JPH10284627A - 半導体不揮発性記憶装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体不揮発性記憶装置の製造工程でしきい
値の変化が発生しないようにする。 【解決手段】半導体基板上の素子領域にトンネル酸化膜
１とシリコン窒化膜２とトップ酸化膜３とを順次重ねて
形成してメモリゲート絶縁膜を形成し、その上にメモリ
ゲート電極４を形成し、その両側に整合する素子領域に
高濃度拡散領域５を形成する。その半導体基板１４の全
面に層間絶縁膜６を形成し、それにコンタクトホールを
形成し、そのコンタクトホールを通してメモリゲート電
極４および各高濃度拡散領域５に接続する配線８Ｇ，８
Ｓ，８Ｄを形成する。さらに、その配線上を含む半導体
基板の全面に保護膜１０を形成し、その保護膜のメモリ
ゲート電極４および各高濃度拡散領域にそれぞれ対応す
る位置に入出力端子１１用の開口を形成した後、その保
護膜を高温で熱処理する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体不揮発性
記憶装置（不揮発性メモリ）の製造方法に関し、特に、
金属−酸化膜−窒化膜−酸化膜−半導体（ＭＯＮＯＳ）
構造の半導体不揮発性記憶装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電気的にデータの書き換えが可能な半導
体不揮発性記憶装置は、一般にＥＥＰＲＯＭと云われて
おり、種々のタイプのものがあるが、主なタイプとして
ＭＯＮＯＳメモリ、ＭＮＯＳメモリおよびフローティン
グゲート構造のメモリがある。

【０００３】ＭＯＮＯＳメモリは、金属−酸化膜−窒化
膜−酸化膜−半導体構造の半導体不揮発性記憶装置であ
り、信頼性が高く、データの書き換えを何度でも行なう
ことが可能であるため、特に注目をされている。このＭ
ＯＮＯＳ構造の半導体不揮発性記憶装置の構成を、その
従来の製造方法と共に図２３乃至図２５によって説明す
る。

【０００４】ＭＯＮＯＳ構造の半導体不揮発性記憶装置
を製造するには、まず始めに図２３に示すように、導電
型がＰ型のシリコンによる半導体基板１４上に、シリコ
ン窒化膜による素子分離領域１５を形成する。その後、
熱酸化法により、半導体基板１４の全面にトンネル酸化
膜１用のシリコン酸化膜を形成する。

【０００５】さらにその後、化学気相成長法によりシリ
コン窒化膜を半導体基板１４の全面に形成する。その
後、そのシリコン窒化膜を熱酸化して、トップ酸化膜３
用のシリコン酸化膜を形成する。次に、化学気相成長法
により、メモリゲート電極４用の多結晶ポリシリコン膜
を半導体基板１４の全面に形成する。

【０００６】その後、感光性樹脂（図示せず）をパター
ン形成する。そして、その感光性樹脂をエッチングマス
クに用いて、上記多結晶ポリシリコン膜，シリコン酸化
膜，シリコン窒化膜，およびシリコン酸化膜を順次エッ
チングして、メモリゲート電極４と、トップ酸化膜３,
シリコン窒化膜２,およびトンネル酸化膜１からなるメ
モリゲート絶縁膜２０を図２３に示すようにパターン形
成する。その後、エッチングマスクとして用いた感光性
樹脂を除去する。

【０００７】ここで、トンネル酸化膜１は、電子または
ホールを注入または放出するための絶縁膜である。ま
た、シリコン窒化膜２は、トンネル酸化膜１を介して注
入された電子またはホールを捕獲する機能を有する絶縁
膜である。さらに、トップ酸化膜３は、半導体不揮発性
記憶装置が書き込みまたは消去動作をするときに、メモ
リゲート電極４からの電子またはホールの注入を阻止す
る機能を有する。その後、メモリゲート電極４の両側と
素子分離領域１５とに整合する半導体基板１４の素子領
域内の所定領域にリンをイオン注入して、高濃度拡散領
域５，５を形成する。

【０００８】次に、図２４に示すように、シリコン酸化
膜からなる層間絶縁膜６を化学気相成長（ＣＶＤ）法に
より、半導体基板１４の全面に形成する。そして、感光
性樹脂（図示せず）をパターン形成、その感光性樹脂を
エッチングマスクに用いて、層間絶縁膜６のエッチング
処理を行ない、コンタクトホール７を形成する。その
後、このエッチングマスクとして用いた感光性樹脂を除
去する。

【０００９】次に、スパッタリング法を用いて、アルミ
ニウムからなる配線材料をコンタクトホール７内も含む
半導体基板１４の全面に形成する。そして、感光性樹脂
（図示せず）をパターン形成し、その感光性樹脂をエッ
チングマスクに用いて配線材料をプラズマエッチング
し、メモリゲート電極４と各高濃度拡散領域５，５の露
出部にそれぞれコンタクトホール７を通して接続するよ
うにゲート配線８Ｇ，ソース配線８Ｓ，およびドレイン
配線８Ｄを形成する。

【００１０】その後、エッチングマスクとして用いた感
光性樹脂を除去し、水素雰囲気中でその配線の熱処理を
行ない、配線８Ｓ，８Ｄと高濃度拡散領域５とのコンタ
クト抵抗を下げる。次に、図２５に示すように、半導体
基板１４の全面にプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法に
よりシリコン窒化膜による保護膜１０を形成する。その
後、各配線８Ｇ，８Ｓ，８Ｄがそれぞれ外部装置と接続
できるようにするために、ホトエッチング法により保護
膜１０に開口１０ａを形成し、各配線８Ｇ，８Ｓ，８Ｄ
の入出力端子部１１を露出させる。

【００１１】なお、図２５にはソース配線８Ｓの入出力
端子部１１とそのための開口１０ａだけが示されている
が、ゲート配線８Ｇおよびドレイン配線８Ｄの入出力端
子部とその開口は、図２５とは異なる断面位置に形成さ
れる。この保護膜１０に開口を形成する工程によって、
半導体不揮発性記憶装置を完成することができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のＭＯＮＯＳ構造の半導体不揮発性記憶装置の
製造方法によれば、配線材料のエッチング処理工程や保
護膜形成工程、あるいは保護膜のエッチング処理工程に
て、半導体不揮発性記憶装置がダメージを受けることに
なる。このダメージは、配線材料のプラズマエッチング
処理工程や、保護膜形成時のプラズマ化学気相成長法、
あるいは保護膜のプラズマエッチング処理工程により発
生する。

【００１３】すなわち、プラズマによって、エッチング
ガスや保護膜形成材料ガスが正の電荷や負の電荷に分解
され、エッチング処理時や保護膜形成時に、この正電荷
又は負電荷がメモリゲト電極４にチャージアップされ
る。メモリゲート電極４に正電荷がチャージアップされ
ると、半導体基板１４から電子がメモリゲート絶縁膜２
０にトラップされ、これとは逆に、メモリゲート電極４
に負電荷がチャージアップされると、半導体基板１４か
らホールがメモリゲート絶縁膜２０にトラップされる。

【００１４】このように半導体不揮発性記憶装置がチャ
ージアップされると、メモリゲート電極４に書き込みま
たは消去電圧に相当する電圧が印加されたのと同様な現
象が生じる。すなわち、メモリゲート絶縁膜２０中に電
子またはホールを捕獲することにより、半導体不揮発性
記憶装置のしきい値電圧の変化が発生する。このしきい
値電圧の変化により、書き込みまたは消去時のしきい値
電圧も変化することになる。そのため、半導体不揮発性
記憶装置が正常な書き込み又は消去動作ができなくなる
ことがあり、不良の原因となる。

【００１５】この発明は、上述のような半導体不揮発性
記憶装置において、その製造工程でしきい値電圧の変化
が発生しないようにすることを目的とし、そのための半
導体不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明による半導体不揮発性記憶装置の製造方法
は、半導体基板上に素子領域と素子分離領域とを形成す
る工程と、その半導体基板の素子領域上に、トンネル酸
化膜とシリコン窒化膜とトップ酸化膜とを順次重ねて形
成してメモリゲート絶縁膜を形成する工程と、該メモリ
ゲート絶縁膜上にメモリゲート電極を形成する工程と、
該メモリゲート電極の両側に整合する半導体基板の素子
領域に高濃度拡散領域を形成する工程とを有する。

【００１７】さらに、上記メモリゲート電極上を含む半
導体基板の全面に層間絶縁膜を形成する工程と、該層間
絶縁膜の上記メモリゲート電極および各高濃度拡散領域
にそれぞれ対応する位置にコンタクトホールを形成する
工程と、該コンタクトホールを通して上記メモリゲート
電極および各高濃度拡散領域にそれぞれ接続する配線を
形成する工程と、該配線上を含む半導体基板の全面にプ
ラズマ化学気相成長法によって保護膜を形成する工程
と、該保護膜の上記メモリゲート電極および各高濃度拡
散領域にそれぞれ対応する位置にプラズマエッチングに
よって入出力端子用の開口を形成する工程と、上記保護
膜を熱処理する工程とを有する。

【００１８】この半導体不揮発性記憶装置の製造方法に
おいて、上記配線を形成する工程に続いて、その配線を
熱処理する工程を有し、上記保護膜を熱処理する工程で
は、上記配線を熱処理する工程における熱処理温度より
高い温度で熱処理するとよい。

【００１９】その場合、配線を熱処理する工程では、該
配線をおよそ３８０℃の水素雰囲気中にて熱処理し、保
護膜を熱処理する工程では、該保護膜をおよそ４２５℃
の窒素雰囲気中にて熱処理するとよい。この保護膜を熱
処理する工程では、配線が溶融しない範囲でなるべく高
い温度、すなわち配線材料の融点温度よりやや低い温度
で熱処理するのが望ましい。

【００２０】このように、半導体不揮発性記憶装置の製
造工程において、保護膜を形成した後高温で熱処理を行
なうことにより、その保護膜の形成時およびプラズマエ
ッチングにより入出力端子部用の開口を形成する際など
にメモリゲート絶縁膜中に捕獲された電子またはホール
を放出させて、ダメージを回復することが可能になる。
その結果、しきい値電圧が変化が発生しない安定した半
導体不揮発性装置を得ることができる。

【００２１】また、上記半導体不揮発性記憶装置の製造
方法におけるメモリゲート電極の両側に整合する半導体
基板の素子領域に高濃度拡散領域を形成する工程に代え
て、次の各工程を実行するようにしてもよい。

【００２２】すなわち、メモリゲート電極の両側に整合
する半導体基板の素子領域に低濃度拡散領域を形成する
工程と、上記メモリゲート電極とメモリゲート絶縁膜の
両側面にサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、該両
側面のサイドウォール絶縁膜に覆われた部分以外の上記
半導体基板の各低濃度拡散領域に高濃度拡散領域を形成
する工程、

【００２３】さらに、これらの半導体不揮発性記憶装置
の製造方法において、半導体基板の素子領域上にメモリ
ゲート絶縁膜を形成する工程で、トンネル窒化酸化膜と
シリコン窒化膜とトップ酸化膜とを順次重ねて形成して
メモリゲート絶縁膜を形成するようにしてもよい。

【００２４】また、上記半導体不揮発性記憶装置の製造
方法において、保護膜を形成する工程で、配線上を含む
半導体基板の全面にリンを含んだシリコン酸化膜による
第１の保護膜を形成し、その第１の保護膜上にシリコン
窒化膜による第２の保護膜を形成するようにしてもよ
い。その場合、保護膜に入出力端子用の開口を形成する
工程で、第１の保護膜の開口内周面を第２の保護膜で被
覆した開口を形成するようにするとよい。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、この発明による半導体不揮
発性記憶装置の製造方法の実施の形態を図面に基づいて
説明する。

【００２６】〔第１の実施形態：図１から図１２〕この
発明による半導体不揮発性記憶装置の製造方法の第１の
実施形態を、図１から図１２を用いて説明する。図１か
ら図１２はその半導体不揮発性記憶装置の製造方法を工
程順に示す模式的な断面図である。

【００２７】まず、図１に示すように、導電型がＰ型の
半導体（シリコン）基板１４上に、反応ガスにジクロル
シラン（ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂）とアンモニア（ＮＨ₃）とを用
いた化学気相成長法（ＣＶＤプロセス）により、シリコ
ン窒化膜１６を半導体基板１４の全面に形成する。この
シリコン窒化膜１６は膜厚１５０ｎｍに形成する。その
後、感光性樹脂１７を回転塗布法により半導体基板１４
の全面に形成する。そして、所定のホトマスクを用いて
露光および現像処理を行ない、その感光性樹脂１７を図
１に示すように素子領域Ｄａ上に残存するようにパター
ン形成する。

【００２８】次に、このパターン形成した感光性樹脂を
エッチングマスクとして使用し、反応ガスに六フッ化イ
オウ（ＳＦ₆）と、三フッ化メタン（ＣＨＦ₃）と、ヘリ
ウム（Ｈｅ）を用いた反応性(reactive)イオンエッチン
グ法により、図２に示すように、シリコン窒化膜１６が
半導体基板１４の素子領域Ｄａ上にのみ残るようにパタ
ーニングする。そして、このエッチングマスクとして使
用した感光性樹脂を１５０℃の熱硫酸の中に浸漬して除
去する。

【００２９】その後、水蒸気添加した酸素雰囲気中で、
温度１０００℃の酸化処理を行ない、図３に示すよう
に、膜厚が７１０ｎｍの酸化シリコン膜からなる素子分
離領域１５を、半導体基板１４の素子領域Ｄａの周囲に
選択的に形成する。このとき、シリコン窒化膜１６は耐
酸化膜として機能し、このシリコン窒化膜を形成してい
ない領域に素子分離領域１５が形成される。

【００３０】そして、耐酸化膜として用いたシリコン窒
化膜１６を、温度１８０℃に加熱した熱リン酸を用いて
除去すると、図４に示すようになる。この半導体基板１
４のシリコン酸化膜からなる素子分離領域１５が形成さ
れていない領域が素子領域である。

【００３１】次に、図５に示すように、酸素雰囲気中で
温度９００℃の熱酸化を行ない、半導体基板１４上にト
ンネル酸化膜用のシリコン酸化膜２１を、膜厚２．２ｎ
ｍに形成する。その後、ジクロルシラン（ＳｉＨ₂Ｃ
ｌ₂）とアンモニア（ＮＨ₃）とを反応ガスとして使用し
た化学気相成長法によって、シリコン酸化膜２１上にシ
リコン窒化膜２２を、膜厚１２ｎｍに形成する。

【００３２】さらに、水蒸気雰囲気中で、温度９５０℃
の条件でシリコン窒化膜２２の酸化処理を行ない、シリ
コン窒化膜２２上にトップ酸化膜用のシリコン酸化膜２
３を、膜厚４．５ｎｍに形成する。次に、反応ガスにモ
ノシラン（ＳｉＨ₄ ）を用いた化学気相成長法により、
メモリゲート電極用の多結晶シリコン膜２４を、シリコ
ン酸化膜２３上の全面に膜厚４５０ｎｍに形成する。

【００３３】その後、感光性樹脂２５を回転塗布法によ
り半導体基板１４上の多結晶シリコン膜２４の全面に形
成する。そして、所定のホトマスクを用いて露光処理と
現像処理を行ない、感光性樹脂を図５に示すようにメモ
リゲート電極を設ける領域上に残存するようにパターン
形成する。

【００３４】次に、この感光性樹脂をエッチングマスク
として使用し、反応ガスとして六フッ化イオウ（Ｓ
Ｆ₆）と塩素（Ｃｌ₂）と二フッ化メタン（ＣＨ₂Ｆ₂）を
用いた反応性イオンエッチング法により、多結晶シリコ
ン膜２４をエッチングして、図６に示すメモリゲート電
極４を、半導体基板１４上の素子領域の中央部に所定の
大きさで形成する。

【００３５】その後、エッチング液としてフッ酸（Ｈ
Ｆ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）の混合水溶液を
用いたウェットエッチング法により、シリコン酸化膜２
３をエッチングして、図６に示すトップ酸化膜３をパタ
ーン形成する。さらに、四フッ化炭素（ＣＦ₄）とヘリ
ウム（Ｈｅ）と三フッ化臭化炭素（ＣＢｒＦ₃)とを反応
ガスに用いる反応性イオンエッチング法により、シリコ
ン窒化膜２２をエッチングして、図６に示すシリコン窒
化膜２をパターン形成する。

【００３６】その後さらに、エッチング液としてフッ酸
（ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）の混合水溶
液を用いたウェットエッチング法により、シリコン酸化
膜２１をエッチングして、図６に示すトンネル酸化膜１
をパターン形成する。その後、これらのエッチングマス
クとして使用した感光性樹脂を、温度１５０℃に加熱し
た熱硫酸により除去する。

【００３７】ここで、トンネル酸化膜１は、電子または
ホールを注入または放出する機能を有する絶縁膜であ
る。また、シリコン窒化膜２は、トンネル酸化膜１を介
して注入された電子またはホールを捕獲する機能を有す
る絶縁膜である。トップ酸化膜３は、半導体不揮発性記
憶装置が、書き込みまたは消去動作をするとき、メモリ
ゲート電極４からの電子又はホールの注入を阻止する機
能を有する。

【００３８】次に、導電型がＮ型の不純物であるリン
を、加速エネルギー５０ｋｅＶにおいて、イオン注入量
３．５×１０¹⁵ atoms／ｃｍ² の条件でイオン注入し、
メモリゲート電極４の両側と素子分離領域１５とに整合
する半導体基板１４の素子領域内の所定領域に、高濃度
拡散領域５，５を形成する。

【００３９】その後、反応ガスにモノシラン（Ｓｉ
Ｈ₄）とホスフィン（ＰＨ₃）とジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）とを
用いた化学気相成長法により、図７に示すように、リン
（Ｐ）およびボロン（Ｂ）を含んだシリコン酸化膜であ
るＢＰＳＧからなる層間絶縁膜６を、半導体基板１４上
の全面に形成する。この層間絶縁膜６は５５０ｎｍの膜
厚で形成する。

【００４０】そして、窒素雰囲気中において温度９００
℃で３０分間の熱処理を行ない、ＢＰＳＧからなる層間
絶縁膜６を粘性流動させる、いわゆるリフローを行な
い、層間絶縁膜６を平坦化する。この熱処理によって、
層間絶縁膜６の平坦化処理と同時に、高濃度拡散領域５
の不純物が横方向に拡散して、メモリゲート電極４の下
部領域にまで高濃度拡散領域５を形成することができ
る。

