DE102014113698A1

DE102014113698A1 - Kontaktstelle für Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE102014113698A1
Application number: DE102014113698.5A
Authority: DE
Inventors: Cheng-chieh Hsieh; Chang-Chia HUANG; Tsung-Shu Lin; Wei-Cheng Wu
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2014-05-28
Filing date: 2014-09-23
Publication date: 2015-12-03
Also published as: US10930605B2; TWI598966B; US10453813B2; TW201545246A; US9691686B2; KR20150136983A; US20200051936A1; US11527502B2; US20170301637A1; US20150348877A1; KR101802570B1; CN105280599B; US20210175191A1; US20230112750A1; CN105280599A; US11901320B2

Abstract

Es ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung vorgesehen, die eine Hilfsscheiben-Einrichtung angrenzend an Kontaktstellen verwenden. Die Kontaktstellen können Kontaktstellen in einem integrierten Fan-Out-Gehäuse sein, bei dem eine Formmasse entlang Seitenwänden eines Dies angeordnet ist und die Kontaktstellen sich über den Die und die Formmasse erstrecken. Die Kontaktstellen sind mit dem Die mittels einer oder mehreren Umverteilungsschichten elektrisch verbunden. Die Hilfsscheiben-Einrichtungen sind von den Kontaktstellen elektrisch isoliert. In einigen Ausführungsformen umgeben die Hilfsscheiben-Einrichtungen die Kontaktstellen teilweise und liegen in einem Eckbereich der Formmasse, einem Eckbereich des Dies und/oder einem Grenzflächen-Bereich zwischen einem Rand des Dies und der Formmasse.

Description

BEANSPRUCHUNG DER PRIORITÄT UND QUERVERWEISE
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der vorläufigen U.S.-Anmeldung Nr. 62/003 979, eingereicht am 28. Mai 2014, mit dem Titel „InFO RDL Routing Capability Improvement Design”; diese Anmeldung ist hiermit durch Bezugnahme aufgenommen.
HINTERGRUND
Halbleitervorrichtungen werden in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen verwendet, wie beispielsweise PCs, Mobiltelefonen, Digitalkameras und anderen elektronischen Geräten. Halbleitervorrichtungen werden üblicherweise hergestellt, indem aufeinander folgend isolierende oder dielektrische Schichten, leitende Schichten und Halbleiterschichten aus verschiedenen Materialien über einem Halbleitersubstrat abgelagert werden und die verschiedenen Materialschichten mittels Lithographie strukturiert werden, um Schaltungskomponenten und -elemente darauf auszubilden. Dutzende oder Hunderte von integrierten Schaltungen werden üblicherweise auf einem einzigen Halbleiterwafer hergestellt. Die einzelnen Dies werden vereinzelt, indem die integrierten Schaltungen entlang einer Risslinie gesägt werden. Die einzelnen Dies werden dann getrennt, beispielsweise in Mehr-Chip-Modulen oder anderen Arten von Gehäusen, verpackt.
Die Halbleiterbranche verbessert weiterhin die Integrationsdichte von verschiedenen elektronischen Komponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerständen, Kondensatoren etc.) durch kontinuierliche Verringerung der minimalen Einrichtungsgröße, was es erlaubt, mehr Komponenten in eine vorgegebene Fläche zu integrieren. Diese kleineren elektronischen Komponenten, wie integrierte Schaltungs-Dies, können auch in manchen Anwendungen kleinere Gehäuse erfordern, die weniger Fläche als frühere Gehäuse benötigen.
Integrierte Fan-Out-(InFO)-Kapselungstechnologie wird immer beliebter, insbesondere wenn sie mit Wafer-Level-Packaging-(WLP)-Technologie kombiniert wird, bei der integrierte Schaltungen in Gehäusen gekapselt werden, die üblicherweise eine Umverteilungsschicht (RDL) oder Post-Passivierungs-Verbindung (engl. „post passivation interconnect”, PPI) umfassen, die verwendet wird, um Verdrahtung für Kontaktstellen des Gehäuses zu verteilen, so dass elektrische Kontakte mit einem größeren Mittenabstand hergestellt werden können als Kontaktstellen der integrierten Schaltung. Solche sich ergebenden Gehäusestrukturen sorgen für eine hohe Funktionsdichte mit Gehäusen mit relativ niedrigen Kosten und hoher Leistungsfähigkeit.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten aus der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie mit den beigefügten Figuren gelesen wird. Man beachte, dass in Übereinstimmung mit dem üblichen Vorgehen in der Branche verschiedene Einrichtungen nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Einrichtungen zur Klarheit der Beschreibung beliebig vergrößert oder verkleinert sein.
1 ist eine Draufsicht eines Abschnitts eines integrierten Fan-Out-Gehäuses, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
2 ist eine Draufsicht einer Kontaktstelle, die eine Hilfsscheiben-Einrichtung aufweist, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
3A–3J zeigen verschiedene Zwischen-Verfahrensschritte bei der Herstellung eines Gehäuses, das eine Kontaktstelle aufweist, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
4 ist ein Flussdiagramm, das Schritte zeigt, die ausgeführt werden können, um eine Vorrichtung herzustellen, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Die folgende Offenbarung sieht viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele vor, um verschiedene Einrichtungen der Erfindung zu implementieren. Spezielle Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind unten beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind natürlich nur Beispiele und sollen nicht einschränkend wirken. Das Ausbilden einer ersten Einrichtung über oder auf einer zweiten Einrichtung in der folgenden Beschreibung kann beispielsweise Ausführungsformen umfassen, in denen die erste und die zweite Einrichtung in direktem Kontakt ausgebildet sind, und kann auch Ausführungsformen umfassen, in denen zusätzliche Einrichtungen zwischen der ersten und der zweiten Einrichtung ausgebildet sein können, so dass die erste und die zweite Einrichtung nicht in direktem Kontakt sein müssen. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugszeichen und/oder Buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Klarheit und erzwingt als solche keine Beziehung zwischen den verschiedenen beschriebenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen.
Weiter können räumlich relative Begriffe, wie „unten”, „unter”, „unterer”, „über”, „oberer” und ähnliche, hier zur Einfachheit der Beschreibung verwendet werden, um die Beziehung eines Elements oder einer Einrichtung mit einem oder mehreren anderen Elementen oder Einrichtungen zu beschreiben, wie sie in den Figuren gezeigt sind. Die räumlich relativen Begriffe sollen verschiedene Orientierungen der Vorrichtung, die verwendet oder betrieben wird, zusätzlich zu der in den Figuren gezeigten Orientierung umfassen. Die Vorrichtung kann anders orientiert sein (um 90 Grad gedreht oder in einer anderen Orientierung), und die räumlich relativen Begriffe, die hier verwendet werden, können ebenfalls demgemäß interpretiert werden.
Einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen Kapselungsvorrichtungen und Verfahren zur ihrer Herstellung für Halbleitervorrichtungen. Ausführungsformen wie diejenigen, die hier beschrieben sind, sehen beispielsweise eine Kontaktstellen-Struktur und -Anordnung vor, die beispielsweise für integrierte Fan-Out-(InFO)-Gehäuse nützlich sein kann. In einigen Ausführungsformen werden die Kontaktstellen-Größen verringert, um zusätzliche Fläche für Leitungsrouting bereitzustellen, etwa das, das in Umverteilungsschichten (RDLs) bereitgestellt wird. Als solche erweitern Ausführungsformen wie diejenigen, die hier offenbart sind, Routing-Fähigkeiten von Umverteilungsschichten, indem sie die Größe von Kontaktstellen verringern, ohne dass zusätzliche Probleme mit der Zuverlässigkeit auftreten. Große RDL-Kontaktstellen decken üblicherweise einen hohen Anteil der Fläche einer einzelnen RDL-Schicht ab, wodurch die Routing-Fähigkeit begrenzt ist und häufig eine zusätzliche Schicht oder Schichten erforderlich ist, um die Routing-Integrität sicherzustellen, was wiederum die Kosten erhöht. Des Weiteren führt die Verkleinerung der kritischen Abmessung von Kontaktstellen häufig zu Zuverlässigkeitsproblemen auf dielektrischen (z. B. Polymer-)Schichten an bestimmten kritischen Orten, etwa Ecken von Dies von Ball-Grid-Array-Anordnungen. Ähnliche Probleme wurden auch in Flip-Chip-Gehäusen beobachtet.
Um diese Probleme zu lösen, umfassen manche Ausführungsformen eine Hilfsscheiben-Einrichtung, etwa eine Hilfs-Metalleinrichtung, die an eine Kontaktstelle angrenzt und entlang eines Randes der Under-Bump-Metallization (UBM) liegt. Im Allgemeinen ist, wie unten detaillierter beschrieben ist, die Hilfsscheiben-Einrichtung eine Einrichtung, etwa eine Metalleinrichtung, die von der Kontaktstelle getrennt ist und die Kontaktstelle teilweise umgibt. In einigen Ausführungsformen ist die Hilfsscheiben-Einrichtung ein Hilfsring, der die Kontaktstelle teilweise umgibt. Die Hilfsscheibe ist mit der Kontaktstelle nicht elektrisch verbunden.
Die Hilfsscheiben-Einrichtung kann vorgesehen sein, wenn es für ein bestimmtes Design angemessen ist. In einigen Ausführungsformen ist die Hilfsscheiben-Einrichtung beispielsweise in Ecken von Dies einer Ball-Grid-Array-(BGA)-Konfiguration vorgesehen, um Zuverlässigkeitsprobleme zu verringern oder zu vermeiden, insbesondere wenn sie von der Verringerung von RDL-Kontaktstellen-Größen und Polymeröffnungsgrößen begleitet ist. Zusätzlich ist in einigen Ausführungsformen die Hilfsscheiben-Einrichtung in einem kleinen Bereich entlang Ecken von Dies und Ecken von Gehäusen vorgesehen. In einigen Ausführungsformen umfasst ein 3 × 3-Bereich eines BGA-Arrays entlang der Ecken eines Dies und der Ecken eines Gehäuses die Hilfsscheiben-Einrichtung. Hilfsscheiben-Einrichtungen können auch entlang einer Grenzfläche zwischen dem Die und einer Formmasse vorgesehen sein.
Wie unten beschrieben ist, sind Ausführungsformen offenbart, die eine Hilfsscheiben-Einrichtung und eine Kontaktstellen-Struktur zum Zweck des Befestigens eines Substrats an einem anderen Substrat verwenden, wobei jedes der Substrate ein Die, ein Wafer, eine Leiterplatte, ein Kapselungssubstrat oder Ähnliches sein kann, was dadurch eine Die zu Die-, Wafer zu Die-, Wafer zu Wafer-, Die oder Wafer zu Leiterplatte- oder Kapselungssubstrat-Verbindung oder Ähnliches ermöglicht.
Bezieht man sich jetzt auf 1, so ist eine Draufsicht eines Abschnitts eines InFO-Gehäuses gezeigt, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Das InFO-Gehäuse, das in 1 gezeigt ist, umfasst einen Die-Bereich 102 und einen Formmasse-Bereich 104. In Ausführungsformen wie diesen weist ein Die (als der Die-Bereich 102 wiedergegeben) eine Formmasse (wiedergegeben durch den Formmasse-Bereich 104) entlang Seitenwänden des Dies auf. Kontaktstellen 106 bieten eine externe elektrische Verbindung zu einem weiteren Substrat, etwa einem Die, einem Wafer, einem Kapselungssubstrat, einer Leiterplatte, einem Interposer oder Ähnlichem. Darüber liegende Schichten, etwa Umverteilungsschichten, Under-Bump-Metallization-(UBM)-Schichten und Ähnliches, sind nicht gezeigt, um Einrichtung einer Ausführungsform besser darzustellen.
Wie in 1 gezeigt ist, liegt eine Breite W₁ der Kontaktstellen bei etwa 100 μm bis etwa 200 μm, z. B. etwa 140 μm. Diese verringerte Größe der Kontaktstellen, verglichen mit Kontaktstellen, die eine Breite von etwa 240 μm oder mehr haben, bietet eine größere Fläche für Umverteilungsleitungen. In einigen Ausführungsformen erlaubt die zusätzliche Fläche für die Umverteilungsleitungen, dass weniger Routing-Schichten verwendet werden, was die Kosten der Herstellung verringert.
1 zeigt weiter drei Hilfsbereiche 108a, 108b und 108c (die gemeinsam als Hilfsbereiche 108 bezeichnet werden), die durch gestrichelte Rechtecke angezeigt sind und die Bereiche wiedergeben, in denen die Hilfsscheiben-Einrichtungen 110 (unten mit Bezug auf 2 beschrieben) vorgesehen sind, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Die Hilfsbereiche 108 zeigen Bonding-Bereiche, die einem höheren Spannungspegel unterliegen, beispielsweise während Temperaturwechsel auf der Platte (engl. „thermal cycling on board, TCoB), etwa Temperaturwechsel eines Gehäuses, das auf einer Leiterplatte befestigt ist. Das Einbeziehen der Hilfsscheiben-Einrichtung 110 verringert die Spannung und das Risiko von Delaminierung oder anderer Ausfälle.
Der erste Hilfsbereich 108a liegt entlang einer Ecke des Gehäuses. In der Ausführungsform, die in 1 gezeigt ist, umfasst die Ecke des Gehäuses Kontaktstellen 106, die über der Formmasse 104 entlang der Ecke angeordnet sind. In einer Ausführungsform umfasst der erste Hilfsbereich 108a einen Bereich von 3 × 3 Kontaktstellen, die über der Formmasse 104 entlang einer Ecke des Gehäuses angeordnet sind, obwohl andere Größen verwendet werden können. In einer Ausführungsform umfasst der zweite Hilfsbereich 108b einen Bereich von 4 × 4 Kontaktstellen, die über einer Ecke einer Grenzfläche zwischen dem Die-Bereich 102 und dem Formmasse-Bereich 104 entlang einer Ecke des Dies angeordnet sind, obwohl andere Größen verwendet werden können. Wie in 1 gezeigt ist, kann der zweite Hilfsbereich 108b die Kontaktstellen in dem Die-Bereich 102 und dem Formmasse-Bereich 104 überlappen. In einer Ausführungsform umfasst der dritte Hilfsbereich 108c einen Bereich von 3 Kontaktstellen entlang einer Grenzfläche zwischen dem Die-Bereich 102 und dem Formmasse-Bereich 104 entlang eines Randes des Dies, obwohl andere Größen verwendet werden können. Wie in 1 gezeigt ist, kann der dritte Hilfsbereich 108c die Kontaktstellen in dem Die-Bereich 102 und dem Formmasse-Bereich 104 überlappen. Die Hilfsscheiben-Einrichtungen 110, etwa wie in den Ausführungsformen, die hier offenbart sind, können in diesen Bereichen oder anderen Bereichen teilweise nützlich sein, die einem höheren Spannungspegel, Delaminierung und/oder anderen Ausfällen unterliegen.
2 zeigt eine vergrößerte Draufsicht der Kontaktstellen 106 und Hilfsscheiben-Einrichtungen, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. 2 zeigt auch Teile von Abschnitten einer Umverteilungsschicht 112. Die Umverteilungsschicht 112 ist eine Leiterbahn, die die elektrischen Signale mit den erwünschten Orten der Kontaktstellen 106 verbindet. In der Ausführungsform, die in 2 gezeigt ist, bilden die Hilfsscheiben-Einrichtungen 110 Ringe, die die Kontaktstellen 106 teilweise umgeben. In einigen Ausführungsformen liegen die Hilfsscheiben-Einrichtungen 110 von dem Die oder der Mitte des Dies aus gesehen auf einer gegenüberliegenden Seite der Kontaktstelle 106.
In einigen Ausführungsformen liegt eine Breite W₂ der Hilfsscheiben-Einrichtungen bei etwa 15 μm bis etwa 30 μm, z. B. etwa 20 μm. Eine Breite der Hilfsscheiben-Einrichtungen kann gemäß den Anforderungen eines bestimmten Designs und Kontaktstellen-Layouts angepasst sein. In einigen Ausführungsformen stellt eine Breite von 15 μm oder mehr eine erhebliche Verringerung der Spannungs- und Bruchprobleme bereit, insbesondere in den Polymerbereichen um die Kontaktstellen. Des Weiteren bietet in einigen Ausführungsformen eine Breite von mehr als 30 μm wenig oder keine zusätzlichen Vorteile und kann in einigen Ausführungsformen zusätzlichen Raum erfordern. Andere Ausführungsformen können andere Abmessungen verwenden.
3A bis 3J zeigen verschiedene Schnittansichten von Zwischenschritten bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung wie der, die oben mit Bezug auf 1 und 2 beschrieben ist, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Bezieht man sich zuerst auf 3A, so ist ein Trägersubstrat 302 gezeigt, das eine oder mehrere optionale rückseitige Umverteilungsschichten 304 aufweist, die darauf ausgebildet sind. Wie unten detaillierter beschrieben ist, wird ein Die auf dem Trägersubstrat 302 angeordnet, wobei die Kontaktstellen nach oben zeigen. Die rückseitigen Umverteilungsschichten 304 sorgen für elektrische Verbindungen auf beiden Seiten des Gehäuses, was gestapelte Gehäuse ermöglicht (z. B. Package-on-Package-(POP)-Konfigurationen). Alternativ können die rückseitigen Umverteilungsschichten 304 fehlen, wenn ein Die, ein Gehäuse oder ein anderes Substrat nicht auf dem vorliegenden Gehäuse gestapelt wird.
Im Allgemeinen stellt das Trägersubstrat 302 zeitweilige mechanische und strukturelle Befestigung während nachfolgender Verarbeitungsschritte bereit. Zusätzlich stellt das Trägersubstrat 302, wie in 3A gezeigt ist, eine Oberfläche bereit, auf der die rückseitigen Umverteilungsschichten 304 ausgebildet werden. Das Trägersubstrat 302 kann beispielsweise Glas, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder Ähnliches umfassen.
Die rückseitigen Umverteilungsschichten 304 umfassen eine oder mehrere Schichten von Dielektrika mit leitenden Einrichtungen (z. B. Leiterbahnen und Durchkontaktierungen), die darin ausgebildet sind. Die eine oder mehreren Schichten aus Dielektrika werden gemeinsam als rückseitige dielektrische Schichten 304a bezeichnet und die leitenden Einrichtungen werden gemeinsam als rückseitige leitende Einrichtungen 304b bezeichnet.
Die eine oder mehreren rückseitigen dielektrischen Schichten 304a können aus jedem geeigneten Material (z. B. Polyimid (PI), Polybenzoxazole (PBO), BCB, Epoxid, Silikon, Akrylaten, nanogefülltem Phenolharz, Siloxan, einem fluorierten Polymer, Polynorbonen, einem Oxid, einem Nitrid und Ähnlichem) mittels jedes geeigneten Verfahrens (z. B. einer Rotationsbeschichtungstechnik, Sputtern und Ähnlichem) ausgebildet werden. Das Ausbilden der rückseitigen leitenden Einrichtungen 304b kann das Strukturieren der rückseitigen dielektrischen Schichten 304a (z. B. mittels Photolithographie- und/oder Ätzverfahren) und das Ausbilden von rückseitigen leitenden Einrichtungen 304b in den strukturierten rückseitigen dielektrischen Schichten 304a umfassen (z. B. durch Abscheiden einer Keimschicht, Verwenden einer Maskenschicht, um die Form der leitenden Einrichtungen zu definieren, und Verwenden eines stromlosen/elektrochemischen Plattierverfahrens).
3B zeigt das Ausbilden von optionalen Durchkontaktierungen 310, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Die optionalen Durchkontaktierungen 310 stellen eine elektrische Verbindung von einer Seite des Gehäuses zu einer anderen Seite des Gehäuses her. Ein Die wird, wie unten detaillierter beschrieben ist, beispielsweise auf den rückseitigen Umverteilungsschichten 304 befestigt und eine Formmasse wird um die Durchkontaktierungen und den Die ausgebildet. Nachfolgend kann eine weitere Vorrichtung, etwa ein weiterer Die, ein weiteres Gehäuse, Substrat oder Ähnliches, an dem Die und der Formmasse befestigt werden. Die Durchkontaktierungen 310 stellen eine elektrische Verbindung zwischen der weiteren Vorrichtung und den rückseitigen Umverteilungsschichten 304 her, ohne dass elektrische Signale durch den Die geleitet werden müssen, der auf den rückseitigen Umverteilungsschichten 304 befestigt ist.
Die Durchkontaktierungen können beispielsweise ausgebildet werden, indem eine leitende Keimschicht (nicht gezeigt) über den rückseitigen Umverteilungsschichten 304 ausgebildet wird. Eine Maske, etwa eine strukturierte Photoresistschicht, kann abgeschieden und strukturiert werden, um die Form der Durchkontaktierungen 310 zu definieren, wobei Öffnungen in der Maske die Keimschicht freilegen. Die Öffnungen können mit einem leitenden Material gefüllt werden, indem beispielsweise ein stromloses Plattierverfahren oder ein elektrochemisches Plattierverfahren verwendet wird. Das Plattierverfahren kann die Öffnungen in dem strukturierten Photoresist unidirektional füllen (z. B. von der Keimschicht nach oben). Unidirektionales Füllen kann es ermöglichen, dass solche Öffnungen gleichförmiger gefüllt werden, insbesondere für Durchkontaktierungen mit hohem Seitenverhältnis. Alternativ kann eine Keimschicht auf Seitenwänden von Öffnungen in dem strukturierten Photoresist ausgebildet werden und diese Öffnungen können multidirektional gefüllt werden. Nachfolgend kann das Photoresist in einem Plasmaätz- und/oder nassen Entfernungsverfahren entfernt werden, was die Durchkontaktierungen 310 über den rückseitigen Umverteilungsschichten 304 und mit ihnen elektrisch verbunden belässt, wie in 3B gezeigt ist. Die Durchkontaktierungen 310 können auch mit Metalldraht-Stiften realisiert werden, die durch ein Drahtbonding-Verfahren angeordnet werden, etwa einem Kupferdrahtbonding-Verfahren. Die Verwendung eines Drahtbonding-Verfahrens kann den Bedarf für das Abscheiden einer Keimschicht, das Abscheiden und Strukturieren eines Photoresist und das Plattieren, um die Durchkontaktierungen 310 auszubilden, beseitigen.
Bezieht man sich jetzt auf 3C, so ist ein Die 312 gezeigt, der an den rückseitigen Umverteilungsschichten 304 befestigt ist, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Der Die 312 kann ein Substrat umfassen, das jede Art von Schaltung aufweist, die für eine bestimmte Anwendung geeignet ist und die darauf ausgebildet ist. Die elektrischen Schaltungen können beispielsweise verschiedene n-Metalloxid-Halbleiter-(NMOS)- und/oder p-Metalloxid-Halbleiter.(PMOS)-Vorrichtungen umfassen, etwa Transistoren, Kondensatoren, Widerstände, Dioden, Fotodioden, Sicherungen und Ähnliches, die mit einander verbunden sind, um eine oder mehrere Funktionen auszuführen. Die Funktionen können Speicherstrukturen, Verarbeitungsstrukturen, Sensoren, Verstärker, Stromversorgung, Eingabe-/Ausgabe-Schaltungen oder Ähnliches umfassen. Ein Fachmann wird erkennen, dass die obigen Beispiele nur der Beschreibung halber angegeben sind, um Anwendungen von einigen beispielhaften Ausführungsformen weiter zu beschreiben, und die Offenbarung nicht in irgendeiner Weise einschränken sollen. Andere Schaltungen können verwendet werden, die für eine gegebene Anwendung geeignet sind.
Der Die 312 kann eine oder mehrere dielektrische Schichten umfassen, die über den elektrischen Vorrichtungen liegen, und Metallschichten können zwischen dielektrischen Schichten ausgebildet sein, um elektrische Signale zwischen den elektrischen Vorrichtungen zu verbinden. Elektrische Vorrichtungen können auch in einer oder mehreren dielektrischen Schichten ausgebildet sein. Der Die 312 umfasst externe Kontakte, etwa Kontakte 314, in der obersten dielektrischen Schicht, um externe elektrische Verbindungen zu den elektrischen Schaltungen herzustellen. In einer Ausführungsform sind die Kontakte 314 Aluminium-Kontaktstellen oder Aluminium-Kupfer-Kontaktstellen, obwohl andere metallische Materialien verwendet werden können. Die Kontakte 314 können Kontaktstellen, Säulen, Lotkugeln, Drahtstifte oder eine andere leitende elektrische Verbindung zu den elektrischen Schaltungen des Dies 312 sein.
Der Die 312 kann an der rückseitigen Umverteilungsschicht 304 beispielsweise mittels einer Haftschicht 316 (z. B. eines Die-Befestigungs-Films (DAF)) befestigt sein, die auf einer Rückseite angeordnet ist. In einer Ausführungsform kann die Haftschicht 316 aus jedem geeigneten Klebstoff bestehen, etwa ultraviolettem (UV) Kleber, der seine Hafteigenschaften verliert, wenn er UV-Licht ausgesetzt wird.
3D zeigt ein Spritzgussverfahren und ein Rückschleifen der Formmasse, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. In einigen Ausführungsformen ist das Spritzgussverfahren ein Spritzgussverfahren auf Wafer-Ebene. Eine Formmasse 320 wird beispielsweise aufgetragen, um Lücken zwischen dem Die 312 und den Durchkontaktierungen 310 zu füllen. Die Formmasse 320 kann jedes geeignete Material umfassen, etwa ein Epoxidharz, eine Gussunterfüllung oder Ähnliches. Geeignete Verfahren zum Ausbilden der Formmasse 320 umfassen Formpressen, Spritzpressen, Spritzguss mit flüssiger Formmasse und Ähnliches. Die Formmasse 320 kann beispielsweise zwischen dem Die 312 und den Durchkontaktierungen 310 in flüssiger Form aufgebracht werden. Nachfolgend wird ein Aushärteverfahren ausgeführt, um die Formmasse 320 zu festigen. Das Füllen der Formmasse 320 kann den Die 312 und die Durchkontaktierungen 310 überfüllen, so dass die Formmasse 320 obere Flächen des Dies 312 und der Durchkontaktierungen 310 bedeckt. Eine mechanische Schleif-, chemisch-mechanische Polier-(CMP)- oder andere Zurückätztechnik kann angewendet werden, um überschüssige Teile der Formmasse 320 zu entfernen und die Kontakte 314 des Dies 312 freizulegen. Nach einer Planarisierung können obere Flächen der Formmasse 320, des Dies 312 und der Durchkontaktierungen 310 im Wesentlichen plan sein.
Bezieht man sich als nächstes auf 3E, so sind eine oder mehrere vorderseitige Umverteilungsschichten 330 gezeigt, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Die vorderseitigen Umverteilungsschichten 330 können im Wesentlichen den rückseitigen Umverteilungsschichten 304 sowohl bei dem Ausbildungsverfahren als auch in der Zusammensetzung gleichen. Die vorderseitigen Umverteilungsschichten 330 können beispielsweise eine oder mehrere Schichten aus Dielektrika (z. B. dielektrische Schichten 330a) mit leitenden Einrichtungen (z. B. Leiterbahnen und Durchkontaktierungen 330b) umfassen, die darin ausgebildet sind. Die eine oder mehreren dielektrischen Schichten können aus jedem geeigneten Material (z. B. Polyimid (PI), Polybenzoxazole (PBO), BCB, Epoxid, Silikon, Akrylaten, nanogefülltem Phenolharz, Siloxan, einem fluorierten Polymer, Polynorbonen, einem Oxid, einem Nitrid und Ähnlichem) mittels jedes geeigneten Verfahrens (z. B. einer Rotationsbeschichtungstechnik, Sputtern und Ähnlichem) ausgebildet werden. Das Ausbilden der vorderseitigen Umverteilungsschichten 330 kann das Strukturieren der dielektrischen Schichten beispielsweise mittels Photolithographie- und/oder Ätzverfahren und das Ausbilden von leitenden Einrichtungen in den strukturierten dielektrischen Schichten umfassen, indem beispielsweise ein leitendes Material in den Öffnungen der strukturierten dielektrischen Schichten ausgebildet wird.
3F zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Referenzbereichs 317, der in 3E durch das gepunktete Rechteck gekennzeichnet ist. Wie in 3E gezeigt ist, umfasst der Referenzbereich 317 einen Bereich, der zu dem dritten Hilfsbereich 108c gehört, und einen Bereich, der an den dritten Hilfsbereich 108c angrenzt, wie oben mit Bezug auf 1 beschrieben ist. 3F zeigt zwei Kontaktstellen 318a und 318b (gemeinsam als Kontaktstellen 318 bezeichnet) zum Zweck der Beschreibung, wobei eine erste Kontaktstelle 318a außerhalb des dritten Hilfsbereichs 108c liegt und eine zweite Kontaktstelle 318b innerhalb des dritten Hilfsbereichs 108c liegt. Es versteht sich, dass viel mehr Kontaktstellen vorhanden sein können und dass ähnliche Verfahren und Materialien in anderen Bereichen des Bonding-Bereichs verwendet werden können, etwa in dem ersten Hilfsbereich 108a und dem zweiten Hilfsbereich 108b, die oben mit Bezug auf 1 beschrieben sind.
Bezieht man sich wieder auf 3F, so sind zwei Kontaktstellen 318a und 318b gezeigt, die beide verwendet werden können, um einen elektrischen Kontakt herzustellen. Wie in 3F gezeigt ist, ist eine Hilfsscheiben-Einrichtung 332 angrenzend an die Kontaktstelle 318b ausgebildet. Zur Bezugnahme ist das Ausbilden der Kontaktstelle 318b und der Hilfsscheiben-Einrichtung 332 entlang der Linie A-A von 2 gezeigt.
Die Kontaktstellen 318 und die Hilfsscheiben-Einrichtung 332 können mit jedem geeigneten Verfahren und allen geeigneten Materialien ausgebildet werden. In einer Ausführungsform wird beispielsweise eine Keimschicht (nicht gezeigt) über einer Oberfläche der vorderseitigen Umverteilungsschichten 330 abgeschieden. Danach wird eine strukturierte Maskenschicht, etwa eine Photoresistschicht, die abgeschieden, belichtet und entwickelt wurde, über der Keimschicht ausgebildet, die Öffnungen aufweist, die die angestrebte Form der Kontaktstellen 318 und der Hilfsscheiben-Einrichtung 332 definieren. Es versteht sich, dass die Öffnungen weiter eine Umverteilungsleitung definieren können, um die Kontaktstellen mit dem angestrebten Ort zu verbinden, wie in 2 gezeigt ist. Ein Plattierverfahren kann verwendet werden, um die Kontaktstellen 318 und die Hilfsscheiben-Einrichtung 332 über der Keimschicht in den Öffnungen der strukturierten Maskenschicht auszubilden. Es kann beispielsweise ein stromloses Plattierverfahren oder ein elektrochemisches Plattierverfahren verwendet werden. Danach kann die strukturierte Maskenschicht entfernt werden und belichtete Abschnitte der Keimschicht können mittels der Kontaktstellen und der Hilfsscheiben-Einrichtung 332 als Maske entfernt werden. In einigen Ausführungsformen sind die Kontaktstellen 318 und die Hilfsscheiben-Einrichtung 332 Aluminium-Kontaktstellen oder Aluminium-Kupfer-Kontaktstellen, obwohl andere metallische Materialien verwendet werden können.
Wie in 3F gezeigt ist, haben die Kontaktstellen 318 eine Breite W₃ von etwa 100 μm bis etwa 200 μm und die Hilfsscheiben-Einrichtung 332 hat eine Breite W₄ von etwa 15 μm bis etwa 30 μm. In einigen Ausführungsformen hat die Hilfsscheiben-Einrichtung 332 einen Abstand von der Kontaktstelle 318b von D₁. Der Abstand D₁ kann eine solche Größe haben, dass eine Überlappung zwischen der Hilfsscheiben-Einrichtung 332 und einer nachfolgend ausgebildeten Under-Bump-Metallization (unten detaillierter beschrieben) beibehalten werden kann. In einigen Ausführungsformen kann die Hilfsscheiben-Einrichtung 332 eine Dicke von etwa 2 μm bis etwa 10 μm haben. Es wurde herausgefunden, dass Abmessungen wie diese Spannungen verringern während sie eine kleinere Kontaktstellen-Größe ermöglichen. Die Hilfsscheiben-Einrichtung 332 kann auch als Mittel gegen Risse dienen.
Es versteht sich, dass die Kontaktstellen 318 eine elektrische Verbindung zwischen einem weiteren Substrat, das nachfolgend befestigt werden soll (siehe z. B. 3I) und dem Die 102 und/oder den Durchkontaktierungen 310 herstellen. Auf der anderen Seite stellen die Hilfsscheiben-Einrichtungen 332 keine elektrischen Verbindungen her und sind keine Komponenten der elektrischen Schaltungen. Wie in 3F gezeigt ist, sind die Kontaktstellen 318 von den Hilfsscheiben-Einrichtungen 332 getrennt. Als solche sind die Hilfsscheiben-Einrichtungen 332 Einrichtungen, die hinzugefügt werden, um Spannungen zu verringern und stellen keine elektrischen Verbindungen her.
3G zeigt eine oder mehrere Schutzschichten 322, die über den vorderseitigen Umverteilungsschichten 330 ausgebildet sind, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Die Schutzschichten 322 können aus einem Polymer wie einem Epoxid, Polyimid, Benzocyclobuten (BCB), Polybenzoxazole (PBO) und Ähnlichem ausgebildet sein. Die Ausbildungsverfahren können beispielsweise Rotationsbeschichtung umfassen. Die Schutzschichten 322 werden strukturiert, um eine Öffnung auszubilden, durch die die Kontaktstellen 318 freigelegt werden. Das Strukturieren der Schutzschichten 322 kann Photolithographietechniken umfassen. Ein Aushärteschritt kann ausgeführt werden, um die Schutzschichten 322 auszuhärten.
3H zeigt eine Under-Bump-Metallization (UBM) 324, die über der einen oder den mehreren Schutzschichten 322 ausgebildet und strukturiert wird und sich durch die eine oder mehreren Schutzschichten 322 erstreckt, wodurch eine elektrische Verbindung mit den Kontaktstellen 318 ausgebildet wird. Die Under-Bump-Metallization 324 stellt eine elektrische Verbindung bereit, auf der ein elektrisches Anschlussteil, z. B. eine Lotkugel/ein Bondhügel, angeordnet sein kann. In einer Ausführungsform umfasst die Under-Bump-Metallization 324 eine Diffusionsbarriere-Schicht, eine Keimschicht oder eine Kombination daraus. Die Diffusionsbarriere-Schicht kann Ti, TiN, Ta, TaN oder Kombinationen daraus umfassen. Die Keimschicht kann Kupfer oder Kupferlegierungen umfassen. Andere Metalle wie Nickel, Palladium, Silber, Gold, Aluminium, Kombinationen daraus und Mehrschicht-Strukturen davon können jedoch auch vorgesehen sein. In einer Ausführungsform wird die Under-Bump-Metallization 324 mittels Sputtern ausgebildet. In anderen Ausführungsformen kann Elektroplattieren verwendet werden.
In einigen Ausführungsformen überlappt die Under-Bump-Metallization 324 seitlich die Hilfsscheiben-Einrichtungen, wie in 3H gezeigt ist. In einigen Ausführungsformen überlappt die Under-Bump-Metallization 324 die Hilfsscheiben-Einrichtungen seitlich um einen Abstand D₂ von mehr als etwa 7,5 μm. In einigen Ausführungsformen beispielsweise, in denen die Breite der Hilfsscheiben-Einrichtungen etwa 15 μm beträgt, überlappt die Under-Bump-Metallization etwa 50% der Hilfsscheiben-Einrichtungen. Das Überlappen der Under-Bump-Metallization 324 und der Hilfsscheiben-Einrichtungen trägt dazu bei, die Spannungen weiter zu verringern, einschließlich der Spannungen in der Polymerschicht am Rand der Under-Bump-Metallization, etwa Spannungen die während Temperaturwechseln hervorgerufen werden. In einigen Ausführungsformen wird die Spannung um etwa 30% gesenkt.
Bezieht man sich als nächstes auf 31, so wird ein Anschlussteil 340 über der Under-Bump-Metallization 324 ausgebildet, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. In einer Ausführungsform umfasst das Anschlussteil 340 ein eutektisches Material und kann einen Bondhügel oder eine Lotkugel als Beispiele umfassen. Das Lötmaterial kann beispielsweise aus bleibasierten oder bleifreien Lötmitteln bestehen, etwa Pb-Sn-Zusammensetzungen für bleibasierte Lötmittel; bleifreie Lötmittel einschließlich InSb; Zinn-, Silber- und Kupfer-(SAC)-Zusammensetzungen; und andere eutektische Materialien, die einen gemeinsamen Schmelzpunkt haben und leitende Lötmittel-Verbindungen in elektrischen Anwendungen ausbilden. Für ein bleifreies Lötmittel können SAC-Lötmittel mit verschiedenen Zusammensetzungen verwendet werden, etwa SAC 105 (Sn 98%, Ag 1,0%, Cu 0,5%), SAC 305 und SAC 405, als Beispiele. Bleifreie Anschlussteile wie Lotkugeln können auch aus SnCu-Verbindungen ausgebildet werden, ohne die Verwendung von Silber (Ag). Alternativ können bleifreie Lötmittel-Anschlussteile Zinn und Silber, Sn-Ag, ohne die Verwendung von Kupfer umfassen. Die Anschlussteile 340 können aus einer eines Arrays von Anschlussteilen bestehen, die als Gitter ausgebildet sind, etwa ein Ball-Grid-Array (BGA). Das Anschlussteil 340 umfasst eine leitende Kugel, die in einigen Ausführungsformen die Form einer Teilkugel haben kann. Alternativ kann das Anschlussteil 340 andere Formen aufweisen. Das Anschlussteil 340 kann beispielsweise auch nicht-kugelförmige leitende Anschlussteile umfassen.
Das Anschlussteil 340 wird in einigen Ausführungsformen mittels eines Lotkugel-Tropfverfahrens befestigt. Während des Befestigungsverfahrens des Anschlussteils 340 oder nach dem Befestigungsverfahren des leitenden Materials kann das eutektische Material des leitenden Materials 340 aufgeschmolzen werden.
3J zeigt das Entfernen des Trägersubstrats 302 und das Befestigen eines oberen Substrats 350 und eines unteren Substrats 352, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Sowohl das obere Substrat 350 als auch das untere Substrat 352 können ein Die, ein Wafer, ein Kapselungssubstrat, ein Motherboard, eine Leiterplatte oder Ähnliches sein. In einigen Ausführungsformen wird eine Package-on-Package-Struktur ausgebildet. Das obere Substrat 350 kann beispielsweise ein weiteres Gehäuse sei, wobei der Die 312 ein Prozessor ist und das obere Substrat 350 ein weiteres Gehäuse sein kann, das Speicher bereitstellt. In dieser Ausführungsform kann das untere Substrat 352 eine Leiterplatte oder ein Kapselungssubstrat sein.
Wie in 3H gezeigt ist, werden in einigen Ausführungsformen die Hilfsscheiben-Einrichtungen (z. B. die Hilfsscheiben-Einrichtung 332) nicht freigelegt. Aufgrund von Unterschieden im Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen dem oberen Substrat 350 und den anderen Komponenten können Spannungen zwischen dem Anschlussteil 340 und den Kontaktstellen 318 zu Delaminierung oder anderen unerwünschten Problemen führen. Wie oben erwähnt, vergrößert sich die Spannung an den Kontaktstellen 318, wenn sich die Größe der Kontaktstellen verringert, was wiederum zu Delaminierung oder anderen Ausfällen führen kann. Diese Spannung kann in den Hilfsbereichen 108 besonders hoch sein, z. B. entlang den Ecken des Gehäuses und entlang der Grenzfläche zwischen dem Die 312 und der Formmasse 320.
Die Hilfsscheiben-Einrichtungen 332 sorgen für einen Abbau der Spannungen, indem sie die Spannung verringern, die auf die Kontaktstellen 318 ausgeübt wird. Das Hinzufügen der Hilfsscheiben-Einrichtungen 332 ermöglicht es, dass die Kontaktstellen in der Größe verkleinert werden, was eine Vergrößerung der Fläche für das Routen von Verbindungsleitungen erlaubt. Diese vergrößerte Routing-Fläche kann es erlauben, dass weniger Schichten nötig sind, was die Kosten senkt.
Wie in 3J gezeigt ist, können die Hilfsscheiben-Einrichtungen 332 auch auf den rückseitigen Umverteilungsschichten 304 vorgesehen sein.
Ausführungsformen wie die, die oben beschrieben sind, wurden mit Bezug auf ein Fan-Out-Gehäuse mit rückseitigen und vorderseitigen Umverteilungsschicht zum Zweck der Beschreibung dargestellt. Andere Ausführungsformen können die offenbarten Einrichtungen in anderen Konfigurationen verwenden. Die rückseitigen Umverteilungsschichten, die Durchkontaktierungen und Ähnliches müssen beispielsweise nicht in allen Ausführungsformen vorhanden sein. Des Weiteren müssen Ausführungsformen keine Fan-Out-Konfiguration verwenden. In noch anderen Ausführungsformen können die Hilfsscheiben-Einrichtungen auf den rückseitigen Umverteilungsschichten sowie auf den vorderseitigen Umverteilungsschichten verwendet werden. Zusätzlich kann eine einzige Umverteilungsschicht in einer oder beiden der rückseitigen und der vorderseitigen Umverteilungsschicht verwendet werden.
4 ist ein Flussdiagramm, das Schritte eines Verfahrens zum Ausbilden einer Vorrichtung zeigt, in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Das Verfahren beginnt bei Schritt 402, in dem ein Substrat bereitgestellt wird. In einigen Ausführungsformen ist das Substrat ein integriertes Fan-Out-Gehäuse, wie oben mit Bezug auf 3A–3E beschrieben ist, obwohl andere Arten von Substraten verwendet werden können. In Schritt 404 werden Kontaktstellen auf dem Substrat ausgebildet und in Schritt 406 werden Hilfsscheiben-Bereiche ausgebildet, wie oben mit Bezug auf 3F beschrieben ist. In einigen Ausführungsformen können die Kontaktstellen und die Hilfsscheiben gleichzeitig ausgebildet werden. Die Hilfsscheiben-Bereiche können in Bereichen mit hoher Spannung ausgebildet werden, wie oben beschrieben ist, wodurch zusätzliche Verdrahtungs-Routing-Flächen bereitgestellt werden. In Schritt 408 werden externe Anschlussteile ausgebildet, wie diejenigen, die oben mit Bezug auf 3G–3I beschrieben sind. Passivierungsschichten und Under-Bump-Metallization-Schichten können auch ausgebildet werden. Danach kann in Schritt 410 die Struktur mit einem weiteren Substrat gebondet werden, wie oben mit Bezug auf 3J beschrieben ist.
In einer Ausführungsform ist ein Verfahren vorgesehen. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Substrats und das Ausbilden von Kontaktstellen auf dem Substrat. Die Kontaktstellen stellen elektrische Verbindungen mit Schaltungen auf dem Substrat her. Eine Hilfsscheiben-Einrichtung wird angrenzend an eine erste Kontaktstelle ausgebildet, so dass die Hilfsscheiben-Einrichtung vollständig über der dielektrischen Oberfläche liegt und keine elektrischen Verbindungen herstellt. Ein externes elektrisches Anschlussteil wird auf der ersten Kontaktstelle ausgebildet.
In einer weiteren Ausführungsform ist ein weiteres Verfahren vorgesehen. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Dies und das Ausbilden einer Formmasse entlang Seitenwänden des Dies. Kontaktstellen werden über dem Die und der Formmasse ausgebildet. Hilfsscheiben-Einrichtungen werden angrenzend an eine Untermenge der Kontaktstellen ausgebildet, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen von den Kontaktstellen elektrisch isoliert sind. Elektrische Anschlussteile werden auf den Kontaktstellen ausgebildet und ein Substrat wird an den elektrischen Anschlussteilen befestigt.
In noch einer weiteren Ausführungsform ist eine Vorrichtung vorgesehen. Die Vorrichtung umfasst einen Die und eine Formmasse entlang Seitenwänden des Dies. Kontaktstellen liegen über dem Die und der Formmasse. Hilfsscheiben-Einrichtungen liegen angrenzend an ausgewählte der Kontaktstellen, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen keine elektrischen Verbindungen herstellen.
Das Vorangegangene beschreibt Merkmale von mehreren Ausführungsformen, so dass der Fachmann die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen kann. Der Fachmann sollte anerkennen, dass er die vorliegende Offenbarung leicht als Basis verwenden kann, um andere Verfahren und Strukturen zu entwerfen oder modifizieren, um die gleichen Ziele zu erreichen und/oder die gleichen Vorteile der hier eingeführten Ausführungsformen zu realisieren. Der Fachmann sollte auch erkennen, dass solche äquivalenten Konstruktionen nicht von dem Geist und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass er verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Modifikationen hier vornehmen kann, ohne von dem Geist und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.

Claims

Verfahren, das Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Substrats; Ausbilden von Kontaktstellen auf dem Substrat, wobei die Kontaktstellen eine erste Kontaktstelle umfassen, wobei die Kontaktstellen elektrische Verbindungen mit Schaltungen auf dem Substrat herstellen; Ausbilden einer Hilfsscheiben-Einrichtung angrenzend an die erste Kontaktstelle, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtung keine elektrischen Verbindungen herstellt; und Ausbilden eines externen elektrischen Anschlussteils auf der ersten Kontaktstelle.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das externe elektrische Anschlussteil eine Lotkugel umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtung ein Metall umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtung einen Ring umfasst, der die erste Kontaktstelle in einer Draufsicht teilweise umgibt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste Kontaktstelle und die Hilfsscheiben-Einrichtung über einer Formmasse in einer Ecke des Gehäuses ausgebildet werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste Kontaktstelle und die Hilfsscheiben-Einrichtung über einem Grenzflächen-Bereich zwischen einem Die und einer Formmasse ausgebildet werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtung auf einer Seite der Kontaktstelle gegenüber einer Mitte eines Dies angeordnet ist.
Verfahren, das Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Dies; Ausbilden einer Formmasse entlang Seitenwänden des Dies; Ausbilden von Kontaktstellen über dem Die und der Formmasse; Ausbilden von Hilfsscheiben-Einrichtungen angrenzend an eine Untermenge der Kontaktstellen, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen von den Kontaktstellen elektrisch isoliert sind; Ausbilden von elektrischen Anschlussteilen auf den Kontaktstellen; und Befestigen eines Substrats an den elektrischen Anschlussteilen.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen in einem Eckbereich der Formmasse angeordnet sind.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen in einem Eckbereich des Dies angeordnet sind.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen in einem Grenzflächen-Bereich zwischen dem Die und der Formmasse entlang Rändern des Dies angeordnet sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen aus einem gleichen Material wie die Kontaktstellen ausgebildet sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei jede der Hilfsscheiben-Einrichtungen einen Ring bildet, der eine zugehörige der Kontaktstellen teilweise umgibt.
Vorrichtung, die Folgendes umfasst: einen Die; eine Formmasse entlang Seitenwänden des Dies; Kontaktstellen über dem Die und der Formmasse; und Hilfsscheiben-Einrichtungen angrenzend an ausgewählte der Kontaktstellen, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen keine elektrischen Verbindungen herstellen.
Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen in einem äußeren Eckbereich der Formmasse angeordnet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen in einem Eckbereich des Dies angeordnet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen in einem Grenzflächen-Bereich zwischen einem Rand des Dies und der Formmasse angeordnet sind.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen einen Ring umfassen, der die Kontaktstellen teilweise umgibt.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei die Hilfsscheiben-Einrichtungen ein Metall umfassen.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 19, die weiter ein Substrat umfasst, das mit den Kontaktstellen mittels eines elektrischen Anschlussteils elektrisch verbunden ist.