DE19503178A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer lötbaren Metallisierungsschicht auf einer nichtlötbaren Oberfläche - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer lötbaren Metallisierungsschicht auf einer nichtlötbaren Oberfläche

Info

Publication number
DE19503178A1
DE19503178A1 DE19503178A DE19503178A DE19503178A1 DE 19503178 A1 DE19503178 A1 DE 19503178A1 DE 19503178 A DE19503178 A DE 19503178A DE 19503178 A DE19503178 A DE 19503178A DE 19503178 A1 DE19503178 A1 DE 19503178A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solderable
carrier
germination
radiation
solderable surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19503178A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19503178B4 (de
Inventor
Detlef Dr Krabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE19503178A priority Critical patent/DE19503178B4/de
Publication of DE19503178A1 publication Critical patent/DE19503178A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19503178B4 publication Critical patent/DE19503178B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/005Soldering by means of radiant energy
    • B23K1/0056Soldering by means of radiant energy soldering by means of beams, e.g. lasers, E.B.
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20Bonding
    • B23K26/32Bonding taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34Laser welding for purposes other than joining
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/048Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C26/00Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/34Coated articles, e.g. plated or painted; Surface treated articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08Non-ferrous metals or alloys
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/10Aluminium or alloys thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/18Dissimilar materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/18Dissimilar materials
    • B23K2103/26Alloys of Nickel and Cobalt and Chromium
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0106Neodymium [Nd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

Technisches Gebiet
Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer lötbaren Metallisie­ rungsschicht auf einem oder mehreren vorbestimmten Bereichen einer nichtlötbaren Oberfläche.
Das technische Anwendungsgebiet der Erfindung liegt vor allem in der Aufbau- und Verbindungstechnik für mikroelektronische, mikromechanische und mikrooptische Bauelemente und Komponenten. So kann etwa die Erfindung zur Kontaktierung und Montage von Halbleiterbauelementen in Face-Down-Lage, der sogenannten Flip-Chip-Technik, genutzt werden. Insbesondere findet die Erfindung Anwendung dort, wo auf Aluminiumoberflächen, auch von massiven Werkstücken, Lötverbindungen hergestellt werden sollen.
Stand der Technik
Anschlußkontakte von Verdrahtungsträgern und elektronischen Bauelementen können durch Lothöcker (englisch: Solder-Bumps oder kurz Bumps) elektrisch und mechanisch miteinander verbunden werden. Dabei wird das ungehäuste Bauelement in Face-Down-Lage auf den Verdrahtungsträger montiert. Die Lothöcker, die sowohl als Lotdepot dienen als auch die Verbindung zwischen Bauteil und Verdrahtungsträger herstellen, werden auf die Anschlußkontakte des Verdrahtungsträgers oder/und die der Bauelemente aufgebracht. Diese Vorgehensweise wird auch verwendet, um Halbleiterchips auf Verdrahtungsträ­ gern zu montieren.
Bei bekannten Verfahren zum Aufbringen der Lothöcker treten jedoch Schwie­ rigkeiten auf, wenn die Anschlußflächen aus schnelloxidierenden Metallen, ins­ besondere aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen, bestehen. Denn auf der Aluminiumoberfläche bildet sich bei Luftkontakt eine geschlossene Alumini­ umoxidschicht, die ein direktes Löten der Anschlußflächen verhindert. Aus die­ sem Grund werden bekanntermaßen lötbare Metallisierungsschichten zusätzlich auf die Anschlußflächen aufgebracht. Dazu werden bisher Vakuumverfahren, wie etwa das Sputtern oder das Aufdampfen, oder chemische Verfahren eingesetzt, wobei es vor der Anwendung dieser Verfahren erforderlich ist, in einem eigenen Prozeßschritt die Oxidschicht abzutragen oder zu durchbrechen. Neben dem Erfordernis, die Oxidschicht in einem vorgelagerten Prozeßschritt zu durchbre­ chen, besteht bei vorgenannten Verfahren ein weiterer Nachteil in dem großen apparativen Aufwand.
Aus der JP 54119357 ist ein Verfahren zur Herstellung eines flächigen Lotüber­ zugs auf Aluminiumoberflächen bekannt. Dabei wird auf einen vorbestimmten Bereich einer oxidierten Aluminiumoberfläche feinkörniges Lotpulver direkt auf­ gelegt. Mit Laserstrahlung wird die Oxidschicht auf der Aluminiumoberfläche zerstört und gleichzeitig das Lotpulver aufgeschmolzen, so daß sich ein flacher Lotüberzug auf dem Aluminium ausbildet. Nachteilig ist, daß für kommerziell er­ hältliches Lotpulver Korngrößen von weniger als 10 µm nicht angeboten werden und somit Strukturen von weniger als 50 µm nicht herstellbar sind. Neben dieser Einschränkung der Anwendbarkeit hinsichtlich der erreichbaren kleinsten Strukturgrößen besteht ein weiterer Nachteil darin, daß aufgrund der Unregel­ mäßigkeit des aufgelegten Lotpulvers eine definierte, reproduzierbare Wechsel­ wirkung mit der Laserstrahlung nicht gegeben ist.
Darstellung der Erfindung
Ausgehend von dem oben dargelegten Stand der Technik ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung löt­ barer Metallisierungsschichten auf nichtlötbaren Oberflächen derart anzugeben, daß beliebig geformte und in den geometrischen Abmessungen auch sehr kleine lötbare Metallisierungsschichtstrukturen mit geringem gerätetechnischen Aufwand, mit hoher Genauigkeit und Homogenität in kurzer Zeit herstellbar sind.
Eine erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe besteht in einem Verfahren zur Herstellung lötbarer Metallisierungsschichten auf nichtlötbaren Oberflächen ge­ mäß den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 sowie einer Vorrich­ tung zur Herstellung solcher lötbarer Metallisierungsschichten nach Anspruch 22. Bevorzugte Welterbildungen sind in den Unteransprüchen aufgeführt.
Das erfindungsgemäße Verfahren beinhaltet die Übertragung von Bekeimungs­ material auf die mit einer Metallisierungsschicht zu versehende nichtlötbare Oberfläche, wobei die übertragenen Teilchen des Bekeimungsmaterials durch eine energiereiche Strahlung angeregt sind und zusammen mit dieser Strahlung eine Modifizierung der nichtlötbaren Oberfläche so vornehmen, daß die Abscheidung des Bekeimungsmaterials mit einer guten Haftung auf der Oberfläche erreicht wird. Insbesondere ist mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ein hoher Energie- bzw. Wärmeeintrag in das Oberflächenmaterial verbunden. Bei schnelloxidierenden Oberflächen, z. B. Aluminium oder Aluminiumlegierungen, besteht die Modifizierung der nichtlötbaren Oberfläche in einem Aufbrechen der Oxidschicht (z. B. Aluminiumoxidschicht) und/oder einer für eine gute Haftung günstigen chemischen und/oder mechanischen Verände­ rung der oxidfreien Metalloberfläche. Bei einer Aluminiumoberfläche mit Oxidschicht ist im wesentlichen die dreimal so große Wärmeausdehnung des Aluminiums im Vergleich zum Aluminiumoxid für das Aufbrechen der Alumini­ umoxidschicht bei Erwärmung verantwortlich.
Das Bekeimungs- oder Transfermaterial befindet sich vorzugsweise auf einem Träger, der als planparallele Platte ausgebildet ist. Diese wird parallel zur nichtlötbaren Oberfläche ausgerichtet, wobei auf der zur nichtlötbaren Oberflä­ che zugewandten Seitenfläche der Trägermaterialplatte das Bekeimungsmaterial schichtförmig aufgebracht ist. Die Schichtdicken liegen dabei typischerweise zwischen 100 nm und 300 nm. Als Bekeimungsmaterial eignen sich vorteilhaft (auto)katalytisch wirkende und haftvermittelnde Metalle. Im besonderen werden abhängig vom Oberflächenmaterial und dem vorgesehenen Lotmaterial für spätere Lotverbindungen auch geeignete Lotmaterialien als Bekeimungsmaterial eingesetzt.
Auf der zur nichtlötbaren Oberfläche abgewandten Seitenfläche der Trägerma­ terialplatte wird eine energiereiche Strahlung auf die Trägerplatte beaufschlagt. Nach dem Durchdringen der Trägerplatte erreicht die energiereiche Strahlung die Bekeimungsschicht, die verdampft und sich auf die mit einer Metallisierungs­ schicht zu versehende Oberfläche niederschlägt und kondensiert. Das Material der Trägerplatte wird vorteilhaft so gewählt, daß es die energiereiche Strahlung möglichst wenig absorbiert und zudem deren Strahlprofil zumindest nicht wesentlich verschlechtert, also etwa den Strahldurchmesser nicht vergrößert. Unter Strahlprofil wird dabei generell die örtliche Variation der Strahlungsintensi­ tät in einer Ebene senkrecht zur Ausbreitungsrichtung der energiereichen Strahlung verstanden. Diese örtliche Intensitätsverteilung ist bezüglich der Symmetrieachse der sich ausbreitenden Strahlung nahezu kreisförmig ausgebil­ det. Ein wichtiger Strahlparameter ist hierbei der Strahldurchmesser, innerhalb dessen die Strahlungsintensität einen vorgegebenen Mindestwert übersteigt. Eine annähernd symmetrische Intensitätsverteilung ist neben einem homogenen Schichtaufbau der Bekeimungsschicht auf dem Träger für eine definierte, gleichmäßige Übertragung und Abscheidung des Bekeimungsmaterials vorteilhaft.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel sind das Trägermaterial und dessen geometrische Form so zusammengestellt, daß eine Verbesserung des Strahlprofils, insbesondere eine Verringerung des Strahldurchmessers durch Fokkusierung, beim Durchtritt der Strahlung durch das Trägermaterial erfolgt. Für eine hohe örtliche Selektivität wird beim erfindungsgemäßen Verfahren die mit Bekeimungsmaterial beschichtete Trägermaterialplatte am besten in direkten Kontakt mit der nichtlötbaren Oberfläche gebracht, etwa dadurch, daß die Trägermaterialplatte auf die nichtlötbare Oberfläche aufgelegt und gegebenen­ falls mit einer Ansaugeinrichtung in ihrer Lage gehalten wird. So wird ein Überdampfen der vorbestimmten Metallisierungsschichtstruktur mit Bekei­ mungsmaterial und der Folge unscharfer Konturen vermieden.
Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, daß beliebig ge­ formte Metallisierungsschichtstrukturen mit einer hohen Genauigkeit herstellbar sind. Dazu wird die energiereiche Strahlung durch Blenden und/oder Fokus­ siereinrichtungen so beeinflußt, daß ein sehr kleiner Strahldurchmesser in der Ebene der nichtlötbaren Oberfläche erreicht wird. Zudem ist dieser Energiestrahl durch vorzugsweise programmierbare Positioniereinrichtungen und/oder Ablenkeinrichtungen über die nichtlötbare Oberfläche bewegbar. Eine Abschalt- oder Abblendeinrichtung für den Energiestrahl ermöglicht es, nur die mit einer Metallisierungsschicht zu versehenden Bereiche mit der energiereichen Strahlung zu beaufschlagen, insbesondere wenn diese Bereiche nicht zusam­ menhängend sind. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist zufolge des einstellbaren, sehr kleinen Strahldurchmessers des Energiestrahles sowie dessen Positionierung eine deutlich höhere Strukturgenauigkeit erzielbar.
In einer speziellen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird für die energiereiche Strahlung ein Impulslaser verwendet, dessen Energiestrah­ lungsdichte zum Verdampfen des Bekeimungsmaterials auf dem Trägermaterial innerhalb des Strahldurchmessers ausreicht. Als Trägermaterial wird am besten eine planparallele Glasplatte verwendet. Eine Ablenkeinrichtung für den Laserstrahl ist vorzugsweise aus galvanooptischen Komponenten und/oder Spiegeln aufgebaut, da hiermit eine schnelle Strahlablenkung realisierbar ist.
Auf die durch Bekeimungsmaterial modifizierte Oberfläche wird vorzugsweise in einem nachfolgenden Prozeßschritt eine gut lötbare Materialschicht abgeschie­ den. Dazu kommen galvanische Verfahren, vor allem jedoch stromlose Verfahren in Betracht. Die stromlosen Verfahren deshalb, weil mit ihnen mit ge­ ringen Mitteln eine kostengünstige Massenproduktion realisierbar ist. In einer besonderen Ausgestaltungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird als Schutzschicht gegen Korrosion noch eine Goldschicht, am besten als Flash- Vergoldung, aufgebracht.
Unter Beibehaltung einer guten Haftung auf dem Oberflächenmaterial und einer gut benetzbaren Metallisierungsschicht für das Lotmaterial, das bei einer späteren Lotverbindung mit der lötbaren Metallisierungsschicht in Kontakt kommt, wird bei zueinander passendem Oberflächenmaterial und Lotmaterial als Bekeimungsmaterial gleich ein Lotmaterial bzw. legierendes Material, wie etwa Zinn oder eine Blei-Zinn-Legierung, eingesetzt.
Weitere Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens bestehen darin, daß die Herstellung strukturierter, gut lötbarer Metallisierungsschichten ohne fotolitho­ grafische Prozesse auskommt, insbesondere teure Masken nicht notwendig sind. Für schnelloxidierende Oberflächen, etwa Aluminiumoberflächen, werden schwierig handzuhabende Prozesse mit aggressiven Beizen, die aufgrund der Nichtselektivität auch andere Bereiche der Oberfläche angreifen, für die Bekeimung überflüssig. Zudem erfordert das erfindungsgemäße Verfahren kei­ nen schwierigen Umgang mit Gasen, Flüssigkeiten oder metallorganischen Stoffen.
Das erfindungsgemäße Verfahren realisiert das Aufbrechen einer Oberflächen­ oxidschicht und die Abscheidung eines Bekeimungsmaterials auf der oxidfreien Oberfläche in einem einzigen Prozeßschritt, wobei gleichzeitig eine gute Haftung auf dieser Oberfläche erreicht wird. Das bedingt den weiteren Vorteil, daß die Bekeimung der vorbestimmten Strukturen sehr schnell ausführbar ist, unterstützt durch die hohe Schreibgeschwindigkeit, mit der der Energiestrahl über die nichtlötbare Oberfläche bewegt wird. Wenn die Bekeimung durch das erfin­ dungsgemäße Verfahren abgeschlossen ist, so bietet sich für eine nachfolgende Metallisierung ein kostengünstiger Massenprozeß in Bädern an.
Darüber hinaus ist das erfindungsgemäße Verfahren wegen seiner Einfachheit sehr gut geeignet für die Kleinserien- und Prototypenfertigung sowie das Single- Chip-Processing.
Nachfolgend wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand von Zeichnungen an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 Siliziumsubstrat mit Aluminiumoberflächenschicht beim Aufbrin­ gen einer Bekeimungsschicht
Fig. 2 Lötbare Metallisierungsschicht auf einem Siliziumsubstrat mit Aluminiumoberflächenschicht nach der Bekeimung und der Metallisierung in einem außenstromlosen Bad
Fig. 3 Siliziumsubstrat mit Aluminiumoberflächenschicht bei der Bekeimung mit einem lötfähigen Material.
Bei einem Ausführungsbeispiel befindet sich auf einem Siliziumsubstrat (1) (oder einem Quarzsubstrat) eine 2 µm dicke, strukturierte Aluminiumschicht (2), die in den Randbereichen Anschlußflächen (englisch: Pads) besitzt. Die Aluminium­ schicht ist mit einer Oxidschicht (3) überzogen. Als Trägermaterial wird eine Glasplatte (4) benutzt, auf deren einen Seite eine 200 nm dicke Schicht aus Be­ keimungsmaterial (5) der Zusammensetzung Chrom/Nickel (50%/50%) und Gold aufgebracht ist. Die Glasplatte ist nahezu planparallel, wobei Abweichun­ gen von höchstens 10 µm bis 20 µm auf 1 cm Länge tolerierbar sind. Die beschichtete Glasplatte wird zur Bekeimung mit der Aluminiumoxidschicht des Siliziumsubstrates in direkten Kontakt gebracht, um ein Überdampfen des Bekeimungsmaterials zu vermeiden und um damit scharfe Konturen der zu er­ zeugenden Metallisierungsschichtstruktur zu erhalten.
Als Energiestrahl dient der Lichtstrahl (Symmetrieachse (6)) eines Nd:YAG- Lasers. Während der Nd:YAG-Laser in Fig. 1 nicht eingezeichnet ist, wird sein ausgesandter Lichtstrahl durch zwei Linien (7) verdeutlicht, bei denen die Lichtintensität auf den 1/e²-ten Teil der Intensität auf der Symmetrieachse (6) des Lichtstrahls abgefallen ist. Der Nd:YAG-Laser besitzt eine Impulsrate von 50 kHz und eine mittlere Ausgangsleistung von 50 mW. Der Laserstrahl wird durch die Glasplatte hindurch auf die Bekeimungsschicht fokussiert, wobei der Gauß- Radius (1/e²-Abfall) des Laserstrahles ca. 5 µm (8) beträgt. Das Bekeimungs­ material wird innerhalb des Gauß-Radius (8) durch die Wechselwirkung mit dem Laserstrahl verdampft und auf die Aluminiumoberfläche übertragen. In Fig. 1 ist zur besseren Darstellung dieser Vorgänge, die Glasplatte in einem kleinen Abstand von der Aluminium(oxid)oberfläche gezeichnet.
Um die gewünschte bzw. vorbestimmte Metallisierungsschichtstruktur zu erzeugen, wird der Laserstrahl in einem x-y-Koordinatensystem relativ zum Sili­ ziumsubstrat und zur Glasplatte mit einer (Schreib)Geschwindigkeit von 128 mm/s durch eine galvanooptische Strahlablenkeinrichtung bewegt. Die Grenze der Schreibgeschwindigkeit bei dem eingesetzten System liegt bei ca. 1 m/s.
Nach der Bekeimung der Aluminiumschicht, in Fig. 2 ist der Bekeimungsbereich (9) mit durchbrochener Aluminiumoxidschicht gezeigt, erfolgt eine stromlose Metallisierung in einem Nickel-Bad. Die auf dem Bekeimungsbereich (9) gebildete Nickelschicht (10) dient als gut lötbare Metallisierungsschicht für später anzubringende Lotverbindungen.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird als Bekeimungsmaterial (5) eine Blei-Zinn-Legierung, insbesondere 60% Blei und 40% Zinn, verwendet. Das an einem Träger (4) haftende Blei-Zinn-Material wird auch in diesem Ausführungs­ beispiel vorzugsweise in direkten Kontakt mit der Aluminiumoxidschicht gebracht. Zur Verdeutlichung der Übertragung des Bekeimungsmaterials vom Träger auf die Aluminiumoberfläche ist in Fig. 3 ein kleiner Abstand zwischen beschichtetem Träger und Aluminium(oxid)oberfläche gezeichnet. Nach dem Bekeimungsprozeß bildet sich in der aufgebrochenen Aluminiumoxidschicht (3) auf der Aluminium(2)oberfläche eine das Blei-Zinn-Material enthaltende Schicht aus. Diese Schicht ist für anzubringende Lotverbindungen auch ohne weitere Metallisierungsschritte gut lötbar.

Claims (24)

1. Verfahren zur Herstellung einer lötbaren Metallisierungsschicht auf einem oder mehreren vorbestimmten Bereichen einer nichtlötbaren Oberfläche, bei welchem auf einem Träger befindliches Bekeimungsmaterial mit ener­ giereicher Strahlung auf die vorbestimmten Bereiche der nichtlötbaren Oberfläche übertragen und abgeschieden wird, und die energiereiche Strahlung und/oder die damit angeregten Teilchen des Bekeimungsmate­ rials eine Modifikation der nichtlötbaren Oberfläche derart bewirken, daß eine gute Haftung des Bekeimungsmaterials erreicht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer schnelloxidierenden nichtlötbaren Oberfläche die energierei­ che Strahlung und/oder die damit angeregten Teilchen des Bekeimungs­ materials das Aufbrechen der Oxidschicht auf den vorbestimmten Berei­ chen bewirken und daß das Bekeimungsmaterial auf den von der Oxid­ schicht befreiten Oberflächenbereichen abgeschieden wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Bekeimungsmaterial gut lötbares Material verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf die mit Bekeimungsmaterial versehenen Bereiche ein lötbares Material, insbesondere mit einem stromlosen Verfahren, abgeschieden wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf die abgeschiedene lötbare Materialschicht eine Goldschicht aufge­ bracht wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Bekeimungsmaterial autokatalytisch wirkende und/oder haftvermit­ telnde Metalle verwendet werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Bekeimungsmaterial eine gute chemische Verbindung und/oder mechanische Verankerung mit dem Oberflächenmaterial eingeht.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die lötbare Materialschicht gut auf dem Oberflächenmaterial oder dem Bekeimungsmaterial haftet und für das mit dieser lötbaren Materialschicht in Kontakt kommende Lotmaterial gut benetzbar ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß für Oberflächen aus Aluminium und/oder Aluminiumlegierungen als Bekeimungsmaterial eine Nickel-Chrom-Legierung, insbesondere aus 50% Nickel und 50% Chrom, und als lötbares Material Nickel verwendet wer­ den.
10. Verfahren nach Anspruch 3 und einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß für Oberflächen aus Aluminium und/oder Aluminiumlegierungen als lötbares Material Zinn oder eine Zinn-Legierung, insbesondere der Zu­ sammensetzung 60% Blei und 40% Zinn, verwendet wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die energiereiche Strahlung durch Blenden und/oder eine Fokussier­ einrichtung so beeinflußt wird, daß in der Ebene der nichtlötbaren Oberflä­ che ein kleiner Strahldurchmesser hoher Leistung resultiert.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die energiereiche Strahlung jeden mit einer lötbaren Metallisierungs­ schicht zu versehenden Bereich auf der nichtlötbaren Oberfläche, der grö­ ßer als der Strahldurchmesser ist, durch Positioniereinrichtungen und/oder Ablenkeinrichtungen, insbesondere galvanooptischen Ablenkeinrichtungen, flächendeckend überstreicht.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als energiereiche Strahlung gepulste Laserstrahlung eingesetzt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Schreibgeschwindigkeit, mit der sich der Laserstrahl über die nichtlötbare Oberfläche bewegt, bis zu etwa 1 m/s beträgt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger von der energiereichen Strahlung durchdrungen wird und daß der Träger die energiereiche Strahlung wenig absorbiert.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß auf der zur nichtlötbaren Oberfläche zugewandten Seite des Trägers das Bekeimungsmaterial schichtförmig aufgebracht ist und daß ferner der mit Bekeimungsmaterial beschichtete Träger in unmittelbarer Nähe zur nichtlötbaren Oberfläche angeordnet wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger das Strahlprofil und/oder die Ausbreitungsrichtung der energiereichen Strahlung nahezu unverändert läßt.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger das Strahlprofil der energiereichen Strahlung durch Fokussierung beeinflußt und/oder die Ausbreitungsrichtung der energie­ reichen Strahlung verändert.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Übertragung des Bekeimungsmaterials auf die nichtlötbare Oberfläche der mit Bekeimungsmaterial beschichtete Träger in direkten Kontakt mit der nichtlötbaren Oberfläche gebracht wird, derart daß das Be­ keimungsmaterial die nichtlötbare Oberfläche zumindest in einem Teilbe­ reich berührt.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger mit dem Bekeimungsmaterial immer über demjenigen Be­ reich der nichtlötbaren Oberfläche positioniert wird, auf dem fortan eine lötbare Metallisierungsschicht strukturiert wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß als Träger eine planparallele Platte verwendet wird.
22. Vorrichtung zur Herstellung einer lötbaren Metallisierungsschicht auf einem oder mehreren vorbestimmten Bereichen einer nichtlötbaren Oberfläche nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß eine Energiequelle eine energiereiche Strahlung aussendet und mittels einer Ablenkeinrichtung die energiereiche Strahlung auf einen mit Bekei­ mungsmaterial beschichteten Träger beaufschlagt ist, wobei der Träger in unmittelbarer Nähe zur nichtlötbaren Oberfläche angeordnet ist und die auf den Träger beaufschlagte energiereiche Strahlung den Träger durchdringt und die nichtlötbare Oberfläche erreicht.
23. Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß eine galvanooptische Ablenkeinrichtung verwendet ist und/oder eine Strahlformungseinrichtung die energiereiche Strahlung beeinflußt.
24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger als planparallele Platte ausgebildet ist und die mit Bekei­ mungsmaterial beschichtete Seite des Träger in direktem Kontakt mit der nichtlötbaren Oberfläche steht und der Träger in seiner Lage, insbeson­ dere durch eine Ansaugeinrichtung, fixiert ist.
DE19503178A 1994-03-31 1995-02-01 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer lötbaren Metallisierungsschicht auf einer nichtlötbaren Oberfläche Expired - Fee Related DE19503178B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19503178A DE19503178B4 (de) 1994-03-31 1995-02-01 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer lötbaren Metallisierungsschicht auf einer nichtlötbaren Oberfläche

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4411397.8 1994-03-31
DE4411397 1994-03-31
DE19503178A DE19503178B4 (de) 1994-03-31 1995-02-01 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer lötbaren Metallisierungsschicht auf einer nichtlötbaren Oberfläche

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19503178A1 true DE19503178A1 (de) 1995-10-05
DE19503178B4 DE19503178B4 (de) 2005-06-30

Family

ID=6514451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19503178A Expired - Fee Related DE19503178B4 (de) 1994-03-31 1995-02-01 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer lötbaren Metallisierungsschicht auf einer nichtlötbaren Oberfläche

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE19503178B4 (de)
WO (1) WO1995026852A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10035351A1 (de) * 2000-07-20 2002-02-21 Nelson Bolzenschweis Technik G Aluminiumschweißteil, insbesondere Aluminiumbolzen für das Bolzenschweißen, und Verfahren zum Verschweißen desselben
WO2003088333A1 (fr) * 2002-04-18 2003-10-23 Boris Aronovich Gurovich Procede de fabrication d'une structure tridimensionnelle conductrice et/ou semi-conductrice
DE102012110343A1 (de) * 2012-10-29 2014-04-30 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur lokal differenzierbaren Bedampfung von Substraten
DE102018129358A1 (de) * 2018-11-21 2020-05-28 Siteco Gmbh Leiterplatte für ein led-modul, led-modul sowie verfahren zur herstellung derselben
FR3102377A1 (fr) * 2019-10-29 2021-04-30 Universite de Bordeaux Equipement et procédé de dépôt par projection de particules par ondes de choc laser

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19544929C2 (de) * 1995-12-01 2001-02-15 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum flußmittelfreien Aufbringen eines Lötmittels auf ein Substrat oder einen Chip
RU2477902C1 (ru) * 2011-10-04 2013-03-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Способ формирования проводников в наноструктурах

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54119357A (en) * 1978-03-10 1979-09-17 Hitachi Ltd Solder coating and soldering method for aluminum

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57200944A (en) * 1981-06-02 1982-12-09 Hitachi Ltd Manufacture of magnetic disk
DE4129964C2 (de) * 1991-09-10 2001-05-03 Sel Alcatel Ag Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Befestigung einer integrierten Schaltung auf einer gedruckten Schaltung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54119357A (en) * 1978-03-10 1979-09-17 Hitachi Ltd Solder coating and soldering method for aluminum

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 54119357 A. In: Pat.Abstr. of JP, C-65 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10035351A1 (de) * 2000-07-20 2002-02-21 Nelson Bolzenschweis Technik G Aluminiumschweißteil, insbesondere Aluminiumbolzen für das Bolzenschweißen, und Verfahren zum Verschweißen desselben
DE10035351C2 (de) * 2000-07-20 2002-06-06 Nelson Bolzenschweis Technik G Aluminiumschweißteil, insbesondere Aluminiumbolzen für das Bolzenschweißen, und Verfahren zum Verschweißen desselben
WO2003088333A1 (fr) * 2002-04-18 2003-10-23 Boris Aronovich Gurovich Procede de fabrication d'une structure tridimensionnelle conductrice et/ou semi-conductrice
DE102012110343A1 (de) * 2012-10-29 2014-04-30 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur lokal differenzierbaren Bedampfung von Substraten
DE102018129358A1 (de) * 2018-11-21 2020-05-28 Siteco Gmbh Leiterplatte für ein led-modul, led-modul sowie verfahren zur herstellung derselben
FR3102377A1 (fr) * 2019-10-29 2021-04-30 Universite de Bordeaux Equipement et procédé de dépôt par projection de particules par ondes de choc laser
WO2021084201A1 (fr) * 2019-10-29 2021-05-06 Universite de Bordeaux Equipement et procédé de dépôt de particules par ondes de choc laser

Also Published As

Publication number Publication date
DE19503178B4 (de) 2005-06-30
WO1995026852A1 (de) 1995-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3788455T2 (de) Bandstruktur für automatische Bandmontage, Mehrschichtpackung und universelle Chipverbindung.
DE69517369T2 (de) Eine Vorrichtung zur Röntgenstrahlerzeugung
EP1891670B1 (de) Verfahren zur Erzeugung von vertikalen elektrischen Kontaktverbindungen in Halbleiterwafern
DE10101875B4 (de) Elektronisches Bauteil mit aufeinander gestapelten Halbleiterchips und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102005042074A1 (de) Verfahren zur Erzeugung von Durchkontaktierungen in Halbleiterwafern
CH688415A5 (de) Verfahren zum Plattieren von Durchgaengen.
EP0358867A1 (de) Flip-Chip-Montage mit einer Lötstoppschicht aus einem oxidierbaren Metall
EP0643153B1 (de) Verfahren zur Herstellung von strukturierten Metallisierungen auf Oberflächen
DE102006037532A1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer elektrischen Funktionsschicht auf einer Oberfläche eines Substrats
DE102015100491B4 (de) Vereinzelung von Halbleiter-Dies mit Kontaktmetallisierung durch elektroerosive Bearbeitung
EP2883247A1 (de) Laserbasiertes verfahren und bearbeitungstisch zur lokalen kontaktierung eines halbleiterbauelements
DE19503178B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer lötbaren Metallisierungsschicht auf einer nichtlötbaren Oberfläche
DE69213877T2 (de) Verfahren zur herstellung einer heimschicht für selektive metallbeschichtung
DE2839110C2 (de) Verfahren zum Anbringen von schmelzbaren Lötkugeln auf der Oberfläche eines isolierenden Substrats
DE102018213786A1 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE102013220886A1 (de) Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat
DE19511392A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Lothöckern
DE2522346C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE69715589T2 (de) Verfahren zur herstellung und zum transferieren metallischer tropfen
DE19756348C1 (de) Verfahren zum Bekeimen und/oder Implantieren und/oder Beschichten und/oder Strukturieren einer Oberfläche und Lasersputteranlage zur Durchführung des Verfahrens
DE2528000A1 (de) Verfahren zur herstellung einer loetflaeche relativ grosser abmessungen
DE102005011345A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Nanostruktur auf einem Substrat
DE19738118C2 (de) Montageverfahren für ein Halbleiterbauelement
DE19715501C1 (de) Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten
DE102006003607A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur lokalen Dotierung von Festkörpern sowie dessen Verwendung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8181 Inventor (new situation)

Free format text: KRABE, DETLEF, DR., 10439 BERLIN, DE

8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20110901