DE102017129926B4 - Leuchtdiodenanzeigevorrichtung - Google Patents

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Abstract

Leuchtdiodenanzeigevorrichtung aufweisend:ein Pixel (SP), das einen Treiberdünnfilmtransistor (T2) aufweist, der auf einem Substrat (100) bereitgestellt ist;eine erste Planarisierungsschicht (110), die das Pixel (SP) bedeckt;einen Leuchtdiodenchip (300), der auf der ersten Planarisierungsschicht (110) angeordnet ist, und eine erste Elektrode (E1) und eine zweite Elektrode (E2) aufweist,einen eingelassenen Abschnitt (130), der in der ersten Planarisierungsschicht (110) zum Aufnehmen des Leuchtdiodenchips (300) bereitgestellt ist,eine zweite Planarisierungsschicht (140), die die erste Planarisierungsschicht (110) und den Leuchtdiodenchip (300) bedeckt,eine Pixelelektrode (AE), die auf der zweiten Planarisierungsschicht (140) angeordnet ist und elektrisch mit dem Treiberdünnfilmtransistor (T2) und der ersten Elektrode (E1) des Leuchtdiodenchips (300) verbunden ist; undeine gemeinsame Elektrode (CE), die auf der zweiten Planarisierungsschicht (140) angeordnet ist und elektrisch mit der zweiten Elektrode (E2) des Leuchtdiodenchips (300) verbunden ist,wobei der Leuchtdiodenchip (300) eine erste Leuchtdiode (D1) und eine zweite Leuchtdiode (D2) aufweist, die parallel auf einem Halbleitersubstrat (310) bereitgestellt sind.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leuchtdiodenanzeigevorrichtung.
  • Diskussion des Standes der Technik
  • Eine Anzeigevorrichtung wird, zusätzlich zu einem Anzeigebildschirm für ein Fernsehgerät und einen Monitor, weithin als ein Anzeigebildschirm für einen Notebook-Computer, einen Tablett-Computer, ein Smartphone, eine tragbare Anzeigevorrichtung und eine tragbare Informationsvorrichtung verwendet.
  • Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung und eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung sind Schaltvorrichtungen und zeigen ein Bild mittels eines Dünnfilmtransistors an. Da die Flüssigkristallanzeigevorrichtung keine selbst-leuchtende Vorrichtung ist, zeigt die Flüssigkristallanzeigevorrichtung ein Bild mittels Lichts an, das von einer Hintergrundbeleuchtungseinheit abgestrahlt wird, die unter bzw. hinter einer Flüssigkristallanzeigeplatte angeordnet ist. Da die Flüssigkristallanzeigevorrichtung eine Hintergrundbeleuchtungseinheit aufweist, gibt es eine Beschränkung in der Konstruktion, und die Leuchtdichte und die Ansprechgeschwindigkeit können verschlechtert sein. Da die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ein organisches Material aufweist, ist sie anfällig für Wasser, wodurch die Zuverlässigkeit und die Lebensdauer verschlechtert sein können.
  • In letzter Zeit wurde eine Leuchtdiodenanzeigevorrichtung, die auf einem Mikro-Leuchtdiodenchip basiert, untersucht und entwickelt. Da diese Leuchtdiodenanzeigevorrichtung eine hohe Bildqualität und hohe Zuverlässigkeit aufweist, hat die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung viel Aufmerksamkeit als eine Anzeige der nächsten Generation erhalten. Eine derartige Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ist beispielsweise aus US 2014 / 0 267 683 A1 bekannt.
  • Bei der Leuchtdiodenanzeigevorrichtung der bezogenen Technik tritt jedoch ein Bildschirmdefekt aufgrund eines Defekts eines Mikro-Leuchtdiodenchips oder eines Übertragungsdefekts auf, der während eines Prozesses des Verpackens (engl. packaging process) des Mikro-Leuchtdiodenchips in einem Dünnfilmtransistor-Array-Substrat erzeugt wird. Ein Problem tritt auf Kosteneben und technischer Ebene auf, wenn der Defekt direkt repariert wird. Und ein Redundanzmodus hat insofern ein Problem, als dass die Übertragungszeit zweimal oder öfter erhöht wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Dementsprechend ist die vorliegende Erfindung auf eine Leuchtdiodenanzeigevorrichtung, die einen Leuchtdiodenchip aufweist, gerichtet, die ein oder mehrere Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen der bezogenen Technik im Wesentlichen vermeiden.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Leuchtdiodenanzeigevorrichtung, die einen Leuchtdiodenchip aufweist, bereitzustellen, wobei ein durch einen Defekt des Leuchtdiodenchips verursachter Bildschirmdefekt minimiert ist.
  • Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung werden zum Teil in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden zum Teil für den Durchschnittsfachmann bei der Prüfung des Folgenden offensichtlich oder können aus der praktischen Umsetzung der Erfindung erlernt werden. Die Aufgabe und andere Vorteile der Erfindung können durch die Struktur realisiert und erreicht werden, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen hiervon sowie in den beigefügten Zeichnungen dargelegt ist.
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß dem unabhängigen Anspruch 1 bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Leuchtdiodenanzeigevorrichtung bereit, die Folgendes aufweist: ein Pixel, das einen Treiberdünnfilmtransistor aufweist, der auf einem Substrat bereitgestellt ist; eine erste Planarisierungsschicht, die das Pixel bedeckt; einen Leuchtdiodenchip, der auf der ersten Planarisierungsschicht angeordnet ist, und eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip eine erste Leuchtdiode und eine zweite Leuchtdiode aufweist, die (elektrisch) parallel auf einem Halbleitersubstrat bereitgestellt sind; eine zweite Planarisierungsschicht, die die erste Planarisierungsschicht und den Leuchtdiodenchip bedeckt, eine Pixelelektrode, die auf der zweiten Planarisierungsschicht angeordnet ist und elektrisch mit dem Treiberdünnfilmtransistor und der ersten Elektrode des Leuchtdiodenchips verbunden ist; und eine gemeinsame Elektrode, die auf der zweiten Planarisierungsschicht angeordnet ist und elektrisch mit der zweiten Elektrode des Leuchtdiodenchips verbunden ist, wobei sowohl die Pixelelektrode als auch die gemeinsame Elektrode auf der zweiten Planarisierungsschicht bereitgestellt ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die erste Leuchtdiode und die zweite Leuchtdiode jeweils auf: eine erste Halbleiterschicht, die auf dem Halbleitersubstrat bereitgestellt ist; eine aktive Schicht, die auf einer Seite der ersten Halbleiterschicht bereitgestellt ist; eine zweite Halbleiterschicht, die auf der aktiven Schicht bereitgestellt ist; ein erstes Pad, das auf der zweiten Halbleiterschicht bereitgestellt ist; und ein zweites Pad, das auf der ersten Halbleiterschicht bereitgestellt ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weisen die erste Leuchtdiode und die zweite Leuchtdiode jeweils ein erstes Pad und ein zweites Pad auf; wobei die erste Elektrode mit dem ersten Pad der ersten Leuchtdiode und mit dem ersten Pad der zweiten Leuchtdiode gemeinsam verbunden ist; und wobei die zweite Elektrode mit dem zweiten Pad der ersten Leuchtdiode und mit dem zweiten Pad der zweiten Leuchtdiode gemeinsam verbunden ist, wobei die erste Leuchtdiode und die zweite Leuchtdiode elektrisch parallel zueinander geschaltet sind.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ferner auf: eine Isolierschicht, die die erste Leuchtdiode und die zweite Leuchtdiode bedeckt, wobei die erste Elektrode mit dem ersten Pad der ersten Leuchtdiode und dem ersten Pad der zweiten Leuchtdiode jeweils durch ein erstes Kontaktloch, das in der Isolierschicht bereitgestellt ist, verbunden ist und die zweite Elektrode mit dem zweiten Pad der ersten Leuchtdiode und dem zweiten Pad der zweiten Leuchtdiode jeweils durch ein zweites Kontaktloch, das in der Isolierschicht bereitgestellt ist, verbunden ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ferner auf: eine gemeinsame Stromleitung, die auf dem Substrat bereitgestellt ist, wobei die Pixelelektrode auf einer oberen Oberfläche der ersten Planarisierungsschicht bereitgestellt und elektrisch mit dem Treiberdünnfilmtransistor und der ersten Elektrode des Leuchtdiodenchips verbunden ist, und wobei die gemeinsame Elektrode auf der oberen Oberfläche der ersten Planarisierungsschicht bereitgestellt und elektrisch mit der gemeinsamen Stromleitung und der zweiten Elektrode des Leuchtdiodenchips verbunden ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ferner Folgendes auf: einen eingelassenen Abschnitt (auch bezeichnet als vertiefter, ausgesparter oder versenkter Abschnitt bzw. Bereich), der in der ersten Planarisierungsschicht zum Aufnehmen des Leuchtdiodenchip bereitgestellt ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ferner auf: eine gemeinsame Stromleitung, die auf dem Substrat bereitgestellt ist, wobei die Pixelelektrode auf einer oberen Oberfläche der zweiten Planarisierungsschicht bereitgestellt und elektrisch mit dem Treiberdünnfilmtransistor und der ersten Elektrode des Leuchtdiodenchips verbunden ist, und wobei die gemeinsame Elektrode auf der oberen Oberfläche der zweiten Planarisierungsschicht bereitgestellt und elektrisch mit der gemeinsamen Stromleitung und der zweiten Elektrode des Leuchtdiodenchips verbunden ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ferner auf: ein Einheitspixel mit mindestens drei Pixeln, die so angeordnet sind, dass sie aneinander angrenzen, wobei der eingelassene Abschnitt mit einer Tiefe bereitgestellt ist, die für jedes Pixel, die das Einheitspixel bilden, unterschiedlich ist.
  • Es versteht sich, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung der vorliegenden Erfindung beispielhaft und erläuternd sind und eine weitere Erläuterung der beanspruchten Erfindung liefern sollen.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu vermitteln und in diese Anmeldung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen eine Ausführungsform der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Erfindung zu erläutern. In den Zeichnungen ist/sind:
    • Figur (FIG.) 1 eine Ansicht, die eine Konfiguration einer Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 2 ein Schaltplan, der eine Konfiguration eines in 1 gezeigten Pixels veranschaulicht;
    • 3 eine Draufsicht, die einen Leuchtdiodenchip veranschaulicht;
    • 4 eine Seitenansicht, die einen Leuchtdiodenchip veranschaulicht;
    • 5 eine Ansicht, die eine Verbindungsstruktur veranschaulicht, in der ein Leuchtdiodenchip auf einen Treiberdünnfilmtransistor übertragen wird;
    • 6 eine Querschnittsansicht, die eine Verbindungsstruktur eines Treiberdünnfilmtransistors und eines Leuchtdiodenchips in einem einzigen Pixel veranschaulicht, der in 2 gezeigt ist; und
    • 7 eine Ansicht, die ein modifiziertes Beispiel eines eingelassenen Abschnitts veranschaulicht, der in 6 gezeigt ist.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung und Implementierungsverfahren davon werden durch die folgenden Ausführungsformen verdeutlicht, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben sind. Die vorliegende Erfindung kann jedoch in verschiedenen Formen ausgeführt werden und sollte nicht als auf die hier dargelegten Ausführungsformen beschränkt angesehen werden. Vielmehr werden diese Ausführungsformen bereitgestellt, so dass diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und den Umfang der vorliegenden Erfindung dem Fachmann vollständig vermittelt. Ferner ist die vorliegende Erfindung nur durch Umfang der Ansprüche definiert.
  • Eine Form, eine Größe, ein Verhältnis, ein Winkel und eine Zahl, die in den Zeichnungen zum Beschreiben von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung offenbart sind, sind lediglich ein Beispiel, und somit ist die vorliegende Erfindung nicht auf die dargestellten Details beschränkt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich in der gesamten Beschreibung auf gleiche Elemente.
  • In der folgenden Beschreibung wird die ausführliche Beschreibung weggelassen, wenn die ausführliche Beschreibung der relevanten bekannten Funktionen oder Konfigurationen unnötigerweise den wichtigen Punkt der vorliegenden Erfindung verschleiern würden.
  • In einem Fall, in dem „aufweisen“, „vorsehen“ und „enthalten“ in der vorliegenden Beschreibung verwendet werden, kann ein anderer Teil hinzugefügt werden, sofern nicht „nur“ verwendet wird.
  • Die Begriffe einer Singularform können Pluralformen enthalten, sofern nicht das Gegenteil angegeben ist.
  • Beim Konstruieren eines Elements wird das Element so ausgelegt, dass es einen Fehlerbereich aufweist, auch wenn es keine explizite Beschreibung dazu gibt.
  • Bei der Beschreibung einer Positionsbeziehung, zum Beispiel wenn die Positionsbeziehung als „auf ~“, „über∼“, „oberhalb-“, „unterhalb-“ und „neben-“ beschrieben wird, können ein oder mehrere Teile zwischen zwei anderen Teilen angeordnet sein, es sei denn, „nur“ oder „direkt“ wird verwendet.
  • Bei der Beschreibung einer Zeitbeziehung, zum Beispiel wenn die zeitliche Reihenfolge als „nach ∼“, „nachfolgende-“, „nächste-“ und „vor ∼“ beschrieben wird, ist der nicht kontinuierlich bzw. zeitlich zusammenhängende oder unterbrochene Fall mit eingeschlossen, es sei denn „nur“ oder „direkt“ wird verwendet.
  • Es versteht sich, dass, obwohl die Begriffe „erste“, „zweite“ etc. hierin verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente nicht durch diese Begriffe beschränkt sein sollen. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen Element zu unterscheiden. Zum Beispiel könnte ein erstes Element als ein zweites Element bezeichnet werden, und in ähnlicher Weise könnte ein zweites Element als ein erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • „Erste horizontale Achsenrichtung“, „zweite horizontale Achsenrichtung“ und „vertikale Achsenrichtung“ sollten nicht nur durch eine geometrische Beziehung einer gegenseitigen vertikalen Beziehung ausgelegt werden, sondern können eine breitere Ausrichtung innerhalb des Bereichs aufweisen, in dem Elemente der vorliegenden Erfindung funktional wirken können.
  • Es sollte verstanden werden, dass der Begriff „mindestens eine“ alle Kombinationen aufweist, die sich auf ein oder mehrere Elemente beziehen. Zum Beispiel kann „mindestens einer von einem ersten Gegenstand, einem zweiten Gegenstand und einem dritten Gegenstand“ alle Kombinationen von zwei oder mehr Gegenständen aufweisen, die aus dem ersten, zweiten und dritten Gegenstand sowie jeder Gegenstand des ersten, zweiten und dritten Gegenstands ausgewählt sind.
  • Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können teilweise oder insgesamt miteinander gekoppelt oder miteinander kombiniert werden und können verschiedenartig miteinander betrieben werden und technisch angetrieben werden, wie Fachleute auf dem Gebiet hinreichend verstehen können.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können unabhängig voneinander ausgeführt werden oder können zusammen in einer abhängigen Beziehung ausgeführt werden.
  • Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen einer einen Leuchtdiodenchip aufweisenden Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben. In dieser Beschreibung ist beim Hinzufügen von Bezugszeichen zu Elementen der jeweiligen Zeichnungen zu beachten, dass die gleichen Bezugselemente, wenn möglich die gleichen Bezugszeichen haben, obwohl die gleichen Bezugselemente in unterschiedlichen Zeichnungen gezeigt sind.
  • 1 ist eine Ansicht, die eine Konfiguration einer Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht und 2 ist ein Schaltbild, das eine Konfiguration eines in 1 gezeigten Pixels SP veranschaulicht.
  • Wie unter Bezugnahme auf 1 und 2 gezeigt ist, weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß dieser Ausführungsform ein erstes Substrat 100, mehrere Leuchtdiodenchips 300 und ein zweites Substrat 500 auf.
  • Das erste Substrat 100 ist ein Dünnfilmtransistor-Array-Substrat (mit anderen Worten ein Substrat für ein Array von Dünnfilmtransistoren) und kann aus einem Glas- oder Kunststoffmaterial hergestellt sein oder ein solches aufweisen. Das erste Substrat 100 weist gemäß einem Beispiel einen Anzeigebereich AA und einen Nicht-Anzeigebereich IA auf.
  • Der Anzeigebereich AA ist bis auf einen Randabschnitt des ersten Substrats 100 in den anderen Abschnitten vorgesehen. Der Anzeigebereich AA kann als ein Bereich definiert sein, in dem ein Pixel-Array zum Anzeigen eines Bildes angeordnet ist bzw. wird.
  • Der Nicht-Anzeigebereich IA ist in dem anderen Abschnitt außerhalb des Anzeigebereich AA, der in bzw. auf dem ersten Substrat 100 vorgesehen ist, vorgesehen und kann als ein Kantenabschnitt des ersten Substrats 100, der den Anzeigebereich AA umgibt, definiert sein. Dieser Nicht-Anzeigebereich IA ist ein Randbereich außerhalb des Anzeigebereichs AA, und ein Bild wird anders als im Anzeigebereich AA nicht in diesem Nicht-Anzeigebereich IA angezeigt. Der Nicht-Anzeigebereich IA kann als ein Bereich definiert sein, in dem eine Leitung und eine Treiberschaltung des Pixel-Arrays angeordnet sind. Zum Beispiel kann der Nicht-Anzeigebereich IA einen ersten Nicht-Anzeigebereich, der nahe einer oberen Seite des Anzeigebereichs AA definiert ist, einen zweiten Nicht-Anzeigebereich, der nahe einer unteren Seite des Anzeigebereichs AA definiert ist, einen dritten Nicht-Anzeigebereich Bereich, der nahe einer linken Seite des Anzeigebereichs AA definiert ist, und ein vierter Nicht-Anzeigebereich, der nahe einer rechten Seite des Anzeigebereichs AA definiert ist, aufweisen.
  • Das erste Substrat 100 weist gemäß einem Beispiel eine Vielzahl von Gate-Leitungen GL, eine Vielzahl von Daten-Leitungen DL, eine Vielzahl von Treiberstromleitungen PL, eine Vielzahl von gemeinsamen Stromleitungen CL und eine Vielzahl von Pixeln SP auf.
  • Jede der mehreren Gate-Leitungen GL ist auf dem ersten Substrat 100 vorgesehen, erstreckt sich in Längsrichtung entlang einer ersten horizontalen Achsenrichtung X des Substrats 100 und ist in einem bestimmten Intervall entlang einer zweiten horizontalen Achsenrichtung Y von einer anderen Gate-Leitung beabstandet. In diesem Fall kann die erste horizontale Achsenrichtung X parallel zu einer langen Seitenlängenrichtung des ersten Substrats 100 definiert sein, und die zweite horizontale Achsenrichtung Y kann parallel zu einer kurzen Seitenlängenrichtung des ersten Substrats 100 definiert sein, oder umgekehrt.
  • Die Vielzahl an Daten-Leitungen DL ist auf dem ersten Substrat 100 vorgesehen, um die Vielzahl an Gate-Leitungen GL zu kreuzen, die sich entlang der zweiten horizontalen Achsenrichtung Y des ersten Substrats 100 in Längsrichtung erstrecken, und können entlang der ersten horizontalen Achsenrichtung X voneinander beabstandet sein.
  • Die Vielzahl von Treiberstromleitungen PL ist auf dem ersten Substrat 100 vorgesehen, um jeweils parallel zu der Vielzahl von Daten-Leitungen DL zu sein, und kann jeweils zusammen mit der Vielzahl von Daten-Leitungen DL ausgebildet sein. Jede der Vielzahl von Treiberstromleitungen PL stellt extern bereitgestellte Pixel-Treiberstromquelle an das zu ihr (der jeweiligen Treiberstromleitung) benachbarte Pixel SP bereit.
  • Die Vielzahl von Treiberstromleitungen PL kann gemeinsam mit einer ersten gemeinsamen Treiberstromleitung verbunden sein, die in dem ersten Nicht-Anzeigebereich des ersten Substrats vorgesehen ist, um parallel zu den Gate-Leitungen GL zu sein. Die erste gemeinsame Treiberstromleitung dient dazu, die extern bereitgestellte Pixel-Treiberstromquelle (z.B. einen von einer externen Stromquelle bereitgestellten Treiberstrom (anders ausgedrückt, Ansteuerstrom oder Steuerstrom)) an jede der mehreren Treiberstromleitungen PL zu verteilen. Die erste gemeinsame Treiberstromleitung kann auf der gleichen Schicht wie die Gate-Leitungen GL vorgesehen sein, um elektrisch von jeder der mehreren Daten-Leitungen DL getrennt zu sein, und kann elektrisch mit einem Ende von jeder der Vielzahl von Treiberstromleitungen PL durch ein Durchgangsloch verbunden sein.
  • Zusätzlich kann die Pixel-Treiberstromquelle an ein Ende und an das andere Ende von jeder der Vielzahl von Treiberstromleitungen PL bereitgestellt werden. Zu diesem Zweck ist ein Ende von jeder der Vielzahl von Treiberstromleitungen PL gemeinsam mit der ersten gemeinsamen Treiberstromleitung, die in dem Nicht-Anzeigebereich des ersten Substrats 100 vorgesehen ist, verbunden und das andere Ende von jeder der mehreren Treiberstromleitungen PL ist gemeinsam mit einer zweiten gemeinsamen Treiberstromleitung, die in dem zweiten Nicht-Anzeigebereich des ersten Substrats 100 vorgesehen ist, verbunden. In diesem Fall wird in dieser Ausführungsform die Pixel-Treiberstromquelle sowohl an das obere Ende als auch an das untere Ende von jeder der Vielzahl von Treiberstromleitungen PL durch die ersten und zweiten gemeinsamen Treiberstromleitungen bereitgestellt, wobei ein erzeugter Spannungsabfall der Treiberstromquelle bei jeder der Vielzahl von Treiberstromleitungen PL in Übereinstimmung mit einem Leitungswiderstand pro Position von jeder der Vielzahl von Treiberstromleitungen PL minimiert werden kann.
  • Jede der ersten und zweiten gemeinsamen Treiberstromleitungen (auch bezeichnet als Treiber-Hauptstromleitung) kann auf der gleichen Schicht wie die mehreren Gate-Leitungen GL vorgesehen sein und kann elektrisch mit dem Ende jeder der Vielzahl von Treiberstromleitungen PL durch das Durchgangsloch verbunden sein.
  • Die Vielzahl von gemeinsamen Stromleitungen CL ist auf dem ersten Substrat 100 vorgesehen, um jeweils parallel zu der Vielzahl von Gate-Leitungen GL zu sein, und kann jeweils zusammen mit der Vielzahl von Gate-Leitungen GL ausgebildet werden bzw. sein. Jede der mehreren gemeinsamen Stromleitungen CL liefert extern bereitgestellten gemeinsamen Strom an ihr benachbartes Pixel SP. Jede der Vielzahl von gemeinsamen Stromleitungen CL kann mit einer gemeinsamen Stromquelle von einem Panel-Treiber 900 versorgt werden. In diesem Fall kann der Panel-Treiber 900 eine Änderung der elektrischen Charakteristik eines Leuchtdiodenchips 300 und/oder eine Änderung der elektrischen Charakteristik eines Treiberdünnfilmtransistors, der später beschrieben wird, mittels individuellen Steuerns eines Spannungspegels einer gemeinsamen Stromquelle, die jeder der Vielzahl von gemeinsamen Stromleitungen CL zugeführt ist bzw. wird, kompensieren.
  • Zusätzlich können die mehreren gemeinsamen Stromleitungen CL (auch als Hauptstromleitung bezeichnet) gemeinsam (mit anderen Worten: gleichzeitig) mit einer gemeinsamen Stromleitung verbunden sein, die in mindestens einem der dritten und vierten Nicht-Anzeigebereiche des ersten Substrats 100 vorgesehen ist. Die gemeinsame Stromleitung dient zum Verteilen der extern bereitgestellten Energiequelle an jede der mehreren gemeinsamen Energieleitungen CL. Die gemeinsame Stromleitung kann auf der gleichen Schicht wie die Daten-Leitungen DL vorgesehen sein, um elektrisch von jeder der mehreren Gate-Leitungen GL getrennt bzw. isoliert zu sein, und kann elektrisch mit dem Ende jeder der Vielzahl von gemeinsamen Stromleitungen CL durch das Durchgangsloch verbunden sein.
  • Jedes der mehreren Pixel SP ist in einem Pixelbereich vorgesehen, der durch die Gate-Leitung GL und die Daten-Leitung DL definiert ist. Jedes der mehreren Pixel SP ist ein minimaler Einheitsbereich, in dem Licht tatsächlich emittiert wird, und kann als ein Subpixel definiert sein. Mindestens drei benachbarte Pixel SP können ein Einheitspixel für die Farbanzeige bilden. Zum Beispiel kann ein Einheitspixel ein rotes Pixel (ein Rotes-Licht emittierender Pixel), ein grünes Pixel (ein Grünes-Licht emittierender Pixel)und ein blaues Pixel (ein Blaues-Licht emittierender Pixel) enthalten, die zueinander benachbart sind, und kann ferner ein weißes Pixel (ein Weißes-Licht emittierender Pixel)zur Verbesserung der Leuchtdichte enthalten.
  • Jedes der mehreren Pixel SP weist eine Pixelschaltung PC auf.
  • Die Pixelschaltung PC ist in einem Schaltungsbereich vorgesehen, der in dem Pixel SP definiert ist, die mit ihrer benachbarten Gate-Leitung GL, Daten-Leitung DL und der Treiberstromleitung PL verbunden ist und mit dem Leuchtdiodenchip 300 verbunden ist. Diese Pixelschaltung PC steuert einen Strom, der in dem Leuchtdiodenchip 300 fließt, entsprechend einem Daten-Signal von der Daten-Leitung DL in Reaktion auf einen Gate-Puls von der Gate-Leitung GL basierend auf der Pixel-Treiberstromquelle, die von der Treiberstromleitung PL bereitgestellt wird. Die Pixelschaltung PC weist gemäß einem Beispiel einen schaltenden Dünnfilmtransistor T1, einen Treiberdünnfilmtransistor T2 und einen Kondensator Cst auf.
  • Der schaltende Dünnfilmtransistor T1 weist eine mit der Gate-Leitung GL verbundene Gate-Elektrode, eine mit der Daten-Leitung DL verbundene erste Elektrode und eine mit einer Gate-Elektrode N1 des Treiberdünnfilmtransistors T2 verbundene zweite Elektrode auf. In diesem Fall können die erste Elektrode und die zweite Elektrode des schaltenden Dünnfilmtransistor T1 entsprechend einer Stromrichtung eine Source-Elektrode bzw. eine Drain-Elektrode sein. Dieser schaltende Dünnfilmtransistor T1 wird entsprechend einem Gate-Puls geschaltet, der der Gate-Leitung GL zugeführt wird, wodurch ein Daten-Signal, das der Daten-Leitung DL zugeführt wird, dem Treiberdünnfilmtransistor T2 zugeführt wird.
  • Der Treiberdünnfilmtransistor T2 wird durch eine Spannung eingeschaltet, die von dem schaltenden Dünnfilmtransistor T1 und/oder einer Spannung des Kondensators Cst bereitgestellt wird, wodurch die Menge des Stroms, der von der Treiberstromleitung PL zu dem Leuchtdiodenchip 300 fließt, gesteuert wird. Zu diesem Zweck weist der Treiberdünnfilmtransistor T2 gemäß einem Beispiel eine Gate-Elektrode, die mit der zweiten Elektrode N1 des schaltenden Dünnfilmtransistors T1 verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Treiberstromleitung PL verbunden ist, und eine Source-Elektrode, die mit dem Leuchtdiodenchip 300 verbunden ist, auf. Der Treiberdünnfilmtransistor T2 steuert einen Datenstrom, der von der Treiberstromleitung PL zu dem Leuchtdiodenchip 300 fließt, basierend auf einem Daten-Signal, das von dem schaltenden Dünnfilmtransistor T1 bereitgestellt wird. Dadurch kann der Leuchtdiodenchip 300 Licht mit einer dem Daten-Signal proportionalen Helligkeit emittieren.
  • Der Kondensator Cst ist in einem Überlappungsbereich zwischen der Gate-Elektrode N1 und der Source-Elektrode des Treiberdünnfilmtransistors T2 vorgesehen und speichert eine Spannung, die dem Daten-Signal entspricht, das der Gate-Elektrode dem Treiberdünnfilmtransistor T2 zugeführt wird, und schaltet den Treiberdünnfilmtransistor T2 bei der gespeicherten Spannung ein.
  • Jeder der Vielzahl von Leuchtdiodenchips 300 ist elektrisch zwischen der Pixelschaltung PC des entsprechenden Pixels SP und der gemeinsamen Stromleitung CL verbunden (mit anderen Worten ist der jeweilige Leuchtdiodenchip 300 elektrisch zwischen die Pixelschaltung PC des entsprechenden Pixels SP und die gemeinsame Stromleitung CL geschaltet), um Licht mit einer Helligkeit zu emittieren, die proportional zu dem Strom ist, der von der Pixelschaltung PC fließt, das heißt von dem Treiberdünnfilmtransistor T2 zu der gemeinsamen Stromleitung CL. Der Leuchtdiodenchip 300 gemäß einem Beispiel emittiert irgendein Licht des roten Lichts, grünen Lichts, blauen Lichts und weißen Lichts. Der Leuchtdiodenchip 300 kann auch ein Mikro-Leuchtdiodenchip sein. In diesem Fall kann der Mikro-Leuchtdiodenchip eine Abmessung (z.B. eine Länge (z.B Kantenlänge) und/oder Breite) von 1 bis 100 Mikrometern aufweisen, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Der Mikro-Leuchtdiodenchip kann eine kleinere Größe als der andere lichtemittierende Bereich haben, mit Ausnahme der Fläche, die von der Pixelschaltung PC in dem Pixelbereich eingenommen wird. Eine Struktur des Leuchtdiodenchips 300 wird später beschrieben.
  • Das zweite Substrat 500 ist ausgebildet, um das erste Substrat 100 zu bedecken, und kann als ein gegenüberliegendes Substrat, ein Farbfilter-Array-Substrat oder ein Verkapselungssubstrat definiert bzw. eingerichtet sein. Das zweite Substrat 500 kann mit dem ersten Substrat 100 durch ein Dichtungsmittel verbunden (gebondet) sein, das den Anzeigebereich AA des ersten Substrats 100 umgibt.
  • Zusätzlich weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ferner eine Gate-Treiberschaltung 700 und einen Panel-Treiber 900 auf.
  • Die Gate-Treiberschaltung 700 erzeugt einen Gate-Puls entsprechend einer Gate-Signal-Eingabe von dem Panel-Treiber 900 und stellt den erzeugten Gate-Puls an die Gate-Leitung bereit. Die Gate-Treiberschaltung 700 gemäß einem Beispiel ist in dem dritten Nicht-Anzeigebereich des ersten Substrats 100 durch den gleichen Prozess wie derjenige des Dünnfilmtransistors, der in jedem Pixel SP vorgesehen ist, eingebaut. Zum Beispiel kann die Gate-Treiberschaltung 700 in dem Nicht-Anzeigebereich an einer linken Seite und/oder rechten Seite des Anzeigebereichs AA vorgesehen sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Die Gate-Treiberschaltung 700 kann in einem beliebigen Nicht-Anzeigebereich vorgesehen sein, der einen Gate-Puls an die Gate-Leitung liefern kann.
  • Wahlweise kann die Gate-Treiberschaltung 700 in Form einer integrierten Treiberschaltung hergestellt sein. In diesem Fall kann die Gate-Treiberschaltung 700 gemäß einem Beispiel in dem dritten und/oder vierten Nicht-Anzeigebereich des ersten Substrats 100 gepackt bzw. verpackt (engl.: packaged) sein, um mit der Vielzahl von Gate-Leitungen eins-zu-eins verbunden zu sein. Die Gate-Treiberschaltung 700 gemäß einem anderen Beispiel kann in einem flexiblen Gate-Schaltungsfilm gepackt sein. In diesem Fall kann der flexible Gate-Schaltungsfilm an einem Gate-Pad-Abschnitt angebracht sein, der in dem dritten und/oder vierten Nicht-Anzeigebereich des ersten Substrats 100 vorgesehen ist, wodurch die Gate-Treiberschaltung 700 mit der Vielzahl von Gate-Leitungen durch den flexiblen Gate-Schaltungsfilm und den Gate-Pad-Abschnitt eins-zu-eins verbunden sein kann.
  • Der Panel-Treiber 900 ist mit dem Pad-Abschnitt verbunden, der in dem ersten Nicht-Anzeigebereich des ersten Substrats 100 vorgesehen ist, und zeigt ein Bild an, das Bilddaten entspricht, die von einem Anzeige-Treibersystem an den Anzeigebereich AA geliefert werden. Der Panel-Treiber 900 weist gemäß einem Beispiel eine Vielzahl von flexiblen Daten-Schaltungsfilmen 910, eine Vielzahl von integrierten Daten-Treiberschaltungen 930, eine gedruckte Leiterplatte 950, eine Zeitsteuerung (anders ausgedrückt, eine Steuerung zum Steuern des zeitlichen Ablaufs, noch anders ausgedrückt ein Timing-Controller) 970 und eine Leistungsschaltung 990 (z.B. eine Hauptstromversorgungsschaltung) auf.
  • Jeder der Vielzahl von flexiblen Daten-Schaltungsfilmen 910 ist an dem Pad-Abschnitt des ersten Substrats 100 mittels eines Filmanbringungsprozesses angebracht.
  • Jede der mehreren integrierten Daten-Treiberschaltungen 930 ist einzeln in jedem der Vielzahl von flexiblen Daten-Schaltungsfilmen 910 gepackt. Die integrierte Daten-Treiberschaltung 930 empfängt Pixeldaten und Datensteuersignale, die von der Zeitsteuerung 970 bereitgestellt werden, wandelt die Pixeldaten entsprechend dem Datensteuersignal zu einer analogen Datenspannung pro Pixel um und liefert die umgewandelte Datenspannung an die entsprechende Daten-Leitung DL.
  • Die gedruckte Leiterplatte 950 ist mit der Vielzahl von flexiblen Daten-Schaltungsfilmen 910 verbunden. Die gedruckte Leiterplatte 950 unterstützt die Zeitsteuerung 970 und die Leistungsschaltung 990 und dient dazu, ein Signal und eine Stromquelle zwischen Elementen des Panel-Treibers 900 zu übermitteln bzw. bereitzustellen.
  • Die Zeitsteuerung 970 ist in der gedruckten Leiterplatte 950 gepackt und empfängt Bilddaten und ein Zeitsynchronisationssignal, das von dem Anzeigetreibersystem durch einen in der gedruckten Leiterplatte 950 vorgesehenen Benutzerverbinder (engl.: user connector) bereitgestellt wird. Die Zeitsteuerung 970 erzeugt Pixeldaten durch Ausrichten (anders ausgedrückt, Anordnen; engl.: aligning) der Bilddaten, um für eine Pixelanordnungsstruktur des Anzeigebereichs AA geeignet zu sein, basierend auf dem Zeitsynchronisationssignal, und stellt die erzeugten Pixeldaten an die integrierte Daten-Treiberschaltung 930 bereit. Weiterhin steuert die Zeitsteuerung 970 jeden Treiber-Zeitpunkt der Vielzahl von integrierten Daten-Treiberschaltung 930 und der Gate-Treiberschaltungen 700 durch Erzeugen jedes der Daten-Steuersignale und Gate-Steuersignale basierend auf dem Zeitsynchronisationssignal.
  • Die Leistungsschaltung 990 ist in der gedruckten Leiterplatte 950 gepackt, erzeugt unter Verwendung der Eingabe einer externen Leistungsquelle (z.B. Stromquelle oder Spannungsquelle) verschiedene Spannungen, die erforderlich sind, um ein Bild auf dem Anzeigebereich AA anzuzeigen, und stellt die erzeugten Spannungen dem entsprechenden Element bereit.
  • Zusätzlich kann der Panel-Treiber 900 ferner eine Steuerplatine aufweisen, die mit der gedruckten Leiterplatte 950 verbunden ist. In diesem Fall sind die Zeitsteuerung 970 und die Leistungsschaltung 990 in der Steuerplatine verpackt, ohne in der gedruckten Leiterplatte verpackt zu sein. Daher dient die gedruckte Leiterplatte 950 dazu, ein Signal und eine Stromquelle zwischen der Vielzahl von flexiblen Daten-Schaltungsfilmen 910 und der Steuerplatine bereitzustellen.
  • 3 ist eine Draufsicht, die einen in 2 gezeigten Leuchtdiodenchip veranschaulicht und 4 ist eine Querschnittsansichten entlang der in 3 gezeigten Linie I-I'.
  • Wie unter Bezugnahme auf 3 und 4 gezeigt ist, weist der Leuchtdiodenchip 300 gemäß diesem Beispiel ein Halbleitersubstrat 310, eine erste Leuchtdiode D1, eine zweite Leuchtdiode D2, eine Isolierschicht 315, eine erste Elektrode E1 und eine zweite Elektrode E2 auf.
  • Das Halbleitersubstrat 310 wird als ein Substrat zur Herstellung sowohl der ersten Leuchtdiode D1 als auch der zweiten Leuchtdiode D2 verwendet. Das Halbleitersubstrat 310 weist einen ersten Bereich A1 auf, der mit der ersten Leuchtdiode D1 versehen ist, und einen zweiten Bereich A2 auf, der mit der zweiten Leuchtdiode D2 versehen ist. Das Halbleitersubstrat 310 kann gemäß einem Beispiel ein Halbleitermaterial wie etwa ein Saphirsubstrat oder ein Siliziumsubstrat aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Halbleitersubstrat 310 hat eine gleichmäßige Lichtdurchlässigkeit.
  • Die erste Leuchtdiode D1 ist auf dem ersten Bereich A1 des Halbleitersubstrats 310 vorgesehen. Die erste Leuchtdiode D1 weist gemäß einem Beispiel eine Emissionsschicht EL, ein erstes Pad P1 und ein zweites Pad P2 auf.
  • Die Emissionsschicht EL emittiert Licht gemäß der Rekombination von Elektronen und Löchern entsprechend einem Strom, der zwischen dem ersten Pad P1 und dem zweiten Pad P2 fließt. Die Emissionsschicht EL weist gemäß einem Beispiel eine erste Halbleiterschicht 320, eine aktive Schicht 330 und eine zweite Halbleiterschicht 350 auf.
  • Die erste Halbleiterschicht 320 stellt der aktiven Schicht 330 Elektronen bereit. Die erste Halbleiterschicht 320 kann gemäß einem Beispiel aus einem n-GaN-basierten Halbleitermaterial gebildet sein, beispielsweise GaN, AlGaN, InGaN oder AlInGaN. In diesem Fall können Si, Ge, Se, Te oder C als eine Verunreinigung (mit anderen Worten: als Dotierung oder Dotierstoff) verwendet werden, die zum Dotieren der ersten Halbleiterschicht 320 verwendet wird.
  • Die aktive Schicht 330 ist auf einer Seite der ersten Halbleiterschicht 320 vorgesehen. Die aktive Schicht 330 hat eine Multi-Quantentopfstruktur (engl. Multi-Quantum-Well, MQW) mit einer Quantentopf-Schicht und einer Barriereschicht mit einer Bandlücke, die höher ist als die der Quantentopf-Schicht. Die aktive Schicht 330 kann gemäß einem Beispiel eine Multi-Quantentopfstruktur aus InGaN/GaN aufweisen.
  • Die zweite Halbleiterschicht 350 ist auf der aktiven Schicht 330 ausgebildet und stellt Löcher für die aktive Schicht 330 bereit. Die zweite Halbleiterschicht 350 kann gemäß einem Beispiel aus einem Halbleitermaterial auf p-GaN-Basis gebildet sein, beispielsweise GaN, AlGaN, InGaN oder AlInGaN. In diesem Fall kann Mg, Zn oder Be als Verunreinigung (mit anderen Worten: als Dotierung oder Dotierstoff) verwendet werden, die zum Dotieren der zweiten Halbleiterschicht 350 verwendet wird.
  • Das erste Pad P1 ist auf der zweiten Halbleiterschicht 350 vorgesehen. Das erste Pad P1 kann gemäß einem Beispiel als eine Anodenelektrode, die Löcher für die zweite Halbleiterschicht 350 bereitstellt, der ersten Leuchtdiode D1 verwendet werden. Das erste Pad P1 ist elektrisch mit der ersten Elektrode E1 verbunden.
  • Das zweite Pad P2 ist auf der anderen Seite der ersten Halbleiterschicht 320 vorgesehen, um elektrisch von der aktiven Schicht 330 und der zweiten Halbleiterschicht 350 getrennt zu sein. Das zweite Pad P2 kann gemäß einem Beispiel als eine Kathodenelektrode, die Elektronen an die erste Halbleiterschicht 320 bereitstellt, der ersten Leuchtdiode D1 verwendet werden. Das zweite Pad P2 ist elektrisch mit der zweiten Elektrode E2 verbunden.
  • Jedes der ersten und zweiten Pads P1 und P2 kann gemäß einem Beispiel aus einem leitfähigen transparenten Material oder einem leitfähigen reflektierenden Material entsprechend einer Lichtemissionsrichtung des Leuchtdiodenchips 300 ausgebildet sein. Beispielsweise kann das leitfähige transparente Material, ohne darauf beschränkt zu sein, ITO (Indiumzinnoxid) oder IZO (Indiumzinkoxid) sein oder aufweisen. Das leitfähige reflektierende Material kann eines der folgenden metallischen Material aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Au, W, Pt, Si, Ir, Ag, Cu, Ni, Ti oder Cr oder eine Legierung mit einem oder mehreren dieser Materialien, ist darauf jedoch nicht beschränkt. Wenn beispielsweise Licht, das zu dem Leuchtdiodenchip 300 emittiert wird, sich zu dem Halbleitersubstrat 310 ausbreitet, kann jedes der ersten und zweiten Pads P1 und P2 aus einem leitfähigen reflektierenden Material hergestellt sein, und wenn Licht zu dem Leuchtdiodenchip 300 emittiert wird, das sich in zu dem Halbleitersubstrat 310 entgegengesetzte Richtung ausbreitet, kann jedes der ersten und zweiten Pads P1 und P2 aus einem leitenden transparenten Material gebildet sein oder ein solches aufweisen.
  • Die zweite Leuchtdiode D2 ist auf dem zweiten Bereich A2 des Halbleitersubstrats 310 so vorgesehen, dass sie parallel zu der ersten Leuchtdiode D1 ist. Die zweite Leuchtdiode D2 weist gemäß einem Beispiel eine Emissionsschicht EL, ein erstes Pad P1 und ein zweites Pad P2 auf. Da die zweite Leuchtdiode D2 mit dieser Struktur in derselben Struktur wie die der ersten Leuchtdiode D1 und durch den gleichen Prozess wie der der ersten Leuchtdiode D1 gebildet ist, wird ihre ausführliche Beschreibung weggelassen.
  • Die Isolierschicht 315 ist auf dem Halbleitersubstrat 310 vorgesehen, um die erste Leuchtdiode D1 und die zweite Leuchtdiode D2 zu bedecken. Das heißt, die Isolierschicht 315 ist auf der Halbleitersubstrat 310 vorgesehen, um eine vordere Oberfläche und eine Seite jeweils der ersten Leuchtdioden D1 und der zweiten Leuchtdioden D2 zu umgeben, wodurch die ersten und zweiten Leuchtdioden D1 und D2 elektrisch voneinander isoliert werden und verhindern wird, dass eine Beschädigung durch äußere Einwirkungen auftritt. Die Isolierschicht 315 kann gemäß einem Beispiel aus einem anorganischen Material, beispielswiese SiOx und SiNx, oder aus einem organischen Material, beispielsweise Benzocyclobuten oder Photoacryl, gebildet sein oder ein solches aufweisen.
  • Die erste Elektrode E1 ist auf der Isolierschicht 315 vorgesehen und ist gemeinsam mit dem ersten Pad P1 jeweils der ersten und zweiten Leuchtdiode D1 und D2 verbunden. Das heißt, die erste Elektrode E1 ist gemeinsam mit dem ersten Pad P1 von jeweils der ersten und zweiten Leuchtdiode D1 und D2 über ein erstes Pad-Kontaktloch PCH1 verbunden, das in der Isolierschicht 315 vorgesehen ist, und jeweils das erste Pad P1 der ersten Leuchtdiode D1 und das erste Pad P1 der zweiten Leuchtdiode D2 zu überlappt bzw. dieses jeweils freilegt. Diese erste Elektrode E1 ist gemeinsam bzw. gleichzeitig mit dem ersten Pad P1 jeweils der ersten und zweiten Leuchtdiode D1 und D2 durch Umgehen der zweiten Elektrode E2 auf der Isolierschicht 315 verbunden, wodurch die ersten Pads P1 der ersten Leuchtdiode D1 und der zweiten Leuchtdiode D2 miteinander elektrisch parallel verbunden sind.
  • Die erste Elektrode E1 kann gemäß einem Beispiel eine erste Verbindungselektrode P1a, eine zweite Verbindungselektrode P1b und eine Brückenelektrode P1c aufweisen.
  • Die erste Verbindungselektrode P1a ist in der Isolierschicht 315 auf dem ersten Bereich A1, der in dem Halbleitersubstrat 310 definiert ist, vorgesehen und ist mit dem ersten Pad P1 der ersten Leuchtdiode D1 durch das erste Pad-Kontaktloch PCH1 verbunden.
  • Die zweite Verbindungselektrode P1b ist in der Isolierschicht 315 auf dem zweiten Bereich A2, der in dem Halbleitersubstrat 310 definiert ist, vorgesehen und ist mit dem ersten Pad P1 der zweiten Leuchtdiode D2 durch das erste Pad-Kontaktloch PCH1 verbunden. Diese zweite Verbindungselektrode P1b ist parallel zu der ersten Verbindungselektrode P1a vorgesehen, indem die Brückenelektrode P1c und die zweite Elektrode E2 auf der Isolierschicht 315 ausgebildet sind.
  • Die Brückenelektrode P1c ist auf der Isolierschicht 315 zwischen der ersten und der zweiten Leuchtdiode D1 und D2 vorgesehen und verbindet die erste Verbindungselektrode P1a elektrisch mit der zweiten Verbindungselektrode P1b.
  • Die zweite Elektrode E2 ist auf der Isolierschicht 315 vorgesehen und ist gleichzeitig mit dem zweiten Pad P2 jeweils der ersten und zweiten Leuchtdiode D1 und D2 verbunden. Das heißt, die zweite Elektrode E2 ist gemeinsam mit dem zweiten Pad P2 jeweils der ersten und zweiten Leuchtdiode D1 und D2 durch ein zweites Pad-Kontaktloch PCH2 verbunden, das in der Isolierschicht 315 vorgesehen ist, um jeweils das zweite Pad P2 der ersten Leuchtdiode D1 und das zweite Pad P2 der zweiten Leuchtdiode D2 zu überlappen bzw. freizulegen. Aus diesem Grund sind die zweiten Pads P2 der ersten Leuchtdiode D1 und der zweiten Leuchtdiode D2 miteinander elektrisch parallel verbunden.
  • Jede der ersten und zweiten Elektroden E1 und E2 kann gemäß einem Beispiel aus einem leitfähigen transparenten Material oder einem leitfähigen reflektierenden Material entsprechend einer Lichtemissionsrichtung des Leuchtdiodenchips 300 ausgebildet sein. Das leitfähige transparente Material kann, ohne darauf beschränkt zu sein, ITO (Indiumzinnoxid) oder IZO (Indiumzinkoxid) sein. Das leitfähige reflektierende Material kann aus einem Material hergestellt sein, das eines oder mehrere der folgenden metallischen Materialien aufweist: beispielsweise Au, W, Pt, Si, Ir, Ag, Cu, Ni, Ti oder Cr oder eine Legierung mit einem oder mehreren dieser Materialien, aber ist darauf nicht beschränkt. Wenn beispielsweise Licht, das zu dem Leuchtdiodenchip 300 emittiert wird, sich zu dem Halbleitersubstrat 310 ausbreitet, kann jede der ersten und zweiten Elektroden E1 und E2 aus einem leitfähigen reflektierenden Material gebildet sein, und wenn Licht zu dem Leuchtdiodenchip 300 emittiert wird, sich in eine zum Halbleitersubstrat 310 entgegengesetzte Richtung ausbreitet, kann jede der ersten und zweiten Elektroden E1 und E2 aus einem leitfähigen transparenten Material gebildet sein.
  • Der Leuchtdiodenchip 300 hat gemäß einem Beispiel einen ersten Abschnitt 300a, der die erste Elektrode E1 und die zweite Elektrode E2 aufweist, und einen zweiten Abschnitt 300b, der einer hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats 310 entspricht. Der Leuchtdiodenchip 300 ist in jedem Pixelbereich, die in dem ersten Substrat 100 vorgesehen sind, durch einen Chip-Verpackungs-Prozess gepackt und daher elektrisch zwischen der Pixelschaltung PC und der gemeinsamen Stromleitung CL verbunden. Zum Beispiel ist die erste Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 elektrisch mit der Pixelschaltung PC verbunden, das heißt der Source-Elektrode des Treiberdünnfilmtransistors T2 und die zweite Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 sind elektrisch mit der gemeinsamen Stromleitung CL verbunden. Daher emittiert der Leuchtdiodenchip 300 Licht mittels eines Datenstroms, der von dem Treiberdünnfilmtransistor T2 der entsprechenden Pixelschaltung PC bereitgestellt wird.
  • Der Leuchtdiodenchip 300 weist gemäß einem Beispiel zwei Leuchtdioden D1 und D2 auf, die auf dem Halbleitersubstrat 310 miteinander elektrisch parallel verbunden sind, wobei eine beliebige der zwei Leuchtdioden D1 und D2 als ein redundanter Leuchtdiodenchip verwendet werden kann. Daher kann in diesem Beispiel ein Defekt des Leuchtdiodenchips minimiert werden, und da der redundante Leuchtdiodenchip nicht zusätzlich in jedem Pixel angeordnet werden braucht, kann eine Übertragungsprozess- (oder Chip-Verpackungs-Prozess-) Zeit reduziert werden und die Massenproduktion kann verbessert werden.
  • 5 ist eine Ansicht, die eine Verbindungsstruktur veranschaulicht, in der ein Leuchtdiodenchip auf einen Treiberdünnfilmtransistor übertragen wird.
  • Wie unter Bezugnahme auf 5 zusammen mit 2 gezeigt ist, weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß diesem Beispiel eine Vielzahl von Pixeln SP, eine erste Planarisierungsschicht 110, einen Leuchtdiodenchip 300, eine Pixelelektrode AE und eine gemeinsame Elektrode CE auf.
  • Jedes der Vielzahl von Pixeln SP weist eine Pixelschaltung PC, die einen auf dem ersten Substrat 100 vorgesehenen Treiberdünnfilmtransistor T2 aufweist, auf.
  • Der Treiberdünnfilmtransistor T2 weist eine Gate-Elektrode GE, eine Halbleiterschicht SCL, eine ohmsche Kontaktschicht OCL, eine Source-Elektrode SE und eine Drain-Elektrode DE auf.
  • Die Gate-Elektrode GE ist zusammen mit der Gate-Leitung GL auf dem ersten Substrat 100 ausgebildet. Die Gate-Elektrode GE ist von einer Gate-Isolierschicht 103 bedeckt.
  • Die Gate-Isolierschicht 103 kann eine einzelne Schicht oder eine Vielzahl von Schichten aufweisen oder daraus gebildet werden, die ein anorganisches Material, beispielsweise SiOx, SiNx usw., aufweist bzw. aufweisen.
  • Die Halbleiterschicht SCL ist auf der Gate-Isolierschicht 103 in der Form eines vorbestimmten Musters (oder einer Insel) vorgesehen, um die Gate-Elektrode GE zu überlappen. Die Halbleiterschicht SCL kann ein Halbleitermaterial aufweisen, das aus amorphem Silizium, polykristallinem Silizium, Oxid und organischem Material hergestellt ist, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die ohmsche Kontaktschicht OCL ist auf der Halbleiterschicht SCL in Form eines vorbestimmten Musters (oder einer Insel) vorgesehen. In diesem Fall ist die ohmsche Kontaktschicht PCL für einen ohmschen Kontakt zwischen der Halbleiterschicht SCL und den Source/Drain-Elektroden SE/DE vorgesehen und kann weggelassen werden.
  • Die Source-Elektrode SE ist auf einer Seite der ohmschen Kontaktschicht OCL ausgebildet, um eine Seite der Halbleiterschicht SCL zu überlappen. Die Source-Elektrode SE ist zusammen mit der Daten-Leitung DL und der Treiberstromleitung PL ausgebildet.
  • Die Drain-Elektrode DE ist auf der anderen Seite der ohmschen Kontaktschicht OCL ausgebildet, um die andere Seite der Halbleiterschicht SCL zu überlappen, und ist von der Source-Elektrode SE beabstandet. Die Drain-Elektrode DE ist zusammen mit der Source-Elektrode SE ausgebildet und ist gegabelt oder steht von ihrer Treiber-Stromleitung PL hervor.
  • Zusätzlich ist der schaltende Dünnfilmtransistor T1, der die Pixelschaltung PC bildet, in der gleichen Struktur wie der Treiberdünnfilmtransistor T2 ausgebildet. Zu dieser Zeit ist die Gate-Elektrode des schaltenden Dünnfilmtransistors T1 gegabelt oder steht von der Gate-Leitung GL hervor, die erste Elektrode des schaltenden Dünnfilmtransistors T1 ist gegabelt oder steht von der Daten-Leitung DL hervor, und die zweite Elektrode des schaltenden Dünnfilmtransistors T1 ist mit der Gate-Elektrode GE des Treiberdünnfilmtransistors T2 durch ein Durchgangsloch bzw. Kontaktloch, das in der Gate-Isolierschicht 103 vorgesehen ist, verbunden.
  • Die Pixelschaltung PC kann durch eine dielektrische Zwischenschicht 105 bedeckt sein. Die dielektrische Zwischenschicht 105 ist auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats 100 vorgesehen, um die Pixelschaltung PC, die den Treiberdünnfilmtransistor T2 aufweist, zu bedecken. Die dielektrische Zwischenschicht 105 kann gemäß einem Beispiel aus einem anorganischen Material wie SiOx und SiNx oder kann aus einem organischen Material wie etwa Benzocyclobuten oder Photoacryl hergestellt sein oder werden. Diese dielektrische Zwischenschicht 105 kann weggelassen werden bzw. optional sein.
  • Die erste Planarisierungsschicht (oder Passivierungsschicht) 110 ist auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats 100 vorgesehen, um das Pixel SP, das heißt die Pixelschaltung PC zu bedecken, oder ist auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats 100 vorgesehen um die dielektrische Zwischenschicht 105 zu bedecken. Die erste Planarisierungsschicht 110 bildet eine Planierungsoberfläche auf der dielektrischen Zwischenschicht 105, während sie die Pixelschaltung PC schützt, die den Treiberdünnfilmtransistor T2 aufweist. Die erste Planarisierungsschicht 110 kann gemäß einem Beispiel aus einem organischen Material wie etwa Benzocyclobuten oder Photoacryl hergestellt sein, kann jedoch beispielsweise aus einem Foto-Acrylmaterial hergestellt sein, um das Verfahren zu vereinfachen.
  • Der Leuchtdiodenchip 300 ist durch einen Übertragungsmodus mit der Pixelschaltung PC verbunden. Der Leuchtdiodenchip 300 hat einen ersten Abschnitt 300a mit ersten und zweiten Elektroden E1 und E2, die mit der Pixelschaltung PC verbunden sind, und einen zweiten Abschnitt 300b, der dem ersten Abschnitt 300a gegenüberliegt. Der Leuchtdiodenchip 300 weist gemäß einem Beispiel eine Emissionsschicht EL, eine erste Elektrode E1 und eine zweite Elektrode E2 auf. Da die Emissionsschicht EL, die erste Elektrode E1 und die zweite Elektrode E2 beschrieben worden sind, wird ihre ausführliche Beschreibung weggelassen.
  • Die Pixelelektrode AE ist elektrisch mit der ersten Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 und dem Treiberdünnfilmtransistor T2 verbunden und kann als eine Anodenelektrode definiert bzw. eingerichtet sein. Die Pixelelektrode AE ist auf der ersten Planarisierungsschicht 110 vorgesehen, die mit dem Treiberdünnfilmtransistor T2 und der ersten Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 überlappt. Die Pixelelektrode AE ist elektrisch mit der Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2 durch ein erstes Schaltungskontaktloch CCH1 verbunden, das so vorgesehen bzw. bereitgestellt ist, dass es durch die erste Planarisierungsschicht 110 und durch die dielektrische Zwischenschicht 105 hindurchführt, und ist elektrisch mit der ersten Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 verbunden. Daher ist die erste Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 elektrisch mit der Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2 über die Pixelelektrode AE verbunden. Auf diese Weise kann die Pixelelektrode AE aus einem transparenten leitfähigen Material hergestellt sein bzw. transparent hergestellt werden, wenn die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ein Top-Emitter-Typ ist, und kann aus einem lichtreflektierenden leitfähigen Material bzw. lichtreflektierend und leitfähig hergestellt werden, wenn die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ein Bottom-Emitter-Typ ist. In diesem Fall kann das transparente leitfähige Material ITO (Indiumzinnoxid) oder IZO (Indiumzinkoxid) sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Das leitfähige reflektierende Material kann aus A1, Ag, Au, Pt oder Cu hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Die Pixelelektrode AE, die aus dem lichtreflektierenden leitfähigen Material hergestellt ist, kann aus einer einzigen Schicht hergestellt sein, die ein lichtreflektierendes leitfähiges Material aufweist, oder als eine Mehrfachschicht bzw. ein Schichtstapel hergestellt sein, die/der mit der einzelnen Schicht abgeschieden ist bzw. wird.
  • Das erste Schaltungskontaktloch CCH1 ist in der ersten Planarisierungsschicht 110 und der dielektrischen Zwischenschicht 105 vorgesehen, die teilweise mit der Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2 überlappen, um die Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2 teilweise freizulegen. Das erste Schaltungskontaktloch CCH1 kann ausgebildet werden, indem die erste Planarisierungsschicht 110 und die dielektrische Zwischenschicht 105, die teilweise mit der Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2 überlappen, mittels eines Lochstrukturierungsprozesses, der auf einem fotolithografischen Prozess und einem Ätzprozess basiert, entfernt werden.
  • Die gemeinsame Elektrode CE ist elektrisch mit der zweiten Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 und der gemeinsamen Stromleitung CL verbunden und kann als eine Kathodenelektrode definiert bzw. eingerichtet sein. Die gemeinsame Elektrode CE ist auf der ersten Planarisierungsschicht 110 vorgesehen, die die gemeinsame Stromleitung CL und die zweite Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 überlappt. In diesem Fall kann die gemeinsame Elektrode CE aus dem gleichen Material wie das von der Pixelelektrode AE gebildet sein. Die gemeinsame Elektrode CE ist elektrisch mit der gemeinsamen Stromleitung CL durch ein zweites Schaltungskontaktloch CCH2, das durch die Gate-Isolierschicht 103 und die dielektrische Zwischenschicht 105 und die erste Planarisierungsschicht 110 hindurchführt, verbunden und ist elektrisch mit der zweiten Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 verbunden. Daher ist die zweite Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 elektrisch mit der gemeinsamen Stromleitung CL durch die gemeinsame Elektrode CE verbunden.
  • Das zweite Schaltungskontaktloch CCH2 ist in der ersten Planarisierungsschicht 110, der dielektrischen Zwischenschicht 105 und der Gate-Isolierschicht 103, die teilweise die gemeinsame Stromleitung CL überlappen, vorgesehen, um die gemeinsame Stromleitung CL teilweise freizulegen. Das zweite Schaltungskontaktloch CCH2 kann ausgebildet werden, indem die erste Planarisierungsschicht 110, die dielektrische Zwischenschicht 105 und die Gate-Isolierschicht 103, die teilweise die gemeinsame Stromleitung CL überlappen, mittels eines Lochstrukturierungsprozesses, der auf einem fotolithografischen Prozess und einem Ätzprozess basiert, entfernt werden.
  • Die Pixelelektrode AE und die gemeinsame Elektrode CE können gleichzeitig durch einen Abscheidungsprozess zum Abscheiden eines Elektrodenmaterials auf der ersten Planarisierungsschicht 110, die die ersten und zweiten Schaltungskontaktlöcher CCH1 und CCH2 aufweist, und einem Elektroden-Strukturierungsprozess basierend auf einem fotolithografischen Prozess und einem Ätzprozess, ausgebildet werden.
  • Die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung weist gemäß einem Beispiel ferner ein zweites Substrat 500 auf.
  • Das zweite Substrat 500 ist derart angeordnet, dass es den anderen Abschnitt mit Ausnahme des Pad-Abschnitts des ersten Substrats 100 bedeckt, wodurch eine Pixel-Array, das auf dem ersten Substrat 100 vorgesehen ist, geschützt wird, und kann als ein Farbfilter-Array-Substrat, ein gegenüberliegendes Substrat oder als ein Verkapselungssubstrat definiert bzw. eingerichtet sein. Zum Beispiel kann das zweite Substrat 500 gemäß einem Beispiel aus einem transparenten Glasmaterial oder einem transparenten Kunststoffmaterial hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Das zweite Substrat 500 weist gemäß einem Beispiel eine schwarze Matrix 510 (anders ausgedrückt, eine Schwarzmatrix) auf.
  • Die schwarze Matrix 510 definiert einen Öffnungsbereich jedes Pixels SP, das in oder auf dem ersten Substrat 100 vorgesehen ist. Das heißt, die schwarze Matrix 510 ist auf dem zweiten Substrat 500 so vorgesehen, dass sie den anderen Lichtabschirmbereich überlappt, aber nicht den Öffnungsbereich, der mit dem Leuchtdiodenchip 300 jedes Pixels SP überlappt, wodurch das Mischen von Farben zwischen benachbarten Öffnungsbereichen verhindert wird. Die schwarze Matrix 510 kann gemäß einem Beispiel eine Vielzahl von ersten Lichtabschirmmustern aufweisen, die jede der Vielzahl von Gate-Leitungen GL, der Vielzahl von gemeinsamen Stromleitungen CL und eine Pixelschaltung PC jedes Pixels SP bedeckt; kann eine Vielzahl von zweiten Lichtabschirmmustern aufweisen, die jede der Vielzahl von Daten-Leitungen DL und der Vielzahl von Treiberstromleitungen PL bedeckt; und kann ein drittes Lichtabschirmmuster aufweisen, das einen Randabschnitt des zweiten Substrats 500 bedeckt. In diesem Fall können die ersten bis dritten Lichtabschirmmuster auf der gleichen Schicht vorgesehen sein, wobei die schwarze Matrix 510 einen Maschen-Typ aufweisen bzw. maschenartig sein kann.
  • Zusätzlich kann das zweite Substrat 500 ferner eine Lichtauskoppelschicht 530 aufweisen, die in dem Öffnungsbereich vorgesehen ist, der durch die schwarze Matrix 510 definiert ist. Die Lichtauskoppelschicht 530 ist aus einem transparenten Material gebildet und dient zum Auskoppeln (Extrahieren) von Licht, das von dem Leuchtdiodenchip 300 emittiert wird, nach außen. Eine gegenüberliegende Oberfläche der Lichtauskoppelschicht 530, die dem Leuchtdiodenchip 300 zugewandt ist, kann einen Linsentyp aufweisen, um die Linearität von Licht, das von dem Leuchtdiodenchip 300 emittiert wird, zu erhöhen. Die Lichtauskoppelschicht 530 dient dazu, eine Stufendifferenz zwischen der schwarzen Matrix 510, die in dem zweiten Substrat 500 vorgesehen ist, und dem Öffnungsbereich zu reduzieren.
  • Wenn indessen der Leuchtdiodenchip 300, der in jedem Pixel SP angeordnet ist, weißes Licht emittiert, weist das zweite Substrat 500 eine Farbfilterschicht 530 auf, die in dem Öffnungsbereich anstelle der Lichtauskoppelschicht 530 vorgesehen ist.
  • Die Farbfilterschicht 530 kann einen roten Farbfilter, einen grünen Farbfilter und einen blauen Farbfilter aufweisen, die zu jeder Farbe korrespondieren bzw. entsprechen, die in jedem der mehreren Pixel SP definierten sind. Diese Farbfilterschicht 530 lässt nur Licht mit einer Wellenlänge einer Farbe durch, die einem entsprechenden Pixel in weißem Licht entspricht, das von dem Pixel SP emittiert wird.
  • Die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß diesem Beispiel weist ferner eine Verkapselungsschicht 160 auf, die die obere Oberfläche des ersten Substrats 100 bedeckt, das das Pixel SP und den Leuchtdiodenchip 300 aufweist.
  • Die Verkapselungsschicht 160 ist zwischen dem zweiten Substrat 500 und dem ersten Substrat 100 vorgesehen, so dass sie das Pixel SP und den Leuchtdiodenchip 300 bedeckt. Das heißt, die Verkapselungsschicht 160 ist auf dem ersten Substrat 100, das das Pixel SP und den Leuchtdiodenchip 300 aufweist ausgebildet, z.B. abgeschieden, wodurch das Pixel SP und der Leuchtdiodenchip 300, die in dem ersten Substrat 100 vorgesehen sind, geschützt werden. Die Verkapselungsschicht 160 kann gemäß einem Beispiel ein optisch klarer Klebstoff (engl. optical clear adhesive, OCA) oder ein optisch klares Harz (engl. optical clear resin, OCR) sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Verkapselungsschicht 160 kann gemäß einem Beispiel aus wärmehärtbaren und/oder optisch härtbaren Harz gebildet werden und kann in einem flüssigen Zustand auf das erste Substrat 100 aufgebracht, beispielsweise beschichtet, werden und kann dann durch ein Härtungsverfahren basierend auf Wärme und/oder Licht gehärtet werden. Zu diesem Zeitpunkt kann das Härtungsverfahren der Verkapselungsschicht 160 nach einem Verbindungsprozess (engl. bonding process) der Verkapselungsschicht 160, die auf das erste Substrat 100 und das zweite Substrat 500 aufgebracht ist, durchgeführt werden. Die Verkapselungsschicht 160 dient zum Puffern einer gepressten Energie des zweiten Substrats 500 während des Verbindungsprozesses des ersten Substrats 100 und des zweiten Substrats 500.
  • Die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung weist gemäß diesem Beispiel ferner eine reflektierende Schicht 101, die zwischen dem ersten Substrat 100 und dem Leuchtdiodenchip 300 angeordnet ist, auf.
  • Die reflektierende Schicht 101 ist zwischen der Gate-Isolierschicht 103 und dem ersten Substrat 100 angeordnet, um den Leuchtdiodenchip 300 zu überlappen. Die reflektierende Schicht 101 kann gemäß einem Beispiel aus dem gleichen Material gebildet werden, wie das der Gate-Elektrode GE des Treiberdünnfilmtransistors T2, und kann auf der gleichen Schicht wie die Gate-Elektrode GE vorgesehen sein. Die reflektierende Schicht 101 reflektiert einfallendes Licht von dem Leuchtdiodenchip 300 auf das zweite Substrat 500. Daher weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß diesem Beispiel die reflektierende Schicht 101 auf und ist daher ein Top-Emitter-Typ bzw. weist eine Top-Emitter-Struktur auf.
  • Wahlweise kann die reflektierende Schicht 101 aus dem gleichen Material gebildet sein, wie das der Source/Drain-Elektroden SE/DE des Treiberdünnfilmtransistors T2 und kann auf derselben Schicht wie die Source/Drain-Elektroden SE/DE vorgesehen sein.
  • Da die Pixelelektrode AE, die den Leuchtdiodenchip 300 mit der Pixelschaltung PC und der gemeinsamen Elektrode CE verbindet, gleichzeitig gebildet werden kann, kann der Elektrodenverbindungsprozess vereinfacht werden, und eine Prozesszeit zum Verbinden des Leuchtdiodenchip 300 mit der Pixelschaltung PC kann merklich reduziert werden, wodurch die Produktivität der Leuchtdiodenanzeigevorrichtung verbessert werden kann.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die eine Verbindungsstruktur eines Treiberdünnfilmtransistors und eines in 2 gezeigten Leuchtdiodenchips in einem Pixel veranschaulicht.
  • Bezugnehmend auf 6 zusammen mit 2 weist die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß diesem Beispiel eine Vielzahl von Pixeln SP, eine erste Planarisierungsschicht 110, einen eingelassenen Abschnitt 130, einen Leuchtdiodenchip 300, eine zweite Planarisierungsschicht 140, eine Pixelelektrode AE und eine gemeinsame Elektrode CE auf.
  • Da die Vielzahl von Pixeln SP und die erste Planarisierungsschicht 110 die gleichen sind wie jene, die in 5 gezeigt sind, wird auf eine wiederholte Beschreibung verzichtet.
  • Der eingelassene Abschnitt 130 ist in einem Emissionsbereich vorgesehen, der durch den Pixel SP definiert ist, und nimmt den Leuchtdiodenchip 300 auf. In diesem Fall ist der Emissionsbereich des Pixels SP so definiert, dass er die mit der Leuchtdiodenchip 300 überlappende Fläche aufweist. Genauer gesagt kann der Emissionsbereich des Pixels SP als der andere Bereich mit Ausnahme des Schaltkreisbereichs definiert werden, der mit der Pixelschaltung PC in dem Pixelbereich vorgesehen ist.
  • Der eingelassene Abschnitt 130 ist gemäß einem Beispiel vertieft, um eine bestimmte Tiefe D1 bezüglich der ersten Planarisierungsschicht 110 aufzuweisen, die auf dem ersten Substrat 100, um die Pixelschaltung PC abzudecken, vorgesehen ist. Zu diesem Zeitpunkt kann der eingelassene Abschnitt 130 so vorgesehen sein, dass er von der oberen Oberfläche 110a der ersten Planarisierungsschicht 110 vertieft ist, um eine Tiefe D1 aufzuweisen, die einer Dicke (oder Gesamthöhe) des Leuchtdiodenchips 300 entspricht. In diesem Fall kann der Boden 130a des eingelassenen Abschnitts 130 als ein Teil der ersten Planarisierungsschicht 110 ausgebildet sein, der mit der Emissionsfläche des Pixels SP überlappt, um die eingestellte Tiefe D1 basierend auf der Dicke des Leuchtdiodenchips 300 aufzuweisen, wobei die gesamte erste Planarisierungsschicht 110, die gesamte erste Planarisierungsschicht 110 und ein Teil der dielektrischen Zwischenschicht 105, oder die gesamte erste Planarisierungsschicht 110, die gesamte dielektrische Zwischenschicht 105 und die gesamte Gate-Isolierschicht 103 entfernt ist. Zum Beispiel kann der eingelassene Abschnitt 130 so vorgesehen sein, dass er eine Tiefe von 2 bis 6 Mikrometern von der oberen Oberfläche 110a der ersten Planarisierungsschicht 110 aufweist. Der Boden bzw. die Boden-Oberfläche 130a des eingelassenen Abschnitts 130 kann eine Graben- oder Napf-Form mit einer Größe aufweisen, die größer als der zweite Teil 300b des Leuchtdiodenchips 300 ist.
  • Der eingelassene Abschnitt 130 minimiert die Fehlausrichtung des Leuchtdiodenchips 300 während eines Übertragungsprozesses des Leuchtdiodenchips durch Aufnehmen des Leuchtdiodenchips 300, wodurch die Ausrichtungsgenauigkeit verbessert wird. Darüber hinaus wird eine Dickenzunahme der Anzeigevorrichtung entsprechend der Dicke (oder Höhe) des Leuchtdiodenchips 300 minimiert.
  • Der eingelassene Abschnitt 130 trägt den Leuchtdiodenchip 300. Zu diesem Zeitpunkt kann der eingelassene Abschnitt 130 den Leuchtdiodenchip 300 durch ein Klebemittel 305 stützen.
  • Das Klebemittel 305 ist zwischen der Boden-Oberfläche 130a des eingelassenen Abschnitts 130 und dem Leuchtdiodenchip 300 angeordnet und befestigt den Leuchtdiodenchip 300 an der Boden-Oberfläche 130a des eingelassenen Abschnitts 130. Das Klebemittel 305 kann gemäß einem Beispiel an dem zweiten Abschnitt 300b des Leuchtdiodenchips 300, d.h. der anderen Seite des Halbleitersubstrats 310, angebracht (oder beschichtet) sein, wodurch das Klebemittel 305 an der Boden-Oberfläche 130a des Halbleitersubstrats 310 während eines Verpackungs-Prozesses des Verpackens des Leuchtdiodenchips 300 in dem eingelassenen Abschnitt 130 befestigt werden kann. Das Klebemittel 305 kann gemäß einem anderen Beispiel auf die Boden-Oberfläche 130a des eingelassenen Abschnitts 130 gepunktet bzw. getropft werden und ausgebreitet bzw. verteilt werden mittels eines Drucks, der während des Verpackungs-Prozesses des Leuchtdiodenchips 300, ausgeübt wird, wodurch das Klebemittel 305 an den zweiten Abschnitt 300b des Leuchtdiodenchips 300, d.h. die andere Seite des Halbleitersubstrats 310, angebracht werden kann. Als Ergebnis kann der in dem eingelassenen Abschnitt 130 verpackte Leuchtdiodenchip 300 hauptsächlich durch das Klebemittel 305 fixiert sein. Daher wird gemäß diesem Beispiel der Verpackungs-Prozess (engl. packaging process) des Leuchtdiodenchips 300 derart durchgeführt, dass der Leuchtdiodenchip 300 einfach an der Boden-Oberfläche 130a des eingelassenen Abschnitts 130 angebracht wird, wodurch die Zeit für den Verpackungs-Prozess des Leuchtdiodenchips 300 verringert werden kann.
  • Der Verpackungs-Prozess des Leuchtdiodenchips 300 kann gemäß einem Beispiel ferner einen Prozess zum Verpacken eines roten Leuchtdiodenchips (ein Leuchtdiodenchip, der ein rotes Licht emittiert) in jedem der roten Pixeln, einen Prozess zum Verpacken eines grünen Leuchtdiodenchips (ein Leuchtdiodenchip, der ein grünes Licht emittiert) in jedem der grünen Pixel, ein Prozess des Verpackens eines blauen Leuchtdiodenchips (ein Leuchtdiodenchip, der ein blaues Licht emittiert) in jedem der blauen Pixel, ein Prozess des Verpackens eines weißen Leuchtdiodenchips (ein Leuchtdiodenchip, der ein weißes Licht emittiert) in jedem der weißen Pixel aufweisen.
  • Der Verpackungs-Prozess des Leuchtdiodenchips 300 kann gemäß einem Beispiel nur einen Prozess des Verpackens eines weißen Leuchtdiodenchips in jedem der Pixel aufweisen. In diesem Fall weist das erste Substrat 100 oder das zweite Substrat 500 eine Farbfilterschicht auf, die jeden der Pixel überlappt. Die Farbfilterschicht lässt nur Licht mit einer Wellenlänge einer Farbe, die einem entsprechenden Pixel des weißen Lichts entspricht, durch.
  • Der Verpackungs-Prozess des Leuchtdiodenchips 300 kann gemäß einem Beispiel nur einen Prozess des Verpackens eines Leuchtdiodenchips einer ersten Farbe in jedem der Pixel aufweisen. In diesem Fall aufweist das erste Substrat 100 oder das zweite Substrat 500 eine Wellenlängenkonversionsschicht und eine Farbfilterschicht auf, die jeden der Pixel überlappen. Die Wellenlängenkonversionsschicht emittiert Licht einer zweiten Farbe basierend auf einem Teils des einfallenden Lichts von dem Leuchtdiodenchip der ersten Farbe. Die Farbfilterschicht lässt nur Licht mit einer Wellenlänge einer Farbe durch, die einem entsprechenden Pixel des weißen Lichts entspricht, entsprechend einer Mischung von Licht der ersten Farbe und Licht der zweiten Farbe. In diesem Fall kann die erste Farbe eine blaue Farbe sein und die zweite Farbe kann eine gelbe Farbe sein.
  • Die zweite Planarisierungsschicht 140 ist auf der ersten Planarisierungsschicht 110 vorgesehen, um den Leuchtdiodenchip 300 zu bedecken. Die zweite Planarisierungsschicht 140 ist auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats 100 vorgesehen, um den Umfang und die obere Oberfläche des Substrats des Leuchtdiodenchips 300, der auf der ersten Planarisierungsschicht 110 und in dem eingelassenen Abschnitt 130 angeordnet ist, zu bedecken. Zu diesem Zeitpunkt kann die zweite Planarisierungsschicht 140 in einer Dicke vorgesehen sein, um sowohl die erste Elektrode E1 als auch die zweite Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 zu bedecken, wobei ein Umfangsbereich des Leuchtdiodenchips 300, der in dem eingelassenen Abschnitt 130 angeordnet ist, eingebettet wird. Die zweite Planarisierungsschicht 140 stellt eine planare Oberfläche auf der ersten Planarisierungsschicht 110 bereit. Die zweite Planarisierungsschicht 140 dient auch dazu, den Leuchtdiodenchip 300, der primär durch das Klebemittel 305 in dem eingelassenen Abschnitt 130 befestigt ist, sekundär mittels des Einbettens des Umfangsbereichs des Leuchtdiodenchips 300, der in dem eingelassenen Abschnitt 130 angeordnet ist, zu fixieren.
  • Die Pixelelektrode AE ist elektrisch mit dem Treiberdünnfilmtransistor T2 und der ersten Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 verbunden und kann als eine Anodenelektrode definiert bzw. eingerichtet sein. Die Pixelelektrode AE ist auf der zweiten Planarisierungsschicht 140 vorgesehen, die mit dem Treiberdünnfilmtransistor T2 und der ersten Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 überlappt. Die Pixelelektrode AE ist elektrisch mit der Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2 durch ein erstes Elektrodenkontaktloch ECH1, das in der zweiten Planarisierungsschicht 140 vorgesehen ist, verbunden. Daher ist die erste Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 durch die Pixelelektrode AE elektrisch mit der Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2 verbunden. Auf diese Weise kann die Pixelelektrode AE aus einem transparenten leitfähigen Material gebildet sein bzw. werden, wenn die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ein Top-Emitter-Typ ist, und kann aus einem lichtreflektierenden leitenden Material gebildet sein bzw. werden, wenn die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ein Bottom-Emitter-Typ. In diesem Fall kann das transparente leitfähige Material ITO (Indiumzinnoxid) oder IZO (Indiumzinkoxid) sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Das leitfähige reflektierende Material kann aus A1, Ag, Au, Pt oder Cu gebildet sein oder aufweisen, ist aber nicht darauf beschränkt. Die Pixelelektrode AE, die aus dem lichtreflektierenden leitfähigen Material hergestellt ist, kann aus einer einzigen Schicht hergestellt sein, die ein lichtreflektierendes leitfähiges Material aufweist, oder eine Mehrfachschicht bzw. ein Schichtenstapel sein, die/der mit der einzelnen Schicht abgeschieden ist.
  • Das erste Schaltungskontaktloch CCH1 ist in der ersten und der zweiten Planarisierungsschicht 110 und 140 vorgesehen und die dielektrische Zwischenschicht 105 überlappt teilweise mit der Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2, um die Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2 teilweise freizulegen. Das erste Schaltungskontaktloch CCH1 kann ausgebildet werden, indem die erste und zweite Planarisierungsschicht 110 und 140 und die dielektrische Zwischenschicht 105, die teilweise mit der Source-Elektrode SE des Treiberdünnfilmtransistors T2 überlappt, durch einen Lochstrukturierungsprozess basierend auf einem fotolithografischen Prozess und einem Ätzprozess entfernt werden.
  • Das erste Elektrodenkontaktloch ECH1 legt die erste Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 teilweise oder vollständig frei und wird zusammen mit dem ersten Schaltungskontaktloch CCH1 ausgebildet. Das erste Elektrodenkontaktloch ECH1 kann bereitgestellt werden, indem die zweite Planarisierungsschicht 140, die teilweise oder vollständig mit der ersten Elektrode E1 des Leuchtdiodenchips 300 überlappt ist, durch einen Lochstrukturierungsprozess basierend auf einem fotolithografischen Prozess und einem Ätzprozess entfernt wird. In diesem Fall kann, da das erste Schaltungskontaktloch CCH1 und das erste Elektrodenkontaktloch ECH1 sich in ihrer jeweiligen Tiefen voneinander unterscheiden, gemäß diesem Beispiel ein Maskenmuster auf der zweiten Planarisierungsschicht 140 durch einen fotolithografischen Prozess basierend auf einer Halbtonmaske ausgebildet werden, und das erste Schaltungskontaktloch CCH1 und das erste Elektrodenkontaktloch ECH1 können gleichzeitig durch einen Ätzprozess basierend auf dem Maskenmuster gebildet werden.
  • Die gemeinsame Elektrode CE ist elektrisch mit der zweiten Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 verbunden und kann als eine Kathodenelektrode definiert bzw. eingerichtet sein. Die gemeinsame Elektrode CE ist auf der zweiten Planarisierungsschicht 140 vorgesehen, die die gemeinsame Stromleitung CL und die zweite Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 überlappt. In diesem Fall kann die gemeinsame Elektrode CE aus dem gleichen Material wie das der Pixelelektrode AE gebildet sein. Die gemeinsame Elektrode CE ist elektrisch mit der gemeinsamen Stromleitung CL durch das zweite Schaltungskontaktloch CCH2 verbunden, das durch die Gate-Isolierschicht 103, die dielektrische Zwischenschicht 105, die erste Planarisierungsschicht 110 und die zweite Planarisierungsschicht 140 hindurchführt, und ist elektrisch mit der zweiten Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 durch das zweite Elektrodenkontaktloch ECH2, das in der zweiten Planarisierungsschicht 140 vorgesehen ist, verbunden. Daher ist die zweite Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 elektrisch mit der gemeinsamen Stromleitung CL durch die gemeinsame Elektrode CE verbunden.
  • Das zweite Schaltungskontaktloch CCH2 ist in der ersten und zweiten Planarisierungsschicht 110 und 140 vorgesehen, wobei die dielektrische Zwischenschicht 105 und die Gate-Isolierschicht 103 teilweise die gemeinsame Stromleitung CL überlappen, um die gemeinsame Stromleitung CL teilweise freizulegen. Das zweite Schaltungskontaktloch CCH2 kann ausgebildet werden, indem die erste und zweite Planarisierungsschicht 110 und 140, die dielektrische Zwischenschicht 105 und die Gate-Isolierschicht 103, die teilweise die gemeinsame Stromleitung CL überlappen, mittels eines Lochstrukturierungsprozess, der auf einem fotolithografischen Prozess und einem Ätzprozess basiert, entfernt werden. Das zweite Schaltungskontaktloch CCH2 wird zusammen mit dem ersten Schaltungskontaktloch CCH1 und dem ersten Elektrodenkontaktloch ECH1 ausgebildet.
  • Das zweite Elektrodenkontaktloch ECH2 legt die zweite Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 teilweise oder vollständig frei und wird zusammen mit dem zweiten Schaltungskontaktloch CCH2 ausgebildet. Das zweite Elektrodenkontaktloch ECH2 kann ausgebildet werden, da die zweite Planarisierungsschicht 140, die teilweise oder vollständig die zweite Elektrode E2 des Leuchtdiodenchips 300 überlappt, durch einen Lochstrukturierungsprozess basierend auf einem fotolithografischen Prozess und einem Ätzprozess entfernt wird. In diesem Fall kann das zweite Schaltungskontaktloch CCH2 und das zweite Elektrodenkontaktloch ECH2 durch den gleichen Lochstrukturierungsprozess wie das erste Schaltungskontaktloch CCH1 und das erste Elektrodenkontaktloch ECH1 ausgebildet werden.
  • Die Pixelelektrode AE und die gemeinsame Elektrode CE können gleichzeitig durch einen Abscheidungsprozess zum Abscheiden eines Elektrodenmaterials auf der zweiten Planarisierungsschicht 140, die die ersten und zweiten Elektrodenkontaktlöcher ECH1 und ECH2 aufweist, und einem Elektrodenstrukturierungsprozess basierend auf einem fotolithografischen Prozess und einem Ätzprozess ausgebildet werden. Daher kann gemäß diesem Beispiel, da die Pixelelektrode AE, die den Leuchtdiodenchip 300 mit der Pixelschaltung PC und der gemeinsamen Elektrode CE verbindet, zur gleichen Zeit ausgebildet wird, der Elektrodenverbindungsprozess vereinfacht werden, und eine Prozesszeit für das Verbinden des Leuchtdiodenchips 300 mit der Pixelschaltung PC kann merklich verringert werden, wodurch die Produktivität der Leuchtdiodenanzeigevorrichtung verbessert werden kann.
  • 7 ist eine Ansicht, die ein modifiziertes Beispiel eines eingelassenen Abschnitts darstellt, der in 6 gezeigt ist.
  • Wie unter Bezugnahme auf 7 gezeigt ist, kann der eingelassene Abschnitt 130, der in jedem Pixel SP gemäß dem modifizierten Beispiel vorgesehen ist, so ausgebildet sein, dass er von der ersten Planarisierungsschicht 110 vertieft ist, um eine unterschiedliche Tiefe D1, D2 oder D3 pro Pixel SP zu haben. In diesem Fall kann die Tiefe D1, D2 oder D3 des eingelassenen Abschnitts 130 als der Abstand zwischen der oberen Oberfläche 110a der ersten Planarisierungsschicht 110 und der unteren Oberfläche 130a jedes ausgesparten Abschnitts 130 definiert sein.
  • Der eingelassene Abschnitt 130, der in jedem Pixel SP vorgesehen ist, kann in einer Tiefe D1, D2 oder D3 vorgesehen sein, die für jedes von mindestens drei benachbarten Pixeln SP1, SP2 und SP3, die ein Einheitspixel UP bilden, unterschiedlich ist. Das heißt, der ausgesparte Abschnitt 130 ist in einer unterschiedlichen Tiefe D1, D2 oder D3 von der ersten Planarisierungsschicht 110 basierend auf einer Höhe des Leuchtdiodenchips 300, der in dem entsprechenden Pixel angeordnet wird, vorgesehen, wodurch eine Höhenabweichung (oder Schrittdifferenz) zwischen Leuchtdiodenchips pro Farbe entfernt oder minimiert wird.
  • Die Leuchtdiodenanzeigevorrichtung weist gemäß diesem Beispiel ein rotes Pixel SP1, ein grünes Pixel SP2 und ein blaues Pixel SP3 auf, um ein Farbbild zu realisieren, und der Leuchtdiodenchip 300 ist in dem eingelassenen Abschnitt 130, der pro Farbe klassifiziert oder eingerichtet ist, angeordnet und in einem Pixel der entsprechenden Farbe bereitgestellt. Zu dieser Zeit kann der Leuchtdiodenchip pro Farbe während eines Herstellungsprozesses durch einen Prozessfehler usw. eine unterschiedliche Höhe (oder Dicke) aufweisen. Zum Beispiel kann der Leuchtdiodenchip pro Farbe in der Reihenfolge Rot, Grün und Blau dicker sein. In diesem Fall kann die Tiefe D1, D2 oder D3 des eingelassenen Abschnitts 130 in der Reihenfolge des roten Pixels SP1, des grünen Pixels SP2 und des blauen Pixels SP3 basierend auf der Höhe des entsprechenden Leuchtdiodenchips 300 tiefer ausgebildet werden.
  • Daher wird die Tiefe des eingelassenen Abschnitts 130, der in jedem Pixel vorgesehen ist, basierend auf der Höhe (oder Dicke) des Leuchtdiodenchips 300, der in dem Pixel vorgesehen ist, unterschiedlich eingestellt, wodurch die oberste Oberfläche des Leuchtdiodenchips 300, der in jedem Pixel angeordnet ist/wird, beispielsweise die oberste Oberfläche der ersten Elektrode E1, auf der gleichen horizontalen Linie HL angeordnet werden kann. Infolgedessen kann ein offener Defekt, bei dem die erste Elektrode (oder die zweite Elektrode) des Leuchtdiodenchips 300 aufgrund der Dickenabweichung des Leuchtdiodenchips pro Farbe während des Strukturierungsprozesses der ersten und zweiten Elektrodenkontaktlöcher nicht exponiert ist, vermieden werden. Auch wird in diesem Beispiel in der Top-Emitter-Struktur ein optischer Abstand zwischen dem Leuchtdiodenchip 300 jedes Pixels und der reflektierenden Schicht 101 durch den eingelassenen Abschnitt 130 optimiert, der in einer unterschiedlichen Tiefe D1, D2 oder D3 für jedes Pixel vorgesehen ist, wodurch die Reflexionseffizienz der Reflexionsschicht 101 verbessert werden kann. Als Ergebnis kann die optische Effizienz des Leuchtdiodenchips 300 maximiert werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann der folgende Vorteil erreicht werden.
  • In der Leuchtdiodenanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Übertragungszeit kürzer als die eines Redundanzmodus, und ein Pixelfehler wird ähnlich dem Redundanzmodus selten erzeugt, wodurch die Produktivität der Leuchtdiodenanzeigevorrichtung sichergestellt werden kann.

Claims (7)

  1. Leuchtdiodenanzeigevorrichtung aufweisend: ein Pixel (SP), das einen Treiberdünnfilmtransistor (T2) aufweist, der auf einem Substrat (100) bereitgestellt ist; eine erste Planarisierungsschicht (110), die das Pixel (SP) bedeckt; einen Leuchtdiodenchip (300), der auf der ersten Planarisierungsschicht (110) angeordnet ist, und eine erste Elektrode (E1) und eine zweite Elektrode (E2) aufweist, einen eingelassenen Abschnitt (130), der in der ersten Planarisierungsschicht (110) zum Aufnehmen des Leuchtdiodenchips (300) bereitgestellt ist, eine zweite Planarisierungsschicht (140), die die erste Planarisierungsschicht (110) und den Leuchtdiodenchip (300) bedeckt, eine Pixelelektrode (AE), die auf der zweiten Planarisierungsschicht (140) angeordnet ist und elektrisch mit dem Treiberdünnfilmtransistor (T2) und der ersten Elektrode (E1) des Leuchtdiodenchips (300) verbunden ist; und eine gemeinsame Elektrode (CE), die auf der zweiten Planarisierungsschicht (140) angeordnet ist und elektrisch mit der zweiten Elektrode (E2) des Leuchtdiodenchips (300) verbunden ist, wobei der Leuchtdiodenchip (300) eine erste Leuchtdiode (D1) und eine zweite Leuchtdiode (D2) aufweist, die parallel auf einem Halbleitersubstrat (310) bereitgestellt sind.
  2. Leuchtdiodenanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Leuchtdiode (D1) und die zweite Leuchtdiode (D2) jeweils aufweist: eine erste Halbleiterschicht (320), die auf dem Halbleitersubstrat (310) bereitgestellt ist; eine aktive Schicht (330), die auf einer Seite der ersten Halbleiterschicht (320) bereitgestellt ist; eine zweite Halbleiterschicht (350), die auf der aktiven Schicht (330) bereitgestellt ist; ein erstes Pad (P1), das auf der zweiten Halbleiterschicht (350) bereitgestellt ist; und ein zweites Pad (P2), das auf der ersten Halbleiterschicht (320) bereitgestellt ist.
  3. Leuchtdiodenanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Leuchtdiode (D1) und die zweite Leuchtdiode (D2) jeweils ein erstes Pad (P1) und ein zweites Pad (P2) aufweisen; wobei die erste Elektrode (E1) mit dem ersten Pad (P1) der ersten Leuchtdiode (D1) und mit dem ersten Pad (P1) der zweiten Leuchtdiode (D1, D2) gemeinsam verbunden ist; und wobei die zweite Elektrode (E2) mit dem zweiten Pad (P2) der ersten Leuchtdiode (D1) und mit dem zweiten Pad (P2) der zweiten Leuchtdiode (D1, D2) gemeinsam verbunden ist, wobei die erste Leuchtdiode (D1) und die zweite Leuchtdiode (D2) elektrisch parallel zueinander geschaltet sind.
  4. Leuchtdiodenanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 2 oder 3, ferner aufweisend: eine Isolierschicht (315), die die erste Leuchtdiode (D1) und die zweite Leuchtdiode (D2) bedeckt, wobei die erste Elektrode (E1) mit dem ersten Pad (P1) der ersten Leuchtdiode (D1) und dem ersten Pad (P1) der zweiten Leuchtdiode (D2) jeweils durch ein erstes Kontaktloch (PCH1), das in der Isolierschicht (315) bereitgestellt ist, verbunden ist und die zweite Elektrode (E2) mit dem zweiten Pad (P2) der ersten Leuchtdiode (D1) und dem zweiten Pad (P2) der zweiten Leuchtdiode (D2) jeweils durch ein zweites Kontaktloch (PCH2), das in der Isolierschicht (315) bereitgestellt ist, verbunden ist.
  5. Leuchtdiodenanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, ferner aufweisend: eine gemeinsame Stromleitung (CL), die auf dem Substrat (310) bereitgestellt ist, wobei die Pixelelektrode (AE) auf einer oberen Oberfläche der ersten Planarisierungsschicht (110) bereitgestellt und elektrisch mit dem Treiberdünnfilmtransistor (T2) und der ersten Elektrode (E1) des Leuchtdiodenchips (300) verbunden ist, und wobei die gemeinsame Elektrode (CE) auf der oberen Oberfläche der ersten Planarisierungsschicht (110) bereitgestellt und elektrisch mit der gemeinsamen Stromleitung (CL) und der zweiten Elektrode (E2) des Leuchtdiodenchips (300) verbunden ist.
  6. Leuchtdiodenanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, ferner aufweisend eine gemeinsame Stromleitung (CL), die auf dem Substrat (310) bereitgestellt ist, wobei die Pixelelektrode (AE) auf einer oberen Oberfläche der zweiten Planarisierungsschicht (140) bereitgestellt und elektrisch mit dem Treiberdünnfilmtransistor (T2) und der ersten Elektrode (E1) des Leuchtdiodenchips (300) verbunden ist, und wobei die gemeinsame Elektrode (CE) auf der oberen Oberfläche der zweiten Planarisierungsschicht (140) bereitgestellt und elektrisch mit der gemeinsamen Stromleitung (CL) und der zweiten Elektrode (E2) des Leuchtdiodenchips (300) verbunden ist.
  7. Leuchtdiodenanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner aufweisend ein Einheitspixel mit mindestens drei Pixeln (SP1, SP2, SP3), die so angeordnet sind, dass sie aneinander angrenzen, wobei der eingelassene Abschnitt (130) mit einer Tiefe (D1, D2, D3) bereitgestellt ist, die für jedes Pixel (SP), die das Einheitspixel bilden, unterschiedlich ist.
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