【００４１】次に、感光性樹脂２６を回転塗布法により
半導体基板１４上の層間絶縁膜６の全面に形成する。そ
して、所定のホトマスクを用いて露光処理と現像処理と
を行ない、図７に示すように、感光性樹脂２６のコンタ
クトホールを形成する部分に開口２６ａ，２６ｂ，２６
ｃを形成する。

【００４２】その後、この感光性樹脂２６をエッチング
マスクとして使用して、反応ガスに二フッ化メタン（Ｃ
Ｈ₂Ｆ₂）と、三フッ化メタン(ＣＨＦ₃）とを用いた反応
性イオンエッチング法により、図８に示すように、層間
絶縁膜６のメモリゲート電極４および各高濃度拡散領域
５，５に対応する位置にコンタクトホール７を開口する
ようにエッチングする。その後、このエッチングマスク
として使用した感光性樹脂を、温度１５０℃に加熱した
熱硫酸により除去する。

【００４３】次に、図９に示すように、スパッタリング
法を用いてアルミニウからなる配線材料８を層間絶縁膜
６上に膜厚１μｍに形成し、各コンタクトホール内にも
形成して、その配線材料８とメモリゲート電極４および
各高濃度拡散領域５，５とを接続する。その後、感光性
樹脂（図示せず）を回転塗布法により配線材料８の全面
に形成し、所定のマスクを用いて露光と現像処理を行な
い、感光性樹脂を配線形成領域上に残存するようにパタ
ーン形成する。

【００４４】そして、その感光性樹脂をエッチングマス
クとし使用し、反応ガスに三塩化ホウ素（ＢＣｌ₃）と
臭化水素(ＨＢｒ）とを用いた反応性イオンエッチング
法により、配線材料８をプラズマエッチングして、図１
０に示すように、メモリゲート電極４と各高濃度拡散領
域５，５の露出部にそれぞれコンタクトホール７を通し
て接続するように、ゲート配線８Ｇ，ソース配線８Ｓ，
およびドレイン配線８Ｄを形成する。その後、エッチン
グマスクとして使用した感光性樹脂を硝酸により除去す
る。

【００４５】次に、温度がおよそ３８０℃の水素雰囲気
中において、配線８Ｇ，８Ｓ，８Ｄの熱処理を行なう。
この配線の熱処理は、配線８Ｓ，８Ｄと各高濃度拡散領
域５，５との接続抵抗の低減、および配線材料８をスパ
ッタによって堆積させた時のピンホール等の欠陥を改善
することを目的として行なう。

【００４６】次に、反応ガスにジシラン（Ｓｉ₃Ｈ₄）と
アンモニア(ＮＨ₃）を用いたプラズマ化学気相成長法に
より、図１１に示すように、シリコン窒化膜（ＳＩＮ）
からなる保護膜１０を半導体基板１４の全面に形成す
る。この保護膜１０は、膜厚８００ｎｍで形成する。そ
の後、感光性樹脂（図示せず）を回転塗布法によりこの
保護膜１０の全面に形成し、所定のホトマスクを用いて
露光処理と現像処理を行ない、その感光性樹脂をパター
ン形成し、各配線８Ｇ，８Ｓ，８Ｄの入出力端子部に対
応する部分に開口を形成する。

【００４７】そして、この感光性樹脂をエッチングマス
クとして使用し、反応ガスとして四フッ化炭素（Ｃ
Ｆ₄）と酸素（Ｏ₂）を用いた反応性イオンエッチング法
により、保護膜１０をプラズマエッチングして、図１２
に示すように各配線８Ｇ，８Ｓ，８Ｄの入出力端子部１
１に対応する位置に開口１０ａを形成し、入出力端子部
１１を露出させる。なお、図１２にはソース配線８Ｓの
入出力端子部１１とそのための開口１０ａだけが示され
ているが、ゲート配線８Ｇおよびドレイン配線８Ｄの入
出力端子部とその開口は、図１２とは異なる断面位置に
形成される。その後、エッチングマスクとして使用した
感光性樹脂を、硝酸を用いて除去する。

【００４８】最後に、温度４２５℃の窒素雰囲気中で保
護膜１０の熱処理を行なって、半導体不揮発性記憶装置
を完成する。この半導体不揮発性記憶装置の製造方法に
よれば、保護膜１０を形成した時のプラズマ化学気相成
長法によるプラズマによるダメージ、あるいは保護膜１
０のプラズマエッチングによるダメージにより、メモリ
ゲート絶縁膜２０（図６参照）中に捕獲された電子また
はホールを、保護膜１０の熱処理により放出させてダメ
ージを回復することができる。

【００４９】さらに、この保護膜１０の熱処理温度は、
配線材料８の熱処理温度（前述の例ではおよそ３８０
℃）よりも高温（前述の例ではおよそ４２５℃）である
ため、配線材料８のエッチングの際に発生し、その後の
配線の熱処理において取り除くことができなかった半導
体不揮発性記憶装置のダメージを回復することができ
る。

【００５０】したがって、半導体不揮発性記憶装置のし
きい値電圧は、このダメージの回復により電子またはホ
ールの捕獲がない安定状態となり、書き込み電圧の変動
や消去電圧の変動のない半導体不揮発性記憶装置を得る
ことができる。この保護膜の熱処理温度は、配線が溶融
しない範囲でなるべく高い方が有効であるので、配線材
料が溶融する温度よりやや低い温度で熱処理するのが望
ましい。

【００５１】なお、上述の実施例では、半導体基板１４
の素子領域上にメモリゲート絶縁膜２０を形成する工程
で、トンネル酸化膜１をシリコン酸化膜で形成してい
る。しかしながら、トンネル酸化膜１を、シリコン酸化
膜を温度９５０℃の窒素雰囲気中で熱処理する熱窒化処
理により形成するトンネル窒化酸化膜としてもよい。そ
の場合は、半導体基板１４の素子領域上にトンネル窒化
酸化膜とシリコン窒化膜とトップ酸化膜とを順次重ねて
形成して、メモリゲート絶縁膜を形成する。その後の各
工程の処理は前述の実施例の場合と全く同じである。

【００５２】このように、トンネル酸化膜としてトンネ
ル窒化酸化膜を用いると、半導体基板からのデータ書き
込み時の電子注入あるいは消去時のホール（正孔）注入
が起きやすくなるため、書き込み及び消去を高速で行な
うことが可能になる。特に、消去時のホールの注入を速
める効果が大きい。

【００５３】〔２層の保護膜を形成する例：図１３から
図１６〕前述の実施形態においては、半導体不揮発性記
憶装置の表面を覆う保護膜として、シリコン窒化膜（Ｓ
ＩＮ）による１層の保護膜を形成したが、これに代えて
２層の保護膜を形成して、半導体不揮発性記憶装置の信
頼性を一層高めるようにすることもできる。その場合
の、保護膜の形成工程およびその保護膜に入出力端子用
の開口を形成する工程について、図１３から図１６を用
いて説明する。

【００５４】前述の実施形態の図１０に示すように、配
線８Ｇ，８Ｓ，８Ｄを形成した後、これらの配線を共通
の配線材料８で示す図１３に示すように、反応ガスにモ
ノシラン(ＳｉＨ₄）とホスフィン（ＰＨ₃）と、酸素
（Ｏ₂）とを用いたプラズマ化学気相成長法により、リ
ンを含んだシリコン酸化膜(ＰＳＧ）からなる第１の保
護膜９を配線材料８の全面に形成する。この場合の第１
の保護膜９は膜厚４００ｎｍで形成する。

【００５５】その後、感光性樹脂３０を回転塗布法によ
りその第１の保護膜９の全面に形成する。そして、所定
のホトマスクを用いて露光処理と現像処理を行ない、図
１３に示すように配線材料８の入出力端子部に対応する
部分に開口３０ａを設けるように、感光性樹脂３０をパ
ターン形成する。

【００５６】次に、この感光性樹脂３０をエッチングマ
スクとし使用し、エッチング液としてフッ酸（ＨＦ）と
フッ化アンモニウム(ＮＨ₄Ｆ)の混合水溶液と、酢酸(Ｃ
Ｈ₃ＣＯＯＨ）とを用いたウェットエッチング法によ
り、ＰＳＧからなる第１の保護膜９のエッチングを行な
い、図１４に示すように、外部装置と配線を接続するた
めの入出力端子部１１用の開口９ａを形成する。

【００５７】このウエットエッチングでは、エッチング
が等方的に進行し、第１の保護膜９は感光性樹脂３０か
ら露出した部分だけでなく、感光性樹脂３０に覆われた
部分にも幾分入り込んだ開口９ａを形成する。すなわ
ち、感光性樹脂３０の開口の大きさより大きな開口９ａ
を保護膜９に形成できる。その後、エッチングマスクと
して使用した感光性樹脂３０を硝酸により除去する。

【００５８】次に、反応ガスにジシラン（Ｓｉ₃Ｈ₄）と
アンモニア(ＮＨ₃）を用いたプラズマ化学気相成長法に
より、図１５に示すように、シリコン窒化膜（ＳＩＮ）
からなる第２の保護膜１０を第１の保護膜９および配線
材料８の露出部の全面に形成する。この第２の保護膜１
０は膜厚４００ｎｍで形成する。この第２の保護膜１０
は、第１の保護膜９の開口９ａの内周面をも被覆するよ
うに形成される。

【００５９】その後、感光性樹脂３１を回転塗布法によ
り第２の保護膜１０の全面に形成し、図１３に示した感
光性樹脂３０をパターン形成したときに使用したフォト
マスクと同じホトマスクを用いて露光処理と現像処理を
行ない、図１５に示すように配線材料８の入出力端子部
に対応する部分に開口３１ａを設けるように、感光性樹
脂３１をパターン形成する。

【００６０】そして、この感光性樹脂３１をエッチング
マスクとして使用し、反応ガスとして四フッ化炭素（Ｃ
Ｆ₄）と酸素（Ｏ₂）を用いた反応性イオンエッチング法
により、第２の保護膜１０をプラズマエッチングして、
図１６に示すように、外部装置と配線を接続するための
入出力端子部１１用の開口１０ａを形成する。このと
き、第２の保護膜１０により第１の保護膜９の開口９ａ
の内周面を被覆している部分は、感光性樹脂３１に被覆
されているため、エッチングによって除去されずに残
る。その後、エッチングマスクとして使用した感光性樹
脂３１を硝酸を用いて除去する。

【００６１】このように、第１の保護膜９をウエットエ
ッチングして開口９ａを形成し、第２の保護膜１０をド
ライエッチングして開口１０ａを形成することにより、
エッチングマスクとして使用する感光性樹脂のパターニ
ングに同一のホトマスクを使用して、第１の保護膜９の
開口９ａの内周面を第２の保護膜１０で被覆することが
できる。

【００６２】ＰＳＧによる第１の保護膜９は、ＳＩＮに
よる第２の保護膜１０の応力を緩和する機能があるが、
吸湿性があるため、第２の保護膜１０によって完全に被
覆することによって半導体不揮発性記憶装置の信頼性が
向上する。しかし、２層の保護膜９，１０を形成した
後、一括してドライエッチングして、入出力端子部１１
用の開口を形成するようにしても、デバイスの特性上特
に問題はない。

【００６３】〔第２の実施形態：図１７から図２２〕次
に、図１７から図２２を用いてこの発明による半導体不
揮発性記憶装置の製造方法の第２の実施形態を説明す
る。図１７から図２２はその半導体不揮発性記憶装置の
製造方法を工程順に示す模式的な断面図であるが、途中
までの工程は前述した第１の実施形態と同じなので、図
示を省略している。

【００６４】すなわち、図１７に示すように、導電型が
Ｐ型の半導体（シリコン）基板１４上に素子領域とそれ
を囲むようにシリコン酸化膜からなる素子分離領域１５
を形成する工程と、その素子領域上に、トンネル酸化膜
１とシリコン窒化膜２とトップ酸化膜３とを順次重ねて
形成してメモリゲート絶縁膜２０を形成する工程と、そ
のメモリゲート絶縁膜２０上に多結晶シリコン膜による
メモリゲート電極４を形成する工程は、図１から図６を
用いて説明した第１実施形態の各工程と全く同じであ
る。

【００６５】このようにして図１７に示すように、半導
体基板１４の素子領域の中央部にメモリゲート絶縁膜２
０を介してメモリゲート電極４を形成した後、導電型が
Ｎ型の不純物であるリンを加速エネルギー２５ｋｅＶに
おいて、イオン注入量１．５×１０¹³ atoms／ｃｍ² の
条件でイオン注入し、メモリゲート電極４の両側と素子
分離領域１５，１５とに整合する各領域の半導体基板１
４に低濃度拡散領域１２，１２を形成する。

【００６６】次に、モノシラン(ＳｉＨ₄)と、ホスフィ
ン(ＰＨ₃）を反応ガスに用いた化学気相成長法により、
図１８に示すように、リンを含んだシリコン酸化膜であ
るＰＳＧからなる絶縁膜１３を半導体基板１４の全面に
形成する。この絶縁膜１３は４００ｎｍの膜厚で形成す
る。

【００６７】その後、図１８の上方から反応ガスに三フ
ッ化メタン(ＣＨＦ₃）と二フッ化メタン（ＣＨ₂Ｆ₂）を
用いた反応性イオンエッチング法により、ＰＳＧの絶縁
膜１３をエッチングしてその大部分を除去するが、その
厚さの違いによって、図１９に示すようにメモリゲート
電極４とメモリゲート絶縁膜２０の両側面に、ＰＳＧか
らなるサイドウォール絶縁膜３３を形成する。

【００６８】次に、導電型がＮ型の不純物であるリンを
加速エネルギー５０ｋｅＶにおいて、イオン注入量３．
５×１０¹⁵ atoms／ｃｍ² の条件でイオン注入し、メモ
リゲート電極４とメモリゲート絶縁膜２０の両側面のサ
イドウォール絶縁膜３３，３３に覆われた部分以外の半
導体基板１４の各低濃度拡散領域１２，１２に、図１９
に示すように高濃度拡散領域５，５を形成する。したが
って、一対のサイドウオール絶縁膜３３，３３に覆われ
た部分だけは低濃度拡散領域１２，１２が残る。

【００６９】その後、反応ガスにモノシラン（Ｓｉ
Ｈ₄）とホスフィン（ＰＨ₃）とジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用
いた化学気相成長法により、図２０に示すように、リン
およびボロンを含んだシリコン酸化膜からなるＢＰＳＧ
である層間絶縁膜６を、半導体基板１４上の全面に形成
する。この層間絶縁膜６は５５０ｎｍの膜厚で形成す
る。そして、窒素雰囲気中において温度９００℃で３０
分間の条件で熱処理を行ない、ＢＰＳＧの層間絶縁膜６
を粘性流動させる、いわゆるリフローを行なって層間絶
縁膜６を平坦化する。

【００７０】次いで、感光性樹脂（図示せず）を回転塗
布法により層間絶縁膜６の全面に形成し、所定のホトマ
スクを用いて露光処理と現像処理を行ない、その感光性
樹脂をコンタクトホール形成領域以外の層間絶縁膜６上
に残存するようにパターン形成する。

【００７１】その後、この感光性樹脂をエッチングマス
クとして使用し、反応ガスに二フッ化メタン（ＣＨ
₂Ｆ₂）と、三フッ化メタン(ＣＨＦ₃）を用いた反応性イ
オンエッチング法により、層間絶縁膜６にコンタクトホ
ール７を開口するようにエッチングする。そして、この
エッチングマスクとして使用した感光性樹脂を温度１５
０℃に加熱した熱硫酸により除去する。図２０はこの状
態を示している。

【００７２】次に、スパッタリング法を用いてアルミニ
ウムからなる配線材料を各コンタクトホール７内および
層間絶縁膜６上に膜厚１μｍで形成し、その配線材料と
メモリゲート電極４および高濃度拡散領域５，５をそれ
ぞれコンタクトホール７を通して接続させる。その後、
感光性樹脂（図示せず）を回転塗布法により配線材料の
全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光処理と現
像処理を行ない、その感光性樹脂を配線形成領域上に残
存するようにパターン形成する。

【００７３】そして、この感光性樹脂をエッチングマス
クとし使用し、反応ガスに三塩化ホウ素(ＢＣｌ₃）と、
臭化水素（ＨＢｒ）とを用いた反応性イオンエッチング
法により、配線材料８をパターン形成する。それによっ
て、メモリゲート電極４および各高濃度拡散領域５，５
とそれぞれ接続するゲート配線８Ｇ，ソース配線８Ｓ，
およびドレイン配線８Ｄを形成する。図２１はこの状態
を示している。その後、エッチングマスクとして使用し
た感光性樹脂を硝酸により除去する。

【００７４】次に、温度がおよそ３８０℃の水素雰囲気
中において配線の熱処理を行なう。この配線の熱処理
は、配線８Ｓ，８Ｄと高濃度拡散領域５，５との接続抵
抗の低減と、配線材料を層間絶縁膜上にスパッタによっ
て堆積形成したときの欠陥を改善することを目的として
行なう。

【００７５】次に、反応ガスにモノシラン(ＳｉＨ₄）と
ホスフィン(ＰＨ₃)と酸素(Ｏ₂)とを用いた化学気相成長
法により、図２２に示すように、リンを含んだシリコン
酸化膜（ＰＳＧ）からなる第１の保護膜９を半導体基板
１４上の全面に形成する。この第１の保護膜９は膜厚４
００ｎｍで形成する。その後、感光性樹脂（図示せず）
を回転塗布法により第１の保護膜９の全面に形成し、所
定のホトマスクを用いて露光処理と現像処理とを行な
い、感光性樹脂をパターン形成する。

【００７６】次に、その感光性樹脂をエッチングマスク
として使用し、エッチング液としてフッ酸(ＨＦ)とフッ
化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）の混合水溶液と酢酸(ＣＨ₃
ＣＯＯＨ)を用いたウェットエッチング法によって、Ｐ
ＳＧからなる第１の保護膜９のエッチングを行なう、そ
れによって、外部装置と配線８Ｇ，８Ｓ，８Ｄを接続す
るための入出力端子部１１を露出させるための開口９ａ
を形成する。その後、エッチングマスクとして使用した
感光性樹脂を硝酸に浸漬することにより除去する。

【００７７】次に、反応ガスにジシラン（Ｓｉ₃Ｈ₄）と
アンモニア(ＮＨ₃）を用いたプラズマ化学気相成長法に
より、シリコン窒化膜（ＳＩＮ）からなる第２の保護膜
１０を第１の保護膜９の全面に形成する。この第２の保
護膜１０は膜厚４００ｎｍで形成する。その後、感光性
樹脂（図示せず）を回転塗布法により第２の保護膜１０
の全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光処理と
現像処理とを行ない、感光性樹脂をパターン形成する。

【００７８】つぎに、この感光性樹脂をエッチングマス
クとして使用し、反応ガスに四フッ化炭素(ＣＦ₄）と酸
素（Ｏ₂）を用いた反応性イオンエッチング法によっ
て、ＳＩＮからなる第２の保護膜１０のプラズマエッチ
ングを行なう。それによって、外部装置と配線８Ｇ，８
Ｓ，８Ｄを接続するための入出力端子部１１を露出させ
るための開口９ａを形成する。その後、エッチングマス
クとして使用した感光性樹脂を硝酸により除去する。

【００７９】この場合も、第１の保護膜９をウエットエ
ッチングして開口９ａを形成し、第２の保護膜１０をド
ライエッチングして開口１０ａを形成するので、エッチ
ングマスクとして使用する感光性樹脂のパターニングに
同一のホトマスクを使用して、第１の保護膜９の開口９
ａの内周面を第２の保護膜１０で被覆することができ
る。それによつて、吸湿性があるＰＳＧによる第１の保
護膜を、ＳＩＮによる第２の保護膜１０によって完全に
被覆して、半導体不揮発性記憶装置の信頼性を向上させ
ることができる。

【００８０】しかし、２層の保護膜９，１０を形成した
後、一括してドライエッチングして、入出力端子部１１
用の開口を形成するようにしてもよいし、第１実施例の
図１２に示したように、第２の保護膜１０と同じＳＩＮ
による保護膜のみを厚さ８００ｎｍに形成してもよい。
そして、このように第１，第２の保護膜９，１０を形成
して、入出力端子部１１用の開口９ａ，１０ａを形成し
た後、温度がおよそ４２５℃の窒素雰囲気中で、第２の
保護膜１０の熱処理を行なう。

【００８１】この熱処理によって、第２の保護膜１０を
形成する時のプラズマ化学気相成長法によるプラズマに
よるダメージや、第２の保護膜１０のプラズマエッチン
グによるダメージにより、半導体不揮発性記憶装置のメ
モリゲート絶縁膜２０（図１７参照）に捕獲された電子
またはホールを放出させて、ダメージを回復することが
できる。

【００８２】さらに、この第２の保護膜１０の熱処理温
度を、配線材料の熱処理温度よりも高温にすることによ
り、配線材料のエッチングの際に発生し、配線の熱処理
において取り除くことができなかった半導体不揮発性記
憶装置のダメージも回復することができる。したがっ
て、半導体不揮発性記憶装置のしきい値電圧は、このダ
メージの回復により電子またはホールの捕獲のない安定
状態となり、書き込み電圧及び消去電圧の変動がない半
導体不揮発性記憶装置を得ることができる。

【００８３】なお、この保護膜の熱処理温度は、配線が
溶融しない範囲でなるべく高い方が有効であるので、配
線材料が溶融する温度よりやや低い温度で熱処理するの
が望ましい。上述の例では、およそ４２５℃の窒素雰囲
気中で保護膜の熱処理を行なっている。

【００８４】さらに、この第２実施例では、メモリゲー
ト電極４の両側（サイドウオール絶縁膜３３，３３の
下）の高濃度拡散領域５，５との間に低濃度拡散領域１
２，１２を形成しているので、チャネル間の電流リーク
を防止でき、耐電圧（ドレイン・ブレークダウン電圧）
をたかめ、最大動作電圧を高くすることができる。 こ
れは、チャネル長（高濃度拡散領域５，５間の距離）が
短い半導体不揮発性記憶装置の場合には特に有利であ
る。

【００８５】また、上記第２の実施形態でも、半導体不
揮発性記憶装置のメモリゲート絶縁膜の最下層のトンネ
ル酸化膜１は、シリコン酸化膜で形成しているが、これ
をシリコン酸化膜を温度９５０℃で熱窒化処理して形成
するトンネル窒化酸化膜としてもよい。

【００８６】

【発明の効果】以上説明してきたように、この発明によ
る半導体不揮発性装置の製造方法によれば、ＭＯＮＯＳ
構造の半導体不揮発性記憶装置の保護膜を形成した後、
高温で熱処理を行なうことにより、メモリゲート絶縁膜
中に捕獲された電子またはホールを放出させてダメージ
を回復することが可能になる。その結果、しきい値電圧
に変化が発生せず、安定した動作をする半導体不揮発性
記憶装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態による半導体不揮発
性記憶装置の製造方法の始めの工程を示す模式的な断面
図である。

【図２】同じく次の工程を示す模式的な断面図である。

【図３】同じく次の工程を示す模式的な断面図である。

【図４】同じく次の工程を示す模式的な断面図である。

【図５】同じく次の工程を示す模式的な断面図である。

【図６】同じく次の工程を示す模式的な断面図である。

【図７】同じく次の工程を示す模式的な断面図である。

【図８】同じく次の工程を示す模式的な断面図である。

【図９】同じく次の工程を示す模式的な断面図である。

【図１０】同じく次の工程を示す模式的な断面図であ
る。

【図１１】同じく次の工程を示す模式的な断面図であ
る。

【図１２】同じくその最終工程を示す模式的な断面図で
ある。

【図１３】この発明の第１の実施形態における１層の保
護膜に代えて２層の保護膜を形成する場合の第１の保護
膜を形成する工程を示す部分的な断面図である。

【図１４】同じくその第１の保護膜をエッチングする工
程示す部分的な断面図である。

【図１５】同じく第２の保護膜を形成する工程を示す部
分的な断面図である。

【図１６】同じくその第２の保護膜をエッチングして２
層の保護膜を完成した状態を示す部分的な断面図であ
る。

【図１７】この発明の第２の実施形態による半導体不揮
発性記憶装置の製造方法の途中の工程を示す模式的な断
面図である。

【図１８】同じく次の工程を示す模式的な断面図であ
る。

【図１９】同じく次の工程を示す模式的な断面図であ
る。

【図２０】同じく次の工程を示す模式的な断面図であ
る。

【図２１】同じく次の工程を示す模式的な断面図であ
る。

【図２２】同じくその最終工程を示す模式的な断面図で
ある。

【図２３】従来の半導体不揮発性記憶装置の製造方法の
主な工程を示す模式的な断面図である。

【図２４】同じくその後の工程を示す模式的な断面図で
ある。

【図２５】同じくその最終工程を示す模式的な断面図で
ある。

【符号の説明】

１：トンネル酸化膜 ２：シリコン窒化膜 ３：トップ酸化膜 ４：メモリゲート電極 ５：高濃度拡散領域 ６：層間絶縁膜 ７：コンタクトホール ８：配線材料 ８Ｇ：ゲート配線 ８Ｓ：ソース配線 ８Ｄ：ドレイン配線 ９：第１の保護膜 １０：保護膜（第２の保護膜） １１：入出力端子部 １２：低濃度拡散領域 １３：絶縁膜 １４：半導体基板 １５：素子分離領域（シリコン酸化膜） １６：シリコン窒化膜 １７：感光性樹脂 ２０：メモリゲート絶縁膜 ２１：シリコン酸化膜 ２２：シリコン窒化膜 ２３：シリコン酸化膜 ２４：多結晶シリコン膜 ２５，２６，３０，３１：感光性樹脂 ３３：サイドウオール絶縁膜

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に素子領域と素子分離領域
   を形成する工程と、 前記半導体基板の素子領域上に、トンネル酸化膜とシリ
   コン窒化膜とトップ酸化膜とを順次重ねて形成してメモ
   リゲート絶縁膜を形成する工程と、 該メモリゲート絶縁膜上にメモリゲート電極を形成する
   工程と、 該メモリゲート電極の両側に整合する前記半導体基板の
   素子領域に高濃度拡散領域を形成する工程と、 前記メモリゲート電極上を含む前記半導体基板の全面に
   層間絶縁膜を形成する工程と、 該層間絶縁膜の前記メモリゲート電極および前記各高濃
   度拡散領域にそれぞれ対応する位置にコンタクトホール
   を形成する工程と、 該コンタクトホールを通して前記メモリゲート電極およ
   び前記各高濃度拡散領域にそれぞれ接続する配線を形成
   する工程と、 該配線上を含む前記半導体基板の全面にプラズマ化学気
   相成長法によって保護膜を形成する工程と、 該保護膜の前記メモリゲート電極および各高濃度拡散領
   域にそれぞれ対応する位置にプラズマエッチングによっ
   て入出力端子用の開口を形成する工程と、 前記保護膜を熱処理する工程と、を有することを特徴と
   する半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
2. 【請求項２】 半導体基板上に素子領域と素子分離領域
   を形成する工程と、 前記半導体基板の素子領域上に、トンネル酸化膜とシリ
   コン窒化膜とトップ酸化膜とを順次重ねて形成してメモ
   リゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記メモリゲート絶縁膜上にメモリゲート電極を形成す
   る工程と、 該メモリゲート電極の両側に整合する前記半導体基板の
   素子領域に低濃度拡散領域を形成する工程と、 前記メモリゲート電極とメモリゲート絶縁膜の両側面に
   サイドウォール絶縁膜を形成する工程と、 該両側面のサイドウォール絶縁膜に覆われた部分以外の
   前記半導体基板の各低濃度拡散領域に高濃度拡散領域を
   形成する工程と、 前記メモリゲート電極上を含む前記半導体基板の全面に
   層間絶縁膜を形成する工程と、 該層間絶縁膜の前記メモリゲート電極および前記各高濃
   度拡散領域にそれぞれ対応する位置にコンタクトホール
   を形成する工程と、 該コンタクトホールを通して前記メモリゲート電極およ
   び前記各高濃度拡散領域にそれぞれ接続する配線を形成
   する工程と、 該配線上を含む前記半導体基板の全面にプラズマ化学気
   相成長法によって保護膜を形成する工程と、 該保護膜の前記メモリゲート電極および各高濃度拡散領
   域にそれぞれ対応する位置にプラズマエッチングによっ
   て入出力端子用の開口を形成する工程と、 前記保護膜を熱処理する工程と、を有することを特徴と
   する半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体不揮発性記
   憶装置の製造方法において、 前記半導体基板の素子領域上にメモリゲート絶縁膜を形
   成する工程で、トンネル窒化酸化膜とシリコン窒化膜と
   トップ酸化膜とを順次重ねて形成してメモリゲート絶縁
   膜を形成することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置
   の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の
   半導体不揮発性記憶装置の製造方法において、 前記保護膜を形成する工程が、前記配線上を含む前記半
   導体基板の全面にリンを含んだシリコン酸化膜による第
   １の保護膜を形成する工程と、該第１の保護膜上にシリ
   コン窒化膜による第２の保護膜を形成する工程とからな
   ることを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 請求項５記載の半導体不揮発性記憶装置
   の製造方法において、 前記保護膜に入出力端子用の開口を形成する工程で、前
   記第１の保護膜の開口内周面を前記第２の保護膜で被覆
   した開口を形成することを特徴とする半導体不揮発性記
   憶装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の
   半導体不揮発性記憶装置の製造方法において、 前記保護膜を熱処理する工程では、前記配線が溶融する
   温度よりやや低い温度で熱処理することを特徴とする半
   導体不揮発性記憶装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の
   半導体不揮発性記憶装置の製造方法において、 前記配線を形成する工程に続いて、該配線を熱処理する
   工程を有し、 前記保護膜を熱処理する工程では、前記配線を熱処理す
   る工程における熱処理温度より高い温度で熱処理するこ
   とを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の
   半導体不揮発性記憶装置の製造方法において、 前記配線を形成する工程に続いて、該配線をおよそ３８
   ０℃の水素雰囲気中にて熱処理理する工程を有し、 前記保護膜を熱処理する工程では、該保護膜をおよそ４
   ２５℃の窒素雰囲気中にて熱処理することを特徴とする
   半導体不揮発性記憶装置の製造方法。