DE3219441A1 - Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungenInfo
- Publication number
- DE3219441A1 DE3219441A1 DE19823219441 DE3219441A DE3219441A1 DE 3219441 A1 DE3219441 A1 DE 3219441A1 DE 19823219441 DE19823219441 DE 19823219441 DE 3219441 A DE3219441 A DE 3219441A DE 3219441 A1 DE3219441 A1 DE 3219441A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- polycrystalline silicon
- insulating
- silicon layer
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02683—Continuous wave laser beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2636—Bombardment with radiation with high-energy radiation for heating, e.g. electron beam heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/903—Dendrite or web or cage technique
- Y10S117/904—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/913—Graphoepitaxy or surface modification to enhance epitaxy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/09—Laser anneal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/093—Laser beam treatment in general
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
Claims (17)
- 3 9 1 Q / / 1 HOFFMANN ΕΙΤΪ,Ή & PAIiTNER ^ ι J < + ιPAT E N TAN WALTEDR. ING. E. HOFFMANN (193D-Wi) . DIPL.-ING. W. EITLE · DR.RER. NAT. K.HOFFMANN . DIPL.-ING. W. LEHNDIPL.-ING. K.FOCHSLE . DR. RER. NAT. B. HANSEN ARABELLASTRASSE 4 . D-8000 MO NCHEN 81 . TELEFON {089) 911087 . TELEX 05-29619 (PATHE)36 913 o/srnMitsubishi Denki Kabushiki Kaisha, TOKYO / JAPANVerfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen,Patentansprüchefll Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, dadurch gekennzeichnet , daß man folgende Stufen durchführt:Bildung einer polykristallinen Siliziumschicht auf einer isolierenden oder amorphen Schicht; Bestrahlen der polykristallinen Siliziumschicht mit einem Laser- oder Elektronenstrahl unter Veränderung der Kristallschicht;epitaxialem Ausbilden einer Schicht, die hauptsächlich Silizium enthält auf der geänderten polykristallinen Siliziumschicht und
Bestrahlen der epitaxial gewachsenen Schicht und derpolykristallinen Siliziumschicht mit einem Laser- oder Elektronenstrahl unter Veränderung der Kristallstrukturen . - 2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man eine obere Oberfläche der Isolier- oder amorphen Schicht bildet, auf welcher die polykristalline Siliziumschicht mit einem Gitter gebildet wird,
10 - 3. Verfahren gemäß Ansprüchen 1. oder 2, dadurch gekennzeichnet/ daß die Isolierschicht aus Siliziumoxid besteht.
- 4. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß bei der ersten Bestrahlungsstufe die Korngröße der polykristallinen Siliziumschicht vergrößert wird und daß bei der zweiten Bestrahlungsstufe im wesentlichen die epitaxial gebildete Schicht und die polykristalline Siliziumschicht in monokristallines Silizium überführt wird.
- 5. Verfahren gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der Siliziumoxidschicht im Bereich von 1 bis 2 μπι liegt.
- 6. Verfahren gemäß Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolierschicht aus Siliziumnitrid besteht.
- 7. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht im Bereich von 0,1 bis 0,3 pm liegt.
- 8. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die epitaxial gewachsene Schicht in einer SiH^Cl^-Atroosphäre unter vermindertem Druck gebildet wird.
- 9. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der epitaxial gewachsenen Schicht im Bereich von 0,5 bis 1,0 um liegt.
- 10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durch folgende Stufen: Ausbildung einer polykristallinen Siliziumschicht auf einer isolierenden oder amorphen Schicht; Bestrahlen der polykristallinen Siliziumschicht mit einem Laser- oder Elektronenstrahl unter Veränderung der Kristallstruktur derselben; epitaxiale Ausbildung einer Schicht, die hauptsächlich aus Silizium besteht, auf der veränderten polykristallinen Siliziumschicht;Teiloxidation der epitaxial gewachsenen Schicht unter Ausbildung einer Oxidschicht, die sich durch Axe polykristalline Siliziumschicht zu der isolierenden oder amorphen Schicht ausdehnt, wodurch ein nichtoxidierter Teil der epitaxial gewachsenen Schicht von dem restlichen ' Teil derselben elektrisch getrennt wird und Schmelzen und Tempern des nichtoxidierten Teils der epitaxial gewachsenen Schicht und der polykristallinen Siliziumschicht unter dem nichtoxidierten Teil mit einem Laser- oder Elektronenstrahl unter Monokristallisierungder letzteren Schichten. :
- 11. Verfahren gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die obere Oberfläche der Isolier- oder amorphen Schicht, auf welcher die polykristallineSiliziumschicht gebildet wird, mit einem Gitter gebildet wird.
- 12. Verfahren gemäß Ansprüchen 10 oder 11, dadurch g e kennzeichnet, daß die Isolierschicht aus Siliziumoxid besteht.
- 13. Verfahren gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der Siliziumoxid- schicht im Bereich von 1 bis 2 μπι liegt.
- 14. Verfahren gemäß Ansprüchen 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolierschicht aus Siliziumnitrid besteht.
- 15. Verfahren gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht im Bereich von 0,1 bis 0,3 μΐη liegt.
- 16. Verfahren gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die epitaxial gewachsene Schicht in einer SiH2CI2-Atmosphäre unter vermindertem Druck gebildet wird.
- 17. Verfahren gemäß Ansprüchen 10 oder 16, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der epitaxial gewachsenen Schicht im Bereich voi\ 0,5 bis 1,0 μΐη liegt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56079813A JPS6022493B2 (ja) | 1981-05-25 | 1981-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
JP56080565A JPS57196521A (en) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Growing method of crystal |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3219441A1 true DE3219441A1 (de) | 1982-12-16 |
DE3219441C2 DE3219441C2 (de) | 1989-07-20 |
Family
ID=26420813
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823219441 Granted DE3219441A1 (de) | 1981-05-25 | 1982-05-24 | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen |
DE3249777A Expired DE3249777C2 (de) | 1981-05-25 | 1982-05-24 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3249777A Expired DE3249777C2 (de) | 1981-05-25 | 1982-05-24 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4448632A (de) |
DE (2) | DE3219441A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0339741A2 (de) * | 1988-04-28 | 1989-11-02 | ENVEC Mess- und Regeltechnik GmbH + Co. | Verfahren zur Herstellung einer polykristallinen halbleitenden Widerstandsschicht aus Silicium auf einem Siliciumträger |
US4999313A (en) * | 1986-11-07 | 1991-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Preparation of a semiconductor article using an amorphous seed to grow single crystal semiconductor material |
WO1998017831A1 (de) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | FREISTAAT BAYERN, vertreten durch DIE FRIEDRICH-ALEXANDER-UNIVERSITÄT ERLANGEN-NÜRNBERG, diese vertreten durch ihren REKTOR, PROF. DR. JASPER | Verfahren zur veränderung der struktur von dünnen, oberflächennahen materialschichten |
DE10141352A1 (de) * | 2001-08-23 | 2003-06-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiters |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5302230A (en) * | 1980-02-27 | 1994-04-12 | Ricoh Company, Ltd. | Heat treatment by light irradiation |
JPS58115832A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS59195871A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Mos電界効果トランジスタの製造方法 |
JPS59205712A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US4619034A (en) * | 1983-05-02 | 1986-10-28 | Ncr Corporation | Method of making laser recrystallized silicon-on-insulator nonvolatile memory device |
US4592799A (en) * | 1983-05-09 | 1986-06-03 | Sony Corporation | Method of recrystallizing a polycrystalline, amorphous or small grain material |
US4559102A (en) * | 1983-05-09 | 1985-12-17 | Sony Corporation | Method for recrystallizing a polycrystalline, amorphous or small grain material |
JPS59208743A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS59229815A (ja) * | 1983-06-13 | 1984-12-24 | Hitachi Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JPS6089953A (ja) * | 1983-10-22 | 1985-05-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 積層型半導体装置の製造方法 |
JPH0712086B2 (ja) * | 1984-01-27 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | ダイヤフラムセンサの製造方法 |
US4564403A (en) * | 1984-01-27 | 1986-01-14 | Sony Corporation Research Center | Single-crystal semiconductor devices and method for making them |
JPS60202952A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US4719183A (en) * | 1984-10-03 | 1988-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Forming single crystal silicon on insulator by irradiating a laser beam having dual peak energy distribution onto polysilicon on a dielectric substrate having steps |
JPS61121433A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Sharp Corp | 半導体基板 |
US5296089A (en) * | 1985-12-04 | 1994-03-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus |
US5264072A (en) * | 1985-12-04 | 1993-11-23 | Fujitsu Limited | Method for recrystallizing conductive films by an indirect-heating with a thermal-conduction-controlling layer |
US4889583A (en) * | 1985-12-04 | 1989-12-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Capping technique for zone-melting recrystallization of insulated semiconductor films |
US5308594A (en) * | 1985-12-04 | 1994-05-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Edge-heat-sink technique for zone melting recrystallization of semiconductor-on-insulator films |
EP0227076B1 (de) * | 1985-12-20 | 1992-06-17 | Agency Of Industrial Science And Technology | Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen dünnen Schicht |
JPS62206816A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体結晶層の製造方法 |
US4752590A (en) * | 1986-08-20 | 1988-06-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of producing SOI devices |
US4863878A (en) * | 1987-04-06 | 1989-09-05 | Texas Instruments Incorporated | Method of making silicon on insalator material using oxygen implantation |
US4902642A (en) * | 1987-08-07 | 1990-02-20 | Texas Instruments, Incorporated | Epitaxial process for silicon on insulator structure |
US5363799A (en) * | 1987-08-08 | 1994-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for growth of crystal |
US5081062A (en) * | 1987-08-27 | 1992-01-14 | Prahalad Vasudev | Monolithic integration of silicon on insulator and gallium arsenide semiconductor technologies |
US5066610A (en) * | 1987-11-20 | 1991-11-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Capping technique for zone-melting recrystallization of insulated semiconductor films |
US5238879A (en) * | 1988-03-24 | 1993-08-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the production of polycrystalline layers having granular crystalline structure for thin-film semiconductor components such as solar cells |
US5190613A (en) * | 1988-10-02 | 1993-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming crystals |
DE69033736T2 (de) * | 1989-02-14 | 2001-10-25 | Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
SG99827A1 (en) * | 1989-02-14 | 2003-11-27 | Seiko Epson Corp | A method of manufacturing a semiconductor device |
JP2508247B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1996-06-19 | 三菱電機株式会社 | マスクromの製造方法 |
US4972248A (en) * | 1989-05-11 | 1990-11-20 | Syracuse University | Multi-layer circuit structure with thin semiconductor channels |
DE69126228T2 (de) * | 1990-03-24 | 1997-10-09 | Canon Kk | Optische Wärmebehandlungsmethode für Halbleiterschicht und Herstellungsverfahren von Halbleiteranordnung mit solcher Halbleiterschicht |
WO1992004732A1 (en) * | 1990-09-07 | 1992-03-19 | Motorola, Inc. | A field emission device employing a layer of single-crystal silicon |
JPH06140631A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 電界効果型薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP3047656B2 (ja) * | 1993-01-12 | 2000-05-29 | 株式会社村田製作所 | InSb薄膜の製造方法 |
US5456763A (en) * | 1994-03-29 | 1995-10-10 | The Regents Of The University Of California | Solar cells utilizing pulsed-energy crystallized microcrystalline/polycrystalline silicon |
JP3421882B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2003-06-30 | ソニー株式会社 | 多結晶半導体薄膜の作成方法 |
JP3234762B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2001-12-04 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100425462B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | Soi 상의 반도체 장치 및 그의 제조방법 |
EP1326273B1 (de) * | 2001-12-28 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
US6847050B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and semiconductor device comprising the same |
US7202143B1 (en) * | 2003-10-23 | 2007-04-10 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Low temperature production of large-grain polycrystalline semiconductors |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3304403A (en) * | 1963-10-14 | 1967-02-14 | Texas Instruments Inc | Laser welding of contacts |
DE1514288A1 (de) * | 1964-12-11 | 1969-06-12 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen von Halbleitern |
DE1540991A1 (de) * | 1964-11-19 | 1970-02-19 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper |
CH598695A5 (de) * | 1975-01-13 | 1978-05-12 | Rca Corp | |
DE2825212B1 (de) * | 1978-06-08 | 1979-07-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen,intensiven Laserlichtpulses |
DE2535813C2 (de) * | 1975-08-11 | 1980-11-20 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung einkristalliner Schichten aus Halbleitermaterial auf einer elektrisch isolierenden Unterlage |
DE3043676A1 (de) * | 1979-11-22 | 1981-09-17 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitervorrichtungen |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1043569A (en) * | 1964-09-03 | 1966-09-21 | Ferranti Ltd | Improvements relating to the manufacture of semiconductor devices |
US3585088A (en) * | 1968-10-18 | 1971-06-15 | Ibm | Methods of producing single crystals on supporting substrates |
JPS5377169A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-08 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
US4147584A (en) * | 1977-12-27 | 1979-04-03 | Burroughs Corporation | Method for providing low cost wafers for use as substrates for integrated circuits |
US4152182A (en) * | 1978-05-15 | 1979-05-01 | International Business Machines Corporation | Process for producing electronic grade aluminum nitride films utilizing the reduction of aluminum oxide |
US4345967A (en) * | 1980-03-04 | 1982-08-24 | Cook Melvin S | Method of producing thin single-crystal sheets |
-
1982
- 1982-05-21 US US06/380,597 patent/US4448632A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-05-24 DE DE19823219441 patent/DE3219441A1/de active Granted
- 1982-05-24 DE DE3249777A patent/DE3249777C2/de not_active Expired
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3304403A (en) * | 1963-10-14 | 1967-02-14 | Texas Instruments Inc | Laser welding of contacts |
DE1540991A1 (de) * | 1964-11-19 | 1970-02-19 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper |
DE1514288A1 (de) * | 1964-12-11 | 1969-06-12 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen von Halbleitern |
CH598695A5 (de) * | 1975-01-13 | 1978-05-12 | Rca Corp | |
DE2535813C2 (de) * | 1975-08-11 | 1980-11-20 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung einkristalliner Schichten aus Halbleitermaterial auf einer elektrisch isolierenden Unterlage |
DE2825212B1 (de) * | 1978-06-08 | 1979-07-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen,intensiven Laserlichtpulses |
DE3043676A1 (de) * | 1979-11-22 | 1981-09-17 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitervorrichtungen |
Non-Patent Citations (9)
Title |
---|
GB-Z: Solid-State Eclectronics, Bd.17, S.245-249 * |
JP-Z: Japanese Journal of Applied Physics, Vol.19, No.1, 1980, S. L 23 bis L 26 * |
US-Z: Appl. Phys. Letters, 26, 1975, S.569-571 * |
US-Z: Applied Physics Letters, Vol. 38, No.4, 15. Februar 1981, S.248-250 * |
US-Z: Electronics, Bd.37, 19. Oktober 1964, S. 96-101 * |
US-Z: Electronics, May 26, 1977, S.99-104 * |
US-Z: IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd.7, No.3, August 1964, S.224 * |
US-Z: IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED.27, No.1, 1980, S.290-293 * |
US-Z: IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-27, No.3, March 1980, S. 573-578 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4999313A (en) * | 1986-11-07 | 1991-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Preparation of a semiconductor article using an amorphous seed to grow single crystal semiconductor material |
EP0339741A2 (de) * | 1988-04-28 | 1989-11-02 | ENVEC Mess- und Regeltechnik GmbH + Co. | Verfahren zur Herstellung einer polykristallinen halbleitenden Widerstandsschicht aus Silicium auf einem Siliciumträger |
EP0339741A3 (de) * | 1988-04-28 | 1991-03-27 | ENVEC Mess- und Regeltechnik GmbH + Co. | Verfahren zur Herstellung einer polykristallinen halbleitenden Widerstandsschicht aus Silicium auf einem Siliciumträger |
WO1998017831A1 (de) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | FREISTAAT BAYERN, vertreten durch DIE FRIEDRICH-ALEXANDER-UNIVERSITÄT ERLANGEN-NÜRNBERG, diese vertreten durch ihren REKTOR, PROF. DR. JASPER | Verfahren zur veränderung der struktur von dünnen, oberflächennahen materialschichten |
DE10141352A1 (de) * | 2001-08-23 | 2003-06-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiters |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3249777C2 (de) | 1989-04-20 |
DE3219441C2 (de) | 1989-07-20 |
US4448632A (en) | 1984-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3219441A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
DE2808257C3 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE3888883T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen isolierenden Schicht in einem Halbleitersubstrat durch Ionenimplantation und Halbleiterstruktur mit einer solchen Schicht. | |
DE4229628C2 (de) | Halbleitereinrichtung mit Stapelstruktur und Verfahren zur Herstellung einer solchen | |
DE3587238T2 (de) | Planarisierungsverfahren fuer halbleiter und nach diesem verfahren hergestellte strukturen. | |
DE112016002170T5 (de) | Verfahren zum Herstellen von Diamant/Halbleiter Verbundsubstraten | |
DE1933690A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von Einkristallen auf Traegersubstraten | |
DE3108146C2 (de) | ||
DE2030805A1 (de) | Verfahren zur Ausbildung epitaxialer Kristalle oder Plattchen in ausgewählten Bereichen von Substraten | |
DE102019111985A1 (de) | Verfahren zum herstellen von siliziumcarbid-vorrichtungen und wafer-verbund, der mit laser modifizierte zonen in einem handhabungssubstrat enthält | |
DE1564191B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung mit verschiedenen, gegeneinander und gegen ein gemeinsames siliziumsubstrat elektrisch isolierten schaltungselementen | |
DE3231671C2 (de) | ||
DE2615438A1 (de) | Verfahren zur herstellung von schaltungskomponenten integrierter schaltungen in einem siliziumsubstrat | |
DE2409910B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE2758283C2 (de) | Verfahren zur Herstellung voneinander isolierter Halbleiterschaltungen | |
DE102004031743A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Epitaxieschicht für erhöhte Drain-und Sourcegebiete durch Entfernen von Oberflächendefekten der anfänglichen Kristalloberfläche | |
DE3525550A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feldeffekttransistoren mit isoliertem gate und hoher ansprechgeschwindigkeit in integrierten schaltungen hoher dichte | |
DE2738961A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung mit luftisolation | |
DE112006000558T5 (de) | Schmale Halbleitergrabenstruktur | |
WO1999016125A1 (de) | Verfahren zur ausbildung einer grabenstruktur in einem siliziumsubstrat | |
DE1539853A1 (de) | Integrierte elektronische Halbleiterschaltung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2059116A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
DE69114162T2 (de) | Verfahren zum Züchten eines Kristalls. | |
DE1621532A1 (de) | Praezisionsaetzung von Halbleiterbauelementen | |
DE60216646T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Substrats und integrierter Schaltkreis mit einem solchen Substrat |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OR8 | Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 3249712 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 3249712 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 3249777 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 3249777 |
|
AH | Division in |
Ref country code: DE Ref document number: 3249777 Format of ref document f/p: P |
|
AH | Division in |
Ref country code: DE Ref document number: 3249777 Format of ref document f/p: P |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |