DE10246892B4 - LED-Matrix mit hoher Strahlungsleistung - Google Patents
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Abstract
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Licht emittierende Dioden, präziser gesagt, auf Leuchtdiodenmatrizen.
- Leuchtdioden-(LED)-Matrizen können in verschiedenen Anwendungsbereichen, welche eine hohe Strahlungsleistung (optische Energie/Zeiteinheit) erforderlich machen, wie z.B. Straßenbeleuchtung, Lichtsignale sowie Hintergrundbeleuchtung von Flüssigkristallanzeigen, eingesetzt werden. Bei derartigen Einsätzen ist es von Vorteil, die je Flächeneinheit der LED-Matrix vorgesehene Strahlungsleistung zu erhöhen. Eine Erhöhung der Strahlungsleistung je Flächeneinheit kann im Grunde genommen durch Verringerung des Abstands zwischen LEDs in der Matrix (womit die Anzahl LEDs je Flächeneinheit der Matrix erhöht wird) und/oder durch Erhöhen der durch die einzelnen LEDs vorgesehenen Strahlungsleistung erreicht werden. Jedoch erfolgt bei beiden Lösungswegen zur Erhöhung der Strahlungsleistung je Flächeneinheit einer LED-Matrix typischerweise ebenfalls eine Zunahme der Menge der Wärme, die pro Flächeneinheit der Matrix abgeleitet werden muss, um eine signifikante Beeinträchtigung der Leistung der LEDs zu verhindern.
- Eine konventionelle LED-Matrix weist LED-Lampen auf, welche jeweils einen Chip aufweisen, der an einem Leiterrahmen aus Metall innerhalb eines gepressten oder gegossenen Kunststoffkörpers befestigt ist. Die beiden Metallanschlüsse jeder Lampe sind auf einer gemeinsamen Leiterplatte konventioneller Art typischerweise an Leiterbahnen gelötet. Der von den Kunststoffkörpern der Lampen und den Metallanschlüssen beanspruchte Raum begrenzt die Packungsdichte von Lampen in der Matrix. Darüber hinaus können solche Lampen typischerweise nicht viel Wärme ableiten, da in den Lampen erzeugte Wärme primär durch die Anschlussleitungen und die Leiterbahnen abgeleitet wird. Infolgedessen können die Lampen zur Erzeugung einer hohen Strahlungsleistung nicht durch hohen Strom gesteuert werden.
- Bei einer weiteren konventionellen LED-Matrix werden LED-Chips mit Silber gefülltem Epoxid an der Oberfläche einer konventionellen Leiterplatte befestigt. Typischerweise werden die LED-Chips durch Drahtbondstellen, welche die Beabstandung der Chips begrenzen, mit Leiterbahnen auf der Leiterplatte elektrisch verbunden. Zudem verteilt die konventionelle Leiterplatte, an welcher die Chips angebracht sind, die durch die LED-Chips erzeugte Wärme typischerweise nicht effektiv. Dadurch wird der maximale Betriebsstrom der LED-Chips und damit die von einem einzelnen LED-Chip vorgesehene, maximale Strahlungsleistung begrenzt.
- Es ist eine LED-Matrix erforderlich, welche die Nachteile der LED-Matrizen nach dem Stand der Technik nicht aufweist.
- Eine LED-Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein Metallsubstrat, eine dielektrische Schicht, welche über dem Metallsubstrat aufgebracht ist, sowie mehrere elektrisch leitende Bahnen, die auf der dielektrischen Schicht vorgesehen sind, auf. Es gehen mehrere Verbindungskontakte durch die dielektrische Schicht hindurch. Die LED-Matrix weist ebenfalls mehrere LED-Einheiten auf, wobei die LED-Einheiten auf ihren Unterseiten einen n-Kontakt, einen p-Kontakt und einen thermischen Kontakt aufweisen, wobei jede LED-Einheit über einem entsprechenden Verbindungskontakt vorgesehen ist und wobei der n-Kontakt und der p-Kontakt an getrennte, elektrisch leitende Bahnen elektrisch gekoppelt sind. Zudem enthält jeder der Verbindungskontakte wärmeleitendes Material, welches mit dem Metallsubstrat und dem thermischen Kontakt der entsprechenden LED-Einheit thermisch gekoppelt ist. Das wärmeleitende Material kann zum Beispiel ein Lötmaterial aufweisen.
- In einigen Ausführungsbeispielen befindet sich das wärmeleitende Material in direktem räumlichen Kontakt mit dem Metallsubstrat, in direktem räumlichen Kontakt mit der entsprechenden LED oder in direktem räumlichen Kontakt sowohl mit dem Metallsubstrat als auch mit der LED. Ein solcher räumlicher Kontakt ist zur Herstellung des thermischen Kontakts ausreichend, jedoch nicht erforderlich.
- Das wärmeleitende Material in einem Verbindungskontakt sieht für Wärme, die von einer, über dem Verbindungskontakt angeordneten LED zu dem Metallsubstrat strömt, einen Weg mit einem vorteilhafterweise geringen, thermischen Widerstand vor, wodurch dann die Wärme effektiv abgeleitet wird. Infolgedessen können LEDs in Matrizen gemäß der vorliegenden Erfindung bei höheren Strömen betrieben werden und können enger als üblich beabstandet sein, ohne dabei deren Temperaturen auf ein Niveau zu erhöhen, auf welchem ihre Leistung beeinträchtigt wird. Folglich können die erfinderischen LED-Matrizen eine höhere Strahlungsleistung je Flächeneinheit als konventionelle LED-Matrizen vorsehen.
- In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Montagebasis zwischen einer LED und dem entsprechenden Verbindungskontakt angeordnet und befindet sich in direktem räumlichen Kontakt mit dem wärmeleitenden Material in dem Verbindungskontakt. Die Verwendung einer solchen Montagebasis ermöglicht den Einbau einer zusätzlichen Schaltung sowie ein Testen der LED vor Installation in der Matrix.
- Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
-
1 - eine schematische Darstellung eines Teils einer LED-Matrix gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
2 - eine schematische Darstellung eines Teils einer LED-Matrix gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
3 - eine schematische Darstellung eines Teils einer LED-Matrix gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
4 - eine schematische Darstellung eines Teils einer LED-Matrix gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
5 - eine schematische Darstellung einer unteren Seite einer LED bzw. einer LED-Montagebasis gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
6 - eine schematische Darstellung in Draufsicht eines Teils einer LED-Matrix gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
7 - eine schematische Darstellung in Draufsicht der LED-Matrix von6 . - Es sei erwähnt, dass die Abmessungen in den Figuren nicht unbedingt maßstabsgetreu sind. Identische Bezugsziffern in den verschiedenen Figuren kennzeichnen gleiche Teile in den verschiedenen Ausführungsbeispielen.
- In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung (
1 ) weist eine LED-Matrix2 mehrere LEDs (z.B. LED4 ) sowie ein Metallsubstrat6 auf. Es wird eine Schicht8 aus konventionellen, elektrischen Leiterbahnen auf einer, über dem Metallsubstrat6 liegenden dielektrischen Schicht10 aufgebracht. Durch die Leiterbahnschicht8 und dielektrische Schicht10 gehen mehrere Verbindungskontakte (z.B. Verbindungskontakt12 ) hindurch, um auf oder in dem Metallsubstrat6 zu enden. Jede der LEDs ist über einem entsprechenden Verbindungskontakt angeordnet. - Die LED
4 kann durch jede geeignete, konventionelle Licht emittierende Diode dargestellt sein. Zum Beispiel kann es sich bei der LED4 um eine in US-PatentUS 6133589 A offenbarte AlInGaN-LED oder eine im US-PatentUS 6486499 B1 offenbarte AlInGaN-LED handeln, welche beide auf den Rechtsnachfolger der vorliegenden Erfindung übertragen und hier in ihrer Vollständigkeit durch Literaturhinweis eingefügt wurden. Bei einigen Ausführungen ist die LED4 durch eine AlInGaN- oder AlInGaP-LED mit hoher Strahlungsleistung, die zum Beispiel durch einen höheren Strom als etwa 70 Milliampere (mA) gespeist wird, dargestellt. Solche LEDs mit hoher Strahlungsleistung sind zum Beispiel durch LumiLeds Lighting U.S., LLC of San Jose, Kalifornien, lieferbar. - Die LED
4 weist einen konventionellen n-Kontakt14 und einen konventionellen p-Kontakt16 auf. In dem in1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die LED4 als „Flip-Chip“ vorgesehen, wobei n-Kontakt14 und p-Kontakt16 auf der gleichen Seite des LED-Chips angeordnet und der Leiterbahnschicht8 zugewandt ausgerichtet sind. N-Kontakt14 und p-Kontakt16 sind mittels Aufschmelzlötmittel18 mit getrennten Leiterbahnen in der Leiterbahnschicht8 elektrisch verbunden. Die LED4 sieht ebenfalls einen, auf der gleichen Seite der LED4 wie Kontakte14 und16 angeordneten, thermischen Kontakt20 (z.B. eine Metallkontaktstelle) vor. Bei einigen Ausführungen ist der thermische Kontakt20 von Kontakten14 und16 elektrisch isoliert. Eine solche elektrische Trennung kann zum Beispiel durch eine optionale, dielektrische Schicht22 vorgesehen werden. Es können ebenso andere Mittel eingesetzt werden, um den thermischen Kontakt20 von den Kontakten14 und16 zu trennen. Die elektrischen Kontakte14 und16 sowie der thermische Kontakt20 können, z.B. aus geeigneten, konventionellen, lötbaren Metallschichten, konventionell ausgebildet werden. - Verbindungskontakt
12 enthält thermisch leitfähiges Material24 , welches sich in thermischem Kontakt mit dem Metallsubstrat6 und in thermischem Kontakt mit der LED4 befindet. Thermisch leitfähiges Material24 bildet einen Teil einer kontinuierlichen Feststoffwärmestrombahn zwischen LED4 und Metallsubstrat6 , welche zum Beispiel durch, mit Flüssigkeit oder Gas gefüllte Zwischenräume nicht unterbrochen wird. In dem in1 dargestellten Ausführungsbeispiel befindet sich thermisch leitfähiges Material24 in direktem Kontakt mit dem thermischen Kontakt20 der LED4 und in direktem Kontakt mit dem Metallsubstrat6 . In anderen Ausführungsbeispielen kann der thermische Kontakt jedoch ohne einen solchen direkten, räumlichen Kontakt zwischen dem thermisch leitfähigen Material24 und der LED4 oder dem Metallsubstrat6 hergestellt werden. - Bei einigen Ausführungen ist das thermisch leitfähige Material
24 durch ein konventionelles, aufgeschmolzenes Lötmittel, welches mit Hilfe konventioneller Mittel, wie z.B. Siebdruck, in Verbindungskontakt12 aufgebracht wird, dargestellt oder enthält ein solches aufgeschmolzenes Lötmittel. Bei solchen Ausführungen kann es sich bei dem wärmeleitenden Material24 um das gleiche wie das für das aufgeschmolzene Lötmittel18 verwendete handeln, und das leitende Material24 und das Lötmittel18 können in dem gleichen Verfahrensschritt aufgebracht und in dem gleichen Verfahrensschritt aufgeschmolzen werden. Bei anderen Ausführungen enthält das wärmeleitende Material24 mit Diamanten gefülltes Epoxid, mit Silber gefülltes Epoxid oder andere konventionelle Materialien mit großer Haftstärke und guter Wärmeleitfähigkeit. Bei einigen Ausführungen kann das wärmeleitende Material24 Metalle enthalten, welche auf konventionelle Weise in Verbindungskontakt12 galvanisch abgeschieden werden. Solche plattierten Metalle können Verbindungskontakt12 zum Beispiel bis zu der Höhe der Leiterbahnschicht8 füllen. Es kann ein konventionelles, aufgeschmolzenes Lötmittel auf einem solchen plattierten Metall in Verbindungkontakt12 abgeschieden werden. Sollte das wärmeleitende Material24 elektrisch leitend sein, kann es von der Leiterbahnschicht8 und der LED4 durch die dielektrische Schicht10 und optionale, dielektrische Schicht22 elektrisch isoliert werden. Sollte es sich bei dem wärmeleitenden Material24 um ein aufschmelzbares Lötmaterial handeln, beträgt die Dicke des wärmeleitenden Materials24 zwischen dem Metallsubstrat6 und dem thermischen Kontakt20 zum Beispiel etwa 0,0005 cm (0,0002 Zoll) bis etwa 0,0127 cm (0,005 Zoll), typischerweise etwa 0,0025 cm (0,001 Zoll). - Das Metallsubstrat
6 ist zum Beispiel durch eine Kupferplatte in einer Stärke von mehr als 0,025 cm (0,01 Zoll) dargestellt, welche optional mit einem lötbaren Material, wie z.B. Nickel oder Zinn, plattiert wird, um einen guten mechanischen und thermischen Kontakt mit dem wärmeleitenden Material24 vorzusehen. Das Metallsubstrat6 kann ebenfalls aus anderen Metallen oder Metallzusammensetzungen gebildet werden und kann zwei Metallschichten oder mehr aufweisen. - Bei einer Ausführung wird die Leiterbahnschicht
8 aus einem geätzten und plattierten Kupferblech gebildet, welches an dem Metallsubstrat6 mit Hilfe eines konventionellen, dielektrischen Klebemittels, wie z.B. eines Epoxids, aus welchem die dielektrische Schicht10 gebildet wird, befestigt ist. Verbindungskontakte (z.B. Verbindungskontakt12 ) können in der Leiterbahnschicht8 und dielektrischen Schicht10 zum Beispiel mit Hilfe konventioneller Werkzeugmaschinen, durch Plasma- oder chemische Ätzung oder Abtragen mit Laserstrahl, ausgebildet werden. - Die LED-Matrix
2 kann ebenfalls Linsen (z.B. Linse26 ) aufweisen, die über einigen oder sämtlichen LEDs angeordnet sind, um von den LEDs emittiertes Licht aufzufangen und zu leiten. Solche Linsen können in klarem Kunststoff oder Elastomer auf einigen oder sämtlichen LEDs auf konventionelle Weise gegossen oder gepresst werden. Alternativ können kleine Teile aus Silikon oder einem ähnlichen, klaren Material auf konventionelle Weise auf einigen oder sämtlichen LEDs verteilt und dann zur Ausbildung einfacher Linsen ausgehärtet werden, oder es können hohle, klare Linsen auf konventionelle Weise warmgenietet, geleimt oder über einigen oder sämtlichen LEDs eingepresst und sodann zur Kapselung der LEDs zum Beispiel mit Silikon gefüllt werden. - Der thermische Kontakt
20 und das thermisch leitende Material sehen für Wärme, die von der LED4 zu dem Metallsubstrat6 strömt, einen Weg mit einem vorteilhafterweise geringen, thermischen Widerstand vor, wodurch die Wärme dann effektiv verteilt wird. Der thermische Widerstand dieser Bahn ist geringer als z.B. dieser thermischer Bahnen in, auf konventionellen Leiterplatten ausgebildeten, konventionellen LED-Matrizen. Durch die, einen geringen thermischen Widerstand vorsehende Bahn können die LEDs in Matrix2 bei einem höheren als dem üblichen Strom (und damit bei einer höheren als der üblichen Strahlungsleistung) betrieben werden, ohne dabei deren Temperaturen auf ein Niveau zu erhöhen, auf welchem ihre Leistung beeinträchtigt wird. Durch die effektive Wärmeableitung durch das thermisch leitende Material24 und das Metallsubstrat6 besteht ebenfalls die Möglichkeit, LEDs mit hoher Strahlungsleistung in der LED-Matrix2 mit einem geringeren Abstand zwischen den LEDs als diesem bei konventionellen Matrizen aus LEDs mit hoher Strahlungsleistung anzuordnen, ohne dabei die LEDs zu überhitzen und ihre Leistung zu beeinträchtigen. Durch das Nichtvorhandensein einzelner, vergossener Gehäuse, Leiterrahmen und Drahtbondstellen an den Leiterbahnen in der Leiterbahnschicht8 für jede LED der LED-Matrix2 können die LEDs ebenfalls enger beabstandet sein. Infolgedessen kann die LED-Matrix2 eine höhere Strahlungsleistung pro Flächeneinheit als bei konventionellen LED-Matrizen vorsehen. Die Eliminierung von Drahtbondstellen verbessert ebenfalls die Zuverlässigkeit der LED-Matrix in diesem Ausführungsbeispiel, da Drahtbondstellen typischerweise die am wenigsten zuverlässigen Elemente von LED-Matrizen darstellen. - In einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung (
2 ) wird jede der LEDs in der LED-Matrix2 (z.B. LED28 ) an einer einzelnen Montagebasis (z.B. Montagebasis30 ) angebracht. Die Montagebasen können zum Beispiel aus Silicium oder keramischen Materialien gebildet werden. Konventionelle, aufgeschmolzene Lötkontakthügel (z.B. Sn/Pb)32 verbinden eine n-leitende Zone der LED28 mit einem oberen n-Kontakt34 auf Montagebasis30 sowie eine p-leitende Zone der LED28 mit einem oberen p-Kontakt36 auf Montagebasis30 elektrisch. Verbindungskontakte38 und40 in Montagebasis30 enthalten jeweils konventionelles, elektrisch leitendes Material (z.B. Wolfram und/oder Kupfer), welches Strom von jeweils dem oberen n-Kontakt34 und dem oberen p-Kontakt36 zu jeweils dem unteren n-Kontakt42 und dem unteren p-Kontakt44 trägt. N-Kontakt42 und p-Kontakt44 sind mit getrennten Leiterbahnen in der Leiterbahnschicht8 mit konventionellem, aufgeschmolzenem Lötmittel18 elektrisch verbunden. Wird Montagebasis30 aus einem leitenden Material, wie z.B. Silicium, gebildet, können Verbindungskontakte38 und40 eine konventionell aufgebrachte, dielektrische Röhre oder Beschichtung aufweisen, um ein Kurzschließen der Verbindungskontakte durch die Montagebasis zu verhindern. - Die Montagebasis
30 weist ebenfalls einen thermischen Kontakt46 (z.B. eine Metallkontaktstelle) auf, der auf der Unterseite der Montagebasis30 in Angrenzung an elektrische Kontakte42 und44 vorgesehen ist. Bei einigen Ausführungen ist der thermische Kontakt46 von den Kontakten42 und44 elektrisch isoliert. Eine solche elektrische Isolierung kann zum Beispiel durch eine optionale, dielektrische Schicht48 vorgesehen werden. Es können ebenfalls andere Mittel zur elektrischen Isolierung des thermischen Kontakts46 von den Kontakten42 und44 eingesetzt werden. Die elektrischen Kontakte34 ,36 ,42 und44 sowie der thermische Kontakt46 können auf konventionelle Weise, zum Beispiel aus geeigneten, konventionellen, lötbaren Metallschichten, ausgebildet werden. - In diesem Ausführungsbeispiel befindet sich wärmeleitendes Material
24 in Verbindungskontakt12 in direktem Kontakt mit dem thermischen Kontakt46 auf der Montagebasis30 und durch Montagebasis30 und Lötkontakthügel32 in thermischem Kontakt mit der LED28 . Bei einigen Ausführungen weist ein, in dem wärmeleitenden Material24 verwendetes, aufgeschmolzenes Lötmittel eine niedrigere Aufschmelztemperatur als ein, in den Lötkontakthügeln32 verwendetes, aufgeschmolzenes Lötmittel auf, wodurch die Montagebasis30 an dem Metallsubstrat6 angebracht werden kann, ohne dabei die Lötverbindungen zwischen der LED28 und der Montagebasis30 zu beeinträchtigen. Typischerweise ist die Montagebasis30 dünn und wird aus einem wärmeleitenden Material gebildet, um den thermischen Widerstand, der von Montagebasis30 gegen den Wärmestrom von der LED28 zu dem Metallsubstrat6 vorgesehen wird, zu reduzieren. Zum Beispiel weist eine aus Silicium gebildete Montagebasis typischerweise eine geringere Dicke als etwa 0,025 cm (0,010 Zoll) auf. - Die Kombination aus den Lötkontakthügeln
32 , der Montagebasis30 , dem thermischen Kontakt46 und dem wärmeleitenden Material24 sieht für Wärme, die von der LED28 zu dem Metallsubstrat6 strömt, einen Weg mit einem geringen, thermischen Widerstand vor. Dieser Weg mit einem geringen, thermischen Widerstand bringt Vorteile wie diese des vorherigen Ausführungsbeispiels mit sich. Darüber hinaus können auf Montagebasen angebrachte LEDs vor Installation in der LED-Matrix2 vorgeprüft werden. Durch eine solche Vorprüfung können die LEDs in der LED-Matrix2 zum Beispiel auf genau charakterisierten Werten für Emissionswellenlänge und Strahlungsleistung basierend ausgewählt werden. Ebenso können die Montagebasen eine zusätzliche Schaltung, wie z.B. eine Schutzschaltung gegen elektrostatische Entladung, aufweisen, welche für die LED-Matrix2 von Vorteil sein kann. - In einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung (
3 ) sind Verbindungskontakte38 und40 nicht vorhanden, und n-Kontakt34 und p-Kontakt36 auf Montagebasis30 sind durch Drahtbondstellen48 und50 jeweils mit getrennten Leiterbahnen in der Leiterbahnschicht8 elektrisch verbunden. Die Drahtbondstellen48 und50 sind in der Herstellung weniger kostenaufwendig als elektrische Verbindungen durch Verbindungskontakte. - In einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung (
4 ) sind die Leiterbahnschicht8 und die dielektrische Schicht10 in einer dünnen, konventionellen Leiterplatte bzw. einem flexiblen Schaltkreis52 , der an dem Metallsubstrat6 mit Hilfe einer konventionellen, dielektrischen Klebeschicht54 befestigt wird, vorgesehen. Über der Leiterbahnschicht8 kann eine zusätzliche dielektrische Schicht56 liegen. Verbindungskontakte können in der Leiterplatte52 zum Beispiel durch Stanzen ausgebildet werden. -
5 zeigt eine schematische Darstellung der Anordnung elektrischer und thermischer Kontakte auf der unteren Seite einer, in einer LED-Matrix gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung enthaltenen LED-Einheit58 . Die LED-Einheit58 kann zum Beispiel eine LED ohne eine Montagebasis, wie z.B. LED4 (1 ), oder eine, an einer Montagebasis angebrachte LED, wie z.B. die an Montagebasis30 angebrachte LED28 (2 ,3 ,4 ) enthalten. N-Kontakt60 kann zum Beispiel durch n-Kontakt14 der LED4 oder den unteren n-Kontakt42 der Montagebasis30 dargestellt sein. P-Kontakt62 kann zum Beispiel durch p-Kontakt16 der LED4 oder den unteren p-Kontakt44 der Montagebasis30 dargestellt sein. Der thermische Kontakt64 kann zum Beispiel durch den thermischen Kontakt20 der LED4 oder den thermischen Kontakt46 der Montagebasis30 dargestellt sein. Der thermische Kontakt64 nimmt typischerweise einen großen Teil der Unterseite der LED-Einheit58 ein, um den Wärmestrom durch den thermischen Kontakt64 zu dem Metallsubstrat zu beschleunigen. -
6 zeigt in einer Draufsicht schematisch eine LED-Matrix2 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung vor Installation von LED-Einheiten (LEDs mit oder ohne Montagebasis) an mehreren Stellen66-1 -66-9 . An jeder Stelle legt ein Verbindungskontakt (z.B. Verbindungskontakt12 ) einen Teil des Metallsubstrats6 frei. Ebenso werden an jeder Stelle zwei Leiterbahnen8-1 -8-18 (in Leiterbahnschicht8 ) freigelegt, um einen elektrischen Kontakt mit getrennten, elektrischen Kontakten auf der Unterseite einer LED-Einheit, wie z.B. den elektrischen Kontakten60 und62 der LED-Einheit58 (5 ), herzustellen. Die elektrischen Leiterbahnen8-1 -8-18 können miteinander verbunden werden, um eine oder sämtliche LEDs in Reihe, parallel oder antiparallel zu schalten. Es gehen Durchgangsbohrungen, wie z.B. Durchgangsbohrung68 , durch das Metallsubstrat6 und die auf dem Metallsubstrat6 liegende dielektrische sowie Leiterbahnschicht hindurch, damit die Linsen, wie z.B. Linse26 (1 ), mit einem Verkappungsmaterial, wie z.B. Silikon, gefüllt werden können. -
7 zeigt in einer Draufsicht schematisch die LED-Matrix2 von6 nach Anbringen der LED-Einheiten58-1 -58-9 an dem Metallsubstrat6 und den Leiterbahnen8-1 -8-16 . Jede LED-Einheit befindet sich durch ein wärmeleitendes Material24 (1-4 ), welches in einem, unterhalb der LED-Einheit angeordneten Verbindungskontakt aufgebracht wird, in thermischem Kontakt mit dem Metallsubstrat6 . In diesem Ausführungsbeispiel weist die LED-Matrix2 9 LED-Einheiten (LEDs mit oder ohne Montagebasen) auf. Weitere Ausführungsbeispiele sehen mehr oder weniger als neun solcher LED-Einheiten vor. - Obgleich die vorliegende Erfindung mit Hilfe von spezifischen Ausführungsbeispielen dargestellt ist, ist diese für sämtliche Variationen und Modifikationen, die in den Schutzumfang der beigefügten Patentansprüche fallen, bestimmt. Obgleich es sich bei den in den
1-4 dargestellten LEDs um Flip-Chips handelt, können bei der vorliegenden Erfindung zum Beispiel ebenfalls LEDs mit einem oder mehreren elektrischen Kontakten auf einer Oberseite der LED eingesetzt werden. Solche Kontakte können zum Beispiel auf elektrische Kontakte auf einer Montagebasis oder auf Leiterbahnen in einer, über dem Metallsubstrat liegenden Leiterbahnschicht drahtgebondet werden. Darüber hinaus können, obgleich in den2-4 lediglich eine LED an jeder Montagebasis angebracht ist, in einigen Ausführungsbeispielen mehr als eine LED je Montagebasis vorgesehen werden. In solchen Aüsfuhrungsbeispielen können einige oder sämtliche der mehreren LEDs auf einer Montagebasis zum Beispiel in Reihe, parallel oder antiparallel geschaltet werden. Überdies kann eine LED-Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung einige, auf Montagebasen vorgesehene LEDs und einige, unmittelbar an dem Metallsubstrat angebrachte LEDs aufweisen. Obgleich in den1-4 lediglich eine Schicht8 aus Leiterbahnen über dem Metallsubstrat6 vorgesehen ist, können in anderen Ausführungsbeispielen mehrere Leiterbahnschichten angeordnet werden.
Claims (19)
- Leuchtdiodenmatrix mit: - einem Metallsubstrat (6); - einer dielektrischen Schicht (10), durch welche mehrere Verbindungskontakte (12) hindurchgehen, wobei die dielektrische Schicht (10) über dem Metallsubstrat (6) vorgesehen ist; - mehreren elektrisch leitenden Bahnen, die auf der dielektrischen Schicht (10) angeordnet sind; sowie - mehreren LED-Einheiten (58), wobei die LED-Einheiten (58) auf ihren Unterseiten einen n-Kontakt (60), einen p-Kontakt (62) und einen thermischen Kontakt (64) aufweisen, wobei jede LED-Einheit (58) über einem entsprechenden Verbindungskontakt (12) vorgesehen ist und wobei der n-Kontakt (60) und der p-Kontakt (62) an getrennte, elektrisch leitende Bahnen elektrisch gekoppelt sind; wobei jeder der Verbindungskontakte (12) wärmeleitendes Material enthält, welches mit dem Metallsubstrat (6) und dem thermischen Kontakt (64) der entsprechenden LED-Einheit (58) thermisch gekoppelt ist.
- Leuchtdiodenmatrix nach
Anspruch 1 , wobei das Metallsubstrat (6) eine größere Dicke als etwa 0,025 cm (0,01 Zoll) aufweist. - Leuchtdiodenmatrix nach
Anspruch 1 , wobei bei mindestens einer der LED-Einheiten (58) der n-Kontakt und der p-Kontakt dem Metallsubstrat (6) zugewandt sind. - Leuchtdiodenmatrix nach
Anspruch 1 , wobei das wärmeleitende Material in mindestens einem der Verbindungskontakte (12) von den mehreren Leiterbahnen sowie von dem n-Kontakt und dem p-Kontakt der entsprechenden LED-Einheit (58) elektrisch isoliert ist. - Leuchtdiodenmatrix nach
Anspruch 1 , wobei das wärmeleitende Material ein Lötmaterial enthält. - Leuchtdiodenmatrix nach
Anspruch 1 , wobei mindestens eine LED-Einheit eine LED (4) ohne Montagebasis ist, wobei die Unterseite der LED (4) den n-Kontakt (14), den p-Kontakt (16) und den thermischen Kontakt (20) aufweist und wobei das wärmeleitende Material in mindestens einem der Verbindungskontakte (12) sich in direktem Kontakt mit dem thermischen Kontakt (20) der entsprechenden LED befindet. - Leuchtdiodenmatrix nach
Anspruch 1 , wobei das wärmeleitende Material in mindestens einem der Verbindungskontakte (12) sich in direktem Kontakt mit dem Metallsubstrat (6) befindet. - Leuchtdiodenmatrix nach
Anspruch 1 , wobei eine LED-Einheit (58) eine an eine Montagebasis (30) angebrachte LED (28) ist, wobei die Montagebasis (30) zwischen der LED (28) und dem entsprechenden Verbindungskontakt (12) angeordnet ist, wobei die Montagebasis den n-Kontakt (42), den p-Kontakt (44) und den thermischen Kontakt (46) aufweist und sich der thermische Kontakt (46) in direktem Kontakt mit dem wärmeleitenden Material in dem entsprechenden Verbindungskontakt (12) befindet. - Leuchtdiodenmatrix nach
Anspruch 8 , wobei die Montagebasis Silicium enthält. - Leuchtdiodenmatrix nach
Anspruch 8 , wobei die LED (28) einen n-Kontakt und einen p-Kontakt aufweist, wobei die Montagebasis (30) Verbindungskontakte aufweist, durch welche der n-Kontakt der LED (28) mit dem n-Kontakt der Montagebasis (30) und der p-Kontakt der LED (28) mit dem p-Kontakt der Montagebasis (30) verbunden werden, so dass der n-Kontakt und der p-Kontakt der LED (28) an die elektrisch leitenden Bahnen elektrisch gekoppelt sind. - Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiodenmatrix, wonach: über einem Metallsubstrat (6) eine dielektrische Schicht (10), auf welcher mehrere elektrisch leitende Bahnen ausgebildet werden, aufgebracht wird; mehrere Verbindungskontakte (12) in der dielektrischen Schicht (10) ausgebildet werden, wobei jeder der Verbindungskontakte (12) das Metallsubstrat (6) freilegt; in jeden der Verbindungskontakte (12) ein wärmeleitendes Material, welches einen thermischen Kontakt mit dem Metallsubstrat (6) herstellt, eingebracht wird; jede einer großen Anzahl von LED-Einheiten (58), die auf ihren Unterseiten einen n-Kontakt (60), einen p-Kontakt (62) und einen thermischen Kontakt (64) aufweisen, so über einem entsprechenden Verbindungskontakt (12) angeordnet wird, dass der thermische Kontakt (64) jeder LED-Einheit (58) mit dem wärmeleitenden Material in dem entsprechenden Verbindungskontakt (12) thermisch gekoppelt ist und für jede der LED-Einheiten (58) der n-Kontakt (60) und der p-Kontakt (62) an getrennte, elektrisch leitende Bahnen elektrisch gekoppelt werden.
- Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei das Metallsubstrat (6) eine größere Dicke als etwa 0,025 cm (0,01 Zoll) aufweist. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wonach weiterhin das wärmeleitende Material in mindestens einem der Verbindungskontakte (12) von den mehrere Leiterbahnen und von dem n-Kontakt und dem p-Kontakt der entsprechenden LED-Einheit elektrisch isoliert wird. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wonach ferner ein Lötmaterial in mindestens einen der Verbindungskontakte (12) eingebracht wird. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei zumindest eine LED-Einheit eine LED (4) ohne Montagebasis ist und wobei die Unterseite der LED (4) den n-Kontakt (14), den p-Kontakt (16) und den thermischen Kontakt (20) aufweist, wonach außerdem die LED (4) so angeordnet wird, dass sich der thermische Kontakt (20) in direktem Kontakt mit dem wärmeleitenden Material in dem entsprechenden Verbindungskontakt (12) befindet. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei sich das wärmeleitende Material in mindestens einem der Verbindungskontakte (12) in direktem Kontakt mit dem Metallsubstrat (6) befindet. - Verfahren nach
Anspruch 11 , wonach eine LED-Einheit eine LED (28) mit einer Montagebasis (30) ist, wobei die Montagebasis (28) den n-Kontakt (42), den p-Kontakt (44) und den thermischen Kontakt (46) aufweist und weiterhin die Montagebasis (30) zwischen der LED (28) und dem entsprechenden Verbindungskontakt (12) so angeordnet wird, dass sich der thermische Kontakt (46) der Montagebasis (30) in direktem Kontakt mit dem wärmeleitenden Material in dem entsprechenden Verbindungskontakt (12) befindet. - Verfahren nach
Anspruch 17 , wonach ferner die Montagebasis aus Silicium gebildet wird. - Verfahren nach
Anspruch 17 , wobei die LED (28) einen n-Kontakt und einen p-Kontakt aufweist, wonach außerdem Verbindungskontakte in der Montagebasis (30) ausgebildet werden, durch welche der n-Kontakt der LED (28) mit dem n-Kontakt der Montagebasis (30) und der p-Kontakt der LED (28) mit dem p-Kontakt der Montagebasis (30) verbunden werden, so dass der n-Kontakt und der p-Kontakt der LED (28) an die elektrisch leitenden Bahnen elektrisch gekoppelt werden.
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US6806659B1 (en) * | 1997-08-26 | 2004-10-19 | Color Kinetics, Incorporated | Multicolored LED lighting method and apparatus |
US7132804B2 (en) * | 1997-12-17 | 2006-11-07 | Color Kinetics Incorporated | Data delivery track |
PT1422975E (pt) | 2000-04-24 | 2010-07-09 | Philips Solid State Lighting | Produto base de leds |
US6888167B2 (en) * | 2001-07-23 | 2005-05-03 | Cree, Inc. | Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding |
US7358929B2 (en) * | 2001-09-17 | 2008-04-15 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Tile lighting methods and systems |
US7121680B2 (en) * | 2001-12-10 | 2006-10-17 | Galli Robert D | LED lighting assembly with improved heat management |
US6942365B2 (en) | 2002-12-10 | 2005-09-13 | Robert Galli | LED lighting assembly |
US6827468B2 (en) * | 2001-12-10 | 2004-12-07 | Robert D. Galli | LED lighting assembly |
US7118255B2 (en) * | 2001-12-10 | 2006-10-10 | Galli Robert D | LED lighting assembly with improved heat exchange |
US7652303B2 (en) * | 2001-12-10 | 2010-01-26 | Galli Robert D | LED lighting assembly |
TW535307B (en) * | 2002-03-04 | 2003-06-01 | United Epitaxy Co Ltd | Package of light emitting diode with protective diode |
EP1508157B1 (de) | 2002-05-08 | 2011-11-23 | Phoseon Technology, Inc. | Hocheffiziente halbleiter-lichtquelle sowie verfahren zu deren verwendung und herstellung |
TW554553B (en) * | 2002-08-09 | 2003-09-21 | United Epitaxy Co Ltd | Sub-mount for high power light emitting diode |
US7224000B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
US7800121B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
DE10245930A1 (de) * | 2002-09-30 | 2004-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul |
US7009199B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current |
US8093620B2 (en) * | 2002-12-10 | 2012-01-10 | Galli Robert D | LED lighting assembly with improved heat management |
US7153004B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-12-26 | Galli Robert D | Flashlight housing |
JP4124638B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2008-07-23 | 順一 島田 | Led照明システム |
US20050042390A1 (en) * | 2003-01-09 | 2005-02-24 | Siegel Stephen B. | Rotary UV curing method and apparatus |
US7211299B2 (en) * | 2003-01-09 | 2007-05-01 | Con-Trol-Cure, Inc. | UV curing method and apparatus |
US7465909B2 (en) * | 2003-01-09 | 2008-12-16 | Con-Trol-Cure, Inc. | UV LED control loop and controller for causing emitting UV light at a much greater intensity for UV curing |
US7137696B2 (en) * | 2003-01-09 | 2006-11-21 | Con-Trol-Cure, Inc. | Ink jet UV curing |
US7175712B2 (en) * | 2003-01-09 | 2007-02-13 | Con-Trol-Cure, Inc. | Light emitting apparatus and method for curing inks, coatings and adhesives |
US20060121208A1 (en) * | 2003-01-09 | 2006-06-08 | Siegel Stephen B | Multiple wavelength UV curing |
US7399982B2 (en) * | 2003-01-09 | 2008-07-15 | Con-Trol-Cure, Inc | UV curing system and process with increased light intensity |
US20040164325A1 (en) * | 2003-01-09 | 2004-08-26 | Con-Trol-Cure, Inc. | UV curing for ink jet printer |
US7671346B2 (en) | 2003-01-09 | 2010-03-02 | Con-Trol-Cure, Inc. | Light emitting apparatus and method for curing inks, coatings and adhesives |
US7498065B2 (en) | 2003-01-09 | 2009-03-03 | Con-Trol-Cure, Inc. | UV printing and curing of CDs, DVDs, Golf Balls And Other Products |
US7550777B2 (en) * | 2003-01-10 | 2009-06-23 | Toyoda Gosei, Co., Ltd. | Light emitting device including adhesion layer |
US7170151B2 (en) * | 2003-01-16 | 2007-01-30 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Accurate alignment of an LED assembly |
US6977396B2 (en) * | 2003-02-19 | 2005-12-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | High-powered light emitting device with improved thermal properties |
JP2004265986A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法 |
KR101148332B1 (ko) | 2003-04-30 | 2012-05-25 | 크리, 인코포레이티드 | 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지 |
US7005679B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
US7777235B2 (en) * | 2003-05-05 | 2010-08-17 | Lighting Science Group Corporation | Light emitting diodes with improved light collimation |
US7633093B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-12-15 | Lighting Science Group Corporation | Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product |
US7528421B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-05-05 | Lamina Lighting, Inc. | Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation |
US20070001177A1 (en) * | 2003-05-08 | 2007-01-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated light-emitting diode system |
KR100566140B1 (ko) * | 2003-05-14 | 2006-03-30 | (주)나노팩 | 발광다이오드와 그 패키지 구조체 및 제조방법 |
WO2004102685A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-25 | Nano Packaging Technology, Inc. | Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof |
CN100391017C (zh) * | 2003-05-26 | 2008-05-28 | 松下电工株式会社 | 发光器件 |
EP1627437B1 (de) * | 2003-05-26 | 2016-03-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Licht emittierendes bauelement |
JP2005158957A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
AT501081B8 (de) * | 2003-07-11 | 2007-02-15 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Led sowie led-lichtquelle |
US7391153B2 (en) * | 2003-07-17 | 2008-06-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation |
US7482638B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-01-27 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Package for a semiconductor light emitting device |
US7183587B2 (en) * | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
JP4712293B2 (ja) * | 2003-10-01 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プロジェクター |
US7304418B2 (en) * | 2003-10-24 | 2007-12-04 | Seiko Epson Corporation | Light source apparatus with light-emitting chip which generates light and heat |
EP1678442B8 (de) | 2003-10-31 | 2013-06-26 | Phoseon Technology, Inc. | LED-Lichtmodul und Herstellungsverfahren |
US7524085B2 (en) | 2003-10-31 | 2009-04-28 | Phoseon Technology, Inc. | Series wiring of highly reliable light sources |
DE10351934B4 (de) * | 2003-11-07 | 2017-07-13 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | Leuchtdioden-Anordnung mit wärmeabführender Platine |
CN100375300C (zh) * | 2003-11-25 | 2008-03-12 | 葛世潮 | 大功率发光二极管 |
US7196459B2 (en) | 2003-12-05 | 2007-03-27 | International Resistive Co. Of Texas, L.P. | Light emitting assembly with heat dissipating support |
WO2005057672A2 (en) * | 2003-12-09 | 2005-06-23 | Gelcore, Llc | Surface mount light emitting chip package |
US7321161B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-01-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED package assembly with datum reference feature |
US7309145B2 (en) * | 2004-01-13 | 2007-12-18 | Seiko Epson Corporation | Light source apparatus and projection display apparatus |
US7267461B2 (en) * | 2004-01-28 | 2007-09-11 | Tir Systems, Ltd. | Directly viewable luminaire |
US20050179049A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-18 | Ying-Ming Ho | Light emitting diode |
DE102004009284A1 (de) * | 2004-02-26 | 2005-09-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdioden-Anordnung für eine Hochleistungs-Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdioden-Anordnung |
US20050199899A1 (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-15 | Ming-Der Lin | Package array and package unit of flip chip LED |
WO2005090686A2 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Onscreen Technologies, Inc. | Rapid dispatch emergency signs |
US7638808B2 (en) | 2004-03-18 | 2009-12-29 | Phoseon Technology, Inc. | Micro-reflectors on a substrate for high-density LED array |
EP1754259B1 (de) * | 2004-03-18 | 2019-07-17 | Phoseon Technology, Inc. | Direktkühlung und indirektkühlung von leds |
EP1743384B1 (de) * | 2004-03-30 | 2015-08-05 | Phoseon Technology, Inc. | Led-gruppe mit led-detektoren auf gruppenbasis |
DE102004016847A1 (de) | 2004-04-07 | 2005-12-22 | P.M.C. Projekt Management Consult Gmbh | Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenanordnung |
PL1756876T3 (pl) * | 2004-04-12 | 2011-10-31 | Phoseon Technology Inc | Matryca led o dużej gęstości |
US8077305B2 (en) | 2004-04-19 | 2011-12-13 | Owen Mark D | Imaging semiconductor structures using solid state illumination |
US7138659B2 (en) * | 2004-05-18 | 2006-11-21 | Onscreen Technologies, Inc. | LED assembly with vented circuit board |
KR100623024B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2006-09-19 | 엘지전자 주식회사 | 고출력 led 패키지 |
KR100593919B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 차량 전조등용 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 차량전조등 |
US20090233254A1 (en) * | 2004-07-02 | 2009-09-17 | Robert Hayman | Dental light devices having an improved heat sink |
WO2006014364A2 (en) * | 2004-07-02 | 2006-02-09 | Discus Dental Impressions, Inc. | Curing light having a detachable tip |
US7534633B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
US20060018123A1 (en) * | 2004-07-02 | 2006-01-26 | Rose Eric P | Curing light having a reflector |
TWI302038B (en) * | 2004-07-07 | 2008-10-11 | Epistar Corp | Light emitting diode having an adhesive layer and heat paths |
CN100483712C (zh) * | 2004-07-27 | 2009-04-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发光二极管组件 |
DE102004036960A1 (de) * | 2004-07-30 | 2006-03-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung einer solchen Leiterplatte |
US7405093B2 (en) * | 2004-08-18 | 2008-07-29 | Cree, Inc. | Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package |
DE102004045950A1 (de) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
US7081667B2 (en) * | 2004-09-24 | 2006-07-25 | Gelcore, Llc | Power LED package |
CN101036238B (zh) * | 2004-10-04 | 2014-01-08 | 株式会社东芝 | 发光设备、使用所述发光设备的照明设备和液晶显示装置 |
US20060097385A1 (en) | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Negley Gerald H | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same |
TWI262608B (en) * | 2004-12-08 | 2006-09-21 | Univ Nat Central | Light emitting device |
KR100580753B1 (ko) | 2004-12-17 | 2006-05-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
US7285802B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
US7296916B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
US20060131601A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Ouderkirk Andrew J | Illumination assembly and method of making same |
US7322732B2 (en) | 2004-12-23 | 2008-01-29 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
KR101288758B1 (ko) | 2004-12-30 | 2013-07-23 | 포세온 테크날러지 인코퍼레이티드 | 산업 공정에서 광원을 사용하는 시스템 및 방법 |
US20060154393A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Doan Trung T | Systems and methods for removing operating heat from a light emitting diode |
US20060151801A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Doan Trung T | Light emitting diode with thermo-electric cooler |
US7304694B2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-12-04 | Cree, Inc. | Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays |
TWI352437B (en) | 2007-08-27 | 2011-11-11 | Epistar Corp | Optoelectronic semiconductor device |
KR101197046B1 (ko) | 2005-01-26 | 2012-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광다이오드를 사용하는 2차원 광원 및 이를 이용한 액정표시 장치 |
WO2006093889A2 (en) | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Color Kinetics Incorporated | Configurations and methods for embedding electronics or light emitters in manufactured materials |
US7411225B2 (en) * | 2005-03-21 | 2008-08-12 | Lg Electronics Inc. | Light source apparatus |
JP4890775B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2012-03-07 | パナソニック株式会社 | 発光モジュール |
EP1861876A1 (de) * | 2005-03-24 | 2007-12-05 | Tir Systems Ltd. | Halbleiter-beleuchtungseinrichtungs-gehäuse |
CA2614803C (en) * | 2005-04-05 | 2015-08-25 | Tir Technology Lp | Electronic device package with an integrated evaporator |
CA2617314A1 (en) * | 2005-04-05 | 2006-10-12 | Tir Technology Lp | Mounting assembly for optoelectronic devices |
CN100420019C (zh) * | 2005-04-20 | 2008-09-17 | 王锐勋 | 集群发光二极管芯片的封装方法及器件 |
TWI294694B (en) * | 2005-06-14 | 2008-03-11 | Ind Tech Res Inst | Led wafer-level chip scale packaging |
KR20060131327A (ko) * | 2005-06-16 | 2006-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드의 제조 방법 |
US20060289887A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Jabil Circuit, Inc. | Surface mount light emitting diode (LED) assembly with improved power dissipation |
EP1897146A2 (de) * | 2005-06-27 | 2008-03-12 | Lamina Lighting, Inc. | Lichtemissionsdiodenpackung und herstellungsverfahren dafür |
WO2007000037A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Mitchell, Richard, J. | Bendable high flux led array |
KR101232505B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2013-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 패키지 제조방법, 백라이트 유닛 및액정표시장치 |
WO2007004572A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光装置 |
JP5237540B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
CN100594623C (zh) * | 2005-09-20 | 2010-03-17 | 松下电工株式会社 | 发光二极管照明器具 |
US7956372B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-06-07 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device |
JP5155540B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2013-03-06 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
JP5237539B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
US20070081339A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Chung Huai-Ku | LED light source module with high efficiency heat dissipation |
JP4013077B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-11-28 | 松下電工株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP3992059B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-10-17 | 松下電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
DE602005016280D1 (de) * | 2005-11-29 | 2009-10-08 | Nat Central University Jungli | Licht aussendendes Bauelement |
KR20090009772A (ko) | 2005-12-22 | 2009-01-23 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 |
US7642527B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-05 | Phoseon Technology, Inc. | Multi-attribute light effects for use in curing and other applications involving photoreactions and processing |
US20070176182A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Way-Jze Wen | Structure for integrating LED circuit onto heat-dissipation substrate |
TWI333580B (en) * | 2006-02-08 | 2010-11-21 | Chimei Innolux Corp | Backlight module and liquid crystal display using the same |
JP2007234886A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Compal Communications Inc | 散熱構成を有する電子素子アセンブリ |
US9335006B2 (en) | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
JP2009534866A (ja) | 2006-04-24 | 2009-09-24 | クリー, インコーポレイティッド | 横向き平面実装白色led |
KR100796670B1 (ko) | 2006-04-27 | 2008-01-22 | (주)루멘스 | 발광다이오드 및 그 제조방법 |
US8033692B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
US7906794B2 (en) | 2006-07-05 | 2011-03-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device package with frame and optically transmissive element |
KR200429400Y1 (ko) * | 2006-07-28 | 2006-10-23 | 지아 쭁 엔터프라이즈 컴퍼니 리미티드 | 액정디스플레이의 이극체 기판구조 |
TWI351085B (en) * | 2006-08-08 | 2011-10-21 | Silicon Base Dev Inc | Structure and manufacturing method of package base for power semiconductor device |
US7753540B2 (en) * | 2006-08-21 | 2010-07-13 | Osram Sylvania Inc. | Illuminable indicator and light engine therefor |
US7842960B2 (en) * | 2006-09-06 | 2010-11-30 | Lumination Llc | Light emitting packages and methods of making same |
KR101266490B1 (ko) | 2006-09-08 | 2013-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
TW200814362A (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-16 | Bright Led Electronics Corp | Light-emitting diode device with high heat dissipation property |
US20080068807A1 (en) * | 2006-09-20 | 2008-03-20 | Sunonwealth Electric Machine Industry Co., Ltd. | Heat-dissipating device for back light source for flat panel display |
DE102006059702A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US20090086491A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Ruud Lighting, Inc. | Aerodynamic LED Floodlight Fixture |
US7952262B2 (en) | 2006-09-30 | 2011-05-31 | Ruud Lighting, Inc. | Modular LED unit incorporating interconnected heat sinks configured to mount and hold adjacent LED modules |
US9028087B2 (en) | 2006-09-30 | 2015-05-12 | Cree, Inc. | LED light fixture |
US9243794B2 (en) | 2006-09-30 | 2016-01-26 | Cree, Inc. | LED light fixture with fluid flow to and from the heat sink |
KR100765240B1 (ko) * | 2006-09-30 | 2007-10-09 | 서울옵토디바이스주식회사 | 서로 다른 크기의 발광셀을 가지는 발광 다이오드 패키지및 이를 채용한 발광 소자 |
US7686469B2 (en) | 2006-09-30 | 2010-03-30 | Ruud Lighting, Inc. | LED lighting fixture |
BRPI0718086A2 (pt) * | 2006-10-31 | 2013-11-05 | Tir Technology Lp | Acondicionamento de dispositivo de iluminação |
US20080101073A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-01 | Discus Dental, Llc | Dental Light Devices Having an Improved Heat Sink |
US8779444B2 (en) * | 2006-11-03 | 2014-07-15 | Relume Technologies, Inc. | LED light engine with applied foil construction |
US7897980B2 (en) * | 2006-11-09 | 2011-03-01 | Cree, Inc. | Expandable LED array interconnect |
DE202006017583U1 (de) * | 2006-11-17 | 2008-03-27 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungsvorrichtung |
US20080169480A1 (en) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Visera Technologies Company Limited | Optoelectronic device package and packaging method thereof |
WO2008104103A1 (fr) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Tsungwen Chan | Procédé de fabrication d'une pluralité de del smd et structure de del |
US7618163B2 (en) | 2007-04-02 | 2009-11-17 | Ruud Lighting, Inc. | Light-directing LED apparatus |
US7898811B2 (en) * | 2007-04-10 | 2011-03-01 | Raled, Inc. | Thermal management of LEDs on a printed circuit board and associated methods |
CN101304059B (zh) * | 2007-05-09 | 2010-09-08 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光二极管组件及发光二极管显示装置 |
US20090008662A1 (en) * | 2007-07-05 | 2009-01-08 | Ian Ashdown | Lighting device package |
TW200904316A (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-16 | Kai-Yu Lin | Heat-dissipation structure of luminous device |
CN101400210B (zh) * | 2007-09-27 | 2010-06-02 | 北京京东方光电科技有限公司 | 设有发光二极管的印刷电路板 |
USD615504S1 (en) * | 2007-10-31 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Emitter package |
GB2455069B (en) * | 2007-11-16 | 2010-05-12 | Uriel Meyer Wittenberg | Improved led device |
DE102007055133A1 (de) * | 2007-11-19 | 2009-05-20 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Beleuchtungsvorrichtung mit einem Kühlkörper |
TWI354529B (en) * | 2007-11-23 | 2011-12-11 | Ind Tech Res Inst | Metal thermal interface material and thermal modul |
JP5149601B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2013-02-20 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
US20090208894A1 (en) * | 2008-02-18 | 2009-08-20 | Discus Dental, Llc | Curing Light |
EP2093429A1 (de) * | 2008-02-25 | 2009-08-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Kompressoreinheit |
TWI419357B (zh) * | 2008-03-12 | 2013-12-11 | Bright Led Electronics Corp | Manufacturing method of light emitting module |
US20110163348A1 (en) * | 2008-03-25 | 2011-07-07 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and inverted cavity in bump |
US8310043B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-11-13 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with ESD protection layer |
US8354688B2 (en) | 2008-03-25 | 2013-01-15 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with bump/base/ledge heat spreader, dual adhesives and cavity in bump |
US8415703B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-04-09 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base/flange heat spreader and cavity in flange |
US8067784B2 (en) | 2008-03-25 | 2011-11-29 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and substrate |
US8324723B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-12-04 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and dual-angle cavity in bump |
US8288792B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-10-16 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader |
US8269336B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-09-18 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and signal post |
US20100052005A1 (en) * | 2008-03-25 | 2010-03-04 | Lin Charles W C | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and conductive trace |
US20090284932A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-11-19 | Bridge Semiconductor Corporation | Thermally Enhanced Package with Embedded Metal Slug and Patterned Circuitry |
US8378372B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-02-19 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and horizontal signal routing |
US20110156090A1 (en) * | 2008-03-25 | 2011-06-30 | Lin Charles W C | Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader and asymmetric posts |
US8193556B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-06-05 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity in post |
US8207553B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-06-26 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with base heat spreader and cavity in base |
US8314438B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-11-20 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and cavity in bump |
US8232576B1 (en) | 2008-03-25 | 2012-07-31 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and ceramic block in post |
US8329510B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-12-11 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader with an ESD protection layer |
US8212279B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-07-03 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader, signal post and cavity |
US20100181594A1 (en) * | 2008-03-25 | 2010-07-22 | Lin Charles W C | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post |
US8203167B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-06-19 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and adhesive between base and terminal |
US8148747B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-04-03 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base/cap heat spreader |
US8129742B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-03-06 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and plated through-hole |
US20100072511A1 (en) * | 2008-03-25 | 2010-03-25 | Lin Charles W C | Semiconductor chip assembly with copper/aluminum post/base heat spreader |
US20110278638A1 (en) | 2008-03-25 | 2011-11-17 | Lin Charles W C | Semiconductor chip assembly with post/dielectric/post heat spreader |
US8525214B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-09-03 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with thermal via |
US8531024B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-09-10 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and multilevel conductive trace |
DE102008022414B4 (de) * | 2008-05-06 | 2013-03-14 | Rüdiger Lanz | Leuchtmittel zur Verwendung in einer Straßenbeleuchtung sowie eine Vorrichtung zur Straßenbeleuchtung |
US8388193B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-03-05 | Ruud Lighting, Inc. | Lens with TIR for off-axial light distribution |
US8348475B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-01-08 | Ruud Lighting, Inc. | Lens with controlled backlight management |
US9423096B2 (en) | 2008-05-23 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | LED lighting apparatus |
CN101594730B (zh) * | 2008-05-26 | 2012-01-04 | 欣兴电子股份有限公司 | 具有导热结构的电路板 |
US7841750B2 (en) | 2008-08-01 | 2010-11-30 | Ruud Lighting, Inc. | Light-directing lensing member with improved angled light distribution |
US7825427B2 (en) * | 2008-09-12 | 2010-11-02 | Bridgelux, Inc. | Method and apparatus for generating phosphor film with textured surface |
TW201017922A (en) * | 2008-10-23 | 2010-05-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode package |
US20100226139A1 (en) | 2008-12-05 | 2010-09-09 | Permlight Products, Inc. | Led-based light engine |
US8314408B2 (en) | 2008-12-31 | 2012-11-20 | Draka Comteq, B.V. | UVLED apparatus for curing glass-fiber coatings |
US7923739B2 (en) | 2009-06-05 | 2011-04-12 | Cree, Inc. | Solid state lighting device |
US8598602B2 (en) | 2009-01-12 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Light emitting device packages with improved heat transfer |
TWI423421B (zh) * | 2009-01-17 | 2014-01-11 | Bright Led Electronics Corp | A light emitting device and a manufacturing method thereof |
JP4780203B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2011-09-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
US8247886B1 (en) | 2009-03-09 | 2012-08-21 | Soraa, Inc. | Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations |
JP5298987B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2013-09-25 | 豊田合成株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
TW201035513A (en) * | 2009-03-25 | 2010-10-01 | Wah Hong Ind Corp | Method for manufacturing heat dissipation interface device and product thereof |
US8955580B2 (en) * | 2009-08-14 | 2015-02-17 | Wah Hong Industrial Corp. | Use of a graphite heat-dissipation device including a plating metal layer |
US8299473B1 (en) | 2009-04-07 | 2012-10-30 | Soraa, Inc. | Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors |
US8791499B1 (en) | 2009-05-27 | 2014-07-29 | Soraa, Inc. | GaN containing optical devices and method with ESD stability |
US20100302789A1 (en) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | Qing Li | LED Light Source Module and Method for Producing the Same |
US9255686B2 (en) | 2009-05-29 | 2016-02-09 | Cree, Inc. | Multi-lens LED-array optic system |
US8686445B1 (en) | 2009-06-05 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices and methods |
US9111778B2 (en) | 2009-06-05 | 2015-08-18 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods |
US8860043B2 (en) * | 2009-06-05 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, systems and methods |
MX2009006022A (es) * | 2009-06-05 | 2010-12-13 | Alfredo Villafranca Quinto | Luminarias para exteriores y vias publicas con led's como elementos de iluminacion. |
US8760060B2 (en) * | 2009-07-16 | 2014-06-24 | Prism Projection, Inc. | Solid state light fixture with enhanced thermal cooling and color mixing |
DE102009034082A1 (de) | 2009-07-21 | 2011-01-27 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Baueinheit und Verfahren zur Herstellung einer solchen Baueinheit |
US8324653B1 (en) | 2009-08-06 | 2012-12-04 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with ceramic/metal substrate |
US8084780B2 (en) * | 2009-08-13 | 2011-12-27 | Semileds Optoelectronics Co. | Smart integrated semiconductor light emitting system including light emitting diodes and application specific integrated circuits (ASIC) |
US9000466B1 (en) | 2010-08-23 | 2015-04-07 | Soraa, Inc. | Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening |
US8207554B2 (en) * | 2009-09-11 | 2012-06-26 | Soraa, Inc. | System and method for LED packaging |
US9303861B2 (en) | 2009-09-14 | 2016-04-05 | Us Vaopto, Inc. | Light emitting diode light source modules |
US9583678B2 (en) | 2009-09-18 | 2017-02-28 | Soraa, Inc. | High-performance LED fabrication |
US8933644B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-01-13 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
US8502465B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-08-06 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with current density operation |
US9293667B2 (en) | 2010-08-19 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors |
TWM402992U (en) | 2009-09-24 | 2011-05-01 | Molex Inc | Light module |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
JP5437497B2 (ja) | 2009-10-12 | 2014-03-12 | モレックス インコーポレイテド | 光モジュール |
US8575642B1 (en) | 2009-10-30 | 2013-11-05 | Soraa, Inc. | Optical devices having reflection mode wavelength material |
KR100962706B1 (ko) | 2009-11-27 | 2010-06-15 | 주식회사 테크엔 | 파워 led를 갖는 대형 조명등의 제조 방법 |
US8511851B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High CRI adjustable color temperature lighting devices |
DE102009060781A1 (de) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Automotive Lighting Reutlingen GmbH, 72762 | Lichtmodul für eine Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs sowie Beleuchtungseinrichtung mit einem solchen Lichtmodul |
US8905588B2 (en) | 2010-02-03 | 2014-12-09 | Sorra, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US10147850B1 (en) | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US8740413B1 (en) | 2010-02-03 | 2014-06-03 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US8783915B2 (en) | 2010-02-11 | 2014-07-22 | Bridgelux, Inc. | Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes |
JP2011238367A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Funai Electric Co Ltd | 面発光装置の光源取付構造 |
US20110279981A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-17 | Alex Horng | Heat Dissipating Assembly |
EP2388239B1 (de) | 2010-05-20 | 2017-02-15 | Draka Comteq B.V. | Härtungsvorrichtung mit in einem Winkel gerichteter UV-LEDs |
US8871311B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-10-28 | Draka Comteq, B.V. | Curing method employing UV sources that emit differing ranges of UV radiation |
US8293551B2 (en) | 2010-06-18 | 2012-10-23 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices |
US9450143B2 (en) | 2010-06-18 | 2016-09-20 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices |
US8269244B2 (en) * | 2010-06-28 | 2012-09-18 | Cree, Inc. | LED package with efficient, isolated thermal path |
US8648359B2 (en) | 2010-06-28 | 2014-02-11 | Cree, Inc. | Light emitting devices and methods |
USD643819S1 (en) | 2010-07-16 | 2011-08-23 | Cree, Inc. | Package for light emitting diode (LED) lighting |
DE102010033093A1 (de) * | 2010-08-02 | 2012-02-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Leuchtmodul und Kfz-Schweinwerfer |
DK2418183T3 (en) | 2010-08-10 | 2018-11-12 | Draka Comteq Bv | Method of curing coated glass fibers which provides increased UVLED intensity |
FR2966286B1 (fr) * | 2010-10-14 | 2013-06-14 | Sgame | Composant pour diodes electroluminescentes, notamment de puissance |
JP2012094661A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置及び照明装置 |
KR101049698B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2011-07-15 | 한국세라믹기술원 | Led 어레이 모듈 및 이의 제조방법 |
US8455895B2 (en) * | 2010-11-08 | 2013-06-04 | Bridgelux, Inc. | LED-based light source utilizing asymmetric conductors |
US8896235B1 (en) | 2010-11-17 | 2014-11-25 | Soraa, Inc. | High temperature LED system using an AC power source |
US8541951B1 (en) | 2010-11-17 | 2013-09-24 | Soraa, Inc. | High temperature LED system using an AC power source |
US11101408B2 (en) | 2011-02-07 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Components and methods for light emitting diode (LED) lighting |
USD679842S1 (en) | 2011-01-03 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | High brightness LED package |
US8772817B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias |
US8786053B2 (en) | 2011-01-24 | 2014-07-22 | Soraa, Inc. | Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture |
TW201251140A (en) | 2011-01-31 | 2012-12-16 | Cree Inc | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
US9006770B2 (en) * | 2011-05-18 | 2015-04-14 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Light emitting diode carrier |
US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
USD700584S1 (en) | 2011-07-06 | 2014-03-04 | Cree, Inc. | LED component |
US8686431B2 (en) | 2011-08-22 | 2014-04-01 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices |
CN102299080A (zh) * | 2011-08-29 | 2011-12-28 | 深南电路有限公司 | 一种基板及其加工方法 |
US9488324B2 (en) | 2011-09-02 | 2016-11-08 | Soraa, Inc. | Accessories for LED lamp systems |
US8912025B2 (en) | 2011-11-23 | 2014-12-16 | Soraa, Inc. | Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process |
US9541258B2 (en) | 2012-02-29 | 2017-01-10 | Cree, Inc. | Lens for wide lateral-angle distribution |
US10408429B2 (en) | 2012-02-29 | 2019-09-10 | Ideal Industries Lighting Llc | Lens for preferential-side distribution |
US9541257B2 (en) | 2012-02-29 | 2017-01-10 | Cree, Inc. | Lens for primarily-elongate light distribution |
EP2823515A4 (de) | 2012-03-06 | 2015-08-19 | Soraa Inc | Lichtemittierende dioden mit materialschichten mit niedrigem brechungsindex zur reduzierung von lichtleitungseffekten |
FR2988910B1 (fr) * | 2012-03-28 | 2014-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Composant led a faible rth avec chemins electrique et thermique dissocies |
DE102012102847A1 (de) * | 2012-04-02 | 2013-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements |
US8985794B1 (en) | 2012-04-17 | 2015-03-24 | Soraa, Inc. | Providing remote blue phosphors in an LED lamp |
CN102637804A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-15 | 木林森股份有限公司 | 一种无邦定led芯片倒装结构 |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
USD697664S1 (en) | 2012-05-07 | 2014-01-14 | Cree, Inc. | LED lens |
US8971368B1 (en) | 2012-08-16 | 2015-03-03 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation |
KR101995538B1 (ko) * | 2012-09-28 | 2019-07-02 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 발광 반도체를 상호 접속하기 위한 오버레이 회로 구조체 |
US9978904B2 (en) | 2012-10-16 | 2018-05-22 | Soraa, Inc. | Indium gallium nitride light emitting devices |
US8802471B1 (en) | 2012-12-21 | 2014-08-12 | Soraa, Inc. | Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices |
US9761763B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-09-12 | Soraa, Inc. | Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs |
DE102013100470A1 (de) * | 2013-01-17 | 2014-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
USD718490S1 (en) | 2013-03-15 | 2014-11-25 | Cree, Inc. | LED lens |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
US9326338B2 (en) * | 2013-06-21 | 2016-04-26 | Micron Technology, Inc. | Multi-junction solid state transducer devices for direct AC power and associated systems and methods |
US8994033B2 (en) | 2013-07-09 | 2015-03-31 | Soraa, Inc. | Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices |
US9299899B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-03-29 | Grote Industries, Llc | Flexible lighting device having unobtrusive conductive layers |
TWI518955B (zh) * | 2013-08-30 | 2016-01-21 | 柏友照明科技股份有限公司 | 多晶片封裝結構 |
US9419189B1 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-16 | Soraa, Inc. | Small LED source with high brightness and high efficiency |
US9523479B2 (en) | 2014-01-03 | 2016-12-20 | Cree, Inc. | LED lens |
US10024530B2 (en) * | 2014-07-03 | 2018-07-17 | Sansi Led Lighting Inc. | Lighting device and LED luminaire |
FR3025859A1 (fr) * | 2014-09-15 | 2016-03-18 | Valeo Vision | Substrat de module lumineux avec piste metallique servant de blindage, d'ecran thermique et/ou reflecteur optique |
US9648750B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-05-09 | Rsm Electron Power, Inc. | Light emitting diode (LED) assembly and flexible circuit board with improved thermal conductivity |
DE102014220188B3 (de) * | 2014-10-06 | 2016-02-11 | E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH | Anzeigevorrichtung |
US10516084B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-12-24 | eLux, Inc. | Encapsulated fluid assembly emissive elements |
US10309589B2 (en) * | 2016-05-13 | 2019-06-04 | Rohinni, LLC | Light vectoring apparatus |
US10468566B2 (en) | 2017-04-10 | 2019-11-05 | Ideal Industries Lighting Llc | Hybrid lens for controlled light distribution |
US10319705B2 (en) * | 2017-10-20 | 2019-06-11 | Facebook Technologies, Llc | Elastomeric layer fabrication for light emitting diodes |
JP7077202B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2022-05-30 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光装置 |
KR102085649B1 (ko) * | 2019-06-26 | 2020-03-06 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 발광 반도체를 상호 접속하기 위한 오버레이 회로 구조체 |
CN111148353B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-04-20 | 乐健科技(珠海)有限公司 | 具有铜基散热体的电路板的制备方法 |
USD933872S1 (en) | 2020-03-16 | 2021-10-19 | Hgci, Inc. | Light fixture |
USD933881S1 (en) | 2020-03-16 | 2021-10-19 | Hgci, Inc. | Light fixture having heat sink |
US11032976B1 (en) | 2020-03-16 | 2021-06-15 | Hgci, Inc. | Light fixture for indoor grow application and components thereof |
TWI790671B (zh) * | 2021-07-04 | 2023-01-21 | 郭明騰 | 光源模組 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1139019A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-04 | Relume Corporation | Thermische Kontrolle einer LED |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6045240A (en) * | 1996-06-27 | 2000-04-04 | Relume Corporation | LED lamp assembly with means to conduct heat away from the LEDS |
US6133589A (en) | 1999-06-08 | 2000-10-17 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction |
-
2001
- 2001-10-09 US US09/974,563 patent/US6498355B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-07 TW TW091123138A patent/TW561635B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-08 JP JP2002295370A patent/JP4330863B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-08 DE DE10246892.3A patent/DE10246892B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1139019A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-04 | Relume Corporation | Thermische Kontrolle einer LED |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW561635B (en) | 2003-11-11 |
US6498355B1 (en) | 2002-12-24 |
DE10246892A1 (de) | 2003-04-24 |
JP4330863B2 (ja) | 2009-09-16 |
JP2003124524A (ja) | 2003-04-25 |
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---|---|---|
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