KR950001867A - 노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법 - Google Patents

노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950001867A
KR950001867A KR1019940014700A KR19940014700A KR950001867A KR 950001867 A KR950001867 A KR 950001867A KR 1019940014700 A KR1019940014700 A KR 1019940014700A KR 19940014700 A KR19940014700 A KR 19940014700A KR 950001867 A KR950001867 A KR 950001867A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pulse
light
exposure
current radiation
radiation pulse
Prior art date
Application number
KR1019940014700A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0163972B1 (ko
Inventor
타카히사 시오자와
Original Assignee
미타라이 하지메
캐논 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미타라이 하지메, 캐논 가부시기가이샤 filed Critical 미타라이 하지메
Publication of KR950001867A publication Critical patent/KR950001867A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0163972B1 publication Critical patent/KR0163972B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명에는, 순차 공급되는 펄스광에 의해 기판을 노광하는 노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법이 개시되어 있다. 상기 노광장치는, 각 펄스의 광량을 검출하는 검출기와, 금회의 방사펄스이전의 적어도 1개의 펄스에 의한 광량에 의거해서, 금회의 펄스에 의한 기판의 노광타이밍을 제어하는 제어기를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 노광장치의 개략도.

Claims (21)

  1. 순차 공급되는 펄스광에 의해 기판을 노광하는 노광장치에 있어서, 각 펄스의 광량을 검출하는 검출수단과, 금회의 방사펄스 이전의 적어도 1개의 펄스에 의한 광량에 의거해서, 금회의 방사펄스에 의한 기판의 노광타이밍을 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 금회의 방사펄스 바로전의 펄스에 의한 광량에 관한 정보에 의거해서 상기 노광타이밍을 제어하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 금회의 방사펄스 이전의 복수의 펄스에 의한 광량에 의거해서 상기 노광타이밍을 제어하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 금회의 방사펄스 이전의 소정의 펄스의 광량이 소정치보다도 커진 경우에는 노광타이밍을 지연시키고, 금회의 방사펄스 이전의 소정의 펄스의 광량이 소정치보다도 작아진 경우에는 노광타이밍을 빠르게 하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 펄스광은 액시머레이저로부터 공급되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제1항에 있어서, 펄스광에 의해 마스크와 기판을 주사하는 주사수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제어수단은, 금회의 방사펄스 이전의 소정의 펄스의 광량이 소정치보다도 커진 경우에는 노광타이밍을 지연시키고, 금회의 방사펄스 이전의 소정의 펄스의 광량이 소정치보다도 작아진 경우에는 노광타이밍을 빠르게 하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제어수단은, 금회의 방사펄스 바로전의 펄스에 의한 광량에 관한 정보에 의거해서 상기 노광타이밍을 제어하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제어수단은, 금회의 방사펄스 이전의 복수의 펄스에 의한 광량에 의거해서 상기 노광타이밍을 제어하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 펄스광은 엑시머레이저로부터 공급되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  11. 제7항에 있어서, 각 펄스는 주사방향에서의 편중적인 강도분포를 지니며, 이 강도분포의 경계부분에서 강도가 완만하게 변화하고 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 제11항에 있어서, 펄스가 조사되는 조명영역을 제한하기 위한, 복수의 차광판을 지닌 차광수단과, 상기 차광판중 적어도 1개를 광축방향에 있어서 변위시키는 수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  13. 순차 공급되는 펄스광에 의해 가공대상부품을 노광하여 제조하는 마이크로디바이스제조방법에 있어서, 적어도 1개의 방사펄스의 광량을 검출하는 공정과, 상기 검출된 광량에 의거해서, 금회의 방사펄스에 의한 가공대상부품의 노광타이밍을 제어하는 제어공정을 구비한 것을 특징으로 하는 마이크로디바이스제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제어공정에 있어서, 적어도 1개의 펄스의 검출광량이 소정치보다도 커진 경우에는 상기 노광타이밍을 지연시키고, 적어도 1개의 펄스의 검출광량이 소정치보다도 작아진 경우에는 상기 노광타이밍을 빠르게 하는 것을 특징으로 하는 마이크로디바이스제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 금회의 방사펄스바로전의 펄스의 광량에 의거해서 금회의 방사펄스에 의한 노광타이밍을 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로디바이스제조방법.
  16. 제14항에 있어서, 금회의 방사펄스 이전의 복수의 펄스의 광량에 의거해서 금회의 방사펄스에 의한 노광타이밍을 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로디바이스제조방법.
  17. 제13항에 있어서, 가공대상부품이 마스크에 대해 노출되도록 펄스광으로 가공대상부품과 마스크를 주사하는 것을 특징으로 하는 마이크로디바이스제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제어공정에 있어서, 적어도 1개의 펄스의 검출광량이 소정치보다도 커진 경우에는 상기 노광타이밍을 지연시키고, 적어도 1개의 펄스의 검출광량이 소정치보다도 작아진 경우에는 상기 노광타이밍을 빠르게 하는 것을 특징으로 하는 마이크로디바이스제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 금회의 방사펄스바로전의 펄스의 광량에 의거해서 금회의 방사펄스에 의한 노광타이밍을 제어하는 것임을 특징으로 하는 마이크로디바이스제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 금회의 방사펄스 이전의 복수의 펄스의 광량에 의거해서 금회의 방사펄스에 의한 노광타이밍을 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로디바이스제조방법.
  21. 제17항에 있어서, 각 펄스는 주사방향에서의 편중적인 강도분포를 지니며, 이 강도분포의 경계부분에서 강도가 완만하게 변화하고 있는 것을 특징으로 하는 마이크로디바이스제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940014700A 1993-06-29 1994-06-25 노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법 KR0163972B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15905493 1993-06-29
JP93-159054 1993-06-29
JP6119971A JP2862477B2 (ja) 1993-06-29 1994-06-01 露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法
JP94-119971 1994-06-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950001867A true KR950001867A (ko) 1995-01-04
KR0163972B1 KR0163972B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=26457617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940014700A KR0163972B1 (ko) 1993-06-29 1994-06-25 노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5491534A (ko)
EP (1) EP0632331B1 (ko)
JP (1) JP2862477B2 (ko)
KR (1) KR0163972B1 (ko)
DE (1) DE69412548T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307059B1 (ko) * 1993-02-01 2001-09-24 시마무라 기로 주사 노광 방법과 그 방법을 이용한 소자 제조방법

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3235078B2 (ja) 1993-02-24 2001-12-04 株式会社ニコン 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
JP3101473B2 (ja) * 1993-11-05 2000-10-23 キヤノン株式会社 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法
JPH07254559A (ja) * 1994-01-26 1995-10-03 Canon Inc 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法
JPH07314775A (ja) * 1994-05-24 1995-12-05 Canon Inc 発光光量の調整装置及びその方法
JP3451604B2 (ja) * 1994-06-17 2003-09-29 株式会社ニコン 走査型露光装置
JPH08179514A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Canon Inc 露光装置および露光方法
JP3630807B2 (ja) * 1994-12-28 2005-03-23 キヤノン株式会社 走査露光装置及び当該走査露光装置を用いたデバイスの製造方法
JPH08250402A (ja) * 1995-03-15 1996-09-27 Nikon Corp 走査型露光方法及び装置
EP0748009B1 (en) * 1995-06-05 2002-12-04 Canon Kabushiki Kaisha Output control method for excimer laser
JPH097927A (ja) * 1995-06-26 1997-01-10 Canon Inc 照明装置及び露光装置
JP3391940B2 (ja) * 1995-06-26 2003-03-31 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
JP3591922B2 (ja) * 1995-07-17 2004-11-24 キヤノン株式会社 光量測定装置
JPH09129550A (ja) * 1995-08-30 1997-05-16 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US5883701A (en) * 1995-09-21 1999-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Scanning projection exposure method and apparatus
KR100210569B1 (ko) * 1995-09-29 1999-07-15 미따라이 하지메 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법
JPH09115825A (ja) 1995-10-19 1997-05-02 Nikon Corp 走査型投影露光装置
JP3617558B2 (ja) * 1995-11-17 2005-02-09 株式会社ニコン 露光量制御方法、露光装置、及び素子製造方法
JP3904034B2 (ja) * 1995-11-17 2007-04-11 株式会社ニコン 露光装置
JP2682523B2 (ja) * 1995-11-22 1997-11-26 日本電気株式会社 露光方法及びモニタパターン
US5891605A (en) * 1996-01-16 1999-04-06 Lucent Technologies Inc. Reduction in damage to optical elements used in optical lithography for device fabrication
JP3459742B2 (ja) * 1996-01-17 2003-10-27 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3813635B2 (ja) * 1996-04-01 2006-08-23 エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ リソグラフィ走査露光投影装置
JP3659529B2 (ja) * 1996-06-06 2005-06-15 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1041225A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JPH10116766A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
CN1244018C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
WO1998048452A1 (fr) * 1997-04-18 1998-10-29 Nikon Corporation Procede et dispositif de commande de l'exposition, procede et dispositif d'exposition, et procede de fabrication dudit dispositif
JP4392879B2 (ja) 1998-09-28 2010-01-06 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
GB9827377D0 (en) * 1998-12-11 1999-02-03 Surface Inspection Ltd Machine vision system and tile inspection apparatus incorporating such a system
US6704090B2 (en) * 2000-05-11 2004-03-09 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
TW521310B (en) * 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
JP2002373839A (ja) 2001-06-13 2002-12-26 Canon Inc 照明装置、露光装置及び露光方法
JP4235480B2 (ja) 2002-09-03 2009-03-11 キヤノン株式会社 差動排気システム及び露光装置
JP3703447B2 (ja) 2002-09-06 2005-10-05 キヤノン株式会社 差動排気システム及び露光装置
JP5653182B2 (ja) * 2003-05-22 2015-01-14 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005109304A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Canon Inc 照明光学系及び露光装置
JP2006303196A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Canon Inc 測定装置及びそれを有する露光装置
US7684014B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-23 Asml Holding B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8033826B2 (en) 2007-11-15 2011-10-11 Biomet 3I, Llc Two-piece dental abutment system
EP2618774B1 (en) 2010-09-23 2017-11-15 Biomet 3i, LLC Dental abutment system
CN112526825B (zh) * 2019-09-17 2022-04-08 长鑫存储技术有限公司 掩膜板遮蔽叶片剐蹭监控系统

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2210945C3 (de) * 1972-03-07 1978-09-21 Gerhard 8200 Rosenheim Krause Belichtungsmefigerät
US4519692A (en) * 1983-04-08 1985-05-28 Warner-Lambert Technologies, Inc. Exposure and camera control
US4822975A (en) * 1984-01-30 1989-04-18 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for scanning exposure
US5171965A (en) * 1984-02-01 1992-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
JPS6197830A (ja) * 1984-10-18 1986-05-16 Canon Inc 露光装置
JPH0614508B2 (ja) * 1985-03-06 1994-02-23 キヤノン株式会社 ステップアンドリピート露光方法
DE3750174T2 (de) * 1986-10-30 1994-11-17 Canon K.K., Tokio/Tokyo Belichtungseinrichtung.
US4884101A (en) * 1987-02-03 1989-11-28 Nikon Corporation Apparatus capable of adjusting the light amount
JPS63193130A (ja) * 1987-02-05 1988-08-10 Canon Inc 光量制御装置
US4804978A (en) * 1988-02-19 1989-02-14 The Perkin-Elmer Corporation Exposure control system for full field photolithography using pulsed sources
JP2569711B2 (ja) * 1988-04-07 1997-01-08 株式会社ニコン 露光制御装置及び該装置による露光方法
US5191374A (en) * 1988-11-17 1993-03-02 Nikon Corporation Exposure control apparatus
JPH02177415A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Canon Inc 露光装置
JPH02177313A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Canon Inc 露光制御装置
JP2731953B2 (ja) * 1989-08-07 1998-03-25 キヤノン株式会社 エネルギー量制御装置
US5250797A (en) * 1990-10-05 1993-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus for controlling light pulse emission using determined exposure quantities and control parameters
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307059B1 (ko) * 1993-02-01 2001-09-24 시마무라 기로 주사 노광 방법과 그 방법을 이용한 소자 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE69412548D1 (de) 1998-09-24
DE69412548T2 (de) 1999-01-21
EP0632331B1 (en) 1998-08-19
KR0163972B1 (ko) 1999-02-01
JP2862477B2 (ja) 1999-03-03
US5491534A (en) 1996-02-13
JPH0774092A (ja) 1995-03-17
EP0632331A1 (en) 1995-01-04
US5699148A (en) 1997-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950001867A (ko) 노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법
KR960035160A (ko) 주사형 노광 방법 및 장치
KR950015550A (ko) 스캐닝 조사 장치 및 이를 사용한 디바이스 제조방법
ATE132785T1 (de) Zielbereichprofilierung von optischen oberflächen durch ecimer laser lichtabschmelzung
JP2006128732A (ja) リソグラフィ走査露光投影装置
KR940022695A (ko) 노광 장치와 패턴 전사 방법 및 노광 제어 장치와 그 제어 방법
US7282666B2 (en) Method and apparatus to increase throughput of processing using pulsed radiation sources
KR970028862A (ko) 노광 장치 및 노광량 제어방법
RU2007106720A (ru) Способ и устройство для воздействия на ткань
ATE140411T1 (de) Methode und system zur kontrolle eines materialabtragprozesses; wobei man die spektralausstrahlung analysiert
JP2004066327A5 (ko)
KR950024025A (ko) 투사 노출 장치 및 디바이스 제조방법
KR950004423A (ko) 주사형 노광장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법
AT386297B (de) Ionenstrahlgeraet und verfahren zur ausfuehrung von aenderungen, insbes. reparaturen an substraten unter verwendung eines ionenstrahlgeraetes
KR102557669B1 (ko) 이중 파장 어닐링 방법 및 장치
ATE342499T1 (de) Vorrichtung und verfahren zur automatischen erzeugung einer wärmevermeidungsreaktion von nematoden
JP3052931B2 (ja) レーザ加工装置および加工方法
KR970002485A (ko) 엑시머레이저의 출력제어방법
JP2004098116A (ja) マスク転写式レーザ形状加工方法
TW200719101A (en) Laser beam exposure apparatus and method therefor
JP3827865B2 (ja) レーザ処理装置および該レーザ処理装置の制御方法
KR950006961A (ko) 노광량 제어 장치
KR970022576A (ko) 노광방법 및 장치
KR100376867B1 (ko) 스캔 방식 반도체 노광장치 및 노광 균일도 향상 방법
JP2003311457A5 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060824

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee