DE10040450A1 - Kühlelement für Halbleiterbauelemente - Google Patents

Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Kühlelement für Halbleiterbauelemente mit einem Träger (1), auf dem eine Mehrzahl von Bereichen (2) zur Aufnahme von Halbleiterkörpern (11) ausgebildet sind. DOLLAR A Weiterhin beschreibt die Erfindung ein Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelemente mit Kühlelement, bei dem die Halbleiterkörper (11) vor der Vereinzelung auf das Kühlelement montiert werden.

Description

Die Erfindung betrifft ein Kühlelement für Halbleiterbauele­ mente nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie ein Herstellungsverfahren hierfür.

Bei Halbleiterbauelementen wird im stationären Betrieb die durch Verlustleitung erzeugte Wärmemenge kontinuierlich an die Umgebung abgegeben, um eine Aufheizung des Halbleiterkör­ pers zu vermeiden. Halbleiter mit sehr hoher Verlustleistung wie beispielsweise Laserdioden benötigen hierfür sehr effizi­ ente Kühlvorrichtungen, die einen ausreichenden Transport der anfallenden Verlustwärme vom Halbleiterkörper in die Umgebung gewährleisten. Dieser Wärmetransport ist erforderlich, um die Temperatur des Halbleiterkörpers so niedrig zu halten, daß im Betrieb keine Schädigung oder Degradation des Halbleiterkör­ pers erfolgt. Daher werden Leistungshalbleiter zum Teil be­ reits bei der Herstellung auf einen geeigneten Kühlkörper aufgebracht. Dies ist den einschlägigen Datenblättern der Bauelemente zu entnehmen (beispielsweise Datenblatt zur La­ serdiode SPL CGxx, xx = 81, 85, 94 oder 98, Osram Opto Semicon­ ductors, 01.01.2000).

Bei einem üblichen Herstellungsverfahren für solche Halblei­ terbauelemente werden die Halbleiterkörper vereinzelt und da­ nach auf einen metallischen Kühlkörper aufgelötet und kontak­ tiert. Dieses Verfahren besitzt den Nachteil, daß dabei so­ wohl die einzelnen Kühlkörper wie auch die einzelnen Halblei­ terkörper der Bestückungsvorrichtung zugeführt und zueinander positioniert werden müssen.

Ferner ist erst am Ende dieses Herstellungsverfahrens ein Test der Bauelemente möglich, da für viele Testverfahren zum Zeitpunkt der Durchführung das Bauelement bereits ausreichend gekühlt sein muß.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Kühlelement für Halb­ leiterbauelemente zu schaffen, das eine kostengünstige und einfache Montage der Halbleiterkörper erlaubt. Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, ein kostengünstiges und einfaches Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelemente mit Kühlele­ ment anzugeben.

Diese Aufgabe wird durch ein Kühlelement nach Patentanspruch 1 sowie ein Herstellungsverfahren nach Patentanspruch 17 ge­ löst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegen­ stand der Unteransprüche 2 bis 16 und 18 bis 21.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, das Kühlelement in Form eines elektrisch isolierenden, plattenförmigen Trägers (sogenannter Nutzen) auszubilden. Auf einer Hauptfläche dieses Trägers ist eine Mehrzahl von Bereichen zur Aufnahme der zu kühlenden Halbleiterkörper geformt.

Die erfindungsgemäße Ausführung des Kühlelements erlaubt mit großem Vorteil die Montage der einzelnen Halbleiterkörper vor der Vereinzelung. Dies vereinfacht die Montage, da zur Auf­ bringung einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern das Kühlelement nur einmal positioniert werden muß. Weiterhin wird die Posi­ tionierung der Halbleiterkörper erleichtert, da das Kühlele­ ment im Gegensatz zu bereits vereinzelten Kühlelementen eine sehr genau definierte Montageplattform darstellt.

Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung der Erfindung sind die Bereiche zur Aufnahme der Halbleiterkörper matrixar­ tig angeordnet. Dies ist besonders vorteilhaft beim Einsatz von Bestückungsautomaten, um die Positionierungszeiten gering zu halten.

Eine besonders bevorzugte Weiterbildung der Erfindung besteht darin, die Bereiche zur Aufnahme der Halbleiterkörper als me­ tallische Flächen auf dem Träger auszubilden. Dies ermög­ licht, die Halbleiterkörper durch Lötverbindungen mit dem Kühlelement zu verbinden, die zugleich eine sehr gute elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweisen. Weiterhin be­ wirken die metallischen Flächen aufgrund ihrer hohen thermi­ schen Leitfähigkeit eine gleichmäßige Wärmeverteilung in dem darunterliegenden Träger, so daß ein effizienter Wärmetrans­ port ermöglicht wird.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind auf den metallischen Flächen Anschlußflächen ausgebil­ det, auf die die Halbleiterkörper aufgebracht werden (Chipan­ schlußflächen). Vorzugsweise sind diese Anschlußflächen mit einem elektrisch und thermisch leitenden Haftmittel wie bei­ spielsweise einem Lot bedeckt. Dies erlaubt den Einsatz der Erfindung in Bestückungsautomaten und dabei die automatische Herstellung zuverlässiger Lötverbindungen.

Eine besonders bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, auf dem Träger des Kühlelements Leiterbahnstrukturen auszubilden. Dabei dienen Teilbereiche der Leiterbahnstruktu­ ren als Anschlußflächen für Drahtverbindungen, die die Halb­ leiterkörper elektrisch kontaktieren (Drahtanschlußflächen). Mit großem Vorteil ist es möglich, mit Hilfe der Leiterbahnen die Halbleiterkörper elektrisch anzusteuern und so vor der Vereinzelung auf ihre Funktionsfähigkeit hin zu testen. Dage­ gen können Bauelemente nach dem Stand der Technik erst nach der Vereinzelung getestet werden, da die Montage des Kühlkör­ pers erst nach der Vereinzelung erfolgt und für viele Test­ verfahren eine ausreichende Kühlung des Bauelements erforder­ lich ist.

Der Vorteil eines Tests vor der Vereinzelung liegt darin, daß für eine Mehrzahl von Bauelementen die Testapparatur nur ein­ mal mit dem Leiterbahnsystem verbunden werden muß und dadurch die Testzeiten reduziert werden. Ein besonderer Vorteil er­ gibt sich daraus, daß mehrere Bauelemente gleichzeitig gete­ stet werden können. Je nach Ausführung der Leiterbahnen auf dem Kühlelement ist es dabei möglich, Einzeltests, Gruppen­ tests oder einen gleichzeitigen Test aller montierten Halbleiterkörper durchzuführen. Diese Testmöglichkeiten sind be­ sonders vorteilhaft aufgrund ihrer Flexibilität und der Zeit­ ersparnis bei gleichzeitiger Durchführung. Unter Testverfah­ ren sind hierbei Funktionstests, Alterungs- und Lebensdauer­ tests sowie insbesondere Formierzyklen (Burn In), die teilweise unter Vollast durchgeführt werden und daher in der Regel nur bei ausreichender Kühlung möglich sind, zu ver­ stehen.

Eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung besteht darin, auf der zweiten Hauptfläche des Trägers ebenfalls metallische Flächen auszubilden, die den metallischen Flächen auf der er­ sten Hauptfläche zugeordnet sind. Der so entstehende Schicht­ aufbau Metall-Träger-Metall zeichnet sich durch einen effizi­ enten Wärmetransport bei gleichzeitig geringer und homogener thermischer Ausdehnung aus. Durch geeignete Wahl der Metalle und des Trägermaterials sowie der jeweiligen Schichtdicken kann der Ausdehnungskoeffizient des Kühlelements genau an den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterkörpers angepaßt werden. Mit großem Vorteil wird durch diese Anpas­ sung vermieden, daß thermische Wechselbelastungen Verspannun­ gen in den Lötverbindungen zwischen Halbleiterkörper und Kühlelement erzeugen, die zum Bruch der Lötverbindungen führen können.

Als Trägermaterial wird mit Vorteil ein keramisches Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit wie beispielsweise AlN oder BN verwendet. Mit besonderem Vorteil läßt sich AlN mit Cu zur Ausbildung der metallischen Fläche verbinden. Solche soge­ nannten Direct Bond Copper Materialien (DBC) zeichnen sich durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit bei gleichzeitig geringer thermischer Ausdehnung aus. Besonders vorteilhaft ist dabei, daß bei geeigneter Dimensionierung der Verbund einen thermi­ schen Ausdehnungskoeffizienten besitzt, der nahezu gleich dem Ausdehnungskoeffizienten von GaAs ist. Daher eignet sich die Erfindung bei Verwendung eines DBC-Materials in besonderer Weise als Kühlelement für GaAs-Halbleiterkörper wie beispielsweise Laserdioden auf GaAs-Basis mit hoher Ausgangslei­ stung.

Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind zwi­ schen den Bereichen zur Aufnahme der Halbleiterkörper Soll­ bruchstellen ausgebildet. So können die Halbleiterbauelemente nach der Montage und gegebenenfalls nach Durchführung von Testverfahren leicht durch Brechen vereinzelt werden.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, den Träger mehrlagig auszuführen, wobei die an die erste Haupt­ fläche angrenzende Schicht elektrisch isolierend ist. Dadurch kann mit Vorteil das Ausdehnungsverhalten, die mechanische Festigkeit sowie die Wärmeleitfähigkeit optimal an den Halb­ leiterkörper und den vorgesehenen Einsatzbereich des Bauele­ ments angepaßt werden.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind die metallischen Flächen zur Aufnahme der Halbleiterkör­ per und gegebenenfalls die zugehörigen Flächen auf der gegen­ überliegenden Hauptfläche ebenfalls mehrlagig ausgeführt. Von besonderem Vorteil ist hierbei eine Oberflächenvergütung der metallischen Flächen in Form einer dünnen Edelmetallschicht. Eine solche Oberflächenvergütung verbessert die Lötfähigkeit der Metallflächen und dient zugleich als Korrosionsschutz.

Ein erfindungsgemäßes Herstellungsverfahren für Halbleiter­ bauelemente mit Kühlelement beginnt in einem ersten Schritt mit der Strukturierung des Kühlelements. Diese Strukturierung umfaßt die Ausbildung der Bereiche zur Aufnahme der Halblei­ terkörper, wobei je nach Ausgestaltung die metallischen Flä­ chen einschließlich etwaiger Vergütungen und Lotbeschichtun­ gen sowie Leiterbahnen auf dem Träger geformt werden. Weiter­ hin werden bei diesem Schritt gegebenenfalls Sollbruchstellen in dem Träger ausgebildet.

Im nächsten Schritt werden die Halbleiterkörper aufgebracht und kontaktiert.

Im letzten Schritt werden die so erzeugten Halbleiterbauele­ mente mit Kühlelement vereinzelt.

Aufgrund der Halbleitermontage vor der Vereinzelung ist das Herstellungsverfahren gegenüber Herstellungsverfahren nach dem Stand der Technik wegen der oben genannten, geringeren Anzahl von Positionierungsschritten und der leichteren Posi­ tionierbarkeit der Bauelemente einfacher und kostengünstiger. Eine besonders bevorzugte Weiterbildung des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens besteht darin, in einem weiteren Schritt vor der Vereinzelung die Halbleiterkörper zu testen, wobei Testzeit und Rüstzeit vorteilhaft gering gehalten sind.

Bei einer bevorzugten Fortführung des erfindungsgemäßen Her­ stellungsverfahrens für optoelektronische Bauelemente wie beispielsweise Laserdioden werden in einem weiteren Schritt vor der Vereinzelung optische Elemente zur Führung der er­ zeugten oder der zu detektierenden Strahlung auf den Träger montiert. Im Falle von Laserdioden sind dies vorzugsweise Kollimationsoptiken für die generierte Laserstrahlung und Elemente zur Einkopplung in Glasfasern einschließlich der Fa­ serhalterung. Diese Elemente müssen exakt auf den Halbleiter­ körper ausgerichtet werden. Dies ist aufgrund der genau defi­ nierten Montageplattform bei der Erfindung und der damit ein­ hergehenden hohen Positioniergenauigkeit mit großer Präzision möglich.

Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von fünf Aus­ führungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 bis 5.

Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines ersten Ausfüh­ rungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Kühlele­ ments,

Fig. 2 eine schematische Darstellung eines zweiten Ausfüh­ rungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Kühlele­ ments,

Fig. 3 eine schematische Darstellung eines dritten Ausfüh­ rungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Kühlele­ ments,

Fig. 4 eine schematische Darstellung eines vierten Ausfüh­ rungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Kühlele­ ments, und

Fig. 5 eine schematische Darstellung eines ersten erfin­ dungsgemäßen Herstellungsverfahrens.

Gleiche oder gleichwirkende Teile sind dabei mit demselben Bezugszeichen versehen.

In Fig. 1 ist ein Kühlelement mit einem elektrisch isolie­ renden Träger 1 in Form einer Keramikplatte, die beispiels­ weise aus einer AlN-Keramik besteht, gezeigt. Auf einer Hauptfläche dieses Träger ist eine Mehrzahl rechteckiger Be­ reiche 2 in Form von Kupferflächen zur Aufnahme der Halblei­ terkörper ausgebildet. Auf diesen Kupferflächen 2 wiederum sind kleinere Bereiche 3 geformt, auf die bei der Bauele­ mentherstellung die Halbleiterkörper aufgelötet werden. Diese kleineren Bereiche 3 können beispielsweise in einer begrenzt ausgebildeten Lotschicht bestehen.

Bei Verwendung von GaAs als Halbleitermaterial eignet sich zur Herstellung von Lötverbindungen hoher Festigkeit und zugleich großer elektrischer und thermischer Leitfähigkeit besonders ein AuSn-Lot.

Aufgrund der matrixartigen Anordnung der Bereiche 2 kann das gezeigte Kühlelement leicht automatisch mit Halbleiterkörpern bestückt werden. Für den industriellen Einsatz bieten sich dabei Kühlelementgrößen von 100 mm × 100 mm bis zu 100 mm × 200 mm an, wobei auf jedem Kühlelement bis zu 200 Einzelbe­ reiche 2 ausbildet sind.

Bei dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel sind auf der gegenüberliegenden Hauptfläche des Trägers 1 ebenfalls Me­ tallflächen 5 ausgebildet, die den Metallflächen 2 zugeordnet sind, so daß ein mehrschichtiger, symmetrischer Verbund Me­ tall-Keramik-Metall entsteht, der eine homogene und geringe thermische Ausdehnung aufweist. Weiterhin dienen die Metall­ flächen 5 einer guten Wärmeübertragung an die Montagefläche des Bauelements oder an weitere, gegebenenfalls aktive Kühl­ systeme wie beispielsweise Lüfter.

Die metallischen Flächen 2 sind bei diesem Ausführungsbei­ spiel mit einer Oberflächenvergütung 4 in Form einer galva­ nisch abgeschiedenen Goldschicht versehen, um besonders gute Löteigenschaften, speziell in Verbindung mit AuSn-Lot, zu er­ zielen. Auf der Goldschicht sind wiederum die mit AuSn-Lot bedeckten Chipanschlußbereiche 3 geformt.

Das in Fig. 3 gezeigte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel darin, daß zwischen den einzelnen Bereichen 2 Einkerbungen 6 in den Träger 1 eingebracht sind, die als Sollbruchstellen wirken. Zusammen mit den spröden mechanischen Eigenschaften eines ke­ ramischen Trägermaterials ergibt sich damit eine besonders einfache Möglichkeit der Vereinzelung der Bauelemente durch Brechen. Die Sollbruchstellen können dabei berührungslos mit­ tels Laserablation oder mechanisch durch Einfräsen oder Ritzen erzeugt werden.

Bei dem in Fig. 4 gezeigten Ausschnitt eines weiteren Aus­ führungsbeispiels ist eine auf dem Träger 1 des Kühlelements ausgebildete Leiterbahnstruktur 7a, 7b zur gleichzeitigen Ansteuerung mehrerer Halbleiterkörper dargestellt. Dabei sind die metallischen Flächen 2 zweiteilig ausgeführt, wobei der jeweils eine Teil 2a den Chipanschlußbereich 3 beinhaltet. Der jeweils andere Teil 2b dient als Drahtanschlußbereich zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers mit einer Drahtverbindung.

Die einzelnen Teilbereiche 2a und 2b sind jeweils untereinan­ der mit Leiterbahnen 7a und 7b verbunden. Mittels dieser Struktur ist es nach der Montage der Halbleiterkörper mög­ lich, alle in Reihe montierten Halbleiterkörper gleichzeitig und vor der Vereinzelung auf dem Kühlelement zu testen. Die Leiterbahnstruktur kann beispielsweise in mehreren Parallel­ strängen oder mäanderförmig auf dem Träger 1 fortgesetzt wer­ den. Die Zusammenstellung der gleichzeitig zu testenden Bauelemente kann leicht durch Modifikation der Leiterbahn­ führung verändert werden. Schließlich ist es insbesondere möglich, alle auf einem Träger 1 montierten Halbleiterkörper gleichzeitig zu testen und so die Testzeiten zu minimieren. Dabei können alle zu testenden Bauelemente in Serien­ schaltung, Parallelschaltung oder einer anderen Schaltungskombination betrieben werden. Dies eignet sich insbesondere für die bei Laserdioden üblichen Burn In- Verfahren.

Bei dem in Fig. 5 gezeigten Ausführungsbeispiel eines erfin­ dungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird als Ausgangsprodukt ein DBC-Material verwendet, Fig. 5a. Dieses mehrlagige Mate­ rial beinhaltet einen Keramikträger 1, beispielsweise aus AlN, der auf den beiden Hauptflächen von einer ersten Kupfer­ schicht 8 und einer zweiten Kupferschicht 9 bedeckt ist. Auf der Kupferschicht 8 ist weiterhin galvanisch eine Gold­ schicht 10 abgeschieden.

In einem ersten Herstellungsschritt wird dieses DBC-Material strukturiert, Fig. 5b. Die Strukturierung umfaßt die Ausbil­ dung der Bereiche 2 zur Aufnahme der Halbleiterkörper, die Aufbringung der Chipanschlußflächen 3 und die Erzeugung der Sollbruchstellen 6. Die Chipanschlußflächen 3 können bei­ spielsweise durch Aufdampfen oder Aufstäuben (Sputtern) eines AuSn-Lots mit Hilfe einer Schattenmaske auf der Goldschicht erzeugt werden. Alternativ können auch einzelne, entsprechend geformte AuSn-Folienteile auf die Goldschicht 10 aufgeschmol­ zen werden.

Durch selektives Ätzen werden die geschlossenen Kupferflächen 8 und 9 sowie die Goldfläche 10 in Einzelflächen unterteilt, die die Metallflächen 2 zur Aufnahme der Halbleiterkörper so­ wie die zugeordneten Flächen 5 bilden. Bei diesem Ätzprozeß können auch Leiterbahnstrukturen auf dem Träger 1 ausgebildet werden (in der Abbildung nicht dargestellt).

Die Einkerbungen 6 im Träger 1 können auf der freigeätzten Oberfläche des Trägers 1 durch Laserablation oder durch Ein­ fräsen ausgebildet werden.

Nach diesem Strukturierungsschritt werden in einem zweiten Schritt die Halbleiterkörper 11, zum Beispiel GaAs-Hochlei­ stungslaserdioden auf die Chipanschlußflächen 3 aufgelötet und kontaktiert, Fig. 5c.

Ein besonderer Vorteil des Verfahrens besteht darin, bei der Montage von optoelektronischen Halbleiterkörpern 11 den Trä­ ger 1 mit zugehörigen Optiken zu bestücken, die wie oben be­ schrieben mit hoher Präzision exakt auf den Halbleiterkörper 11 ausgerichtet werden können.

Nach diesem Schritt können die genannten Testverfahren an den so hergestellten, noch im Verbund befindlichen Halbleiterbau­ elementen durchgeführt werden. Die dabei als defekt identifi­ zierten Halbleiterbauelemente können vorteilhafterweise in einem späteren Schritt vor dem Einbau in Gehäuse ausgesondert werden. Weiterhin ist es aufgrund der durchgeführten Testver­ fahren möglich, nach der Vereinzelung die Bauelemente nach Gütekriterien wie beispielsweise maximale Ausgangsleistung oder zu erwartende Lebensdauer zu selektieren.

Im letzten Schritt des Herstellungsverfahrens werden die Bau­ elemente durch Bruch an den Sollbruchstellen vereinzelt ( Fig. 5d) und können danach weiteren Schritten, wie beispiels­ weise Vergehäusung oder Montage, zugeführt werden.

Die Erläuterung der Erfindung anhand der beschriebenen Aus­ führungsbeispiele ist natürlich nicht als Beschränkung der Erfindung zu verstehen.

Die Auswahl der verwendeten Materialien, insbesondere des Ke­ ramikmaterials für den Träger 1 und der hierauf befindlichen Metallisierungen kann in weiten Grenzen je nach Eigenschaft der Halbleiterkörper 11 und dem vorgesehenen Einsatzbereich der Bauelemente variiert werden.

Weiterhin sind die in den einzelnen Ausführungsbeispielen be­ schriebenen Varianten weitestgehend frei kombinierbar.

Claims (21)

1. Kühlelement für Halbleiterbauelemente mit einem elektrisch isolierenden, plattenförmigen Träger (1) mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten Hauptfläche eine Mehrzahl von Bereichen (2) zur Aufnahme von je mindestens einem Halbleiterkörper (11) geformt ist.

2. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bereiche (2) matrixartig angeordnet sind.

3. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Bereiche (2) durch metallische Flächen auf der ersten Hauptfläche des Trägers (1) gebildet sind.

4. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach einem der An­ sprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb der Bereiche (2) Anschlußflächen (3) für die Auf­ bringung der Halbleiterkörper ausgebildet sind.

5. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußflächen (3) mit einem elektrisch leitenden Haft­ mittel versehen sind.

6. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach einem der An­ sprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den einzelnen Bereichen (2) Leiterbahnstrukturen (7) ausgebildet sind.

7. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach einem der An­ sprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf der zweiten Hauptfläche des Trägers (1) metallische Flä­ chen (5) ausgebildet sind, die den Bereichen (2) zugeordnet sind.

8. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach einem der An­ sprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägermaterial ein Keramikmaterial verwendet wird.

9. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach einem der An­ sprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägermaterial AlN oder BN verwendet wird.

10. Kühlelement nach einem der Ansprüche 3 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die metallischen Flächen zumindest teilweise aus Cu bestehen.

11. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach einem der An­ sprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Kühlelement einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der an den thermischen Ausdehnungskoeffizienten der aufzubringenden Halbleiterkörper (11) angepaßt ist.

12. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach einem der An­ sprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Bereichen (2) Sollbruchstellen (6) ausgebildet sind.

13. Kühlelement für Halbleiterbauelemente nach einem der An­ sprüche 3 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß auf den metallischen Flächen zumindest teilweise eine Ober­ flächenvergütung aufgebracht ist.

14. Kühlelement nach einem der Ansprüche 3 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die metal­ lischen Flächen mehrlagig ausgebildet sind.

15. Kühlelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger mehrlagig ausgebildet ist, wobei mindestens die an die erste Hauptfläche grenzende Schicht elektrisch isolierend ist.

16. Kühlelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiterkörper (11) GaAs-Laserdioden oder GaAs- Hochleistungslaserdioden verwendet werden.

17. Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelemente mit Kühl­ element nach einem der Ansprüche 1 bis 16, gekennzeichnet durch die Schritte

• - Strukturierung des Kühlelements,
• - Aufbringung mehrerer Halbleiterkörper (11) auf das Kühlele­ ment und Kontaktierung der Halbleiterkörper (11),
• - Vereinzelung der Halbleiterbauelemente.

18. Herstellungsverfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Vereinzelung eine Mehrzahl von Optiken, die den Halbleiterkörpern (11) zugeordnet sind, auf das Kühlelement aufgebracht wird.

19. Herstellungsverfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Vereinzelung eine Mehrzahl der Halbleiterkörper (11) auf dem Kühlelement gleichzeitig einem Testverfahren unterzogen wird.

20. Herstellungsverfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß das Testverfahren einen Formierzyklus (Burn In) beinhaltet.

21. Herstellungsverfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Testverfahren eine Güteselektion der Bauelemente beinhaltet.