JP2003124524A - 高束のｌｅｄアレイ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術にかかるＬＥＤアレイの欠点を解消
する高束のＬＥＤアレイを提供すること。 【解決手段】 本発明にかかる発光ダイオードアレイ
は、金属基層と、該金属基層の上に配置した誘電体層
と、該誘電体層の上に配置した複数の電気伝導性トレー
スとを含む。複数の通過部は、上記誘電体層を通過す
る。発光ダイオードアレイはまた複数の発光ダイオード
を含み、該複数の発光ダイオードのそれぞれは、前記通
過部のうちの対応する通過部の上に配置され、前記電気
伝導性トレースのそれぞれを分離するように電気的に接
続された第１および第２の電気コンタクトを含む。前記
通過部のそれぞれは、前記金属基層に熱接触しかつ前記
対応する発光ダイオードに熱接触する熱伝導性材料を含
む。
する高束のＬＥＤアレイを提供すること。 【解決手段】 本発明にかかる発光ダイオードアレイ
は、金属基層と、該金属基層の上に配置した誘電体層
と、該誘電体層の上に配置した複数の電気伝導性トレー
スとを含む。複数の通過部は、上記誘電体層を通過す
る。発光ダイオードアレイはまた複数の発光ダイオード
を含み、該複数の発光ダイオードのそれぞれは、前記通
過部のうちの対応する通過部の上に配置され、前記電気
伝導性トレースのそれぞれを分離するように電気的に接
続された第１および第２の電気コンタクトを含む。前記
通過部のそれぞれは、前記金属基層に熱接触しかつ前記
対応する発光ダイオードに熱接触する熱伝導性材料を含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードに
関し、より詳細には、発光ダイオードのアレイ（arra
y）に関する。
関し、より詳細には、発光ダイオードのアレイ（arra
y）に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（ＬＥＤ）のアレイは、
街灯、交通信号および液晶ディスプレイのバックライト
のような様々な高束（high flux）（光学的エネルギ／
単位時間）アプリケーションにおいて用いられうる。こ
のようなアプリケーションでは、ＬＥＤアレイの単位面
積あたりに供給される束（flux）を増加させることが有
利である。このように単位面積あたりの束を増加させる
ことは、原則として、アレイにおけるＬＥＤ間の間隔を
減少させる（よって、アレイにおける単位面積あたりの
ＬＥＤの数を増加させる）ことにより、および／また
は、個々のＬＥＤにより供給される束を増加させること
により、実現される。
街灯、交通信号および液晶ディスプレイのバックライト
のような様々な高束（high flux）（光学的エネルギ／
単位時間）アプリケーションにおいて用いられうる。こ
のようなアプリケーションでは、ＬＥＤアレイの単位面
積あたりに供給される束（flux）を増加させることが有
利である。このように単位面積あたりの束を増加させる
ことは、原則として、アレイにおけるＬＥＤ間の間隔を
減少させる（よって、アレイにおける単位面積あたりの
ＬＥＤの数を増加させる）ことにより、および／また
は、個々のＬＥＤにより供給される束を増加させること
により、実現される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＥＤ
アレイの単位面積あたりの束を増加させるいずれの手法
も、典型的には、ＬＥＤの性能を著しく劣化させること
を防止するためにアレイの単位面積あたりに消散させな
くてはならない熱の量を増加させる。
アレイの単位面積あたりの束を増加させるいずれの手法
も、典型的には、ＬＥＤの性能を著しく劣化させること
を防止するためにアレイの単位面積あたりに消散させな
くてはならない熱の量を増加させる。
【０００４】１つの従来タイプのＬＥＤアレイはＬＥＤ
ランプを含んでおり、このＬＥＤランプのそれぞれは、
成型または鋳造されたプラスチックのボディ（body）内
の金属性リードフレーム（leadframe）に取り付けられ
たダイを備える。各ランプの２つの金属製リードは、典
型的には、従来のデザインの共通のプリント回路基板に
おける伝導性トレースに半田付けされる。ランプのプラ
スチックボディおよび金属製リードが占めるスペース
は、アレイにおけるランプの実装密度を制限する。加え
て、このようなランプは、典型的には多くの熱を消散さ
せることができない。なぜならば、ランプで発生した熱
は、主にリードおよび伝導性トレースによって消散する
からである。この結果、高束を発生させるべく高電流を
用いてランプを駆動することができない。
ランプを含んでおり、このＬＥＤランプのそれぞれは、
成型または鋳造されたプラスチックのボディ（body）内
の金属性リードフレーム（leadframe）に取り付けられ
たダイを備える。各ランプの２つの金属製リードは、典
型的には、従来のデザインの共通のプリント回路基板に
おける伝導性トレースに半田付けされる。ランプのプラ
スチックボディおよび金属製リードが占めるスペース
は、アレイにおけるランプの実装密度を制限する。加え
て、このようなランプは、典型的には多くの熱を消散さ
せることができない。なぜならば、ランプで発生した熱
は、主にリードおよび伝導性トレースによって消散する
からである。この結果、高束を発生させるべく高電流を
用いてランプを駆動することができない。
【０００５】別の従来タイプのＬＥＤアレイでは、ＬＥ
Ｄダイは、銀を充填したエポキシ（silver filled epox
y）を用いて、従来のプリント回路基板の表面に取り付
けられる。典型的には、ＬＥＤダイは、どれだけ近接さ
せてダイの間に間隔をおくかを制限するワイヤボンドを
用いて、プリント回路基板における伝導性トレースに電
気的に接続される。加えて、ダイを取り付ける従来のプ
リント回路基板は、典型的には、ＬＥＤダイにより発生
した熱を拡散する際には、効果的ではない。これによ
り、ＬＥＤダイの最大動作電流、ひいては、個々のＬＥ
Ｄダイにより得られる最大束（maximum flux）が制限さ
れる。
Ｄダイは、銀を充填したエポキシ（silver filled epox
y）を用いて、従来のプリント回路基板の表面に取り付
けられる。典型的には、ＬＥＤダイは、どれだけ近接さ
せてダイの間に間隔をおくかを制限するワイヤボンドを
用いて、プリント回路基板における伝導性トレースに電
気的に接続される。加えて、ダイを取り付ける従来のプ
リント回路基板は、典型的には、ＬＥＤダイにより発生
した熱を拡散する際には、効果的ではない。これによ
り、ＬＥＤダイの最大動作電流、ひいては、個々のＬＥ
Ｄダイにより得られる最大束（maximum flux）が制限さ
れる。
【０００６】従来技術にかかるＬＥＤアレイの欠点を解
消する高束のＬＥＤアレイが必要とされている。
消する高束のＬＥＤアレイが必要とされている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるＬＥＤア
レイは、金属基層と、該金属基層の上に配置された誘電
体層と、該誘電体層の上に配置された複数の電気伝導性
トレースと、を含む。複数の通過部は、該誘電体層を通
過する。ＬＥＤアレイはまた複数のＬＥＤを含み、該複
数のＬＥＤのそれぞれは、前記通過部のうちの対応する
通過部の上に配置され、かつ、前記電気伝導性トレース
のそれぞれを分離するように電気的に接続された第１の
電気コンタクトおよび第２の電気コンタクトを含む。前
記通過部のそれぞれは、前記金属基層に熱接触しかつ前
記対応するＬＥＤに熱接触する熱伝導性材料を含む。熱
伝導性材料は、例えば半田材料を含む。
レイは、金属基層と、該金属基層の上に配置された誘電
体層と、該誘電体層の上に配置された複数の電気伝導性
トレースと、を含む。複数の通過部は、該誘電体層を通
過する。ＬＥＤアレイはまた複数のＬＥＤを含み、該複
数のＬＥＤのそれぞれは、前記通過部のうちの対応する
通過部の上に配置され、かつ、前記電気伝導性トレース
のそれぞれを分離するように電気的に接続された第１の
電気コンタクトおよび第２の電気コンタクトを含む。前
記通過部のそれぞれは、前記金属基層に熱接触しかつ前
記対応するＬＥＤに熱接触する熱伝導性材料を含む。熱
伝導性材料は、例えば半田材料を含む。
【０００８】いくつかの実施の形態では、１つの通過部
における熱伝導性材料は、前記金属基層に直接物理的に
接触し、前記対応するＬＥＤに直接物理的に接触し、ま
たは、前記金属基層および前記ＬＥＤに直接物理的に接
触する。このような直接物理的な接触は、十分なもので
あるが熱接触を確立するのに必須なものではない。
における熱伝導性材料は、前記金属基層に直接物理的に
接触し、前記対応するＬＥＤに直接物理的に接触し、ま
たは、前記金属基層および前記ＬＥＤに直接物理的に接
触する。このような直接物理的な接触は、十分なもので
あるが熱接触を確立するのに必須なものではない。
【０００９】通過部における熱伝導性材料は、前記通過
部の上に配置されたＬＥＤから前記金属基層にまで熱が
流れるための熱抵抗の低いパスを効果的に付与する。こ
れにより、熱を効率的に導いて逃すことができる。この
結果、本発明にかかるアレイにおけるＬＥＤを、より高
い電流で動作させることができるとともに、ＬＥＤの性
能を低下させるようなレベルにまでＬＥＤの温度を上昇
させることなく従来方式に比べてより近接させた間隔を
おいて配置することができる。よって、本発明にかかる
ＬＥＤアレイは、従来のＬＥＤアレイにより得られるも
のよりも、単位面積あたりより大きな束を与える。
部の上に配置されたＬＥＤから前記金属基層にまで熱が
流れるための熱抵抗の低いパスを効果的に付与する。こ
れにより、熱を効率的に導いて逃すことができる。この
結果、本発明にかかるアレイにおけるＬＥＤを、より高
い電流で動作させることができるとともに、ＬＥＤの性
能を低下させるようなレベルにまでＬＥＤの温度を上昇
させることなく従来方式に比べてより近接させた間隔を
おいて配置することができる。よって、本発明にかかる
ＬＥＤアレイは、従来のＬＥＤアレイにより得られるも
のよりも、単位面積あたりより大きな束を与える。
【００１０】いくつかの実施の形態では、サブマウント
は、ＬＥＤと前記対応する通過部との間に配置され、か
つ、前記通過部における前記熱伝導性材料と直接物理的
に接触する。このようなサブマウントを用いることによ
り、さらなる回路を組み込むことが可能となり、かつ、
アレイに搭載する前にＬＥＤを試験することが可能とな
る。
は、ＬＥＤと前記対応する通過部との間に配置され、か
つ、前記通過部における前記熱伝導性材料と直接物理的
に接触する。このようなサブマウントを用いることによ
り、さらなる回路を組み込むことが可能となり、かつ、
アレイに搭載する前にＬＥＤを試験することが可能とな
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】添付図面における寸法が必ずしも
共通の尺度を有しているとは限らないということに留意
されたい。様々な図面における同様の参照番号は、様々
な実施の形態における同様の部分を示す。
共通の尺度を有しているとは限らないということに留意
されたい。様々な図面における同様の参照番号は、様々
な実施の形態における同様の部分を示す。
【００１２】本発明の１つの実施の形態（図１）では、
ＬＥＤアレイ２は、複数のＬＥＤ（例えばＬＥＤ４）と
金属製基層６とを含む。従来の伝導性電気トレースの層
８については、金属製基層６の上に位置する誘電体層１
０の上に付与する。複数の通過部（例えば通過部[via]
１２）は、トレース層８および誘電体層１０を通過して
金属製基層６の上または金属製基層６において終わる。
ＬＥＤのそれぞれは、対応する通過部の上に配置され
る。
ＬＥＤアレイ２は、複数のＬＥＤ（例えばＬＥＤ４）と
金属製基層６とを含む。従来の伝導性電気トレースの層
８については、金属製基層６の上に位置する誘電体層１
０の上に付与する。複数の通過部（例えば通過部[via]
１２）は、トレース層８および誘電体層１０を通過して
金属製基層６の上または金属製基層６において終わる。
ＬＥＤのそれぞれは、対応する通過部の上に配置され
る。
【００１３】ＬＥＤ４については、適当な従来の発光ダ
イオードとすることができる。例えば、ＬＥＤ４を米国
特許第６,１３３,５８９号に開示されたＡｌＩｎＧａＮ
-ＬＥＤまたは米国特許出願第０９／４６９,６５７号に
開示されたＡｌＩｎＧａＮ-ＬＥＤとすることができ
る。これら両方は、本発明の譲受人に譲渡されており、
これら全体は、引用により本明細書に含められる。いく
つかの実施例では、ＬＥＤ４は、例えば約７０ミリアン
ペア（ｍＡ）より大きな電流により駆動される高束のＡ
ｌＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＰ-ＬＥＤである。こ
のような高束ＬＥＤについては、例えば、LumiLeds Lig
hting U.S., LLC of San Jose, Californiaより購入す
ることができる。
イオードとすることができる。例えば、ＬＥＤ４を米国
特許第６,１３３,５８９号に開示されたＡｌＩｎＧａＮ
-ＬＥＤまたは米国特許出願第０９／４６９,６５７号に
開示されたＡｌＩｎＧａＮ-ＬＥＤとすることができ
る。これら両方は、本発明の譲受人に譲渡されており、
これら全体は、引用により本明細書に含められる。いく
つかの実施例では、ＬＥＤ４は、例えば約７０ミリアン
ペア（ｍＡ）より大きな電流により駆動される高束のＡ
ｌＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＰ-ＬＥＤである。こ
のような高束ＬＥＤについては、例えば、LumiLeds Lig
hting U.S., LLC of San Jose, Californiaより購入す
ることができる。
【００１４】ＬＥＤ４は、従来のＮコンタクト１４およ
び従来のＰコンタクトを含む。図１に示す実施の形態で
は、ＬＥＤ４は、ＬＥＤダイにおける同一の面に配置さ
れかつトレース層８に対向するように志向させたＮ型コ
ンタクト１４およびＰコンタクト１６を有する「フリッ
プチップ」として搭載されている。Ｎコンタクト１４お
よびＰコンタクト１６は、トレース層８における伝導性
トレースを分離するように、リフローイングした（refl
owed）半田を用いて、電気的に接続される。ＬＥＤ４
は、また、コンタクト１４および１６のようにＬＥＤ４
の同一の面に配置した熱コンタクト２０（例えば金属製
パッド）を含む。いくつかの実施例では、熱コンタクト
２０は、コンタクト１４および１６から電気的に絶縁さ
れる。このような電気的な絶縁については、例えば選択
的に設けられる誘電体層２２により与えられる。熱コン
タクト２０をコンタクト１４および１６から電気的に絶
縁するその他の手段を用いることも可能である。電気的
コンタクト１４および１６ならびに熱コンタクト２０に
ついては、例えば適切な従来の半田付け可能な（solder
able）金属層により、従来の方法で形成することが可能
である。
び従来のＰコンタクトを含む。図１に示す実施の形態で
は、ＬＥＤ４は、ＬＥＤダイにおける同一の面に配置さ
れかつトレース層８に対向するように志向させたＮ型コ
ンタクト１４およびＰコンタクト１６を有する「フリッ
プチップ」として搭載されている。Ｎコンタクト１４お
よびＰコンタクト１６は、トレース層８における伝導性
トレースを分離するように、リフローイングした（refl
owed）半田を用いて、電気的に接続される。ＬＥＤ４
は、また、コンタクト１４および１６のようにＬＥＤ４
の同一の面に配置した熱コンタクト２０（例えば金属製
パッド）を含む。いくつかの実施例では、熱コンタクト
２０は、コンタクト１４および１６から電気的に絶縁さ
れる。このような電気的な絶縁については、例えば選択
的に設けられる誘電体層２２により与えられる。熱コン
タクト２０をコンタクト１４および１６から電気的に絶
縁するその他の手段を用いることも可能である。電気的
コンタクト１４および１６ならびに熱コンタクト２０に
ついては、例えば適切な従来の半田付け可能な（solder
able）金属層により、従来の方法で形成することが可能
である。
【００１５】通過部１２は、金属基層６に熱接触しかつ
ＬＥＤ４に熱接触する熱伝導材料２４を含む。熱伝導材
料２４は、例えば液体または気体が充填される間隙（li
guidor gas filled gap）によって途切れることのな
い、ＬＥＤ４と金属製基層６との間における連続的な固
体材料の熱流路（solid material heat flow path）の
部分を形成する。図１に示す実施の形態では、熱伝導材
料２４は、ＬＥＤ４の熱コンタクト２０と直接接触し、
かつ、金属製基層６と直接接触している。しかしなが
ら、他の実施の形態では、熱伝導材料２４とＬＥＤ４ま
たは金属製基層６との間にこのような直接的かつ物理的
なコンタクトを用いなくとも、熱コンタクトを確立する
ことができる。
ＬＥＤ４に熱接触する熱伝導材料２４を含む。熱伝導材
料２４は、例えば液体または気体が充填される間隙（li
guidor gas filled gap）によって途切れることのな
い、ＬＥＤ４と金属製基層６との間における連続的な固
体材料の熱流路（solid material heat flow path）の
部分を形成する。図１に示す実施の形態では、熱伝導材
料２４は、ＬＥＤ４の熱コンタクト２０と直接接触し、
かつ、金属製基層６と直接接触している。しかしなが
ら、他の実施の形態では、熱伝導材料２４とＬＥＤ４ま
たは金属製基層６との間にこのような直接的かつ物理的
なコンタクトを用いなくとも、熱コンタクトを確立する
ことができる。
【００１６】いくつかの実施例では、熱伝導材料２４
は、例えばスクリーン印刷（screen printing）のよう
な従来の方法によって通過部１２に付与した従来のリフ
ローイングした半田であり、または、この半田を含む。
このような実施例では、熱伝導材料２４については、リ
フローイングした半田１８として用いられるものと同一
の材料とすることができ、伝導材料２４および半田１８
については、同一の処理工程により付与することがで
き、同一の処理工程によりリフローイングすることがで
きる。他の実施例では、熱伝導材料２４は、ダイアモン
ドを充填したエポキシ（diamond filled epoxy）、銀を
充填したエポキシ（silver filled eposy）、または、
高い粘着力（adhesion strength）および良好な熱伝導
性を有するその他の従来の材料を含むことができる。い
くつかの実施例では、熱伝導材料２４は、従来の方法に
より通過部１２の中にめっきした金属を含む。このよう
なめっきした金属は、通過部１２を例えばほぼトレース
層８のレベルにまで充填する。従来の方法によりリフロ
ーイングした半田については、通過部１２におけるこの
ようなめっきした金属の上に付与することができる。熱
伝導材料２４が電気的に伝導性を有していれば、この熱
伝導材料は、誘電体層１０および選択的に設けられる誘
電体層２２によりトレース層８およびＬＥＤ４から電気
的に絶縁されうる。熱伝導材料２４がリフローイング可
能な半田材料であれば、金属基層６と熱コンタクト２０
との間の熱伝導材料２４の厚さは、例えば、約０.００
０２インチから約０.００５インチ、典型的には約０.０
０１インチである。
は、例えばスクリーン印刷（screen printing）のよう
な従来の方法によって通過部１２に付与した従来のリフ
ローイングした半田であり、または、この半田を含む。
このような実施例では、熱伝導材料２４については、リ
フローイングした半田１８として用いられるものと同一
の材料とすることができ、伝導材料２４および半田１８
については、同一の処理工程により付与することがで
き、同一の処理工程によりリフローイングすることがで
きる。他の実施例では、熱伝導材料２４は、ダイアモン
ドを充填したエポキシ（diamond filled epoxy）、銀を
充填したエポキシ（silver filled eposy）、または、
高い粘着力（adhesion strength）および良好な熱伝導
性を有するその他の従来の材料を含むことができる。い
くつかの実施例では、熱伝導材料２４は、従来の方法に
より通過部１２の中にめっきした金属を含む。このよう
なめっきした金属は、通過部１２を例えばほぼトレース
層８のレベルにまで充填する。従来の方法によりリフロ
ーイングした半田については、通過部１２におけるこの
ようなめっきした金属の上に付与することができる。熱
伝導材料２４が電気的に伝導性を有していれば、この熱
伝導材料は、誘電体層１０および選択的に設けられる誘
電体層２２によりトレース層８およびＬＥＤ４から電気
的に絶縁されうる。熱伝導材料２４がリフローイング可
能な半田材料であれば、金属基層６と熱コンタクト２０
との間の熱伝導材料２４の厚さは、例えば、約０.００
０２インチから約０.００５インチ、典型的には約０.０
０１インチである。
【００１７】金属基層６は、例えば、熱伝導材料２４に
対する良好な機械的および熱的なコンタクトを得るべ
く、ニッケルまたはスズのような半田付け可能な材料を
用いて選択的にめっきされた、約０.０１インチを上回
る厚さを有する銅の板（copperplate）である。
対する良好な機械的および熱的なコンタクトを得るべ
く、ニッケルまたはスズのような半田付け可能な材料を
用いて選択的にめっきされた、約０.０１インチを上回
る厚さを有する銅の板（copperplate）である。
【００１８】金属基層６については、他の金属からまた
は金属を組み合わせたものから形成することも可能であ
り、２つ以上の金属層を含むことができる。
は金属を組み合わせたものから形成することも可能であ
り、２つ以上の金属層を含むことができる。
【００１９】１つの実施例では、トレース層８は、誘電
体層１０を形成するエポキシのような従来の誘電体接着
剤を用いて金属基層６に取り付けた、エッチングおよび
めっきが施された銅のシートから形成される。通過部
（例えば通過部１２）については、例えば、従来の機械
工具、プラズマもしくは化学エッチング、または、レー
ザーアブレーション（laser ablation）を用いて、トレ
ース層８および誘電体層１０に形成することができる。
体層１０を形成するエポキシのような従来の誘電体接着
剤を用いて金属基層６に取り付けた、エッチングおよび
めっきが施された銅のシートから形成される。通過部
（例えば通過部１２）については、例えば、従来の機械
工具、プラズマもしくは化学エッチング、または、レー
ザーアブレーション（laser ablation）を用いて、トレ
ース層８および誘電体層１０に形成することができる。
【００２０】ＬＥＤアレイ２は、ＬＥＤにより発せられ
た光を収集しかつ導くために、このＬＥＤのいくらかま
たは全部の上に配置したレンズ（例えばレンズ２６）を
含むこともできる。このようなレンズについては、ＬＥ
Ｄのいくらかまたは全部の上における透き通ったプラス
チックまたはエラストマー（elastomer）の中に従来の
方法により成型または鋳造することができる。これに代
えて、少量のシリコーンまたは同様の透き通った材料
を、ＬＥＤのいくらかまたは全部の上に従来の方法によ
り施した後、簡単なレンズを形成するように硬化させる
ことができ、または、中空の透き通ったレンズを、ＬＥ
Ｄのいくらかまたは全部の上に、従来の方法により、熱
ステーク（heat stake）し、にかわ付け（glue）しまた
は圧入した後、例えばＬＥＤをカプセル化するべくシリ
コーンにより充填することができる。
た光を収集しかつ導くために、このＬＥＤのいくらかま
たは全部の上に配置したレンズ（例えばレンズ２６）を
含むこともできる。このようなレンズについては、ＬＥ
Ｄのいくらかまたは全部の上における透き通ったプラス
チックまたはエラストマー（elastomer）の中に従来の
方法により成型または鋳造することができる。これに代
えて、少量のシリコーンまたは同様の透き通った材料
を、ＬＥＤのいくらかまたは全部の上に従来の方法によ
り施した後、簡単なレンズを形成するように硬化させる
ことができ、または、中空の透き通ったレンズを、ＬＥ
Ｄのいくらかまたは全部の上に、従来の方法により、熱
ステーク（heat stake）し、にかわ付け（glue）しまた
は圧入した後、例えばＬＥＤをカプセル化するべくシリ
コーンにより充填することができる。
【００２１】熱コンタクト２０および熱伝導材料２４
は、熱がＬＥＤ４から金属基層６に流れるための、効果
的に熱抵抗の低いパスを設けることができ、これによ
り、熱を効果的に発散させることができる。このパスの
熱抵抗は、例えば従来のプリント回路基板の上に形成さ
れた従来のＬＥＤアレイにおける熱パスの熱抵抗より小
さい。このように熱パスの抵抗が低いことによって、ア
レイ２におけるＬＥＤは、性能を劣化させるレベルにま
で温度を上げることなく、従来の電流より高い電流で動
作すること（ひいては従来の束より高い束をもたらすこ
と）ができる。熱伝導材料２４および金属基層６によっ
て熱が効果的に散逸することにより、ＬＥＤをオーバー
ヒートさせることなくかつＬＥＤの性能を劣化させるこ
となく、ＬＥＤ間に従来の高束のＬＥＤのアレイにおけ
るもの少ない間隔を設けて、高束のＬＥＤをＬＥＤアレ
イ２に配置することができる。ＬＥＤアレイ２における
各ＬＥＤについて、分離した成型ハウジング、リードフ
レーム、および、トレース層８の伝導性トレースに対す
るワイヤボンドがないので、より近接させてＬＥＤの間
に間隔を設けることができる。この結果、ＬＥＤアレイ
２は、従来のＬＥＤアレイにおけるものよりも、単位面
積あたりの束を大きくすることができる。ワイヤボンド
も除去していることにより、本実施の形態におけるＬＥ
Ｄアレイ２の信頼性を向上させることができる。なぜな
らば、ワイヤボンドは、典型的には、ＬＥＤアレイにお
ける最も信頼性の低い構成要素だからである。
は、熱がＬＥＤ４から金属基層６に流れるための、効果
的に熱抵抗の低いパスを設けることができ、これによ
り、熱を効果的に発散させることができる。このパスの
熱抵抗は、例えば従来のプリント回路基板の上に形成さ
れた従来のＬＥＤアレイにおける熱パスの熱抵抗より小
さい。このように熱パスの抵抗が低いことによって、ア
レイ２におけるＬＥＤは、性能を劣化させるレベルにま
で温度を上げることなく、従来の電流より高い電流で動
作すること（ひいては従来の束より高い束をもたらすこ
と）ができる。熱伝導材料２４および金属基層６によっ
て熱が効果的に散逸することにより、ＬＥＤをオーバー
ヒートさせることなくかつＬＥＤの性能を劣化させるこ
となく、ＬＥＤ間に従来の高束のＬＥＤのアレイにおけ
るもの少ない間隔を設けて、高束のＬＥＤをＬＥＤアレ
イ２に配置することができる。ＬＥＤアレイ２における
各ＬＥＤについて、分離した成型ハウジング、リードフ
レーム、および、トレース層８の伝導性トレースに対す
るワイヤボンドがないので、より近接させてＬＥＤの間
に間隔を設けることができる。この結果、ＬＥＤアレイ
２は、従来のＬＥＤアレイにおけるものよりも、単位面
積あたりの束を大きくすることができる。ワイヤボンド
も除去していることにより、本実施の形態におけるＬＥ
Ｄアレイ２の信頼性を向上させることができる。なぜな
らば、ワイヤボンドは、典型的には、ＬＥＤアレイにお
ける最も信頼性の低い構成要素だからである。
【００２２】本発明の第２の実施の形態（図２）では、
ＬＥＤアレイ２（例えばＬＥＤ２８）におけるＬＥＤの
それぞれは、別々のサブマウント（例えばサブマウント
３０）に取り付けられる。このサブマウントについて
は、例えば珪素またはセラミック材料により形成するこ
とができる。従来のリフローイングした半田（例えばＳ
ｎ／Ｐｂ）バンプ３２は、ＬＥＤ２８のＮ型領域をサブ
マウント３０における上部Ｎコンタクト３４に電気的に
接続し、ＬＥＤ２８のＰ型領域をサブマウント３０にお
ける上部Ｐコンタクト３６に電気的に接続する。サブマ
ウント３０における通過部３８（４０）は、上部Ｎコン
タクト３４（上部Ｐコンタクト３６）から下部Ｎコンタ
クト４２（下部Ｐコンタクト４４）に電流を運ぶ従来の
電気的に伝導性を有する材料を含む。Ｎコンタクト４２
およびＰコンタクト４４は、従来のリフローイングした
半田１８を用いてトレース層８における各トレースを分
離するように電気的に接続される。サブマウント３０が
珪素のような伝導性材料より形成されるのであれば、通
過部３８および４０は、サブマウントを貫通する通過部
の短絡を防止すべく従来の方法により付与した誘電体管
またはライナー（liner）を含むことができる。
ＬＥＤアレイ２（例えばＬＥＤ２８）におけるＬＥＤの
それぞれは、別々のサブマウント（例えばサブマウント
３０）に取り付けられる。このサブマウントについて
は、例えば珪素またはセラミック材料により形成するこ
とができる。従来のリフローイングした半田（例えばＳ
ｎ／Ｐｂ）バンプ３２は、ＬＥＤ２８のＮ型領域をサブ
マウント３０における上部Ｎコンタクト３４に電気的に
接続し、ＬＥＤ２８のＰ型領域をサブマウント３０にお
ける上部Ｐコンタクト３６に電気的に接続する。サブマ
ウント３０における通過部３８（４０）は、上部Ｎコン
タクト３４（上部Ｐコンタクト３６）から下部Ｎコンタ
クト４２（下部Ｐコンタクト４４）に電流を運ぶ従来の
電気的に伝導性を有する材料を含む。Ｎコンタクト４２
およびＰコンタクト４４は、従来のリフローイングした
半田１８を用いてトレース層８における各トレースを分
離するように電気的に接続される。サブマウント３０が
珪素のような伝導性材料より形成されるのであれば、通
過部３８および４０は、サブマウントを貫通する通過部
の短絡を防止すべく従来の方法により付与した誘電体管
またはライナー（liner）を含むことができる。
【００２３】サブマウント３０は、また、電気的コンタ
クト４２および４４に隣接するサブマウント３０の裏面
に付与した熱コンタクト４６（例えば金属パッド）を含
む。いくつかの実施例では、熱コンタクト４６は、コン
タクト４２および４４から電気的に絶縁される。熱コン
タクト４６をコンタクト４２および４４から電気的に絶
縁する他の手段を用いることも可能である。電気コンタ
クト３４、３６、４２および４４ならびに熱コンタクト
４６については、例えば、適当な従来の半田付け可能な
金属層により形成することができる。
クト４２および４４に隣接するサブマウント３０の裏面
に付与した熱コンタクト４６（例えば金属パッド）を含
む。いくつかの実施例では、熱コンタクト４６は、コン
タクト４２および４４から電気的に絶縁される。熱コン
タクト４６をコンタクト４２および４４から電気的に絶
縁する他の手段を用いることも可能である。電気コンタ
クト３４、３６、４２および４４ならびに熱コンタクト
４６については、例えば、適当な従来の半田付け可能な
金属層により形成することができる。
【００２４】この実施の形態では、通過部１２における
熱伝導材料２４は、サブマウント３０における熱コンタ
クト４６に直接接触し、かつ、サブマウント３０および
半田バンプ３２を介してＬＥＤ２８に熱接触している。
いくつかの実施例では、熱伝導材料２４に用いられるリ
フローイングした半田は、半田バンプ３２に用いられる
リフローイングした半田よりも低いリフロー温度を有す
るので、これにより、サブマウント３０をＬＥＤ２８と
サブマウント３０との間の半田接続を妨げることなく金
属基層６に取り付けることができる。典型的には、ＬＥ
Ｄ２８から金属基層６への熱の流れに対する、サブマウ
ント３０により付与される熱抵抗を低減するために、サ
ブマウント３０は、薄く熱伝導材料により形成される。
例えば、珪素により形成されたサブマウントは、典型的
には、約０.０１０インチ未満の厚さを有する。
熱伝導材料２４は、サブマウント３０における熱コンタ
クト４６に直接接触し、かつ、サブマウント３０および
半田バンプ３２を介してＬＥＤ２８に熱接触している。
いくつかの実施例では、熱伝導材料２４に用いられるリ
フローイングした半田は、半田バンプ３２に用いられる
リフローイングした半田よりも低いリフロー温度を有す
るので、これにより、サブマウント３０をＬＥＤ２８と
サブマウント３０との間の半田接続を妨げることなく金
属基層６に取り付けることができる。典型的には、ＬＥ
Ｄ２８から金属基層６への熱の流れに対する、サブマウ
ント３０により付与される熱抵抗を低減するために、サ
ブマウント３０は、薄く熱伝導材料により形成される。
例えば、珪素により形成されたサブマウントは、典型的
には、約０.０１０インチ未満の厚さを有する。
【００２５】半田バンプ３２、サブマウント３０、熱コ
ンタクト４６および熱伝導材料２４を組み合わせること
により、熱がＬＥＤ２８から金属基層６へ流れるための
熱抵抗の低いパスが設けられる。このように熱抵抗が低
いことにより、上述した実施の形態におけるものと同様
の効果が得られる。加えて、サブマウントに搭載される
ＬＥＤについては、ＬＥＤアレイ２に設ける前に予備試
験を行うことができる。このような予備試験により、Ｌ
ＥＤアレイ２におけるＬＥＤを、例えば発光波長および
束についての十分に特性を表した値に基づいて選択する
ことができる。また、サブマウントは、例えばＬＥＤア
レイ２に効果的となりうる静電放電保護回路（electros
tatic discharge protection circuitry）のような回路
を別途含むことができる。
ンタクト４６および熱伝導材料２４を組み合わせること
により、熱がＬＥＤ２８から金属基層６へ流れるための
熱抵抗の低いパスが設けられる。このように熱抵抗が低
いことにより、上述した実施の形態におけるものと同様
の効果が得られる。加えて、サブマウントに搭載される
ＬＥＤについては、ＬＥＤアレイ２に設ける前に予備試
験を行うことができる。このような予備試験により、Ｌ
ＥＤアレイ２におけるＬＥＤを、例えば発光波長および
束についての十分に特性を表した値に基づいて選択する
ことができる。また、サブマウントは、例えばＬＥＤア
レイ２に効果的となりうる静電放電保護回路（electros
tatic discharge protection circuitry）のような回路
を別途含むことができる。
【００２６】本発明の第３の実施の形態（図３）では、
通過部３８および４０は存在せず、サブマウント３０に
おけるＮコンタクト３４およびＰコンタクト３６は、そ
れぞれ、ワイヤボンド４８および５０によりトレース層
８におけるトレースを分離するように電気的に接続され
る。ワイヤボンド４８および５０は、通過部を通過する
電気的接続を形成するのにより安価なものである。
通過部３８および４０は存在せず、サブマウント３０に
おけるＮコンタクト３４およびＰコンタクト３６は、そ
れぞれ、ワイヤボンド４８および５０によりトレース層
８におけるトレースを分離するように電気的に接続され
る。ワイヤボンド４８および５０は、通過部を通過する
電気的接続を形成するのにより安価なものである。
【００２７】本発明の第４の実施の形態（図４）では、
トレース層８および誘電体層は、薄い従来のプリント回
路基盤、または、従来の誘電体接着層５４を有する金属
基層６に取り付けられたフレックス回路（flex circui
t）５２に含まれる。さらなる誘電体層５６は、トレー
ス層８の上に位置しうる。通過部については、例えばパ
ンチングによりプリント回路基盤５２に形成することが
できる。
トレース層８および誘電体層は、薄い従来のプリント回
路基盤、または、従来の誘電体接着層５４を有する金属
基層６に取り付けられたフレックス回路（flex circui
t）５２に含まれる。さらなる誘電体層５６は、トレー
ス層８の上に位置しうる。通過部については、例えばパ
ンチングによりプリント回路基盤５２に形成することが
できる。
【００２８】図５は、本発明の１つの実施の形態にかか
るＬＥＤアレイに含まれるＬＥＤアセンブリ５８の底面
における電気コンタクトおよび熱コンタクトの配置の概
略を示す。ＬＥＤアセンブリ５８は、例えば、ＬＥＤ４
（図１）のようなサブマウントを除くＬＥＤ、または、
サブマウント３０（図２〜図４）に取り付けられたＬＥ
Ｄ２８のようなサブマウントに取り付けられたＬＥＤを
含むことができる。Ｎコンタクト６０は、例えば、ＬＥ
Ｄ４におけるＮコンタクト１４、または、サブマウント
３０における下部Ｎコンタクト４２を含むことができ
る。Ｐコンタクト６２は、例えば、ＬＥＤ４におけるＰ
コンタクト１６、または、サブマウント３０における下
部Ｐコンタクト４４を含むことができる。熱コンタクト
６４は、例えば、ＬＥＤ４における熱コンタクト２０、
または、サブマウント３０における熱コンタクト４６を
含むことができる。熱コンタクト６４は、典型的には、
熱コンタクト６４を通る金属基層６への熱の流れを促進
するために、ＬＥＤアセンブリ５８の底面の大部分を占
める。
るＬＥＤアレイに含まれるＬＥＤアセンブリ５８の底面
における電気コンタクトおよび熱コンタクトの配置の概
略を示す。ＬＥＤアセンブリ５８は、例えば、ＬＥＤ４
（図１）のようなサブマウントを除くＬＥＤ、または、
サブマウント３０（図２〜図４）に取り付けられたＬＥ
Ｄ２８のようなサブマウントに取り付けられたＬＥＤを
含むことができる。Ｎコンタクト６０は、例えば、ＬＥ
Ｄ４におけるＮコンタクト１４、または、サブマウント
３０における下部Ｎコンタクト４２を含むことができ
る。Ｐコンタクト６２は、例えば、ＬＥＤ４におけるＰ
コンタクト１６、または、サブマウント３０における下
部Ｐコンタクト４４を含むことができる。熱コンタクト
６４は、例えば、ＬＥＤ４における熱コンタクト２０、
または、サブマウント３０における熱コンタクト４６を
含むことができる。熱コンタクト６４は、典型的には、
熱コンタクト６４を通る金属基層６への熱の流れを促進
するために、ＬＥＤアセンブリ５８の底面の大部分を占
める。
【００２９】図６は、複数の場所６６−１〜６６−９に
ＬＥＤアセンブリ（サブマウントを有したまたは有しな
いＬＥＤ）を設ける前に、本発明の１つの実施の形態に
かかるＬＥＤアレイ２を模式的に示す上面図である。各
場所において、通過部（例えば通過部１２）は、金属基
層６の一部を露出している。また、ＬＥＤアセンブリ５
８（図５）における電気コンタクト６０および６２のよ
うなＬＥＤアセンブリの底面における電気コンタクトの
それぞれと電気的に接触するために、各場所において、
伝導性トレース８−１〜８−１８（トレース層８におけ
る）のうちの２つが露出している。伝導性電気トレース
８−１〜８−１８については、いくつかのまたはすべて
のＬＥＤを直列、並列または逆並列（anti-parallel）
に配置するように、相互接続することができる。通し穴
（through-hole）６８のような通し穴は、レンズ２６
（図１）のようなレンズを例えばシリコーンのようなカ
プセル材料（encapsulant）を用いて充填することがで
きるように、金属基層６ならびに金属基層６の上に位置
する誘電体層およびトレース層を貫通する。
ＬＥＤアセンブリ（サブマウントを有したまたは有しな
いＬＥＤ）を設ける前に、本発明の１つの実施の形態に
かかるＬＥＤアレイ２を模式的に示す上面図である。各
場所において、通過部（例えば通過部１２）は、金属基
層６の一部を露出している。また、ＬＥＤアセンブリ５
８（図５）における電気コンタクト６０および６２のよ
うなＬＥＤアセンブリの底面における電気コンタクトの
それぞれと電気的に接触するために、各場所において、
伝導性トレース８−１〜８−１８（トレース層８におけ
る）のうちの２つが露出している。伝導性電気トレース
８−１〜８−１８については、いくつかのまたはすべて
のＬＥＤを直列、並列または逆並列（anti-parallel）
に配置するように、相互接続することができる。通し穴
（through-hole）６８のような通し穴は、レンズ２６
（図１）のようなレンズを例えばシリコーンのようなカ
プセル材料（encapsulant）を用いて充填することがで
きるように、金属基層６ならびに金属基層６の上に位置
する誘電体層およびトレース層を貫通する。
【００３０】図７は、ＬＥＤアセンブリ５８−１〜５８
−９を金属基層６および伝導性トレース８−１〜８−１
６に取り付けた後の、図６におけるＬＥＤアレイ２を模
式的に示す上面図である。各ＬＥＤアセンブリは、ＬＥ
Ｄアセンブリの下に配置された通過部に付与した熱伝導
性材料２４（図１〜図４）によって金属基層６と熱接触
する。この実施の形態では、ＬＥＤアレイ２は、９つの
ＬＥＤアセンブリ（サブマウントを有したまたは有しな
いＬＥＤ）を含む。そのほかの実施の形態は、９つより
多いかまたは少ないこのようなＬＥＤアセンブリを含
む。
−９を金属基層６および伝導性トレース８−１〜８−１
６に取り付けた後の、図６におけるＬＥＤアレイ２を模
式的に示す上面図である。各ＬＥＤアセンブリは、ＬＥ
Ｄアセンブリの下に配置された通過部に付与した熱伝導
性材料２４（図１〜図４）によって金属基層６と熱接触
する。この実施の形態では、ＬＥＤアレイ２は、９つの
ＬＥＤアセンブリ（サブマウントを有したまたは有しな
いＬＥＤ）を含む。そのほかの実施の形態は、９つより
多いかまたは少ないこのようなＬＥＤアセンブリを含
む。
【００３１】特定の実施の形態を用いて本発明を説明し
てきたが、本発明は、別記した請求項の範囲内に含まれ
るすべての変形および変更を含むように意図したもので
ある。例えば、図１〜図４に示したＬＥＤ４および２８
はフリップチップであるが、本発明は、上面に１つ以上
の電気コンタクトを有するＬＥＤを用いることが可能で
ある。このようなコンタクトについては、例えばサブマ
ウントにおける電気コンタクトに対して、または、金属
基層の上に位置するトレース層における伝導性トレース
に対して、ワイヤボンドすることができる。加えて、図
２〜図４は、核サブマウントに取り付けられる１つのＬ
ＥＤのみを示すが、いくつかの実施の形態は、サブマウ
ントごとに１つ以上のＬＥＤを用いることが可能であ
る。このような実施の形態では、１つのサブマウントに
おける多数のＬＥＤのうちのいくつかまたはすべてを、
例えば直列、並列または逆並列に電気的に接続すること
ができる。さらには、本発明にかかるＬＥＤアレイは、
サブマウントに付与したいくつかのＬＥＤ、および、金
属基層に直接取り付けたいくつかのＬＥＤを含むことが
できる。図１〜図４は、金属基層６の上に配置した伝導
性トレースの１つの層８のみを示しているが、他の実施
の形態は、伝導性トレースの多数の層を用いることがで
きる。
てきたが、本発明は、別記した請求項の範囲内に含まれ
るすべての変形および変更を含むように意図したもので
ある。例えば、図１〜図４に示したＬＥＤ４および２８
はフリップチップであるが、本発明は、上面に１つ以上
の電気コンタクトを有するＬＥＤを用いることが可能で
ある。このようなコンタクトについては、例えばサブマ
ウントにおける電気コンタクトに対して、または、金属
基層の上に位置するトレース層における伝導性トレース
に対して、ワイヤボンドすることができる。加えて、図
２〜図４は、核サブマウントに取り付けられる１つのＬ
ＥＤのみを示すが、いくつかの実施の形態は、サブマウ
ントごとに１つ以上のＬＥＤを用いることが可能であ
る。このような実施の形態では、１つのサブマウントに
おける多数のＬＥＤのうちのいくつかまたはすべてを、
例えば直列、並列または逆並列に電気的に接続すること
ができる。さらには、本発明にかかるＬＥＤアレイは、
サブマウントに付与したいくつかのＬＥＤ、および、金
属基層に直接取り付けたいくつかのＬＥＤを含むことが
できる。図１〜図４は、金属基層６の上に配置した伝導
性トレースの１つの層８のみを示しているが、他の実施
の形態は、伝導性トレースの多数の層を用いることがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかるＬＥＤアレ
イの一部を模式的に示す図
イの一部を模式的に示す図
【図２】本発明の第２の実施の形態にかかるＬＥＤアレ
イの一部を模式的に示す図
イの一部を模式的に示す図
【図３】本発明の第３の実施の形態にかかるＬＥＤアレ
イの一部を模式的に示す図
イの一部を模式的に示す図
【図４】本発明の第４の実施の形態にかかるＬＥＤアレ
イの一部を模式的に示す図
イの一部を模式的に示す図
【図５】本発明の１つの実施の形態にかかるＬＥＤまた
はＬＥＤサブマウントの底面を模式的に示す図
はＬＥＤサブマウントの底面を模式的に示す図
【図６】本発明の１つの実施の形態にかかるＬＥＤアレ
イの一部を模式的に示す上面図
イの一部を模式的に示す上面図
【図７】図６に示すＬＥＤアレイを模式的に示す上面図
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 シャーン ハーラー
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
94025 メンロ パーク シャロン パー
ク ドライヴ 1100 コンドミニアム
＃27
(72)発明者 ダグラス ピー ウールヴァートン
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
94043 マウンテン ビュー ウィスマン
パーク ドライヴ 461
Ｆターム(参考） 5F041 AA04 AA33 CA34 DA03 DA04
DA13 DA19 DA20 DA34 DA44
DA57 DA82 DB08 FF11
Claims (19)
- 【請求項１】 発光ダイオードのアレイであって、 金属基層と、 複数の通過部を通過させかつ前記金属基層の上に配置さ
れた誘電体層と、 該誘電体層の上に配置された複数の電気伝導性トレース
と、 複数の発光ダイオードと、を備え、 該複数の発光ダイオードのそれぞれは、前記通過部のう
ちの対応する１つ通過部の上に配置され、かつ、第１の
電気コンタクトおよび第２の電気コンタクトを含み、 該第１の電気コンタクトおよび該第２の電気コンタクト
は、前記電気伝導性トレースのそれぞれを分離するよう
に電気的に接続されており、 前記通過部のそれぞれは、前記金属基層に熱接触しかつ
前記発光ダイオードのうちの前記対応する発光ダイオー
ドに熱接触する、ことを特徴とする発光ダイオードのア
レイ。 - 【請求項２】 前記金属基層は、約０.０１インチより
大きな厚さを有する請求項１に記載の発光ダイオードの
アレイ。 - 【請求項３】 前記発光ダイオードのうちの少なくとも
１つの発光ダイオードは、同一の面に配置されかつ前記
金属基層に対向するように志向された前記第１の電気コ
ンタクトおよび前記第２の電気コンタクトを含む請求項
１に記載の発光ダイオードのアレイ。 - 【請求項４】 前記通過部のうちの少なくとも１つの通
過部における前記熱伝導性材料は、前記複数の伝導性ト
レースから電気的に絶縁され、かつ、前記発光ダイオー
ドのうちの前記対応する発光ダイオードにおける前記第
１および前記第２の電気コンタクトから電気的に絶縁さ
れている請求項１に記載の発光ダイオードのアレイ。 - 【請求項５】 前記熱伝導性材料は半田材料を含む請求
項１に記載の発光ダイオードのアレイ。 - 【請求項６】 前記通過部のうちの少なくとも１つの通
過部における前記熱伝導性材料は、前記発光ダイオード
のうちの前記対応する発光ダイオードに直接接触する請
求項１に記載の発光ダイオードのアレイ。 - 【請求項７】 前記通過部のうちの少なくとも１つの通
過部における前記熱伝導性材料は、前記金属基層に直接
接触する請求項１に記載の発光ダイオードのアレイ。 - 【請求項８】 前記発光ダイオードのうちの１つの発光
ダイオードと前記通過部のうちの前記対応する通過部と
の間に配置され、かつ、前記通過部のうちの前記対応す
る通過部における前記熱伝導性材料に直接接触する、サ
ブマウントを備える請求項１に記載の発光ダイオードの
アレイ。 - 【請求項９】 前記サブマウントは珪素を含む請求項８
に記載の発光ダイオードのアレイ。 - 【請求項１０】 前記サブマウントは通過部を含み、 前記発光ダイオードのうちの前記１つの発光ダイオード
における前記第１の電気コンタクトおよび前記第２の電
気コンタクトは、前記通過部を介して前記電気伝導性ト
レースに電気的に接続される、請求項８に記載の発光ダ
イオードのアレイ。 - 【請求項１１】 発光ダイオードのアレイを形成する方
法であって、 金属基層の上に、複数の電気伝導性トレースが形成され
る誘電体層を配置する工程と、 該誘電体層に複数の通過部を形成する工程であって、該
通過部のそれぞれは前記金属基層を露出させる工程と、 前記通過部のそれぞれに、前記金属基層に熱接触させる
熱伝導性材料を導入する工程と、 複数の発光ダイオードのそれぞれを前記通過部のうちの
対応する通過部の上に配置する工程であって、各発光ダ
イオードが前記対応する通過部における前記熱伝導性材
料に熱接触するようにする工程と、 前記発光ダイオードのそれぞれについて、第１の電気コ
ンタクトおよび第２の電気コンタクトを前記熱伝導性ト
レースのそれぞれを分離するように電気的に接続する工
程と、を備えることを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 前記金属基層は、約０.０１インチよ
り大きな厚さを有する請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記通過部のうちの少なくとも１つの
通過部における前記熱伝導性材料を、前記複数の伝導性
トレースと、前記発光ダイオードのうちの前記対応する
発光ダイオードにおける前記第１および前記第２の電気
コンタクトとから電気的に絶縁する工程を備える請求項
１１に記載の方法。 - 【請求項１４】 前記通過部のうちの少なくとも１つの
通過部に半田材料を導入する工程を備える請求項１１に
記載の方法。 - 【請求項１５】 前記発光ダイオードのうちの少なくと
も１つの発光ダイオードを、前記対応する通過部におけ
る前記熱伝導性材料に直接接触するように配置する工程
を備える請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記通過部のうちの少なくとも１つの
通過部における前記熱伝導性材料は、前記金属基層に直
接接触する請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記発光ダイオードのうちの１つの発
光ダイオードと前記通過部のうちの前記対応する通過部
との間にサブマウントを配置する工程であって、該サブ
マウントは前記通過部のうちの前記対応する通過部にお
ける前記熱伝導性材料に直接接触するようにする工程を
備える請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記サブマウントを珪素により形成す
る工程を備える請求項１７に記載の方法。 - 【請求項１９】 前記サブマウントに通過部を形成する
工程であって、前記発光ダイオードのうちの前記１つの
発光ダイオードにおける前記第１の電気コンタクトおよ
び前記第２の電気コンタクトが、該通過部を介して前記
電気伝導性トレースに電気的に接続される工程を備える
請求項１７に記載の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/974,563 US6498355B1 (en) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | High flux LED array |
| US09/974563 | 2001-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124524A true JP2003124524A (ja) | 2003-04-25 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP4330863B2 (ja) |
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| TW (1) | TW561635B (ja) |
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