DE2825212B1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen,intensiven Laserlichtpulses - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen,intensiven LaserlichtpulsesInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000035876 healing Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28537—Deposition of Schottky electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01032—Germanium [Ge]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01076—Osmium [Os]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
- Im folgenden wird das Verfahren anhand der Fig. 1 und 2 und eines Ausführungsbeispiels noch näher erläutert.
- Fig. 1 zeigt schematisch den allgemeinen Aufbau der Anlage zur Erläuterung des Prozeßablaufes; Fig. 2 zeigt schematisch einen Anlegierprozeß einer dünnen Aluminium-Kontaktschicht auf einer Dreischicht-Silizium-Diode.
- Die gesamte, als Beispiel ausgeführte Prozeßanlage (Fig. 1) besteht im Prinzip aus deii folgenden Teilen: Mit 1 ist ein Justierlaser kleiner Leistung, mit 2 ein Resonatorspiegel, mit 3 eine Pockelszelle, auch Q-Switch genannt, mit 4 der eigentliche Bestrahlungslaser, mit 5 der zweite Resonatorspiegel, mit 6 eine Fokussierungslinse und mit 7 das zu bestrahlende Objekt bezeichnet.
- Der kontinuierlich emittierende Justierlaser 1 dient zum Justieren der Anlage und des Objekts 7, so daß kein von 7 reflektiertes Laserlicht auf den Laser 4 fallen kann, was zur Zerstörung von 4 führen könnte.
- Der vom Laser 4 emittierte Lichtpuls trifft das Objekt 7 und dient zu der Anregung oder Aufwärmung einer dünnen Oberflächenschicht des Objekts 7 und damit z. B. zum Anlegieren einer Metallkontaktschicht auf einem aus Silizium bestehenden Substrat.
- In Fig. 2 ist mit 7 das gesamte Objekt bezeichnet, welches aus dem Siliziumsubstrat 8 und der Metallschicht 9 besteht, die an die Oberfläche 81 des Substrates 8 anlegiert werden soll. Das Substrat 8 besteht aus verschieden dotierten Einzelschichten, so z. B. aus einer dünnen (50 nm dicken) hochdotierten (1 ()2(J cm-3) P-Schicht 82, einer niedriger dotierten N-Schicht 83 (1017~10'8-3) und der eigentlichen Substratgrundschicht 84 mit P-Dotierung (1015 rm-)).
- Diese aus drei Schichten bestehende Diode funktioniert als sogenannte Barrierendiode, wobei der eine Kontakt die Metallschicht 9 und der andere Kontakt der einlegierte Grundkontakt 85 ist. Der für die Laserlichtpulsbestrahlung vorgesehene Kontakt ist die Metallschicht 9, da die Schicht 82 außerordentlich dünn ist und im konventionellen Verfahren durch Durchdiffusion von der Schicht 9 her kurzgeschlossen werden kann.
- Auf das Objekt mit der kalt aufgebrachten Metallschicht 9 trifft ein intensiver Laser-Lichtpuls 10 mit einer Pulsdauer im Nanosekundenbereich. Er wird im wesentlichen in der Metallschicht 9 absorbiert. Durch diese kurzzeitige hohe Energiezufuhr gerät die Metallschicht 9 in einen hohen elektronischen Erregungszustand bzw. auf hohe Temperatur, so daß sich die Atome der Metallschicht 9 umordnen können und dies insbesondere in der Umgebung der an sie grenzenden dünnen hochdotierten Siliziumschicht 82. Dadurch tritt an der Grenzschicht 81 eine Ausheilung auf. Dies führt zu dem erwünschten innigen Kontakt der Metallschicht 9 und der Siliziumschicht 82; dadurch wird der elektrische Widerstand zwischen diesen Schichten 9 und 82 weitgehend verringert.
- Auch bei bereits vorangehend getemperten Objekten läßt sich durch die Bestrahlung mit einem Laserlichtpuls im Nanosekundenbereich eine weitere Verbesserung im Hinblick auf die Haftfestigkeit und die elektrischen Eigenschaften von Kontaktschichten erreichen.
Claims (2)
- Patentansprüche: 1. Verfahren zum Ausheilen und/oder Anlegieren einer durch Aufdampfen, Zerstäuben, elektrolytisches Abscheiden oder Ionendeposition auf einem Substrat aufgebrachten, dünnen Schicht (9), bei dem diese Schicht (9) bestrahlt mit einem intensiven, kurzen Laserlichtimpuls (10) bestrahlt wird, und bei dem die Bestrahlungsbedingungen so gewählt sind, daß in dem Substrat in keinem nennenswerten Umfang Diffusion stattfinden kann, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenlänge des Laserlichtpulses (10) so gewählt wird, daß die Absorption im wesentlichen innerhalb der dünnen Schicht (9) erfolgt, die Pulsdauer im Nanosekundenbereich liegt, und die eingestrahlte Gesamtenergie des Laserlichtpulses (10) materialabhängig derart bemessen ist, daß die Temperatur der Schicht (9) unter ihrem Schmelzpunkt bleibt oder nur kurzfristig über den Schmelzpunkt des Materials dieser Schicht (9) steigt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zur Herstellung eines Metallkontaktes (9) auf einer dünnen Siliziumschicht (82) einer Dreischichtdiode (sogenannte Barrierediode) verwendet wird (Fig. 2).Dic Erfindung betrifft ein Verfahren wie es im Oberbegriff des Hauptanspruches angegeben ist.Aus der DE-OS 1514288 ist ein Verfahren zum Anlegieren einer auf einem Halbleitersubstrat angebrachten Schicht zu entnehmen, bei dem zur Vermeidung der Beschädigung des Halbleitersubstrats eine Zwischenschicht mit einem intensiven, kurzen Laserlichtpuls bestrahlt wird. Dabei werden die Einstrahlungsbedingungen so gewählt, daß nur die Zwischenschicht erhitzt wird.Ein ähnliches Verfahren ist aus der DE-OS 1 540 991 bekannt. Bei diesem Verfahren wird die Laserlichtenergie in der anzulegierenden Scheibe absorbiert.Bei beiden Verfahren werden Laserlichtpulse verwendet, deren Pulsdauer im Bereich von 1 bis 100 ym sec liegen. Derartige Laserlichtpulse verursachen bereits, bedingt durch den stattfindenden Legierungsprozeß, Diffusionseffekte.Aus dem »Solid-State Electronics«, 1974, Vol. 17, Seiten 245 bis 249, ist ein Herstellverfahren für ohmsche Kontakte an Al''Bv-Halbleiterbauelementen mittels eines Laserstrahls zu entnehmen, bei dem die Dauer eines intensiven kurzen Laserlichtimpulses im Millisekundenbereich liegt, wodurch ein Aufschmelzen der Schichten im thermodynamischen Gleichgewicht erreicht wird, so daß auch hier Diffusionsvorgänge ablaufen können, die beim Vorhandensein von dünnen Schichten die Funktionsfähigkeit des aus diesen Schichten bestehenden Bauelements erheblich beeinträchtigen. So läßt sich z. B. nicht vermeiden, daß in Teilbereichen einer 50 nm dicken, z. B. P-dotierten, Grenzflächenschicht einer PNP-Struktur Kurzschlüsse durch z. B. an Versetzungslinien durch eindiffundierte Aluminium-Atome der vorgesehenen ohmschen Aluminium-Kontaktschichten entstehen, womit ein unerwünscht starkes Ansteigen des Sperrstromes verknüpft ist. Dasselbe gilt z. B. auch für Mikrowellen-Bipolartransistoren. Solche Effekte spielen wegen der Mikrominiaturisierung zur Hochintegration z. B. in der MOS-Technik (VLSI) eine große Rolle. Weitere Beispiele sind für den Bereich der Vielschicht-Halbleiter und der Halbleiter mit Überstruktur (Superlattice) anzugeben. Auch die Anwendung zur Herstellung von Dünnschichtkondensatoren mit hohen Kapazitäten auf kleinstem Volumen oder auch die Herstellung definierter Interferenzfilter soll erwähnt werden.Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegt, besteht darin, Diffusionseffekte beim Ausheilen und/oder Anlegieren einer durch Aufdampfen, Zerstäuben, elektrolytisches Abscheiden oder Ionendeposition auf einem insbesondere aus Halbleitermaterial bestehenden Substrat aufgebrachten dünnen, insbesondere aus Metall bestehenden Schicht mittels eines Laserlichtimpulses völlig auszuschalten.Diese Aufgabe wird bei einem wie im Oberbegriff des Hauptanspruches angegebenen Verfahren erfindungsgemäß nach der im Kennzeichen des Hauptanspruchs angegebenen Weise gelöst.Durch diese Art der Bestrahlung mit einem Laserlichtimpuls im Nanosekundenbereich wird einer dünnen Oberflächenschicht des beschichteten Substratkörpers bis zu einer Tiefe von einigen 100 nm kurzzeitig Energie hoher Dichte zugeführt. Dadurch wird diese Oberflächenschicht, und im wesentlichen nur diese, auf einen hohen Anregungszustand bzw.auf hohe Temperatur gebracht, und zwar nicht im thermodynamischen Gleichgewicht. Dieser Zustand befähigt eine solche Schicht, Schäden oder Unregelmäßigkeiten in der Kristallstruktur auszugleichen oder auszuheilen. Bleibt man unterhalb einer kritischen materialabhängigen Grenzenergie, bei Silizium z. B. unterhalb 0,5 Jcm-2, dann treten trotz des hochangeregten Materialzustandes keine Diffusionseffekte auf, obwohl dabei das Gitter ausgeheilt wird.Die Vorteile gegenüber den bekannten Verfahren sind, neben der Unterdrückung der Diffusion, darin zu sehen, daß 1. durch die Bestrahlung mit dem Laserlichtimpuls hoher Intensität eine gute Haftung einer dünnen Schicht auf einem Substrat erzielt werden kann, weil den Atomen der Umgebung der Grenzflächen Schicht-Substrat soviel Energie zugeführt wird, daß diese sich durch Platzwechsel auf kurze Entfernungen umordnen können. (Dies führt zu einer dichteren Packung der Schicht und einer erstrebten innigen Verbindung zwischen Schicht und Substrat.) 2. Tiefere Schichten des Substrates oder auch durch Masken geschützte empfindliche Teile der Oberfläche nicht in Mitleidenschaft gezogen werden, da durch das rasche zeitliche und örtliche Abklingen der Temperatur bei konventionellen Verfahren beobachtete Degradationserscheinungen nicht auftreten können und 3. der Prozeß an normaler Atmosphäre und unter normalem Druck durchgeführt werden kann, wobei das Einschleppen von Verunreinigungen vermieden wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782825212 DE2825212C2 (de) | 1978-06-08 | 1978-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen, intensiven Laserlichtpulses |
JP7216279A JPS553696A (en) | 1978-06-08 | 1979-06-08 | Method of postttreating thin layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782825212 DE2825212C2 (de) | 1978-06-08 | 1978-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen, intensiven Laserlichtpulses |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2825212B1 true DE2825212B1 (de) | 1979-07-12 |
DE2825212C2 DE2825212C2 (de) | 1980-03-27 |
Family
ID=6041372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782825212 Expired DE2825212C2 (de) | 1978-06-08 | 1978-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels eines kurzen, intensiven Laserlichtpulses |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS553696A (de) |
DE (1) | DE2825212C2 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2937993A1 (de) * | 1979-09-20 | 1981-04-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von integrierten mos-halbleiterschaltungen nach der silizium-gate-technologie |
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1978
- 1978-06-08 DE DE19782825212 patent/DE2825212C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-06-08 JP JP7216279A patent/JPS553696A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2825212C2 (de) | 1980-03-27 |
JPS553696A (en) | 1980-01-11 |
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