DE1540991A1 - Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper

Info

Publication number
DE1540991A1
DE1540991A1 DE1965N0027659 DEN0027659A DE1540991A1 DE 1540991 A1 DE1540991 A1 DE 1540991A1 DE 1965N0027659 DE1965N0027659 DE 1965N0027659 DE N0027659 A DEN0027659 A DE N0027659A DE 1540991 A1 DE1540991 A1 DE 1540991A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
band gap
parts
electromagnetic radiation
photon energy
transition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1965N0027659
Other languages
English (en)
Inventor
Van Ruyven Lodewijk Johan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1540991A1 publication Critical patent/DE1540991A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/001—Joining in special atmospheres
    • B29C66/0012—Joining in special atmospheres characterised by the type of environment
    • B29C66/0016—Liquid environments, i.e. the parts to be joined being submerged in a liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/14—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation
    • B29C65/1429—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation characterised by the way of heating the interface
    • B29C65/1435—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation characterised by the way of heating the interface at least passing through one of the parts to be joined, i.e. transmission welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/14—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation
    • B29C65/16—Laser beams
    • B29C65/1629—Laser beams characterised by the way of heating the interface
    • B29C65/1635—Laser beams characterised by the way of heating the interface at least passing through one of the parts to be joined, i.e. laser transmission welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/001—Joining in special atmospheres
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/001—Joining in special atmospheres
    • B29C66/0012—Joining in special atmospheres characterised by the type of environment
    • B29C66/0014—Gaseous environments
    • B29C66/00143—Active gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01—General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/03—After-treatments in the joint area
    • B29C66/034—Thermal after-treatments
    • B29C66/0342—Cooling, e.g. transporting through welding and cooling zone
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/70—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material
    • B29C66/73—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the intensive physical properties of the material of the parts to be joined, by the optical properties of the material of the parts to be joined, by the extensive physical properties of the parts to be joined, by the state of the material of the parts to be joined or by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/14—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation
    • B29C65/16—Laser beams
    • B29C65/1603—Laser beams characterised by the type of electromagnetic radiation
    • B29C65/1612—Infrared [IR] radiation, e.g. by infrared lasers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/14—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation
    • B29C65/16—Laser beams
    • B29C65/1603—Laser beams characterised by the type of electromagnetic radiation
    • B29C65/1612—Infrared [IR] radiation, e.g. by infrared lasers
    • B29C65/1616—Near infrared radiation [NIR], e.g. by YAG lasers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/14—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation
    • B29C65/16—Laser beams
    • B29C65/1603—Laser beams characterised by the type of electromagnetic radiation
    • B29C65/1612—Infrared [IR] radiation, e.g. by infrared lasers
    • B29C65/1619—Mid infrared radiation [MIR], e.g. by CO or CO2 lasers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/001—Joining in special atmospheres
    • B29C66/0012—Joining in special atmospheres characterised by the type of environment
    • B29C66/0014—Gaseous environments
    • B29C66/00141—Protective gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01—General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/02—Preparation of the material, in the area to be joined, prior to joining or welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01—General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/02—Preparation of the material, in the area to be joined, prior to joining or welding
    • B29C66/024—Thermal pre-treatments
    • B29C66/0242—Heating, or preheating, e.g. drying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01—General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/02—Preparation of the material, in the area to be joined, prior to joining or welding
    • B29C66/026—Chemical pre-treatments
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2705/00—Use of metals, their alloys or their compounds, for preformed parts, e.g. for inserts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0003—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B29K2995/0005—Conductive
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/049—Equivalence and options
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/072—Heterojunctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/093—Laser beam treatment in general

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Description

N.V.Philips'Orloeilampenfabrieken
Abschrift
"Verfahren zur Herstellung eines Körpers mit einem Übergang zwischen zwei verschiedenen Materialien, insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Körper".
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Körpers mit einem Übergang zwischen mindestens zwei miteinander verbundenen Körperteilen aus verschiedenen Materialien, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiterkörpers oder einer Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper mit einem Übergang zwischen zwei verschiedenen Materialien. Die Erfindung betrifft weiter den Körper bzw. Halbleiterkörper oder die Halbleitervorrichtung, der (die) durch dieses Verfahren hergestellt ist.
Es stellt sich häufig die Aufgabe, zwei Materialien durch einen praktisch schroffen Übergang miteinander zu verbinden, insbesondere,bei Halbleitern, z.B. wenn zwei Halbleitermaterialien mit verschiedenen Bandabständen durch die sogenannten "Hetero"-Übergänge mit bestimmten, günstigen gleichrichtenden, oder photo-elektrischen Eigenschaften miteinander verbunden werden sollen.
Es ist bereits vorgeschlagen worden, zwei oder mehr Halbleitereinkristalle verschiedenen Leitfähigkeitstyps durch den Durchgang eines elektrischen Stroms zusammenzuschweißen, aber in der Praxis ergab es sich, daß dieses Verfahren im
PHN- 577
Br· 00 9 808/0629 " 2 "
Vergleich zu anderen Verfahren derartige Nachteile hatte, daß es in der Praxis nicht durchgeführt wurde. Außerdem beschränkt sich die Anwendbarkeit auf Körper mit einem beschränkten Bereich elektrischer Leitfähigkeit.
Moderner sind bekannte Verfahren, bei denen der Übergang dadurch erhalten wird, daß man auf einer Unterlage des einen Materials das andere entweder aus der Dampfphase oder durch Aufschmelzen des Materials mit dem niedrigeren Schmelzpunkt anwachsen läßt. Diese Verfahren haben den Nachteil, daß zur Herstellung des Übergangs und der Verbindung das Material auf einer Seite des Überganges vollständig über die Gasphase oder aus der Schmelze auf dem anderen Material, oft in der einkristallinen Form erhalten werden muß; dies ist meistens ein Prozeß längerer Dauer und/oder ein schwer kontrollierbarer Vorgang. Außerd'em muß das Material der Unterlage meistens während längerer Zeit auf eine hohe Temperatur erhitzt werden.
Die Erfindung bezweckt unter anderem, ein einfaches Verfahren anzugeben, bei dem die vorerwähnten Nachteile oder Beschränkungen in erheblich geringerem Maße auftreten.
Der Erfindung unterliegt unter anderem die Erkenntnis, daß die miteinander zu verbindenden Materialien erheblich verschiedene Absorptionskonstanten für elektromagnetische Strahlung aufweisen, z.B. wie oft bei Halbleitern der Fall ist, infolge des Unterschieds zwischen den Bandabständen und daß dies in dem Sinne benutzt werden kann, daß elektromagnetische Strahlung durch das Material mit geringer Absorption auf die Grenzfläche zwischen den Materialien gerichtet wird, wobei durch selektive Absorption in dem Material mit der höheren Absorptionskonstante in der unmittelbaren Nähe der Grenzfläche Bedingungen erzeugt werden können, z.B» eine Temperaturerhöhung, eine Druckerhöhung und/oder kräftige,
009808/0629" - 3 -
örtliche, elektromagnetische Felder, welche den gewünschten Übergang und die Verbindung herstellen können.
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Körpers mit einem Übergang zwischen mindestens zwei miteinander verbundenen Körperteilen aus verschiedenen Materialien, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiterkörpers bzw. einer Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper mit einem Übergang zwischen zwei verschiedenen Materialien wird daher gemäß der Erfindung ein erster Teil aus dem einen Material mit einem zweiten Teil aus einem anderen Material mit erheblich höherer Absorptionskonstante für elektromagnetische Strahlung in einem bestimmten Frequenzbereich in Berührung gebracht, wobei elektromagnetische Strahlung mit einem solchen Frequenzbereich, daß sie durch das andere Material in erheblich höherem Maße absorbiert wird, durch den ein Teil mit geringerer Absorptionskonstante auf die Grenzfläche zwischen den beiden Teilen eingestrahlt wird, und durch praktisch selektive Absorption in dem anderen Material in der Nähe der Grenzfläche eine Verbindung und ein Übergang zwischen den beiden Teilen durch lediglich örtliche Verschmelzung der Teile in der Nähe der Grenzfläche hergestellt wird» Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung besteht somit darin, daß es in einfacher Weise möglich ist, die Energieübertragung vorwiegend an derjenigen Stelle zu lokalisieren, wo die Verbindung und der Übergang erwünscht werden, d.h. an der Grenzfläche.
Je größer der Unterschied zwischen den Absorutionnkonstanten, umso besser ist die selektive Absorption und die Örtliche Zusammenschmelzung in der Nähe der Grenzfläche, wobei außerdem die direkte Erhitzung auf einen geringen Abstand von der Grenzfläche beschränkt werden kann. Es sei in dieser Hinsicht bemerkt, daß unter der Absorptionskonstante eines Materials hier wie üblich der Reziprokwert des Abstandes verstanden wird, über den die Intensität einer auf die Oberfläche eines
808/062 9' - 4 -
Materials fallenden Strahlung durch /bsorptiön in dem Material unter der Oberfläche bis zu 1/e des Wertes an der Oberfläche abgenommen hat (e ist dabei die Basis der natürlichen Logarithmen). Diese Absorptionskonstante ist für ein bestimmtes Material bekanntlich oft eng abhängig von der Wellenlänge der Strahlung.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung wird ein gerichtetes Bündel elektromagnetischer Strahlung eingestrahlt, die von einem optischen Maser oder Laser stammt, der unter anderem in "Electronic Technology" Nr. 39, 3, Seiten 86-94, März 1962, beschrieben ist. Der Vorteil der Anwendung eines Lasers liegt unter anderem darin, daß die Intensität der erzeugten Strahlung hoch sein kann und daß die Zeitdauer des Impulses veränderbar ist, so daß gewünschtenfalls die Energieübertragung z.B. die Erhitzung sehr kurzer Dauer mit den daraus resultierenden Vorteilen (wenig Diffusion und/oder Verdampfung) ermöglicht wird. Dies ist auf die starke Eichtwirkung der Laserstrahlung zurückzuführen, die gegebenenfalls noch optisch fokussiert werden kann. Außerdem beschränkt sich die Laserstrahlung im allgemeinen praktisch auf einen sehr engen Frequenzbereich, so daß bei passender Wahl der Materialien und des Lasers die erzeugte Strahlung nahezu ganz effektiv ausgenutzt werden kann,
Die erforderliche minimale oder optimale Größe dee Unterschieds zwischen den Absorptionskonstanten hängt von verschiedenen Paktoren ab, die für jeden Fall verschieden sein können, unter anderem von den technischen Eigenschaften der zu verbindenden Materialien, z.B. von dem Schmelzpunkt des Materials mit der höheren Absorptionskonstante, von der Temperatur und dem Druck, bei der(dem) die beiden Materialien, z.B. mit Rücksicht auf die Flüchtigkeit eines oder beider
- 5 009808/06 2 9
Materialien oder auf unerwünschte Störung bestimmter, z.B. elektrischer Eigenschaften der Materialien, von der Dicke des Teiles des Materials mit der niedrigeren Absorptionskonstante, von den der Verbindung und dem Übergang gestellten Anforderungen und von den Bestrahlungsbedingungen, d.h. der Wellenlänge, der Dauer.des Strahlungsimpulses und der Intensität der Strahlung während des Impulses. Im allgemeinen wird die Bestrahlungsdauer vorzugsweise möglichst kurz gewählt, um Wärmeentwicklung durch Absorption und Wärmeableitung von der erhitzten Stelle zu weiter entfernten Teilen möglichst zu verringern.
Es sei in dieser Hinsicht bemerkt, daß eine große Zahl von Lasern mit verschiedener Bestrahlungsdauer, Bestrahlungsintensität und Wellenlänge zur Verfügung steht. Es gibt kontinuierlich wirksame Laser; Tmpulslaser und sogenannte "Giant" Impulslaser (Riesenimpulslaser; bei den letzteren wird ein aktives Lasermedium während einiger Zeit mit Strahlungsenergie aufgeladen, die später in einem kurzen Impuls hoher Intensität abgeliefert wird« Letzterer "Giant"-Impulslaser kann unter Umständen in Zusammenhang mit der Erfindung besonders vorteilhaft sein.
Unter Berücksichtigung der vorerwähnten Paktoren kann der Fachmann in einem bestimmten Falle die Bestrahlungsbedingungen in einfacher Weise derart wählen, daß die erwünschte Verbindung oder der tib er gang durch örtliche Zusammenschmelzung in der Nähe der Grenzfläche erhalten wird, wenn wenigstens die zu verbindenden Materialien einen erheblichen Unterschied zwischen den. AbsorptionBkonstanten aufweisen. Der zulässige minimale Unterschied ist somit von den jeweiligen Verhältnissen abhängig und vorzugsweise ist der Unterschied möglichst groß, aber in der Praxis wird im allgemeinen der Unterschied zwischen den Absorptionskonstanten minimal den Faktor 10, vorzugsweise 100 betragen.
009808/0629 - 6 -
Im Zusammenhang mit vorstehendem wird es weiter einleuchten, daß in einem bestimmten Falle der Körperteil mit der geringeren Absorptionskonstante,-durch den die Einstrahlung erfolgt, eine größere Dicke aufweisen kann, als der Teil mit der höheren Absorptionskonstante. Unter Dicke wird hier die Abmessung eines Teiles in einer zur Grenzfläche senkrechten Richtung verstanden/
Die Erfindung kann besonders vorteilhaft sein bei der Herstellung sogenannter "Hetero"-Übergänge zwischen zwei Halbleitern mit verschiedenen Bandabständen. Dabei wird ein erster Teil aus dem einen Material mit einem bestimmten Bandabstand in Berührung gebracht mit einem zweiten Teil aus einem anderen Material mit einem kleineren Bandabstand und einer entsprechend erheblich größeren Absorptionskonstante für elektromagnetische Strahlung in einem Frequenzbereich, in dem die Photonene-nergie maximal gleich der dem größten Bandabstand entsprechenden Photonenenergie und größer als die dem kleinsten Band'abstand entsprechende Photonenenergie ist, wobei durch das Material mit dem größeren Bandabstand hin elektromagnetische Strahlung auf die Grenzfläche eingestrahlt wird, welche Strahlung im wesentlichen eine Photonenenergie hat, die maximal gleich der dem größten Bandabstand entsprechenden Photonenenergie ist, welche Strahlung wenigstens um einen erheblichen Teil eine Photonenenergie hat, welche dem vorerwähnten Frequenzbereich entspricht.
Die vorstehend angegebenen Grenzen des Frequenzbereichs werden dadurch bedingt, daß in einem Halbleiter, abgesehen von etwaiger Absorption infolge Verunreinigungen, vor allem diejenige Strahlung direkt absorbiert werden kann, deren Photonenenergie größer ist als die dem Bandabstand entsprechende Energie. Obgleich vorzugsweise praktisch lediglich Strahlung benutzt wird, deren Photonenenergie innerhalb des erwähnten Frequenzbereiches liegt, da in diesem Falle die angewandte
009808/0629 - 7 "
Strahlung praktisch vollständig im Sinne der Erfindung benutzt werden kann, läßt sich auch eine Strahlung anwenden, von der ein Teil eine Photonenemission aufweist, die geringer ist als der kleinste Bandabstand (so daß sie von keinem der beiden Teile absorbiert wird), sofern wenigstens ein erheblicher Teil innerhalb des erwähnten Frequenzbereichs liegt.
Obgleich die Absorption zwischen Valenzband und Leitungsband, wie vorstehend erwähnt, wegen der hohen Effektivität vorzuziehen iet, kann unter Umständen außerdem die Absorption über in dem verbotenen Energieband liegende, auf Verunreinigungen zurückzuführende Energiepegel ausgenutzt werden. Es könnte gegebenenfalls das Vorhandensein dieser Verunreinigungen und die entsprechenden Energiepegel im Sinne der Erfindung benutzt werden, z.B. zum Verbinden von zwei Teilen aus dem gleichen Halbleitergrundmaterial, von denen ein Teil wenig und der andere Teil eine große Menge wirksamer Verunreinigungen enthält, so daß ein großer Absorptionsunterschied vorliegt.
Ea wird weiter einleuchten, daß diese bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung nicht nur zur Herstellung von Hetero-Übergängen zwischen Halbleitermaterialien, sondern auch dann benutzt werden kann, wenn z.B. ein Metall mit einem Halbleiter verbunden werden soll, wenn wenigstens der Halbleiter eine geringe und das Metall eine verhältnismäßig hohe Absorption für die angewandte Strahlung aufweist, die durch den Halbleiter eingestrahlt wird.
Es sei hier bemerkt, daß, obgleich LaBer bereits zum Schweißen verwendet worden sind, diese Verwendungsart sich nicht gemäS der Erfindung auf einen Absorptionsunterschied zwischen den zu verbindenden Materialien gründet. Außerdem, da direkt auf ein Material mit hoher Absorption eingestrahlt wird,
00 9 80 8/0629 ' . . - 8 -
wurde keine direkte selektive Erhitzung oder örtliche Zusammenschmelzung an der Grenzfläche erzielt, sondern wurde vor allem die Oberfläche der Erhitzung ausgesetzt, so daß insbesondere, wenn die Grenzfläche tiefer unter der Oberfläche liegt als die Eindringtiefe der Strahlung, eine Temperaturerhöhung durch direkte Erhitzung an der Grenzfläche nicht oder doch kaum eintritt.
Ein weiterer Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung besteht darin, daß es durchführbar ist, während die miteinander zu verbindenden Teile sich in verschiedenartigen Umgebungen befinden können, welche Umgebungen nur der Anforderung genügen sollen, daß sie für die benutzte Strahlung praktisch durchlässig sind. Diese Umgebung kann derart gewählt werden, daß sie die Wirkung begünstigt.
Es können z.B. die beiden Teile wenigstens während der Bestrahlung im Vakuum sein. Dann kann eine Verbindung zwischen zwei Oberflächen hergestellt werden, die, in hohem Maße rein sind.
Wenigstens während der Bestrahlung können die beiden Teile auch in einer schützenden oder reinigenden Umgebung vorhanden sein, die für die angewandte Strahlung praktisch durchlässig ist. Bei Verwendung eines Ätzgases oder einer Ätzflüssigkeit kann sichergestellt werden, daß bis zu dem Augenblick der Herstellung der Verbindung die Berührungsflächen gereinigt werden. Gewünschtenfalls kann die Verbindung auch in einem Gas solcher Zusammensetzung hergestellt werden, daß dabei z.B. ein Abdampfen eines oder mehrerer flüchtigen Bestandteile der zu verbindenden Teile verhütet wird.
Die Teile können weiter dann verbunden werden, wenn sie in einer durchsichtigen Kühlflüssigkeit vorhanden sind, so daß überschüssige Wärme abgeführt wird. Ein weiterer Vorteil
009808/0629 - 9 -
der Verwendung einer geeigneten Kühlflüssigkeit kann darin bestehen, daß gegebenenfalls eine bessere Anpassung der Kristallgitter erzielt wird. Der Ausdehnungskoeffizient ist eine Punktion der Temperatur, so daß eine Temperatur höchster Kristallographischen Ordnung gefunden werden kann, Dieses Verfahren kann weiter nützlich sein, zum Herstellen einer Verbindung zwischen Materialien, die bei den Behandlungstemperaturen unstabil sind, z.B. kuhischem- Zinn,
Das Verfahren nach d?;r Erfindung wird nachstehend anhand eines Beispiels näher erläutert, in dem das Verfahren zur Herstellung eines Hetero-Überganges zwischen zwei Halbleitern mit verschiedenen Bandabständen verwendet wird.
- Die .Figur zeigt sehematisch eine Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens nach der Erfindung.
In der Figur bezeichnet 1 eine Halbleiterscheibe z.B. aus Germanium mit einem Bandabstand von oa- 0,7 eV, die mit einer Halbleiterscheibe 2 z.B. aus Cadmiumsulfid mit einem Bandabstand von c&- 2,4 eV in Berührung gebracht ist. Die Berührungsflächen beider Scheiben können gewünschtenfalls in bestimmber Weise vorbehandelt sein (poliert, geätzt), und sind vorzugsweise einkristallinisch und gleich orientiert, um eine optimale Anpassung der Kristallgitter zu erzielen, Auf die aufeinander liegenden Scheiben wird ein gewünschtenfalls mittels eines optischen systems 5 fokussiertes Strahlungsbündel 4 gerichtet, das vorzugsweise von einem an sich bekannten Laser, z.B. in diesem'Falle einem Rubinlaser 6 mit einer Wellenlänge von etwa 6900 Ä stammt. Dies entspricht einer Photonenenergie von etwa "1,8 eV, welcher Wert gemäß vorstehendem zwischen den Bandabständen für Ge und CdS liegt.
Pur Licht mit einer Wellenlänge von nahezu 7000 Ä. ist die Absorptionskonstante von Ge etwa 10 cm und die von CdS
009808/0629 > ORB** ' 10 "
etwa 2,7 cm" . Die Dauer des Strahlungsimpulses kann z.B. zwiachen 1 und 100 /usec schwanken und hängt von der Intensität ab. In gewissen Fällen können auch längere Bestrahlungszeiten auf niedrigerem Pegel mit kontinuierlich wiricsamen lasern benutzt werden. Durch passende Wahl dieser "witdauer und Intensität wird in der Scheibe 1 nahe der Grenzfläche 3 eine selektive Energieabsorption erhalten, die eine solche Temperaturerhöhung, eine Druckerhöhung und/oder einen solchen Einfluß elektromagnetischer Felder zur Folge hat, daß örtlich eine Verschmelzung der Scheiben 1 und 2 in der Nähe der Grenzfläche 3 eintritt, wobei nach der Bestrahlung ;eim Abkühlen die Verbindung und der Übergang erhalten werden. Es wird einleuchten, daß, wenn die Scheibe 2 dicker ist als die Scheibe 1 eine Einstrahlung durch di*? dickere Scheibe hin dennoch gemäß der Erfindung vorteilhaft sein kann.
Indem mehr oder weniger 'fokussiert und die Scheiben gegenüber dem Strahlungsbündel bewegt werden, kann erzielt werden, daß Haftung an einer Anzahl von Stellen in einem vorherbestimmten Bereich auftritt. Die Scheiben können z.B» an einer Anzahl von Stellen aneinander geschweißt werden, worauf durch Sagen oder auf andere V/eise die Scheiben in eine Anzahl gesonderter Halbleiterkörper getrennt werden.
Die ganze Anordnung oder lediglich der von den Lini-m 8 umrahmte Teil kann in einer gewählten, für die angewandte Strahlung durchsichtigen Umgebung entsprechend den vorerwähnten Möglichkeiten untergebracht werden. Mit Rücksicht auf .lie Vermeidung von Verunreinigung kann dies z.B. Vakuum se Ln. Wenn Oxydation und/oder Verunreinigungen nicht hinderlich wirken, kann die Verbindung in Luft hergestellt werden. Gemäß dem vorstehenden können die Scheiben ferner mit größerer oder geringerer Kraft gegeneinander gedrückt werden, um die Schmelztemperatur zu ändern oder die Verbindung zu erleichtern.
009808/062 9 - 11 -
BAD ORIGINAL
Es wurden auf diese Weise "bereits Verbindungen zwischen verschiedenen Halbleitern unter anderem zwischen CdS und Ce . hergestelltf die auch Gleichrichtereigenschaften aufwiesen.
Es ist ersichtlich, daß das Verfahren nach der Erfindung sich nicht auf das vorstehend beschriebene Beispiel beschränkt.
Die Scheibe 1 kann z.B. anstelle des Halbleitermaterials aus einem andei en absorbierenden Material bestehen, z.B. einem Metall, während die Scheibe 2 aus einem anderen, für die angewandte Strahlung durchlässigen Stoff besteht. Andere Halbleitermaterialien können auch auf diese Weise miteinander verbunden werden. Z.B. Ge und GaAs mit Bandabständen von Ä^O,7 eV bzw.'Ri-1,4 eV, in welchem Falle ein Laser mit Infrarot zwischen etwa 9000 und 18.600 S gewählt werden muß. Unter bestimmten Bedingungen kann es nützlich sein, die zu verbindenden Teile auf üblichem Wege vorher homogen auf eine Temperatur zu erhitzen, die unter der Verschmelzungstempera-•Lur liegt, worauf die Verbindung durch das Verfahren nach der Erfindung hergestellt wird.
PATENTANSPRÜCHE
003808/0629

Claims (11)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Verfahren zur Herstellung eines Körpers mit einem Übergang zwischen mindestens zwei miteinander verbundenen Teilen des Körpers aus verschiedenem Material, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiterkörpers bzw. einer Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper mit einem Übergang zwischen zwei verschiedenen Materialien, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Teil aus dem einen Material mit einem zweiten Teil aus einem anderen Material, mit erheblich höherer Absorptionskonstante für elektromagnetische Strahlung in einem bestimmten Frequenzbereich, in Berührung gebracht wird und daß elektromagnetische Strahlung mit einem solchen Frequenzbereich, daß sie durch das andere Material in erheblich höherem Maße absorbiert wird, durch den einen Teil mit geringerer Absorptionskonstante hin auf die Grenzfläche zwischen den beiden Teilen eingestrahlt wird, wobei durch praktisch selektive Absorption in dem anderen Material in der Nähe der Grenzfläche eine Verbindung und einübergang zwischen den beiden Teilen durch lediglich örtliche Verschmelzung der Teile in der Nähe der Grenzfläche hergestellt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein gerichtetes Bündel elektromagnetischer Strahlung von einem optischen Maser eingestrahlt wird.
3. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterschied zwischen den Absorptionskonstanten der beiden Materialien mindestens den Faktor 100 beträgt.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, zur Herstellung eines Körpers, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiterkörpers bzw. einer Halbleitervorrichtung,
009808/0629 - 13 -
dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Teil aus dem einen Material mit einem bestimmten Bandabstand in Berührung gebracht wird mit einem zweiten Teil aus einem anderen Material mit kleinerem Bandabstand und einer entsprechend erheblich größeren Absorptionskonstante für elektromagnetische Strah-. lung in dem Frequenzbereich, in dem die Photonenenergie maximal gleich der dem größten Bandabstand entsprechenden Photonenenergie und größer als die dem kleinsten Bandabstand entsprechende Photonenenergie ist und daß durch das Material mit dem größeren Bandabstand hin elektromagnetische Strahlung auf die Grenzfläche eingestrahlt wird, welche Strahlung im wesentlichen eine Photonenenergie hat, die maximal gleich der dem größeren Bandabstand entsprechenden Photonenenergie ist und zu einem erheblichen Teil dem vorerwähnten Frequenzbereich entspricht. ·
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die elektromagnetische Strahlung eine Photonenenergie hat, die praktisch vollständig zwischen den Werten liegt, welche dem größeren, bzw. dem kleineren Bandabstand entsprechen.
6. Verfahren nach einemjäer vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil des Materials mit der geringeren Absorptionskonstante dicker ist als der Teil des Materials mit der höheren Absorptionskonstante.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Teile des Körpers sich wenigstens während der Bestrahlung im Vakuum befinden.
8. Verfahren nach einemjder Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Teile des Körpers sich wenigstens während der Bestrahlung in einer schützenden oder reinigenden Umgebung befinden.
0 0980 8/062*
1540994
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Teile des Körpers sich wenigstens während der Bestrahlung in einer Kühlflüssigkeit befinden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Teile des Körpers halbleitende Einkristalle sind«
11. Körper, Halbleiterkörper, Halbleitervorrichtung, der (die) durch ein Verfahren nach einem oder laehreren der vorhergehenden Ansprüche hergestellt 1st.
009808/0629
DE1965N0027659 1964-11-19 1965-11-16 Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper Pending DE1540991A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6413441A NL6413441A (de) 1964-11-19 1964-11-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1540991A1 true DE1540991A1 (de) 1970-02-19

Family

ID=19791470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1965N0027659 Pending DE1540991A1 (de) 1964-11-19 1965-11-16 Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3424890A (de)
JP (1) JPS4825816B1 (de)
DE (1) DE1540991A1 (de)
FR (1) FR1454374A (de)
GB (1) GB1051397A (de)
NL (1) NL6413441A (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3032461A1 (de) * 1980-08-28 1982-04-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von legierten metallkontaktschichten auf kristallorientierten halbleiteroberflaechen mittels energiepulsbestrahlung
DE3219441A1 (de) * 1981-05-25 1982-12-16 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen
DE3310362A1 (de) * 1983-03-22 1984-10-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur veraenderung der optischen eigenschaft der grenzflaeche zwischen halbleitermaterial und metallkontakt
DE3310373A1 (de) * 1983-03-22 1984-10-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von lichtemittierenden dioden
EP0751865B2 (de) † 1994-03-31 2004-07-14 Marquardt GmbH Werkstück aus kunststoff und herstellungsverfahren für ein derartiges werkstück

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1242123A (en) * 1968-11-12 1971-08-11 Nat Res Dev Improvements relating to a method and apparatus for laser beam cutting
US3603847A (en) * 1969-06-11 1971-09-07 Us Air Force Schottky barrier photodiode with a degenerate semiconductor active region
US3751723A (en) * 1972-03-01 1973-08-07 Sprague Electric Co Hot carrier metal base transistor having a p-type emitter and an n-type collector
US4023005A (en) * 1975-04-21 1977-05-10 Raytheon Company Laser welding high reflectivity metals
US4261764A (en) * 1979-10-01 1981-04-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser method for forming low-resistance ohmic contacts on semiconducting oxides
US4318752A (en) * 1980-05-16 1982-03-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Heterojunction semiconductor laser fabrication utilizing laser radiation
US4376659A (en) * 1981-06-01 1983-03-15 Texas Instruments Incorporated Process for forming semiconductor alloys having a desired bandgap
US4374678A (en) * 1981-06-01 1983-02-22 Texas Instruments Incorporated Process for forming HgCoTe alloys selectively by IR illumination
US4560853A (en) * 1984-01-12 1985-12-24 Rca Corporation Positioning and bonding a diamond to a stylus shank
JPS60214929A (ja) * 1984-04-09 1985-10-28 Toyota Motor Corp 異種合成樹脂材料の接合方法
EP0159169A3 (de) * 1984-04-09 1987-07-01 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Verfahren zum Verbinden verschiedenartiger synthetischer Harze
FR2576836B1 (fr) * 1985-02-05 1989-10-27 Dupuy Eng Sa Procede et dispositif pour le rainurage par laser de feuilles de matiere plastique
NL8600216A (nl) * 1986-01-30 1987-08-17 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
FR2624041A1 (fr) * 1987-12-02 1989-06-09 Otic Fischer & Porter Procede de soudage au moyen d'un faisceau laser, notamment applicable au soudage de pieces en verre
DE19640594B4 (de) * 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
JPH11179565A (ja) * 1997-12-19 1999-07-06 Komatsu Ltd 半導体材料の溶接方法
DE19832168A1 (de) * 1998-07-17 2000-01-20 Lisa Laser Products Ohg Fuhrbe Verfahren und Vorrichtung zum Schweißen von thermoplastischen Kunststoffen mit Laserlicht
US20040056006A1 (en) * 1998-10-01 2004-03-25 The Welding Institute Welding method
DE19919428C2 (de) 1999-04-28 2001-12-06 Tyco Electronics Logistics Ag Kunststoff-Ferrule für einen Lichtwellenleiter und Verfahren zum Befestigen einer Ferrule an einem Lichtwellenleiter
US6220673B1 (en) * 1999-07-12 2001-04-24 Colgate-Palmolive Company Laser joining toothbrush heads to handles
WO2002038677A2 (en) 2000-11-10 2002-05-16 Gentex Corporation Visibly transparent dyes for through-transmission laser welding
FR2822295B1 (fr) 2001-03-16 2004-06-25 Edouard Serras Generateur thermoelectrique a semi-conducteurs et ses procedes de fabrication
US6752893B2 (en) * 2001-09-28 2004-06-22 Gentex Corporation Rimless spectacles and method for making the same
US7201963B2 (en) * 2002-01-15 2007-04-10 Gentex Corporation Pre-processed workpiece having a surface deposition of absorber dye rendering the workpiece weld-enabled
DE10232727A1 (de) * 2002-07-16 2004-02-05 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zum Fügen von Kunststoffbauteilen mittels Laserstrahlung
US7538295B2 (en) * 2005-04-21 2009-05-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Laser welding system
US9787345B2 (en) * 2014-03-31 2017-10-10 Apple Inc. Laser welding of transparent and opaque materials
US10200516B2 (en) 2014-08-28 2019-02-05 Apple Inc. Interlocking ceramic and optical members
DE102020115878A1 (de) 2020-06-16 2021-12-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren und System zum Laserschweißen eines Halbleitermaterials

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2743201A (en) * 1952-04-29 1956-04-24 Hughes Aircraft Co Monatomic semiconductor devices
US3265855A (en) * 1963-04-01 1966-08-09 Gen Electric Method and apparatus for drilling small holes
US3229095A (en) * 1963-05-20 1966-01-11 Ibm Apparatus for obtaining the difference of two incident optical radiations
US3304403A (en) * 1963-10-14 1967-02-14 Texas Instruments Inc Laser welding of contacts
US3369101A (en) * 1964-04-30 1968-02-13 United Aircraft Corp Laser micro-processer

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3032461A1 (de) * 1980-08-28 1982-04-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von legierten metallkontaktschichten auf kristallorientierten halbleiteroberflaechen mittels energiepulsbestrahlung
DE3219441A1 (de) * 1981-05-25 1982-12-16 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen
DE3219441C2 (de) * 1981-05-25 1989-07-20 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo, Jp
DE3310362A1 (de) * 1983-03-22 1984-10-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur veraenderung der optischen eigenschaft der grenzflaeche zwischen halbleitermaterial und metallkontakt
DE3310373A1 (de) * 1983-03-22 1984-10-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von lichtemittierenden dioden
EP0751865B2 (de) † 1994-03-31 2004-07-14 Marquardt GmbH Werkstück aus kunststoff und herstellungsverfahren für ein derartiges werkstück

Also Published As

Publication number Publication date
NL6413441A (de) 1966-05-20
GB1051397A (de) 1966-12-14
FR1454374A (fr) 1966-09-30
JPS4825816B1 (de) 1973-08-01
US3424890A (en) 1969-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1540991A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper
DE60030517T2 (de) Verfahren zur wärmebehandlung durch laserstrahlen, und halbleiteranordnung
DE2732807C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes mit einer Einkristallstruktur
DE1278003B (de) Elektrolumineszente Halbleiterdiode fuer optische Sender oder Verstaerker
DE102014209012A1 (de) Laserbearbeitungsverfahren
DE2347481C2 (de) Verfahren zum selektiven Ätzen einer bestimmten Schicht eines Al↓x↓Ga↓1↓↓-↓↓x↓As-Vielschichtkörpers
DE3108146C2 (de)
EP0046914A2 (de) Verfahren zum Herstellen von legierten Metallkontaktschichten auf kristallorientierten Halbleiteroberflächen mittels Energiepulsbestrahlung
DE2917654A1 (de) Anordnung und verfahren zum selektiven, elektrochemischen aetzen
DE3123949A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen durch ionenimplantation
DE2039381A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Elektrolumineszenz-Vorrichtung und Vorrichtung dieser Art
DE3123234A1 (de) "verfahren zur herstellung eines pn-uebergangs in einem halbleitermaterial der gruppe ii-vi"
DE2029703B2 (de) Pulsierender optischer sender
DE19549052C2 (de) Mikrobearbeitung von Polytetrafluoräthylen unter Verwendung von Synchrotronstrahlung
DE2701102A1 (de) Halbleiter-injektionslaser
DE1229650B (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes mit pn-UEbergang nach der Planar-Diffusionstechnik
DE4010889A1 (de) Verfahren zum herstellen einer vergrabenen laserdiode mit heterostruktur
DE102015114361A1 (de) Verfahren zum prozessieren eines sauerstoff enthaltenden halbleiterkörpers
DE1090770B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit nahe nebeneinander liegenden aufgeschmolzenen Elektroden
DE1621532A1 (de) Praezisionsaetzung von Halbleiterbauelementen
DE1217000B (de) Photodiode
DE2929719C2 (de) Halbleiterlaser
DE2110961C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen eines ternären III-V-Mischkristalls
DE3044723A1 (de) Hochohmiger halbleiter-substratkoerper mit niederohmiger halbleiterschicht
DE2657640A1 (de) Guetegeschalteter injektionslaser