DE112006001893B4 - Normalerweise abgeschaltetes Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

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Abstract

Halbleiter-Bauteil mit:einem ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper, der einen Bandabstand aufweist;einem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper, der einen anderen Bandabstand hat, über dem ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper zur Bildung eines zweidimensionalen Elektronen-Gases;einer ersten Leistungs-Elektrode, die mit dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper gekoppelt ist;einer zweiten Leistungs-Elektrode, die mit dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper gekoppelt ist;einen Gate-Isolierkörper über dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper; undeiner Gate-Elektrode, die über dem Gate-Isolierkörper angeordnet ist, wobei der Gate-Isolierkörper eine in seinem Körper eingefangene Ladung aufweist, deren Größe so gewählt ist, dass das zweidimensionale Elektronen-Gas unterhalb der Gate-Elektrode unterbrochen wird.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Leistungs-Halbleiter-Bauteile und insbesondere auf Gruppe-III-Nitrid-Leistungs-Halbleiter-Bauteile.
  • DEFINITION
  • Wie der Begriff hier verwendet wird, bezieht sich Gruppe-III-Halbleiter auf eine Halbleiter-Legierung aus dem InAlGaN-System unter Einschluss von, jedoch ohne Beschränkung auf GaN, AIGaN, AlN, InGaN, InAIGaN und dergleichen.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Ein konventionelles Gruppe-III-Nitrid-Hetero-Übergangs-Leistungs-Halbleiter-Bauteil schließt einen Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper mit einem Bandabstand ein, der über einen anderen Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper mit einem anderen Bandabstand angeordnet ist, um ein zweidimensionales Elektronen-Gas zu bilden, das als ein Leitungs-Kanal zwischen den Leistungs-Elektroden des Bauteils dient. Gruppe-III-Nitrid-Hetero-Übergangs-Leistungs-Halbleiter-Bauteile sind aufgrund ihres hohen Bandabstandes und ihrer Stromführungs-Fähigkeiten kommerziell wünschenswert. Ein typisches Gruppe-III-Nitrid-Leistungs-Halbleiter-Bauteil ist jedoch normalerweise eingeschaltet. Allgemein gesprochen ist ein normalerweise eingeschaltetes Leistungs-Halbleiter-Bauteil weniger wünschenswert, weil es zusätzliche Schaltungen erfordert, um seinen Kanal offen zu halten, damit das Bauteil abgeschaltet ist.
  • US 2005/0 145 883 A1 beschreibt ein III-Nitrid-Trench-Bauteil, in welchem durch die Trench-Struktur ein 2DEG unterbrochen wird.
  • DE 38 33 931 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer dotierten Isolierschicht, die zwischen zwei übereinander angeordneten elektrisch leitenden Schichten in einer integrierten Halbleiterschaltung liegt.
  • US 2003/0 020 092 A1 beschreibt einen AlGaN/GaN HEMT, in welchem eine Gate-Isolationsschicht zur Reduzierung des Gate-Leckverlustes und eine dotierte dielektrische Schicht zur Reduzierung des Oberflächen-Trapping in einer darunterliegenden Barriereschicht ausgebildet sind.
  • Es ist daher wünschenswert, ein normalerweise abgeschaltetes Gruppe-III-Nitrid-Leistungs-Halbleiter-Bauteil zu haben.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Halbleiter-Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung schließt einen ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper mit einem Bandabstand, einem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper mit einem anderen Bandabstand über dem ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper zur Bildung eines Gruppe-III-Nitrid-Hetero-Überganges mit einem zweidimensionalen Elektronen-Gas, eine erste Elektrode, die mit dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper gekoppelt ist, eine zweite Leistungs-Elektrode, die mit dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper gekoppelt ist, einen Gate-Isolierkörper mit einer in deren Hauptteil eingefangenen Ladung (beispielsweise eine negative Ladung) über dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper und eine Gate-Elektrode ein, die über dem Gate-Isolierkörper angeordnet ist. Dabei ist die Ladung in dem Gate-Isolierkörper so ausgewählt, dass sie das zweidimensionale Elektronen-Gas unterbricht.
  • Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung kann die Ladung in dem Gate-Isolierkörper geändert werden, um eine gewünschte Schwellenwert-Spannung zu erzielen.
  • Bei einem Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung besteht der erste Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper aus einer Halbleiter-Legierung aus dem InAlGaN-System, beispielsweise vorzugsweise GaN und der zweite Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper besteht aus einer anderen Halbleiter-Legierung aus dem InAlGaN-System, beispielsweise vorzugsweise AIGaN.
  • Gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung schließt der Gate-Isolierkörper zumindest einen Gate-Isolierkörper, beispielsweise vorzugsweise Si3N4 ein, der benachbart zu einem anderen unterschiedlichen Isolierkörper, beispielsweise vorzugsweise SiO2, angeordnet ist. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf zwei Isolierkörper beschränkt, sondern der Gate-Isolierkörper kann vielmehr irgendeine Anzahl von abwechselnd angeordneten ersten und zweiten Isolierkörpern einschließen.
  • Ein Halbleiter-Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung kann als ein diskretes Bauteil über einem Substrat, wie zum Beispiel einem Silizium-Substrat, einem Silizium-Karbid-Substrat oder einem Saphir-Substrat gebildet werden, oder es kann als Teil einer integrierten Schaltung zusammen mit anderen Elementen in einem gemeinsamen Halbleiter-Körper ausgebildet werden.
  • Ein Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung kann durch Anordnen eines Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körpers mit einem Bandabstand über einem anderen Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper mit einem anderen Bandabstand hergestellt werden, um ein zweidimensionales Elektronen-Gas zu erzielen, wobei eine ersten und zweite Leistungs-Elektrode mit dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper gekoppelt wird und ein geladener Gate-Isolierkörper (beispielsweise vorzugsweise negativ geladen) über dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper gebildet wird, und eine Gate-Elektrode über dem geladenen Gate-Isolierkörper gebildet wird.
  • Ein Gate-Isolierkörper gemäß der vorliegenden Erfindung kann durch Bilden eines Isolierkörpers über einen anderen Isolierkörper und Anlegen einer Vorspannung an die Gate-Elektrode gebildet werden, während der Gate-Isolierkörper erhitzt wird.
  • Alternativ, jedoch nicht notwendigerweise, kann der Gate-Isolierkörper gemäß der vorliegenden Erfindung durch Bilden eines geladenen Isolierkörpers benachbart zu einem anderen Isolierkörper und nachfolgendes Erhitzen des Gate-Isolierkörpers gebildet werden.
  • Ein Gate-Isolierkörper kann weiterhin durch Bilden eines Isolierkörpers benachbart zu einem anderen Isolierkörper und durch Implantieren von Dotierungsmitteln in zumindest einen der Isolierkörper gebildet werden. Hierauf kann ein Erhitzen des Gate-Isolierkörpers folgen, wenn dies erwünscht ist. Die Dotierungs-Spezies kann irgendeine oder eine Kombination von Fluor-, Brom-, Iod- und Chlor-Atomen sein, um Beispiele zu nennen. Es sei darauf hingewiesen, dass jede dieser Techniken die Einstellung der Schwellenwert-Spannung des Gate ermöglicht und es somit ermöglicht, dass das Gate programmierbar ist.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der Folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die sich auf die beigefügten Zeichnungen beziehen.
  • Figurenliste
    • 1 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht des aktiven Bereiches eines Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Bauteils nach dem Stand der Technik.
    • 2 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht des aktiven Bereiches eines Gruppe-III-Nitrid-Heteroübergangs-Leistungs-Halbleiter-Bauteils gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 3 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht des aktiven Bereiches eines Gruppe-III-Nitrid-Heteroübergangs-Leistungs-Halbleiter-Bauteils gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 4 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Teils der Gate-Struktur eines Gruppe-III-Nitrid-Heteroübergangs-Leistungs-Halbleiter-Bauteils gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • 1 zeigt ein Beispiel eines typischen Gruppe-III-Nitrid-Heteroübergangs-Transistors mit hoher Elektronen-Beweglichkeit (HEMT). Im einzelnen schließt ein HEMT gemäß dem Stand der Technik einen ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper 10 mit einem Bandabstand, der beispielsweise aus GaN bestehen kann, und einem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper 12 ein, der einen anderen Bandabstand aufweist und der aus beispielsweise AIGaN bestehen kann und über dem ersten Halbleiter-Körper 10 angeordnet ist. Der erste Halbleiter-Körper 10 kann über einen Übergangs-Körper 8 gebildet sein, der beispielsweise aus AIN besteht und der seinerseits über einem Substrat 6 gebildet ist. Wie dies bekannt ist, könnte der Übergangs-Körper 8 aus einer Reihe von Schichten unter Einschluss von GaN, AIGaN, AIN, InGaAlN in verschiedener Reihenfolge gebildet sein, um Spannungen aufgrund einer Fehlanpassung einer Hetero-Epitaxialen Schicht mit dem Substrat zu verringern. Das Substrat 6 ist vorzugsweise aus Si gebildet, kann jedoch auch aus SiC, Saphir oder dergleichen gebildet sein. Alternativ kann das Substrat 6 aus einem massiven Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter (beispielsweise einem massiven GaN-Halbeiter) gebildet sein, der mit dem ersten Halbleiter-Körper 10 kompatibel ist, wobei in diesem Fall der Übergangs-Körper 8 fortgelassen werden kann.
  • Wie dies gut bekannt ist, führt der Hetero-Übergang zwischen dem ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper 10 und dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper 12 zu der Bildung eines leitenden Bereiches, der üblicherweise als ein zweidimensionales Elektronen-Gas oder ein 2DEG 14 bezeichnet wird. Strom kann zwischen einer ersten Leistungs-Elektrode 16 (die vorzugsweise einen ohmschen Kontakt im zweiten Halbleiter-Körper 12 aufweist) und einer zweiten Leistungs-Elektrode 18 (die vorzugsweise ebenfalls einen ohmschen Kontakt mit dem zweiten Halbleiter-Körper 12 aufweist) über das 2DEG 14 geleitet werden.
  • Ein konventioneller HEMT, wie er beispielsweise in 1 gezeigt ist, ist ein normalerweise eingeschaltetes Bauteil. In vielen Anwendungen ist es wünschenswert, ein normalerweise ausgeschaltetes Bauteil zu haben. Somit kann die Gate-Struktur 20 zwischen der ersten Leistungs-Elektrode 16 und der zweiten Leistungs-Elektrode 18 angeordnet sein. Die Gate-Struktur 20 schließt zumindest eine Gate-Elektrode ein, die elektrisch durch eine Gate-Isolierung von dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper 12 isoliert und somit kapazitiv mit diesem gekoppelt ist. Das Anlegen einer geeigneten Spannung an die Gate-Elektrode der Gate-Struktur 20 bewirkt die Unterbrechung des 2DEG 14, wodurch das Bauteil abgeschaltet wird.
  • In 2, in der gleiche Bezugsziffern gleiche Merkmale bezeichnen, schließt ein Bauteil gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Gate-Struktur ein, die einen ersten Isolierkörper 22, der über einen Teil des zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körpers 12 angeordnet ist, einen zweiten Isolierkörper 24, der auf dem ersten Isolierkörper 22 angeordnet ist, und eine Gate-Elektrode 26 ein. Eine Feld- oder Passivierungs-Schicht 27 ist in der gezeigten Weise vorgesehen. Gemäß der vorliegenden Erfindung sind der erste Isolierkörper 22 und er zweite Isolierkörper 24 so ausgewählt, dass eine Ladungs-Fangstelle gebildet wird. Das heißt, eine Ladung kann zwischen dem ersten Isolierkörper 22 und dem zweiten Isolierkörper 24 eingefangen werden.
  • Beispielsweise kann der erste Isolierkörper 22 Si3N4 sein, und der zweite Isolierkörper 24 kann SiO2 sein. Der erste Isolierkörper 22 kann auch aus SiO2 bestehen, und der zweite Isolierkörper 24 kann aus Si3N4 bestehen.
  • Bei einem Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine negative Ladung zwischen dem ersten Isolierkörper 22 und dem zweiten Isolierkörper 24 eingefangen. Die Größe der eingefangenen Ladung kann so ausgewählt werden, dass ein 2DEG unterhalb der Gate-Elektrode 26 unterbrochen wird, wodurch das Bauteil ein normalerweise abgeschaltetes Bauteil wird. Ein Anlegen einer geeigneten Spannung kann dann das 2DEG 14 wieder herstellen um das Bauteil in den eingeschalteten Zustand zu bringen. Somit kann ein normalerweise abgeschaltetes Bauteil gewonnen werden.
  • Um die negative Ladung einzufangen wird nach der Herstellung des Bauteils (nach irgendeinem bekannten Verfahren) eine Vorspannung an die Gate-Elektrode 26 angelegt, um die negative Ladung zu erzeugen. Dies ruft einen Stromfluss durch den Isolator (beispielsweise über einen Tunnelungs-Mechanismus) bei Anlegen eines ausreichend hohen angelegten Feldes hervor. Als ein weiteres Merkmal der Erfindung kann dieser Effekt verstärkt werden, wenn die Vorspannung angelegt wird, während das Bauteil erhitzt wird. Die Zuführung von Wärme erzeugt die Ladung, die zwischen dem Isolierkörper 22 und dem zweiten Isolierkörper 24 eingefangen ist. Die Temperatur, die angelegte Spannung und die Zeit beeinflussen, wieviel an Ladung erzeugt und eingefangen wird.
  • Alternativ kann zumindest ein Isolierkörper mit einer negativen Ladung aufgewachsen und dann erhitzt werden, um ein Wandern der Ladung zu ermöglichen und zu ermöglichen, dass sie zwischen den zwei Isolierkörpern eingefangen wird. So kann beispielsweise Si3N4 mit einer negativen Ladung für diesen Zweck aufgewachsen werden.
  • Als weitere Alternative können Fluor-, Brom-, Iod-, Chlor- und ähnliche Atome in zumindest einen der Isolierkörper implantiert werden, gefolgt von der Anwendung von Wärme, um ein Wandern der Ladung an die Grenzfläche der Isolierkörper zu ermöglichen.
  • Zusätzlich dazu, dass dies ein normalerweise abgeschaltetes Bauteil ist, ist das Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung in der Lage, so programmiert zu werden, dass es eine Vielfalt von wünschenswerten Schwellenwert-Spannungen hat. Das heißt, dass die Schwellenwert-Spannung eines Bauteils gemäß der vorliegenden Erfindung durch die Auswahl einer geeigneten Ladungsmenge geändert werden kann.
  • Vorzugsweise können anstelle von lediglich 2 Isolierkörpern mehrfache Isolierkörper übereinander gestapelt werden, um die gewünschte Schwellenwert-Spannung zu erreichen. Daher kann ein Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung unterhalb der Gate-Elektrode 26 irgendeines oder einer Kombination des Folgenden einschließen: SiO2/Si3N4; SiO2/Si3N4/SiO2; SiO2/Si3N4/SiO2/Si3N4; Si3N4/SiO2; Si3N4/SiO2/Si3N4; Si3N4/SiO2/Si3N4/SiO2; oder irgendeine Kombination hiervon.
  • Es sollte verständliche sein, dass ein Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung über einem Substrat in irgendeiner bekannten Weise (beispielsweise über einem Übergangs-Körper 8, der auf einem Substrat 10 gebildet ist) als ein diskretes Leistungs-Bauteil gebildet werden kann, oder zusammen mit anderen Bauteilen auf einem gemeinsamen Substrat als Teil einer integrierten Schaltung gebildet werden kann.
  • In 3 ist ein Bauteil gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt, bei dem ein erster Isolierkörper 22 eine Vertiefung 28 einschließt, ein zweiter Isolierkörper 24 über zumindest dem Boden und den Seitenwänden der Vertiefung 28 gebildet ist und eine Gate-Elektrode 26 im inneren der zumindest einen Vertiefung 28 über dem zweiten Isolierkörper 24 gebildet werden. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Ladung zwischen dem ersten Isolierkörper 22 und dem zweiten Isolierkörper 24 vorzugsweise entlang des Bodens und der Seitenwände der Ausnehmung oder Vertiefung 28 eingefangen. Als Ergebnis wird der Bereich, der für das Einfangen der Ladung bestimmt ist, vergrößert, ohne das die laterale Fläche vergrößert wird, die von der Gate-Struktur bewegt wird.
  • Als nächstes wird auf 4 Bezug genommen, in der ein Bauteil gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt ist, bei dem eine Anzahl von mit Abstand voneinander angeordneten Vertiefungen 30 in dem ersten Isolierkörper 22 anstelle lediglich der einzigen Vertiefung gebildet ist, um den Grenzflächenbereich zwischen dem ersten Isolierkörper 22 und dem zweiten Isolierkörper 24 weiter zu vergrößern und es somit zu ermöglichen, dass eine größer Ladungs-Einfang-Kapazität zwischen den beiden Körpern geschaffen wird.

Claims (20)

  1. Halbleiter-Bauteil mit: einem ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper, der einen Bandabstand aufweist; einem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper, der einen anderen Bandabstand hat, über dem ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper zur Bildung eines zweidimensionalen Elektronen-Gases; einer ersten Leistungs-Elektrode, die mit dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper gekoppelt ist; einer zweiten Leistungs-Elektrode, die mit dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper gekoppelt ist; einen Gate-Isolierkörper über dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper; und einer Gate-Elektrode, die über dem Gate-Isolierkörper angeordnet ist, wobei der Gate-Isolierkörper eine in seinem Körper eingefangene Ladung aufweist, deren Größe so gewählt ist, dass das zweidimensionale Elektronen-Gas unterhalb der Gate-Elektrode unterbrochen wird.
  2. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 1, bei dem der erste Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper aus einer Halbleiter-Legierung aus dem InAlGaN-System besteht und der zweite Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper aus einer anderen Halbleiter-Legierung aus dem InAlGaN-System besteht.
  3. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der erste Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper aus GaN besteht, und der zweite Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper aus AIGaN besteht.
  4. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 1, bei dem der Gate-Isolierkörper aus zumindest einem Isolierkörper besteht, der benachbart zu einem anderen unterschiedlichen Isolierkörper angeordnet ist.
  5. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 4, bei dem der eine Isolierkörper aus Silizium-Nitrid besteht und der andere Isolierkörper aus Silizium-Dioxid besteht.
  6. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 1, bei dem der Gate-Isolierkörper aus abwechselnd angeordneten einen und anderen Isolierkörpern besteht.
  7. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 6, bei dem der eine Isolierkörper aus Silizium-Nitrid besteht und der andere Isolierkörper aus Silizium-Dioxid besteht.
  8. Halbleiter-Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das weiterhin ein Substrat umfasst.
  9. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 8, bei dem das Substrat Silizium umfasst.
  10. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 8, bei dem das Substrat Silizium-Karbid umfasst.
  11. Halbleiter-Bauteil nach Anspruch 8, bei dem das Substrat Saphir umfasst.
  12. Halbleiter-Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Halbleiter-Bauteil ein diskretes Leistungs-Bauteil ist.
  13. Halbleiter-Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem das Halbleiter-Bauteil eine integrierte Schaltung ist.
  14. Halbleiter-Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Ladung im dem Gate-Isolierkörper negativ ist.
  15. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauteils, mit den folgenden Schritten: Anordnen eines zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körpers mit einem anderen Bandabstand über einem ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper mit einem Bandabstand, um ein zweidimensionales Elektronen-Gas zu erhalten; Koppeln einer ersten und einer zweiten Leistungs-Elektrode mit dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper, Bilden eines geladenen Gate-Isolierkörpers mit einer in seinem Körper gefangenen Ladung über dem zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Körper; und Bilden einer Gate-Elektrode über dem geladenen Gate-Isolierkörper, wobei die Größe der Ladung so gewählt ist, dass das zweidimensionale Elektronen-Gas unterhalb der Gate-Elektrode unterbrochen wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem der Gate-Isolierkörper negativ geladen ist.
  17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, bei dem der Gate-Isolierkörper durch Bilden eines Isolierkörpers über einem anderen Isolierkörper und Anlegen einer Vorspannung an die Gate-Elektrode gebildet ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, bei dem der Gate-Isolierkörper aus einem geladenen Isolierkörper und einem anderen Isolierkörper benachbart zu dem geladenen Isolierkörper und Erhitzen des Gate-Isolierkörpers gebildet wird.
  19. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, bei dem der Gate-Isolierkörper durch Bilden eines Isolierkörpers und eines anderen Isolierkörpers benachbart zu dem einen Isolierkörper gebildet wird, wobei das Verfahren weiterhin das Implantieren von Dotierungsmitteln in zumindest einen der Isolierkörper umfasst.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem die Dotierungsmittel aus einer Gruppe ausgewählt sein können, die aus Fluor, Brom, Jod und Chlor besteht.
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