DE10128630A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer TrennmaschineInfo
- Publication number
- DE10128630A1 DE10128630A1 DE10128630A DE10128630A DE10128630A1 DE 10128630 A1 DE10128630 A1 DE 10128630A1 DE 10128630 A DE10128630 A DE 10128630A DE 10128630 A DE10128630 A DE 10128630A DE 10128630 A1 DE10128630 A1 DE 10128630A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- single crystal
- orientation
- separating
- plane
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
- B28D5/0088—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being angularly adjustable
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
- G01N23/20016—Goniometers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Es wird eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene (100) relativ zu einer Kristalloberfläche (2) bereitgestellt, bei dem die Orientierung frei von Klebefehlern des Kristalls oder Verunreinigungen der Halterungen für den Kristall ist. Hierzu wird der Winkel, den die zu vermessende Kristalloberfläche mit einer Bezugsachse einschließt und der Winkel, den die kristallografische Ebene mit der Bezugsachse einschließt, gemessen und die Differenz gebildet. In einer Drahtsägevorrichtung mit einer X-Y-Positionierungseinheit wird anschließend die gewünschte Korrektur anhand der Messung der Orientierung vorgenommen und dabei der Kristall in horizontaler und vertikaler Position verstellt. Dadurch bleibt ein weiterer Freiheitsgrad der Drehung des Kristalls in der Trennebene zum Erreichen eines Schnitts der senkrecht zur Vorschubrichtung und Drahtrichtung kräftefrei ist, so daß keine Werkzeugauslenkung erfolgt bzw. die Schnittkräfte minimal sind. Ferner ist die Orientierungsgenauigkeit erhöht.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine.
- Für bestimmte Anwendungen werden Halbleiterwafer mit einer sogenannten Fehlorientierung benötigt. Wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, ist bei einem Halbleiterwafer 1 mit Fehlorientierung eine bestimmte kristallografische Ebene, z. B. die (100) Ebene nicht parallel zu der Waferoberfläche 2. Der Fehlorientierungswinkel φ ist in diesem Fall der Winkel, den der Vektor [100], der senkrecht auf der (100) Ebene steht, mit dem Normalenvektor NO, der senkrecht auf der Waferoberfläche 2 steht, einschließt. Wird eine derartige Fehlorientierung benötigt, so wird ein Einkristall, aus dem die Wafer geschnitten werden, um eine in der Trennebene, d. h. der Waferoberfläche 2, liegende Achse T um den vorbestimmten Winkel φ gekippt.
- Bei dem bekannten Verfahren des Innenlochsägens wird zum Erzeugen einer derartigen Fehlorientierung die Orientierung des Kristalls, der auf eine Werkstückhalterung aufgeklebt ist, mittels eines Röntgengoniometers durch Messung der Position des Bragg-Reflexes bezüglich der Werkstückhalterung gemessen. Über diese Halterung erfolgt die Aufnahme auf der Innenlochtrennsäge, die über einen horizontal und vertikal verstellbaren Support verfügt, an dem sich die gemessene Orientierung des Kristalls korrigieren oder auf den gewünschten Wert einstellen läßt. Die erste abgetrennte Scheibe wird nochmals auf einem Röntgengoniometer vermessen und der Support gegebenenfalls nachkorrigiert. Ungenauigkeiten in der Orientierung, die beim Einsetzen der Werkstückhalterung in die Innenlochsägevorrichtung entstehen, können somit nur durch erneutes Vermessen und Nachkorrigieren behoben werden.
- Bei dem bekannten Verfahren des Drahtsägens ist eine derartige Korrektur durch Nachmessen und erneutes Orientieren nicht möglich, da alle Wafer aus einem Einkristall gleichzeitig geschnitten werden. Wie aus Fig. 2a ersichtlich ist, ist beim Drahtsägen ein Einkristall 3 in einer in Fig. 2a nicht dargestellten Halterung gehalten, die über einen Antrieb einer Vorschubeinheit auf das Drahtfeld 4 einer Drahtsäge mit einer Vorschubgeschwindigkeit v hin bewegbar und wieder in die Ausgangsstellung zurückbewegbar ist. Die Drahtsäge besteht aus einer Vielzahl von parallel verlaufenden Drähten 4a, 4b, 4c, die über in Fig. 2 nicht dargestellte Rollen gespannt sind und in Ebenen senkrecht zur Mittenlängsachse M des Einkristalls 3 in den in Fig. 2a durch die Pfeile A und B gezeigten Richtungen bewegbar sind. Die Drahtsägevorrichtung umfaßt ferner ein Vorrichtungen 5 und 6 zum Aufbringen einer Siliciumcarbidkörner enthaltenden Paste auf die Drähte 4a, 4b, 4c auf jeder Seite des Einkristalls 3. Bei Drahtsägen mit galvanisch gebundenen Schneidkörnern ist ferner eine Vorrichtung zum Aufbringen eines Kühl-Schmiermittels vorgesehen.
