JP3512400B2 - デュアル・レーザ照射で多層基板を切断するための方法および装置 - Google Patents

デュアル・レーザ照射で多層基板を切断するための方法および装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デュアル・レーザ
照射を用いて基板を切断するための方法および装置に関
する。詳細には、本発明は、集積回路パッケージで使用
するための方法および装置に関する。本発明は、集積回
路構成要素のシンギュレーションでの特定の応用例を有
する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン・ウェハすなわち集積回路（Ｉ
Ｃ）ユニットは、一般にいくつかの個々の層から構成さ
れる。これらの層はプリント回路板（ＰＣＢ）を含むこ
とがある。このプリント回路板上に、金属回路、誘電
体、ウェハ・ダイ、ボンディング・ワイア、および成形
化合物材料のうちの一部またはすべてが設けられる。一
般に、いくつかの個々のＩＣユニットが１つのパッケー
ジに形成され、このパッケージは、個々のＩＣユニット
の境界を区画するようにマークされる。したがって個々
のＩＣユニットそれぞれを分離するようにパッケージを
シンギュレーションすることが必要である。
【０００３】周知のシンギュレーション技法は、機械式
のこ引き技法である。Ｌｅｅ他の「Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌ
ｅ Ｐａｃｋａｇｅ Ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｆｏｒ
Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅ Ｔｈｅｒｅｏｆ」という名称
の米国特許第６１４０７０８号は、個々のユニットがダ
イヤモンドのこぎりを使用して密閉型パッケージからシ
ンギュレーションされる製造プロセスを開示している。
この従来の技法は多くの欠点を有する。こののこぎり
は、均質性および平面度の厳しい基準を満たすように製
造しなければならない。のこ引きくずを除き、生成され
る熱を放散するために、のこ引きプロセスの間に水も必
要である。別の欠点は、摩耗の程度が高いことにより頻
繁にのこぎりの交換が必要となり、装置のコストが高価
になることである。さらにのこぎりの最小切断幅によ
り、ＩＣユニット製造に関して制限が課される。加え
て、機械式のこ引きプロセスにより、特に薄いＩＣユニ
ットはクラッキングが生じる可能性がある。特定の問題
は金属基板の使用である。金属基板は低コストのために
最近人気を得ている。一般に、そのような基板はニッケ
ル層で被覆した銅板基部を有する。しかし金属基板は金
属くずを生成し、この金属くずにより問題が生ずる可能
性がある。例えば、金属は切断しにくく、金属くずはの
こ歯にくっつきやすいので、ＩＣユニットおよびのこ歯
自体のどちらも損傷してしまう。
【０００４】ＩＣユニットのシンギュレーションのため
の別の技法は、レーザ・シンギュレーション技法であ
る。ＷＯ ０１／１０１７７（ＸＳＩＬ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ）は、レーザを使用するＩＣ
ユニットのシンギュレーションのための方法および装置
を開示している。レーザ・エネルギーが、鏡を回転させ
るか、または横方向に移動させるかのいずれかを用いて
ＩＣパッケージを横切ってスキャンされる。この方法も
欠点を有する。この技法を使用して達成される切断速度
は、４．２ｍｍ／ｓｅｃおよび８．３ｍｍ／ｓｅｃと引
用されている。さらに、この技法を使用する切断に適し
たパッケージの厚さは、レーザ・ビームの焦点の深さに
よって制限される。したがってこの技法は、多くの工業
的応用例に適さない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、上述の欠
点を回避する改良型の方法と装置が求められている。具
体的には、高速の切断速度を有し、より厚い基板での使
用に適すると同時に、ダイヤモンド砥石ソー・ダイシン
グの問題（例えば再生可能部品（ｒｅｎｅｗａｂｌｅ）
の高コスト、頻繁な摩耗、大きい最小切断幅、クラッキ
ング、くずを除去し熱を放散するための水の必要）を回
避する、レーザ照射を用いて基板を切断するための方法
および装置が求められている。
【０００６】上述の要件を実現することが本発明の目的
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的に従って、本
発明は、 ａ）横方向に配置された基板を提供するステップと、 ｂ）基板の第１レーザ焦点上に第１レーザ・ビームを集
束するステップと、 ｃ）前記第１レーザ焦点から相対的に垂直方向に変位し
ている基板の第２レーザ焦点上に第２レーザ・ビームを
集束するステップと、 ｄ）前記第１レーザ焦点と基板および前記第２レーザ焦
点と基板との間の相対的に横方向の移動をそれぞれ実施
するステップであって、その結果前記第１レーザ焦点が
前記基板上の切断経路をたどり、前記第２レーザ焦点も
前記第１レーザ焦点から相対的に垂直方向に変位した状
態で前記切断経路をたどり、前記基板の第１層が第１レ
ーザ・ビームによる切断経路に沿って除去され、前記基
板の第２層が第２レーザ・ビームによる切断経路に沿っ
て除去されるステップとを含む基板を切断する方法を含
む。
【０００８】一実施態様によれば、第１レーザ・ビーム
および第２レーザ・ビームのどちらも、基板の同じ水平
面を照射する。
【０００９】第２実施態様によれば、第１レーザ・ビー
ムおよび第２レーザ・ビームは、基板の第１水平面およ
び第２水平面をそれぞれ照射する。
【００１０】好ましくは、この基板は複数の層から構成
される。さらに好ましくは、各層は異なる材料または材
料の組み合わせを有する。さらに好ましくは、各レーザ
・ビームの特性は、それによって除去すべき特定の層の
除去に適するように選択される。有利には、第１レーザ
・ビームおよび第２レーザ・ビームは、独立に集束可能
である。
【００１１】第２態様によれば、本発明は、上記の方法
を実施するための装置を含む。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明をより良く理解でき
るようにし、本発明をどのように実施するかをよりはっ
きりと示すために、本発明の様々な実施形態を概略的に
示す添付の図面を例として参照する。これらの図には、
原寸に比例しないものもある。
【００１３】図１および２に図示するように、ＩＣパッ
ケージ４０は、複数のＩＣユニット１４０を含む。ユニ
ット１４０の分離は、所定のトラック４１に沿って切断
することによって実施される。パッケージは、一般に、
例えば銅および／またはエポキシからなる第１層（４
２、図２）と、成形化合物からなる第２層（４４）とを
有する。
【００１４】図３に、本発明の一実施形態の切断領域を
示す。第１レーザ・ビーム（１０）および第２レーザ・
ビーム（２０）は、Ｘ−Ｙステージ（３０）によって支
持されるＩＣパッケージ（４０）の同じ水平面を照射す
るように配置される。この特定の実現形態では、第１レ
ーザ・ビーム（１０）は、最大５０ｋＨｚのパルス反復
率を有する５３２ｎｍの５０Ｗ Ｎｄ：ＹＡＧレーザ源
によって生成され、第２レーザ・ビーム（２０）は、パ
ルス持続時間７ｎｓの１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレー
ザによって生成される。ＩＣパッケージ（４０）は、Ｘ
−Ｙステージ（３０）に固定され、銅および／またはエ
ポキシ材料を含む第１層（４２）と、成形化合物を含む
第２層（４４）とを含む。
【００１５】第１ステップでは、第１レーザ・ビーム
（１０）は、基板上の第１層（４２）上に位置する第１
レーザ焦点に集束する。レーザ・ビーム（２０）は、レ
ーザ・ビーム（１０）の近くに放射され、基板上の第２
レーザ焦点上に集束する。この第２焦点は基板の動きの
方向と反対の方向に第１焦点から偏位しており、第２層
（４４）上に位置する。Ｘ−Ｙステージは、所定の速度
の下で所定のトラックに沿って（図では左から右に）移
動するＩＣパッケージ（４０）を担持する。第１レーザ
・ビーム（１０）は、第１層（４２）をトラックに沿っ
てスキャンし、第１層（４２）の厚さ全体を貫通して第
１切溝（１４２）を形成する。第２レーザ・ビーム（２
０）は、横方向に第１レーザ・ビームの下流側に偏位し
ており、（その時点で露出している）第２層（４４）を
トラックに沿ってスキャンし、第２層（４４）の厚さ全
体を貫通して第２切溝（１４４）を形成する。したがっ
てＩＣパッケージは、２つの切溝（１４２、１４４）に
よって分離される。
【００１６】図４に、本発明の第２実施形態の対応図を
示す。この実施形態では、第２レーザ・ビームはパッケ
ージの反対側の水平面に当てられる。この実施形態で
は、２つのレーザ焦点は垂直方向で一致し、その結果Ｉ
Ｃパッケージは２つのレーザ・ビームによって同時に分
離される。
【００１７】図５は、本発明による装置のより完全な図
である。第１レーザ源（１１０）は、ビーム・サンプラ
（１２）を通過する第１レーザ・ビーム（１０）を生成
し、光学系（１６）によってＩＣパッケージ（４０）の
第１層（４２、図３）上に集束する。ビーム・サンプラ
（１２）は、ビームの小さいサンプル（例えば５％）を
除去し、それを電力計（１４）に渡し、その出力はコン
トローラ（３４）に渡される。コントローラ（３４）
は、例えば適切にプログラムされたコンピュータでよ
い。レーザ・ビームは、リアルタイムに監視される。レ
ーザ・ビーム（１０）の測定パラメータと期待されるパ
ラメータとの間に何らかの差があった場合、コントロー
ラ（３４）は、それに応じてレーザ源（１１０）を制御
する。やはりコントローラ（３４）の制御下にある光学
系（１６）は、所望のパラメータを有するビームをＩＣ
パッケージ（４０）上に集束するように、サイズ、形
状、および流束量などのレーザ・ビームの様々なパラメ
ータを修正する。切断領域から光信号を検出し、信号を
コントローラ（３４）に送り、別のリアルタイム・プロ
セス監視を行うために、光検出器（３２）が設けられて
いる。くずを除去し、冷却機構を働かせるために、やは
りコントローラ（３４）の制御下にある空気ブロー手段
（２８）も用意されている。
【００１８】レーザ源（１２０）を備える追加のレーザ
・アセンブリが、切断経路に沿って第１レーザ源（１１
０）の下流側に配置されている。このアセンブリは同様
に動作し、その結果レーザ・ビーム（２０）は、（関連
する電力計（２４）を有する）ビーム・サンプラ（２
２）および光学系（２６）を通過し、基板（４０）の第
２層（その時点では露出している）上に進む。レーザ・
ビーム（２０）は、前記第２層を貫通して切断し、それ
によって基板（４０）を完全に切断する。光検出器（３
１）も設けられている。特定の層をそれぞれ切断する別
のレーザ・アセンブリを用意することが可能である。第
２層の切断を容易にするためにＩＣパッケージを裏返す
ことも可能である。
【００１９】（図４の配置に対応する）代替実施形態を
図５に破線で示す。この実施形態では、パッケージ（４
０）の反対の水平面に対向する第２レーザ・アセンブリ
（１２０、２２、２４、２６、３１）が設けらる。この
場合、レーザ・ビーム（２０）がパッケージ（４０）を
照射することができるようにＸ−Ｙステージ（４０）で
ギャップを形成しなければならない。追加の空気ブロー
手段（２８ａ）が設けられる。パッケージの反対側にレ
ーザ源を有するシステムの具体的な利点は、第２層を切
断する際に第２レーザ・ビームによって生じる切溝の深
さが浅くなることである。これにより冷却およびくず除
去が容易になる。
【００２０】いくつかの異なるレーザ源を使用すること
ができる。図の装置では、銅および／またはエポキシ材
料を含むパッケージ（４０）の第１層（４２）を切断す
るために、可視スペクトルおよび／または赤外線スペク
トルのレーザ波長を使用することが好ましい。
【００２１】処理パラメータを適切に制御することで高
速に層を除去することができる。レーザ源（１１０、１
２０）は、例えば、最大５０ｋＨｚのパルス反復率を有
する５３２ｎｍ ５０Ｗ Ｎｄ：ＹＡＧレーザ源でよ
く、あるいはパルス持続時間７ｎｓの１０６４ｎｍ Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザでよい。３００μｍ厚の上側層と８０
０μｍ厚の下側層とを有する１つのサンプルＩＣパッケ
ージは、前述の５３２ｎｍ Ｎｄ：ＹＡＧレーザによっ
て切断される。上側層は、３５Ｗレーザ出力および１０
ｋＨｚパルス反復率の下で、切断幅１２０μｍで切断さ
れた。下側層は、１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザに
よって、６Ｊ／ｃｍ2 レーザ流束量およびパルス数３０
で、切断幅１２０ｐｍで切断された。切断速度は１２５
ｍｍ／ｓであった。
【００２２】別の実行では、５００ｐｍ厚の上側層およ
び１０００μｍ厚の下側層を有する第２サンプルＩＣパ
ッケージを切断した。１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレー
ザによって、４．５Ｊ／ｃｍ2 レーザ流束量およびパル
ス数７０の下で上側層を切断幅１２０μｍで切断した。
１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザで、６Ｊ／ｃｍ2レ
ーザ流束量およびパルス数７０の下で下側層を切断幅１
２０μｍで切断した。切断速度は１００ｍｍ／ｓであっ
た。したがってデュアル・レーザ・ビーム照射では、Ｉ
Ｃパッケージは、業界で必要な最小８０ｍｍ／ｓよりも
実質上速い速度で分離される。
【００２３】レーザ・シンギュレーションの間、銅、エ
ポキシ、および成形化合物はくずの小さい粒子となり、
切断切溝から排出される。このくずはパッケージ表面上
に再付着し、ＩＣパッケージを汚染する可能性があるの
で、くず除去のための手段を用意することが好ましい。
ガス流ジェネレータ（例えば空気ブロー手段）（２８）
を使用して（あるいは、図示していないが吸込システム
を使用して、またはその両方を使用して）くずを除去す
る。ジェネレータは、コントローラ（３４）の制御下に
ある。ガス・ノズル位置、サイズ、およびガス流速度を
適切に制御することで、完全な除去が可能である。
【００２４】図６、７、８に、３つの代替多重レーザ・
ビーム配置を示す。図６では、異なる波長の光を有する
２つの独立のレーザ源が設けられる。この代替方法は、
光学的セットアップが単純であるという利点を有する
が、２つのレーザ間の正確な精密な同期が必要であり、
装置のコストが高価になる。
【００２５】図７では、１つのレーザが使用される。こ
のレーザは、例えば短パルス持続時間、高パルス・エネ
ルギーの１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザでよい。こ
のレーザ・ビーム（１６０）は非線型結晶（１５０）を
通過する。この非線型結晶（１５０）は、ビームの約５
０％を５３２ｎｍレーザ光のビーム（１７０）に変換す
る。次いで選択的ビーム・スプリッタ（１５５）を使用
して、第２ビーム（１７０）を鏡（１６５）に導き、Ｉ
Ｃパッケージ上に導く。第１ビーム（１６０）の残りの
部分は、前と同様にパッケージを照射する。光学系は複
雑になるが、１つのレーザ源しか必要としない。
【００２６】図８では非線型結晶は使用されず、ビーム
・スプリッタが単にビームを同じ波長を有する２つのビ
ームに分離するために使用される。この配置は単純であ
るという利点を有するが、異なる波長、具体的には有利
な波長の２つのビームを供給しない。しかし、レーザ流
束量またはパルス照射が増加した場合、十分な切断速度
を低コストで達成することができる。
【００２７】図９に、本発明の一実施形態による装置の
ための信号診断およびリアルタイム・プロセス監視を示
す。光検出器（３１および３２）を使用して、ＩＣパッ
ケージとのレーザ相互作用の間に生成される光信号を検
出する。これらの層が完全に除去された後に光信号が消
滅することがわかる。このことは、ＩＣパッケージの完
全な切断を検出するためのフィードバック制御機構とし
て使用することができる。このシステムでは、取り込ま
れた光信号は、Ａ／Ｄ変換器（図示せず）を介してデジ
タル化され、次いでコントローラ（３４）によって期待
される設定と比較される。完全な分離が検出された場
合、切断のための新しいサンプルを得ることができる。
不完全な分離が検出された場合、さらにレーザ処理が行
われる。
【００２８】図１０に、良好な切断エッジを提供してい
る本発明によるレーザ切断の有効性を示す。図１０は、
切断エッジの部分断面を示す。切断幅は１２０μｍであ
る。５３２ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザを使用し、速度１
２５ｍｍ／ｓで、レーザ・パワー３５Ｗおよびパルス反
復率１０ｋＨｚで上側層を除去した。１０６４ｎｍのＮ
ｄ：ＹＡＧレーザを使用して、レーザ流束量６Ｊ／ｃｍ
2 およびパルス数３０で下側層を除去した。このセット
アップでは、切断速度１２５ｍｍ／ｓが得られた。この
速度は、典型的な業界の要件８０ｍｍ／ｓと同程度であ
る。ＩＣパッケージング技術が発展するにつれて、ＩＣ
ユニット間隔は小さくなり、パッケージ厚も縮小するで
あろう。このことにより、さらに高速でのレーザＩＣシ
ンギュレーションが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を用いる分離に適した、いくつかのＩＣ
ユニットを含むＩＣパッケージを示す図である。
【図２】図１のパッケージの部分断面図である。
【図３】第１レーザ源および第２レーザ源が基板の同じ
水平面を照射する、本発明の第１実施形態を示す図であ
る。
【図４】第１レーザ源および第２レーザ源が基板の反対
側の水平面を照射する、本発明の第２実施形態を示す図
である。
【図５】本発明による装置を示す図である。
【図６】異なる波長の光による異なるレーザ源を有する
レーザ源方式を示す図である。
【図７】１つのレーザ源が異なる波長の光の２つのビー
ムを供給するレーザ源方式を示す図である。
【図８】１つのレーザ源が同じ波長の光の２つのビーム
を供給するレーザ源方式を示す図である。
【図９】本発明による装置の信号診断およびプロセス・
リアルタイム監視システムを示すブロック図である。
【図１０】本発明を使用したＩＣユニット切断の断面を
示す顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１０ 第１レーザ・ビーム １２ ビーム・サンプラ １４ 電力計 １６ 光学系 ２０ 第２レーザ・ビーム ２２ ビーム・サンプラ ２４ 電力計 ２６ 光学系 ２８ 空気ブロー手段 ２８ａ 空気ブロー手段 ３０ Ｘ−Ｙステージ、光検出器 ３２ 光検出器 ３４ コントローラ ４０ ＩＣパッケージ ４１ トラック ４２ 第１層 ４４ 第２層 １１０ 第１レーザ源 １２０ 第１レーザ源 １４０ ＩＣユニット １４２ 第１切溝 １４４ 第２切溝 １５０ 非線型結晶 １５５ 選択的ビーム・スプリッタ １６０ レーザ・ビーム １６５ 鏡 １７０ レーザ・ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｂ２３Ｋ 101:40 Ｂ２３Ｋ 101:40 (72)発明者 カイドン・イェ シンガポール国・650216・ブキット バ トック ストリート 21・ブロック 216・ナンバー 12−291 (72)発明者 チェング・アン シンガポール国・650113・ブキット バ トック ウエスト アベニュ ６・ブロ ック 113・ナンバー 05−176 (72)発明者 ダ・ミン・リウ シンガポール国・640520・ジュロン ウ エストストリート 52・ブロック 520・ナンバー 07−177 (56)参考文献 特開 平８−10970（ＪＰ，Ａ) 特開2000−277550（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−240186（ＪＰ，Ａ) 特開2001−47399（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H05K 3/00 B23K 26/00,26/08

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ａ）横方向に配置された基板を提供するス
    テップと、 ｂ）基板の第１レーザ焦点上に可視スペクトルまたは赤
    外線スペクトルからなる第１レーザ・ビームを集束する
    ステップと、 ｃ）前記第１レーザ焦点から相対的に垂直方向に変位し
    ている基板の第２レーザ焦点上に可視スペクトルまたは
    赤外線スペクトルからなる第２レーザ・ビームを集束す
    るステップと、 ｄ）前記第１レーザ焦点と基板および前記第２レーザ焦
    点と基板との間の相対的に横方向の移動をそれぞれ実施
    するステップであって、その結果前記第１レーザ焦点が
    前記基板上の切断経路をたどり、前記第２レーザ焦点も
    前記第１レーザ焦点から相対的に垂直方向に変位した状
    態で前記切断経路をたどり、前記基板の第１層が第１レ
    ーザ・ビームによる切断経路に沿って熱的加工により除
    去され、前記基板の第２層が第２レーザ・ビームによる
    切断経路に沿って熱的加工により除去されるステップと
    を含む基板を切断する方法であって、前記第１レーザ・ビームおよび第２レーザ・ビームは、
    レーザ源からのレーザ・ビームを受けてそのビームの約
    半分を異なる波長のレーザ光のビームに変換する非線型
    結晶を通し、次いで選択的ビーム・スプリッタを使用し
    て生成され、第１の層と第２の層に相異なる波長で提供
    されることを特徴とする基板を切断する方法 。
  2. 【請求項２】第１レーザ・ビームおよび第２レーザ・ビ
    ームのどちらも、基板の同じ水平面を照射する請求項１
    に記載の方法。
  3. 【請求項３】第１レーザ・ビームおよび第２レーザ・ビ
    ームが、基板の第１水平面および第２水平面をそれぞれ
    照射する請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】基板が複数の層から構成される前記請求項
    のいずれかに記載の方法。
  5. 【請求項５】別のレーザ・ビームが用いられ、レーザ・
    ビームの数が除去すべき別々の層の数に対応する請求項
    ４に記載の方法。
  6. 【請求項６】前記各層が異なる材料または材料の組み合
    わせを有する請求項４または５に記載の方法。
  7. 【請求項７】前記各レーザ・ビームの特性が、それによ
    って除去すべき特定の層の除去に適するように選択され
    る請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】切断領域を光学的に監視する追加のステッ
    プを含み、切断プロセスが前記光学的監視に応答してリ
    アルタイムでフィードバック制御される前記請求項のい
    ずれかに記載の方法。
  9. 【請求項９】 ａ）横方向に配置された基板を支持する
    ための手段と、 ｂ）使用時に前記基板上の第１レーザ焦点上に集束され
    る可視スペクトルまたは赤外線スペクトルからなる第１
    レーザ・ビームを生成する手段と、 ｃ）使用時に前記基板上の第１レーザ焦点から相対的に
    垂直方向に変位している第２レーザ焦点上に集束される
    可視スペクトルまたは赤外線スペクトルからなる第２レ
    ーザ・ビームを生成する手段と、 ｄ）前記第１レーザ焦点と基板および前記第２レーザ焦
    点と基板との間の相対的に横方向の移動をそれぞれ実施
    する手段であって、その結果前記第１レーザ焦点が前記
    基板上の切断経路をたどり、前記第２レーザ焦点も前記
    第１レーザ焦点から相対的に垂直方向に変位した状態で
    前記切断経路をたどり、前記基板の第１層が第１レーザ
    ・ビームによる切断経路に沿って熱的加工により除去さ
    れ、前記基板の第２層が第２レーザ・ビームによる切断
    経路に沿って熱的加工により除去される手段とを備える
    基板を切断する装置であって、前記第１レーザ・ビームおよび第２レーザ・ビームは、
    レーザ源からのレーザ・ビームを受けてそのビームの約
    半分を異なる波長のレーザ光のビームに変換する非線型
    結晶を通し、次いで選択的ビーム・スプリッタを使用し
    て生成され、第１の層と第２の層に相異なる波長で提供
    されることを特徴とする基板を切断する装置 。
  10. 【請求項１０】第１レーザ・ビームおよび第２レーザ・
    ビームのどちらも、基板の同じ水平面を照射するように
    配置される請求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】第１レーザ・ビームおよび第２レーザ・
    ビームが、基板の第１水平面および第２水平面をそれぞ
    れ照射するように配置される請求項９に記載の装置。
  12. 【請求項１２】基板が複数の層から構成される前記請求
    項のいずれかに記載の装置。
  13. 【請求項１３】別のレーザ・ビームが用いられ、レーザ
    ・ビームの数が除去すべき別々の層の数に対応する請求
    項１２に記載の装置。
  14. 【請求項１４】前記レーザ・ビームのうちの少なくとも
    ２つが、異なるパラメータを有するレーザ光を放射する
    請求項９ないし１３のいずれかに記載の装置。
  15. 【請求項１５】前記パラメータが１つまたは複数の波
    長、パルス持続時間、および強度を含む請求項１４に記
    載の装置。
  16. 【請求項１６】前記各層が異なる材料または材料の組み
    合わせを有する請求項１２ないし１５のいずれかに記載
    の装置。
  17. 【請求項１７】前記各レーザ・ビームの特性が、それに
    よって除去すべき特定の層の除去に適するように選択さ
    れる請求項１６に記載の装置。
  18. 【請求項１８】切断領域を光学的に監視し、切断プロセ
    スを前記光学的監視に応答してリアルタイムでフィード
    バック制御するために光学的監視手段が設けられている
    請求項９ないし１７のいずれかに記載の装置。
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