JP3013455B2 - 酸化タンタル膜のプラズマ化学気相成長法 - Google Patents
酸化タンタル膜のプラズマ化学気相成長法Info
- Publication number
- JP3013455B2 JP3013455B2 JP3016208A JP1620891A JP3013455B2 JP 3013455 B2 JP3013455 B2 JP 3013455B2 JP 3016208 A JP3016208 A JP 3016208A JP 1620891 A JP1620891 A JP 1620891A JP 3013455 B2 JP3013455 B2 JP 3013455B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- vapor deposition
- chemical vapor
- film
- tantalum oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高誘電率容量絶縁膜とし
ての酸化タンタル膜のプラズマ化学気相成長法に関す
る。
ての酸化タンタル膜のプラズマ化学気相成長法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】６４Ｍビット以上のＤＲＡＭの容量部を
形成するためには、誘電率の大きい酸化タンタル容量絶
縁膜が必要である。この酸化タンタル膜を成長する方法
としては、スパッタ法や化学気相成長法（以下ＣＶＤ法
という）が用いられている。
形成するためには、誘電率の大きい酸化タンタル容量絶
縁膜が必要である。この酸化タンタル膜を成長する方法
としては、スパッタ法や化学気相成長法（以下ＣＶＤ法
という）が用いられている。
【０００３】ＣＶＤ法としては、タンタルペンタエトシ
キドと酸素とを用いた熱化学気相成長法がエッチ・シン
リキ（Ｈ．Ｓｈｉｎｒｉｋｉ）らにより、１９８９シン
ポジウム オン ＶＬＳＩ テクノロジィ ダイジェス
ト オブ テクニカル ペーパーズ（１９８９ ＳＹＭ
ＰＯＳＩＵＭ ＯＮ ＶＬＳＩ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ
ＤＩＧＥＳＴ ＯＦ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＰＡＰＥ
ＲＳ）２５頁に報告されている。
キドと酸素とを用いた熱化学気相成長法がエッチ・シン
リキ（Ｈ．Ｓｈｉｎｒｉｋｉ）らにより、１９８９シン
ポジウム オン ＶＬＳＩ テクノロジィ ダイジェス
ト オブ テクニカル ペーパーズ（１９８９ ＳＹＭ
ＰＯＳＩＵＭ ＯＮ ＶＬＳＩ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ
ＤＩＧＥＳＴ ＯＦ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＰＡＰＥ
ＲＳ）２５頁に報告されている。
【０００４】また塩化タンタル（ＴａＣｌ5 ）と酸化二
窒素（Ｎ2 Ｏ）とを用いたプラズマ化学気相成長法がワ
イ・ヌマサワ（Ｙ．Ｎｕｍａｓａｗａ）らにより、イン
ターナショナル エレクトロン デバイシス ミーティ
ング １９８９ テクニカルダイジェスト（ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ
ｍｅｅｔｉｎｇ １９８９ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ Ｄ
ＩＧＥＳＴ）４３頁に報告されている。
窒素（Ｎ2 Ｏ）とを用いたプラズマ化学気相成長法がワ
イ・ヌマサワ（Ｙ．Ｎｕｍａｓａｗａ）らにより、イン
ターナショナル エレクトロン デバイシス ミーティ
ング １９８９ テクニカルダイジェスト（ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ
ｍｅｅｔｉｎｇ １９８９ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ Ｄ
ＩＧＥＳＴ）４３頁に報告されている。
【０００５】その中でも特性の優れた酸化タンタル膜を
形成できる方法はプラズマ化学気相成長法である。図３
に従来のプラズマＣＶＤ装置の構成図を示す。塩化タン
タル（ＴａＣｌ5 ）の固体ソースを温調器１０８で加熱
し、Ａｒガスキャリアーによりフィルタ１０６を介して
酸化二窒素ガスと共にプラズマ反応室１０１に導入し、
高周波（ＲＦ）発生器１０４により、プラズマ電極１０
２とＳｉ基板１１１をを保持するサセプタ１０３間にプ
ラズマを発生させ、酸化タンタル膜をＳｉ基板１１１に
成長させる。
形成できる方法はプラズマ化学気相成長法である。図３
に従来のプラズマＣＶＤ装置の構成図を示す。塩化タン
タル（ＴａＣｌ5 ）の固体ソースを温調器１０８で加熱
し、Ａｒガスキャリアーによりフィルタ１０６を介して
酸化二窒素ガスと共にプラズマ反応室１０１に導入し、
高周波（ＲＦ）発生器１０４により、プラズマ電極１０
２とＳｉ基板１１１をを保持するサセプタ１０３間にプ
ラズマを発生させ、酸化タンタル膜をＳｉ基板１１１に
成長させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記プラ
ズマ化学気相成長法では、容量値が１平方μｍ当り１０
ｆＦ以上の容量絶縁膜を形成することができないという
問題があった。その原因は成膜過程、特に成膜初期過程
における酸化反応性プラズマスパッタリングにより、容
量電極としてのＳｉ基板１１１あるいはＳｉ基板上の多
結晶シリコン層の表面が酸化され、厚さ１〜３ｎｍの酸
化シリコン膜が形成されるため、容量絶縁膜がこの酸化
シリコン膜と酸化タンタル膜との２層膜となるためであ
る。
ズマ化学気相成長法では、容量値が１平方μｍ当り１０
ｆＦ以上の容量絶縁膜を形成することができないという
問題があった。その原因は成膜過程、特に成膜初期過程
における酸化反応性プラズマスパッタリングにより、容
量電極としてのＳｉ基板１１１あるいはＳｉ基板上の多
結晶シリコン層の表面が酸化され、厚さ１〜３ｎｍの酸
化シリコン膜が形成されるため、容量絶縁膜がこの酸化
シリコン膜と酸化タンタル膜との２層膜となるためであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の酸化タンタル膜
のプラズマ化学気相成長方法は、塩化タンタル材料ガス
と酸化二窒素とを用い電極に高周波を印加してシリコン
層上に容量絶縁膜としての酸化タンタル膜を形成するプ
ラズマ化学気相成長方法において、電極に印加する前記
高周波の強度を複数の段階で変化させ、かつその強度を
膜形成開始から膜形成終了に向けて順次大きくし、シリ
コン層と酸化タンタル膜との界面に形成される酸化シリ
コン膜の厚さを減少させるものである。
のプラズマ化学気相成長方法は、塩化タンタル材料ガス
と酸化二窒素とを用い電極に高周波を印加してシリコン
層上に容量絶縁膜としての酸化タンタル膜を形成するプ
ラズマ化学気相成長方法において、電極に印加する前記
高周波の強度を複数の段階で変化させ、かつその強度を
膜形成開始から膜形成終了に向けて順次大きくし、シリ
コン層と酸化タンタル膜との界面に形成される酸化シリ
コン膜の厚さを減少させるものである。
【０００８】本発明によれば、成膜初期過程のプラズマ
強度を小さくできるため、酸化反応性プラズマスパッタ
リングにより形成される酸化シリコン膜の厚さを減少さ
せることができる。
強度を小さくできるため、酸化反応性プラズマスパッタ
リングにより形成される酸化シリコン膜の厚さを減少さ
せることができる。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を説明するためのプラズマ
ＣＶＤ装置の構成図である。
る。図１は本発明の一実施例を説明するためのプラズマ
ＣＶＤ装置の構成図である。
【００１０】図３に示した、従来のプラズマＣＶＤ装置
と大きく異なる点は、プラズマ形成用の高周波（ＲＦ）
の強度を複数の階段で変化させ、かつその強度を膜形成
開始から膜形式終了に向けて順次大きくするためのＲＦ
パワー制御器１２０を有することである。
と大きく異なる点は、プラズマ形成用の高周波（ＲＦ）
の強度を複数の階段で変化させ、かつその強度を膜形成
開始から膜形式終了に向けて順次大きくするためのＲＦ
パワー制御器１２０を有することである。
【００１１】このプラズマＣＶＤ装置を用い、本発明に
基づく酸化タンタル膜のプラズマ気相成長を行なった実
施例は以下の通りである。材料ソースである塩化タンタ
ル（ＴａＣｌ5 ）は、温調器１０７により固体ソースで
ある塩化タンタルボンベ１０８を１６０℃に加熱して温
調した後、Ａｒキャリアガスによりプラズマ反応室１０
１に導入される。酸化用ガスである酸化二窒素（Ｎ
2 Ｏ）は、酸化二窒素ボンベ１０９からプラズマ反応室
１０１導入直前で塩化タンタルガスと混合される。流量
条件としては塩化タンタルガスを１０ＳＣＣＭ，酸化二
窒素ガスを１００ＳＣＣＭ，また、圧力を０．６Ｔｏｒ
ｒに設定した。Ｓｉ基板１１１は４５０℃に加熱した。
基づく酸化タンタル膜のプラズマ気相成長を行なった実
施例は以下の通りである。材料ソースである塩化タンタ
ル（ＴａＣｌ5 ）は、温調器１０７により固体ソースで
ある塩化タンタルボンベ１０８を１６０℃に加熱して温
調した後、Ａｒキャリアガスによりプラズマ反応室１０
１に導入される。酸化用ガスである酸化二窒素（Ｎ
2 Ｏ）は、酸化二窒素ボンベ１０９からプラズマ反応室
１０１導入直前で塩化タンタルガスと混合される。流量
条件としては塩化タンタルガスを１０ＳＣＣＭ，酸化二
窒素ガスを１００ＳＣＣＭ，また、圧力を０．６Ｔｏｒ
ｒに設定した。Ｓｉ基板１１１は４５０℃に加熱した。
【００１２】更に本実施例においては、膜形成のための
プラズマ形成用のＲＦパワーは、図２に示す様に、３段
階で変化させた。すなわち、最初の６０秒間は０．１Ｗ
／ｃｍ2 のパワーを、続いての３０秒間は０．２Ｗ／ｃ
ｍ2 のパワーを、そして最後の１００秒間は０．５Ｗ／
ｃｍ2 のパワーを、ＲＦパワー制御器１２０及びＲＦ発
生器１０４によりプラズマ電極１０２とサセプタ１０３
間に印加した。
プラズマ形成用のＲＦパワーは、図２に示す様に、３段
階で変化させた。すなわち、最初の６０秒間は０．１Ｗ
／ｃｍ2 のパワーを、続いての３０秒間は０．２Ｗ／ｃ
ｍ2 のパワーを、そして最後の１００秒間は０．５Ｗ／
ｃｍ2 のパワーを、ＲＦパワー制御器１２０及びＲＦ発
生器１０４によりプラズマ電極１０２とサセプタ１０３
間に印加した。
【００１３】以上のプロセスで容量電極としてのＳｉ基
板（またはＳｉ基板上の多結晶シリコン層）に膜を形成
し、本発明の有効性を調べた結果を次に説明する。酸化
タンタル膜とＳｉ基板の界面を調べるために透過電子顕
微鏡を用いた。従来のプラズマＣＶＤ法を用いた場合、
界面に厚さ約２．５ｎｍの酸化シリコン膜が形成される
のに対し、本実施例によれば、界面に形成される酸化シ
リコン膜の厚さは１ｎｍ以下と非常に薄いものになって
いた。
板（またはＳｉ基板上の多結晶シリコン層）に膜を形成
し、本発明の有効性を調べた結果を次に説明する。酸化
タンタル膜とＳｉ基板の界面を調べるために透過電子顕
微鏡を用いた。従来のプラズマＣＶＤ法を用いた場合、
界面に厚さ約２．５ｎｍの酸化シリコン膜が形成される
のに対し、本実施例によれば、界面に形成される酸化シ
リコン膜の厚さは１ｎｍ以下と非常に薄いものになって
いた。
【００１４】さらに、本実施例により厚さ約７ｎｍの酸
化タンタル膜を多結晶シリコン電極上に形成し、続いて
アルミプレート電極を形成し、その容量部特性を電気的
に評価した結果、Ｃ−Ｖ特性（容量−電圧特性）測定か
ら１平方μｍ当り１８ｆＦのキャパシターが実現できる
ことが確認された。
化タンタル膜を多結晶シリコン電極上に形成し、続いて
アルミプレート電極を形成し、その容量部特性を電気的
に評価した結果、Ｃ−Ｖ特性（容量−電圧特性）測定か
ら１平方μｍ当り１８ｆＦのキャパシターが実現できる
ことが確認された。
【００１５】尚、上記実施例においては印加するＲＦパ
ワーを３段階に分けて順次高くして行った場合について
説明したが、これに限定されるものではなく、４段階以
上のに分けて印加してもよいことは勿論である。
ワーを３段階に分けて順次高くして行った場合について
説明したが、これに限定されるものではなく、４段階以
上のに分けて印加してもよいことは勿論である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、塩化タン
タル材料ガスと酸化二窒素とを用いた、酸化タンタル膜
のプラズマ化学気相成長法において、プラズマ形成用の
高周波の強度を複数段階で変化させ、かつその強度を順
次大きくすることにより酸化タンタル膜とＳｉ基板との
間にできる酸化シリコン膜の厚さを１ｎｍ以下に減少さ
せることができる。従って１平方μｍ当り１０ｆＦ以上
の容量絶縁膜を形成できるという効果がある。このた
め、高容量のキャパシターを必要とする。６４Ｍビット
以上のＤＲＡＭを製造することができる。
タル材料ガスと酸化二窒素とを用いた、酸化タンタル膜
のプラズマ化学気相成長法において、プラズマ形成用の
高周波の強度を複数段階で変化させ、かつその強度を順
次大きくすることにより酸化タンタル膜とＳｉ基板との
間にできる酸化シリコン膜の厚さを１ｎｍ以下に減少さ
せることができる。従って１平方μｍ当り１０ｆＦ以上
の容量絶縁膜を形成できるという効果がある。このた
め、高容量のキャパシターを必要とする。６４Ｍビット
以上のＤＲＡＭを製造することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのプラズマＣ
ＶＤ装置の構成図である。
ＶＤ装置の構成図である。
【図２】本発明の実施例で印加されるＲＦパワーの時間
変化を示す図である。
変化を示す図である。
【図３】従来例を説明するためのプラズマＣＶＤ装置の
構成図である。
構成図である。
１０１ プラズマ反応室 １０２ プラズマ電極 １０３ サセプタ １０４ ＲＦ発生器 １０５ 配管ヒーター １０６ フィルタ １０７ 温調器 １０８ 塩化タンタルボンベ １０９ 酸化二窒素ボンベ １１０ 排気部 １２０ ＲＦパワー制御器
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/316 H01L 21/822 H05H 1/46
Claims (1)
- 【請求項１】 塩化タンタル材料ガスと酸化二窒素とを
用い電極に高周波を印加してシリコン層上に容量絶縁膜
としての酸化タンタル膜を形成するプラズマ化学気相成
長方法において、電極に印加する前記高周波の強度を複
数の段階で変化させ、かつその強度を膜形成開始から膜
形成終了に向けて順次大きくし、シリコン層と酸化タン
タル膜との界面に形成される酸化シリコン膜の厚さを減
少させることを特徴とする酸化タンタル膜のプラズマ化
学気相成長方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016208A JP3013455B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 酸化タンタル膜のプラズマ化学気相成長法 |
| US07/825,975 US5256455A (en) | 1991-02-07 | 1992-01-27 | Method of forming film of tantalum oxide by plasma chemical vapor deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016208A JP3013455B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 酸化タンタル膜のプラズマ化学気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255221A JPH04255221A (ja) | 1992-09-10 |
| JP3013455B2 true JP3013455B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=11910100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3016208A Expired - Fee Related JP3013455B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 酸化タンタル膜のプラズマ化学気相成長法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5256455A (ja) |
| JP (1) | JP3013455B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665640A (en) | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| US5628829A (en) | 1994-06-03 | 1997-05-13 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films |
| TW345742B (en) * | 1997-11-27 | 1998-11-21 | United Microelectronics Corp | Method for producing integrated circuit capacitor |
| US5970382A (en) * | 1998-01-26 | 1999-10-19 | Ag Associates | Process for forming coatings on semiconductor devices |
| US6294807B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-09-25 | Agere Systems Guardian Corp. | Semiconductor device structure including a tantalum pentoxide layer sandwiched between silicon nitride layers |
| DE19921744B4 (de) * | 1999-05-11 | 2008-04-30 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Transport von mindestens einer dampfförmigen Substanz durch die Wand einer Vakuumkammer in die Vakuumkammer sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und deren Verwendung |
| KR100358066B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
| US6943392B2 (en) * | 1999-08-30 | 2005-09-13 | Micron Technology, Inc. | Capacitors having a capacitor dielectric layer comprising a metal oxide having multiple different metals bonded with oxygen |
| US6444478B1 (en) | 1999-08-31 | 2002-09-03 | Micron Technology, Inc. | Dielectric films and methods of forming same |
| US6335049B1 (en) * | 2000-01-03 | 2002-01-01 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods of forming a high K dielectric layer and methods of forming a capacitor |
| US6558517B2 (en) * | 2000-05-26 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Physical vapor deposition methods |
| US6566147B2 (en) * | 2001-02-02 | 2003-05-20 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling deposition of dielectric films |
| US6838122B2 (en) | 2001-07-13 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods of forming barium strontium titanate comprising dielectric layers |
| US20030017266A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Cem Basceri | Chemical vapor deposition methods of forming barium strontium titanate comprising dielectric layers, including such layers having a varied concentration of barium and strontium within the layer |
| US7011978B2 (en) | 2001-08-17 | 2006-03-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitor constructions comprising perovskite-type dielectric materials with different amount of crystallinity regions |
| KR100444303B1 (ko) | 2001-12-31 | 2004-08-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2588388B2 (ja) * | 1986-08-08 | 1997-03-05 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 被膜作製方法 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3016208A patent/JP3013455B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-01-27 US US07/825,975 patent/US5256455A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5256455A (en) | 1993-10-26 |
| JPH04255221A (ja) | 1992-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3013455B2 (ja) | 酸化タンタル膜のプラズマ化学気相成長法 | |
| US5412246A (en) | Low temperature plasma oxidation process | |
| JPH07118855A (ja) | 複合被膜を沈積する方法 | |
| KR920018872A (ko) | 반도체 디바이스에 있어서의 유전체막(誘電體膜)의 형성방법 | |
| JPH0661449A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0211012B2 (ja) | ||
| KR960005681B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 캐패시터 제조방법 | |
| KR20020095194A (ko) | 유전체막의 형성 방법 | |
| JP3046643B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04350167A (ja) | 高誘電体薄膜の製造方法 | |
| JPH05167008A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0641631B2 (ja) | 酸化タンタル膜の化学気相成長法および化学気相成長装置 | |
| JPH05243524A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2611466B2 (ja) | 容量絶縁膜の形成方法 | |
| JP3071284B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3529466B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2830705B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3130757B2 (ja) | キャパシタ電極用薄膜の形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2003218106A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05114698A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6150226A (en) | Semiconductor processing methods, methods of forming capacitors, methods of forming silicon nitride, and methods of densifying silicon nitride layers | |
| JP3449736B2 (ja) | メタルプラグの形成方法 | |
| JPS6358843A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3225694B2 (ja) | 窒化シリコン膜の形成方法およびｃｖｄ装置 | |
| JPH05267220A (ja) | 半導体装置の密着層及びメタルプラグ形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991116 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |