DE1933690A1 - Verfahren zur Erzeugung von Einkristallen auf Traegersubstraten - Google Patents

Verfahren zur Erzeugung von Einkristallen auf Traegersubstraten

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Description

IBM Deutschland internationale Büro-Maschinen Gesellschaft mbH
Böblingen,-13. Juni I969 ru-rz
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin: Docket PI 968 011
Verfahren zur Erzeugung von Einkristallen auf Trägersubstraten
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Dünnfilmen, insbesondere ein Verfahren zur selektiven Rekristallisierung von Dünnfilmen aus polykristallinem oder amorphem Material.
Bei der bekannten Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere integrierten Schaltkreisen mit Halbleitern, werden sowohl aktive als auch passive Elemente voneinander isoliert in einem Monokristallplättchen aus Halbleitermaterial hergestellt. Das Ausgangsplättchen des Monokristalls wird aus einem länglichen Monokristall hergestellt 0 Die einzelnen Halbleiterplättchen werden dann nacheinander geläppt und poliert. Die verschiedenen Fabrikat ionsschritte, die zur Erzeugung einer integrierten Halbleiteranordnung führen» beinhalten das epitaktische Aufbringen einer Schicht, die Maskierung der Oberfläche, die selektive Ätzung» selektive Diffusionen, Oberflächenoxydationen und das Verbinden mit verschiedenen Anschlußpunkten.
Die Formierung der monokristallinen Halbleiterplättehen ist relativ zeitaufwendig und sehr teuer und erfordert außerdem sehr teure Spezialpräzisionsvorrichtungen. Außerdem enthalten alle bisher bekannt gewordenen Verfahren zur Diffusion und Isolation mehrere Operationen die für eine Automation des gesamten Prozesses ungeeignet sind. Um die Kosten der integrierten Schaltkreise auf monolithischer Basis zu verringern, ist es erforderlich, daß die Bildung von monokristallinen Bereichen auf Substraten, insbesondere aus isolierendem Material» mit neuen Technologien hergestellt werden. Man hat deshalb schon versucht, das Ausgangsplättchen bei Pestkörperschaltkreisen zu vermeiden. Zu diesem Zwecke hat man versucht, die Einkristalle aus Halbleitermaterialien aus im wesentliclf^flachen und dünnen Körpern auf einem Substrat, wie Glas oder Graphit, herzustellen. Diese Prozesse benötigen aber Wärmeeinwirkungen, wodurch die Materialien, die das Halbleitermaterial enthalten, reduziert oder zerstört werden. Das Halbleitermaterial soll aber im monokristallenen Zustand auf das Substrat aufgebracht werden. Um das Aufwachsen der Kristalle und die Kernbildung zu fördern, wurden verschiedene Verfahren angewendet, die Silber und Aluminium zur Aktivierung benutzen. Diese Verfahren und die erforderlichen Apparaturen zur Ausführung haben jedoch den Nachteil, daß sie wesentlich zu aufwendig und zu umständlich für eine kommerzielle Verwendung sind oder es ist nicht möglich, mit ihnen Einzelkriötalle zu erzeugen, die die erforderliche Qualität zu der Fabrikation von Halbleiteranordnungen aufweisen.
Es ist weiterhin bekannt, einzelne Filmkristalle mit Hilfe des epitaktischen AufWachsens zu erzeugen. Die beschriebenen Verfahren eignen sich allerdings nur zum Aufwachsen von einzelnen Dünnfilmkristallen auf monokristallinen oder amorphen Substraten. Es ist jedoch auch bekannt, einen Film von kristallinem Material, der eine willkürliche mikrokristalline Struktur aufweist, auf amorphe Substrate aufzubringen, indem eine bestimmte Stelle aus-
Docket FI 968 011 0ÖS818/U58
gewählt wird und dort ein Keim gebildet wird, von dem aus der Einzelkristallflta wächst»daß der ausgewählte Keim einer Wärme ausgesetzt wird, und daß die Wärme so erhöht wird, daß ein Schmelzen des Filmes im Bereich des ausgewählten Fleckchens auftritt. Als Erhitztungsquelle kann z.B. ein Elektronenstrahlapparat verwendet werden. In der üS-Patentschrift 3 335 O38 ist eine weitere Methode beschrieben worden, mit deren Hilfe dünne Filme vom kristallinen Material auf Substraten wie Polykristallinen aufgebracht werden können. Das resultierende Substrat wird dann bei einer Temperatur des Schmelzpunktes des Filmes für eine Zeit erhitzt, bis der Film schmilzt und danach wird der Film bei einer Temperatur von 20°- 10O0C unterhalb des Schmelzpunkts abgekühlt, wodurch der Film erstarrt. Der Kristallfilm wird deshalb erhitzt, um Gruppen von großen dünnen homogenen Monokristallen zu erzeugen.
Der Verwendungsbereich dieser Methode ist allerdings sehr beschränkt, da das Substrat einen höheren Schmelzpunkt als der Film, der zu schmelzen ist, haben muß. Außerdem ist die Besfimmung der Struktur des Kristalls nicht mit dieser Methode, möglich.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Erzeugung orientierter Kristalloberflächen in kristallinen Filmen auf amorphen oder polykristallinen Substraten, ohne nochmaliges Schmelzen des Filmes zu schaffen.
Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe besteht in einem Verfahren, das dadurch charakterisiert ist, daß auf ein Substrat ein Film aus kristallisierbarem Material niedergeschlagen wird, daß daaach ausgewählte Teilchen des Filmes mit einem pulsierenden Laserstrahl bestrahlt werden, wodurch eine Formierung dünner Monokristalle auf dem kristallisierenden Material entsteht.
Durch die Anwendung des gepulsten Laserstrahls zur Formierung
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Docket FI 968 011
der dünnen Einzelkristalle ergeben sich große technologische Vorstelle, da die verschiedenen Schmelzpunkte des Substrats und des zu kristallierenden Filmes eine völlig untergeordnete Rolle spielen und eine sehr schnelle und billige Einzelkristallisierung des Filmes möglich ist. Durch die Bestrahlung mit einem Laserstrahl können die Eigenschaften eines jeden Einzelkristalls äußerst genau bestimmt werden, was bisher nicht möglich war.
Die Erfindung wird nun anhand von in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher beschrieben.
Die Fign. 1 und 2 zeigen vergrößerte Ansichten im Schnitt von in
verschiedenen Stufen des Formprozesses hergestellten homogenen Monokristallen in einem Dünnfilm, der auf ein Substrat aufgebracht wurde,
Fig. 3 zeigt die Draufsicht auf den Film in Fig. 2,
Fign. 4, 5j 6 + 7 zeigen Schnitte eines monokristallinen Films aus
Halbleitermaterial auf einem Substrat in verschiedenen Verfahrensschritten und
Fig. 8 ist eine Ansicht, die' das Niederschlagen einer
Epitaxieschicht auf eine rekristallisierte und gedopte Region des Filmes zeigt.
Die in Fig. 1 gezeigte Anordnung besteht aus einem Substrat 12 aus Isoliermaterial und einem darauf aufgebrachten Dünnfilm 10 aus amorphem oder polykristallinem Material. Für den Dünnfilm 10 können alle Metalle, die die Anforderung an den Film erfüllen oder Halbleitermaterialien verwendet werden. Typische Metalle sind Aluminium, Kupfer usw. Typische Halbleitermaterialien sind Silizium, Germanium, Gallium-Arsenit, Indium, Antimon, Kaflnium-Sulfit oder ähnliche Materialien.
Docket FI 968 011 009818/U58
Der Dünnfilm 10 aus amorphem oder polykristallinem Material kann auf das Substrat 12 durch bekannte Methoden, wie z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäuben oder ähnliches aufgebracht werden. Z.B. kann ein Siliziumfilm durch eine thermische Reduktion niedergeschlagen werden, indem die Temperatur von Tri-Chlor-Silan (SIH CL,) oder Silizium-Tetra-Chlorid (SiCL^) mit Wasserstoff, die pyrolithische Zusammensetzung von Silan (SiH2.) oder Halogenid, wie z.B. Silizium-Tetra-Jodid (SiH2.) erhöht wird. Eine Mischung von Tri-Chlor-Silan-Dampf mit Wasserstoff als Träger wird über die Oberfläche des Substrats 12 hinweggeführt unter Anwendung einer hohen Temperatur in einer Reaktionskammer, die nicht dargestellt ist. Der Dampf zersetzt sich und schlägt Siliziumionen nieder, die bei der angewendeten Temperatur genügend ' beweglich sind und eine Gleichgewichtsgitterlage auf dem Substrat 12 einnehmen. Diese Atome formen zusammen den Film 10. Wie bereits gesagt, ist das Substrat 12 entweder ein polykristallines oder ein amorphes Material und der Siliziumfilm kann ebenfalls ein polykristallines oder amorphes Material mit derselben bzw. kleineren Korngröße sein wie das Substrat. Wenn erforderlich, kann der Halbleiterfilm 10 Spuren von Dotierungsmaterial des N-bzw. P-Typs enthalten. Dieses Material kann, wenn erforderlich, während des Niederschiagens des .Films eingebracht werden.
Die Dicke des Filmes 10 kann dabei je nach den jeweiligen Erfordernissen variieren. Wenn z.B. das Filmmaterial Metall ist, liegt die Dicke des Filmes bei 1 u* Besteht der Film 10 dagegen aus Halbleitermaterial, dann kann die Dicke zwischen 1 und 10 μ liegen. Wie noch später beschrieben wird, beeinflußt die Dicke des Filmes 10 direkt die Rekristallisation.
Das Substrat 12 kann ein bekanntes Isoliermaterial sein, dessen Schmelzpunkt oberhalb des Schmelzpunktes des Dünnfilms 10 liegt. Typische Materialien, die als Substrat 12 verwendet werden können, sind; :: ; >>.-; ;. -..
Docket FI 968 011 00981 8/U 58
Aluminiumoxyd, Siliziumdioxyd.» Siliziumnitrid, Siliziumkarbid, Kohlenstoff in reiner Form, wie Diamanten, Rubine usw. Es soll noch darauf hingewiesen werden, daß selbstverständlich kein Material für das Substrat verwendet wird, das bei höheren Temperaturen eine Dotierungsaktion im Film hervorruft. Die Oberfläche des Substrates 12, auf dem der Film 10 niedergeschlagen wird, ist normal poliert, so daß eine einwandfreie Oberfläche vorhanden ist.
Der nächste Schritt der Formierung vom monokristallinen Film ist aus Fig. 2 zu ersehen. Ein ausgewählter Teil des Filmes 10 wird mit einem pulsierenden Laserstrahl 14 bestrahlt. Durch die Bestrahlung des Filmes 10 mit einem gepulsten Laserstrahl wird eine Kristallisation erzielt, die hauptsächlich durch die durch die Gitterschwingungen hervorgerufene Energie verursacht wird. Wenn die Energie des Laserstrahls IH entsprechend bemessen ist, .dann tritt die Kristallisation ohne ein Verdampfen des Filmes ein.
Die Wellenlänge des Laserstrahls Ik wurde so festgelegt, daß die Strahlenergie durch den Film absorbiert wird, aber nicht materiell absorbiert durch das Substrat 12. Dadurch wird eine Eigenbeheizung des Filmes hervorgerufen und eine nachfolgende Aufheizung des Substrats durch die direkte Verbindung des Filmes mit dem Substrat. Aus diesem Grunde muss das Material des Substrats mittleren Temperaturen, wie z.B. bis zu 600°C, widerstehen können, ohne daß irgendein Dotiereffekt im Film 10 auftritt. Wenn die Energie des Laserstrahls zu hoch ist, dann wird der Film 10 schmelzen oder im Extremfalle völlig zerstört werden. Wenn die Dicke des Filmes 10 eine bestimmte Grenze überschreitet, wird der Film 10 geschmolzen oder verdampft und der Hauptteil der Strahlungsenergie wird durch den oberen Teil des Filmes absorbiert, ohne den unteren Teil zu erhitzen. Wird die Filmfläche 10.unter Idealbedingungen mit dem gepulsten Laserstrahl bestrahlt, dann erfolgt der Rekristallisierungsprozeß und die Docket FI 968 011 009 818 /1 A 5 8
- 7 überflüssige Energie wird über das Substrat 12 abgestrahlt.
Ein typischer Laser, der zur praktischen Realisierung der vorliegenden Erfindung angewendet werden kann, ist z.B. ein Rubin-Laser mit einer Wellenlänge von 6,280 S und einer Energie kleiner einem Joule pro Impuls. Um die erforderliche Energiedichte im Film zu erreichen, kann der Strahl fokusiert, defokusiert und über Filter geschickt werden bzw. der Energiebereich sogar gesteuert werden. In Fig. 3 ist eine Draufsicht auf einen Monokristall dargestellt, der mit Hilfe der erfindungsgemäßen Technik, die in Fig. 1 und 2 dargestellt ist, hergestellt wurde. Wie dargestellt, zeigt der bestrahlte Bereich des Films 10 einen Monokristall oder eine Reihe von Monokristallen, die als orientierte Kristalloberfläche beschrieben werden können. Der Film 10 aus polykristallinem oder amorphem Material mit rekristallisierten Bereichen ist zum Zwecke der besseren Illustration mit einer vergrößerten Kornstruktur in Fig. 3 dargestellt. Im allgemeinen kann gesagt werden, daß jedes Material eine bevorzugte Oberflächenausrichtung besitzt. In den nachfolgend im einzelnen beschriebenen Fign.- 4, 5j 6 und 7 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt. In Fig. 4 ist eine Schicht -10 aus polykristallinem- oder amorphem Material, das auf ein Substrat 12 niedergeschlagen wurde, dargestellt. Der Film 10 und das Substrat 12 sind in derselben Weise präpariert wie es im Zusammenhang mit der Fig. 1 beschrieben wurde. Mit Hilfe dieses Ausführungsbeispißls des erfindungsgemäßen Verfahrens können dotierte monokristalline Bereiche in einem Dünnfilm hergestellt werden. Wie aus Fig. 5 zu ersehen ist, ist auf einer Glasplatte 20 ein sehr dünner Bereich -von Dotierungsmaterial 22 niedergeschlagen, die in einem bestimmten räumlichen Verhältnis zum Film 10 und in direktem Kontakt hiermit steht. Das Dotierungsmaterial kann entweder vom P- oder vom N-Typ sein und in bekannter Art und Weise aufgebracht werden. Wenn erforderlich, kann auch die Oberfläche der Platte 20 anstelle der Bereiche, die in Fig. 5 zu sehen sind, mit Dotie-
Docket FI 968 011 009818/1A58
- 8 rungsmaterial überzogen werden.
In Fig. 6 ist dargestellt, wie die in Fig. 5 dargestellte Anordnung mit Laserimpulsen Ik bestrahlt wird. Der Laserstrahl ist dabei auf denllokalisierten Film 22 aus Dotierungsmaterial gerichtet. Das aus diesem Prozeß entstehende Produkt ist in Fig. 7 dargestellt, wo klar zu sehen ist, daß jetzt dotierte monokristalline Bereiche 2k im Film 10 vorhanden sind.
Das in den Figuren k bis 7 dargestellte Ausführungsbeispiel bezieht sich auf eine Glasplatte oder ein anderes ausgewähltes
Material, das die Energie des Laserstrahls nicht wesentlich absorbiert. Vorzugsweise sollte die Schicht des Dotierungsmaterials 22 relativ dünn sein, um die Energie des Laserstrahls Ik nicht zu
einem Teil zu absorbieren und damit die Energie des Laserstrahls zu schwächen. Die mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens gewonnenen Anordnungen können auf die verschiedenste Art und Weise verwendet werden. Wenn z.B. der monokristalline Film 10 ein Halbleitermaterial ist, kann eine nachfolgende Diffusion in einer
monokristallinen Ausgangsregion entweder durch eine konventionelle Diffusion oder durch den eben beschriebenen Diffusionsprozeß mit einem Laserstrahl erfolgen. Wie alternativ in Fig. 8 gezeigt, kann eine Schicht 26 aus Halbleitermaterial auf der Oberfläche der monokristallinen Bereiche aufgebracht werden.
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Die Bereiche 27 im Film 26 über den monokristallen Bereichen 24 sind von epitaxialer Natur und haben im allgemeinen eine monokristalline Gitterstruktur wie die Bereiche 24. Die Bereiche 28 des Filmes 26 sind polykristallin oder amorph. Um Halbleiterelemente herzustellen, können in den sich ergebenen Bereichen 27 des Filmes 26 Diffusionen durchgeführt werden. Derartige Halbleiterelemente sind elektrisch voneinander isoliert durch das darunterliegende Substrat 12 'und die amorphe oder polycristalline Unterteilung der Filme 10 und 26. Die ursprünglich geformten Bereiche im Film 10 können mit einer höheren Konzentration als die Epitaxieschicht dotiert werden und sie können als überdeckte Subkollektoren benutzt werden, wenn es erforderlich ist.
Nachfolgend werden einige Ausführungsbeispiele angegeben, anhand deren insbesondere das erfindungsgemäße Verfahren näher erklärt wird.
Beispiel 1:
Auf ein mit S1O2 überzogenes Siliziumplättchen wird in einem Vakuumverdampfungsapparat eine Aluminiumschicht mit einer Dicke von 300 2 aufgebracht. Nach dem Aufbringen wird durch substraktives Ätzen des Aluminiumfilms ein hanfcelförmiges Testmuster erzeugt. Die dabei entstehenden Aluminiumbahnen-Dimensionen sind 0,02*0,001 mm. Die so entstandene Anordnung wird dann so positionierts daß das Zentrum der Aluminiumbahnen als Ziel eines gepulsten Laserstrahls dient. Danach wird der Film bei Raumtemperatur mit einem Laserstrahl bei sehr geringer Leistung bestrahlt. Nach der Bestrahlung wurde diese Anordnung visuell geprüft. Es wurde festgestellt, daß eine lokale Schmelzung und Verdampfung des Filmes nur in dem bestrahlten Bereich aufgetreten ist. Der bestrahlte Bereich hat einen Durchmesser von ca. .50 u. Die dabei aufgebrachte Energie pro Einheitsfläche war dabei 5S1 · 102 Joule pro cm2. Es
Docket FI g60 Oil
U "S
- ίο -
wurde gefunden, daß für die Dicke des Filmes die Energie in dem bestrahlten Bereich zu hoch war, um eine effektive Korngröße zu erzeugen. Es wurde weiterhin gefunden, daß relativ dünne Filme keinen Leistungsverlust der Bestrahlungsenergie hervorrufen.
Beispiel 2:
Auch hier wird wieder auf ein Siliziumplättchen, das mit einer SiOg-Schicht überzogen ist, in einem Hochvakuumverdampfungsgerät eine Aluminiumschicht mit einer Dicke von 5000 S aufgebracht. Danach wurde wieder das hanteiförmige Muster eingeätzt und die Anordnung wieder mit einem gepulsten Laserstrahl entsprechend dem vorherigen Beispiel bestrahlt. Der Zweck dieses Tests war, den möglichen Energiebereich des Laserstrahls bei einer Filmdicke von 5000 Ä zu bestimmen. Der Film wurde dabei an verschiedenen Bereichen mit einer Energie, die im Bereich von 0,01 Joule bis 0,035 Joule lag und in Schritten von 0,005 Joule bestrahlt. Die aufgewendete Energie pro Einheitsbereich lag zwischen 5,1 * 102 bis 1,8 · 10* Joule pro cm2. Nach jeder Bestrahlung wurde der bestrahlte Gegenstand visuell geprüfte Bei diesem Test konnte kein Schmelzen festgestellt werden. Daraus folgte, daß der Operationsenergiebereich des Laserstrahls zur Bestrahlung eines Aluminiumfilms mit einer Dicke von 5000 S von O5Ol bis 0,025 Joule liegt. Die entsprechende Energie für den Einheitsbereich liegt zwischen 5,1 · 102 bis 1,28 · 103 Joule pro cm2.
Beispiel 3-
Als Ausgangsanordnung wird hier wieder ein mit 5000 Ä aluminiumüberzogenes Siliziumplättchen, in das hanteiförmige Testmuster eingeätzt sind, verwendet. Diese Anordnung wird wiederum mit einem Laserstrahl mit einer Energie von 0,025 Joule im Zentrum der Aluminiumbahnen bestrahlt. Der bestrahlte Bereich wies dabei einen Durchmesser von 50 u auf. Eine durchgeführte Untersuchung im
009818/U58
Docket FI 968 011
- ii -
Elektronenmikroskop ergabt daß die Korngröße der bestrahlten Bereiche in der Größenordnung von 10 bis 20 u liegt. Im Gegensatz dazu liegt die Korngröße der Bereiche, die die bestrahlten Bereiche unmittelbar umgeben, in der Größenordnung von 1 μ. Dieser enorme Wechsel der Korngröße ist von größtem Interesse.
Nach diesem Test wurde die Anordnung mit Aluminiumkontakten versehen, um eine elektrische Verbindung zu dem Muster herstellen · zu können. An diese Verbindung wurde eine Konstantgleichstromquelle angeschlossen* um eine maximale Stromdichte von 0,6 · 10
Ampere pro cm in den Aluminiumbahnen zu erreichen. Die Aluminiumbahnen wurden dabei auf einer konstanten Temperatur von 1500C gehalten. Der anschließende Test zeigt, daß die bestrahlten Bereiche des Filmes einen wesentlich höheren Widerstand aufweisen als die nicht bestrahlten Bereiche.
Beispiel 4:
Hier wurde mit Hilfe der Kathodenzerstäubung auf ein kristallines Siliziumplättchen, das als Substrat dient ein amorpher Siliziumfilm mit einer Dicke von 1 u aufgebracht. Der amorphe Siliziumfilm wurde dann-mit einem dünnen Phosphorfilm, der eine Dicke bis zu 2000 8 aufwies, überzogen. Die so entstandene Anordnung wurde wiederum einem Laserstrahl ausgesetzt. Der Film wurde dabei verschieden lang an verschiedenen Bereichen mit verschiedenen Energiebereichen, die zwischen 2 und 30 Millijoule lagen, bestrahlt. Nach der Bestrahlung des Versuchsmusters wurde wiederum eine visuelle Inspektion der bestrahlten Bereiche vorgenommen. •Dabei wurde gefunden, daß dort, wo der Energiebereich zwischen 2 und 5 Joule lag, Dioden erzeugt wurden, woraus klar folgt, daß an diesen Stellen eine Kristallisation vom amorphen Siliziumfilm stattgefunden hat.
Docket FI 968 011 009818/1 A 58

Claims (6)

  1. - 12 -
    F A T Έ N T. A N S P R UCHE
    !./Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Dünnfilmen, insbesondere zur selektiven Rekristallxsierung von Dünnfilmen, aus polykristallinem oder amorphem Material, dadurch gekennzeichnet, daß auf ein Substrat ein Film aus kristallisierbarem Material niedergeschlagen wird, daß danach ausgewählte Bereiche des Films mit einem pulsierenden Laserstrahl bestrahlt werden, wodurch eine Formierung dünner Monokristalle auf dem kristallisierenden Material entsteht.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der vor dem Bestrahlen mit dem pulsierenden Laserstrahl niedergeschlagene kristallisierbare Film aus Halbleitermaterial besteht.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des niedergeschlagenen kristallisierbaren Films im Bereich von 1-10 μ liegt.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der vor dem Bestrahlen mit dem Laserstrahl niedergeschlagene kristallisierbare Film aus einem Metall besteht.
  5. 5· Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß oberhalb der zu bestrahlenden Bereiche des aufgebrachten Dünnfilms eine Epitaxieschicht aus Halbleitermaterial aufgebracht ist.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für den niederzuschlagenden Film Aluminium verwendet wird.
    7· Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß in einem oder mehreren Schritten eine Dicke von 5000 Ä von Aluminium
    0 0 9 8 1 8 / U 5 8
    Docket FI 968 011
    - 13 -■;■"■
    auf das Substrat niedergeschlagen wird.
    Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7S dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsenergie des Laserstrahls zur Rekristallisation der Mikrokristalle des kristallisierenden Materials im Be-
    p "2 Ο
    reich von 5,1 * 10 bis 1,28 · ICK Joule pro cm liegt.
    Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Silizium als Halbleitermaterial für den niederzuschlagenden Film eine Dicke im Bereich von l-lo μ in
    einem Prozeßschritt oder in mehreren Prozeßschritt aufgebracht wird.
    009 818/US8
    Docket PI 968 011
    Leerseite
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