JPH06120334A - シリコンウエハ切断装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体基板の収量を増加させ製造コストを低
下できるシリコンウエハ切断装置を得る。 【構成】 シリコンウエハ３の厚さを設定すると切断可
能なレーザー出力及び切断幅を設定するとともにレーザ
ースポット９をシリコンウエハ上に照射するレーザー装
置10と、入力されるシリコンウエハ３の直径と半導体基
板３ａの寸法及び切断幅からシリコンウエハ３の切断パ
ターンを生成して切断能率の高い切断パターンとレーザ
ースポット９の走査手順を設定し、走査手順に従ってＸ
Ｙテーブル１を駆動する信号を出力するＸＹテーブル制
御部14を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウエハから
半導体基板を切り出すシリコンウエハ切断装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】図４は従来のシリコンウエハ切断装置を
示す正面図である。図において、１はＸ軸、Ｙ軸方向に
移動できるようにされたＸＹテーブル。２はＸＹテーブ
ル１に設置されたウエハテーブル、３はウエハテーブル
２上に載置されたシリコンウエハ、４は回転可能な軸に
取り付けられたダイヤモンド砥石で、ＸＹテーブル１の
Ｘ軸の軸線上に配置されている。

【０００３】次に動作について説明する。図４におい
て、ダイヤモンド砥石４を図示矢印方向に回転させ、Ｘ
Ｙテーブル１を図示矢印で示すように往復移動させて、
ダイヤモンド砥石４でシリコンウエハ３のＸ軸方向を順
次切断される。このダイヤモンド砥石４によるウエハ３
の切断は、図５に示すように、例えばウエハ３をＸ軸方
向に切断し、次にＸＹテーブル１を90度回転させてＹ軸
方向を切断して、複数個の半導体基板３ａを得るように
している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のシリコンウエハ
切断装置は以上のように、シリコンウエハ３をＸ軸とＹ
軸との直線方向が切断されるので、半導体基板３ａの切
り出しパターンが碁盤目に固定され、シリコンウエハ３
から得られる半導体基板３ａの収量が少なくなるという
問題点があった。

【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、シリコンウエハから得られる
半導体基板の収量を増加することができるシリコンウエ
ハ切断装置を得ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明に係わるシリコ
ンウエハ切断装置は、シリコンウエハの厚さを設定する
と切断可能なレーザー出力及び切断幅を設定するととも
にレーザースポットをシリコンウエハ上に照射するレー
ザー装置と、入力されるシリコンウエハの直径と半導体
基板の寸法及び切断幅からシリコンウエハの切断パター
ンを生成して切断能率の高い切断パターンとレーザース
ポットの走査手順を設定し、走査手順に従ってＸＹテー
ブルを駆動する信号を出力するＸＹテーブル制御部を備
えたものである。

【０００７】

【作用】この発明によるシリコンウエハ切断装置のＸＹ
テーブル制御部は、シリコンウエハの直径と厚さ及び半
導体基板の寸法から半導体基板の収量を最大とするシリ
コンウエハの切断パターンを設定する。

【０００８】

【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例を図につ
いて説明する。図１はこの発明の実施例１によるシリコ
ンウエハ切断装置を示す構成図である。図において、１
〜３は従来のものと同様のため説明を省略する。５はレ
ーザー発振部、６はレーザ発振部５から発振されたレー
ザービームをコリメートするコリメータ、７はレーザー
ビームの方向を変換するミラー、８はレーザービームを
シリコンウエハ３上にフォーカスする集光レンズ、８は
シリコンウエハ３に照射されるレーザースポットであ
る。そして、上記５〜９でレーザー装置10が形成されて
いる。11はレーザー発振部５と接続された電源部、12は
電源部11と接続されレーザー発振部５を冷却する冷却
部、13は電源部11と接続されレーザースポット９の周囲
を真空にする真空ポンプ、14はＸＹテーブル１と電源部
11および真空ポンプ13と接続されたＸＹテーブル制御部
である。図２はＸＹテーブル制御部14とレーザー発振部
５の構成及び動作を示すフローチャートである。ＸＹテ
ーブル制御部14は、シリコンウエハ３の直径寸法が入力
される直径入力部21、半導体基板３ａの寸法が入力され
る寸法入力部22、切断パターン生成部23、パターン数を
判断する判断部24、切断能率を評価する能率評価部25、
切断パターン設定部26、レーザー走査手順設定部27、Ｘ
Ｙテーブルを駆動する駆動信号発生部28を備えている。
また、レーザ発振部５はシリコンウエハ３の厚さ寸法が
入力される厚さ入力部29、レーザー出力を設定する出力
設定部30、レーザー切断幅を設定する切断幅設定部31を
備えている。

【０００９】次に動作について説明する。ＸＹテーブル
１上にウエハテーブル２を介してシリコンウエハ３を載
置し、ＸＹテーブル制御部13にシリコンウエハ３の直径
寸法と、このシリコンウエハ１から切り出す半導体基板
３ａの寸法を入力する。また、レーザー発振部５にシリ
コンウエハ３の厚さ寸法を入力する。レーザー発振部５
は、厚さ入力部29に厚さ寸法が入力されると、出力設定
部30で切断に適したレーザー出力を設定し、切断幅設定
部31は切断幅を設定しこの幅信号をＸＹテーブル制御部
１４へ送出する。ＸＹテーブル制御部14は、直径入力部
21と寸法入力部22及びレーザー発振部５から幅信号31を
受けると、切断パターン生成部23はシリコンウエハ３か
ら半導体基板３ａの切断パターンが生成される。半導体
基板３ａの収量を最大にする切断パターンが複数ある場
合は、能率評価部25でそれぞれの切断パターンについて
切断能率を評価し、切断能率を最大とする切断パターン
(26)とレーザー走査手順(27)が設定され、駆動信号発生
部28からＸＹテーブル１を駆動する信号が送出され、こ
の信号によってＸＹテーブル１が駆動される。レーザー
装置10で発振されシリコンウエハ３上に照射されるレー
ザースポット９で、レーザー走査手順(27)に従って駆動
されるＸＹテーブル１上のシリコンウエハ３が、図３に
示すように切断され複数個の半導体基板３ａが得られ
る。

【００１０】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、シリコ
ンウエハの厚さを設定すると切断可能なレーザー出力及
び切断幅を設定するとともにレーザースポットをシリコ
ンウエハ上に照射するレーザー装置と、入力されるシリ
コンウエハの直径と半導体基板の寸法及び切断幅からシ
リコンウエハの切断パターンを生成して切断能率の高い
切断パターンとレーザースポットの走査手順を設定し、
走査手順に従ってＸＹテーブルを駆動する信号を出力す
るＸＹテーブル制御部を備えた構成としたので、半導体
基板の収量を増加する効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１によるシリコンウエハ切断
装置を示す構成図である。

【図２】図１のシリコンウエハ切断装置中のレーザー発
振部とＸＹテーブル制御部の構成及び動作を示すフロー
チャート図である。

【図３】図１のシリコンウエハ切断装置で切断されるシ
リコンウエハ及び得られる半導体基板を示す平面図であ
る。

【図４】従来のシリコンウエハ切断を示す正面図であ
る。

【図５】図４のシリコンウエハ切断に用いられるシリコ
ンウエハ及び得られる半導体基板を示す平面図である。

【符号の説明】

１ ＸＹテーブル ３ シリコンウエハ ５ レーザー発振部 10 レーザー装置 14 ＸＹテーブル制御部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｘ軸とＹ軸方向に移動可能なＸＹテーブ
   ル上に載せられたシリコンウエハを切断して半導体基板
   を得るシリコンウエハ切断装置において、上記シリコン
   ウエハの厚さを設定すると切断可能なレーザー出力及び
   切断幅を設定するとともにレーザースポットを上記シリ
   コンウエハ上に照射するレーザー装置と、入力される上
   記シリコンウエハの直径と上記半導体基板の寸法及び上
   記切断幅から上記シリコンウエハの切断パターンを生成
   して切断能率の高い切断パターンと上記レーザースポッ
   トの走査手順を設定し、上記走査手順に従って上記ＸＹ
   テーブルを駆動する信号を出力するＸＹテーブル制御部
   を備えたことを特徴とするシリコンウエハ切断装置。