DE10194692B4 - Verfahren zur chemischen Aufdampfung zur Bildung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert und Verfahren zur Bildung eines Kondensators - Google Patents
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Abstract
Verfahren
der chemischen Aufdampfung zur Bildung einer dielektrischen Schicht
mit hohem K-Wert, das folgende Stufen umfasst:
ein Substrat wird in einem Reaktionsgefäß für die chemische Dampfabscheidung positioniert und
wenigstens eine ein Metall umfassende Precursorverbindung, N2O, und wenigstens ein Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx, werden im Reaktionsgefäß unter Bedingungen auf das Substrat aufgebracht, die für die Aufdampfung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert, die Sauerstoff und das Metall der wenigstens einen ein Metall umfassenden Precursorverbindung umfasst, auf das Substrat wirksam sind, wobei das N2O im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 90 und < 100 Vol.-%, bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vorgelegt wird.
ein Substrat wird in einem Reaktionsgefäß für die chemische Dampfabscheidung positioniert und
wenigstens eine ein Metall umfassende Precursorverbindung, N2O, und wenigstens ein Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx, werden im Reaktionsgefäß unter Bedingungen auf das Substrat aufgebracht, die für die Aufdampfung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert, die Sauerstoff und das Metall der wenigstens einen ein Metall umfassenden Precursorverbindung umfasst, auf das Substrat wirksam sind, wobei das N2O im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 90 und < 100 Vol.-%, bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vorgelegt wird.
Description
- Technisches Gebiet
- Die Erfindung betrifft Verfahren zur chemischen Aufdampfung zur Bildung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert und Verfahren zur Bildung eines Kondensators.
- Hintergrund der Erfindung
- Angesichts der zunehmenden Speicherzelldichte von dynamischen RAMs (DRAMs) besteht trotz Abnahme der abgetasteten Zellfläche nach wie vor ein Bedarf an der Aufrechterhaltung einer ausreichend hohen Speicherkapazität. Außerdem besteht weiterhin das Ziel einer weiteren Verminderung der abgetasteten Zellfläche. Der wichtigste Weg zur Steigerung der Zellkapazität führt über die Zellstrukturtechnologie. Diese umfasst dreidimensionale Zellkondensatoren, wie grabengefräste Kondensatoren oder Stapelkondensatoren. Da außerdem der Leistungswert immer kleiner wird, werden verbesserte Werkstoffe für die Zelldielektrika entwickelt und an Bedeutung gewinnt auch die Zellstruktur. Der Leistungswert von 256 Mb-dynamischen RAMs und darüberhinaus liegt in der Größenordnung von 0,25 μm oder darunter, weshalb die traditionellen Dielektrika wie SiO2 und Si3N4 aufgrund ihrer geringen Dielektrizitätskonstanten nicht mehr verwendet werden könnten.
- Von hochintegrierten Speichereinrichtungen wie 256 Mbit-DRAMs wird erwartet, dass sie für dreidimensionale Kondensatoren aus zylinderförmigen gestapelten Strukturen oder Grabfrässtrukturen sehr dünne dielektrische Filme erforderlich machen. Um dem zu genügen, sollte die Dicke des für den Kondensator benötigten dielektrischen Films unter 2,5 nm der äquivalenten Dicke von SiO2 liegen.
- Isolierende anorganische Metalloxide wie ferroelektrische Stoffe, Perovskitfeststoffe und Pentoxide werden gemeinhin als Stoffe mit hohem K-Wert aufgrund ihrer hohen Dielektrizitätskonstante bezeichnet, was sie als dielektrische Materialien für Kondensatoren, wie z.B. für hochdichte DRAMs und nichtflüchtige Speicher interessant werden lässt. Im vorliegenden Kontext bedeutet "hoher K-Wert" einen Stoff mit einer Dielektrizitätskonstante von mindestens 20. Derartige Stoffe sind Tantalpentoxid, Bariumstrontiumtitanat, Strontiumtitanat, Bariumtitanat, Bleizirconiumtitanat und Strontiumwismuttantalat. Bei Verwendung dieser Stoffe erhält man weit kleinere und einfachere Kondensatorstrukturen für die jeweilige Forderung nach gespeicherter Ladung, was sie für die Packung von auf Dichte ausgerichteten Konstruktionen künftiger Schaltkreise geeignet macht.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Nachfolgend werden anhand der beigefügten Zeichnungen die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung beschrieben:
-
1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterwaferfragment in einer Verfahrensstufe gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. -
2 zeigt die Ansicht aus1 des Waferfragments bei der auf die Verfahrensstufe in1 folgenden Verfahrensstufe. -
3 zeigt die Ansicht aus1 des Waferfragments bei der auf die Verfahrensstufe in2 folgenden Verfahrensstufe. - Beste Ausführungsformen der Erfindung und ihre Offenbarung
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur chemischen Aufdampfung zur Bildung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert und Verfahren zur Bildung eines Kondensators. Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren der chemischen Aufdampfung zur Bildung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert die Positionierung eines Substrats in einem Reaktionsgefäß zur chemischen Dampfabscheidung. Wenigstens eine ein Metall umfassende Precursorverbindung, N2O und wenigstens ein Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx werden im Reaktionsgefäß unter Bedingungen auf das Substrat aufgebracht, die für die Aufdampfung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert, die Sauerstoff und das Metall der wenigstens einen ein Metall umfassenden Precursorverbindung umfasst, auf das Substrat wirksam sind. N2O liegt im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 90 und < 100 Vol.-%, bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vor.
- Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zur Bildung eines Kondensators die Bildung einer ersten Kondensatorelektrodenschicht auf einem Substrat. Dieses ist zusammen mit der ersten Kondensatorelektrodenschicht in einem Reaktionsgefäß zur chemischen Aufdampfung angeordnet. Wenigstens eine ein Metall umfassende Precursorverbindung, N2O und wenigstens ein Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx werden im Reaktionsgefäß unter Bedingungen auf die erste Kondensatorelektrode aufgebracht, die für die Aufdampfung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert wirksam sind, die Sauerstoff und das Metall der wenigstens einen ein Metall umfassenden Precursorverbindung umfasst. N2O liegt im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 90 und < 100 Vol.-%, bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vor, um eine Außenfläche der dielektrischen Schicht des Kondensators zum Abschluss dieses Teils zu bilden, um eine Rauhigkeit von höchstens 2 nm zu erzielen, wie sie aufgrund der durchschnittlichen AFM-RMS-Rauhigkeit ermittelt werden kann. Auf der dielektrischen Schicht des Kondensators mit hohem K- Wert wird dann eine zweite Kondensatorelektrodenschicht gebildet.
- Gemäß den bevorzugten Ausführungsformen kann die Technik eingesetzt werden, um glatte kontinuierliche dielektrische Schichten ohne Trübung oder isolierte inselartige Kerne zu erzielen.
- Ausgangspunkt für die Erfindung waren Probleme im Zusammenhang mit der Erzielung kontinuierlicher Schichten bei der Aufdampfung von Bariumstrontiumtitanat (BST) auf den gesamten dielektrischen Bereich des Kondensators oder auf einen Teil davon zur Erzielung eines dazwischen angeordneten Paares von Kondensatorelektroden. Die Diskontinuität der Schicht beruhte dabei auf Verfahren, bei denen bestimmte organische Metallverbindungen durch chemische Aufdampfung (MOCVD) abgeschieden werden, wenn die Schichtdicke auf einen Wert von 30 nm abzusinken oder diesen Wert zu unterschreiten beginnt. Die Diskontinuität von Schichten ist gewöhnlich in hohem Maße unerwünscht, insbesondere bei Kondensatoren, bei denen es infolge einer diskontinuierlichen dielektrischen Schicht des Kondensators zu fatalen Kurzschlüssen von Platte zu Platte kommen kann.
- Das gegenwärtige Verfahren, das nicht unbedingt dem Stand der Technik entspricht, bei dem solche diskontinuierlichen Schichten festgestellt wurden, bedient sich einer Vielzahl von MOCVD-Precursorverbindungen, die alle Barium, Strontium und Titan enthalten. Dabei wurden im Reaktionsgefäß zusammen mit den MOCVD-Precursorverbindungen zur Aufdampfung einer erwünschten BST-Schicht auf ein Substrat Trägergase und ein oder mehrere Oxidationsmittel vorgelegt. Diese waren entweder 100 % O2 oder ein 50:50-Gemisch aus O2 und N2O. Die Diskontinuität in der jeweiligen Schicht zeigte sich in vielen Fällen bei dem Abfallen der Aufdampfungsdicke auf einen Wert von 30 nm oder darunter. Dies konnte durch REM sowie durch Messung der Oberflächenrauhigkeit festgestellt werden, die einen Hinweis auf die Diskontinuität derartiger Schichten ergibt.
- Da die Aufdampfungstemperaturen am Substrathalter während der Aufdampfung 600°C zu überschreiten begannen, verschwanden bei einer Aufdampfungsdicke von 30 nm oder darunter die Diskontinuitätsprobleme. Diese höheren Temperaturen führten jedoch zu einer Abnahme der Gleichmäßigkeit in der Aufdampfung trotz der verbesserten Kontinuität der abgeschiedenen Schicht. Ferner führten solche Aufdampfungen bei höheren Temperaturen zu Trübung und Rauhigkeit in der abgeschiedenen Schicht. Die Rauhigkeit infolge der Diskontinuität bzw. Trübung bei höheren Temperaturen erreichte einen Wert von über 10 nm bis hin zu etwa 100 nm, wie sie aufgrund der durchschnittlichen AFM-RMS-Rauhigkeit ermittelt werden kann.
- Dies war nun der Hintergrund, der zu der Erfindung führte. Die einzelnen Ausführungsformen der Erfindung betreffen Verfahren der chemischen Aufdampfung unter Bildung von dielektrischen Schichten mit hohem K-Wert, die nicht aus Titanaten oder Bariumstrontiumtitanat bestehen bzw. aus anderen Stoffen bestehen, als sie zur Herstellung von Kondensatoren verwendet werden. Eine bevorzugte Ausführungsform betrifft die Herstellung eines exemplarischen Kondensators entsprechend den
1 bis3 . -
1 beschreibt ein Waferfragment10 , das ein Substrat12 umfasst. Dieses kann ein oder mehrere Schichten, wie z.B. isolierende, halbleitende oder leitende Stoffe umfassen. Im vorliegenden Kontext bedeutet der Ausdruck "Halbleitersubstrat" oder "halbleitendes Substrat" jeden Aufbau, der ein halbleitendes Material, wie z.B. massive halbleitende Stoffe wie etwa einen halbleitenden Wafer (allein oder zusammen mit darauf aufgebrachten anderen Stoffen) und halbleitende Schichten (allein oder zusammen mit andere Stoffe umfassenden Schichten), ohne darauf beschränkt zu sein, bedeuten. Der Ausdruck "Substrat" bedeutet jede tragende Struktur einschließlich der oben beschriebenen halbleitenden Substrate, ohne darauf beschränkt zu sein. Auf dem Substrat12 wird eine erste leitende Kondensatorelektrodenschicht14 gebildet. Dafür kommt jedes geeignete leitende Material in Frage wie etwa beispielhaft leitend dotiertes Polysilicium, Platin, Titannitrid und andere bereits vorhandene oder noch zu entwickelnde Stoffe. Ein beispielhafter Dickenbereich für die Schicht14 beträgt 5 bis 100 nm. - In
2 ist das Substrat10 in einem Reaktionsgefäß zur chemischen Aufdampfung (nicht dargestellt) angeordnet. Wenigstens eine ein Metall umfassende Precursorverbindung, N2O und wenigstens ein Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx werden im Reaktionsgefäß unter Bedingungen auf ein Substrat10 aufgebracht, die für die Aufdampfung einer dielektrischen Schicht16 mit hohem K-Wert, die Sauerstoff und das Metall der wenigstens einen ein Metall umfassenden Precursorverbindung umfasst, auf das Substrat wirksam sind. N2O liegt im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 90 und < 100 Vol.-% bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vor. Vorzugsweise liegt N2O während des Teils der Aufdampfung bei ≥ 95 und < 100 Vol.-%, bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vor, vor allem jedoch in einer Konzentration von ≥ 99 und < 100 Vol.-%. - Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die dielektrische Schicht mit hohem K-Wert ein Titanat, wobei BST das bevorzugte Titanat ist. Ein weiteres Beispiel für dielektrische Stoffe mit hohem K-Wert sind:
SrTiO3 – ST BaTiO3 – BT Pb(Zr, Ti)O3 – PZT (Pb, La)(Zr, Ti)O3 – PLZT SrBi2Ta2O9 – SBT SrBi2Nb2O9 – SBN SrBi2(Nb, Ta)2O9 – SBNT Ta2O5(auch dotiertes Ta2O5, z.B. Ti-dotiertes Ta2O5) ZrO2 (auch Zirconiumsilicat) HfO2 (auch Hafniumsilicat). Ba(thd)2 – Bis(tetramethylheptandionat) Sr(thd)2 – Bis(tetramethylheptandionat) Ti(thd)2(O-i-Pr)2 – (Isopropoxid)-Bis(tetramethylheptandionat) Ba(thd)2 – Bis(tetramethylheptandionat) Sr(thd) – Bis(tetramethylheptandionat) Ti(dmae)4 – Bis(dimethylaminoethoxid) Ba(methd)2 – Bis(methoxyethoxid, tetramethylheptandionat) Sr(methd)2 – Bismethoxyethoxid, tetramethylheptandionat) Ti(mpd)(thd)2 – Bis(methylpentandiol, tetramethylheptandionat) Ba(dpm)2 – Bis(dipivaloylmethanoat) Sr(dpm)2 – Bis(dipivaloylmethanoat) TiO(dpm)2 – (Titanyl)bis(dipivaloylmethanoat) Ba(dpm)2 – Bis(dipivaloylmethanoat) Sr(dpm)2 – Bis(dipivaloylmethanoat) Ti(t-BuO)2(dpm)2 – (t-butoxy)bis(dipivaloylmethanoat) Ba(dpm)2 – Bis(dipivaloylmethanoat) Sr(dpm)2 – Bis(dipivaloylmethanoat) Ti(OCH3)2(dpm)2 – (Methoxy)bis(dipivaloylmethanoat) - Zusammen mit den Precursorverbindungen können auch Addukte (z.B. Tetraglyme, Trietherdiamin, Pentamethyldiethylentriamin), Lösungsmittel (z.B. Butylacetat, Methanol, Tetrahydrofuran) und/oder andere Stoffe verwendet werden.
- Auf der Elektrodenschicht
14 können vor der Aufdampfung der Schicht16 leitende Stoffe, dielektrische Barrieren oder andere Stoffe aufgebracht werden. Nach der Bildung der dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert können vor der Herstellung einer nachfolgenden Kondensatorelektrodenschicht eine leitende Schicht oder eine dielektrische Barriereschicht aufgebracht werden. - Der Teil der Beschichtung, welcher die angeführte hohe(n) Konzentration(en) an N2O aufweist kann den kleineren Teil oder den Hauptanteil der Beschichtung oder die gesamte Beschichtung ausmachen, welche die exemplarisch beschriebene Schicht
16 bildet. Ferner können die Bedingungen während der Abscheidung wenigstens die Aufdampfung unter Plasmabedingungen oder bei "remote" Plasma oder ohne jegliches Plasma bzw. "remote" Plasma umfassen. Vorzugsweise beträgt bei der Schicht16 die Aufdampfungsdicke höchstens 50 nm, vorzugsweise höchstens 30 nm und insbesondere höchstens 20 nm. - Lediglich beispielhaft und für den Fall, dass die Precursorverbindungen organische Metallprecursorverbindungen umfassen, beträgt die Fließgeschwindigkeit für die einzelnen Precursorverbindungen 10 bis 1000 mg/min an flüssiger Zuspeisung zu einem geeigneten Verdampfer. Vorzugsweise beträgt die Fließgeschwindigkeit für N2O 100 bis 4000 cm3/min, vor allem 500 bis 2000 cm3/min und insbesondere 750 bis 1250 cm3/min. Derartige Fließgeschwindigkeiten und praktische Ausführungsbeispiele sind jeweils bezogen auf einen Applied Materials Centura FrameTM-Prozessor. Der bevorzugte Druckbereich liegt zwischen 13,32 Pa (100 mTorr) und 2,66 kPa (20 Torr) und vorzugsweise zwischen 133,3 Pa (1 Torr) und 799,4 Pa (6 Torr). Die Substrathaltertemperatur beträgt vorzugsweise 400 bis 700°C und entspricht insbesondere dem Wert von 550°C oder einem darunter liegenden Wert, um eine Kontinuität in der abgeschiedenen Schicht bei einer Dicke von 20 nm oder darunter und vorzugsweise von mindestens 5 nm zu erreichen. Insbesondere wird die Substrathaltertemperatur bei einem Wert von 550°C oder darunter während der gesamten Dauer der Aufdampfung zur Bildung der Schicht
16 gehalten, unabhängig davon, ob das N2O während der gesamten Aufdampfungsdauer in der (den) festgelegten Konzentration(en) vorliegt. - Die Bedingungen sind außerdem bevorzugt wirksam für die Bildung einer Außenfläche aus einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert am Ende des Teils der Aufdampfung, um eine Rauhigkeit von höchstens 2 nm und insbesondere von höchstens 1,5 nm zu erreichen, wie sie aufgrund der durchschnittlichen AFM-RMS-Rauhigkeit ermittelt werden kann.
2 beschreibt eine dielektrische Schicht16 mit hohem K-Wert mit einer Außenfläche18 .3 beschreibt die Bildung einer zweiten Kondensatorelektrodenschicht20 auf der dielektrischen Kondensatorschicht16 mit hohem K-Wert und bei der bevorzugten Ausführungsform im Kontakt mit einer Außenfläche18 . Die exemplarische Dicke für die Schicht20 beträgt 20 nm. Wie oben angegeben können entsprechend einer anderen Verarbeitung eine leitende Schicht oder eine dielektrische Barriereschicht oder eine Schicht aus anderen Stoffen zwischen der dielektrischen Kondensatorschicht16 mit hohem K-Wert und der zweiten Kondensatorplatte20 angeordnet sein. Ferner kann die Oberfläche18 gegebenenfalls die erwünschte festgestellte Rauhigkeit aufweisen, und zwar jeweils in Abhängigkeit von der (den) bevorzugten hohen Konzentration(en) an N2O am Ende der Aufdampfung zur Bildung der Schicht16 . - Vorzugsweise beträgt die Dicke des gesamten dielektrischen Kondensatormaterials zwischen der ersten Kondensatorelektrodenschicht
14 und der zweiten Kondensatorelektrodenschicht20 höchstens 50 nm, vor allem höchstens 30 nm und insbesondere höchstens 20 nm. - Ein Praxisbeispiel entsprechend dem Applied Materials Centura Frame-Prozessor umfasst eine Substrathaltertemperatur von 500°C und einen Kammerdruck von 266,6 Pa (2 Torr). Die Precursorverbindung fließt zum Verdampfer, und zwar Ba(thd)2 und Sr(thd)2 bei 25 mg/min, Ti(thd)2(O-i-Pr)2 bei 85 mg/min, Ar bei 150 cm3/min und Ar als Träger aus dem Verdampfer bei 200 cm3/min und N2O zum Reaktionsgefäß bei 1200 cm3/min. Die Ampullen für die Precursorflüssigkeit wiesen Raumtemperatur auf und der Verdampfer hatte eine Temperatur von 280°C. Die Aufdampfungsgeschwindigkeit betrug ca. 2 nm/min zur Bildung einer 25 nm dicken Schicht. Die erzeugte Schicht war kontinuierlich und angemessen abgeschieden und wies eine ermittelte Oberflächenrauhigkeit von 1 nm auf.
Claims (17)
- Verfahren der chemischen Aufdampfung zur Bildung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert, das folgende Stufen umfasst: ein Substrat wird in einem Reaktionsgefäß für die chemische Dampfabscheidung positioniert und wenigstens eine ein Metall umfassende Precursorverbindung, N2O, und wenigstens ein Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx, werden im Reaktionsgefäß unter Bedingungen auf das Substrat aufgebracht, die für die Aufdampfung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert, die Sauerstoff und das Metall der wenigstens einen ein Metall umfassenden Precursorverbindung umfasst, auf das Substrat wirksam sind, wobei das N2O im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 90 und < 100 Vol.-%, bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vorgelegt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das N2O im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 95 Vol.-% bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vorgelegt wird.
- Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das N2O im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 99 Vol.-% bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vorgelegt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Bedingungen des Teils der Aufdampfung während eines Hauptteils aufrechterhalten werden.
- Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Bedingungen des Teils der Aufdampfung während der gesamten Aufdampfung aufrechterhalten werden.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Substrat auf einen Substrathalter aufgebracht wird und während des Teils der Aufdampfung eine Substrathaltertemperatur von unter oder gleich 550°C eingehalten wird.
- Verfahren nach Anspruch 6, bei dem das Substrat auf einen Substrathalter aufgebracht wird und während der gesamten Aufdampfung eine Substrathaltertemperatur von unter oder gleich 550°C eingehalten wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem zumindest ein Plasma insbesondere ein "remote" Plasma eingesetzt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem als dielektrische Schicht mit hohem K-Wert ein Titanat abgeschieden wird.
- Verfahren zur Bildung eines Kondensators, das folgende Stufen umfasst: eine erste Kondensatorelektrodenschicht wird auf einem Substrat gebildet, das Substrat mit der ersten Kondensatorelektrodenschicht wird in einem Reaktionsgefäß zur chemischen Aufdampfung positioniert, wenigstens eine eine Metall umfassende Precursorverbindung, N2O und wenigstens ein Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx, werden im Reaktionsgefäß unter Bedingungen auf das Substrat aufgebracht wird, die für die Aufdampfung einer dielektrischen Schicht mit hohem K-Wert, die Sauerstoff und das Metall der wenigstens einen ein Metall umfassenden Precursorverbindung umfasst, auf das Substrat wirksam sind, wobei das N2O im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 90 und < 100 Vol.-%, bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vorgelegt wird, und eine zweite Kondensatorelektrodenschicht über der dielektrischen Kondensatorschicht mit hohem K-Wert gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die zweite Kondensatorelektrodenschicht auf der Kondensatorschicht mit hohem K-Wert gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die zweite Kondensatorelektrodenschicht auf der Außenfläche gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der dielektrische Kondensatorstoff zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorelektrodenschicht mit höchstens 50 nm Dicke abgeschieden wird.
- Verfahren nach Anspruch 13, bei dem der dielektrische Kondensatorstoff zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorelektrodenschicht mit höchstens 30 nm Dicke abgeschieden wird.
- Verfahren nach Anspruch 14, bei dem der dielektrische Kondensatorstoff zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorelektrodenschicht mit höchstens 20 nm abgeschieden wird.
- Verfahren nach Anspruch 10, 13 oder 14 bei dem das N2O im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 95 Vol.-% bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vorgelegt wird.
- Verfahren nach Anspruch 16, bei dem das N2O im Reaktionsgefäß zumindest während eines Teils der Aufdampfung bei ≥ 99 Vol.-% bezogen auf das Gas, das aus N2O und wenigstens einem Gas aus der Gruppe bestehend aus NO und NOx besteht und in den Reaktor eingespritzt wird, vorgelegt wird.
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