DE3880807T2

DE3880807T2 - Verfahren fuer die herstellung von duennen filmmustern auf substraten.

Info

Publication number: DE3880807T2
Application number: DE8888312326T
Authority: DE
Inventors: Hisato Shinohara; Akira Sugawara
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1987-12-23
Filing date: 1988-12-23
Publication date: 1993-08-12
Anticipated expiration: 2008-12-24
Also published as: EP0322258B1; EP0322258A2; EP0322258A3; DE3880807D1; KR890009788A; KR910000720B1; CN1035102A; CN1024341C

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Die Erfindung betrifft die Herstellung von Dünnfilmmustern auf Substraten, insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, auf Glassubstraten.
Photolithographie ist eine wohlbekannte Technik zum Herstellen von Mustern in auf Substraten ausgebildeten Dünnfilmen. Diese Technik ist günstig und vorteilhaft angesichts der Tatsache, daß es wünschenswert ist, Teile des Dünnfilms zu bearbeiten, ohne daß dies zu einer Beschädigung der darunterliegenden Oberfläche führt. Jedoch ist eine relativ große Anzahl von Schritten erforderlich, um mit diesem Verfahren einen Musterungsablauf zu vollenden. Genauer gesagt, wird nach dem Ausbilden des zu behandelnden Dünnfilms auf einem Substrat ein Photoresistfilm hergestellt und gemustert, dann wird der Dünnfilm mit einem Ätzmittel behandelt, wobei der gemusterte Photoresistfilm als Maske wirkt, und dann wird der Photoresistfilm entfernt.
Laserschreibverfahren sind im Stand der Technik für ein billiges Musterungsverfahren wohlbekannt, das dazu in der Lage ist, die Musterung mit hoher Geschwindigkeit vorzunehmen. Der YAG-Laser (IR-Licht von 1,06 um) ist ein repräsentativer Laser, der im allgemeinen zu diesem Zweck verwendet wurde. Da die optische Energie dieses Lasers nur 1,23 eV ist, werden jedoch Zinnoxid, Indiumoxid (oder ITO), ZnO usw. mit optischen Bandlücken von etwa 3 bis 4 ev durch einen YAG-Laser nicht wirkungsvoll bearbeitet, jedoch werden selbstverständlich durchsichtige, leitfähige Oxidfilme (CTO = Conductive Transparent Oxides) im allgemeinen aus Materialien dieser Klasse hergestellt.
Das Laserschreibverfahren hat einen anderen Nachteil. Wenn Bereiche eines durchsichtigen, leitfähigen Films, der über einem Normalglas mit einem dazwischenliegenden Ionenblokkierfilm ausgebildet ist, entfernt werden, um darauf Elektrodenmuster auszubilden, werden auch der Ionenblockierfilm und das Glassubstrat teilweise entfernt, und dabei wird die Oberfläche des Glassubstrates freigelegt. Unter Umständen wird dann, wenn solche Techniken zum Herstellen von Flüssigkristallvorrichtungen verwendet werden, das in der Vorrichtung vorhandene Flüssigkristallmaterial durch Natriumionen verunreinigt, die vom Glassubstrat her eindringen. Darüber hinaus kann der Schreibvorgang dazu führen, daß die Oberfläche des beschriebenen Films dahingehend uneben ist, daß sich ein Rückstand von den beschriebenen Bereichen an den Kanten der entfernten Abschnitte an lagert, wobei der Rückstand bis zu 0,5 bis 1 um angehäuft wird. Diese Unebenheit ist nicht nur im Hinblick auf die Herstellung von Flüssigkristallvorrichtungen unerwünscht, sondern auch im Hinblick auf die Herstellung anderer Arten elektrischer Vorrichtungen, die einen Laminierprozeß bei ihrer Herstellung beinhalten. Die unebene Oberfläche, die hieraus resultiert, kann der Grund für einen elektrischen Kurzschluß zwischen verschiedenen Schichten auf einer Laminatstruktur sein oder kann zu einer Unterbrechung überlagerter elektrischer Muster führen.

AUFGABEN UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

So ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein Dünnfilmmuster anzugeben, das auf einem Substrat, insbesondere einem Glassubstrat, in solcher Weise ausgebildet ist, daß nur wenig oder keine Verunreinigung vom Substrat entweicht.
Gemäß einer Erscheinungsform der Erfindung wird ein Verfahren zum Erstellen eines leitfähigen Musters in einem auf einem Glassubstrat ausgebildeten Dünnfilm angegeben, welches Verfahren folgendes aufweist:
- Ausbilden eines ionenblockierenden Films aus undotiertem Siliziumoxid auf dem Substrat;
- Ausbilden eines leitfähigen Films auf dem ionenblockierenden Film; und
- Projizieren eines gepulsten Excimerlaserstrahls auf den leitfähigen Film, um Abschnitte dieses leitfähigen Films gemäß einem vorgegebenen Muster zu entfernen, wobei die darunterliegenden Abschnitte des ionenblockierenden Films als Abdeckung für das darunterliegende Glassubstrat verbleiben, damit die Oberfläche des Glassubstrates nicht durch das Muster freigelegt wird.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Glassubstrat mit einem Alkaliionen blockierenden Film aus Siliziumoxid durch Sputtern abgedeckt, und dann wird ein ITO- (Indium-Zinn-Oxid)-Film auf dem ionenblockierenden Film ausgebildet. Der ITO-Film wird dann durch Beschreiben mit einem Laser behandelt, um ein Muster im ITO-Film zu erzeugen, und die Erfindung beinhaltet in diesem Zusammenhang verschiedene Kernpunkte zum Verbessern der Konfiguration des Musters, wie dies im folgenden erläutert wird.
Zunächst ist Wärmeübertragung ein Hindernis beim Bilden scharfer Kanten von Gräben. Schreiben mit einem Laser erfolgt so, daß die mit dem Laser bestrahlten Abschnitte bis zum Sieden (oder zur Sublimation) aufgeheizt werden, wobei angrenzende Abschnitte in unvermeidlicher Weise aufgeheizt werden, zurückfließen und verdickte Ränder neben den mit dem Laser geschriebenen Gräben bilden. Um die Bildung derartiger verdickter Abschnitte zu minimieren, die zu Unterbrechungen in einem darüberliegend aufgetragenen Film führen können, ist es erforderlich, sicherzustellen, daß die Temperatur in den zu entfernenden Abschnitten über den erforderlichen Wert erhöht wird, bevor wesentliches Aufheizen in den benachbarten Abschnitten des ITO-Films erfolgt. Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erzielt, daß ein Laserstrahl mit kurzer Wellenlänge und kurzer Pulsbreite verwendet wird. Die Wellenlänge wird vorzugsweise so gewählt, daß sie nicht größer als 400 nm (3,1 ev) ist. Die Pulslänge ist vorzugsweise nicht länger als 50 Nanosekunden. YAG-Laser, die in großem Umfang verwendet wurden, können keinen Laserimpuls derart konzentrierter Leistung emittieren. Die Anmelder haben herausgefunden, daß Excimerlaser für diesen Zweck verwendet werden können. Im Hinblick darauf hängt das Ausmaß der Beschädigung des Ionenblockierfilms während des Laserschreibvorgangs stark von der thermischen Leitfähigkeit desselben ab, und da die thermische Leitfähigkeit des Ionenblockierfilms, wie er bei der Ausführung der Erfindung verwendet wird, gering ist, ist die Geschwindigkeit, mit der die Temperatur des Ionenblockierfilms ansteigt, entsprechend niedrig, und demgemäß leidet der Ionenblockierfilm wenig unter dem Aufheizen des darüberliegenden ITO-Films.
Zweitens sind auch die Schmelzpunkte des Ionenblockierfilms und des ITO-Films sehr wichtig. Wenn der Ionenblockierfilm einfach schmilzt, besteht die Möglichkeit, daß Öffnungen im Blockierfilm ausgebildet werden, wodurch die Glassubstratoberfläche durch die Gräben freiliegt. Im Hinblick darauf ist die Verwendung von ITO und undotiertem SiO&sub2; als Leitbzw. ionenblockierender Film wünschenswert, da die Schmelzpunkte des ersteren und des letzteren 890ºC bzw. 1700ºC sind. Der Schmelzpunkt des SiO&sub2;-Films ist seinerseits erheblich höher als derjenige des darunterliegenden Glassubstrats. Die Energielücken dieser Materialien sind ebenfalls für diesen Zweck geeignet, wobei SiO&sub2; eine Energielücke von 7 bis 8 eV aufweist und daher wenig oder keine Energie der kurzen Wellenlänge des Excimerlaserstrahls absorbiert, während ITO eine Energielücke von 3 eV aufweist.
Ein Verfahren, bei dem nur der ITO-Film selektiv durch den Laserschreibvorgang entfernt wird, ist hinsichtlich der Tatsache von Vorteil, daß es erwünscht ist, gemusterte Oberflächen zu erhalten, die glatt und eben sind. Selbst wenn der Laserschreibvorgang gemäß den Lehren der Erfindung ausgeführt wird, kann jedoch ein Rückstand nach dem Beschreiben des ITO-Films zurückbleiben. Der Rückstand kann jedoch leicht durch HCl-Ätze entfernt werden, da er aus einer porösen InOx- und SnOx-Struktur besteht. Im Gegensatz hierzu ist bei Verfahren aus dem stand der Technik, die YAG-Laser verwenden, bei denen der SiO&sub2;-Film unter Umständen teilweise entfernt wird, der Rückstand in gewisser Weise integral mit den verbleibenden Abschnitten des ITO ausgebildet, und er besteht aus einer Indium- oder Zinnlegierung, die mit Silizium vermischt ist, wie es in dem darunterliegenden Ionenblockierfilm vorhanden ist. Ein solcher Rückstand kann nicht durch HCl-Ätze entfernt werden, sondern erfordert HF-Ätze. Selbst wenn HF-Ätze verwendet wird, kann der Rückstand nicht leicht selektiv unabhängig von den verbleibenden Abschnitten des ITO-Films entfernt werden, die dazu neigen, teilweise von der HF-Ätze entfernt zu werden.
Der Ionenblockierfilm muß nicht aus SiO&sub2; hergestellt werden und muß nicht durch Sputtern hergestellt werden, sondern er kann aus anderen Materialien gebildet werden, solange die oben genannten bevorzugten Bedingungen erfüllt sind. Z. B. könnte der Blockierfilm alternativ durch CVD von SiO&sub2; oder Si&sub3;N&sub4; gebildet werden, oder er könnte durch Sputtern eines Targets aus wärmebeständigem Glas, wie Quarz, gebildet werden. Die Ausbildung des ionenblockierenden Films sollte immer bei einer Temperatur unterhalb der Erweichungstemperatur des Glassubstrates vorgenommen werden.
Andere Erscheinungsformen der Erfindung sind insbesondere in den beigefügten Ansprüchen dargelegt, und sie werden, zusammen mit den oben angegebenen Erscheinungsformen und anderen Merkmalen der Erfindung und Vorteilen derselben, für den Fachmann bei Berücksichtigung der folgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erfolgt, besser verstanden werden.

BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist ein schematisches Diagramm, das eine Laserschreibvorrichtung zur Verwendung beim Bewirken einer Lasermusterung gemäß der Erfindung zeigt;
Fig. 2(A) bis 2(D) sind veranschaulichende Ansichten, die die Form des Querschnitts des Laserstrahls zeigen, wie sie von der Vorrichtung gemäß Fig. 1 erzeugt wird;
Fig. 3(A) bis 3(B) sind Draufsichten und Schnitte, die die Herstellung eines Dünnfilmmusters gemäß der Erfindung veranschaulichen;
Fig. 4(A) bis 4(D) sind erläuternde Ansichten, die Schritte bei der Herstellung eines Substrats für ein Flüssigkristalldisplay gemäß den Lehren der Erfindung veranschaulichen;
Fig. 5(A) und 5(B) sind Mikroskopphotos, die den Aufbau lasergeschriebener Gräben zeigen, die gemäß den Lehren der Erfindung ausgebildet wurden; und
Fig. 6(A) und 6(B) sind schematische Querschnitte, die jeweils den Mikroskopphotos der Fig. 5(A) bzw. 5(B) entsprechen.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

In Fig. 1 ist eine erfindungsgemäße Laserschreibvorrichtung dargestellt. Die Laservorrichtung besteht aus einem KrF- Excimerlaser 14 (Wellenlänge = 248 nm, Eg = 5,0 eV, Wirkungsgrad = 3 %, Ausgangsenergie = 350 mJ), einem Strahlaufweiter 15, einer Maske 16, einer konvexen Zylinderlinse 17 aus synthetischem Quarz und einem Substrathalter 10. Der Substrathalter 10 ist so ausgebildet, daß er in vertikaler Richtung, wie im Bild gesehen, um die Position eines auf ihm angebrachten Normalglassubstrats 1 zu verändern. Auf dem Substrat 1 sind ein Ionenblockierfilm 2 mit 5 bis 150 nm, z. B. 20 nm Dicke, aus Siliziumoxid mit einigen wenigen Fremdstoffionen, wie Phosphor-, Natrium- und Borionen, sowie ein durchsichtiger, leitfähiger Film mit einer Dicke von 100 bis 300 nm aus ITO, Zinnoxid, Zinkoxid oder einem Mischlaminat derselben ausgebildet. Der durchsichtige, leitfähige Film 4 kann mit einem auf ihm aufgetragenen Chrom- oder Molybdän-Dünnfilm versehen sein. Abhängig vom jeweiligen Fall kann ein isolierender oder ein halbleitender Film unter oder über dem leitfähigen Film ausgebildet sein, wie erforderlich.
Die Höhe und die Breite des rechtwinkligen Laserstrahls 21, wie er vom Excimerlaser 14 abgestrahlt ist, ist 16 mm bzw. 20 mm, wie in Fig. 2(A) dargestellt. Der Strahlquerschnitt wird durch den Strahlaufweiter 15 so aufgeweitet, daß er eine Breite von 300 mm aufweist, wie durch Fig. 2(B) veranschaulicht, während seine Höhe unverändert bleibt. Die Energiedichte des erweiterten Strahls ist 5,6 x 10&supmin;² mJ/mm². Der aufgeweitete Strahl 22 wird dann durch die Maske 16 so kollimiert, daß er eine Höhe von 2 mm aufweist, wie in Fig. 2(C) dargestellt. Die Kollimierung des erweiterten Laserstrahls wird zum Zweck des Verringerns der Aberration in der folgenden Zylinderlinse 17 ausgeführt. Der kollimierte Laserstrahl 23 wird durch die in Fig. 1 dargestellte Linse 17 auf die Oberfläche des Substrats 1 fokussiert, und er nimmt die in Fig. 2(D) dargestellte Form an. Die Höhe des Laserstrahls an der Oberfläche des Substrats 1 kann z. B. 10 um sein. In der Praxis können auf dem Substrat auszubildende Gräben Breiten von 2 bis 200 um, z. B. 50 um, 20 um, 10 um, 5 um und 3 um aufweisen, abhängig vom Anwendungsfall.
Der Laserstrahl wird wiederholt impulsförmig auf das Substrat 1 projiziert, während das Substrat relativ zum Laserstrahl bewegt wird. Die Impulsdauer beträgt 20 Nanosekunden, und die Frequenz liegt zwischen 1 und 100 Hz, z. B. 10 Hz. Dies führt zu Gräben 35, 36, 37, ..., die ausgebildet sind, wie dies in den Fig. 3(A) und 3(B) dargestellt ist. Der Abstand zwischen benachbarten Gräben kann z. B. 15 nm sein. Ein Rückstand verbleibt um die und innerhalb der Gräben, und er kann selektiv unter Verwendung einer Säure, z. B. Chlorwasserstoff- oder Fluorwasserstoffsäure (verdünnt mit Wasser im Verhältnis 1/10) oder einer Fluoridlösungsmischung, wie saurem Ammoniumfluorid, abgeätzt werden, gefolgt von einer Ultraschallreinigung (29 kHz) mit Aceton und reinem Wasser.
Wenn die Erfindung auf die Herstellung von Flüssigkristallvorrichtungen angewendet wird, wird wirkungsvoll verhindert, daß ein Flüssigkristallmaterial, für das hohe Reinheit erforderlich ist, durch Natriumionen verunreinigt wird, die andernfalls bei Langzeitgebrauch aus dem Normalglassubstrat austreten würden. Auch wenn sie für das Substrat für Bildsensoren, Solarzellen und dergleichen verwendet wird, werden amorphe Halbleiterfilme vom Einfluß durch Natriumionen geschützt, was andernfalls zu einer Verschlechterung des photoelektrischen Wandlergrades und einer Modifizierung von n-Halbleitern führen würde.
Der Ionenblockierfilm kann durch eine beliebige bekannte Technik, wie Sputtern, CVD und dergleichen, hergestellt werden. Vorzugsweise wird der Blockierfilm zunächst auf dem Substrat in Form eines flüssigen Ausgangsstoffs aufgetragen, z. B. als organische, flüssige Siliziumverbindung, wie in Form von Silazanen, alkoholischen Lösungen von Alkoxysilan oder einer beiebigen anderen geeigneten, flüssigen Verbindung, die Siliziumoxid enthält. Zum Aufbringen dieser Beschichtung kann eine Schleudervorrichtung verwendet werden. Alternativ kann eine Siebdrucktechnik, eine Sprühtechnik oder ein anderes Beschichtungsverfahren verwendet werden. Der Ausgangsstoffilm wird dann aufgeheizt und in einen festen Siliziumoxidfilm umgewandelt. Die Verwendung eines solchen flüssigen Ausgangsstoffs ermöglicht es, einen Ionenblockierfilm mit glatter und ebener Oberfläche zu erzeugen. Die Dicke des Ausgangsstoffilms kann 5 bis 250 nm betragen.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 4(A) bis 4(D) wird nun ein Verfahren zum Herstellen eines Glassubstrats für ein Flüssigkristalldisplay beschrieben. Ein aus undotiertem Siliziumoxid bestehender Ionenblockierfilm 103 wird auf der Oberfläche eines Normalglases 101 ausgebildet. Die Verwendung eines flüssigen Ausgangsstoffs, wie oben angegeben, ist wünschenswert, nicht nur um eine glatte, ebene Oberfläche zu erzeugen, sondern um es auch überflüssig zu machen, die Oberfläche des Glassubstrates zu polieren. Die Dicke des Blockierfilms beträgt z. B. 20 nm.
Dann wird ein ITO-Film 105 durch Sputtern auf dem Ionenblokkierfilm 103 mit einer Dicke von z. B. 0,1 bis 2 um abgeschieden. Danach wird zum Beschreiben des Films 105 zum Festlegen eines Musters in demselben die Vorrichtung von Fig. 1 dazu verwendet, einen Zug an Laserimpulsen aus einem Excimerlaser auf den ITO-Film 105 zu projizieren, und gleichzeitig wird das Substrat 101 durch Bewegen des Halters 10 in Querrichtung von Fig. 4(B) bewegt. Die Impulsprojektion und die Bewegung des Substrats 101 werden synchron ausgeführt, damit die Projektionen mit Intervallen von jeweils 309 um auf dem bestrahlten ITO-Film 103 stattfinden. Die Oberfläche des ITO-Films wird vorzugsweise dreimal abgerastert. Demgemäß wird die Leistung des Laserimpulses so ausgewählt, daß der ITO-Film über seine ganze Dicke beseitigt wird, wenn eine dreimalige Projektion erfolgt, ohne daß es zu einer wesentlichen Beschädigung des darunterliegenden Blockierfilms 103 kommt. Obwohl Gräben durch eine einzige Projektion des Laserimpulses ausgebildet werden können, wird die Verwendung mehrerer Projektionen bevorzugt, um die Wirkung des Laserschreibvorgangs genau zu steuern und um demgemäß die Musterkonfiguration zu verbessern. Abschließend werden in den Gräben und an den Seiten der Gräben abgeschiedene Rückstände 109 mit verdünnter HF-Ätze entfernt, um das in Fig. 4(D) dargestellte Enderzeugnis zu erhalten.
Fig. 5(A) ist ein Mikroskopphoto eines in einem ITO-Film ausgebildeten Grabens, der auf einem Glassubstrat mit einem dazwischenliegenden phosphordotierten SiO&sub2;-Film ausgebildet wurde. Fig. 6(A) ist ein schematisches Diagramm, das einen Querschnitt der in Fig. 5(A) dargestellten Struktur veranschaulicht. Da der Schmelzpunkt des Siliziumoxidfilms durch die Dotierung mit den Phosphorionen erniedrigt wurde, wurde der Siliziumoxidfilm während der Ausbildung des Grabens angeschmolzen und bildete verdickte Abschnitte an den Seiten des Grabens aus. Die verdickten Abschnitte waren aus einer Mischung von Siliziumoxid und ITO gebildet, und ihre Beseitigung war schwierig. Das Glassubstrat wurde durch den Graben freigelegt.
Fig. 5(B) ist ein Mikroskopphoto eines Grabens, der in einem ITO-Film ausgebildet wurde, der von einem Glassubstrat durch einen dazwischenliegenden Siliziumoxid-Blockierfilm gemäß der Erfindung abgetrennt war. Der Siliziumoxidfilm war mit wenigen Fremdstoffionen ausgebildet. Fig. 6(B) ist ein schematisches Diagramm, das den Querschnitt der in Fig. 5(B) gezeigten Struktur veranschaulicht. Wie es aus diesen Figuren erkennbar ist, war die Grenze der Nut sehr klar, und es verblieben nur wenig Rückstände. Aus den Fig. 5(A), 5(B), 6(A) und 6(B) ist ersichtlich, daß Störstoffdotierung des Ionenblockierfilms unerwünscht ist und daß die Reinheit des Siliziumoxidfilms wichtig ist.
Der Leckstrom wurde durch Anlegen einer Gleichspannung von 50 V an jeden Graben untersucht. Diese Untersuchung wurde für 100 Gräben von 30 cm Länge und 10 um Breite ausgeführt. Im Ergebnis stellte sich heraus, daß alle Leckströme innerhalb eines Bereichs von 1 x 10&supmin;¹&sup0; nm bis 2 x 10&supmin;¹&sup0; nm lagen. Dieser Versuch wurde mit einem phosphordotierten SiO&sub2;-Film statt des undotierten SiO&sub2;-Blockierfilms ausgeführt. Im Ergebnis wurde ein kleiner Leckstrom beobachtet.
Während verschiedene Ausführungsbeispiel besonders beschrieben wurden, ist zu beachten, daß die Erfindung nicht auf die besonderen, beschriebenen Beispiele beschränkt ist und daß Modifizierungen und Änderungen vorgenommen werden können, ohne daß vom Schutzbereich der Erfindung abgewichen wird, wie er durch die beigefügten Ansprüche gegeben ist. Beispiele für solche Modifizierungen sind die folgenden:
Isolierfilme, die Farbfilter bilden, können integral unter oder über dem durchsichtigen, leitfähigen Film ausgebildet sein.
Obwohl der leitfähige Film vorzugsweise aus einem durchsichtigen, leitfähigen Material, wie ITO, SiO&sub2; oder ZnO, besteht, kann ein Dünnfilm aus Metall, wie aus Chrom oder Mo-Iybdän, auf dieselbe Weise verwendet werden.
Obwohl beim bevorzugten Ausführungsbeispiel die Gräben im Vergleich zum verbleibenden durchsichtigen, leitfähigen Film eng sind, können auch schmale Streifen von 20 um Breite zwischen entfernten Abschnitten von 400 um Breite zurückbleiben, wenn ein Impulszug verwendet wird, der kontinuierlich projiziert wird, während das Substrat allmählich bewegt wird.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines leitfähigen Musters in einem auf einem Glassubstrat ausgebildeten Dünnfilm, welches Verfahren folgendes aufweist:

