DE3108146C2 - - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 22
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 21
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 11
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 10
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- COHDHYZHOPQOFD-UHFFFAOYSA-N arsenic pentoxide Chemical compound O=[As](=O)O[As](=O)=O COHDHYZHOPQOFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical class [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Inorganic materials O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- HQQRKFPNUQQYHT-UHFFFAOYSA-N [SiH4].[P] Chemical compound [SiH4].[P] HQQRKFPNUQQYHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Erzeugung eines
Fließzustands oder einer Verdichtung bei einem der Gruppe der Gläser
und Silizium-Sauerstoff-Verbindungen angehörenden ersten Teil einer
integrierten Schaltungsanordnung, welcher sich in nächster Nähe eines
zweiten, anderes Material aufweisenden Teils der Anordnung befindet,
wobei die zu erreichende Erzeugung eines Fließzustands oder einer
Verdichtung bei dem ersten Teil unter Wärmeeinwirkung erreicht wird.
Es ist bekannt, das Phosphorsilikatglas-Flußverfahren in der Halbleitertechnik
anzuwenden, und zwar vor allem zum Abrunden von scharfen
Kanten geätzter Schnitte auf Phosphorsilikatglas, um an diesen Kanten
ein Reißen oder Brechen von anschließend aufgebrachtem Metall oder
von Füllungen aus polykristallinem Silizium nach Möglichkeit zu vermeiden,
und auch, um die gesamte Oberfläche einer Schicht aus Phosphorsilikatglas
im Hinblick auf eine anschließende kontrollierte Ätzung
zu glätten. Das Flußverfahren wird normalerweise durch Glühen in einem
Ofen bei hoher Temperatur (etwa 950°C oder höher) durchgeführt.
Im allgemeinen ist die Phosphorsilikatglasschicht Teil einer Struktur,
welche ursprünglich dadurch entstanden ist, daß ein Siliziumsubstrat
mit einer thermisch aufgebrachten Siliziumdioxidschicht (SiO₂) versehen
wird. Anschließend wird eine Schicht aus P₂O₅-SiO₂ auf der
Schicht aus thermisch aufgebrachtem SiO₂ durch chemisches Aufdampfen
aufgetragen, z. B. durch eine Reaktion einer Phosphor-Silan-Mischung
und Sauerstoff bei niedriger Temperatur, so daß eine obere Schicht
aus Phosphorsilikatglas entsteht.
Bei der Schmelzflußerzeugung durch Hochtemperaturbehandlung besteht
das Problem, daß bei Bauelementstrukturen, deren Material sich in
nächster Nähe des Phosphorsilikatglases befindet, sich durch die Erhitzung
auf eine relativ hohe Temperatur in dem Ofen die Eigenschaften
der Strukturen vielfach in unerwünschter Weise durch Dotierungsdiffusion,
Legierungsbildung oder Verunreinigung ändern. Ein weiteres Problem
ist, daß P₂O₅, im Regelfall in der Konzentration von 7 bis 9 mol-%,
der SiO₂-Grundzusammensetzung zugefügt werden muß, um die Schmelzflußtemperatur
herabzusetzen. Dies führt in nachteiliger Weise zu
einer Erhöhung der Korrosion der Metallverbindungen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei der Hochtemperaturbehandlung
von integrierten Schaltungsanordnungen zur Erzeugung eines
Fließzustandes oder einer Verdichtung in einem ersten der Gruppe der
Gläser und Silizium-Sauerstoff-Verbindungen angehörenden Teil einer
Schädigung benachbarter Teile durch die Hitzeeinwirkung vorzubeugen,
um dabei insbesondere die genannten Nachteile zu vermeiden.
Durch DE-OS 20 40 180 ist ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
bekannt geworden, bei denen auf der Oberfläche eine
Isolierschicht mit steilen Begrenzungsflächen liegt, über die mindestens
abschnittsweise ein dünner Film aufgebracht wird; dabei wird die
Isolierschicht vor dem Aufbringen des dünnen Films in Gegenwart eines
Glasbildners so weit erhitzt, daß sich die steilen Begrenzungsflächen
durch plastisches Fließen mindestens im Kantenbereich abrunden. Das
Halbleiterbauelement wird in seiner Gesamtheit erhitzt, so daß die
erwähnten Nachteile auftreten.
In "Electronics",28. Febr. 1980, Seiten 137 bis 142, ist ein Verfahren
zur Laser-Erhitzung einer Halbleiteroberfläche beschrieben, um durch
Ionenimplantation geschädigtes kristallines Material zu glühen, zur
Diffundierung von Dotierungsmitteln und zur Erzeugung von Epitaxialwachstum
von kristallinem Material. Ebenso wie bei der erstgenannten Schriftstelle
ist jedoch die Aufgabe nicht gestellt und auch nicht gelöst,
einen ersten Teil einer integrierten Schaltungsanordnung in wesentlich
stärkerem Maße zu erhitzen als einen aus anderem Material bestehenden,
in nächster Nähe zu dem erhitzten Teil angeordneten anderen Teil,
um nachteilige Änderungen der Eigenschaften des Halbleiterbauelements
durch Dotierungsdiffusion, Legierungsbildung oder Kontamination zu
vermeiden. Auch wird lediglich die Lehre gegeben, die Erhitzung durch
die Pulsdauer zu begrenzen.
Die Schriftstelle "Bell Laboratories Record", Juli/August 1979,
Seiten 187-191, beschreibt Verfahren, bei denen Laserstrahlung im
Laboratorium zum Aufwachsen von Kristallen, zur Ausbildung von Kontakten
und metallischen Halbleiterschichten von hoher Leitfähigkeit sowie
zum Glühen von Halbleiterkörpern, die durch Ionenimplantation beschädigt
wurden, benutzt wird. Auch ist erwähnt, daß mit Hilfe von Laser-
Erhitzung metallische Silizide hergestellt werden können, welche zur
Ausbildung von Oberflächen-Kontaktübergängen zwischen dem Halbleitermaterial
und Drahtanschlüssen verwendet werden. Dabei ist die Anwendung
von gepulsten Laserstrahlen zur Abrundung der scharfen Ränder von Verbindungsmustern
aus polykristallinem Silizium in integrierten MOS-
Schaltungsanordnungen erwähnt. Die Schriftstelle enthält aber keine
Hinweise für die Erhitzung von Glas oder Silikon-Sauerstoff-Verbindungen.
Auch ist nicht der Hinweis gegeben, ein solches Material in wesentlich
stärkerem Maße zu erhitzen als einen anderen, dem erhitzten
Teil sehr nahegelegenen Teil in einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung.
Ebenfalls ist nicht die Lehre gegeben, eine solche Erhitzung
durch einen Laserstrahl vorzunehmen, dessen Emission mit dem Absorptionsband
des Glases bzw. der Silizium-Sauerstoff-Verbindung gekoppelt
ist.
Das obige Problem, das durch die Erhitzung integrierter Schaltungsanordnungen,
insbesondere dann, wenn die Anordnung im ganzen erhitzt
wird, in nachteiliger Weise durch Dotierungsdiffusion, Legierungsbildung
und Kontamination sich die Eigenschaften der Bauelemente ändern,
wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß bei einem Verfahren der
eingangs bezeichneten Art der erste Teil durch einen Laserstrahl,
dessen Emission mit dem Absorptionsband des Materials des ersten Teils
gekoppelt ist, in wesentlich stärkerem Maße erhitzt wird als der
zweite Teil.
Hinsichtlich weiterer bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung wird
auf die nachfolgende Beschreibung, die Zeichnungen und die dem Anspruch
1 folgenden Ansprüche Bezug genommen.
Fig. 1 bis 5 zeigen in schematischen Schnittbildern Ausführungsbeispiele
der Anwendung des Verfahrens gemäß der Erfindung.
Fig. 6 zeigt im Diagramm ein theoretisches Temperaturprofil von
Phosphorsilikatglas als Funktion der auftreffenden Leistungsdichte bei
einem Laserpuls von 10-3 Sekunden bzw. einem Zeitintervall entsprechend
gepulsten oder Q-geschalteten und kontinuierlichen (CW)
Lasermoden.
Wie aus Fig. 1 hervorgeht, enthält eine Halbleiterstruktur 10, vorzugsweise
ein 05-Bauelement, einen ersten Teil 12 auf SiO₂-Basis,
welcher aus aufgedampftem Siliziumoxid und aufgewachsenem Phosphorsilikatglas
besteht und sich in unmittelbarer Nachbarschaft eines
zweiten Teils 14 der Struktur befindet. Der zweite Teil 14 enthält
ein Siliziumsubstrat 16 mit einem Source/Drain-Teil 18, einem Oxidgebiet
20 und einer Verbindung 22 aus polykristallinem Silizium.
Außerdem ist ein Oxidisolationsgebiet 24 vorhanden. Vorzugsweise liegt
die Abmessung "A" in der Größenordnung von 1,0 bis 1,5 Mikrometer,
die Abmessung "B" hat vorzugsweise die Größenordnung von 0,4 bis 0,6
Mikrometer und die Abmessung "C" die Größenordnung von 0,4 bis 0,6
Mikrometer.
Wie bereits erwähnt ist und nachfolgend noch näher beschrieben wird,
ist es erwünscht, das Phosphorsilikatglas 12 zu erhitzen, um eine
Verdichtung und/oder eine Schmelzflußerzeugung zu bewirken. Wie ebenfalls
bereits erwähnt ist und nachfolgend noch
näher ausgeführt werden wird, ist es erwünscht, dabei den
Teil 14 bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur zu
halten, um unerwünschte Dotierungsdiffusionen, Legierungsbildungen
und/oder Verunreinigungen zu vermeiden.
Grundlage des Verfahrens gemäß der Erfindung ist, daß das
Maximum der SiO₂-Absorption bei ungefähr 1080 cm-1 (etwa
240 cm-1 Bandbreite FWHM) liegt, mit einem Absorptionskoeffizienten
von etwa 3×10⁴ cm-1. Dieses Absorptionsband ist
gut geeignet für die Kopplung mit der 9261 Mikrometer (1080 cm-1)-
Emission eines geeigneten CO₂-Abtastlasers 30, welcher beispielsweise
ein CO₂-Gaslasermodell 560 sein kann, wie er von
Apollo-Lasers, Inc., 6357 Arizona Circle, Los Angeles,
CA 90045, VStA, hergestellt wird. Bei Zusammensetzung des SiO₂
bis zu 20 mol-% P₂O₅ sinkt das 1080 cm-1-Absorptionsband monoton
mit Anwachsen der mol-% des P₂O₅. Vergleichbare Konzentrationen
von B₂O₃, As₂O₅ oder Sb₂O₅ in SiO₂ führen zu ähnlichen
Absorptionscharakteristiken. Wenn man dem SiO₂ Si₃N₄ beigibt,
wird man ebenfalls ähnliche Resultate erhalten. Es kann also
Material auf SiO₂-Basis mit mehr als etwa 80 mol-% SiO₂ sowohl
in kristalliner als auch in amorpher Form wirksam mit
dem Ausgang eines CO₂-Gaslasers gekoppelt werden, und zwar vorzugsweise
einem solchen, welcher durchstimmbar ist.
Bei der betrachteten Wellenlänge hat eine Metallisierung Reflexionsverluste
von mehr als etwa 95% erbracht, so daß dadurch
praktisch keine Wärmeleitung auftritt. Auch wird die
große thermische Leitfähigkeit der Metallisierung als Wärmesenke
wirken, durch die Wärme von dem aktiven Bauelement fortgeleitet
wird. Bei Silizium, beispielsweise dem Substratmaterial
16, erfolgt die Absorption infolge der lichtelektrischen
Anregung freier Träger mit einem geringen Anteil an Anregung
durch Phononenvervielfachung. Die Absorption ist proportional
der Dotierungskonzentration und umgekehrt proportional der
Trägerbeweglichkeit. Die Wirksamkeit der Kopplung ist daher
signifikant niedriger bei Metall und Silizium im Vergleich
zu dem Material 12 auf SiO₂-Basis.
Die Temperatur T in einem Festkörper, welcher durch einen
Laserstrahl mit der Auftreffintensität I₀ erhitzt wird, ergibt
sich aus der nachfolgenden Gleichung (1):
Dabei ist
D thermisches Diffusionsvermögen
ρ spezifische Masse
C p spezifische Wärme
R Reflexionsvermögen
α Absorptionskoeffizient
Z Koordinate parallel zu der auftreffenden Strahlung,
ρ spezifische Masse
C p spezifische Wärme
R Reflexionsvermögen
α Absorptionskoeffizient
Z Koordinate parallel zu der auftreffenden Strahlung,
und es gilt die Beziehung
X, Y und Z sind die Kartesischen Koordinaten des Festkörpers.
Bei lasererzeugtem Phosphorsilikatglasfluß ist α -1 « (2Dt)1/2,
so daß Wärme im wesentlichen an der Oberfläche erzeugt wird und
durch Wärmeleitung in das Innere des Körpers gelangt. Unter der
Voraussetzung, daß D, C p und R temperaturinvariant sind, I räumlich
und zeitlich gleichförmig ist und keine latente Wärme
aufgrund von Phasenübergängen zu berücksichtigen ist, lautet
die Lösung von Gleichung (1):
Dabei ist T₀ die Anfangstemperatur, und T (Z, t) ist die Temperatur
in einem Punkt Z und zu einer Zeit 0t t I, wobei
t I die Pulsbreite oder die Verweilzeit der auftreffenden
Strahlung ist.
Für Phosphorsilikatglas können die folgenden Materialkonstanten
zugrundegelegt werden:
D = 6×10-3 cm² sec-1
p = 2,27 g cm-3
C p = 1,0 J g-1 °C-1
R = 0,525
p = 2,27 g cm-3
C p = 1,0 J g-1 °C-1
R = 0,525
Dementsprechend zeigt Fig. 6 das errechnete Temperaturprofil
T (Z, t)-T₀ als Funktion von Z für t = 0,001 sec und
I₀ = 10, 11, 12 und 13 MW cm-2. Diese Kurven lassen erkennen,
daß bei Stärken des Phosphorsilikatglases über etwa 1 Mikrometer
große Temperaturgradienten auftreten, welche die Oberfläche
des Substrats während des Flußvorgangs auf einer relativ
kühlen Temperatur belassen. In dem Bereich der normalen Stärke
des Phosphorsilikatglases in der Größenordnung von 0,5 bis
1,5 Mikrometer zeigt Fig. 2, daß ein Maximalwert der Stärke
des Phosphorsilikatglases für diesen Zweck optimal ist und daß
eine signifikante Steigerung der Stärke keinen besonderen
Nutzen bringt. In diesem Zusammenhang ist zu berücksichtigen,
daß 12 MW cm-2 eine Oberflächentemperatur von 1156°C erzeugen,
während die Temperaturen in Tiefen von 0,89, 1,47 und 2,45
Mikrometer 792°C bzw. 664°C bzw. 409°C betragen. Der untere
Teil 14 ist daher niemals höheren Temperaturen ausgesetzt.
Wenn das Substrat erhitzt wird, steigt der Wert T₀, und die
Energiedichte, welche erforderlich ist, um einen bestimmten
Wert T (Z, t)-T₀ zu erreichen, hat fallende Tendenz.
