DE102004012012A1 - Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers weist auf: DOLLAR A einen Bondierungsfilm bzw. -folie-Anheftungsschritt zum Anheften eines Bondierungsfilms bzw. -folie für die Chipmontage bzw. bondierung an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers; DOLLAR A einen Schutzklebeband-Befestigungsschritt zum Befestigen eines dehnbaren bzw. ausdehnbaren Schutzklebebandes an der Bondierungsfilmseite des Halbleiterwafers mit dem Bondierungsfilm an der hinteren Fläche; DOLLAR A einen Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers, der an dem Schutzklebeband befestigt ist, in einzelne Halbleiterchips durch Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Straßen; DOLLAR A einen Bondierungsfilm-Aufbrechschritt zum Aufbrechen des Bondierungsfilms für jeden Halbleiterchip durch Dehnen des Schutzklebebandes, um dem Bondierungsfilm eine Zugkraft aufzuerlegen; und DOLLAR A einen Halbleiterchip-Entfernungsschritt zum Entfernen der Halbleiterchips mit dem aufgebrochenen Bondierungsfilm von dem Schutzklebeband.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers mit einer Mehrzahl von Strassen, die an der vorderen Fläche in einer Gitterform gebildet sind, und mit einer Schaltung bzw. Schaltkreis, der in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet ist, die durch die Mehrzahl der Strassen geteilt sind, in einzelne Halbleiterchips.
  • Bei dem Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen werden beispielsweise Halbleiterchips dadurch hergestellt, dass eine Schaltung, z.B. IC, LSI oder dergleichen, in einer großen Anzahl von Bereichen bzw. Flächen gebildet wird, die durch Strassen (Schnittlinien) geteilt sind, die an der vorderen Fläche eines im wesentlichen scheibenförmigen Halbleiterwafers in einer Gitterform gebildet sind, und dass die Bereiche mit der hierin gebildeten Schaltung entlang der Strassen geteilt werden. Im allgemeinen wird eine Dicing-Maschine bzw. Maschine zum Zerschneiden in Chips als die Teilungsmaschine zum Teilen eines Halbleiterwafers verwendet und die Dicing-Maschine schneidet einen Halbleiterwafer mit einem Schneidmesser bzw. -klinge mit einer Dicke von etwa 20 μm. Diese Halbleiterchips werden in einer Baugruppe bzw. in einem Gehäuse montiert bzw. untergebracht und in weitem Umfange in elektrischen Einrichtungen, z.B. Mobiltelefonen und Personalcomputern verwendet.
  • Ein Film bzw. Folie zum Bonden bzw. Bondieren bzw. ein Bondierungsfilm für die Chipmontage bzw. -bondierung, wobei dieser Film eine Dicke von 20 bis 40 μm aufweist und aus einem Polyimidharz und dergleichen hergestellt ist, wird an den hinteren Flächen der Halbleiterchips so angeheftet bzw. angeklebt, dass die Halbleiterchips an einen Verdrahtungs- bzw. Verkabelungsrahmen gebondet bzw. bondiert werden können, um die Halbleiterchips durch den Bondierungsfilm durch Erwärmen zu tragen bzw. zu halten. Um den Bondierungsfilm für die Chipmontage bzw. -bondierung an den hinteren Flächen der Halbleiterchips anzuheften, wird der Bondierungsfilm an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers angeheftet und der Halbleiterwafer wird mit einem Schneidmesser entlang der Strassen, die an der vorderen Fläche gebildet sind, zusammen mit dem Bondierungsfilm geschnitten, um Halbleiterchips mit dem an den hinteren Flächen angehefteten Bondierungsfilm zu bilden. Da der Bondierungsfilm für die Chipmontage bereits an den hinteren Flächen der Halbleiterchips angeheftet ist, wenn die Halbleiterchips an den Verdrahtungsrahmen zum Tragen der Halbleiterchips zu bondieren sind, wird eine Bondierungsarbeit fein bzw. gleichmäßig durchgeführt.
  • Jedoch wird, da Abfälle bzw. abgesprungene Stückchen ("chippings") oder Rissbildungen ("crackings") an der Schnittfläche des Halbleiterchips zu dem Zeitpunkt erzeugt werden, wenn der Halbleiterwafer mit dem Schneidmesser geschnitten wird, wie oben beschrieben, die Breite jeder Strasse auf etwa 50 μm unter Berücksichtigung des Einflusses von Kerben bzw. Ritzen ("nicks") oder Rissen bzw. Spalten ("cracks") eingestellt. Daher erhöht sich, wenn die Größe bzw. Abmessung jedes Halbleiterchips reduziert wird, die Proportion bzw. der Anteil der Strassen in dem Halbleiterchip, wodurch eine Reduktion in der Produktivität verursacht wird. Weiterhin involviert Schneiden mit einem Schneidmesser Probleme insofern, als es eine Begrenzung in Bezug auf die Zuführ- bzw. Vorschubgeschwindigkeit gibt und die Halbleiterchips durch Schneidabfälle verunreinigt werden.
  • Inzwischen sind Versuche durchgeführt worden, um einen Halbleiterwafer durch Anwenden bzw. Aufbringen eines Laserstrahls entlang Strassen zu schneiden, wie z.B. durch die JP-A 6-120334 offenbart.
  • Bei dem Verfahren zum Schneiden eines Halbleiterwafers durch Verwenden eines Laserstrahls gibt es keinen Einfluss von Ritzen oder Rissen, es werden keine Schneidabfälle erzeugt und die Vorschubgeschwindigkeit kann beschleunigt werden, weil der Halbleiterwafer durch Anwenden eines Laserstrahls entlang der Strassen geschnitten wird.
  • Wenn der Halbleiterwafer in einzelne Halbleiterchips durch Anwenden eines Laserstrahls bei ihm entlang der Strassen zu teilen ist, wird ein Laserstrahl mit einem verhältnismäßig niedrigen Ausgang verwendet, so dass an dem Halbleiterwafer gebildete Schaltungen keine Beschädigung durch Wärme erleiden. Dementsprechend involviert dies ein Problem insofern, als ein Bondierungsfilm für die Chipmontage bzw. -bondierung, der an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers angeheftet ist, nicht zusammen mit dem Halbleiterwafer geteilt werden kann.
    •
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers zu schaffen, das dazu befähigt ist, einzelne Halbleiterchips voneinander dadurch zu trennen, dass ein Bondierungsfilm bzw. -folie für die Chipmontage bzw. -bondierung entsprechend den Halbleiterchips gebrochen bzw. aufgebrochen wird, nachdem der Halbleiterwafer in die Halbleiterchips durch Anwenden bzw. Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Strassen des Halbleiterwafers geteilt worden ist, welcher einen Bondierungsfilm für die Chipmontage an seiner hinteren Fläche angeheftet aufweist.
  • Um die obige Aufgabe zu lösen, ist entsprechend der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers mit einer Mehrzahl von Strassen, die an der vorderen Fläche in einer Gitterform gebildet sind, und mit einer Schaltung bzw. Schaltkreis, der in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet ist, die durch die Mehrzahl der Strassen geteilt sind, in einzelne Halbleiterchips, aufweisend:
    einen Bondierungsfilm bzw. -folie-Anheftungsschritt zum Anheften eines Bondierungsfilms bzw. -folie für die Chipmontage bzw. -bondierung an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers;
    einen Schutzklebeband-Befestigungsschritt zum Befestigen eines extensilen bzw. dehnbaren Schutzklebebandes an der Seite des Bondierungsfilms des Halbleiterwafers mit dem an dessen hinterer Fläche angehefteten Bondierungsfilm;
    einen Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers in einzelne Halbleiterchips durch Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls entlang der Strassen von der vorderen Fläche des Halbleiterwafers, der an dem Schutzklebeband befestigt ist;
    einen Bondierungsfilm-Brech- bzw. -Aufbrechschritt zum Brechen bzw. Aufbrechen des Bondierungsfilms für jeden Halbleiterchip durch Ausdehnen des Schutzklebebandes, um eine Zugkraft für den Bondierungsfilm zu ergeben; und
    einen Halbleiterchip-Beseitigungs- bzw. -Entfernungsschritt zum Beseitigen bzw. Entfernen der Halbleiterchips mit dem hieran befestigten, gebrochenen Bondierungsfilm von dem Schutzklebeband.
  • Der obige Bondierungsfilm-Anheftungsschritt wird durch Platzieren des obigen Bondierungsfilmes an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers und durch Pressen bzw. Drücken des Bondierungsfilmes gegen die hintere Fläche des Halbleiterwafers bei Erwärmung bei einer Temperatur von 80 bis 200°C ausgeführt. Das obige Schutzklebeband wird so angeklebt, um die innere Öffnung eines ringförmigen Trag- bzw. Stützrahmens zu bedecken. Weiterhin ist es wünschenswert, dass das obige Schutzklebeband die Eigenschaft hat, dass seine Haftung bzw. Adhäsion durch einen externen bzw. äußeren Stimulus bzw. Anregung reduziert wird, und der externe Stimulus dem Schutzklebeband gegeben bzw. verliehen wird, um seine Adhäsion zu dem Zeitpunkt zur Entfernung der Halbleiterchips mit dem hieran befestigten Bondierungsfilm von dem Schutzklebeband in dem obigen Halbleiterchip-Entfernungsschritt zu reduzieren.
    •
  • 1(a) und 1(b) sind schematische Darstellungen zur Veranschaulichung des Bondierungsfilms bzw. -folie-Anheftungsschritts zum Anheften eines Bondierungsfilms bzw. -folie für die Chipmontage bzw. -bondierung an der hinteren Fläche eines Halbleiterwafers bei dem Teilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht zur Veranschaulichung eines Zustands eines extensilen bzw. dehnbaren Schutzklebebandes, das an der Seite des Bondierungsfilms eines Halbleiterwafers mit einem an dessen hinterer Seite angehefteten Bondierungsfilm in dem Schutzklebeband-Befestigungsschritt bei dem Teilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung befestigt wird;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht zur Veranschaulichung eines Beispiels einer Laserstrahlmaschine bzw. -vorrichtung zum Ausführen des Teilungsschritts bei dem Teilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung;
  • 4 ist ein Blockschaltbild, welches schematisch die Ausbildung eines Laserstrahlanwendungs- bzw. -aufbringungsmittels bzw. -einrichtung zeigt, die in der in 3 gezeigten Laserstrahlmaschine vorgesehen ist;
  • 5 ist eine vergrößerte Schnittansicht zur Veranschaulichung eines Beispiels des Teilungsschritts bei dem Teilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung;
  • 6 ist eine vergrößerte Schnittansicht zur Veranschaulichung eines anderen Beispiels des Teilungsschritts bei dem Teilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung;
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht einer Schutzklebeband-Ausdehnungsvorrichtung zum Ausführen des Bondierungsfilm-Brech- bzw. -Aufbrechschritts bei der vorliegenden Erfindung;
  • 8(a) und 8(b) sind schematische Darstellungen zur Erläuterung des Bondierungsfilm-Aufbrechschritts bei dem Teilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung;
  • 9 ist eine vergrößerte teilweise Schnittansicht eines Halbleiterwafers, der dem Bondierungsfilm-Aufbrechschritt unterworfen ist; und
  • 10 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterchips, der durch Teilen des Halbleiterwafers durch das Teilungsverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung gebildet worden ist.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Das Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird in Einzelheiten unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • 1(a) und 1(b) sind schematische Darstellungen zur Veranschaulichung eines Beispiels eines Bondierungsfilm-Anheftungsschritts zum Anheften eines Bondierungsfilms für die Chipmontage bzw. -bondierung an der hinteren Fläche eines Halbleiterwafers bei dem Teilungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung.
  • 1(a) ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers 10 und eines Bondierungsfilms 11 für die Chipmontage bzw. -bondierung, wobei dieser Bondierungsfilm 11 an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 anzuheften ist. Eine Mehrzahl von Strassen 101 ist an der vorderen Fläche 10a des Halbleiterwafers 10 in einer Gitterform gebildet und eine Schaltung bzw. Schaltkreis 102 ist in einer Mehrzahl von Bereichen bzw. Flächen gebildet, die durch die Mehrzahl der Strassen 101 unterteilt sind. Ein Filmmaterial, das aus Polyimidharz hergestellt ist und eine Dicke von 20 bis 40 μm aufweist, kann als der Bondierungsfilm 11 für die Chipmontage verwendet werden. Dieser Bondierungsfilm 11 für die Chipmontage wird an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 platziert und gegen die hintere Fläche des Halbleiterwafers 10 bei Erwärmung bei 80 bis 200°C gepresst bzw. gedrückt, um an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angeheftet zu werden, wie in 1(b) gezeigt. Der Bondierungsfilm für die Chipmontage wird durch Anwenden einer verhältnismäßig kleinen Zugkraft leicht gebrochen bzw. aufgebrochen.
  • Nachdem der Bondierungsfilm 11 an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 bei dem obigen Bondierungsfilm-Anheftungsschritt angeheftet worden ist, wird ein extensiles bzw. dehnbares bzw. ausdehnbares Schutzklebeband an der Seite des an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angehefteten Bondierungsfilms 11 befestigt (Schutzklebeband-Befestigungsschritt). Dieser Schutzklebeband-Befestigungsschritt dient dazu, um den an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angehefteten Bondierungsfilm 11 an der oberen Fläche des dehnbaren Schutzklebebandes 14 zu befestigen, welches ein Band aus synthetischem Harz, z.B. ein Vinylchloridband ist, das im allgemeinen als ein Band zum Dicen bzw. zum In-Chips-zerschneiden verwendet und so angeheftet bzw. angeklebt wird, um die innere Öffnung eines ringförmigen Stütz- bzw. Tragrahmens 13 zu bedecken, wie in 2 gezeigt. Ein UV-Band mit der Eigenschaft, dass seine Haftung bzw. Adhäsion durch einen externen bzw. äußeren Stimulus bzw. Anregung, z.B.
  • Ultraviolettstrahlung oder dergleichen, reduziert wird, wird als das dehnbare Schutzklebeband 14 verwendet.
  • Nachdem der an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angeheftete Bondierungsfilm 11 an der oberen Fläche des dehnbaren Schutzklebebandes 14 befestigt ist, das an dem Tragrahmen 13 in dem Schutzklebeband-Befestigungsschritt angeheftet worden ist, wird der Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers 10 mit dem an diesem befestigten Schutzklebeband 14 in einzelne Halbleiterchips durch Anwenden bzw. Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Strassen 101 ausgeführt.
  • Eine Laserstrahlmaschine zum Ausführen des Teilungsschritts zum Teilen des Halbleiterwafers 10 in einzelne Halbleiterchips durch Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Strassen 101 wird unter Bezugnahme auf 3 und 4 beschrieben.
  • Die in 3 gezeigte Laserstrahlmaschine 1 weist eine statische Basis 2, eine Futter- bzw. Einspanntischeinheit 3, die an der statischen Basis 2 in einer solchen Art und Weise angeordnet ist, dass sie sich in einer durch einen Pfeil X gezeigten Richtung bewegen kann, und ein Werkstück hält, einen Laserstrahlaufbringungseinheit-Trag- bzw. -Stützmechanismus 4, der an der statischen Basis 2 in einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass er sich in einer durch einen Pfeil Y gezeigten Richtung rechtwinklig zu der obigen durch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegen kann, und eine Laserstrahlaufbringungseinheit 5 auf, die an dem Laserstrahlaufbringungseinheit-Stützmechanismus 4 in einer solchen Art und Weise angeordnet ist, dass sie sich in einer durch einen Pfeil Z gezeigten Richtung bewegen kann.
  • Der obige Einspanntischmechanismus 3 weist auf: ein Paar von Führungsschienen 31 und 31, die an der statischen Basis 2 angebracht und in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung parallel zueinander angeordnet sind, einen ersten Gleit- bzw. Verschiebeblock 32, der an den Führungsschienen 31 und 31 in einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass er sich in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegen kann, einen zweiten Gleit- bzw. Verschiebeblock 33, der an dem ersten Gleitblock 32 in einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass er sich in der durch den Pfeil Y gezeigten Richtung bewegen kann, einen Trag- bzw. Stütztisch 35, der an dem zweiten Gleitblock 33 durch ein zylindrisches Element 34 getragen bzw. abgestützt ist, und einen Futter- bzw. Einspanntisch 36 als ein Werkstückhaltemittel bzw. -einrichtung. Dieser Einspanntisch 36 weist ein Adsorptionsspannfutter 361 auf, das aus einem porösen Material hergestellt ist, so dass ein scheibenartiger Halbleiterwafer als ein Werkstück an dem Adsorptionsspannfutter 361 durch ein Saug- bzw. Ansaugmittel bzw. -einrichtung gehalten ist, welche nicht gezeigt ist. Der Einspanntisch 36 wird durch einen (nicht gezeigten) Schrittmotor gedreht, der in dem zylindrischen Element 34 eingebaut ist.
  • Der obige erste Gleitblock 32 weist an seiner unteren Fläche ein Paar von zu führenden Nuten 321 und 321, welche an dem obigen Paar von Führungsschienen 31 und 31 angebracht sind, und an seiner oberen Fläche ein Paar von Führungsschienen 322 und 322 auf, die in der durch den Pfeil Y gezeigten Richtung parallel zueinander gebildet sind. Der somit ausgebildete erste Gleitblock 32 kann sich in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung entlang des Paares von Führungsschienen 31 und 31 durch Anbringen der zu führenden Nuten 321 und 321 an dem Paar von Führungsschienen 31 und 31 bewegen. Der Einspanntischmechanismus 3 bei der veranschaulichten Ausführungsform ist mit einem Bewegungsmittel bzw. -einrichtung 37 zum Bewegen des ersten Gleitblocks 32 entlang des Paares der Führungsschienen 31 und 31 in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung versehen. Das Bewegungsmittel 37 weist eine männliche Schraubenspindel bzw. eine Schraubenspindel 371, die zwischen dem obigen Paar von Führungsschienen 31 und 31 und parallel zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 372 zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel 371 auf. Die Schraubenspindel 371 ist an ihrem einen Ende an einem Lagerblock 371 drehbar abgestützt bzw. gelagert, der an der obigen statischen Basis 2 befestigt ist, und an dem anderen Ende mit der Ausgangswelle des obigen Schrittmotors 372 durch ein (nicht gezeigtes) Reduktionsgetriebe antriebs- bzw. getriebemäßig gekoppelt. Die Schraubenspindel 371 ist in ein mit Gewinde versehenes Durchgangsloch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) weiblichen Schraubenblock gebildet ist, der von der unteren Fläche des mittleren Bereichs des ersten Gleitblocks 32 hervorsteht. Daher wird durch Antreiben der Schraubenspindel 371 in einer normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durch den Schrittmotor 372 der erste Gleitblock 32 entlang der Führungsschienen 31 und 31 in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegt.
  • Der obige zweite Gleitblock 33 weist an seiner unteren Fläche ein Paar von zu führenden Nuten 331 und 331 auf, welche an dem Paar der an der oberen Fläche des obigen ersten Gleitblocks 32 vorgesehenen Führungsschienen 322 und 322 angebracht sind und in der durch den Pfeil Y gezeigten Richtung durch Anbringen der zu führenden Nuten 331 und 331 an dem Paar von Führungsschienen 322 und 322 bewegt werden können. Der Einspanntischmechanismus 3 bei der veranschaulichten Ausführungsform ist mit einem Bewegungsmittel bzw. – einrichtung 38 zum Bewegen des zweiten Gleitblocks 33 in der durch den Pfeil Y gezeigten Richtung entlang des Paares der Führungsschienen 322 und 322 versehen, die an dem ersten Gleitblock 32 vorgesehen sind. Das Bewegungsmittel 38 weist eine Schraubenspindel 381, die zwischen dem obigen Paar von Führungsschienen 322 und 322 parallel zu diesen angeordnet ist und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 382, zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel 381 auf. Die Schraubenspindel 381 ist an ihrem einen Ende an einem Lagerblock 383 drehbar abgestützt bzw. gelagert, der an der oberen Fläche des obigen ersten Gleitblocks 32 befestigt ist, und ist an dem anderen Ende mit der Ausgangswelle des obigen Schrittmotors 382 durch ein Reduktionsgetriebe, das nicht gezeigt ist, antriebs- bzw. getriebemäßig gekoppelt. Die Schraubenspindel 381 ist in ein mit Gewinde versehenes Durchgangsloch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) weiblichen Schraubenblock gebildet ist, der von der unteren Fläche des mittleren Bereichs des zweiten Gleitblocks 33 vorsteht. Daher wird durch Antreiben der Schraubenspindel 381 in einer normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durch den Schrittmotor 382 der zweite Gleitblock 33 entlang der Führungsschienen 322 und 322 in der durch den Pfeil Y gezeigten Richtung bewegt.
  • Der obige Laserstrahlaufbringungseinheit-Trag- bzw. -Stützmechanismus 4 weist ein Paar von Führungsschienen 41 und 41, die an der statischen Basis 2 angebracht sind und in der durch den Pfeil Y gezeigten Index- bzw. Weiterschaltrichtung parallel zueinander angeordnet sind, und eine bewegbare Trag- bzw. Stützbasis 42 auf, die an den Führungsschienen 41 und 41 in einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass sie sich in der durch den Pfeil Y gezeigten Richtung bewegen kann. Diese bewegbare Stützbasis 42 weist einen bewegbaren Stützbereich 421, der an den Führungsschienen 41 und 41 bewegbar angeordnet ist, und einen Anbringungsbereich 422 auf, der an dem bewegbaren Stützbereich 421 angebracht ist. Dieser Anbringungsbereich 422 weist an seiner einen Seite ein Paar von Führungsschienen 423 und 423 auf, die sich in der durch den Pfeil Z gezeigten Richtung erstrecken. Der Laserstrahlaufbringungseinheit-Stützmechanismus 4 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Bewegungsmittel bzw. – einrichtung 43 zum Bewegen der bewegbaren Stützbasis 42 entlang des Paares von Führungsschienen 41 und 41 in der durch den Pfeil Y gezeigten Index- bzw. Weiterschaltrichtung auf. Das Bewegungsmittel 43 weist eine Schraubenspindel 431, die zwischen dem obigen Paar von Führungsschienen 41 und 41 parallel zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 432, zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel 431 auf. Die Schraubenspindel 431 ist an ihrem einen Ende durch einen (nicht gezeigten) Lagerblock drehbar abgestützt bzw. gelagert, der an der obigen statischen Basis 2 befestigt ist, und ist an dem anderen Ende mit der Ausgangswelle des obigen Schrittmotors 432 durch ein Reduktionsgetriebe, das nicht gezeigt ist, antriebs- bzw. getriebemäßig gekoppelt. Die Schraubenspindel 431 ist in ein mit Gewinde versehenes Durchgangsloch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) weiblichen Schraubenblock gebildet ist, der von der unteren Fläche des mittleren Bereichs des bewegbaren Stützbereichs 421 vorsteht, welcher die bewegbare Stützbasis 42 bildet. Daher wird durch Antreiben der Schraubenspindel 431 in einer normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durch den Schrittmotor 432 die bewegbare Stützbasis 42 entlang der Führungsschienen 41 und 41 in der durch den Pfeil Y gezeigten Weiterschaltrichtung bewegt.
  • Die Laserstrahlaufbringungseinheit 5 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist einen Einheithalter 51 und ein Laserstrahlaufbringungsmittel bzw. -einrichtung 52 auf, die an dem Einheithalter 51 befestigt ist. Der Einheithalter 51 ist mit ein Paar von zu führenden Nuten 511 und 511 versehen, um an dem Paar von Führungsschienen 423 und 423 gleit- bzw. verschiebbar angebracht zu werden, die an dem obigen Anbringungsbereich 422 vorgesehen sind, und ist in einer solchen Art und Weise getragen bzw. abgestützt, dass er in der durch den Pfeil Z gezeigten Richtung durch Anbringen der zu führenden Nuten 511 und 511 an den obigen Führungsschienen 423 und 423 bewegt werden kann.
  • Das veranschaulichte Laserstrahlaufbringungsmittel 52 weist ein zylindrisches Gehäuse 521 auf, das an dem obigen Einheithalter 51 befestigt ist und sich im wesentlichen horizontal erstreckt. In dem Gehäuse 521 sind ein Laserstrahloszillationsmittel bzw. -einrichtung 522 und ein Laserstrahlmodulationsmittel bzw. -einrichtung 523 eingebaut, wie in 4 gezeigt. Ein YAG-Laseroszillator oder ein YV04-Laseroszillator können als das Laserstrahloszillationsmittel 522 verwendet werden. Das Laserstrahlmodulationsmittel 523 weist ein Wiederhol- bzw. Folgefrequenzeinstellmittel bzw. -einrichtung 523a, ein Laserstrahlimpulsbreiteneinstellmittel bzw. -einrichtung 523b und ein Laserstrahlwellenlängeneinstellmittel bzw. -einrichtung 523c auf. Das Folgefrequenzeinstellmittel 523a, das Laserstrahlimpulsbreiteneinstellmittel 523b und das Laserstrahlwellenlängeneinstellmittel 523c, welche das Laserstrahlmodulationsmittel 523 bilden, können für Fachleute bekannte Einrichtungen sein und daher werden detaillierte Beschreibungen ihrer Strukturen bzw. Ausbildungen in diesem Text weggelassen. Ein Kondensor 524 ist an dem Ende des obigen Gehäuses 521 angebracht.
  • Ein Laserstrahl, der von dem obigen Laserstrahloszillationsmittel 522 in Oszillation bzw. Schwingung versetzt wird, erreicht den Kondensor 524 durch das Laserstrahlmodulationsmittel 523. Das Folgefrequenzeinstellmittel 523a des Laserstrahlmodulationsmittels 523 ändert den Laserstrahl in einen Puls- bzw.
  • Impulslaserstrahl mit einer vorbestimmten Folgefrequenz, das Laserstrahlimpulsbreiteneinstellmittel 523b ändert die Impulsbreite des Impulslaserstrahls zu einer vorbestimmten Breite und das Laserstrahlwellenlängeneinstellmittel 523c ändert die Wellenlänge des Impulslaserstrahls zu einem vorbestimmten Wert.
  • Ein Bildaufnahmemittel bzw. -einrichtung 6 ist an dem vorderen Ende des Gehäuses 521 angeordnet, welches das obige Laserstrahlaufbringungsmittel 52 bildet. Das Bildaufnahmemittel 6 weist eine Bildaufnahmevorrichtung (CCD) zum Aufnehmen eines Bildes des Werkstücks, ein Beleuchtungsmittel zum Beleuchten des Werkstücks und ein optisches System zum Einfangen eines durch das Beleuchtungsmittel beleuchteten Bereichs auf und das Bildaufnahmemittel 6 ist so ausgebildet, um ein durch das optische System aufgefangenes Bild zu der Bildaufnahmevorrichtung (CCD) zu übertragen, um das Bild in ein elektrisches Bildsignal umzuwandeln. Dieses Bildsignal wird zu einem Steuer- bzw. Regelmittel bzw. -einrichtung übertragen, die nicht gezeigt ist.
  • Die Laserstrahlaufbringungseinheit 5 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Bewegungsmittel 53 zum Bewegen des Einheithalters 51 entlang des Paares von Führungsschienen 423 und 423 in der durch den Pfeil Z gezeigten Richtung auf. Das Bewegungsmittel 53 weist eine (nicht gezeigte) Schraubenspindel, die zwischen dem Paar von Führungsschienen 423 und 423 angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 532, zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel auf, ähnlich zu dem oben erwähnten Bewegungsmittel. Durch Antreiben der (nicht gezeigten) Schraubenspindel in einer normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durch den Schrittmotor 532 werden der Einheithalter 51 und das Laserstrahlaufbringungsmittel 52 entlang der Führungsschienen 423 und 423 in der durch den Pfeil Z gezeigten Richtung bewegt.
  • Es folgt eine Beschreibung des Teilungsschritts zum Teilen des Halbleiterwafers 10, der an dem Schutzklebeband 14 getragen bzw. gehalten ist, das an dem Trag- bzw. Stützrahmen 13 angebracht ist, in einzelne Halbleiterchips unter Verwendung der oben beschriebenen Laserstrahlmaschine 1.
  • Der an dem an dem Tragrahmen 13 angebrachten Schutzklebeband 14 gehaltene Halbleiterwafer 10 wird auf das Adsorptionsspannfutter 361 des Einspanntischs 36 getragen, der den Einspanntischmechanismus 3 der in 3 gezeigten Laserstrahlmaschine 1 bildet, wobei die vordere Fläche 10a nach oben weist, und an dem Adsorptionsspannfutter 361 durch Ansaugung gehalten. Der Einspanntisch 36, der auf diese Art und Weise den Halbleiterwafer 10 durch Ansaugung hält, wird entlang der Führungsschienen 31 und 31 durch Operation des Bewegungsmittels 37 bewegt, um zu einer Position rechts unterhalb des Bildaufnahmemittels 6 gebracht zu werden, das an der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 angebracht ist.
  • Wenn der Einspanntisch 36 rechts unterhalb des Bildaufnahmemittels 6 positioniert ist, wird eine Bildverarbeitung, z.B. Pattern Matching bzw. Mustervergleich durch das Bildaufnahmemittel 6 und das (nicht gezeigte) Steuer- bzw. Regelmittel ausgeführt, um die an dem Halbleiterwafer 10 gebildeten Strassen 101 in einer ersten Richtung mit dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zum Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Strasse 101 auszurichten. Die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringungsposition ist auf diese Art und Weise ausgeführt. Die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringungsposition wird ebenfalls an an dem Halbleiterwafer 10 gebildeten Strassen 101 in einer zweiten Richtung ausgeführt.
  • Nachdem eine Strasse 101, die an dem an dem Einspanntisch 36 gehaltenen Halbleiterwafer 10 gebildet ist, detektiert worden ist und die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringungsposition ausgeführt worden ist, wird der Einspanntisch 36 zu einem Laserstrahlaufbringungsbereich bewegt, wo der Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zum Aufbringen eines Laserstrahls angeordnet ist, und es wird ein Laserstrahl entlang der Strasse 101 des Halbleiterwafers 10 von dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 in dem Laserstrahlaufbringungsbereich aufgebracht. Bei dieser Gelegenheit wird der Laserstrahl zum Fokussieren an dem Inneren des Halbleiterwafers 10 durch die vordere Fläche 10a des Halbleiterwafers 10 gebracht, um eine modifizierte Schicht entlang der Strasse 101 in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 zu bilden.
  • Bei dem Schritt des Bildens modifizierter Schichten entlang der Strassen 101 in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 wird der Einspanntisch 36, d.h., der an dem Einspanntisch 36 gehaltene Halbleiterwafer 10, mit einer vorbestimmten Vorschubgeschwindigkeit (z.B. 100 mm/sek) in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegt, während ein Impulslaserstrahl auf eine vorbestimmte Strasse 101 an dem Halbleiterwafer 10 von dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zum Strahlen eines Laserstrahls aufgebracht wird.
  • In dem Schritt des Bildens modifizierter Schichten wird der folgende Laserstrahl als der Laserstrahl gestrahlt.
    Lichtquelle: YAG-Laser oder YV04-Laser
    Wellenlänge: 1,064 nm (Infrarotlaserstrahl)
    Ausgang: 5,1 W
    Wiederhol- bzw. Folgefrequenz: 100 kHz
    Impulsbreite: 20 ns
    Brennfleckdurchmesser: 1 μm
  • Als der in dem Schritt des Bildens modifizierter Schichten gestrahlte Laserstrahl wird ein Infrarotlaserstrahl mit einer langen Wellenlänge verwendet, der Laserstrahl wird an der vorderen Fläche des Halbleiterwafers 10 bei Fokussieren an dem Inneren des Halbleiterwafers 10 aufgebracht, wie in 5 gezeigt. Z.B. wird in dem Falle eines Halbleiterwafers 10 mit einer Dicke von etwa 100 μm der Halbleiterwafer 10 in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegt, während ein Infrarotlaserstrahl bei Fokussierung an dem Inneren bei etwa 20 μm von der vorderen Fläche aufgebracht wird, so dass ein modifizierter Bereich 10c mit einer Tiefe von etwa 50 μm entlang der Strasse in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 kontinuierlich gebildet wird.
  • Da der Halbleiterwafer 10 mit den modifizierten Schichten 10c, welche entlang der Strassen in seinem Inneren in dem obigen Schritt des Bildens modifizierter Schichten gebildet werden, an den modifizierten Schichten 10c als die Startpunkte bzw. -stellen gebrochen wird, wenn eine äußere Kraft auf ihn ausgeübt wird, kann er mit geringer äußerer Kraft leicht gebrochen werden. In diesem Falle wird der an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angeheftete Bondierungsfilm 11 für die Bondierung nicht gebrochen, weil der in dem obigen Schritt des Bildens modifizierter Schichten 10c aufgebrachte Laserstrahl den Bondierungsfilm 11 nicht erreicht.
  • Ein anderes Beispiel des Verfahrens zum Aufbringen eines Laserstrahls wird als nächstes beschrieben.
  • In diesem Beispiel wird der Einspanntisch 36 zu dem Laserstrahlaufbringungsbereich bewegt, wo der Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zum Aufbringen eines Laserstrahls angeordnet ist, wie oben beschrieben, und ein Laserstrahl wird entlang einer Strasse 101 an dem Halbleiterwafer 10 von dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 in dem Laserstrahlaufbringungsbereich dadurch aufgebracht, dass er an der vorderen Fläche 10a des Halbleiterwafers 10 fokussiert wird, um eine Nutenlinie zu bilden.
  • Der Schritt des Bildens von Nutenlinien wird im nachfolgenden beschrieben.
  • In dem Schritt des Bildens von Nutenlinien wird der Einspanntisch 36, d.h., der an dem Einspanntisch 36 gehaltene Halbleiterwafer 10, mit einer vorbestimmten Vorschubgeschwindigkeit (z.B. 150 mm/sek) in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung bewegt, während ein Impulslaserstrahl von dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zum Aufbringen eines Laserstrahls bei Fokussieren an der vorderen Fläche 10a einer vorbestimmten Strasse 101 an dem Halbleiterwafer 10 aufgebracht wird. In dem Schritt des Bildens von Nutenlinien wird der folgende Laserstrahl als der Laserstrahl gestrahlt.
    Lichtquelle: YAG-Laser oder YV04-Laser
    Wellenlänge: 355 nm (Ultraviolettlaserstrahl)
    Ausgang: 3,0 W
    Folgefrequenz: 20 kHz
    Impulsbreite: 0,1 ns
    Brennfleckdurchmesser: 5 μm
  • Ein Laserstrahl mit einer kurzen Wellenlänge wird als der Laserstrahl in diesem Beispiel verwendet, jedoch kann ein Infrarotlaserstrahl verwendet werden. Durch Bewegen eines Laserstrahls in der durch den Pfeil X gezeigten Richtung, während sein Brennpunkt P an der vorderen Fläche 10a des Halbleiterwafers 10 eingestellt ist, wird eine Nutenlinie 10d mit einer Tiefe von etwa 30 μm entlang der Strasse gebildet.
  • Da der Halbleiterwafer 10 mit Nutenlinien 10d entlang der Strassen in dem obigen Schritt des Bildens von Nutenlinien mit den Nutenlinien 10d als die Startpunkte bzw. -stellen gebrochen wird, wird er in einzelne Halbleiterchips entlang der Strassen durch Ausüben einer geringen äußeren Kraft auf ihn geteilt. Der Bondierungsfilm 11 für die Chipmontage bzw. -bondierung, der an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angeheftet ist, wird nicht gebrochen, weil ein Laserstrahl, der in dem obigen Schritt des Bildens von Nutenlinien aufgebracht worden ist, den Bondierungsfilm 11 nicht erreicht.
  • Es ist erwünscht, sowohl den Schritt des Bildens modifizierter Schichten entlang der Strassen 101 in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 als auch den Schritt des Bildens von Nutenlinien entlang der Strassen 101 an der vorderen Fläche des Halbleiterwafers 10 in dem Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers 10 in einzelne Halbleiterchips auszuführen.
  • Nachdem der Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers 10 in einzelne Halbleiterchips durch Verwendung der Laserstrahlmaschine 1 ausgeführt worden ist, wird das Schutzklebeband 14 gedehnt bzw. ausgedehnt, um Zugkraft bei dem Bondierungsfilm 11 zu erzeugen, um den Bondierungsfilmaufbrechschritt zum Aufbrechen des Bondierungsfilms 11 für jeden Halbleiterchip auszuführen. Dieser Bondierungsfilmaufbrechschritt wird durch eine Schutzklebeband-Ausdehnvorrichtung 15 ausgeführt, die in 7 und in 8(a) und 8(b) gezeigt ist. Die Schutzklebeband-Ausdehnvorrichtung 15 wird im nachfolgenden beschrieben. Die veranschaulichte Ausdehnvorrichtung 15 für das Schutzklebeband 14 weist eine zylindrische Basis 151 mit einer Platzierungsfläche 151a für die Platzierung des obigen Tragrahmens 13 und ein Ausdehnmittel 16 auf, das konzentrisch in der Basis 151 angeordnet ist und zum positiven bzw. zwangsläufigen Ausdehnen des Schutzklebebandes 14 dient, das an dem Tragrahmen 13 angeheftet ist. Das Ausdehnungsmittel 16 weist ein zylindrisches Ausdehnungselement 161 zum Tragen bzw. Abstützen eines Bereichs 141 auf, wo eine Mehrzahl von Halbleiterchips 20 des obigen Schutzklebebandes 14 vorhanden sind. Dieses Ausdehnungselement 161 ist so ausgebildet, um dazu befähigt zu sein, in einer vertikalen Richtung (axiale Richtung der zylindrischen Basis 151) zwischen einer in 8(a) gezeigten Referenzposition und einer in 8(b) gezeigten ausgedehnten Position oberhalb der Referenzposition durch ein Hebe- bzw. Hubmittel bewegt zu werden, welches nicht gezeigt ist. Bei der veranschaulichten Ausführungsform sind Ultraviolettstrahlungslampen 17 innerhalb des Ausdehnungselements 161 eingebaut.
  • Als nächstes wird der Bondierungsfilm-Aufbrechschritt, der mit der oben beschriebenen Schutzklebeband-Ausdehnungsvorrichtung 15 ausgeführt wird, unter Bezugnahme auf 7, 8(a) und 8(b) beschrieben.
  • Wie oben beschrieben, wird der Tragrahmen 13, welcher den Halbleiterwafer 10 trägt, der den an seiner hinteren Fläche angehefteten Bondierungsfilm 11 aufweist und an der oberen Fläche des ausdehnbaren Schutzklebebandes 14 getragen bzw. gehalten ist, das an dem Tragrahmen 13 befestigt ist (der Bondierungsfilm 11, der an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angeheftet ist, der in einzelne Halbleiterchips 20 unterteilt ist, ist an der oberen Seite des Schutzklebebandes 13 befestigt), an der Platzierungsfläche 151a der zylindrischen Basis 151 platziert und an der Basis 15 durch Klammern bzw. Klemmen 18 befestigt, wie in 7 und 8(a) gezeigt. Sodann wird, wie in 8(b) gezeigt, das Ausdehnungselement 161 des Ausdehnungsmittels 16, welches in dem obigen Schutzklebeband 14 den Bereich 141, in dem die Mehrzahl von Halbleiterchips 20 vorhanden ist, trägt bzw. abstützt, zu der in 8(b) gezeigten Ausdehnungsposition von der in 8(a) gezeigten Referenzposition durch ein Hebe- bzw. Hubmittel, das nicht gezeigt ist, bewegt. Infolgedessen wirkt, wenn das ausdehnbare Schutzklebeband 14 ausgedehnt wird, eine Zugkraft auf den an diesem Schutzklebeband 14 befestigten Bondierungsfilm 11, wodurch der Bondierungsfilm 11 entlang der Halbleiterchips 20 gebrochen bzw. aufgebrochen wird, wie in 9 gezeigt. Da die Adhäsion zwischen dem Schutzklebeband 14 und dem an den Halbleiterchips 20 angehefteten Bondierungsfilm 11 sich aufgrund eines Spaltes vermindert, welcher zu diesem Zeitpunkt zwischen diesen erzeugt wird, werden die an dem Bondierungsfilm 11 angehefteten Halbleiterchips 20 von dem Schutzklebeband 14 leicht entfernt.
  • Nachdem der Bondierungsfilm 11, der an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers 10 angeheftet ist, der in einzelne Halbleiterchips 20 geteilt ist, entlang der Halbleiterchips 20 in dem Bondierungsfilm-Aufbrechschritt aufgebrochen ist, wird eine Chipaufnahme-Hülse bzw. -Patrone 19, die oberhalb der Schutzklebeband-Ausdehnungsvorrichtung 15 positioniert ist, betätigt, um die einzelnen Halbleiterchips 20 von der oberen Fläche des Schutzklebebandes 14 zu entfernen (Halbleiterchip-Entfernungsschritt), wie in 7 gezeigt, und um diese zu einem (nicht gezeigten) Tablett zu tragen oder um einen Chipmontage- bzw. -bondierungsschritt auszuführen. Bei dieser Gelegenheit werden die innerhalb des Ausdehnungselements 161 eingebauten Ultraviolettbestrahlungslampen 17 eingeschaltet, um Ultraviolettstrahlung auf das Schutzklebeband 14 aufzubringen, um die Adhäsion des Schutzklebebandes 14 zu reduzieren, um es hierdurch möglich zu machen, die Halbleiterchips 20 von dem Schutzklebeband 14 leicht zu entfernen. Die auf diese Art und Weise von dem Schutzklebeband 14 entfernten Halbleiterchips 20 weisen einen Zustand des noch an der hinteren Fläche angehefteten Bondierungsfilms 11 auf, wie in 10 gezeigt, und die Halbleiterchips 20 mit dem an der hinteren Fläche angehefteten Bondierungsfilm 11 werden erhalten. Weiterhin wird, da der Halbleiterwafer 10 durch einen Laserstrahl kompakt geteilt worden ist, der Bondierungsfilm 11 entsprechend der Größe eines jeden Halbleiterchips 20 geteilt und steht selten von den Halbleiterchips 20 zu dem Zeitpunkt der Chipmontage vor, wodurch die Qualität der Chipmontage verbessert wird.
  • Entsprechend dem Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers nach der vorliegenden Erfindung wird der Teilungsschritt des Anheftens des Bondierungsfilms für die Chipmontage an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers und die Aufbringung eines Laserstrahls auf den Halbleiterwafer ausgeführt, um einen Halbleiterwafer in einzelne Halbleiterchips zu teilen. In diesem Schritt wird der Bondierungsfilm nicht aufgebrochen, jedoch Halbleiterchips mit dem an der hinteren Fläche angehefteten Bondierungsfilm durch Auferlegen einer Zugkraft auf den Bondierungsfilm und durch dessen Aufbrechen entlang der einzelnen Halbleiterchips. Daher kann die Bondierungsarbeit der Halbleiterchips gleichmäßig ausgeführt werden. Weiterhin wird, entsprechend dem Verfahren zum Teilen eines Halbleiterchips nach der vorliegenden Erfindung, da ein Laserstrahl auf den Halbleiterwafer aufgebracht wird, um ihn in einzelne Halbleiterchips zu teilen, kein Spalt zwischen benachbarten bzw. angrenzenden Halbleiterchips gebildet und der Bondierungsfilm wird in Übereinstimmung mit den Halbleiterchips aufgebrochen. Daher steht der Bondierungsfilm nicht von den Halbleiterchips vor. Folglich wird die Qualität des Bondierens bzw. Montierens der Halbleiterchips an einem Verdrahtungs- bzw. Verkabelungsrahmen verbessert.

Claims (4)

  1. Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers mit einer Mehrzahl von Strassen, die an der vorderen Fläche in einer Gitterform gebildet sind, und mit einer Schaltung bzw. Schaltkreis, der in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet ist, welche durch die Mehrzahl der Strassen geteilt sind, in einzelne Halbleiterchips, aufweisend: einen Bondierungsfilm bzw. -folie-Anheftungsschritt zum Anheften eines Bondierungsfilms bzw. -folie für die Chipmontage bzw. -bondierung an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers; einen Schutzklebeband-Befestigungsschritt zum Befestigen eines extensilen bzw. dehnbaren Schutzklebebandes an der Seite des Bondierungsfilms des Halbleiterwafers mit dem an dessen hinterer Fläche angehefteten Bondierungsfilm; einen Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers in einzelne bzw. individuelle Halbleiterchips durch Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls entlang der Strassen von der vorderen Fläche des Halbleiterwafers, der an dem Schutzklebeband befestigt ist; einen Bondierungsfilm-Brech- bzw. -Aufbrechschritt zum Brechen bzw. Aufbrechen des Bondierungsfilms für jeden Halbleiterchip durch Ausdehnen des Schutzklebebandes, um eine Zugkraft für den Bondierungsfilm zu ergeben; und einen Halbleiterwafer-Beseitigungs- bzw. -Entfernungsschritt zum Entfernen der Halbleiterchips mit dem hieran befestigten, gebrochenen Bondierungsfilm von dem Schutzklebeband.
  2. Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers nach Anspruch 1, bei dem der Bondierungsfilm-Anheftungsschritt durch Platzieren des Bondierungsfilms an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers und durch Pressen bzw. Drücken des Bondierungsfilms gegen die hintere Fläche des Halbleiterwafers bei Erwärmung bei einer Temperatur von 80 bis 200°C ausgeführt wird.
  3. Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Schutzklebeband so angeklebt wird, um die innere Öffnung eines ringförmigen Trag- bzw. Stützrahmens zu bedecken.
  4. Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Schutzklebeband die Eigenschaft hat, dass seine Haftung bzw. Adhäsion durch einen externen bzw. äußeren Stimulus bzw. Anregung reduziert wird, und ein externer Stimulus dem Schutzklebeband gegeben bzw. verliehen wird, um seine Adhäsion zu dem Zeitpunkt zur Entfernung der Halbleiterchips mit dem hieran befestigten Bondierungsfilm von dem Schutzklebeband in dem obigen Halbleiterchips-Entfernungsschritt zu reduzieren.
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