- Ausbilden eines ionenblockierenden Films aus undotiertem Siliziumoxid auf dem Substrat;

- Ausbilden eines leitfähigen Films auf dem ionenblockierenden Film; und

- Projizieren eines gepulsten Excimerlaserstrahls auf den leitfähigen Film, um Abschnitte dieses leitfähigen Films gemäß einem vorgegebenen Muster zu entfernen, wobei die darunterliegenden Abschnitte des ionenblockierenden Films als Abdeckung für das darunterliegende Glassubstrat verbleiben, damit die Oberfläche des Glassubstrates nicht durch das Muster freigelegt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der leitfähige Film aus Indium-Zinn-Oxid besteht.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem das Glassubstrat ein Normalglassubstrat ist.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, bei dem der ionenblockierende Film dadurch hergestellt wird, daß eine Siliziumoxid enthaltende Verbindung in der Flüssigphase aufgetragen wird und diese Flüssigphasenverbindung thermisch behandelt wird, um sie in einen Festphasen-Siliziumoxidfilm umzuwandeln.

5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Flüssigphasenverbindung ein Silazan ist.

6. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Flüssigphasenverbindung eine alkoholische Lösung von Alkoxysilan ist.

7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Wellenlänge des Laserstrahls nicht größer als 400 nm ist.

8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Pulsdauer der Laserstrahls nicht größer als 50 Nanosekunden ist.

9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, das ferner den Schritt des Beseitigens jeglichen Rückstandes enthält, der nach dem Entfernen des leitfähigen Films verbleibt.

10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der Rückstandentfernungsschritt unter Verwendung eines Ätzmittels, wie Fluorwasserstoffsäure, ausgeführt wird.

11. Verfahren zum Herstellen eines leitfähigen Musters in einem auf einem Glassubstrat ausgebildeten Dünnfilm, welches Verfahren folgendes aufweist:

- Ausbilden eines ionenblockierenden Films aus undotiertem Siliziumnitrid auf dem Substrat;

- Ausbilden eines leitfähigen Films auf dem ionenblockierenden Film; und