Das Verfahren gemäß der Erfindung bietet den sehr wesentlichen
Vorteil, daß im Teil 12 Fluß- und/oder Verdichtungsvorgänge
dadurch hervorgerufen werden können, daß Wärme durch die
Anwendung des Lasers 30 zugeführt wird, wobei von besonderer
Bedeutung ist, daß der Teil 12 in wesentlich höherem Ausmaß
als Teil 14 erhitzt wird. Wie bereits ausgeführt, kann die Oberfläche
des Phosphorsilikatglases 12 auf eine relativ hohe
Temperatur erhitzt werden, während das Phosphorsilikatglas in
einer Tiefe von etwa 1,47 Mikrometer auf eine wesentlich niedrigere
Temperatur erhitzt wird.
Das Ergebnis des beschriebenen Verfahrens ist in Fig. 2 gezeigt.
Man erkennt, daß eine deutliche Glättung der Oberfläche 13
des Phosphorsilikatglases 12 erreicht worden ist. Dies ist insbesondere
im Zusammenhang mit Ätzvorgängen besonders vorteilhaft
und erwünscht, da die räumliche Anordnung des Ätzfensters,
das durch bekannte Fotoresist-Verfahren hergestellt und definiert
wird, sehr genau dargestellt werden kann. Wenn man
Fig. 1 zum Vergleich heranzieht, erkennt man, daß bei Ätzung
ohne vorangegangenen Schmelzflußvorgang die Fotoresistränder
sich ungefähr dort hätten befinden müssen, wo die "Schultern"
13 A und 13 B durch das Phosphorsilikatglas 12 gebildet sind.
Auch kann durch die verhältnismäßig ausgeglichene Form des
Phosphorsilikatglases 12 entsprechend der Darstellung in Fig. 2
der Ätzvorgang nach Wahl wesentlich besser gesteuert werden.
Das Ergebnis des bei der Struktur gemäß Fig. 2 vorzunehmenden
Ätzvorgangs zeigt Fig. 3. Dadurch, daß bis zum Substrat 16 an
der gewählten Stelle und in der gewählten Art heruntergeätzt
wurde, sind scharfe Ecken 13 C und 13 D an dem Phosphorsilikatglas
12 gebildet worden. Das beschriebene Verfahren gemäß
der Erfindung wird nunmehr in entsprechend gleicher Weise
angewandt, und das Phosphorsilikatglas 12 wird wiederum in
den schmelzflüssigen Zustand derart versetzt, daß die gesamte
in Fig. 3 gezeigte Oberfläche 13 des Phosphorsilikatglases
geglättet wird, und insbesondere werden die in Fig. 3
erkennbaren Ecken 13 C und 13 D ausgeglichen. Man erhält dann
die in Fig. 4 dargestellte Struktur.
Die Glättung des Phosphorsilikatglases 12 in die in Fig. 4
dargestellte Form erlaubt eine günstige Anbringung von Aluminiumleitern
32 und 34 entsprechend der Darstellung in Fig. 5,
und es ist erkennbar, daß anhand der Fig. 1 bis 4 das Verfahren
gezeigt wurde, welches zur Ausbildung der rechten Hälfte der
in Fig. 5 dargestellten Struktur führte, also einem MOS-Bauelement.
Durch die Anwendung des Verfahrens gemäß der Erfindung
ist sichergestellt, daß ein Brechen oder Reißen der Aluminiumleiter
32 und 34 in vorteilhafter Weise vermieden ist.
Obwohl das Verfahren gemäß der Erfindung anhand der dargestellten
MOS-Struktur erläutert wurde, kann es in entsprechender
und ebenfalls besonders vorteilhafter Weise auch bei
Bipolarstrukturen angewandt werden. Wie erwähnt, ist das Verfahren
im wesentlichen unabhängig von den mol-% von P₂O₅,
As₂O₅ oder B₂O₃ bis zu etwa 20 mol-%. Durch die beschriebene
Laser-Anwendung können in vorteilhafter Weise extrem kleine
Gebiete der Struktur in den schmelzflüssigen Zustand versetzt
werden.
Claims (13)
1. Verfahren zur Erzeugung eines Fließzustands oder einer Verdichtung
bei einem der Gruppe der Gläser und Silizium-Sauerstoff-Verbindungen
angehörenden ersten Teil einer integrierten Schaltungsanordnung,
welcher sich in nächster Nähe eines zweiten, anderes Material aufweisenden
Teils der Anordnung befindet, wobei die zu erreichende Erzeugung
eines Fließzustands oder einer Verdichtung bei dem ersten
Teil unter Wärmeeinwirkung erreicht wird, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Teil durch einen Laserstrahl, dessen Emission mit dem
Absorptionsband des Materials des ersten Teils gekoppelt ist, in
wesentlich stärkerem Maße erhitzt wird als der zweite Teil.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die folgenden
Verfahrensschritte:
- a) Fokussieren des Laserstrahls auf einen gewählten Bereich der integrierten Schaltungsanordnung;
- b) Steuern der Dauer und der Intensität des Laserstrahls derart, daß der gewählte Bereich auf eine Temperatur erhitzt wird, welche ausreicht, um das Material des ersten Teils des gewählten Bereiches in den Fließzustand zu versetzen bzw. zu verdichten, jedoch nicht zur Verdampfung des Materials des ersten Teils des gewählten Bereiches ausreicht, wobei die Erzeugung des Fließzustands bzw. der Verdichtung des Materials des ersten Teils ohne wesentlichen Temperaturanstieg erfolgt;
- c) Beendigung der Einwirkung des Laserstrahls, wenn ein gewünschter Konturausgleich bei dem Material des ersten Teils erreicht ist;
- d) Ätzen des Materials des ersten Teils in dem gewählten Bereich.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem
Verfahrensschritt des Ätzens das Material des ersten Teils derart
geätzt wird, daß ein Ätzbereich mit einem steilen Rand gebildet wird,
und anschließend die Verfahrensschritte a)-c) ausgeführt werden,
um einen Fließzustand bzw. eine Verdichtung des Materials im Bereich
des steilen Randes zu erzeugen.
4. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die folgenden
Verfahrensschritte:
- a) Ätzen des Materials des ersten Teils in dem gewählten Bereich;
- b) Fokussieren des Laserstrahls auf einen gewählten Bereich der integrierten Schaltungsanordnung;
- c) Steuern der Dauer und der Intensität des Laserstrahls derart, daß der gewählte Bereich auf eine Temperatur erhitzt wird, welche ausreicht, um das Material des ersten Teils des gewählten Bereiches in den Fließzustand zu versetzen bzw. zu verdichten, jedoch nicht zur Verdampfung des Materials des ersten Teils des gewählten Bereiches ausreicht, wobei die Erzeugung des Fließzustands bzw. der Verdichtung des Materials des ersten Teils ohne wesentlichen Temperaturanstieg des zweiten Teils erfolgt;
- d) Beendigung der Einwirkung des Laserstrahls, wenn ein gewünschter Konturausgleich bei dem Material des ersten Teils erreicht ist.
5. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der Konturausgleich zur Ausbildung
einer gleichmäßig konkaven Form führt, und bei dem Verfahrensschritt
des Ätzens das Material des ersten Teils unter der gleichmäßig
konkaven Form derart herausgeätzt wird, daß eine geätzte konkave
Aussparung mit einem steilen Rand entsteht und der zweite Teil
freigelegt wird, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
- e) Fokussieren des Laserstrahls in den Bereich der geätzten konkaven Aussparung;
- f) Steuern der Dauer und der Intensität des Laserstrahls derart, daß die geätzte konkave Aussparung auf eine Temperatur erhitzt wird, welche ausreicht, um das Material des ersten Teils des Bereiches der geätzten konkaven Aussparung in den Fließzustand zu versetzen bzw. zu verdichten, jedoch nicht zur Verdampfung des Materials des ersten Teils des Bereiches der geätzten konkaven Aussparung ausreicht, wobei die Erzeugung des Fließzustands bzw. der Verdichtung des Materials des ersten Teils ohne wesentlichen Temperaturanstieg des zweiten Teils erfolgt;
- g) Beendigung der Einwirkung des Laserstrahls, wenn ein gewünschter Konturausgleich bei dem Material des ersten Teils erreicht ist;
- h) Aufbringen einer Kontaktschicht in der nunmehr ausgeglichenen konkaven Aussparung in Kontakt mit dem zweiten Teil.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Teil der integrierten Schaltungsanordnung ganz oder
teilweise einer der folgenden Gruppen angehört:
Phosphorsilikatglas, Borsilikatglas, Silizium-Oxynitridglas.
Phosphorsilikatglas, Borsilikatglas, Silizium-Oxynitridglas.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet,
daß der zweite Teil der integrierten Schaltungsanordnung wenigstens
teilweise ein Metall enthält.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch gekennzeichnet,
daß der Laserstrahl durch einen CO₂-Laser erzeugt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Laser
durchstimmbar ist.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet,
daß bei dem ersten Teil für eine größere selektive Absorption der
Laserstrahlung gesorgt wird als bei dem zweiten Teil.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-10, dadurch gekennzeichnet,
daß das Absorptionsmaximum des Materials des ersten Teils mit seinem
Zentrum bei etwa 1080 cm-1 liegt und der Absorptionskoeffizient etwa
3×10⁴ cm-1 beträgt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-11, dadurch gekennzeichnet,
daß das Material des ersten Teils mehr als 80 mol-% Siliziumdioxid
enthält, während es im übrigen wenigstens eine der folgenden Verbindungen
enthält:
P₂O₅, B₂O₃, As₂O₅, Sb₂O₅, Si₃N₄.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-12, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Teil eine Stärke in der Größenordnung von 0,5-1,5
Mikrometer hat.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14398380A | 1980-04-28 | 1980-04-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3108146A1 DE3108146A1 (de) | 1981-12-24 |
DE3108146C2 true DE3108146C2 (de) | 1989-05-18 |
Family
ID=22506554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813108146 Granted DE3108146A1 (de) | 1980-04-28 | 1981-03-04 | Verfahren zum erhitzen von halbleitermaterial |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4443493A (de) |
JP (1) | JPS56167334A (de) |
CA (1) | CA1174285A (de) |
DE (1) | DE3108146A1 (de) |
FR (1) | FR2481517B1 (de) |
GB (1) | GB2075749B (de) |
IT (1) | IT1144106B (de) |
NL (1) | NL8101679A (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1981-02-06 GB GB8103773A patent/GB2075749B/en not_active Expired
- 1981-02-23 IT IT67249/81A patent/IT1144106B/it active
- 1981-03-04 DE DE19813108146 patent/DE3108146A1/de active Granted
- 1981-04-03 NL NL8101679A patent/NL8101679A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-04-24 FR FR8108222A patent/FR2481517B1/fr not_active Expired
- 1981-04-28 JP JP6511581A patent/JPS56167334A/ja active Pending
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1982
- 1982-01-15 US US06/339,600 patent/US4443493A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
NL8101679A (nl) | 1981-11-16 |
US4443493A (en) | 1984-04-17 |
JPS56167334A (en) | 1981-12-23 |
CA1174285A (en) | 1984-09-11 |
IT1144106B (it) | 1986-10-29 |
IT8167249A0 (it) | 1981-02-23 |
FR2481517A1 (fr) | 1981-10-30 |
DE3108146A1 (de) | 1981-12-24 |
GB2075749B (en) | 1984-08-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |