WO2014017537A1 - 半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ - Google Patents

半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ Download PDF

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tape
semiconductor wafer
adhesive
printing
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平泉　敦嗣
弘光 丸山
登 佐久間
真沙美 青山
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古河電気工業株式会社
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    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor wafer processing tape and a semiconductor wafer processing tape manufactured by the manufacturing method.
  • a pressure-sensitive adhesive tape that is also circularly formed on a die-bonding tape that has an adhesive layer that is approximately the same as or larger than the size of the semiconductor wafer on a supporting resin film and that is circularly formed.
  • a dicing die bonding film in which (dicing tape) is laminated.
  • an adhesive is applied with a coater so as to cover the entire surface of one side of the resin film, and then a part is left to match the size of the semiconductor wafer, and unnecessary portions are removed.
  • a manufacturing method in which an adhesive tape is laminated, and the adhesive tape is cut into a shape suitable for a ring frame for example, Patent Document 1).
  • the main objects of the present invention are semiconductor wafer processing capable of saving the amount of adhesive used in the adhesive layer, simplifying the manufacturing process (especially reducing the man-hour for cutting the adhesive layer), and improving product quality. It is in providing the manufacturing method of the tape for medical use.
  • the adhesive can be applied only to necessary portions by screen printing or gravure printing in the printing process, it is not necessary to remove unnecessary portions of the adhesive layer, and the use of the adhesive The amount can be saved.
  • the cut process of the adhesive layer can be reduced, the manufacturing process can be simplified, and the cut quality is not formed on the first resin film, so that the quality of the product can be improved. it can.
  • FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a semiconductor wafer processing tape according to a preferred embodiment (first embodiment) of the present invention. It is a figure explaining the manufacturing process of the tape for semiconductor wafer processing. It is a conceptual diagram of the manufacturing apparatus of the semiconductor wafer processing tape. It is sectional drawing which shows schematic structure of the tape for semiconductor wafer processing formed with the conventional manufacturing method. It is a figure which shows the modification of the adhesive bond layer of the semiconductor wafer processing tape of FIG. It is a side view of the tape for semiconductor wafer processing of 2nd Embodiment. It is a figure explaining the manufacturing process of the tape for semiconductor wafer processing of 2nd Embodiment. It is a side view of the tape for semiconductor wafer processing of 3rd Embodiment.
  • FIG. 1 shows a side view of a semiconductor wafer processing tape 10 in the present embodiment.
  • the semiconductor wafer processing tape 10 includes a supporting film 11 forming a first resin film, an adhesive layer 12 made of a die bonding adhesive, an adhesive layer 13 made of a dicing adhesive, and a second resin film.
  • the base film 14 to be formed is laminated in this order.
  • the support film 11 supports the adhesive layer 12 when the semiconductor wafer processing tape 10 is manufactured, and also functions as a protective film for the adhesive layer 12.
  • the adhesive layer 12 is bonded to a semiconductor wafer, and when picked up after dicing, the adhesive layer 12 peels off from the adhesive layer 13 and adheres to the chip, and serves as an adhesive for fixing the chip to a substrate or a lead frame. It is what is used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 13 is used as a pressure-sensitive adhesive when holding the semiconductor wafer and the separated chips during dicing.
  • the base film 14 is an expandable tape for dividing the chip and the adhesive layer 12 by expanding after dicing. First, the components of each layer will be described.
  • a polyethylene terephthalate (PET) film is preferably used as the support film 11.
  • PET polyethylene terephthalate
  • plastic films such as polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, and polyimide film can be used. These plastic films are used after releasing the surface. You can also
  • the adhesive layer 12 is not particularly limited as long as it is a die bonding tape generally used for a dicing die bonding tape. However, if the adhesive layer 12 is flexible and easy to tear, the yield of the semiconductor manufacturing process can be improved. It is suitable for improving.
  • the elongation at break at 25 ° C. in the B-stage state of the adhesive layer is 40% or less, preferably 10% or less, more preferably 3% or less.
  • the breaking strength at 25 ° C. of the adhesive layer 12 in the B stage state is 0.1 MPa or more and 10 MPa or less.
  • the elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 25 ° C. and 10 Hz is 1 to 3000 MPa, and the elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 900 Hz at 25 ° C. is 4000 to 20000 MPa.
  • the elastic modulus at 25 ° C. and 10 Hz is preferably 10 to 1500 MPa, and more preferably 100 to 1200 MPa. If this elastic modulus is less than 1 MPa, there is a possibility that the yield of the semiconductor manufacturing process is not improved due to insufficient tearability, and if it exceeds 3000 MPa, cracks may occur in the adhesive layer 12 during handling. It is not preferable.
  • the elastic modulus at 900 Hz at 25 ° C. is preferably 5000 to 15000 MPa. If this elastic modulus is less than 4000 MPa, it tends to be difficult to tear, and if it exceeds 20000 MPa, cracks tend to occur during handling.
  • the component constituting the adhesive layer 12 is not particularly limited as long as it satisfies the above characteristics, but preferably contains a polymer component, a thermosetting component and a filler, and in addition to these, a curing accelerator. , Catalysts, additives, coupling agents and the like may be included.
  • the breaking strength and breaking elongation increase as the polymer component contained in the adhesive layer 12 increases and the amount of filler decreases, and the elastic modulus tends to increase as the amount of polymer component decreases and the filler increases. It is important to adjust the component (component ratio) in such a manner that the breaking strength and elongation at break are within the certain numerical ranges described above.
  • the polymer component is not particularly limited as long as it satisfies the above-mentioned characteristics of the adhesive layer 12, but has a glass transition temperature (hereinafter referred to as Tg) of -30 ° C to 50 ° C and a weight average molecular weight of 10,000 to 1 million is preferred. If the Tg exceeds 50 ° C., it is disadvantageous in that the flexibility of the adhesive layer 12 is low. If the Tg is less than ⁇ 30 ° C., the flexibility of the adhesive layer 12 is too high. Inconvenient in that it is difficult to tear.
  • Tg glass transition temperature
  • the weight average molecular weight is less than 10,000, it is disadvantageous in that the heat resistance of the adhesive layer 12 is lowered, and if the molecular weight exceeds 1 million, it is disadvantageous in that the fluidity of the adhesive layer 12 is lowered.
  • a polymer component having a Tg of ⁇ 20 ° C. to 40 ° C. and a weight average molecular weight of 100,000 to 900,000 is more preferable, and the weight of the Tg is ⁇ 10 ° C. to 50 ° C.
  • a polymer component having an average molecular weight of 50,000 to 1,000,000 is preferable, and a polymer component having a Tg of ⁇ 10 ° C.
  • the weight average molecular weight is a polystyrene conversion value using a standard polystyrene calibration curve by gel permeation chromatography (GPC), L-6000 manufactured by Hitachi, Ltd. is used as a pump, and Hitachi Chemical Co., Ltd. is used as a column.
  • GPC gel permeation chromatography
  • L-6000 manufactured by Hitachi, Ltd. is used as a pump
  • Hitachi Chemical Co., Ltd. is used as a column.
  • Gelpack GL-R440, Gelpack GL-R450, and Gelpack GL-R400M (each 10.7 mm ⁇ ⁇ 300 mm) connected in this order were used, tetrahydrofuran was used as the eluent, and 120 mg of sample was added to 5 ml of THF. It is the value measured at a flow rate of 1.75 mL / min for the sample dissolved in the solution.
  • the polymer component examples include polyimide, polystyrene, polyethylene, polyester, polyamide, butadiene rubber, acrylic rubber, (meth) acrylic resin, urethane resin, polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, phenoxy resin, and modified polyphenylene ether.
  • examples thereof include resins, phenoxy resins, polycarbonates, and mixtures thereof.
  • a polymer component containing a functional monomer having a weight average molecular weight of 100,000 or more for example, a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, and having an epoxy group having a weight average molecular weight of 100,000 or more ( A (meth) acrylic copolymer is preferred.
  • epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer for example, a (meth) acrylic ester copolymer and acrylic rubber can be used, and acrylic rubber is more preferable.
  • Acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, or the like.
  • the polymer component is preferably contained in an amount of 50% by weight or less, more preferably 35% by weight or less, and more preferably 25% by weight or more and 35% by weight based on the total weight of the adhesive layer 12 excluding the weight of the filler. % Or less is particularly preferable.
  • the blending amount of the polymer component is large, the breakability of the adhesive layer 12 tends to deteriorate, and when the blending amount is small, the fluidity at the time of bonding is too large, and voids tend to be generated.
  • thermosetting component there are an epoxy resin, a cyanate resin, a phenol resin, and a curing agent thereof, and an epoxy resin is preferable in terms of high heat resistance.
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action.
  • Bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy, novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin, and the like can be used.
  • a polyfunctional epoxy resin such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be applied.
  • the adhesive layer 12 of the present invention includes a breaking strength and a reduction in elongation at break of the adhesive layer 12 in a B-stage state, an improvement in the handling property of the adhesive, an improvement in thermal conductivity, an adjustment of the melt viscosity, and a thixotropic.
  • a filler preferably an inorganic filler, for the purpose of imparting properties.
  • the inorganic filler aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, Examples thereof include amorphous silica and antimony oxide.
  • alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable.
  • aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica, non-crystalline silica Crystalline silica and the like are preferred.
  • alumina, silica, aluminum hydroxide, and antimony oxide are preferable.
  • the filler amount is preferably 5% by weight or more and 90% by weight or less, more preferably 35% by weight or more and 70% by weight or less, with respect to the total weight of the adhesive layer 12.
  • the specific gravity of the filler is preferably 1 to 10 g / cm 3 .
  • the pressure-sensitive adhesive layer 13 retaining properties to such an extent that peeling from the adhesive layer 12 does not occur during dicing and chipping or other defects do not occur, and peeling from the adhesive layer 12 occurs during pickup. Any material having easy characteristics may be used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 13 is preferably a radiation curable material, and is preferably a material that can be easily separated from the adhesive layer 12 after curing.
  • the compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule may be at least one selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins. It is preferable to contain a polymer obtained by subjecting compound (B) to an addition reaction.
  • the radiation is a light beam such as ultraviolet rays or ionizing radiation such as an electron beam.
  • the compound (A) that is one of the main components of the pressure-sensitive adhesive layer 13 will be described.
  • the amount of the radiation curable carbon-carbon double bond introduced into the compound (A) is 0.5 to 20, preferably 0.8 to 10 in terms of iodine value. If the iodine value is 0.5 or more, an effect of reducing the adhesive strength after irradiation can be obtained. If the iodine value is 20 or less, the fluidity of the adhesive after irradiation is sufficient and after stretching. Therefore, the problem that the image recognition of each element becomes difficult at the time of pick-up can be suppressed. Furthermore, the compound (A) itself is stable and easy to manufacture.
  • Compound (A) preferably has a glass transition point of ⁇ 70 ° C. to 0 ° C., more preferably ⁇ 66 ° C. to ⁇ 28 ° C. If the glass transition point Tg is ⁇ 70 ° C. or higher, the heat resistance against the radiation accompanying radiation irradiation is sufficient, and if it is 0 ° C. or lower, the effect of preventing scattering of semiconductor chips after dicing on a wafer having a rough surface state is sufficient. can get.
  • the compound (A) may be produced by any method. For example, a mixture of an acrylic copolymer and a compound having a radiation curable carbon-carbon double bond, or an acrylic having a functional group.
  • a copolymer or a methacrylic copolymer (A1) having a functional group, and a compound (A2) having a functional group capable of reacting with the functional group and having a radiation-curable carbon-carbon double bond Those obtained by reacting are used.
  • the molecular weight of the compound (A) is preferably about 300,000 to 1,000,000. If it is less than 300,000, the cohesive force due to radiation irradiation becomes small, and when the wafer is diced, the device is likely to be displaced, and image recognition may be difficult. In order to prevent the deviation of the element as much as possible, the molecular weight is preferably 400,000 or more. Further, if the molecular weight exceeds 1,000,000, there is a possibility of gelation at the time of synthesis and coating. In addition, the molecular weight in this invention is a weight average molecular weight of polystyrene conversion.
  • the compound (A) has an OH group having a hydroxyl value of 5 to 100 because the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive strength after irradiation.
  • the compound (A) preferably has a COOH group having an acid value of 0.5 to 30.
  • the hydroxyl value of the compound (A) is too low, the effect of reducing the adhesive strength after irradiation is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the adhesive after irradiation tends to be impaired.
  • the acid value is too low, the effect of improving the tape restoring property is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive tends to be impaired.
  • the compound (B) which is another main component of the pressure-sensitive adhesive layer will be described.
  • the compound (B) is a compound selected from at least one of polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins, and can be used alone or in combination of two or more.
  • This compound (B) acts as a cross-linking agent, and the cross-linking structure formed as a result of reacting with the compound (A) or the base film causes the cohesive strength of the pressure-sensitive adhesive mainly composed of the compounds (A) and (B) to It can be improved after application.
  • the addition amount of the compound (B) is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.4 to 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound (A). If the amount is less than 0.1 parts by weight, the effect of improving the cohesive force tends to be insufficient. If the amount exceeds 10 parts by weight, the curing reaction proceeds rapidly during the formulation and application of the adhesive, and a crosslinked structure is formed. Therefore, workability tends to be impaired.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 13 preferably contains a photopolymerization initiator (C).
  • the photopolymerization initiator (C) contained in the pressure-sensitive adhesive layer 13 is not particularly limited, and any conventionally known photopolymerization initiator (C) can be used.
  • the addition amount of the photopolymerization initiator (C) is preferably 0.01 to 5 parts by weight and more preferably 0.01 to 4 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound (A).
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 13 is not particularly limited, but is usually 2 to 50 ⁇ m.
  • the base film 14 is preferably radiolucent, and specifically, plastic or rubber is usually used and is not particularly limited as long as it transmits radiation, but radiation curing by ultraviolet irradiation. When the adhesive is cured, a material having good light transmission can be selected as the base material.
  • Ethyl acid copolymer ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, homopolymer or copolymer of ⁇ -olefin such as ionomer or a mixture thereof, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate Engineering plastics such as polyurethane, thermoplastic elastomers such as polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers, polyamide-polyol copolymers, and mixtures thereof.
  • necking occurrence of partial elongation due to poor propagation of force that occurs when the base film 14 is stretched radially
  • necking occurrence of partial elongation due to poor propagation of force that occurs when the base film 14 is stretched radially
  • polyurethane molecular weight
  • styrene a styrene-ethylene-butene or pentene copolymer with a limited amount can be exemplified, and it is effective to use a cross-linked substrate film 14 in order to prevent elongation or deflection during dicing.
  • the thickness of the base film 14 is usually 20 to 300 ⁇ m from the viewpoint of strong elongation characteristics and radiation transmittance.
  • ⁇ Method for producing semiconductor wafer processing tape> The manufacturing of the semiconductor wafer processing tape 10 described above is performed by the process shown in FIG. First, the support film 11 is unrolled (step A1), and screen printing or gravure printing is performed on the unrolled support film 11 using the adhesive containing the components constituting the adhesive layer 12 described above, and bonding is performed. A printing process for forming the agent layer 12 is performed (step A2). Next, the drying process which dries the printed adhesive bond layer 12 is performed (step A3). Thereafter, the dicing tape 15 having the pressure-sensitive adhesive layer 13 formed on the base film 14 is bonded to the surface of the adhesive layer 12 formed on the support film 11 that faces the support film 11. 12 and the adhesive layer 13 are laminated so that the semiconductor wafer processing tape 10 is laminated (step A4). Finally, the semiconductor wafer processing tape 10 is wound into a roll (step A5).
  • the manufacturing apparatus 30 includes a feeding machine 31 for feeding out the supporting film 11, a printing machine 32 for performing a printing process, a drying furnace 35 for performing a drying process, a bonding unit 36 for performing a bonding process, and a semiconductor wafer processing tape 10.
  • a winder 38 for winding is arranged in order.
  • Step A1 (Feeding process)
  • the feeding machine 31 holds a roll-like support film 11, and the supporting film 11 is sequentially fed from the feeding machine 31 as the manufacturing operation proceeds.
  • the supporting film 11 fed from the feeding machine 31 is sent to a printing machine 32 that performs a printing process.
  • the printing machine 32 forms the adhesive layer 12 on the supporting film 11 by a printing method.
  • the printing machine 32 intermittently forms a plurality of adhesive layers 12 approximately the same as or larger than the size of the semiconductor wafer on the support film 11 to be fed.
  • substantially the same means a size that can cover at least all the chips divided from the semiconductor wafer, including a size smaller than the size of the semiconductor wafer.
  • an adhesive layer 12 having a shape corresponding to the size of the semiconductor wafer is formed using an adhesive as ink.
  • the “shape corresponding to the size of the semiconductor wafer” is preferably a circular shape, including a shape that can correspond to an orientation flat or notch if the semiconductor wafer has an orientation flat, and a polygon having at least an area for adhering semiconductor chips. Any shape is acceptable.
  • the process of cutting the adhesive layer 12 to the wafer size later can be omitted. That is, in this manufacturing method, it is not necessary to perform the process of the cutting process of cutting the adhesive layer 12 into a shape corresponding to the size of the semiconductor wafer. Thereby, since it can prevent that a cut damage
  • the printing machine 32 As a printing method of the printing machine 32, screen printing, gravure printing, letterpress printing, intaglio printing, ink jet printing, and the like can be used, and a printing method capable of obtaining a desired thickness of the adhesive layer 12 may be selected.
  • the screen printing method and the gravure printing method are suitable for pattern printing of the semiconductor wafer processing tape 10.
  • the adhesive layer 12 is formed by screen printing or gravure printing.
  • Screen printing although it depends on the solid content ratio of the adhesive material (adhesive) and the mesh size of the screen plate, in general, printing with a thickness of several ⁇ m to several tens of ⁇ m is possible, and the printing thickness per time can be reduced. Since it can be adjusted widely, it is possible to manufacture with high productivity.
  • Screen printing printers or printing methods include sheet-fed printing machines, roll-to-roll, and roll-to-roll rotary screen printing machines that enable continuous printing of sheet-fed printing. Rotary screen printing If the machine is used, it is possible to perform printing at a higher speed than a normal sheet-fed screen printing machine, so that the production efficiency can be further increased.
  • the coating film thickness per one time is about several ⁇ m, but since the adhesive layer 12 can be manufactured at high speed with a rotary method, the thin adhesive layer 12 (several ⁇ m) is targeted. In this case, it is advantageous for productivity.
  • the printing method of screen printing or gravure printing can be selected depending on the thickness of the adhesive layer 12 to be formed. If the thickness of the adhesive layer 12 is about several ⁇ m to 10 ⁇ m, gravure printing is selected and bonded. When the thickness of the layer is 5 to 10 ⁇ m or more, it is desirable to select screen printing.
  • the adhesive used in the printing process (die bonding adhesive) is obtained by dissolving or dispersing the material contained in the adhesive layer 12 described above in a solvent.
  • the solvent is not particularly limited, but cyclohexanone and methyl ethyl ketone are preferable. This solvent is mixed in an amount of 5 to 80% by weight, and the viscosity at the ambient temperature during printing of the adhesive is adjusted to an optimum range.
  • a range (area) from the feeding machine 31 through the printing machine 32 to the entrance of the drying furnace 35 is arranged in the temperature / humidity control unit 33, and the temperature / humidity adjustment unit 34 controls the temperature and humidity in the temperature / humidity control unit 33. It can be kept at a predetermined value.
  • the temperature and humidity of the temperature / humidity control unit 33 are selected as appropriate depending on the composition of the adhesive, the type of solvent, and the like. Note that at least a portion to be printed may be disposed in the temperature and humidity control unit 33, but it is desirable that a portion from the portion to be printed to the drying furnace 35 is also disposed in the temperature and humidity control unit 33. However, from the viewpoint of providing a high-quality product, it is desirable to manufacture with the apparatus configuration shown in FIG. 3, but because the situation differs depending on the drying furnace length and the indoor environment of the manufacturing site, the type of solvent contained in the adhesive, It is not always necessary to have the temperature / humidity controller 33 and the temperature / humidity adjuster 34 in the manufacturing facility.
  • the temperature and humidity are controlled in the printing process atmosphere and the evaporation rate is controlled. It is desirable that the temperature and humidity be controlled to 10 ° C. or less, desirably 5 ° C. or less, and the vapor pressure of the solvent contained in the adhesive to be 100 mmHg or less, more desirably 50 mmHg or less, and desirably 30 mmHg or less. Particularly desirable.
  • the temperature and humidity be controlled in this manner, the evaporation rate of the solvent contained in the adhesive can be suppressed, and the viscosity of the adhesive can be stabilized.
  • the adhesive layer 12 When the adhesive is applied by screen printing, the adhesive layer 12 has a characteristic surface and cross-sectional shape. Compared to products manufactured by a general coater coating method or a cross-cutting method using a cutting blade. It is advantageous in terms of quality.
  • the viscosity of the adhesive is adjusted to 6 Pas or less, preferably 0.05 to 5 Pas (0.05 Pas to 5 Pas).
  • the viscosity of the adhesive is small, for example, less than 0.05 Pas, it is necessary to pay attention because the adhesive may be transmitted from the screen plate and good printing may not be performed.
  • the viscosity of the adhesive is adjusted to 10 Pas or less, preferably 0.01 to several Pas (0.01 Pas to several Pas).
  • Step A3 (Drying Process)
  • the support film 11 on which the adhesive layer 12 is formed by the printing process is sent to a drying furnace 35 that performs a drying process for volatilizing the solvent contained in the adhesive layer 12.
  • the temperature in the drying furnace 35 and the drying time are appropriately selected according to the composition of the adhesive, the type of solvent, and the like, and the adhesive layer 12 is preferably dried at a temperature of room temperature to 200 ° C. for about several minutes.
  • Step A4 (bonding step)
  • the support film 11 from which the adhesive layer 12 has been dried by the drying process is sent to a bonding unit 36 that performs a bonding process for bonding to the dicing tape 15 in which the pressure-sensitive adhesive layer 13 is formed on the base film 14.
  • the adhesive layer 12 has already been shaped to match the shape of the semiconductor wafer by the printing process, and the bonding process can be performed following the drying process. Thereby, the length of a manufacturing line can be shortened.
  • the support film 11 and the dicing tape 15 are sandwiched between the rollers 37 and a predetermined pressure is applied between the rollers 37 to form the adhesive layer 12 formed on the support film 11.
  • the supporting film 11 and the dicing tape 15 are bonded together so that the pressure-sensitive adhesive layer 13 of the dicing tape 15 is in contact with the adhesive film 13.
  • the pressure between the rollers 37 can be set as appropriate, but is preferably performed at a linear pressure of 1 to 5 MPa.
  • Step A5 winding process
  • the completed semiconductor wafer processing tape 10 is wound up by a winder 38, and the semiconductor wafer processing tape 10 is rolled.
  • the adhesive layer 12 is formed by screen printing or gravure printing using the adhesive whose viscosity has been adjusted, so that waste due to removal of unnecessary portions of the adhesive layer 12 is eliminated.
  • the amount of adhesive used can be saved.
  • the cutting process of the unnecessary portion of the adhesive layer 12 is not necessary, the manufacturing process of the semiconductor wafer processing tape can be simplified, and as a result, the foreign matter accompanying the generation of the cut flaw can be simplified. Residuals can be prevented and product quality can be improved.
  • the simplification of the manufacturing process also has the following effects. That is, in the conventional manufacturing method, as described in paragraph 0006, when there is a limitation on the line length, the formation of the adhesive layer, the pre-cut of the adhesive layer, the bonding of the separator, the change of the line, the separator It is necessary to go through a process such as peeling. In this case, when laminating the adhesive layer and the separator, it is necessary to perform a laminating treatment while heating with a heating roll in the range of about 40 to several tens of degrees Celsius in order to increase adhesion, and then Had to stick the adhesive tape (dicing tape 15) after peeling the separator.
  • the adhesive layer 12 is directly bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 13, and therefore, the adhesiveness is high, and bonding can be performed at room temperature without using a heating roll. it can. Therefore, according to the present embodiment, not only the production line length is shortened, but also the heating roll equipment necessary in the conventional production method is not required, and the equipment investment can be suppressed.
  • FIG. 4 shows a cross section of a dicing die bonding tape 50 manufactured by a conventional manufacturing method.
  • the outer peripheral portion of the adhesive layer 12 is cut almost vertically by the precut blade, and the cut scratch 40 is formed on the support film 11.
  • the “cut wound (40)” refers to a state in which the surface of the supporting film 11 on the side of the adhesive layer 12 has a notch like a recess.
  • the viscosity of the adhesive is adjusted to the optimum range (preferably 0.05 to 5 Pas for screen printing, preferably 0.01 to several Pas for gravure printing).
  • the cut film 40 is not formed in the supporting film 11 as shown in FIG.
  • the outer peripheral portion (side edge portion) is formed with an inclined portion 12a that is gently inclined when viewed in cross section, and the adhesiveness between the adhesive layer 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 13 is improved (increased), and voids are also generated. Less likely to occur.
  • the viscosity of the adhesive is large (for example, when it is about 6 Pas in the case of screen printing), as shown in FIG.
  • the thickness slightly increases at the outer peripheral portion of the adhesive layer 12.
  • the convex portion 12b having a slightly convex shape may be formed (in the range of about 1 mm from the outer peripheral edge, about + several to 30% with respect to the thickness in contact with the semiconductor wafer).
  • the interlayer adhesion between the outer peripheral portion of the adhesive layer 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 13 is enhanced, and there is an effect that the adhesive layer 12 and the dicing tape 15 can be favorably laminated.
  • the inner side (center side) of the outer peripheral part of the printed adhesive layer 12 can be suppressed to a thickness accuracy with no practical problem by a screen plate.
  • the semiconductor wafer is bonded to the smooth surface side of the adhesive layer 12 after the support film 11 is peeled off, and there is no influence of the convex portion 12 b on the outer peripheral portion of the adhesive layer 12.
  • the adhesive is printed larger than the size capable of covering at least all the chips divided from the semiconductor wafer, and the formation range of the convex portion 12b of the adhesive layer 12 and the semiconductor It is desirable that the printing area of the adhesive layer 12 be slightly larger (designed) than the size of the semiconductor wafer so as not to overlap the chip.
  • FIG. 6 shows a side view of the semiconductor wafer processing tape 10 in the present embodiment.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 13 is also formed by a printing method.
  • the semiconductor wafer processing tape 10 of the present embodiment is manufactured by the process shown in FIG. In the process of FIG. 7, it replaces with the bonding process (step A4) which laminates the dicing tape 15 in the process shown in FIG. 2, and the bonding process (step A11) which laminates the circular printing dicing tape 15 is performed.
  • the dicing tape 15 used in the above-described bonding step (step A11) is obtained by forming a circular pressure-sensitive adhesive layer 13 that is substantially the same as or larger than the size of the ring frame on a base film 14 that forms a resin film. is there.
  • substantially the same means a size that can be in contact with the ring frame at least larger than the inner diameter of the ring frame, including a size smaller than the size (outer diameter) of the ring frame.
  • the support film 11 and the dicing tape 15 are arranged so that the center of the adhesive layer 12 formed in a circle and the center of the adhesive layer 13 formed in a circle coincide with each other to form a concentric circle. Paste.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 13 of the dicing tape 15 may be formed in a circle having substantially the same size as that of the adhesive layer 12 formed in a circle, but is preferably formed in a circle larger than the adhesive layer 12. If the pressure-sensitive adhesive layer 13 is formed in a larger circle than the adhesive layer 12, the adhesive layer 12 is present at the portion where the semiconductor wafer is bonded, and the adhesive layer 12 is present at the portion where the ring frame is bonded. Only the pressure-sensitive adhesive layer 13 is present. In general, since the adhesive layer 12 is difficult to peel off from the adherend, the ring frame can be bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 13 in this way, and the adhesive residue on the ring frame is removed when the tape is peeled off after use. The effect that it hardly occurs is obtained.
  • the dicing tape 15 is manufactured by a process similar to the process of forming the adhesive layer 12 on the support film 11 (steps A1 to A3). That is, the dicing tape 15 is manufactured by a printing process in which the pressure-sensitive adhesive layer 13 is formed on the base film 14 by a printing method and a drying process in which the printed pressure-sensitive adhesive layer 13 is dried.
  • the pressure-sensitive adhesive dicing pressure-sensitive adhesive
  • a material obtained by dissolving or dispersing the material contained in the above-described pressure-sensitive adhesive layer 13 in a solvent is used.
  • the solvent is not particularly limited, but the solvent is preferably prepared so that the viscosity of the adhesive is 0.05 to 5 Pas, more preferably 0.05 to 1 Pas.
  • the temperature and humidity control in the printing process atmosphere is 10 ° C. or less, desirably 5 ° C. or less
  • the vapor pressure of the solvent contained in the adhesive is desirably 100 mmHg or less, more desirably 50 mmHg or less, It is particularly desirable to set it to 30 mmHg or less.
  • a heat insulating material is provided on the wall surface between the temperature and humidity control unit 33 and the drying furnace 35, or the drying furnace 35 after printing is performed. It is desirable to take measures such as temperature and humidity control step by step.
  • the process of cutting the adhesive layer 13 later can be omitted by forming the adhesive layer 13 having a shape corresponding to the size of the ring frame by the printing process for the dicing tape 15 as well. 13 and the base film 14 can be prevented from being cut. As a result, it is possible to prevent foreign matters from remaining due to the occurrence of cut flaws and improve the quality of the product. Moreover, since it prints only in the required part, it becomes possible to reduce the loss of the material used for the adhesive layer 13 significantly.
  • the adhesive layer is cut into a semiconductor wafer after the die bonding tape is manufactured, and then the dicing tape is bonded to the dicing tape side. Manufactured by cutting the outer peripheral surface. In this case, every time an adhesive film is laminated, a cutting process is required, and a multi-stage process is required.
  • the adhesive layer 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 13 by the printing process as in the present embodiment, it is possible to manufacture in a simple process, and to improve the production efficiency of manufacturing the multilayer tape. it can.
  • FIG. 8 shows a side view of the semiconductor wafer processing tape 10 in the present embodiment.
  • the semiconductor wafer processing tape 10 of this embodiment has only an adhesive layer 12.
  • the manufacturing of the semiconductor wafer processing tape 10 of the present embodiment is performed by the process shown in FIG. In the process of FIG. 9, it replaces with the bonding process (step A4) which laminates the dicing tape in the process shown in FIG. 2, and the bonding process (step A21) which laminates the cover film 16 is performed.
  • the cover film 16 the film which consists of a material which can be used for the film 11 for support can be used.
  • a dicing die bonding tape and a die bonding tape are shown as examples of the semiconductor wafer processing tape 10, but other back grinding processes for grinding the dicing tape and the back surface of the semiconductor wafer are also shown.
  • the present invention can be applied to tape manufacturing processes for various semiconductor wafer processing / protection applications such as a surface protection tape for protecting a circuit pattern forming surface (wafer surface) of a semiconductor wafer.
  • the method of manufacturing the semiconductor wafer processing tape 10 continuously using the long support film 11 has been shown, the present invention is also applied to a method of manufacturing the semiconductor wafer processing tape 10 for one semiconductor wafer. Is applicable.
  • Adhesive Tape 1 An acrylic copolymer compound consisting of isooctyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methyl methacrylate and having a mass average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of ⁇ 30 ° C. was produced.
  • the pressure-sensitive adhesive is coated on a 100 ⁇ m-thick base film made of a polypropylene resin and a hydrogenated styrene-butadiene copolymer, and then dried in a hot air drying furnace. The thickness after drying is 10 ⁇ m.
  • the adhesive tape 1 which is a laminated body of an agent layer and a base film was obtained.
  • Adhesive Tape 2 An acrylic copolymer compound comprising isononyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and methyl methacrylate and having a mass average molecular weight of 800,000 and a glass transition temperature of ⁇ 30 ° C. was produced. Thereafter, 9 parts by weight of polyisocyanate compound coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name) was added as a curing agent to 100 parts by weight of the copolymer compound to obtain an adhesive. The pressure-sensitive adhesive was applied to the same base film as the pressure-sensitive adhesive tape 1 in the same manner as the pressure-sensitive adhesive tape 1 and dried to obtain a pressure-sensitive adhesive tape 2.
  • polyisocyanate compound coronate L manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name
  • Adhesive 1 30 parts by weight of bisphenol F type epoxy resin (epoxy equivalent 160, using trade name YD-8170C manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) as an epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 210, Toto Kasei) 10 parts by weight; used as a curing agent for epoxy resin, 27 parts by weight of phenol novolac resin (used by Dainippon Ink and Chemicals, Inc., priofen LF2882); acrylic copolymer (Weight average molecular weight by gel permeation chromatography: 700,000, Tg: 4 ° C., using product name SG-708-6 manufactured by Nagase ChemteX Corporation) 28 parts by weight; Imidazole-based curing accelerator (Shikoku Chemicals) as a curing accelerator (Uses Co., Ltd.
  • bisphenol F type epoxy resin epoxy equivalent 160, using trade name YD-8170C manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd
  • Curesol 2PZ-CN 0.1 parts by weight; silica filler (manufactured by Admafine, S0-C2 (specific gravity: 2.2 g / cm 3 )) 132 parts by weight; as a silane coupling agent (trade name A-, manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd.) 189 was used) 10 parts by mass of methyl ethyl ketone was added to a composition consisting of 0.25 parts by weight, mixed with stirring, and vacuum degassed to obtain adhesive 1.
  • the viscosity of the resulting adhesive varnish was measured with a B-type viscometer (Toki Sangyo TVB-10). The viscosity at 5 ° C was 5.0 Pas and the viscosity at 25 ° C was 4.5 Pas. .
  • Adhesive 2 was obtained in the same manner as Adhesive 1 except that 50 parts by mass of methyl ethyl ketone was added.
  • the viscosity of the obtained adhesive varnish was measured, the viscosity at 5 ° C. was 1.0 Pas, and the viscosity at 25 ° C. was 0.05 Pas.
  • Adhesive 3 was obtained in the same manner as Adhesive 1 except that 60 parts by mass of methyl ethyl ketone was added. When the viscosity of the obtained adhesive varnish was measured, the viscosity at 5 ° C. was 0.04 Pas.
  • Adhesive 4 was obtained in the same manner as Adhesive 1 except that 8.0 parts by mass of methyl ethyl ketone was added. When the viscosity of the obtained adhesive varnish was measured, the viscosity at 5 ° C. was 6.0 Pas.
  • Adhesive 5 was obtained in the same manner as adhesive 1 except that 5 parts by mass of methyl ethyl ketone was added. When the viscosity of the obtained adhesive varnish was measured, the viscosity in 5 degreeC was 11.0Pas.
  • Adhesive 5 was obtained in the same manner as Adhesive 1 except that 80 parts by mass of methyl ethyl ketone was added. When the viscosity of the obtained adhesive varnish was measured, the viscosity in 5 degreeC was 0.01 Pas.
  • Example 1 On a PET film (thickness 25 ⁇ m) as a support film, the adhesive 1 is printed by a roll-to-roll type sheet-fed screen printing method so that the diameter is 320 mm, the printed thickness after drying is 20 ⁇ m, and the pitch is 60 mm. An adhesive layer was formed. The temperature in the printing process was controlled so that the atmosphere in the printing part was 5 ° C. and 40% RH, and the vapor pressure of the solvent in the temperature and humidity control part was about 30 mmHg. After the adhesive layer was formed by the printing process, a drying process was performed in which drying was performed at a temperature of 150 ° C. for about 1 minute in a drying furnace. Then, the bonding process which bonds the adhesive tape 1 produced separately with the linear pressure of 2 Mpa was performed, and the tape for semiconductor wafer processing was produced.
  • Example 2 A semiconductor wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive 2 was used in place of the adhesive 1.
  • Example 3 A semiconductor wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive tape 2 was used in place of the adhesive tape 1.
  • Example 4 A semiconductor wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 2 except that the adhesive tape 2 was used in place of the adhesive tape 1.
  • Comparative Example 5 A semiconductor wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive 3 was used in place of the adhesive 1.
  • Example 6 A semiconductor wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive 4 was used in place of the adhesive 1.
  • Example 7 A semiconductor wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the temperature in the printing step was room temperature (25 ° C.).
  • Example 8 A semiconductor wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 2 except that the temperature in the printing process was room temperature (25 ° C.).
  • Example 9 On the PET film (thickness 25 ⁇ m) as a supporting film, the adhesive 2 was printed by a gravure printing method so that the diameter ⁇ 320 mm, the dried printing thickness 5 ⁇ m, and the pitch 40 mm were formed. The temperature in the printing process was adjusted so that the printing part environment was 5 ° C. and 40% RH, and the vapor pressure of the solvent was about 30 mmHg. After the adhesive layer was formed by the printing process, a drying process was performed in which drying was performed at a temperature of 150 ° C. for about 1 minute in a drying furnace. Then, the bonding process which bonds the adhesive tape 2 produced separately with the linear pressure of 2 MPa was performed, and the tape for semiconductor wafer processing was produced.
  • Example 10 A semiconductor wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 9 except that the adhesive 1 was used in place of the adhesive 2.
  • Example 12 A semiconductor wafer processing tape was produced in the same manner as in Example 9 except that the adhesive 6 was used in place of the adhesive 2.
  • Example 1 In the sample of Example 1, the adhesive layer 1 is formed by screen printing. When the breaking strength and breaking elongation of the adhesive layer 1 after the drying step (before the bonding step) were measured, the breaking strength was 5.0 MPa and the breaking elongation was 15%.
  • the elastic modulus of the adhesive layer after the drying step (before the bonding step) was 2500 MPa at 25 ° C./10 Hz and 8000 MPa at 25 ° C./900 Hz.
  • the adhesive layer 1 after the drying step (before the bonding step) was cut (longitudinal cut) and the cross section of the outer peripheral portion was observed with a microscope, it was found that the outer peripheral side edge portion was gently inclined. Specifically, the actual printing diameter was 321 mm with respect to the target printing diameter of 320 mm when the adhesive layer 1 was viewed in plan.
  • Example 9 In the sample of Example 9, the adhesive layer 9 is formed by gravure printing. When the breaking strength and breaking elongation of the adhesive layer 9 after the drying step (before the bonding step) were measured, the breaking strength was 3 MPa and the breaking elongation was 15%.
  • the elastic modulus of the adhesive layer 9 after the drying process (before the bonding process) was 2500 MPa at 25 ° C./10 Hz and 8000 MPa at 25 ° C./900 Hz.
  • the adhesive layer 9 after the drying step (before the bonding step) was cut (longitudinal cut) and the cross section of the outer peripheral portion was observed with a microscope, it was found that the outer peripheral edge portion was gently inclined. Specifically, the actual printing diameter was 321 mm with respect to the target printing diameter of 320 mm when the adhesive layer 9 was viewed in plan.
  • Table 1 shows the production conditions and characteristics (evaluation results) of the adhesive layer of the samples including Examples 1 and 9 above.
  • the thickness of the adhesive layer was designed to be 20 ⁇ m in the samples of Examples 1 to 4, 6 to 8 and Comparative Example 5 in which the adhesive layer was formed by screen printing.
  • the thickness of the adhesive layer was designed to be 5 ⁇ m, and the actual thickness of the adhesive layer was the design value ( When it was within the range of ⁇ 1.5 ⁇ m with respect to the target value), it was evaluated as “ ⁇ (good)”, and when it was outside this range, “-” was described.
  • Example 6 the amount of adhesive used was significantly reduced to about 50% compared to the conventional method (coating with a coater).
  • the viscosity of the adhesive was more than 5 Pas, but printing was feasible.
  • Example 6 when the outer periphery of the adhesive layer was viewed in cross-section, it was slightly convex (about 20% of the thickness in contact with the wafer within a range of about 1 mm from the outer periphery).
  • Example 6 since there is uneven thickness in the vicinity of the outer periphery, it is better to avoid bonding to the semiconductor chip as much as possible, but the thickness accuracy is within the target value ⁇ 1.5 ⁇ m for the portion about 1 mm inside from the outer periphery.
  • the viscosity of the adhesive is less than 0.05 Pas, so that the drooping of the thickness decreases significantly toward the peripheral side of the printed shape, and the adhesive is screened. Liquid dripping occurred when placed on the plate, making it difficult to perform good printing (determined that it was not screen-printed).
  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor wafer processing tape in which an adhesive layer is formed on a support film, which saves the amount of adhesive used in the adhesive layer and simplifies the manufacturing process (particularly cuts the adhesive layer). This is particularly suitable for improving the quality of products).

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Abstract

　接着剤層の接着剤使用量の節約や、製造工程の簡素化（特に接着剤層のカット工数の削減）、製品の品質向上を図る半導体ウエハ加工用テープ（１０）の製造方法が開示されている。　当該製造方法では、支持用フィルム（１１）上に、ダイボンディング用接着剤を、半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きく、スクリーン印刷またはグラビア印刷することにより接着剤層（１２）を形成する印刷工程と、接着剤層（１２）を乾燥させる乾燥工程と、を含む。

Description

半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ
　本発明は半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び当該製造方法により製造される半導体ウエハ加工用テープに関する。
　半導体ウエハの加工用テープとして、支持用の樹脂フィルム上に半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きく、円形に形成された接着層を有するダイボンディングテープに、同じく円形に形成された粘着テープ（ダイシングテープ）が積層されたダイシング・ダイボンディングフィルムがある。
　このような多層テープの一般的な製造方法として、樹脂フィルムの片面全面を覆うように接着剤をコーターにて塗布し、その後半導体ウエハのサイズに見合うように一部を残して、不要部分を除去する方法により形成し、粘着テープを積層化させ、粘着テープをリングフレームに見合う形状にカットする製造方法が知られている（例えば、特許文献１）。
特開２００７－００２１７３号公報
　従来の製造方法では、樹脂フィルムの片面全面に接着剤を塗布して接着剤層を一旦形成し、その後ウエハサイズ相当にその部分をプリカット後、不要部分を除去するため、接着剤層のうち不要部分として廃却される部分の量が多くなるという問題があった。特にダイボンディング用の接着テープのように高価な材料を用いる場合、不要部分として廃棄される部分の量を低減させることが、製品歩留まりを上げる上で強く求められる。
　また、ダイシング・ダイボンディングフィルムを製造する場合、従来の製法では、接着剤層の形成、接着剤層のプリカット、不要部分の除去、粘着テープの貼り合わせ、粘着テープのプリカットと、工数が多く、ラインが長くなるという問題があった。ライン長の制限等から、場合によっては、接着剤層をプリカットした後、接着剤層の上から一旦セパレーターを貼り合わせてロール状に巻き取った後、ラインを換えて、セパレーターを剥離し接着剤層に粘着テープを貼り合わせ、粘着テープのプリカットを行う必要があり、この場合、さらに工数が増えてしまう。
　さらに、従来の方法で接着テープを製造する場合、支持側の樹脂フィルム上で接着剤層を半導体ウエハ状にカットする必要があるため、接着剤層をカットする際に支持フィルムの表面に接着剤層のカット部分に沿う切込みが発生する問題があった。すなわち、図１０に示すとおり、支持用フィルム１１上に接着剤層１２を形成し、その後に接着剤層１２をカットすると、接着剤層１２の外周部が垂直にカットされ、そのカット刃の先端により支持フィルム１１にカット傷４０が形成される。かかる場合、カット刃による切込み部分にフィルム塵等の異物が付着しやすくなることから、製品の品質向上を図る上では、カット傷の発生をできるだけ抑制することが望まれる。
　したがって、本発明の主な目的は、接着剤層の接着剤使用量の節約や製造工程の簡素化（特に接着剤層のカット工数の削減）、製品の品質向上を図ることができる半導体ウエハ加工用テープの製造方法を提供することにある。
　以上の課題を解決するため、本発明によれば、
　第１の樹脂フィルム上に、ダイボンディング用接着剤を、半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きく、スクリーン印刷またはグラビア印刷することにより接着剤層を形成する印刷工程と、
　前記接着剤層を乾燥させる乾燥工程と、
　を含むことを特徴とする半導体ウエハ加工用テープの製造方法が提供される。
　本発明によれば、印刷工程で接着剤をスクリーン印刷もしくはグラビア印刷することにより、必要な部分にのみ接着剤を塗布できるから、接着剤層の不要部分を除去する必要がなくなり、接着剤の使用量を節約することができる。
　かかる場合に、接着剤層のカット工程も削減でき製造工程の簡素化を図ることができるし、第１の樹脂フィルムに対しカット傷が形成されることもないから製品の品質向上を図ることもできる。
本発明の好ましい実施形態（第１実施形態）にかかる半導体ウエハ加工用テープの概略構成を示す側面図である。 半導体ウエハ加工用テープの製造工程を説明する図である。 半導体ウエハ加工用テープの製造装置の概念図である。 従来の製造方法により形成された半導体ウエハ加工用テープの概略構成を示す断面図である。 図１の半導体ウエハ加工用テープの接着剤層の変形例を示す図である。 第２実施形態の半導体ウエハ加工用テープの側面図である。 第２実施形態の半導体ウエハ加工用テープの製造工程を説明する図である。 第３実施形態の半導体ウエハ加工用テープの側面図である。 第３実施形態の半導体ウエハ加工用テープの製造工程を説明する図である。 従来の製造方法による問題点を説明するための図である。 本発明の実施例にかかるサンプルの接着剤層の外周部（傾斜部）を説明するための図である。
＜第１実施形態＞
　以下、この発明の第１実施形態について図面を参照して説明する。
　図１には、本実施形態における半導体ウエハ加工用テープ１０の側面図を示した。
　この半導体ウエハ加工用テープ１０は、第１の樹脂フィルムをなす支持用フィルム１１、ダイボンディング用接着剤からなる接着剤層１２、ダイシング用粘着剤からなる粘着剤層１３及び第２の樹脂フィルムをなす基材フィルム１４がこの順に積層されたものである。
　支持用フィルム１１は、半導体ウエハ加工用テープ１０の製造時に接着剤層１２を支持するものであり、接着剤層１２の保護フィルムとしても機能するものである。
　接着剤層１２は、半導体ウエハに貼合され、ダイシングされた後にチップをピックアップする際、粘着剤層１３と剥離してチップに付着し、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。
　粘着剤層１３は、ダイシング時において半導体ウエハ及び個片化されたチップを保持する際の粘着剤として使用されるものである。
　基材フィルム１４は、ダイシング後のエキスパンドによりチップ及び接着剤層１２を分断するためのエキスパンド可能なテープである。
　まず、各層の成分について説明する。
＜支持用フィルム（１１）＞
　支持用フィルム１１としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが好適に用いられる。なお、ポリエチレンテレフタレートフィルム以外に、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を離型処理して使用することもできる。
＜接着剤層（１２）＞
　接着剤層１２は、特に限定されるものではなく、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるダイボンディングテープであれば良いが、可撓性を有しかつ裂けやすいと半導体製造工程の歩留まりを向上させるのに好適である。
　可撓性を有しかつ裂けやすい接着剤層とするためには、（ｉ）～（ｉｉｉ）の少なくとも１つの条件を満たすのがよく、好ましくは２つの条件を満たすのがよく、より好ましくは３つの条件すべてを満たすのがよい。
（ｉ）接着剤層のＢステージ状態の２５℃における破断伸びが４０％以下であり、好ましくは１０％以下であり、より好ましくは３％以下である。
（ｉｉ）Ｂステージ状態の接着剤層１２の２５℃における破断強度が０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下である。
（ｉｉｉ）２５℃で１０Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が１～３０００ＭＰａであり、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が４０００～２００００ＭＰａである。
　破断伸びが４０％超の場合には、裂けやすさが不足して半導体製造工程の歩留まりが向上しない可能性があるため不適当である。
　同様に、破断強度が０．１ＭＰａ未満の場合は接着剤層１２の可撓性が不足し、取り扱い性が低下する可能性があり、１０ＭＰａ超の場合、裂けやすさが不足して半導体製造工程の歩留まりが向上しない可能性があるため不適当である。
　２５℃で１０Ｈｚにおける弾性率は１０～１５００ＭＰａであることが好ましく、１００～１２００ＭＰａであることがより好ましい。この弾性率が１ＭＰａ未満であると、裂けやすさが不足して半導体製造工程の歩留まりが向上しない可能性があり、３０００ＭＰａを超えると、取扱い時に接着剤層１２にクラックが発生する可能性があり好ましくない。また、２５℃で９００Ｈｚにおける弾性率は、５０００～１５０００ＭＰａであることが好ましい。この弾性率が４０００ＭＰａ未満であると裂けにくくなる傾向があり、２００００ＭＰａを超えると取り扱い時にクラックが発生し易い傾向がある。
　接着剤層１２を構成する成分は、上記特性を満足するものであれば特に制限はないが、高分子成分、熱硬化性成分およびフィラーを含むことが好ましく、さらにこれらの他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでも良い。
　また、破断強度や破断伸びは、接着剤層１２に含まれる高分子成分が多く、フィラーが少ないほど高くなり、弾性率は高分子成分が少なく、フィラーが多いほど高くなる傾向があるので、これらの成分（成分比率）は、破断強度や破断伸びが上記で説明した一定の数値範囲内になるよう調節することが重要である。
　高分子成分としては、接着剤層１２の前記特性を満足させるものであれば特に制限はないが、そのガラス転移温度（以下、Ｔｇ）が－３０℃～５０℃で重量平均分子量が１万～１００万であることが好ましい。Ｔｇが５０℃を超えると、接着剤層１２の柔軟性が低い点で不都合であり、Ｔｇが－３０℃未満であると、接着剤層１２の柔軟性が高すぎるため、接着剤層１２が裂けにくい点で都合が悪い。また、重量平均分子量が１万未満であると接着剤層１２の耐熱性が低下する点で不都合であり、分子量が１００万を超えると接着剤層１２の流動性が低下する点で不都合である。
　接着剤層１２の裂けやすさや耐熱性の観点から、Ｔｇが－２０℃～４０℃で重量平均分子量が１０万～９０万の高分子成分がより好ましく、Ｔｇが－１０℃～５０℃で重量平均分子量が５万～１００万の高分子成分が好ましく、Ｔｇが－１０℃～３０℃で重量平均分子量が５０万～９０万の高分子成分が特に好ましい。
　なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値であり、ポンプとして日立製作所製Ｌ－６０００を使用し、カラムとして日立化成工業（株）製ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ－Ｒ４５０、及びゲルパックＧＬ－Ｒ４００Ｍ（各１０．７ｍｍφ×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフランを使用し、試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定した値である。
　高分子成分として、具体的には、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、ブタジエンゴム、アクリルゴム、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート及びそれらの混合物などが挙げられる。
　特に、官能性モノマを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子成分、例えば、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。
　高分子成分は、接着剤層１２の全重量からフィラーの重量を除いた重量に対し、５０重量％以下含まれることが好ましく、３５重量％以下含まれることがより好ましく、２５重量％以上３５重量％以下含まれることが特に好ましい。高分子成分の配合量が多いと接着剤層１２の破断性が悪化する傾向があり、配合量が少ないと接着時の流動性が大きすぎるため、ボイドが発生する傾向がある。
　熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤等があるが、耐熱性が高い点で、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
　さらに、本発明の接着剤層１２には、Ｂステージ状態の接着剤層１２の破断強度、破断伸びの低減、接着剤の取扱性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などを目的としてフィラー、好ましくは無機フィラーを配合することが好ましい。
　無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、耐湿性を向上させるためにはアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモン酸化物が好ましい。
　上記フィラー量は接着剤層１２の全重量に対して５重量％以上９０重量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは３５重量％以上７０重量％以下である。配合量が多くなると、接着剤層１２の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので９０重量％以下とするのが特に好ましい。また、フィラーの比重は１～１０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
＜粘着剤層（１３）＞
　粘着剤層１３の成分に特に制限はなく、ダイシング時において接着剤層１２との剥離を生じずチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時において接着剤層１２との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層１３は放射線硬化性のものが好ましく、硬化後に接着剤層１２との剥離が容易な材料であることが好ましい。
　例えば、分子中にヨウ素価０．５～２０の放射線硬化性炭素－炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂から選択される少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有することが好ましい。ここで、放射線とは、紫外線のような光線、又は電子線などの電離性放射線である。
　粘着剤層１３の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。
　化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素－炭素二重結合の導入量はヨウ素価で０．５～２０、好ましくは０．８～１０とする。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
　化合物（Ａ）は、ガラス転移点が－７０℃～０℃であることが好ましく、－６６℃～－２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点Ｔｇが－７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の半導体チップの飛散防止効果が十分得られる。
　上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体と放射線硬化性炭素－炭素二重結合をもつ化合物とを混合したものや、官能基をもつアクリル系共重合体または官能基をもつメタクリル系共重合体（Ａ１）と、その官能基と反応し得る官能基を有し、かつ、放射線硬化性炭素－炭素二重結合をもつ化合物（Ａ２）とを反応させて得たものが用いられる。
　化合物（Ａ）の分子量は、３０万～１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
　なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５～１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５～３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
　次に、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。
　化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
　化合物（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．１～１０重量部とすることが好ましく、０．４～３重量部とすることがより好ましい。その量が０．１重量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、１０重量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれる傾向がある。
　また、粘着剤層１３には光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。
　粘着剤層１３の含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。光重合開始剤（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．０１～５重量部とすることが好ましく、０．０１～４重量部とすることがより好ましい。
　さらに必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤および慣用成分を配合することができる。粘着剤層１３の厚さは特に制限されるものではないが、通常２～５０μｍである。
＜基材フィルム（１４）＞
　基材フィルム１４としては、放射線透過性であることが好ましく、具体的には、通常、プラスチック、ゴムなどを用い、放射線を透過する限りにおいて特に制限されるものではないが、紫外線照射によって放射線硬化性粘着剤を硬化させる場合には、この基材としては光透過性の良いものを選択することができる。
　このような基材として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα－オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン－エチレン－ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド－ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。
　なお、素子間隙を大きくするためには、ネッキング（基材フィルム１４を放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生）の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン－エチレン－ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルム１４を用いると効果的である。基材フィルム１４の厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常２０～３００μｍが適当である。
　なお、基材フィルム１４の放射線硬化性の粘着剤層１３を塗布する側と反対側表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすると、ブロッキング防止、基材フィルム１４上に粘着剤層１３が形成されたダイシングテープの放射状延伸時のダイシングテープと治具との摩擦を減少することによる基材フィルム１４のネッキング防止などの効果があるので好ましい。
＜半導体ウエハ加工用テープの製造方法＞
　上述した半導体ウエハ加工用テープ１０の製造は、図２に示す工程により行われる。
　まず、支持用フィルム１１を繰り出し（ステップＡ１）、繰り出された支持用フィルム１１上に対し、上述した接着剤層１２を構成する成分を含む接着剤を用いてスクリーン印刷またはグラビア印刷を行い、接着剤層１２を形成する印刷工程を行う（ステップＡ２）。
　次に、印刷された接着剤層１２を乾燥させる乾燥工程を行う（ステップＡ３）。
　その後、支持用フィルム１１上に形成された接着剤層１２における支持用フィルム１１と対向する面に対して、基材フィルム１４上に粘着剤層１３が形成されたダイシングテープ１５を、接着剤層１２と粘着剤層１３とが接するようにラミネートして半導体ウエハ加工用テープ１０とする貼合工程を行う（ステップＡ４）。
　そして最後に、半導体ウエハ加工用テープ１０をロール状に巻き取る（ステップＡ５）。
　図３には、このような製造方法により半導体ウエハ加工用テープ１０を製造する製造装置３０の概念図を示した。
　この製造装置３０は、支持用フィルム１１を繰り出す繰り出し機３１と、印刷工程を行う印刷機３２、乾燥工程を行う乾燥炉３５、貼合工程を行う貼合部３６、半導体ウエハ加工用テープ１０を巻き取る巻き取り機３８が順番に並べられた構成となっている。
　下記では、製造装置３０の構成を説明しながら、これを用いた半導体ウエハ加工用テープ１０の製造方法の各工程の処理について説明する。
［ステップＡ１（繰出し工程）］
　繰り出し機３１は、ロール状の支持用フィルム１１を保持しており、この繰り出し機３１から製造作業の進行に伴い順次支持用フィルム１１が繰り出される。この繰り出し機３１から繰り出された支持用フィルム１１は印刷工程を行う印刷機３２へ送られる。
［ステップＡ２（印刷工程）］
　印刷機３２は、支持用フィルム１１上に接着剤層１２を印刷方法によって形成するものである。この印刷機３２により、送り込まれる支持用フィルム１１上に断続的に半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きい複数の接着剤層１２が形成される。ここでいう「ほぼ同じ」とは、半導体ウエハのサイズより小さいサイズも含むが、少なくとも当該半導体ウエハから分割される全てのチップを覆うことのできるサイズを意味する。
　印刷工程では、接着剤をインクとして用いて、半導体ウエハのサイズに見合った形状の接着剤層１２を形成する。「半導体ウエハのサイズに見合った形状」とは、望ましくは円形形状であり、半導体ウエハにオリエンテーションフラットやノッチがあればその形状にも対応できる形状を含み、少なくとも半導体チップを接着する面積を有する多角形状であればよい。
　このように、印刷工程により半導体ウエハのサイズに見合った形状の接着剤層１２を形成することで、後に接着剤層１２をウエハサイズにカットする工程を省略することができる。
　すなわち、この製造方法では、接着剤層１２を半導体ウエハのサイズに見合った形状に切断するといった切断工程の処理を実行する必要がない。これにより、接着剤層１２や支持用フィルム１１にカット傷が生じることを防止できるため、カット傷の発生に伴う異物の残存が防止でき、製品の品質を向上することができる。また、必要な部分にのみ印刷されるので、接着剤層１２に用いる材料のロスを大幅に削減することが可能となる。
　印刷機３２の印刷方法としては、スクリーン印刷、グラビア印刷、凸版印刷、凹版印刷、インクジェット印刷などを用いることができ、所望の接着剤層１２の厚みを得られる印刷方法を選択してよい。
　上記印刷方法の中では、スクリーン印刷法とグラビア印刷法が半導体ウエハ加工用テープ１０のパターン印刷に適しており、当該印刷工程では、スクリーン印刷またはグラビア印刷を行って接着剤層１２を形成する。
　スクリーン印刷に関しては、粘着材料（接着剤）の固形分率やスクリーン版のメッシュサイズにもよるが、一般に数μｍから百数十μｍの厚みの印刷が可能であり、１回当たりの印刷厚みを広く調整することができるため、生産性の高い製造が可能である。
　スクリーン印刷の印刷機または印刷方式としては、枚葉式印刷機、枚葉式印刷を連続で印刷できるようにしたロールtoロール式、ロールtoロール式のロータリースクリーン印刷機があるが、ロータリースクリーン印刷機を用いれば、通常の枚葉式スクリーン印刷機よりも高速印刷できるため、より生産効率を高めることができる。
　グラビア印刷については、１回当たりの塗工膜厚は数μｍ程度であるが、ロータリー式で高速で接着剤層１２を製造可能であるため、厚みの薄い接着剤層１２（数μｍ）を対象とした場合、生産性に有利である。
　スクリーン印刷かグラビア印刷かの印刷方法は、形成しようとする接着剤層１２の厚みにより選定することができ、接着剤層１２の厚みが数μｍ～１０μｍ程度の場合はグラビア印刷を選定し、接着層の厚みが５～１０μｍ以上の場合は、スクリーン印刷を選定することが望ましい。
　印刷工程で用いる接着剤（ダイボンディング用接着剤）は、上述した接着剤層１２に含まれる材料を溶剤に溶解あるいは分散したものを用いる。溶剤は特に限定されるものではないが、シクロヘキサノンやメチルエチルケトンが望ましい。
　この溶剤を５～８０重量％混合し、接着剤の印刷時の雰囲気温度における粘度を最適な範囲に調整する。
　繰り出し機３１から印刷機３２を経て乾燥炉３５の入口に至るまでの範囲（領域）は温湿度制御部３３内に配され、温湿度制御部３３内では温湿度調整機３４により温度及び湿度を所定値に保つことが可能となっている。この温湿度制御部３３の温度及び湿度は、接着剤の組成や溶剤の種類等により適切な温度及び湿度が選択される。
　なお、少なくとも印刷をする部分が温湿度制御部３３内に配されていれば良いが、印刷をする部分から乾燥炉３５までの間も温湿度制御部３３内に配されていることが望ましい。しかし、高品質な製品を提供するという観点から、図３で示す装置構成で製造することが望ましいが、乾燥炉長や製造場所の室内環境、粘着剤に含まれる溶剤種類で状況が異なるため、必ずしも製造設備に温湿度制御部３３や温湿度調整機３４を有することが必須ではない。
　スクリーン印刷やグラビア印刷の時の版離れ性や厚み精度、接着剤の粘度変化を考えると、接着剤に含まれる溶剤の蒸発速度をできるだけ抑えたほうが望ましい。しかし接着剤に遅乾作用のある溶剤を混入しすぎると、乾燥工程での生産性低下や設備コストアップにつながるため、印刷工程雰囲気での温湿度管理を行い、蒸発速度の制御を行う。この温湿度管理により１０℃以下、望ましくは５℃以下とし、接着剤に含まれる溶剤の蒸気圧を１００ｍｍＨｇ以下とすることが望ましいが、５０ｍｍＨｇ以下とすることがより望ましく、３０ｍｍＨｇ以下とすることが特に望ましい。このように温湿度管理を行うことで、接着剤に含まれる溶剤の蒸発速度を抑えることができ、接着剤の粘度の安定性を図ることが可能となる。
　スクリーン印刷で接着剤を塗工する場合、接着剤層１２が特徴的な表面及び断面形状を有するため、一般的なコーターによる塗工方法やカット刃による断面カット工法で製造される製品と比較して品質的に有利である。
　なお、スクリーン印刷の場合は、接着剤の粘度を、６Ｐａｓ以下、好ましくは０．０５～５Ｐａｓ（０．０５Ｐａｓ以上で５Ｐａｓ以下）に調整するのがよい。接着剤の粘度が小さい場合、例えば０．０５Ｐａｓより小さい程度の場合は、スクリーン版から接着剤が透過し、良好な印刷ができなくなる可能性があるため、注意が必要である。
　グラビア印刷の場合は、接着剤の粘度を、１０Ｐａｓ以下、好ましくは０．０１～数Ｐａｓ（０．０１Ｐａｓ以上で数Ｐａｓ以下）に調整するのがよい。これは印刷時に版胴から接着剤が離れにくく、支持用フィルム１１に接着剤の転写ムラが生じ、印刷の品質（ピンホールなど）に影響を与えるためである。
　なお、グラビア印刷においてもスクリーン印刷と同様にパターン印刷であるため、スクリーン印刷で述べた同様の効果を期待できる。
［ステップＡ３（乾燥工程）］
　印刷工程により接着剤層１２が形成された支持用フィルム１１は、接着剤層１２に含まれる溶剤を揮発させる乾燥工程を行う乾燥炉３５に送られる。
　乾燥工程では、乾燥炉３５内の温度や乾燥時間を、接着剤の組成や溶剤の種類等により適宜選択し、好ましくは常温～２００℃の温度で接着剤層１２を数分程度乾燥させる。
［ステップＡ４（貼合工程）］
　乾燥工程により接着剤層１２が乾燥した支持用フィルム１１は、基材フィルム１４上に粘着剤層１３が形成されたダイシングテープ１５と貼合する貼合工程を行う貼合部３６へ送られる。接着剤層１２は印刷工程によりすでに半導体ウエハの形状に見合った形状となっており、乾燥工程に引き続き貼合工程を行うことが可能となる。これにより、製造ラインの長さを短くすることができる。
　貼合工程（貼合部３６）では、支持用フィルム１１とダイシングテープ１５とをローラ３７間に挟み込んでローラ３７間に所定の圧力を加え、支持用フィルム１１上に形成された接着剤層１２とダイシングテープ１５の粘着剤層１３とが接するように、支持用フィルム１１とダイシングテープ１５とを貼合する。ローラ３７間の圧力は適宜設定することができるが、線圧１～５ＭＰａで行うことが好ましい。これにより、支持用フィルム１１、接着剤層１２、粘着剤層１３及び基材フィルム１４がこの順に積層された半導体ウエハ加工用テープ１０が完成する。
［ステップＡ５（巻取り工程）］
　完成した半導体ウエハ加工用テープ１０を巻き取り機３８により巻き取り、半導体ウエハ加工用テープ１０をロール状とする。
　以上の実施形態によれば、印刷工程では、粘度調整を施した接着剤を用いてスクリーン印刷またはグラビア印刷し接着剤層１２を形成するから、接着剤層１２の不要部分の除去による無駄が排除され接着剤使用量を節約することができる。
　さらに本実施形態によれば、接着剤層１２の不要部分のカット工程も不必要であるから、半導体ウエハ加工用テープの製造工程を簡素化することができ、ひいてはカット傷の発生に伴う異物の残存が防止され製品の品質を向上させることもできる。
　製造工程の簡素化については、次のような効果も有する。
　すなわち、従来の製造方法では、段落０００６の説明にあったように、ライン長の制限等がある場合に、接着剤層の形成、接着剤層のプリカット、セパレーターの貼合、ラインの変更、セパレーターの剥離、………といった工程を経る必要がある。この場合、接着剤層とセパレーターとを貼合させるときは、密着性を上げるために加熱ロールにて４０～百数十℃程度の範囲で加熱しながら貼合処理を行う必要があり、さらにその後はセパレーターを剥離してから粘着テープ（ダイシングテープ１５）を貼合する必要があった。
　これに対し、本実施形態にかかる貼合工程では、接着剤層１２を直接粘着剤層１３に貼合させるため、密着性が高く、加熱ロールを用いることなく、常温下で貼合させることができる。よって本実施形態によれば、製造ライン長を短くすることだけではなく、従来の製造方法で必要であった加熱ロール設備が不要となり、設備投資を抑制することもできる。
　カット傷の発生の抑制に伴う製品の品質向上についても、詳しく説明する。
　従来製法で製作されたダイシング・ダイボンディングテープ５０の断面を図４に示す。
　図４から分かるように、ダイシング・ダイボンディングテープ５０では、接着剤層１２の外周部がプリカット刃によりほぼ垂直にカットされており、支持フィルム１１にカット傷４０が形成される。ここで、「カット傷（４０）」とは、支持用フィルム１１の接着剤層１２側の表面に凹のように切れ込みが入っている状態をいう。かかる場合、接着剤層１２とダイシングテープ１５を貼合するときに、カット傷４０の形成に伴いその部分に異物が残存したり、接着剤層１２の外周部にボイド（空隙）が発生したりする可能性がある。
　これに対し、本実施形態のように、接着剤の粘度を最適範囲（スクリーン印刷の場合は好ましくは０．０５～５Ｐａｓ、グラビア印刷の場合は好ましくは０．０１～数Ｐａｓ）に調整したり印刷環境の温湿度を制御したりして、接着剤層１２をスクリーン印刷またはグラビア印刷で形成した場合、図１に示すとおり、支持用フィルム１１にカット傷４０は形成されないし、接着剤層１２の外周部（側縁部）にはこれを断面視すると緩やかに傾斜した傾斜部１２ａが形成され、接着剤層１２と粘着剤層１３との間で密着性が良好となり（高まり）、ボイドも発生しにくくなる。
　また、接着剤の粘度が大きいときは（たとえばスクリーン印刷の場合において６Ｐａｓ程度であるときは）、図５のように、接着剤層１２の外周部で厚みがやや増大し、これを断面視すると、若干凸部形状を呈した凸部１２ｂが形成される場合がある（外周端から１ｍｍ程度の内側の範囲で、半導体ウエハに接する厚みに対して＋数～３０％程度）。かかる場合、接着剤層１２の外周部と粘着剤層１３との層間密着が高まり、接着剤層１２とダイシングテープ１５のラミネートが良好に実施できる効果がある。
　なお、印刷された接着剤層１２の外周部の内側（中心側）は、スクリーン版により実用上問題ない厚み精度に抑えることが可能である。ゆえに半導体ウエハは、支持フィルム１１を剥がした後に接着剤層１２の平滑面側と貼合され、接着剤層１２の外周部の凸部１２ｂによる影響はない。ただし、半導体チップのピックアップ性の観点から、接着剤を、少なくとも当該半導体ウエハから分割される全てのチップを覆うことのできるサイズより大きく印刷し、接着剤層１２の凸部１２ｂの形成範囲と半導体チップとが重ならないように、半導体ウエハサイズに対して接着剤層１２の印刷面積を若干大きく取る（設計する）ことが望ましい。
＜第２実施形態＞
　次に、第２実施形態について説明する。
　なお、基本的には、上述の第１実施形態と同様の構成を有しており、以下、同様の構成を有する部分については同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。
　図６には本実施形態における半導体ウエハ加工用テープ１０の側面図を示した。
　本実施形態では、粘着剤層１３も印刷方法により形成されている。
　本実施形態の半導体ウエハ加工用テープ１０の製造は、図７に示す工程により行われる。
　図７の工程では、図２に示した工程におけるダイシングテープ１５をラミネートする貼合工程（ステップＡ４）に替えて、円形印刷済みのダイシングテープ１５をラミネートする貼合工程（ステップＡ１１）を行う。
　上述の貼合工程（ステップＡ１１）で用いられるダイシングテープ１５は、樹脂フィルムをなす基材フィルム１４上にリングフレームのサイズとほぼ同じかそれよりも大きい円形の粘着剤層１３を形成したものである。ここでいう「ほぼ同じ」とは、リングフレームのサイズ（外径）より小さいサイズも含むが、少なくともリングフレームの内径より大きくリングフレームと接触することができるサイズを意味する。
　かかる貼合工程では、円形に形成された接着剤層１２の中心と、円形に形成された粘着剤層１３の中心とが一致して同心円となるように、支持用フィルム１１とダイシングテープ１５とを貼合する。
　ダイシングテープ１５の粘着剤層１３は、円形に形成された接着剤層１２とほぼ同じ大きさの円形に形成しても良いが、接着剤層１２よりも大きい円形に形成することが望ましい。
　粘着剤層１３を接着剤層１２よりも大きい円形に形成すれば、半導体ウエハが貼合される部分には接着剤層１２があり、リングフレームが貼合される部分には接着剤層１２がなく粘着剤層１３のみが存在するようになる。一般に、接着剤層１２は被着体と剥離しにくいため、このようにすることでリングフレームを粘着剤層１３と貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。
　このダイシングテープ１５は、支持用フィルム１１に接着剤層１２を形成する工程（ステップＡ１からＡ３）と同様の工程により製造される。
　すなわち、ダイシングテープ１５は、基材フィルム１４上に粘着剤層１３を印刷方法により形成する印刷工程と、印刷された粘着剤層１３を乾燥させる乾燥工程とにより製造される。
　印刷工程で用いる粘着剤（ダイシング用粘着剤）は、上述した粘着剤層１３に含まれる材料を溶剤に溶解あるいは分散したものを用いる。
　溶剤は特に限定されるものではないが粘着剤の粘度が０．０５～５Ｐａｓとなるように調製することが望ましく、０．０５～１Ｐａｓとすることがより望ましい。
　また、印刷工程雰囲気での温湿度管理により１０℃以下、望ましくは５℃以下とし、粘着剤に含まれる溶剤の蒸気圧を１００ｍｍＨｇ以下とすることが望ましいが、５０ｍｍＨｇ以下とすることがより望ましく、３０ｍｍＨｇ以下とすることが特に望ましい。このように温湿度管理を行うことで、粘着剤に含まれる溶剤の蒸発速度を抑えることができ、粘着剤の粘度の安定性を図ることが可能となる。
　さらに印刷工程雰囲気を温湿度管理する際、場合によっては結露が生じる可能性があるが、温湿度制御部３３と乾燥炉３５との間の壁面に断熱材を設ける、または印刷後から乾燥炉３５に至るまでの間を段階的に温湿度管理するなどの対策を施しておくことが望ましい。
　このように、ダイシングテープ１５についても印刷工程によりリングフレームのサイズに見合った形状の粘着剤層１３を形成することで、後に粘着剤層１３をカットする工程を省略することができ、粘着剤層１３や基材フィルム１４にカット傷が生じることを防止できる。これにより、カット傷の発生に伴う異物の残存が防止でき、製品の品質を向上することができる。また、必要な部分のみに印刷されるので、粘着剤層１３に用いる材料のロスを大幅に削減することが可能となる。
　従来製法においては、ダイシング・ダイボンディングテープのような多層接着テープを作製するにあたり、ダイボンディングテープを製作後に接着剤層を半導体ウエハ状にカットし、次にダイシングテープを張り合わせた後にダイシングテープ側も外周面をカットして製作される。この場合、接着フィルムを積層する毎にカット工程が必要となって多段工程を要していた。
　これに対し、本実施形態のように印刷工程により接着剤層１２、粘着剤層１３を形成することで、簡便な工程で製造が可能となり、多層化テープを製作する生産効率を向上させることができる。
＜第３実施形態＞
　次に、第３実施形態について説明する。
　なお、基本的には、上述の第１実施形態と同様の構成を有しており、以下、同様の構成を有する部分については同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。
　図８には本実施形態における半導体ウエハ加工用テープ１０の側面図を示した。
　本実施形態の半導体ウエハ加工用テープ１０は接着剤層１２のみを有する。
　本実施形態の半導体ウエハ加工用テープ１０の製造は、図９に示す工程により行われる。
　図９の工程では、図２に示した工程におけるダイシングテープをラミネートする貼合工程（ステップＡ４）に替えて、カバーフィルム１６をラミネートする貼合工程（ステップＡ２１）を行う。
　なお、カバーフィルム１６としては、支持用フィルム１１に用いることができる材質からなるフィルムを用いることができる。
　なお、上述した第１から第３実施形態では、半導体ウエハ加工用テープ１０の例としてダイシング・ダイボンディングテープやダイボンディングテープを示したが、その他ダイシングテープや、半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程にて半導体ウエハの回路パターン形成面（ウエハ表面）を保護するための表面保護テープなど、様々な半導体ウエハ加工・保護用途のテープ製造工程について本発明を適用することが可能である。
　また、長尺の支持用フィルム１１を用いて連続的に半導体ウエハ加工用テープ１０を製造する方法を示したが、半導体ウエハ１枚分の半導体ウエハ加工用テープ１０を製造する方法にも本発明を適用可能である。
　次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
［粘着テープの作製］
（１）粘着テープ１の作製
　イソオクチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルアクリレートおよびメチルメタクリレートからなり、質量平均分子量８０万、ガラス転移温度－３０℃のアクリル系共重合体化合物を作製した。
　その後、この共重合体化合物１００重量部に対し、放射線硬化性炭素－炭素二重結合を有する化合物として、トリメチロールプロパントリメタクリレートを２０重量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）7重量部、さらに光重合開始剤としてイルガキュア１８４（日本チバガイギー株式会社製、商品名）５重量部を加えて、放射線硬化性の粘着剤を得た。
　この粘着剤を、ポリプロピレン樹脂と水素化スチレン－ブタジエン共重合体からなる、厚さ１００μｍの基材フィルムに対して塗工した後、熱風乾燥炉で乾燥させ、乾燥後の厚さが１０μｍの粘着剤層と基材フィルムとの積層体である粘着テープ１を得た。
（２）粘着テープ２の作製
　イソノニルアクリレート、２－ヒドロキシエチルアクリレートおよびメチルメタクリレートからなり、質量平均分子量８０万、ガラス転移温度－３０℃、のアクリル系共重合体化合物を作製した。
　その後、この共重合体化合物１００重量部に対し、硬化剤としてポリイソシアネート化合物コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）９重量部を加えて、粘着剤を得た。
　この粘着剤を、粘着テープ１と同じ基材フィルムに、粘着テープ１と同様に塗工し、乾燥させて粘着テープ２を得た。
［接着剤の調製］
（１）接着剤１の調製
　エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製商品名ＹＤ－８１７０Ｃを使用）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製商品名ＹＤＣＮ－７０３を使用）１０重量部；エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェンＬＦ２８８２を使用）２７重量部；アクリル系共重合体（ゲル パーミエーション クロマトグラフィーによる重量平均分子量７０万、Ｔｇは４℃、ナガセケムテックス株式会社製商品名ＳＧ-７０８－６を使用）２８重量部；硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ－ＣＮを使用）０．１重量部；シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、Ｓ０－Ｃ２（比重：２．２ｇ／ｃｍ３）を使用）１３２重量部；シランカップリング剤として（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ－１８９を使用）０．２５重量部からなる組成物に、メチルエチルケトン１０質量部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤１を得た。
　得られた接着剤ワニスの粘度を、B型粘度計（東機産業　ＴＶＢ－１０）にて測定したところ、５℃での粘度は５．０Ｐａｓ、２５℃での粘度は４．５Ｐａｓであった。
（２）接着剤２の調製
　メチルエチルケトンを５０質量部加えた以外は、接着剤１と同様にして接着剤２を得た。得られた接着剤ワニスの粘度を測定したところ、５℃での粘度は１．０Ｐａｓ、２５℃での粘度は０．０５Ｐａｓであった。
（３）接着剤３の調製
　メチルエチルケトンを６０質量部加えた以外は、接着剤１と同様にして接着剤３を得た。得られた接着剤ワニスの粘度を測定したところ、５℃での粘度は０．０４Ｐａｓであった。
（４）接着剤４の調製
　メチルエチルケトンを８．０質量部加えた以外は、接着剤１と同様にして接着剤４を得た。得られた接着剤ワニスの粘度を測定したところ、５℃での粘度は６．０Ｐａｓであった。
（５）接着剤５の調製
　メチルエチルケトンを５質量部加えた以外は、接着剤１と同様にして接着剤５を得た。得られた接着剤ワニスの粘度を測定したところ、５℃での粘度は１１．０Ｐａｓであった。
（６）接着剤６の調製
　メチルエチルケトンを８０質量部加えた以外は、接着剤１と同様にして接着剤５を得た。得られた接着剤ワニスの粘度を測定したところ、５℃での粘度は０．０１Ｐａｓであった。
［サンプルの作製］
（１）実施例１
　支持用フィルムとしてのＰＥＴフィルム（厚み２５μｍ）上に、ロールｔｏロール型の枚葉式スクリーン印刷法により、接着剤１を直径φ３２０ｍｍ、乾燥後の印刷厚み２０μｍ、ピッチ６０ｍｍとなるように印刷し、接着剤層を形成した。
　印刷工程における温度などは、印刷部の雰囲気が５℃、４０％ＲＨとなるように制御し、温湿度制御部における溶剤の蒸気圧を３０ｍｍＨｇ程度とした。
　印刷工程により接着剤層を形成した後に、乾燥炉において１５０℃の温度で１分程度乾燥させる乾燥工程を行った。
　その後、別途作製した粘着テープ１を線圧２ＭＰａで貼合する貼合工程を行い、半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（２）実施例２
　接着剤１に代えて接着剤２を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（３）実施例３
　粘着テープ１に代えて粘着テープ２を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（４）実施例４
　粘着テープ１に代えて粘着テープ２を用いた以外は、実施例２と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（５）比較例５
　接着剤１に代えて接着剤３を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（６）実施例６
　接着剤１に代えて接着剤４を用いた以外は、実施例１と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（７）実施例７
　印刷工程における温度を室温（２５℃）とした以外は、実施例１と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（８）実施例８
　印刷工程における温度を室温（２５℃）とした以外は、実施例２と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（９）実施例９
　支持用フィルムとしてのＰＥＴフィルム（厚み２５μｍ）上に、グラビア印刷法により、接着剤２を直径φ３２０ｍｍ、乾燥後の印刷厚み５μｍ、ピッチ４０ｍｍとなるように印刷し、接着剤層を形成した。
　印刷工程における温度などは、印刷部環境が５℃、４０％ＲＨとなるように調整し、溶剤の蒸気圧を３０ｍｍＨｇ程度とした。
　印刷工程により接着剤層を形成した後に、乾燥炉において１５０℃の温度で１分程度乾燥させる乾燥工程を行った。
　その後、別途作製した粘着テープ２を線圧２ＭＰａで貼合する貼合工程を行い、半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（１０）実施例１０
　接着剤２に代えて接着剤１を用いた以外は、実施例９と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（１１）比較例１１
　接着剤２に代えて接着剤５を用いた以外は、実施例９と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（１２）実施例１２
　接着剤２に代えて接着剤６を用いた以外は、実施例９と同様にして半導体ウエハ加工用テープを作製した。
［サンプル（接着剤層）の評価］
（１）破断強度、破断伸び
　Ｂステージ状態の接着剤層の２５℃における破断強度、破断伸びを、幅１０ｍｍ、長さ３０ｍｍ、厚さ２０μｍの試料について、引っ張り試験機（今田製作所製デジタル荷重計ＳＶ５５）を用いてチャック間距離２０ｍｍ、引っ張り速度０．５ｍ／ｍｉｎで応力、ひずみ曲線を測定し、それから、下式により得た。
　　　破断強度（Ｐａ）＝最大強度（Ｎ）／試料の断面積（ｍ２）
　　　破断伸び（％）＝（破断時の試料のチャック間長さ（ｍｍ）－２０）／２０×１００
（２）弾性率（貯蔵弾性率）
　Ｂステージ状態の接着剤層の貯蔵弾性率を、動的粘弾性測定装置（レオロジー社製、ＤＶＥ－Ｖ４）を用いて測定した（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚７５μｍ、温度範囲－３０～１００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚまたは９００Ｈｚ、自動静荷重）。
（３）接着剤層の断面形状
　印刷部をミクロトームもしくは剃刀刃にて断面カットし、該断面を日立ハイテクノロジーズ製顕微鏡（ＴＭ－１０００）にて断面観察し、厚みやサイズ、形状等を計測した。
（４）評価結果
（４．１）実施例１
　実施例１のサンプルでは接着剤層１をスクリーン印刷により形成している。
　乾燥工程後（貼合工程前）の接着剤層1の破断強度、破断伸びを測定したところ、破断強度は５．０ＭＰａであり、破断伸びは１５％であった。
　乾燥工程後（貼合工程前）の接着剤層の弾性率は２５℃／１０Ｈｚで２５００ＭＰａであり、２５℃／９００Ｈｚで８０００ＭＰａであった。
　乾燥工程後（貼合工程前）の接着剤層１をカット（縦断）し外周部の断面を顕微鏡観察したところ、外周側縁部が緩やかに傾斜していることがわかった。具体的には、接着剤層１を平面視した場合の目標の印刷直径３２０ｍｍに対し、実際の印刷直径は３２１ｍｍであった。
（４．２）実施例９
　実施例９のサンプルでは接着剤層９をグラビア印刷により形成している。
　乾燥工程後（貼合工程前）の接着剤層９の破断強度、破断伸びを測定したところ、破断強度は３ＭＰａであり、破断伸びは１５％であった。
　乾燥工程後（貼合工程前）の接着剤層９の弾性率は２５℃／１０Ｈｚで２５００ＭＰａであり、２５℃／９００Ｈｚで８０００ＭＰａであった。
　乾燥工程後（貼合工程前）の接着剤層９をカット（縦断）し外周部の断面を顕微鏡観察したところ、外周側縁部が緩やかに傾斜していることがわかった。具体的には、接着剤層９を平面視した場合の目標の印刷直径３２０ｍｍに対し、実際の印刷直径は３２１ｍｍであった。
（４．３）その他
　上記実施例１、９を含むサンプルの接着剤層の製造条件や特性（評価結果）等を、表１に示す。
　なお、表１中、「厚み精度」の評価については、接着剤層をスクリーン印刷で形成した実施例１～４、６～８、比較例５のサンプルでは当該接着剤層の厚みを２０μｍと設計し、接着剤層をグラビア印刷で形成した実施例９～１０、１２、比較例１１のサンプルでは当該接着剤層の厚みを５μｍと設計し、実際の接着剤層の厚さがその設計値（目標値）に対し±１．５μｍの範囲以内に収まった場合には「○（良好）」と評価し、かかる範囲外の場合には「－」と記載した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
［まとめ］
　接着剤層をスクリーン印刷で形成した実施例１～４、６～８のサンプルにおいて、簡易な工程により良好な半導体ウエハ加工用テープを得ることができた。
　特に実施例１～４は、接着剤の粘度が０．０５Ｐａｓ以上５Ｐａｓ以下であり、印刷工程における温度が１０℃以下であるため、スクリーン版の目詰まりによる欠点数がほとんど見られず、印刷歩留りが向上することが確認された。
　また実施例１～４、６～８では、接着剤層の厚みも、固体層で±１．５μｍの範囲内に抑えることができた。
　さらに実施例１～４、６～８では、従来工法（コーターによる塗工）に対して接着剤使用量は約５０％に大幅低減した。
　実施例６は、接着剤の粘度が５Ｐａｓ超であるが、印刷は実施可能であった。実施例６では、接着剤層の外周部を断面視すると若干凸部形状を呈していた（外周端から１ｍｍ程度の範囲で、ウエハに接する厚みに対して２０％程度）。実施例６では、外周部付近は厚みムラがあるため、できる限り半導体チップへの張り合わせは避けた方が良いが、外周から1ｍｍ程度内側の部分については、厚み精度が目標値±１．５μｍ以内と良好であり、半導体チップの接着剤層として活用できると判断することができる。
　これらサンプルに対し、比較例５では、接着剤の粘度が０．０５Ｐａｓ未満であるため、印刷形状の周縁部で際側にいくほど厚みが減少する形状ダレが顕著に生じるとともに、接着剤をスクリーン版に載せた際に液ダレが生じたため、良好な印刷を実施することが難しくなった（スクリーン印刷されていないと判断した）。
　他方、接着剤層をグラビア印刷で形成した実施例９～１０、１２のサンプルについては、全てのサンプルで良好な接着剤層の印刷を得ることができた。
　実施例９～１０、１２についても、スクリーン印刷と同様に、従来工法（コーターによる塗工）に対して接着剤使用量は約５０％に大幅低減した。
　これらサンプルに対し、比較例１１では、接着剤の粘度が１１Ｐａｓと大きく、印刷面にカスレが見られ、良好な印刷ができなかった（グラビア印刷されていないと判断した）。
［サンプルの作製］
（１）実施例１３～１７
　実施例１のサンプルを作製したのと同様に、支持用フィルムとしてのＰＥＴフィルム上に、ロールｔｏロール型の枚葉式スクリーン印刷法により、接着剤を印刷し、接着剤層を形成した。
　かかる印刷工程では、表２に示すとおり、接着剤の粘度と乾燥後の印刷厚み（設計厚み）とをサンプルごとに変動させ、製造条件を設定した。接着剤は接着剤１の成分と同様であるが、メチルエチルケトンの配合量のみを調整して粘度を制御した。
　その後、実施例１のサンプルを作製したのと同様に、乾燥工程、貼合工程の各処理を実行し、半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（２）実施例１８～１９
　実施例９のサンプルを作製したのと同様に、支持用フィルムとしてのＰＥＴフィルム上に、グラビア印刷法により、接着剤を印刷し、接着剤層を形成した。
　かかる印刷工程でも、表２に示すとおり、接着剤の粘度と乾燥後の印刷厚み（設計厚み）とをサンプルごとに変動させ、製造条件を設定した。接着剤は接着剤２の成分と同様であるが、メチルエチルケトンの配合量のみを調整して粘度を制御した。
　その後、実施例９のサンプルを作製したのと同様に、乾燥工程、貼合工程の各処理を実行し、半導体ウエハ加工用テープを作製した。
（３）比較例２０～２２
　実施例１のサンプルと同様の材料を用いて接着剤層を形成した。
　詳しくは、支持用フィルムとしてのＰＥＴフィルム（厚み２５μｍ）の片面前面上に、接着剤をコーターにて塗布して一旦接着剤層を形成し、その後かかる接着剤層を直径φ３２０ｍｍ、ピッチ６０ｍｍとなるようにプリカットした。
　かかる工程でも、表２に示すとおり、接着剤の粘度と乾燥後の印刷厚み（設計厚み）とをサンプルごとに変動させ、製造条件を設定した。接着剤は接着剤１の成分と同様であるが、メチルエチルケトンの配合量のみを調整して粘度を制御した。
　その後は、実施例１のサンプルを作製したのと同様に、乾燥工程、貼合工程の各処理を実行し、半導体ウエハ加工用テープを作製した。
［サンプル（接着剤層）の評価］
　実施例１３～１７、１８～１９、比較例２０～２２のサンプルを、ミクロトームもしくは剃刀刃にて断面カットし、該接着剤層の傾斜部を日立ハイテクノロジーズ製顕微鏡（ＴＭ－１０００）にて断面観察し、厚みや形状等を計測した。
　ここでは、断面観察を行う際、図１１に示すように、接着層層１２の外周部を断面視したときの接着剤層１２の傾斜部１２ａに関し、傾斜部１２ａにおける厚み（垂直方向の距離）を「ｔ」と、傾斜部１２ａにおける水平方向の距離を「ΔＲ」として、各距離を測定し、接着剤層の傾斜部の形状を示すパラメータを「ΔＲ／ｔ」として、かかるパラメータを算出した。
　傾斜部１２ａの厚みｔおよび水平方向の距離ΔＲの各測定値と、形状パラメータΔＲ／ｔの算出値とを、表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
［まとめ］
　接着剤層をスクリーン印刷またはグラビア印刷で形成した実施例１３～１７、１８～１９のサンプルと、接着剤層を塗布・プリカットして形成した比較例２０～２２のサンプルとで、各サンプルの接着剤層の傾斜部を断面観察すると、その比較結果から、実施例１３～１７、１８～１９のサンプルでは、接着剤層の厚みｔが２～１５０μｍの範囲内において、形状パラメータΔＲ／ｔの数値範囲が概ね以下の式（１）の条件を満たしていた。
　　　０．４≦ΔＲ／ｔ≦１００　…　（１）
　かかる実施例１３～１７、１８～１９のサンプルでは、接着剤層と粘着剤層との密着性が良好で、ボイドの発生が大幅に抑制されたと考えられ、式（１）の条件を満たすことが有用であることがわかった。
　これらサンプルに対し、比較例２０～２２のサンプルでは、式（１）の条件を満たさず、接着剤層と粘着剤層との密着性が実施例１３～１７、１８～１９のサンプルより劣っていた。
　さらに実施例１３～１７、１８～１９のサンプルでは、支持用フィルムにカット傷（図１０参照）も無いため、カット刃による切込み部分にフィルム塵等の異物が残存するようなこともなく、製品の品質向上が達成された。
　本発明は、支持用フィルムに対し接着剤層を形成した半導体ウエハ加工用テープの製造方法であって、接着剤層の接着剤使用量の節約や製造工程の簡素化（特に接着剤層のカット工数の削減）、製品の品質向上を図るのに特に好適に利用することができる。
　１０　半導体ウエハ加工用テープ
　１１　支持用フィルム（第１の樹脂フィルム）
　１２　接着剤層
　　１２ａ　傾斜部
　　１２ｂ　凸部
　１３　粘着剤層
　１４　基材フィルム（第２の樹脂フィルム）
　１５　ダイシングテープ
　１６　カバーフィルム

Claims (9)

  1. 　第１の樹脂フィルム上に、ダイボンディング用接着剤を、半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きく、スクリーン印刷またはグラビア印刷することにより接着剤層を形成する印刷工程と、
    　前記接着剤層を乾燥させる乾燥工程と、
    　を含むことを特徴とする半導体ウエハ加工用テープの製造方法。
  2. 　請求項１に記載の半導体ウエハ加工用テープの製造方法において、
    　前記印刷工程では、前記接着剤層を、前記半導体ウエハのサイズに見合った形状に形成することを特徴とする半導体ウエハ加工用テープの製造方法。
  3. 　請求項２に記載の半導体ウエハ加工用テープの製造方法において、
    　前記印刷工程では、前記ダイボンディング用接着剤を、少なくとも当該半導体ウエハから分割される全てのチップを覆うように印刷することを特徴する半導体ウエハ加工用テープの製造方法。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体ウエハ加工用テープの製造方法において、
    　前記第１の樹脂フィルムの前記接着剤層が形成された面に対して、第２の樹脂フィルム上にダイシング用粘着剤からなる粘着剤層が形成されたダイシングテープを、前記接着剤層と前記粘着剤層とが接するように貼合する貼合工程と、
    　を含むことを特徴とする半導体ウエハ加工用テープの製造方法。
  5. 　請求項４に記載の半導体ウエハ加工用テープの製造方法において、
    　前記貼合工程では、前記ダイシングテープとして、前記第２の樹脂フィルム上に、前記ダイシング用粘着剤をリングフレームのサイズとほぼ同じかそれよりも大きくスクリーン印刷またはグラビア印刷することにより前記粘着剤層を形成したものを、使用することを特徴とする半導体ウエハ加工用テープの製造方法。
  6. 　第１の樹脂フィルム上に、ダイボンディング用接着剤を、半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きく、スクリーン印刷またはグラビア印刷することにより接着剤層を形成する印刷工程と、
    　前記接着剤層を乾燥させる乾燥工程と、
    　前記第１の樹脂フィルムの前記接着剤層が形成された面に対して、第２の樹脂フィルム上にダイシング用粘着剤からなる粘着剤層が形成されたダイシングテープを、前記接着剤層と前記粘着剤層とが接するように貼合する貼合工程と、
    　を含む半導体ウエハ加工用テープの製造方法により製造された半導体ウエハ加工用テープにおいて、
    　前記乾燥工程後の前記接着剤層の外周部が、断面視して、緩やかに傾斜しているか、または凸部形状を呈していることを特徴とする半導体ウエハ加工用テープ。
  7. 　請求項６に記載の半導体ウエハ加工用テープにおいて、
    　前記第１の樹脂フィルムの前記接着剤層が形成された面に対して前記ダイシングテープが貼合され、前記接着剤層と前記粘着剤層とが接していることを特徴とする半導体ウエハ加工用テープ。
  8. 　請求項６または７に記載の半導体ウエハ加工用テープにおいて、
    　前記乾燥工程後の前記接着剤層の外周部が断面視して緩やかに傾斜しており、その傾斜部の厚みをｔと、水平方向の距離をΔＲとした場合に、式（１）の条件を満たしていることを特徴とする半導体ウエハ加工用テープ。
    　　　０．４≦ΔＲ／ｔ≦１００　…　（１）
  9. 　請求項６～８のいずれか一項に記載の半導体ウエハ加工用テープにおいて、
    　前記第１の樹脂フィルムが、前記接着剤層の外周部付近においてカット傷を有しないことを特徴とする半導体ウエハ加工用テープ。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5863914B1 (ja) * 2014-09-05 2016-02-17 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造する半導体装置の製造方法
JP2016157859A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
WO2017145979A1 (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
JP2019104864A (ja) * 2017-12-14 2019-06-27 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
WO2023281906A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 日東電工株式会社 熱硬化性接着シート

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7056886B2 (ja) * 2015-09-28 2022-04-19 リンテック株式会社 粘着シート、及び粘着シートの製造方法
JP6991475B2 (ja) 2017-05-24 2022-01-12 協立化学産業株式会社 加工対象物切断方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001214137A (ja) * 2000-02-02 2001-08-07 Toyo Ink Mfg Co Ltd 粘着シート及び該シートの製造方法
JP2011137057A (ja) * 2009-12-25 2011-07-14 Nitto Denko Corp チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法
JP2012156341A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61112345A (ja) * 1984-11-07 1986-05-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2004273895A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP2009147201A (ja) 2007-12-17 2009-07-02 Denki Kagaku Kogyo Kk ダイシングシート、その製造方法、および電子部品の製造方法
JP5534594B2 (ja) 2010-03-30 2014-07-02 リンテック株式会社 シート貼付方法およびウエハ加工方法
KR20130064043A (ko) * 2010-04-13 2013-06-17 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 반도체 칩 접합용 접착 재료, 반도체 칩 접합용 접착 필름, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001214137A (ja) * 2000-02-02 2001-08-07 Toyo Ink Mfg Co Ltd 粘着シート及び該シートの製造方法
JP2011137057A (ja) * 2009-12-25 2011-07-14 Nitto Denko Corp チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法
JP2012156341A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5863914B1 (ja) * 2014-09-05 2016-02-17 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造する半導体装置の製造方法
WO2016035687A1 (ja) * 2014-09-05 2016-03-10 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造した半導体装置
JP2016058458A (ja) * 2014-09-05 2016-04-21 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造する半導体装置の製造方法
KR101828226B1 (ko) 2014-09-05 2018-02-09 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 가공용 테이프 및 이것을 사용하여 제조한 반도체 장치
JP2016157859A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
WO2017145979A1 (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
JPWO2017145979A1 (ja) * 2016-02-23 2018-12-13 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
TWI757269B (zh) * 2016-02-23 2022-03-11 日商琳得科股份有限公司 膜狀接著劑複合片及半導體裝置的製造方法
JP2019104864A (ja) * 2017-12-14 2019-06-27 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
JP7046586B2 (ja) 2017-12-14 2022-04-04 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
WO2023281906A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 日東電工株式会社 熱硬化性接着シート

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