャン露光装置。
- 該少なくとも一方のマークの明るさ、コントラストおよび位置のうち一つを計測する、ことを特徴とする請求項１または２に記載のスキャン露光装置。
- 前記揺動手段の周期の自然数倍の間に、前記光源が該数の該パルス光を発するように、前記光源の発光周波数を決定する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のスキャン露光装置。
- 決定された該発光周波数で該パルス光を前記光源が該数だけ発するようにし、前記蓄積型センサの蓄積時間が該自然数倍の時間以上の時間になるように前記蓄積型センサの蓄積時間を決定する、ことを特徴とする請求項４に記載のスキャン露光装置。
- 前記蓄積型センサは、ノンインターレース型カメラおよびインターレース型カメラのいずれかを含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のスキャン露光装置。
- 前記光源の発光を開始し、前記光源からのパルス光のエネルギーが安定した後、前記蓄積型センサの蓄積を開始する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のスキャン露光装置。
- 請求項１乃至７のいずれかに記載のスキャン露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップにおいて露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239425A JP4759119B2 (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | スキャン露光装置およびデバイス製造方法 |
| US09/922,848 US6788390B2 (en) | 2000-08-08 | 2001-08-07 | Light receiving apparatus, mark detecting apparatus using light receiving apparatus, exposing apparatus, maintenance method of exposing apparatus, manufacturing method of semiconductor device using exposing apparatus and semiconductor manufacturing plant |
| US10/895,094 US7034921B2 (en) | 2000-08-08 | 2004-07-21 | Light receiving apparatus, mark detecting apparatus using light receiving apparatus, exposing apparatus, maintenance method of exposing apparatus, manufacturing method of semiconductor device using exposing apparatus and semiconductor manufacturing plant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239425A JP4759119B2 (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | スキャン露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002057082A JP2002057082A (ja) | 2002-02-22 |
| JP2002057082A5 JP2002057082A5 (ja) | 2007-09-20 |
| JP4759119B2 true JP4759119B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=18730965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000239425A Expired - Fee Related JP4759119B2 (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | スキャン露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6788390B2 (ja) |
| JP (1) | JP4759119B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4208467B2 (ja) * | 2002-01-08 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | カメラシステム及びその制御方法、デバイス製造装置、露光装置並びにデバイスの製造方法 |
| JP4165871B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2008-10-15 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法、位置検出装置及び露光装置 |
| JP2004006527A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Canon Inc | 位置検出装置及び位置検出方法、露光装置、デバイス製造方法並びに基板 |
| US7209235B2 (en) * | 2002-07-11 | 2007-04-24 | Hymite A/S | Accurate positioning of components of a optical assembly |
| US20040179096A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-09-16 | August Technology Corp | Imaging system using theta-theta coordinate stage and continuous image rotation to compensate for stage rotation |
| JP2004296921A (ja) | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Canon Inc | 位置検出装置 |
| EP1628494A1 (en) * | 2004-08-17 | 2006-02-22 | Dialog Semiconductor GmbH | Intelligent light source with synchronization with a digital camera |
| EP1648181A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-19 | Dialog Semiconductor GmbH | A multiple frame grabber |
| JP2006278960A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Canon Inc | 露光装置 |
| US7898653B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-03-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Foreign matter inspection apparatus |
| US9529275B2 (en) * | 2007-02-21 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography scanner throughput |
| US7953511B1 (en) * | 2007-09-21 | 2011-05-31 | National Semiconductor Corporation | System and method for reducing processing errors during wafer fabrication employing a 2D wafer scribe and monitoring system |
| US8427274B2 (en) * | 2007-12-27 | 2013-04-23 | Saje Holdings, Inc. | Lighting system and control method thereof |
| JP6271920B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | 計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191374A (en) * | 1988-11-17 | 1993-03-02 | Nikon Corporation | Exposure control apparatus |
| JPH02177415A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2650066B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1997-09-03 | キヤノン株式会社 | 画像取り込み装置 |
| JP3336436B2 (ja) * | 1991-04-02 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法 |
| US5347118A (en) | 1992-01-17 | 1994-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method and apparatus detecting misalignment using image signals from image pickup |
| JP2908099B2 (ja) * | 1992-01-17 | 1999-06-21 | キヤノン株式会社 | 基板の位置合わせ方法 |
| JP2881062B2 (ja) * | 1992-01-17 | 1999-04-12 | キヤノン株式会社 | 基板の位置合わせ方法およびその装置 |
| JPH06260384A (ja) * | 1993-03-08 | 1994-09-16 | Nikon Corp | 露光量制御方法 |
| JP3296448B2 (ja) * | 1993-03-15 | 2002-07-02 | 株式会社ニコン | 露光制御方法、走査露光方法、露光制御装置、及びデバイス製造方法 |
| JPH07142325A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-06-02 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
| JP3363532B2 (ja) * | 1993-07-26 | 2003-01-08 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置 |
| US5778386A (en) * | 1996-05-28 | 1998-07-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Global view storage management system for semiconductor manufacturing plants |
| TWI249760B (en) * | 1996-07-31 | 2006-02-21 | Canon Kk | Remote maintenance system |
| JPH11329943A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-30 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
-
2000
- 2000-08-08 JP JP2000239425A patent/JP4759119B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-07 US US09/922,848 patent/US6788390B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-21 US US10/895,094 patent/US7034921B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050002674A1 (en) | 2005-01-06 |
| US20020036777A1 (en) | 2002-03-28 |
| JP2002057082A (ja) | 2002-02-22 |
| US6788390B2 (en) | 2004-09-07 |
| US7034921B2 (en) | 2006-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4759119B2 (ja) | スキャン露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2002050559A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| US20050259235A1 (en) | Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing factory | |
| JP3605043B2 (ja) | 位置計測装置、露光装置、デバイス製造方法および位置計測方法 | |
| JP5002100B2 (ja) | 焦点位置検出方法及び焦点位置検出装置 | |
| JP4261810B2 (ja) | 露光装置、デバイス製造方法 | |
| JP4666747B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2001351842A (ja) | 位置検出方法、位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 | |
| JP2002110526A (ja) | 走査露光方法及び走査露光装置 | |
| JP2002170770A (ja) | 位置合わせ方法及び該方法を使用する露光装置及び露光方法 | |
| US6736928B2 (en) | Exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| JP4666744B2 (ja) | 計測装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2002373839A (ja) | 照明装置、露光装置及び露光方法 | |
| JP2002025886A (ja) | ステップ＆スキャン式投影露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体製造工場 | |
| JP2003133216A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP4585697B2 (ja) | 露光装置及び光源の位置調整方法 | |
| JP2002093691A (ja) | 露光装置、結像性能測定方法、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 | |
| JP2003142365A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP2003133224A (ja) | 表面位置設定方法、表面位置設定装置及び露光装置 | |
| JP2002184687A (ja) | 露光装置 | |
| JP2003045778A (ja) | 映像信号入力方法、映像信号入力装置、位置検出装置及び露光装置 | |
| JP2004111860A (ja) | 位置検出方法及び位置検出装置 | |
| JP5441939B2 (ja) | 焦点位置検出方法、焦点位置検出装置、露光装置及び半導体デバイス製造方法 | |
| JP2003022948A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2002083761A (ja) | 露光装置及び露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070808 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070808 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090406 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100402 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110114 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110531 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110606 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |