DE19544980A1 - Lichtemittierendes Bauelement und Herstellverfahren für dieses - Google Patents
Lichtemittierendes Bauelement und Herstellverfahren für diesesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Bauelement mit
Oberseitenverguß sowie dessen Herstellverfahren. Ein solches
Element wird z. B. als Lichtquelle für verschiedene Anzeige
tafeln, als Hintergrundbeleuchtung für Flüssigkristallanzei
gen und als Lichtquelle für Lichtschalter verwendet. Insbe
sondere betrifft die Erfindung ein lichtemittierendes Bau
element unter Verwendung von LED(lichtemittierende Diode)-
Chips kleiner Größe mit hoher Beständigkeit gegen äußere
Belastungen, und sie betrifft ein Herstellverfahren für ein
derartiges Bauelement.
Im allgemeinen werden LED-Chips in lichtemittierenden Bau
elementen für Oberflächenmontage verwendet, wie sie als
Lichtquelle bei verschiedenen Anzeigetafeln, Hintergrund
beleuchtung bei Flüssigkristallanzeigen und als Lichtquelle
bei Lichtschaltern verwendet werden. Jeder LED-Chip besteht
aus einem p-seitigen Halbleiter und einem n-seitigen Halb
leiter, die zu einem pn-Übergang zusammengefügt sind. Fig.
13 zeigt ein Beispiel für lichtemittierende Bauelemente, bei
denen derartige Chip-Teile verwendet sind.
In diesem lichtemittierenden Bauelement 60 sind LED-Chips 62
mit einer n-seitigen Halbleiterschicht 62a und einer p-sei
tigen Halbleiterschicht 62b, die zu einem pn-Übergang ver
bunden sind, verwendet. Die n-seitige Halbleiterschicht 62a
jedes dieser LED-Chips 62 ist auf einem Leiterrahmen 61 be
festigt.
Die p-seitige Halbleiterschicht 62b, die die Oberseite des
LED-Chips 62 bildet, ist auf der Anodenseite, die dem Lei
terrahmen 61 benachbart ist, durch einen Bonddraht 64 aus
einem Golddraht oder anderen Drähten mit einem Durchmesser
von ungefähr 10 µm bis 40 µm elektrisch mit einem Rahmen 63
verbunden. Hierbei ist der Bonddraht 64 bogenförmig so über
dem LED-Chip 62 geformt, daß er durch die Kanten oder andere
Teile des LED-Chips 62 nicht durchgetrennt wird. Darüber
hinaus sind ein Teil des Leiterrahmens 61 und ein Teil des
Rahmens 63 auf der Anodenseite durch ein lichtdurchlässiges
Harz 65 auf solche Weise abgedichtet, daß der LED-Chip 62
und der Bonddraht 64 überdeckt sind.
Fig. 14 ist eine Seitenansicht, die ein Beispiel lichtemit
tierender Bauelemente zeigt, in denen derartige Chipteile
verwendet sind. In diesem lichtemittierenden Bauelement 70
sind LED-Chips 74 verwendet, die eine n-seitige Halbleiter
schicht 74a und eine p-seitige Halbleiterschicht 74b aufwei
sen, die an einem pn-Übergang miteinander verbunden sind.
In diesem lichtemittierenden Bauelement 70 werden Elektro
denmuster 72 und 73 durch Metallplattierung an jeweiligen
Enden in der Längsrichtung der Oberseite eines isolierenden
Substrats 71 hergestellt. Die Elektrodenmuster 72 und 73
werden von der Oberseite des isolierenden Substrats 71 aus
gehend entlang der jeweiligen Endseiten desselben in der
Längsrichtung heruntergebogen, wobei sie jeweilige Endberei
che der Bodenseite des isolierenden Substrats 71 bedecken.
Hierbei wird die n-seitige Halbleiterschicht 74a auf einem
der Elektrodenmuster 72 befestigt.
Die p-seitige Halbleiterschicht 74b, die die Oberseite des
LED-Chips 74 bildet, ist elektrisch mit dem anderen Elektro
denmuster 73 des isolierenden Substrats 71 über einen Bond
draht 75 aus einem Golddraht oder anderen Drähten mit einem
Durchmesser von ungefähr 10 µm bis 40 µm verbunden. Hierbei
ist der Bonddraht 75 bogenförmig über dem LED-Chip 74 ausge
bildet, um nicht durch die Kanten oder andere Teile des LED-
Chips 74 durchgetrennt zu werden. Ferner ist der LED-Chip 74
zusammen mit dem Bonddraht 75 durch ein lichtdurchlässiges
Harz 76 abgedichtet.
Wie vorstehend beschrieben, sind die Bonddrähte 74 und 75,
die gegen Durchtrennen aufgrund äußerer Belastungen hochan
fällig sind, jeweils durch die lichtdurchlässigen Harze 65
bzw. 76 abgedichtet.
Wenn jedoch beim Herstellen des lichtemittierenden Bauele
ments 60 oder des lichtemittierenden Bauelements 70 der
Bonddraht 74 oder 75 an den Rahmen 63 oder das Elektroden
muster 73 gelötet wird, besteht immer noch die Tendenz, daß
dieser Bonddraht 64 oder 75 durchgetrennt wird. Darüber hin
aus besteht auch die Tendenz, daß der Bonddraht 64 oder 75
durch externe Belastungen durchgetrennt wird, wie sie durch
Verwindungen oder andere Effekte des Rahmens 63 und des iso
lierenden Substrats 71, die nach dem Lötprozeß auftreten,
verursacht werden.
Ferner ist es erforderlich, daß der Bonddraht 64 oder 75
einen Abstand von ungefähr 100 µm bis 200 µ von der Obersei
te des Bogens über dem LED-Chip 62 oder 74 bis zur Oberseite
dieses Chips aufweist, um nicht durch die Kanten oder andere
Teile des LED-Chips 62 oder 74 durchgetrennt zu werden. Im
Ergebnis muß das lichtdurchlässige Harz 65 oder 76 über dem
Bogen eine Dicke in der Größenordnung von 100 µm aufweisen,
um auch den Bogen abzudichten, der über dem Bonddraht 64
oder 75 ausgebildet ist. Dies macht das lichtdurchlässige
Harz 65 oder 76 dicker, was bewirkt, daß das lichtemittie
rende Bauelement 60 oder 70 voluminös wird.
Darüber hinaus besteht dann, wenn ein auf einem isolierenden
Substrat 71 montierter LED-Chip 74 mit lichtdurchlässigem
Harz 76 abgedichtet wird, die Tendenz, daß etwas dieses
lichtdurchlässigen Harzes 76 im geschmolzenen Zustand an der
Unterseite des isolierenden Substrats 71 anhaftet. Das so
an der Unterseite des isolierenden Substrats 71 anhaftende
lichtdurchlässige Harz 76 hat nachteilige Einflüsse auf die
Leitungsanordnung und andere Elemente, die an der Bodenseite
des isolierenden Substrats 71 angebracht sind. Aus diesem
Grund ist es erforderlich zu verhindern, daß lichtdurchläs
siges Harz 76 im geschmolzenen Zustand zur Unterseite des
isolierenden Substrats 71 herunterrinnt.
Im allgemeinen wird dann, wenn der LED-Chip 74 durch das
lichtdurchlässige Harz 76 abgedichtet wird, ein Spannwerk
zeug, ein metallisches Formwerkzeug oder andere Teile, die
dazu verwendet werden, daß das lichtdurchlässige Harz 76 in
seinem geschmolzenen Zustand nicht entlang der Seitenfläche
des isolierenden Substrats 71 zur Bodenseite herunterrinnt,
dicht an einen Teil entlang der Kante des isolierenden Sub
strats 71 gedrückt. Aus diesem Grund ist es erforderlich,
für einen Bereich zu sorgen, an dem das Spannwerkzeug oder
andere Teile entlang der Kante des isolierenden Substrats 71
angreifen können. Auch dies bewirkt, daß das lichtemittie
rende Bauelement 70 voluminös wird.
Darüber hinaus werden zur Massenherstellung lichtemittieren
der Bauelemente eine Anzahl von Durchgangslöchern in einem
isolierenden Substrat ausgebildet und eine Anzahl von LED-
Chips wird auf dem isolierenden Substrat angeordnet und
durch lichtdurchlässiges Harz abgedichtet. Dann werden das
isolierende Substrat und das lichtdurchlässige Harz Trenn
schneidvorgängen unterzogen, um eine Ausbildung zu einem je
weiligen LED-Chip zu erhalten. Insbesondere besteht bei die
ser Anordnung die Tendenz, daß das lichtdurchlässige Harz im
geschmolzenen Zustand zur Unterseite des isolierenden Sub
strats, durch die Durchgangslöcher hindurch, rinnt. Aus die
sem Grund ist es erforderlich, für Flächen zu sorgen, an
denen die Spannwerkzeuge oder andere Teile um die jeweiligen
Durchgangslöcher hindurch angreifen können.
Fig. 15 zeigt ein Beispiel für die Minimalabmessungen eines
lichtemittierenden Bauelements 70 vom Chiptyp gemäß Fig. 14.
Bei diesem lichtemittierenden Bauelement 70 wurde ein qua
dratischer LED-Chip 74 mit einer Seitenlänge von 300 µm ver
wendet. In diesem Fall betrug die Dicke des isolierenden
Substrats 71 mindestens 200 µm, die Dicke des LED-Chips be
trug 300 µm, der Abstand von der Oberseite des Bogens des
Bonddrahts 75 zur Oberseite des LED-chips 74 betrug 200 µm,
und die Dicke des den Bogen bedeckenden lichtemittierenden
Harzes 76 betrug 100 µm. Daher betrug die minimal erforder
liche Dicke des lichtemittierenden Bauelements 70 800 µm.
Ferner betrug die Länge (Bereich) des isolierenden Substrats
71 in der Längsrichtung, die dazu erforderlich war, den LED-
Chip 74 zu montieren, 600 µm, die zum Trennen des Elektro
denmusters 73 und des Elektrodenmusters 72 voneinander er
forderliche Länge betrug 200 µm, die zum Verbinden des Bond
drahts 75 und des Elektrodenmusters 73 erforderliche Länge
betrug 400 µm, und die zum Anbringen eines Spannwerkzeugs
oder anderer Teile, die dazu verwendet wurden, zu verhin
dern, daß das auf das isolierende Substrat 71 aufgebrachte
lichtdurchlässige Harz 76 zur Unterseite dieses Substrats
herunterrann, erforderliche Länge betrug 200 µm entlang der
gesamten Kante des isolierenden Substrats 71. Daher war für
die Länge des isolierenden Substrats 71 in der Längsrich
tung, die die Länge des lichtemittierenden Bauelements 70 in
der Längsrichtung bildet, ein Wert von minimal 1400 µm
(1,4 mm) erforderlich.
In den letzten Jahren wurden kompakte lichtemittierende Bau
elemente erforderlich, um Bedürfnissen hinsichtlich der Kom
paktheit verschiedener Anzeigetafeln, Lichtschalter und an
derer Geräte zu genügen. Daher ist es nicht erwünscht, daß
ein dickes lichtdurchlässiges Harz 65 oder 76 vorliegt. Je
doch ist die Wahrscheinlichkeit eines Durchtrennens des Bond
drahts 64 oder 75 um so höher, je dünner das lichtdurchläs
sige Harz 65 oder 76 gemacht wird. Dies führt zu einer
Schwierigkeit hinsichtlich geringer Zuverlässigkeit der her
gestellten lichtemittierenden Bauelemente.
Es ist eine erste Aufgabe der Erfindung, ein lichtemittie
rendes Bauelement zu schaffen, das kompakt ist, hohe Bestän
digkeit gegen äußere Belastungen aufweist und das auf ein
fache Weise massenhergestellt werden kann.
Die zweite Aufgabe der Erfindung ist es, ein Herstellverfah
ren zu schaffen, durch das derartige lichtemittierende Bau
elemente leicht massenhergestellt werden können.
Die erste Aufgabe hinsichtlich des Bauelements ist durch die
Lehren der beigefügten unabhängigen Ansprüche 1, 12 und 13
gelöst.
Erfindungsgemäße lichtemittierende Bauelemente mit einem
oder mehreren LED-Chips können leicht dadurch massenherge
stellt werden, daß das mit dem lichtdurchlässigen Harz be
deckte isolierende Substrat entlang der Positionen der
Durchgangslöcher durchtrennt wird.
Darüber hinaus besteht keine Möglichkeit, da die Durchgangs
löcher durch ein Abdichtungsteil abgedichtet sind, daß das
lichtdurchlässige Harz in die Durchgangslöcher fließt und
zur Unterseite des isolierenden Substrats herunterrinnt. Da
her ist es nicht erforderlich, Spannwerkzeuge oder andere
Teile um die Kanten der Durchgangslöcher im isolierenden
Substrat herum anzuordnen, um zu verhindern, daß lichtdurch
lässiges Harz in die Durchgangslöcher fließt. Dies beseitigt
das Erfordernis, Bereiche zum Anbringen der Spannwerkzeuge
um die jeweiligen Durchgangslöcher herum vorzusehen, und es
macht es möglich, lichtemittierende Bauelemente weiter zu
miniaturisieren.
Ferner ist es möglich, da die LED-Chips im lichtemittieren
den Bauelement jeweils durch das lichtdurchlässige Harz ab
gedichtet werden können, zu verhindern, daß Wasser, Staub
oder andere Gegenstände in sie eindringen. Wie oben be
schrieben, besteht, da die Oberseite des LED-Chips mit dem
pn-Übergang durch das lichtdurchlässige Harz geschützt ist,
keine Möglichkeit, daß diese Oberseite mit dem pn-Übergang
beschädigt werden kann, und zwar selbst dann nicht, wenn das
lichtemittierende Bauelement auf ein Substrat aufgelötet
wird, und es können keine Kurzschlüsse auftreten. Demgemäß
hat das lichtemittierende Bauelement hohe Beständigkeit ge
gen Beschädigungen aufgrund äußerer Belastungen, und es kann
leicht hergestellt werden.
Darüber hinaus wird es möglich, wenn der LED-Chip so ange
bracht wird, daß seine Fläche mit dem pn-Übergang nicht zum
isolierenden Substrat parallel ist, die Elektroden und den
LED-Chip durch ein leitendes Verbindungsmittel ohne Verwen
dung eines Bonddrahts im leitenden Zustand zu halten. Daher
ist ein solches lichtemittierendes Bauelement frei von
Beschädigungen aufgrund äußerer Belastungen, wie sie durch
Verwindungen oder andere Effekte des isolierenden Substrats
hervorgerufen werden. Ferner beseitigt diese Anordnung, im
Unterschied zu herkömmlichen Anordnungen, das Erfordernis,
daß das lichtdurchlässige Harz dicker aufgetragen wird, um
den Bonddraht zu schützen, weswegen das lichtemittierende
Bauelement in großem Ausmaß miniaturisiert werden kann.
Ferner kann dann, wenn der LED-Chip in einem die Elektroden
überbrückenden Zustand angeordnet wird und der LED-Chip
durch das lichtdurchlässige Harz abgedichtet wird, dieses
Harz in Zwischenräume zwischen dem LED-Chip und dem isolie
renden Substrat eindringen, um einen einstückigen Teil mit
diesem zu bilden. So wird der LED-Chip fester auf dem iso
lierenden Substrat angebracht. Daher wird die Beständigkeit
des lichtemittierenden Bauelements in bezug auf von außen
angeregte Schwingungen wie auch in bezug auf Wärmbelastungen
noch hervorragender.
Die obenangegebene zweite Aufgabe hinsichtlich des Verfah
rens ist durch die Lehren der beigefügten unabhängigen An
sprüche 15 und 22 gelöst.
Da bei den erfindungsgemäßen Verfahren die Durchgangslöcher
abgedichtet werden, bevor das isolierende Substrat mit dem
lichtdurchlässigen Harz beschichtet wird, ist es möglich zu
verhindern, daß das Harz in seinem geschmolzenen Zustand in
die jeweiligen Durchgangslöcher hineinfließt, wenn das iso
lierende Substrat mit diesem Harz beschichtet wird. Daher
ist es nicht erforderlich, Spannwerkzeuge oder andere Teile
um die Kanten der Durchgangslöcher im isolierenden Substrat
herum anzuordnen, um zu verhindern, daß das lichtdurchlässi
ge Harz in seinem geschmolzenen Zustand in die Durchgangs
löcher hineinfließt. Dies ermöglicht es, den Abdichtungspro
zeß, bei dem das lichtdurchlässige Harz verwendet wird,
leicht auszuführen.
Darüber hinaus ermöglicht es das vorstehend angegebene Ver
fahren, lichtemittierende Bauelemente einfach herzustellen,
von denen jedes eine gewünschte Anzahl von LED-Chips ent
hält.
Ferner ist es möglich, da die erste und zweite Elektrode,
mit denen der LED-Chip verbunden ist, für jedes Durchgangs
loch auf getrennte Weise ausgebildet werden, lichtemittie
rende Bauelemente mit einem oder mehreren LED-Chips einfach
dadurch massenherzustellen, daß die Struktur an den Durch
gangslöchern durchgetrennt wird.
Für ein vollständigeres Verständnis der Art und der Vorteile
der Erfindung ist auf die folgende detaillierte Beschreibung
in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen Bezug zu neh
men.
Fig. 1(a) ist eine Draufsicht, die ein lichtemittierendes
Bauelement, das einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ent
spricht, teilweise in Explosionsdarstellung zeigt; Fig. 1(b)
ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A in Fig. 1(a).
Fig. 2(a) bis 2(f) sind Schnittansichten, die die Herstell
prozesse für das lichtemittierende Bauelement von Fig. 1(a)
veranschaulichen.
Fig. 3 ist eine Schnittansicht, die die Abmessungen des
lichtemittierenden Bauelements von Fig. 1(a) zeigt.
Fig. 4(a) und 4(b) sind schematische Vorderansichten, die
jeweils modifizierte Beispiele des lichtemittierenden Bau
elements von Fig. 1(a) zeigen.
Fig. 5(a) ist eine schematische Vorderansicht, die ein ande
res modifiziertes Beispiel des lichtemittierenden Bauele
ments von Fig. 1(a) zeigt; Fig. 5(b) ist eine Seitenansicht
hierzu.
Fig. 6 ist eine Schnittansicht, die ein lichtemittierendes
Bauelement ohne Durchgangslöcher zeigt.
Fig. 7(a) und 7(b) sind Draufsichten, die lichtemittierende
Bauelemente, die andere Ausführungsbeispiele der Erfindung
betreffen, teilweise in Explosionsdarstellung zeigen.
Fig. 8(a) ist eine Draufsicht, die ein lichtemittierendes
Bauelement, das noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Er
findung betrifft, teilweise in Explosionsdarstellung zeigt;
Fig. 8(b) ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B von
Fig. 8(a).
Fig. 9(a) bis 9(c) sind Schnittansichten, die wesentliche
Teile eines isolierenden Substrats bei Herstellprozessen für
das lichtemittierende Bauelement von Fig. 8(a) veranschau
lichen.
Fig. 10(a) ist eine schematische Draufsicht auf das isolie
rende Substrat, die Fixierpositionen für LED-Chips zeigt;
Fig. 10(b) ist eine Schnittansicht entlang der Linie C-C in
Fig. 10(a).
Fig. 11(a) bis 11(c) sind Schnittansichten für Herstellpro
zesse des lichtemittierenden Bauelements von Fig. 8 (a).
Fig. 12(a) ist eine Draufsicht, die ein lichtemittierendes
Bauelement, das noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Er
findung betrifft, in teilweiser Explosionsdarstellung zeigt;
Fig. 12(b) ist eine Schnittansicht entlang der Linie D-D von
Fig. 12(a).
Fig. 13 ist eine Schnittansicht, die ein herkömmliches
lichtemittierendes Bauelement zeigt.
Fig. 14 ist eine Schnittansicht, die ein anderes herkömmli
ches lichtemittierendes Bauelement zeigt.
Fig. 15 ist eine Schnittansicht, die Abmessungen des licht
emittierenden Bauelements von Fig. 14 zeigt.
Fig. 1(a) ist eine Draufsicht, die ein Beispiel eines erfin
dungsgemäßen lichtemittierenden Bauelements in teilweiser
Explosionsdarstellung zeigt, und Fig. 1(b) ist eine Schnitt
ansicht entlang der Linie A-A in Fig. 1(a).
Diese lichtemittierende Bauelement 10 ist mit einem längli
chen isolierenden Substrat 17 und einem LED-Chip 14 verse
hen, der auf dem isolierenden Substrat 17 angeordnet ist.
Das isolierende Substrat 17 besteht z. B. aus glasartigem
Epoxidharz, einem Verbundmaterial oder anderen Materialien.
An den jeweiligen Enden des isolierenden Substrats 17 in
Längsrichtung (nachfolgend wird die Längsrichtung als X-
Richtung bezeichnet und die dazu rechtwinklige Richtung wird
als Y-Richtung bezeichnet) sind halbzylindrische, ausgespar
te Abschnitte 11′ vorhanden. Darüber hinaus ist ein Paar
Elektrodenmuster 12 (erste Elektrode und zweite Elektrode),
die im mittleren Abschnitt in der X-Richtung des isolieren
den Substrats 17 unterteilt sind, auf der Oberseiten des
isolierenden Substrats 17 angebracht. Die jeweiligen Elek
trodenmuster 12 bestehen aus einer Metallplattierung. Die
Elektrodenmuster 12 bedecken jeweils die Innenflächen der
ausgesparten Abschnitte 11′, die an den Enden des isolieren
den Substrats 17 vorhanden sind. Ferner erreichen die Elek
trodenmuster 12 jeweils die Unterseite des isolierenden
Substrats 17 durch die ausgesparten Abschnitte 11′ hindurch,
auf gebogene Weise entlang der Unterseite des isolierenden
Substrats 17.
Die ausgesparten Abschnitte 11′, die mit den jeweiligen
Elektrodenmustern 12 bedeckt sein können, werden mit einem
leitenden Verbindungsmittel 13, wie Lot, Silber(Ag)-Paste
oder Kupfer(Cu)-Paste, das als Abdichtungsteil fungiert,
aufgefüllt. Der LED-Chip 14 wird auf die jeweiligen Elektro
denmuster 12 aufgesetzt, die die Oberseite des isolierenden
Substrats 17 bedecken, und zwar auf solche Weise, daß er
eine Überbrückung vom einen der Elektrodenmuster 12 zum an
deren bildet. Der LED-Chip 14 besteht aus einer n-seitigen
Halbleiterschicht 14a und einer p-seitigen Halbleiterschicht
14b, die unter Bildung eines pn-Übergangs aufeinandergesta
pelt sind. Ferner ist eine n-seitige Elektrode 14d auf der
Oberseite der n-seitigen Halbleiterschicht 14a angebracht.
Darüber hinaus ist eine p-seitige Elektrode 14e auf der
Oberseite der p-seitigen Halbleiterschicht 14b aufgebracht.
Der LED-Chip 14 ist mit einem solchen Überbrückungszustand
zwischen den gepaarten Elektrodenmusters 12 angeordnet, daß
eine Fläche 14c mit dem pn-Übergang, die eine Verbindungs
fläche zwischen der n-seitigen Halbleiterfläche 14a und der
p-seitigen Halbleiterschicht 14b bildet, nicht-parallel zum
isolierenden Substrat 17 gehalten wird, oder, was speziell
wünschenswert ist, rechtwinklig hierzu gehalten wird. In
diesem Fall sind die n-seitige Elektrode 14d und die p-sei
tige Elektrode 14e jeweils rechtwinklig zu den Elektroden
mustern 12 angeordnet.
Die Elektrodenmuster 12 werden unter Verwendung eines lei
tenden Verbindungsmittels 15 wie Lot, Ag-Paste oder Cu-Paste
mit der n-seitigen Elektrode 14d und der p-seitigen Elektro
de 14e, die beide über den Elektrodenmustern 12 angeordnet
werden, so verbunden, daß sie in leitendem Zustand miteinan
der gehalten werden.
Der LED-Chip 14 und das leitende Verbindungsmittel 15 auf
dem isolierenden Substrat 17 sind durch ein lichtdurchlässi
ges Harz 16, wie Epoxidharz, Phenoxyharz, Acrylatharz oder
Polyethersulfonharz (PES-Harz) abgedichtet. Dieses licht
durchlässige Harz 16 ist zu einem Quader gegossen, der die
jeweiligen Endflächen des isolierenden Substrats 17, an de
nen die ausgesparten Abschnitte 11′ ausgebildet sind, und
den Endflächen in Längsrichtung folgt.
Fig. 2(a) bis 2(f) sind Schnittansichten, die Herstellpro
zesse für das in Fig. 1(a) dargestellte lichtemittierende
Bauelement 10 veranschaulichen. Bei diesen Herstellprozessen
wird eine Anzahl lichtemittierender Bauelemente 10 aus einer
Lage des isolierenden Substrats 17 hergestellt. Zunächst
wird, wie es in Fig. 2(a) dargestellt ist, eine Anzahl von
Durchgangslöchern 11 mit jeweils runder Form matrixförmig im
isolierenden Substrat 17 mit vorgegebenen Schrittweiten in
X- und Y-Richtung hergestellt. Hierbei werden, wie es später
beschrieben wird, die ausgesparten Abschnitte 11′ dadurch
ausgebildet, daß die Durchgangslöcher 11 entlang Schnittli
nien durchtrennt werden, die jeweils durch die Mitte der
Durchgangslöcher 11 gehen.
Danach wird eine Metallschicht durch einen Plattierungspro
zeß oder einen anderen Prozeß so ausgebildet, daß sie alle
Abschnitte des isolierenden Substrats 17 einschließlich der
Oberseite und der Unterseite desselben sowie der Innenseiten
der Durchgangslöcher 11 bedeckt. Dann wird, wie es in Fig.
2(b) veranschaulicht ist, die Oberseite des isolierenden
Substrats 17 so gemustert, daß die Metallschicht im mittle
ren Abschnitt zwischen benachbarten Durchgangslöchern 11
durchgetrennt ist. Die Unterseite des isolierenden Substrats
17 wird dagegen so gemustert, daß die Metallschicht nur in
den Bereichen verbleibt, die ein Durchgangsloch 11 umgeben.
Demgemäß werden Elektrodenmuster 12, von denen jedes hin
sichtlich jedem Durchgangsloch 11 getrennt ist, auf dem iso
lierenden Substrat 17 ausgebildet.
Danach werden, wie es in der Fig. 2(c) veranschaulicht ist,
die mit den Elektrodenmustern 12 bedeckten Durchgangslöcher
11 mit dem leitenden Verbindungsmittel 13 aufgefüllt.
Wie vorstehend beschrieben, werden, da die Durchgangslöcher
11 mit dem leitenden Verbindungsmittel 13 aufgefüllt werden,
mehrere LED-Chips 14 auf dem isolierenden Substrat 17 ange
bracht, während sie leitend miteinander verbunden gehalten
werden.
Danach wird, wie es in Fig. 2(d) veranschaulicht ist, der
LED-Chip 14 als Brücke zwischen den gepaarten Elektroden
mustern 12 auf der Oberseite des isolierenden Substrats 17,
die durch die benachbarten Durchgangslöcher 11 getrennt
sind, so auf der Oberseite des isolierenden Substrats 17 an
gebracht, daß die Fläche 14c mit dem pn-Übergang rechtwink
lig zum isolierenden Substrat 17 steht.
Danach werden die Elektrodenmuster 12 mit dem überbrückenden
LED-Chip 14 unter Verwendung des leitenden Verbindungsmit
tels 15 so mit der n-seitigen Elektrode 14d und der p-seiti
gen Elektrode 14e des LED-Chips 14a verbunden, daß leitender
Zustand zwischen diesen besteht. In diesem Fall können all
gemein verwendete leitende Verbindungsmittel wie Jod, Ag-
Paste oder Cu-Paste als leitendes Verbindungsmittel 15 ver
wendet werden. Jedoch besteht im Fall der Verwendung von Lot
als leitendes Verbindungsmittel 15 die Tendenz, daß Verun
reinigungen im Lot die Fläche 14c mit dem pn-Übergang errei
chen, was Kurzschlüsse hervorruft. Daher ist es bevorzugt,
leitende Pasten wie Ag-Paste oder Cu-Paste zu verwenden.
Wie oben beschrieben, ist beim lichtemittierenden Bauelement
10 des vorliegenden Ausführungsbeispiels der LED-Chip 14 so
zwischen den gepaarten Elektrodenmustern 12 angeordnet, daß
seine Fläche 14c mit dem pn-Übergang nicht-parallel zum iso
lierenden Substrat 17 steht. Daher ist es möglich, die Elek
troden und den LED-Chip durch ein leitendes Verbindungsmit
tel in einem leitenden Zustand zu halten, ohne daß ein Bond
draht verwendet wird. Im Ergebnis ist das lichtemittierende
Bauelement 10 frei von Beschädigungen aufgrund von außen
wirkender Belastungen, wie sie durch Verbindungen oder ande
re Effekte des isolierenden Substrats 17 hervorgerufen wer
den. Ferner beseitigt diese Anordnung, abweichend von her
kömmlichen Anordnungen, das Erfordernis, das lichtdurchläs
sige Harz dicker zu machen, was später beschrieben wird, um
den Bonddraht zu schützen; daher kann das lichtemittierende
Bauelement 10 in hohem Ausmaß miniaturisiert werden.
Anschließend wird, wie es in Fig. 2(e) veranschaulicht ist,
eine Lage des lichtdurchlässigen Harzes 16 auf der Oberseite
des isolierenden Substrats 17 angeordnet und im Vakuum unter
Wärme angedrückt. Als Lage des lichtdurchlässigen Harzes 16
wird ein lichtdurchlässiges Harz wie Epoxidharz, Phenoxy
harz, Acrylatharz oder PES-Harz verwendet. Demgemäß wird der
LED-Chip 14 durch das lichtdurchlässige Harz 16 abgedichtet.
Hierbei werden die jeweiligen Durchgangslöcher 11, die im
isolierenden Substrat 17 enthalten sind, mit dem leitenden
Verbindungsmittel 13 aufgefüllt. Dies verhindert, daß das
lichtdurchlässige Harz 16 im geschmolzenen Zustand in die
jeweiligen Durchgangslöcher 11 fließt und zur Unterseite des
isolierenden Substrats 17 herunterrinnt.
Daher ist es dann, wenn das lichtdurchlässige Harz 16 im ge
schmolzenen Zustand auf das isolierende Substrat 17 gedrückt
wird, nur erforderlich, das metallische Formwerkzeug oder
die Spanneinrichtung oder andere Teile um die Umfangskante
des isolierenden Substrats 17 herum anzuordnen, und diese
Anordnung ermöglicht es zu verhindern, daß das lichtdurch
lässige Harz 16 im geschmolzenen Zustand zur Unterseite des
isolierenden Substrats 17 entlang den Seiten desselben her
unterrinnt.
Anders gesagt, ist es nicht erforderlich, Spannwerkzeuge
oder andere Teile um die Kanten der Durchgangslöcher 11 im
isolierenden Substrat 17 herum anzuordnen, um zu verhindern,
daß das lichtdurchlässige Substrat 16 im geschmolzenen Zu
stand in die Durchgangslöcher 11 fließt. Dies beseitigt auch
das Erfordernis, Bereiche bereitzustellen, an denen die
Spanneinrichtungen um die jeweiligen Durchgangslöcher 11
herum angreifen können. Im Ergebnis kann der Abdichtungspro
zeß unter Verwendung des lichtdurchlässigen Harzes 16 leicht
ausgeführt werden. Ferner ist es möglich, die gesamte Struk
tur des lichtdurchlässigen Bauelements 10 zu miniaturisie
ren.
Darüber hinaus existiert, da die Fläche 14c mit dem pn-Über
gang rechtwinklig zum isolierenden Substrat 17 gehalten
wird, keine Elektrodenschicht, die emittiertes Licht aus
blendet. Dies ermöglicht es, den Wirkungsgrad der nach außen
gegebenen Lichtemission zu erhöhen. Ferner ist es möglich,
da die Dicke des zum Abdichten des LED-Chips 14 erforderli
chen lichtemittierenden Harzes 16 weiter verringert ist, das
lichtemittierende Bauelement 10 kompakter auszubilden.
Ferner kann bei einer Anordnung, bei der der LED-Chip 14 in
überbrückendem Zustand zwischen den Elektrodenmustern 12 an
geordnet ist, dann, wenn dieser LED-Chip 14 und das leitende
Verbindungsmittel 15 durch das lichtdurchlässige Harz 16 ab
gedichtet werden, dieses Harz in Zwischenräume zwischen dem
LED-Chip 14 und dem isolierenden Substrat 17 eindringen, um
ein integraler Teil desselben zu werden. Demgemäß wird der
LED-Chip 14 fester auf dem isolierenden Substrat 17 ange
bracht. Daher wird das lichtemittierende Bauelement 10 hin
sichtlich seiner Beständigkeit gegen von außen angeregte
Schwingungen und auch gegen thermische Belastungen noch her
vorragender.
Nachdem das lichtdurchlässige Harz 16 ausgehärtet ist, um
die jeweiligen LED-Chips 14 auf dem isolierenden Substrat 17
abzudichten, werden dieses isolierende Substrat 17 und das
lichtdurchlässige Harz 16 trennenden Schnitten entlang
Trennlinien 19a unterzogen, die durch die Mitten der in der
Y-Richtung angeordneten Durchgangslöcher 11 gehen, wie es in
Fig. 2(f) dargestellt ist. Ferner werden das isolierende
Substrat 17 und das lichtdurchlässige Harz 16 auch trennen
den Schnitten zwischen den LED-Chips 14 unterzogen, die in
der Y-Richtung benachbart liegen. Demgemäß kann eine Anzahl
lichtemittierender Bauelemente 10 hergestellt werden, die
jeweils einen LED-Chip 14 enthalten.
Wie vorstehend beschrieben, ist es beim lichtemittierenden
Bauelement 10, da die LED-Chips 14 und das leitende Verbin
dungsmittel 15 durch das lichtdurchlässige Harz 16 abgedich
tet sind, möglich zu verhindern, daß Wasser, Staub oder an
dere Gegenstände in das lichtemittierende Bauelement 10 ein
dringen. Darüber hinaus sind die LED-Chips 14 mit dem iso
lierenden Substrat 17 verbunden, und die Fläche 14c mit dem
pn-Übergang ist durch das lichtdurchlässige Harz 16 ge
schützt. Daher besteht bei tatsächlichen Prozessen, z. B.
beim Prozeß, bei dem das lichtemittierende Bauelement 10 auf
eine Leiterplatte gelötet wird, keine Möglichkeit, daß die
Fläche 14c mit dem pn-Übergang beschädigt wird und daß Kurz
schlüsse auftreten. Demgemäß ist das lichtemittierende Bau
element gegen Beschädigungen aufgrund äußerer Belastungen
sehr beständig, und es kann leicht hergestellt werden.
Darüber hinaus ist es dann, wenn das lichtemittierende Bau
element 10 vor der Verwendung auf eine Leiterplatte gelötet
wird, nicht erforderlich, da die Elektrodenmuster 12 so kon
zipiert sind, daß sie die Unterseite des isolierenden Sub
strats 17 erreichen, Einführungslöcher in der Leiterplatte
anzubringen, um Zuleitungsstifte aufzunehmen. Diese Einfüh
rungslöcher sind erforderlich, wenn das lichtemittierende
Bauelement 10 unter Verwendung von z. B. Zuleitungsstiften
oder anderer Teile anstelle der Elektrodenmuster 12 auf die
Leiterplatte gelötet wird.
Ferner ist es beim lichtemittierenden Bauelement 10 möglich,
da die Elektrodenmuster 12 so konzipiert sind, daß sie die
Unterseite des isolierenden Substrats 17 erreichen, die
Elektrodenmuster 12 auf die Oberseite einer Leiterplatte zu
löten.
Hier ist das Durchgangsloch 11 mit dem leitenden Verbin
dungsmittel 13 gefüllt. Daher wirkt dann, wenn das isolie
rende Substrat 17 und das lichtdurchlässige Harz 16 trennen
den Schnitten entlang der Trennungslinien 19a, von denen
jede durch die Mitte des Durchgangslochs 11 geht, unterzogen
werden, jeder durchgetrennte Abschnitt als Elektrode, wie
sie verwendet wird, wenn das lichtemittierende Bauelement 10
auf das Substrat gelötet wird. Dies ermöglicht es, das
lichtemittierende Bauelement 10 stabil auf das Substrat zu
löten, ohne daß die Gesamtdicke erhöht ist.
Anders gesagt, hat das lichtemittierende Bauelement 10 her
vorragende Bearbeitbarkeit, und wenn es verwendet wird, ist
es möglich, den Gesamtaufbau eines Geräts zu miniaturisie
ren, in dem es eingesetzt wird. Außerdem wird dann, wenn das
lichtemittierende Bauelement 10 unter Verwendung von Zulei
tungsstiften oder anderen Teilen fixiert wird, der Lötprozeß
auf der Rückseite der Leiterplatte ausgeführt. Dies macht
den Gesamtaufbau der Vorrichtung dicker.
Fig. 3 zeigt ein Beispiel für die Abmessungen eines licht
emittierenden Bauelements 10, das wie obenbeschrieben herge
stellt wurde. Beim lichtemittierenden Bauelement 10 des vor
liegenden Ausführungsbeispiels wurde ein quadratischer LED-
Chip 14 mit Seitenlängen von 300 µm verwendet. In diesem
Fall betrug die Dicke des isolierenden Substrats 17 und der
Elektrodenmuster 12 200 µm, die Dicke des LED-Chips 14 be
trug 300 µm und die Dicke des lichtdurchlässigen Harzes 16,
das den LED-Chip 14 abdeckt, betrug 100 µm. Daher betrug die
minimal erforderliche Dicke für das lichtemittierende Bau
element 10 600 µm.
Darüber hinaus waren im LED-Chip 14 die Länge der n-seitigen
Halbleiterschicht 14a und der p-seitigen Halbleiterschicht
14b in der Stapelrichtung 300 µm, und die Längen, die dazu
erforderlich waren, die Elektrodenmuster 12 elektrisch mit
der n-seitigen Elektrode 14d und der p-seitigen Elektrode
14e über das leitende Verbindungsmittel 15 zu verbinden,
betrugen jeweils 350 µm. Daher betrug die Abmessung des
lichtemittierenden Bauelements 10 in der X-Richtung 1000 µm
(1,0 mm), was die minimal erforderliche Abmessung ist.
Daher ermöglicht es das lichtemittierende Bauelement 10 des
vorliegenden Ausführungsbeispiels im Vergleich mit der her
kömmlichen Anordnung, die Dicke um 200 µm von 800 µm auf
600 µm zu verringern und auch die Länge in der Längsrichtung
um 600 µm von 1600 µm auf 1000 µm zu verkürzen.
Ferner kann, wie es in Fig. 4 veranschaulicht ist, das er
findungsgemäße lichtemittierende Bauelement so modifiziert
werden, daß das lichtdurchlässige Harz 16, das auf das iso
lierende Substrat 17 aufgebracht ist, in verschiedenen Lin
senformen ausgebildet wird. Z. B. wird, wie es in Fig. 4(a)
veranschaulicht ist, das lichtdurchlässige Harz 16 in der
Form einer konvexen Linse mit einem halbkugelförmigen, vor
stehenden Abschnitt ausgebildet, oder es wird, wie es in
Fig. 4(b) veranschaulicht ist, in Form einer konvexen Linse
ausgebildet, die als ausgesparter, halbkugelförmiger Ab
schnitt vorhanden ist. Darüber hinaus kann, wie es in den
Fig. 5(a) und 5(b) veranschaulicht ist, das lichtdurchlässi
ge Harz 16 in Form einer Stablinse mit halbzylindrischem Ab
schnitt gegossen werden.
Wenn das lichtdurchlässige Harz 16 linsenförmig ausgebildet
wird, werden anpressende Spanneinrichtungen, die für die
jeweiligen Linsenformen geeignet sind, auf eine Lage des
lichtdurchlässigen Harzes 16 aufgedrückt, wenn diese Lage
auf dem isolierenden Substrat 17 mit darauf befindlichen
LED-Chips 14 aufgelegt und unter Wärme angedrückt wird.
Das lichtdurchlässige Harz 16, das auf diese Weise zu ver
schiedenen Linsenformen ausgebildet wurde, ermöglicht es,
Licht wirkungsvoller zu konvergieren, was die Leuchtkraft
des Bauelements verbessert.
Darüber hinaus kann, wenn die LED-Chips 14 durch das licht
durchlässige Harz 16 abgedichtet sind, das isolierende Sub
strat 17 innerhalb eines metallischen Formwerkzeugs mit vor
gegebener Form angeordnet werden, anstatt daß die Lage aus
lichtdurchlässigem Harz 16 verwendet wird, und es kann
lichtdurchlässiges Harz 16 in geschmolzenem Zustand in das
metallische Formwerkzeug eingegossen werden. Auch in diesem
Fall ist es möglich, da die jeweiligen Durchgangslöcher 11
im isolierenden Substrat 17 mit dem leitenden Verbindungs
mittel 13 gefüllt sind, zu verhindern, daß das lichtdurch
lässige Harz 16 in geschmolzenem Zustand zur Unterseite des
isolierenden Substrats 17 herunterrinnt.
Fig. 6 ist eine Schnittansicht, die ein lichtemittierendes
Bauelement 20 ohne Durchgangslöcher zeigt. Bei diesem licht
emittierenden Bauelement 20 ist ein Paar Elektrodenmuster
22, die im mittleren Abschnitt in X-Richtung eines isolie
renden Substrats 27 voneinander getrennt sind, auf der Ober
seite und der Rückseite des isolierenden Substrats 27 ent
lang den jeweiligen Seiten dieses isolierenden Substrats 27
angebracht. Auf dieselbe Weise wie beim vorstehend angegebe
nen Ausführungsbeispiel überbrückt der LED-Chip 24, die ge
paarten Elektrodenmuster 20, wobei eine Fläche 24c mit einem
pn-Übergang nicht-parallel zum isolierenden Substrat 27 ge
halten wird, am wünschenswertesten rechtwinklig zu diesem.
Der LED-Chip 24 und die Elektrodenmuster 22 werden unter
Verwendung eines leitenden Verbindungsmittels 25 so mitein
ander verbunden, daß sie in leitendem Zustand verbleiben.
Ferner werden das leitende Verbindungsmittel 25 und der LED-
Chip 24 durch einen lichtdurchlässigen Kleber 26 abgedich
tet, der auf dem isolierenden Substrat 27 ausgebildet wird.
Hierbei bestehen das isolierende Substrat 27, die Elektro
denmuster 22, der LED-Chip 24 und das leitende Verbindungs
mittel 25 jeweils aus denselben Materialien wie das isolie
rende Substrat 17, die Elektrodenmuster 12, der LED-Chip 14
bzw. das leitende Verbindungsmittel 15 beim ersten Ausfüh
rungsbeispiel.
Das lichtemittierende Bauelement 20 des vorliegenden Ausfüh
rungsbeispiels wird dadurch hergestellt, daß ein LED-Chip 24
auf einer Lage des isolierenden Substrats 27 montiert wird,
das auf vorgegebene Größe geformt wurde. Daher sind weder
Durchgangslöcher noch ausgesparte Abschnitte im isolierenden
Substrat 27 vorhanden.
Bei diesem lichtemittierenden Bauelement 20 ist es erforder
lich, entlang der gesamten Umfangskante des isolierenden
Substrats 27 für Bereiche zu sorgen, an denen ein metalli
sches Formwerkzeug, eine Spanneinrichtung oder andere Teile
angreifen können, die verhindern, daß das lichtdurchlässige
Substrat 26 im geschmolzenen Zustand zur Unterseite des iso
lierenden Substrats 27 herunterrinnt. Aus diesem Grund sind
die Längen in der Längsrichtung und der Breitenrichtung des
isolierenden Substrats 27 geringfügig größer als die beim
lichtemittierenden Bauelement 10 des vorstehend genannten
Ausführungsbeispiels. Jedoch benötigt das lichtemittierende
Bauelement 20 keinen Bonddraht, was dasselbe wie beim vor
stehenden Ausführungsbeispiel ist. Daher ermöglicht es die
ses lichtemittierende Bauelement 10 im Vergleich mit einem
herkömmlichen lichtemittierenden Bauelement, die Dicke des
lichtdurchlässigen Harzes 26 zu verringern, wodurch das Bau
element miniaturisiert werden kann.
Auch beim lichtemittierenden Bauelement 20 kann das licht
durchlässige Harz 26, das auf dem isolierenden Substrat 27
anzubringen ist, mit verschiedenen Linsenformen ausgebildet
werden.
Unter Bezugnahme auf Fig. 7 erörtert die folgende Beschrei
bung ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Hierbei
sind zum Vereinfachen der Erläuterung diejenigen Teile, die
dieselben Funktionen wie beim Ausführungsbeispiel 1 haben
und die dort beschrieben sind, mit denselben Bezugszahlen
gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Teile wird weg
gelassen.
Wie es in Fig. 7(a) dargestellt ist, ist das lichtemittie
rende Bauelement 30 des vorliegenden Ausführungsbeispiels
mit zwei LED-Chips 14 versehen, die auf einem isolierenden
Substrat 17 angeordnet sind. Um das lichtemittierende Bau
element 30 mit diesem Aufbau zu erhalten, wird zunächst eine
Anzahl von LED-Chips 14 auf einer Lage des isolierenden Sub
strats 17 montiert, und dieses isolierende Substrat 17 wird
durch lichtdurchlässiges Harz 16 ganz abgedichtet, wie es in
den Fig. 2(a) bis 2(f) dargestellt ist. Danach werden das
isolierende Substrat 17 und das lichtdurchlässige Harz 16 in
diesem Zustand trennenden Schnitten entlang den Trennungs
linien 19a unterzogen, die sich in der Y-Richtung erstrec
ken, d. h. in der Achsenrichtung des isolierenden Substrats
17. Dann werden das isolierende Substrat 17 und das licht
durchlässige Harz 16 erneut trennenden Schnitten in der X-
Richtung so unterzogen, daß zwei in Y-Richtung einander be
nachbarte LED-Chips 14 eine integrale Einheit bilden; so
wird das lichtemittierende Bauelement 20 auf einfache Weise
hergestellt.
Ferner kann, wie es in Fig. 7(b) veranschaulicht ist, eine
andere Anordnung vorgeschlagen werden, bei der Durchgangs
löcher 11, die später ausgesparte Bereiche 11′ bilden, vorab
in den Ecken der Installationsposition der zwei LED-Chips 14
(Bereich, auf dem die LED-Chips 14 montiert werden) auf sol
che Weise ausgebildet werden, daß sie die LED-Chips 14 um
geben. Bei dieser Anordnung sind die ausgesparten Abschnitte
11′, nachdem das isolierende Substrat 17 entlang den durch
die Durchgangslöcher 11 gehenden Trennungslinien zerschnit
ten wurde, in den vier die zwei LED-Chips 14 umgebenden
Ecken ausgebildet.
Auch in diesem Fall reichen die jeweiligen Elektrodenmuster
12 bis zur Unterseite des isolierenden Substrats 17, und
zwar ausgehend von seiner Oberseite durch die Durchgangs
löcher 11 hindurch (entsprechend den ausgesparten Abschnit
ten 11′, nachdem das isolierende Substrat 17 zerteilt wur
de), auf gebogene Weise entlang der Unterseite des isolie
renden Substrats 17. So sind die LED-Chips 14 mittels eines
leitenden Verbindungsmittels 15 mit den durch jedes Durch
gangsloch 11 unterteilten Elektrodenmustern 12 verbunden,
wobei der leitende Zustand durch das Verbindungsmittel auf
rechterhalten wird.
Bei dieser Anordnung werden die Durchgangslöcher 11, die
vorab auf solche Weise ausgebildet sind, daß sie die Anbrin
gungspunkte der zwei LED-Chips 14 umgeben, als Zielpunkte
angesehen, wenn trennenden Schnitte ausgeführt werden, so daß
die einander in der Y-Richtung benachbarten beiden LED-Chips
14 eine einstückige Einheit bilden. Dies ermöglicht es, den
trennenden Schneidprozeß einfacher auszuführen.
Darüber hinaus kann auch in diesem Fall das lichtemittieren
de Bauelement 30 so hergestellt werden, daß zwei LED-Chips
14 auf einem isolierenden Substrat 17 montiert werden, das
vorab mit einer vorgegebenen Form hergestellt wurde.
Ferner soll beim erfindungsgemäßen lichtemittierenden Bau
element die Anzahl von LED-Chips nicht auf eins oder zwei
begrenzt sein: zum Beispiel können drei oder mehr LED-Chips
angebracht werden. Auch in diesem Fall kann das lichtemit
tierende Bauelement auf die folgende Weise hergestellt wer
den. Nachdem eine Anzahl von LED-Chips auf einem isolieren
den Substrat montiert wurde und sie durch lichtdurchlässiges
Harz abgedichtet wurden, wird das Substrat trennenden
Schnitten unterzogen, die es in Teile unterteilt, von denen
jedes die gewünschte Anzahl von LED-Chips enthält. Ferner
kann das lichtemittierende Bauelement dadurch hergestellt
werden, daß eine vorgegebene Anzahl von LED-Chips auf einem
isolierenden Substrat montiert wird, das vorab mit einer
vorgegebenen Form hergestellt wurde.
Hierbei werden, da die Durchgangslöcher 11 mit dem leitenden
Verbindungsmittel 13 aufgefüllt sind, mehrere LED-Chips 14
so auf dem isolierenden Substrat 17 angebracht, daß sie lei
tend miteinander verbunden sind. Wenn ein lichtemittierendes
Bauelement mit mehreren LED-Chips verwendet wird, ermöglicht
es diese Anordnung, die Abschnitte zu verringern, an die
Spannung anzulegen ist.
Außerdem kann beim lichtemittierenden Bauelement 30 gemäß
der Erfindung das lichtdurchlässige Harz 16, das auf dem
isolierenden Substrat 17 anzubringen ist, auch in Form ver
schiedener Linsen an Orten ausgebildet werden, die den je
weiligen LED-Chips 14 entsprechen, auf dieselbe Weise wie
bei den vorstehend angegebenen Ausführungsbeispielen.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 8 bis 11 erörtert die folgende
Beschreibung noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfin
dung.
Fig. 8(a) ist eine Draufsicht, die ein lichtemittierendes
Bauelement 40 in teilweiser Explosionsdarstellung zeigt, das
noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft;
Fig. 8(b) ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B in
Fig. 8(a).
Das lichtemittierende Bauelement 40 des vorliegenden Ausfüh
rungsbeispiels ist mit einem isolierenden Substrat 47 mit
rechteckiger Form sowie einem LED-Chip 44 versehen, der auf
diesem isolierenden Substrat 47 angeordnet ist. Das isolie
rende Substrat 47 besteht aus glasigem Epoxidharz, einem
Verbundmaterial oder anderen Materialien, auf dieselbe Weise
wie bei den vorstehenden Ausführungsbeispielen.
Das isolierende Substrat 47 ist an seinen jeweiligen Enden
in der X-Richtung, d. h. in der Längsrichtung, mit ausge
sparten Abschnitten 41′ versehen. Jeder ausgesparte Ab
schnitt 41′ verfügt über halbzylindrische Ausschnittsform.
Ein Paar rechteckiger Elektrodenmuster (erste und zweite
Elektrode) 42 sind auf der Oberseite des isolierenden Sub
strats 47 angebracht. Die paarweisen Elektrodenmuster 42
sind im mittleren Abschnitt des isolierenden Substrats 47 in
der Längsrichtung mit einem vorgegebenen Zwischenraum von
einander beabstandet.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel bedecken die jeweili
gen Endabschnitte der Elektrodenmuster 42 die ausgesparten
Abschnitte 41′ im isolierenden Substrat 47. Anders gesagt,
wirken die jeweiligen Elektrodenmuster 42 auch als Abdich
tungsteile, die die ausgesparten Abschnitte 41′ bedecken.
Ferner sind Metallschichten 43 auf die jeweiligen Enden der
Unterseite des isolierenden Substrats 47 in der Längsrich
tung aufgeschichtet. Die Metallschichten 43, die durch die
Innenseiten der ausgesparten Abschnitte 41′ im isolierenden
Substrat 47 gehen, sind an den Rückseiten der Elektroden
muster 42 befestigt, die die ausgesparten Abschnitte 41′ be
decken.
Der LED-Chip 44 überbrückt die gepaarten Elektrodenmuster
42, die auf der Oberseite des isolierenden Substrats 47 an
geordnet sind. Der LED-Chip 44 besteht aus einer n-seitigen
Halbleiterschicht 44a und einer p-seitigen Halbleiterschicht
44b, die in einem pn-Übergang zusammengefügt sind, auf die
selbe Weise wie bei den vorstehenden Ausführungsbeispielen.
Ferner ist eine n-seitige Elektrode 44d auf der Oberseite
der n-seitigen Halbleiterschicht 44a aufgebracht. Eine p-
seitige Elektrode 44e ist auf der Oberseite der p-seitigen
Halbleiterschicht 44b aufgebracht. Hierbei ist der LED-Chip
44 zwischen den gepaarten Elektrodenmustern 42 auf solche
Weise angebracht, daß im Überbrückungszustand von einem
Elektrodenmuster 42 zum anderen Elektrodenmuster 42 eine
Fläche 44c mit dem pn-Übergang, die die Verbindungsfläche
zwischen der n-seitigen Halbleiterschicht 44a und der p-sei
tigen Halbleiterschicht 44b ist, nicht-parallel zum isolie
renden Substrat 47 gehalten wird, speziell und wünschenswer
terweise, rechtwinklig hierzu. In diesem Fall sind die n
seitige Elektrode 44d und die p-seitige Elektrode 44e je
weils rechtwinklig zu den Elektrodenmustern 42 angeordnet.
Die Elektrodenmuster 42 werden unter Verwendung eines lei
tenden Klebemittels 45 wie Lot, Ag-Paste oder Cu-Paste mit
der n-seitigen Elektroden 44d und der p-seitigen Elektrode
44e verbunden, so daß sie in leitendem Zustand zueinander
gehalten werden.
Der LED-Chip 44 und das leitende Verbindungsmittel 45 auf
dem isolierenden Substrat 47 werden durch ein lichtdurchläs
siges Harz 46 wie Epoxidharz, Ethylen-Vinylacetat-Copolymer
(EVA), Phenoxyharz, Acrylatharz oder PES-Harz abgedichtet.
Das lichtdurchlässige Harz 46 wird in Quaderform gegossen,
die den jeweiligen Endflächen des isolierenden Substrats 47
folgt.
Die Fig. 9(a) bis 9(c) sind Schnittansichten, die den we
sentlichen Teil es isolierenden Substrats 47 bei Herstell
prozessen für das lichtemittierende Bauelement 40 zeigen.
Zunächst werden, wie es in Fig. 9(a) dargestellt ist, Durch
gangslöcher 41 mit jeweils runder Form matrixförmig mit
einer Schrittweite von 1,1 mm in der X-Richtung (d. h. in
der Längsrichtung des lichtemittierenden Bauelements 40) und
mit einer Schrittweite von 0,6 mm in der zur X-Richtung
rechtwinkligen Y-Richtung (d. h. in der Breitenrichtung des
isolierenden Substrats 47) matrixförmig ausgebildet. Dann
wird eine Metallfolie 42a wie eine Kupferfolie auf die ge
samte Oberfläche des isolierenden Substrats 47 auflaminiert.
Demgemäß werden die Durchgangslöcher 41 im isolierenden Sub
strat 47 vollständig mit der Metallfolie 42a bedeckt. Hier
bei werden, wie es später beschrieben wird, die ausgesparten
Abschnitte 41′ durch Zerschneiden der Durchgangslöcher 41
entlang Trennlinien hergestellt, die jeweils durch die Mitte
der Durchgangslöcher 41 gehen.
Danach wird, wie es in Fig. 9(b) veranschaulicht ist, die
Metallfolie 42a für jedes im isolierenden Substrat 47 aus
gebildete Durchgangsloch 41 zu rechteckiger Form gemustert.
Demgemäß werden die Elektrodenmuster 42, von denen jedes
Rechteckform aufweist und jedes Durchgangsloch 41 auf kon
zentrische Weise bedeckt, jeweils in voneinander getrenntem
Zustand ausgebildet.
Danach wird das isolierende Substrat 47 an seiner gesamten
Unterseite einem Kupferplattierungsprozeß unterzogen. Danach
werden Plattierungsprozesse für Nickel und Gold (oder mit
Silber und Palladium) darauf ausgeführt. In diesem Fall wer
den auch die Innenflächen der Durchgangslöcher 41 und die
gesamten Rückseiten der Elektrodenmuster 42, die die Durch
gangslöcher 41 bedecken, den Plattierungsprozessen unterzo
gen. Im Ergebnis wird auf der gesamten Unterseite des iso
lierenden Substrats 47, auf den Innenseiten der Durchgangs
löcher 41 und auf den Rückseiten der Elektrodenmuster 42,
die die Durchgangslöcher 41 bedecken, eine Metallschicht 43a
ausgebildet.
Danach wird, wie es in Fig. 9(c) veranschaulicht ist, die
Unterseite des isolierenden Substrats 47 so gemustert, daß
die Metallschicht 43a im mittleren Abschnitt zwischen be
nachbarten Durchgangslöchern 41 aufgetrennt wird. Stücke der
Metallschicht 43, von denen jedes auf die Rückseite des
Elektrodenmusters 42 plattiert ist, das auf der Oberseite
des isolierenden Substrats 47 angebracht ist und das durch
das Durchgangsloch 41 geht, werden jeweils getrennt vonein
ander ausgebildet.
Anders gesagt, bedeckt jedes Stück der Metallschicht 43, die
aus Kupfer, Nickel und Gold besteht, die Innenfläche jedes
Durchgangslochs 41, und es bedeckt auch die Umfangsfläche
des Durchgangslochs 41 mit Rechteckform an der Unterseite
des isolierenden Substrats 47.
Ferner kann das folgende Verfahren dazu verwendet werden,
die in Fig. 9(c) dargestellte Struktur zu erhalten. Zunächst
wird ein zweiseitiges Substrat bereitgestellt, das aus einer
isolierenden Leiterplatte aus Aramid oder einem anderen iso
lierenden Material sowie Kupferfolien (Metallschichten) be
steht, die auf der Ober- und Unterseite ausgebildet sind.
Dann wird die auf der Unterseite des zweiseitigen Substrats
ausgebildete Kupferfolie durch Ätzen in Bereichen entfernt,
in der ausgesparte Abschnitte auszubilden sind. Hierbei wer
den die den Durchgangslöchern 41 entsprechenden ausgesparten
Abschnitte, auf denen die Elektrodenmuster 42 liegen, herge
stellt. Dann werden die ausgesparten Abschnitte dadurch aus
gebildet, daß ein Laserlichtstrahl auf die Bereiche ge
strahlt wird, in denen die ausgesparten Abschnitte auszubil
den sind und von denen die Kupferfolie entfernt wurde. In
diesem Fall wird hinsichtlich der Abschnitte, in denen die
Kupferfolie verblieben ist, dieselbe selbst dann nicht be
seitigt, wenn der Laserlichtstrahl eingestrahlt wird. Demge
mäß wird hinsichtlich der Bereiche, in denen ausgesparte Ab
schnitte auszubilden sind und von denen die Kupferfolie ent
fernt wurde, nur die Leiterplatte durch die Einstrahlung des
Laserlichtstrahls zersetzt, wodurch die ausgesparten Ab
schnitte leicht geschaffen werden können.
Danach werden die gesamte Oberseite und die Unterseite des
zweiseitigen Substrats, die die Innenwände der ausgesparten
Abschnitte enthalten, einem Kupferplattierungsprozeß in sol
cher Weise unterzogen, daß die Plattierungsschichten (Me
tallschichten) auf der gesamten Ober- und Unterseite des
zweiseitigen Substrats ausgebildet werden. Ferner werden die
auf der Ober- und der Unterseite des zweiseitigen Substrats
ausgebildeten Plattierungsschichten Musterungsprozessen hin
sichtlich jedes ausgesparten Abschnitts unterzogen. Die
Struktur, wie sie in Fig. 9(c) veranschaulicht ist, wird da
durch erhalten, daß ferner Plattierungsprozesse mit Nickel
und Gold auf den vorstehend angegebenen Flächen angewandt
werden.
Zusätzlich können die Durchgangslöcher 41 durch einen Ätz
prozeß anstatt durch das Einstrahlen eines Laserlichtstrahls
hergestellt werden.
Fig. 10(a) ist eine schematische Draufsicht, die Fixierposi
tionen auf dem in Fig. 9(c) dargestellten Isoliersubstrat 47
angeben, an denen die LED-Chips 44 zu befestigen sind; Fig.
10(b) ist eine Schnittansicht entlang der C-C in Fig. 10(a).
Im durch Fig. 9(c) veranschaulichten Zustand des isolieren
den Substrats 47 überbrückt der LED-Chip 44 die in X-Rich
tung benachbarten Elektrodenmuster 42, wie es durch Linien
mit abwechselnd einem langen und zwei kurzen Strichen in
Fig. 10(a) und 10(b) dargestellt ist.
Danach werden die Elektrodenmuster 42 mit dem überbrückenden
LED-Chip 44 unter Verwendung des leitenden Klebemittels 45
mit der n-seitigen Elektrode 44d und der p-seitigen Elektro
de 44e verbunden, so daß sie in leitender Verbindung mitein
ander gehalten werden.
Danach wird, wie es in Fig. 11(a) veranschaulicht ist, eine
Lage 46a aus einem lichtdurchlässigen Harz auf die Oberflä
che des isolierenden Substrats 47 aufgelegt und im Vakuum
unter Wärmeeinwirkung angedrückt. So werden die LED-Chips 44
durch das lichtdurchlässige Harz 46 abgedichtet, wie es in
Fig. 11(b) veranschaulicht ist.
In diesem Fall sind die im isolierenden Substrat 47 vorhan
denen Durchgangslöcher 41 mit den Elektrodenmustern 42 be
deckt. Daher ist es möglich, zu verhindern, daß das licht
durchlässige Harz 46 im geschmolzenen Zustand in die jewei
ligen Durchgangslöcher 41 fließt und zur Bodenseite des iso
lierenden Substrats 47 herunterrinnt.
Daher ist es dann, wenn das lichtdurchlässige Harz 46 im ge
schmolzenen Zustand auf das isolierende Substrat 47 gedrückt
wird, nur erforderlich, ein metallisches Formwerkzeug, eine
Spanneinrichtung oder andere Teile, die dazu verwendet wer
den zu verhindern, daß das lichtdurchlässige Harz 46 in ge
schmolzenem Zustand entlang den Seitenflächen des isolieren
den Substrats 47 zur Unterseite herunterrinnt, um die Um
fangskante des isolierenden Substrats 47 herum anzuordnen.
Anders gesagt, ist es nicht erforderlich, Spanneinrichtungen
oder andere Teile um die Kanten der Durchgangslöcher 41 im
isolierenden Substrat 47 herum anzuordnen, um zu verhindern,
daß das lichtdurchlässige Harz 46 im geschmolzenen Zustand
in die Durchgangslöcher 41 fließt. Dies beseitigt auch das
Erfordernis, Bereiche um die jeweiligen Durchgangslöcher 41
herum bereitzustellen, an denen die Spanneinrichtungen an
greifen können. Im Ergebnis kann der Abdichtungsprozeß unter
Verwendung des lichtdurchlässigen Harzes 46 leicht ausge
führt werden. Ferner ist es möglich, den Gesamtaufbau des
lichtdurchlässigen Bauelements 40 zu miniaturisieren.
Wie vorstehend beschrieben, hat das lichtemittierende Bau
element 40 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel keine
Anordnung, bei der die Elektrodenmuster 42 von der Oberseite
des isolierenden Substrats 47 durch die Innenflächen der
Durchgangslöcher 41 zur Bodenseite des isolierenden Sub
strats 47 heruntergebogen wären, sondern Abschnitte, die
Elektrodenanschlüsse werden, werden an der Unterseite des
isolierenden Substrats 47 dadurch ausgebildet, daß dort ein
Plattierungsprozeß ausgeführt wird. Dies ermöglicht es, die
lichtemittierenden Bauelemente einfacher herzustellen.
Nachdem das lichtdurchlässige Harz 46 ausgehärtet ist, um
die jeweiligen LED-Chips 44 auf dem isolierenden Substrat 47
abzudichten, werden dieses isolierende Substrat 47 und das
lichtdurchlässige Harz 46 trennenden Schnitten entlang Tren
nungslinien 49a unterzogen, die durch die Mitten der in Y-
Richtung angeordneten Durchgangslöcher 41 gehen, wie es in
Fig. 10(a) und 10(b) veranschaulicht ist. Das isolierende
Substrat 47 und das lichtdurchlässige Harz 46 werden tren
nenden Schnitten entlang Trennlinien 49b unterzogen, die
sich in X-Richtung zwischen den in Y-Richtung angeordneten
Elektrodenmustern 42 erstrecken. Demgemäß kann, wie es in
Fig. 11(c) veranschaulicht ist, eine Anzahl an lichtemittie
renden Bauelementen 40, wie in Fig. 8 dargestellt, mit je
weils einem LED-Chip 44 hergestellt werden.
Fig. 8(b) zeigt ein Beispiel für die Abmessungen eines
lichtemittierenden Bauelements 40, das wie vorstehend be
schrieben hergestellt wurde. Beim lichtemittierenden Bauteil
40 des vorliegenden Ausführungsbeispiels wurde ein quadrati
scher LED-Chip 44 mit einer Seitenlänge von 300 µm verwen
det. In diesem Fall betrug die Dicke des isolierenden Sub
strats 47, jedes Elektrodenmusters 42 und jeder Metall
schicht 43 100 µm, die Dicke des LED-Chips 44 betrug 300 µm
und die Dicke des lichtemittierenden, den LED-Chip 44 be
deckenden Harzes 46 betrug 100 µm. Daher war die minimal
erforderliche Dicke für das lichtemittierende Bauelement 40
500 µm.
Darüber hinaus betrug im LED-Chip 44 die Länge der n-seiti
gen Halbleiterschicht 44a und der p-seitigen Halbleiter
schicht 44b in Stapelrichtung 300 µm, und die Längen, die
dazu erforderlich waren, die Elektrodenmuster 42 elektrisch
mit der n-seitigen Elektrode 44d und der p-seitigen Elektro
de 44e über das leitende Verbindungsmittel 45 zu verbinden,
betrugen jeweils 350 µm. Daher betrug die Abmessung des
lichtemittierenden Bauelements 40 in der X-Richtung 1000 µm
(1,0 mm), was die minimal erforderliche Abmessung ist.
Außerdem können auch beim lichtemittierenden Bauelement 40
des vorliegenden Ausführungsbeispiels mehrere LED-Chips 44
auf einem isolierenden Substrat 47 angebracht sein. Ferner
kann auch beim lichtemittierenden Bauelement 40 des vorlie
genden Ausführungsbeispiels das lichtdurchlässige Harz 46,
das auf dem isolierenden Substrat 47 anzubringen ist, in
seinen Abschnitten, die jeweiligen LED-Chips 44 entsprechen,
mit verschiedenen Linsenformen ausgebildet werden, auf die
selbe Weise wie bei den vorstehenden Ausführungsbeispielen.
Unter Bezugnahme auf Fig. 12 erörtert die folgende Beschrei
bung noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 12(a) ist eine Draufsicht, die ein lichtemittierendes
Bauelement 50 teilweise in Explosionsansicht zeigt, das noch
ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft; Fig.
12(b) ist eine Schnittansicht entlang der Linie D-D in Fig.
12(a).
Beim lichtemittierenden Bauelement 50 des vorliegenden Aus
führungsbeispiels sind Durchgangslöcher 51, von denen jedes
Rechteckform aufweist, in einem isolierenden Substrat 57 aus
Polyimid, glasigem Epoxidharz oder anderen isolierenden Ma
terialien vorhanden. Ferner ist ein Paar Elektrodenmuster
(erste und zweite Elektrode) 52, die aus Metallfilmen beste
hen, an der Unterseite des isolierenden Substrats 57 ange
bracht. Die jeweiligen Elektrodenmuster 52 werden dadurch
hergestellt, daß Metallschichten aus Kupfer, Nickel und Gold
aufeinandergestapelt werden. Die jeweiligen Enden der Elek
trodenmuster 52 werden mit einem gegenseitigen Abstand in
nerhalb jedes Durchgangslochs 51 angeordnet. Ferner ist ein
LED-Chip 54 zwischen den paarigen Elektrodenmustern 52 ange
ordnet, die in die Durchgangslöcher 51 hineinragen, und zwar
auf solche Weise, daß er eine Überbrückung vom einen der
Elektrodenmuster 52 zum anderen bildet.
Der LED-Chip 54 verfügt auch über eine n-seitige Halbleiter
schicht 54a und eine p-seitige Halbleiterschicht 54b, die
über einen pn-Übergang aufeinandergestapelt sind, auf die
selbe Weise wie bei den vorigen Ausführungsbeispielen. Fer
ner ist eine n-seitige Elektrode 54d an der Oberseite der
n-seitigen Halbleiterschicht 54a angebracht. Darüber hinaus
ist eine p-seitige Elektrode 54e an der Oberseite der p
seitigen Halbleiterschicht 54b angebracht. Der LED-Chip 54
ist zwischen den paarigen Elektrodenmustern 52 auf derartige
überbrückende Weise angebracht, daß eine Oberfläche 54c mit
dem pn-Übergang, die die Verbindungsfläche zwischen der n-
seitigen Halbleiterschicht 54a und der p-seitigen Halblei
terschicht 54b bildet, nicht-parallel zum isolierenden Sub
strat 57 gehalten wird, oder, spezieller und erwünschter,
rechtwinklig hierzu. In diesem Fall sind die n-seitige Elek
trode 54d und die p-seitige Elektrode 54e jeweils rechtwink
lig zu den Elektrodenmustern 52 angeordnet.
Die Elektrodenmuster 52 sind unter Verwendung eines leiten
den Klebemittels 55, wie Lot, Ag-Paste oder Cu-Paste, mit
der n-seitigen Elektrode 54d und der p-seitigen Elektrode
54e des LED-Chips 54 verbunden, wodurch sie in leitendem
Zustand zueinander gehalten werden.
Ein Resist 53 wird dazu verwendet, den Zwischenraum zwischen
den voneinander getrennten Elektrodenmustern 52 auszufüllen.
Demgemäß werden die Elektrodenmuster 52 in voneinander iso
liertem Zustand gehalten.
Ferner werden der LED-Chip 54 und das leitende Verbindungs
mittel 55 auf dem isolierenden Substrat 57 durch ein licht
durchlässiges Harz 56, wie Epoxidharz, Phenoxyharz, Acrylat
harz oder PES-Harz, abgedichtet. Dieses lichtdurchlässige
Harz 56 wird in Quaderform gegossen, die den jeweiligen End
flächen des isolierenden Substrats 57 folgt.
Das lichtemittierende Bauelement 50 mit dem vorstehend ange
gebenen Aufbau wird durch das folgende Verfahren herge
stellt. Als erstes werden Durchgangslöcher 51 mit jeweils
rechteckiger Form, die sich in der X-Richtung erstreckt,
d. h. in der Längsrichtung des isolierenden Substrats 57, in
Form einer Matrix in der X-Richtung wie auch in der recht
winklig zu dieser verlaufenden Y-Richtung im aus Polyimid
oder einem anderen isolierenden Material bestehenden isolie
renden Substrat 57 hergestellt.
Danach wird ein Metallfilm an der gesamten Unterseite des
isolierenden Substrats 57 angebracht. Anschließend werden
dessen überflüssige Abschnitte durch einen Ätzprozeß ent
fernt, um ein Paar Elektrodenmuster 52 auszubilden, die im
Inneren jedes Durchgangslochs 51 voneinander getrennt sind.
Danach wird der Resist 53 dazu verwendet, den Zwischenraum
zwischen den Elektrodenmustern 52 aufzufüllen, die innerhalb
jedes Durchgangslochs 51 voneinander getrennt sind.
Anschließend wird der LED-Chip 54 in das Durchgangsloch 51
eingesetzt. Der LED-Chip 54 überbrückt die paarigen Elektro
denmuster 52, die innerhalb jedes Durchgangslochs 51 vonein
ander getrennt sind. Darüber hinaus wird der LED-Chip 54
durch ein leitendes Verbindungsmittel 55 mit den jeweiligen
Elektrodenmustern 52 so verbunden, daß sie einen leitenden
Zustand aufrechterhalten.
Danach wird der LED-Chip 54 durch das lichtdurchlässige Harz
56 auf dieselbe Weise wie bei den,vorstehenden Ausführungs
beispielen abgedichtet. In diesem Fall werden die Durch
gangslöcher 51 im isolierenden Substrat 57 durch die Elek
trodenmuster 52 und den Resist 53, die als Abdichtungsteile
wirken, bedeckt. Dies ermöglicht es, zu verhindern, daß das
lichtdurchlässige Harz 56 in geschmolzenem Zustand durch die
Durchgangslöcher 51 fließt und zur Unterseite des isolieren
den Substrats 57 herunterrinnt. Der Resist 53 bedeckt die
Rückseite des Endabschnitts jedes Elektrodenmusters 52 und
sorgt für eine größere Verbindungsfläche zum Elektrodenmu
ster 52. Dies ermöglicht es, die Verbindungsfestigkeit zu
erhöhen und auch weiter zu verhindern, daß das lichtdurch
lässige Harz 56 in geschmolzenem Zustand in die Durchgangs
löcher 51 fließt und zur Unterseite des isolierenden Sub
strats 57 herunterrinnt. Im Ergebnis kann der Abdichtungs
prozeß unter Verwendung des lichtdurchlässigen Harzes 56
leicht ausgeführt werden. Ferner ist es möglich, den Gesamt
aufbau des lichtemittierenden Bauelements 50 zu miniaturi
sieren.
Schließlich werden das isolierende Substrat 57 und das
lichtdurchlässige Harz 56 trennenden Schnitten hinsichtlich
jedes LED-Chips 54 unterzogen. So wird das in Fig. 12 darge
stellte lichtemittierende Bauelement 50 erhalten.
Wie vorstehend beschrieben, wird das lichtemittierende Bau
element 50 des vorliegenden Ausführungsbeispiels einfacher
hergestellt, da es nicht erforderlich ist, die Elektroden
muster 52 auf umgebogene Weise an der Unterseite des isolie
renden Substrats 57 durch die Durchgangslöcher 51 hindurch
auszubilden und da auch kein Plattierungsprozeß erforderlich
ist. Ferner ist es möglich, die Herstellkosten zu beschnei
den, da Elektrodenmuster 52 nur auf einer Seite des isolie
renden Substrats 57, nämlich auf dessen Unterseite, ausge
bildet sind.
Außerdem können auch beim lichtemittierenden Bauelement 50
des vorliegenden Ausführungsbeispiels mehrere LED-Chips 54
an einem isolierenden Substrat 57 angebracht sein. Ferner
kann auch beim lichtemittierenden Bauelement 50 des vorlie
genden Ausführungsbeispiels das lichtdurchlässige Harz 56,
das auf dem isolierenden Substrat 57 anzubringen ist, mit
verschiedenen Linsenformen an Abschnitten ausgebildet wer
den, die den jeweiligen LED-Chips 54 entsprechen, auf die
selbe Weise wie bei den vorstehenden Ausführungsbeispielen.
Claims (24)
1. Lichtemittierendes Bauelement (10), gekennzeichnet
durch:
- - ein isolierendes Substrat (17), durch das mehrere Durch gangslöcher (11) ausgebildet sind;
- - einen LED-Chip (14) mit einer p-seitigen Halbleiterschicht und einer n-seitigen Halbleiterschicht, die an einem pn- Übergang zusammengefügt sind, und der zwischen jeweils einem Paar benachbarter Durchgangslöcher angeordnet ist;
- - eine erste Elektrode (12), die in einem der benachbarten Durchgangslöcher ausgebildet ist und mit der p-seitigen Halbleiterschicht verbunden ist, um an der Unterseite des isolierenden Substrats elektrische Verbindungen herzustel len;
- - eine zweite Elektrode (12), die im anderen der benachbar ten Durchgangslöcher getrennt von der ersten Elektrode ausgebildet ist und mit der n-seitigen Halbleiterschicht verbunden ist, um elektrische Verbindungen an der Unterseite des isolierenden Substrats herzustellen;
- - ein lichtdurchlässige Harz (16) zum Abdichten des LED- Chips; und
- - ein Abdichtungsteil (13) zum Abdichten jedes Durchgangs lochs.
2. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Fläche (14c) mit dem pn-Übergang
zwischen der p-seitigen Halbleiterschicht und der n-seitigen
Halbleiterschicht so ausgerichtet ist, daß sie nicht-paral
lel zum isolierenden Substrat (17) verläuft.
3. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der LED-Chip (14) so zwischen den Elek
troden (12) auf dem isolierenden Substrat (17) angeordnet
ist, daß eine Fläche (14c) mit dem pn-Übergang rechtwinklig
zum isolierenden Substrat verläuft.
4. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der vorstehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter
schichten und die jeweiligen Elektroden (12) über ein lei
tendes Verbindungsmittel (13) miteinander verbunden sind.
5. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das leitende Verbindungsmittel (13) eine
aus Silberpaste und Kupferpaste ausgewählte leitende Paste
ist.
6. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der vorstehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der LED-Chip (14)
die erste und die zweite Elektrode (12) überbrückt.
7. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der vorstehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Abdichtungs
teil (13) ein leitendes Verbindungsmittel ist.
8. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der vorstehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sich jede Elek
trode (12) so erstreckt, daß sie die Unterseite des isolie
renden Substrats (17) durch ein Durchgangsloch (11) ausge
hend von der Oberseite des isolierenden Substrats erreicht.
9. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der vorstehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtdurch
lässige Harz (16) in einem Abschnitt, der einem LED-Chip
(14) zugeordnet ist, linsenförmig ausgebildet ist.
10. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der vorstehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden
(42) auch als Abdichtungsteil verwendet werden.
11. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß jeweils Metallschichten (41) mit den
Rückseiten der ersten und zweiten Elektrode (42) verbunden
sind und sich so erstrecken, daß sie die Unterseite des iso
lierenden Substrats (47) erreichen.
12. Lichtemittierendes Bauelement, gekennzeichnet durch:
- - ein isolierendes Substrat (27) mit ausgesparten Abschnit ten (11) an seinen Seiten, von denen sich jeder von der Oberseite des isolierenden Substrats zur Unterseite er streckt;
- - einen LED-Chip (24) mit einer p-seitigen Halbleiterschicht und einer n-seitigen Halbleiterschicht, die an einem pn- Übergang miteinander verbunden sind, und der zwischen jedem Paar ausgesparte Abschnitte so angeordnet ist, daß eine Fläche (24c) mit dem pn-Übergang nicht-parallel zum isolie renden Substrat verläuft;
- - eine erste Elektrode (22), die in einem der ausgesparten Abschnitte ausgebildete ist und mit der p-seitigen Halblei terschicht verbunden ist, um für elektrische Anschlüsse an der Unterseite des isolierenden Substrats zu sorgen;
- - eine zweite Elektrode (22), die im anderen der ausgespar ten Abschnitte getrennt von der ersten Elektrode ausgebildet ist und mit der n-seitigen Halbleiterschicht verbunden ist, um elektrische Verbindungen an der Unterseite des isolieren den Substrats auszubilden;
- - ein lichtdurchlässiges Harz (26) zum Abdichten des LED- Chips; und
- - ein Abdichtungsteil (13) zum Abdichten der jeweiligen aus gesparten Abschnitte.
13. Lichtemittierendes Bauelement (50), gekennzeichnet
durch
- - ein isolierendes Substrat (57) durch das hindurchgehend mindestens ein Durchgangsloch (51) ausgebildet ist;
- - eine erste Elektrode (52) und eine zweite Elektrode (52), die an der Unterseite des isolierenden Substrats so vorhan den sind, daß ihre Enden im Durchgangsloch voneinander ge trennt sind;
- - einen LED-Chip (54) mit einer p-seitigen Halbleiterschicht und einer n-seitigen Halbleiterschicht, die an einem pn- Übergang miteinander verbunden sind, und der zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist;
- - ein leitendes Verbindungsmittel (53) zum Verbinden der p seitigen Halbleiterschicht und der n-seitigen Halbleiter schicht des LED-Chips mit den jeweiligen Elektroden in sol cher Weise, daß ein leitender Zustand aufrechterhalten wird; und
- - ein lichtdurchlässiges Harz (53) zum Abdichten des LED- Chips.
14. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 13, gekenn
zeichnet durch ein Abdichtungsteil zum Abdichten der Durch
gangslöcher.
15. Herstellverfahren für ein lichtemittierendes Bauele
ment, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
- - Herstellen mehrerer Durchgangslöcher in einem isolierenden Substrat;
- - Herstellen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elek trode zwischen benachbarten Durchgangslöchern auf solche Weise, daß sie voneinander getrennt sind;
- - Anordnen eines LED-Chips zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode, der eine p-seitige Halbleiterschicht und eine n-seitige Halbleiterschicht aufweist, die an einem pn-Übergang miteinander in Verbindung stehen;
- - Verbinden der p-seitigen Halbleiterschicht und der ersten Elektrode mittels eines Verbindungsmittels, während die n- seitige Halbleiterschicht und die zweite Elektrode mittels eines leitenden Verbindungsmittels miteinander verbunden werden;
- - Bedecken des isolierenden Substrats mit einem lichtdurch lässigen Harz in solcher Weise, daß die LED-Chips und das leitende Verbindungsmittel auf dem isolierenden Substrat ab gedichtet sind; und
- - Verstopfen der Durchgangslöcher vor dem Vorgang zum Be decken des isolierenden Substrats mit dem lichtdurchlässigen Harz.
16. Herstellverfahren nach Anspruch 15, gekennzeichnet
durch das Herstellen der Durchgangslöcher in einer Matrix
anordnung.
17. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 15 oder 16,
gekennzeichnet durch das Einstellen einer Fläche mit dem pn-
Übergang in solcher Weise, daß sie rechtwinklig zum isolie
renden Substrat verläuft.
18. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17,
gekennzeichnet durch das Durchtrennen des mit dem licht
durchlässigen Harz bedeckten isolierenden Substrats entlang
einer Schnittlinie, die durch das Durchgangsloch verläuft,
und Zerschneiden des isolierenden Substrats in solche Stüc
ke, die jeweils mindestens einen LED-Chip enthalten.
19. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18,
gekennzeichnet durch das Ausbilden der Durchgangslöcher in
vier Ecken einer Anbringungsposition für mindestens einen
LED-Chip auf solche Weise, daß der LED-Chip von den Durch
gangslöchern umgeben ist.
20. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19,
gekennzeichnet durch das Ausbilden der ersten und der zwei
ten Elektrode in solcher Weise, daß jede Elektrode die In
nenfläche des Durchgangslochs und die Oberseite des Sub
strats bedeckt, wobei die Elektroden hinsichtlich jedes
Durchgangslochs voneinander getrennt sind.
21. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19,
gekennzeichnet durch das Abdecken der Öffnung des Durch
gangslochs mit der Elektrode und durch das Herstellen einer
Metallschicht in jedem Durchgangsloch so, daß Trennung be
steht, wobei sich die Metallschicht von der Unterseite des
isolierenden Substrats ausgehend erstreckt und durch das
Durchgangsloch hindurch mit der Rückseite der Elektrode ver
bunden ist.
22. Herstellverfahren für ein lichtemittierendes Bauele
ment, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
- - Bereitstellen eines Substrats mit Metallschichten auf sei ner Ober- und Unterseite;
- - Entfernen der Metallschicht auf der Unterseite des Sub strats durch Ätzen in solchen Bereichen, in denen ausgespar te Abschnitte auszubilden sind;
- - Ausbilden ausgesparter Abschnitte, in Abschnitten, die durch das Ätzen entfernt wurden;
- - Herstellen einer Metallschicht auf der gesamten Ober- und Unterseite des Substrats einschließlich der Innenwände der so hergestellten ausgesparten Abschnitte;
- - Mustern der auf der gesamten Ober- und Unterseite des Sub strats ausgebildeten Metallschicht in solcher Weise, daß eine erste und eine zweite Elektrode voneinander getrennt zwischen benachbarten ausgesparten Abschnitten hergestellt werden;
- - Anbringen eines LED-Chips zwischen jedem Paar benachbarter ausgesparter Abschnitte, der eine p-seitige Halbleiter schicht und eine n-seitige Halbleiterschicht aufweist, die an einem pn-Übergang miteinander verbunden sind;
- - Verbinden der p-seitigen Schicht und der ersten Elektrode durch ein leitendes Verbindungsmittel, während die n-seitige Halbleiterschicht und die zweite Elektrode durch ein leiten des Verbindungsmittel verbunden werden; und
- - Bedecken des Substrats mit einem lichtdurchlässigen Harz.
23. Herstellverfahren nach Anspruch 22, gekennzeichnet
durch das Ausbilden der ausgesparten Abschnitte durch das
Einstrahlen eines Laserstrahls auf die Bereiche, von denen
die Metallschicht durch Ätzen entfernt wurde.
24. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 22 oder 23,
gekennzeichnet durch das Herstellen der Metallschichten
durch Metallplattierung.
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