- Es sind Drahtsägen mit einer Orientierungseinheit bekannt, die zum Einstellen der gewünschten Fehlorientierung, wie in Fig. 2b ersichtlich ist, ausschließlich eine Verstellung in einer Ebene parallel zur Ebene des Drahtfeldes 4 zuläßt. Dazu wird der Kristall außerhalb der Drahtsäge auf einem Röntgengoniometer vermessen und so auf eine Werkstückunterlage geklebt, daß die einzustellende Fehlorientierung in der horizontalen Ebene, also der in Fig. 1 gezeigte Winkel φ in einer Ebene parallel zum Drahtfeld 4 liegt. Die Meßwerte des Röntgengoniometers beziehen sich dabei auf eine Anschlagfläche der Werkstückunterlage, die dann an eine Bezugsfläche auf der Drahtsäge angelegt wird. Danach wird die gewünschte Orientierung horizontal eingestellt. Bei diesem Verfahren werden jedoch Fehler durch Verunreinigungen der Anschlag- bzw. Bezugsflächen sowie Klebefehler, die beim Kleben des Einkristalls auf die Werkstückunterlage auftreten, nicht erfaßt, da die Orientierungsmessung außerhalb der Maschine erfolgt. Ferner muß der Einkristall immer so gedreht werden, daß die einzustellende Fehlorientierung in der horizontalen Ebene parallel zu dem Drahtfeld 4 liegt. Dadurch richtet sich die Bearbeitungsrichtung nach der geforderten Fehlorientierung und kann sich deshalb von Einkristall zu Einkristall ändern.
- Aus der US 5,904,136 ist es bekannt, außerhalb einer Drahtsägevorrichtung den erforderlichen Kippwinkel zum Einstellen der Fehlorientierung in einer Kippvorrichtung vorzunehmen, wobei die Kristallorientierung mittels einer Röntgeneinrichtung bestimmt wird und anschließend der Kristall in der Kippvorrichtung in horizontaler und vertikaler Richtung relativ zu dem Drahtfeld gekippt wird. Eventuelle Fehler beim Einsetzen der Kippvorrichtung mitsamt dem Kristall in die Drahtsägevorrichtung können somit jedoch ebenfalls nicht behoben werden.
- Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine bereitzustellen, mit der bzw. mit dem es möglich ist, eine präzise Trennung durchzuführen und gleichzeitig die Ausbeute an Wafern beim Trennen des Einkristalls zu erhöhen.
- Die Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung gemäß dem Patentanspruch 1 bzw. 8 und durch ein Verfahren gemäß dem Patentanspruch 18 bzw. 19.
- Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Das Verfahren und die Vorrichtung haben den Vorteil, daß die Qualität der Wafer erhöht wird und daß beim Trennen höhere Vorschubgeschwindigkeiten ermöglicht werden. Durch die verbesserte Qualität der erzeugten Wafer können sonst übliche Nachbearbeitungsschritte weitgehend entfallen. Ferner kann die Orientierungsgenauigkeit erhöht werden.
- Es folgt die Beschreibung eines Ausführungsbeispieles anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
- Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Wafers;
- Fig. 2a eine schematische Darstellung einer Drahtsägevorrichtung mit einem zu trennenden Einkristall;
- Fig. 2b eine schematische Darstellung der Einstellung der Fehlorientierung in einer Drahtsägevorrichtung gemäß dem Stand der Technik;
- Fig. 3 eine schematische Darstellung der beim Drahtsägen auftretenden Kräfte;
- Fig. 4a bis 4d eine zweidimensionale grafische Darstellung von Warp und Bow von drahtgesägten Wafern in Abhängigkeit von der Bearbeitungsrichtung bei zwei verschiedenen Vorschubwerten;
- Fig. 5a eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche;
- Fig. 5b eine Ansicht eines in eine Sägehalterung eingesetzten Einkristalls in Richtung einer der Stirnflächen;
- Fig. 6 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Orientierungsvorrichtung in einer Drahtsägevorrichtung; und
- Fig. 7 eine schematische Darstellung eines Details von Fig. 6.
- Zum besseren Verständnis werden nachfolgend zuerst die beim Drahtsägen auf den Wafer wirkenden Kräfte anhand der Fig. 1 bis 4 beschrieben. Wie aus Fig. 3 ersichtlich ist, dringen beim Drahtsägen die Drähte 4a, 4b, 4c in den Einkristall 3 ein zum Abtrennen von Scheiben 1a, 1b, 1c etc., die die Wafer bilden. Die Diamantkörner der Drähte erzeugen beim Trennvorgang nach dem Erreichen einer kritischen Eindringtiefe in den Einkristall 3 Mikrorisse, die durch gegenseitige Vernetzung zum Materialabtrag führen. Diese kritische Eindringtiefe hängt von der Orientierung einer in der Waferoberfläche 2 liegenden bestimmten kristallografischen Richtung K, beispielsweise der [010] Richtung, relativ zu der Vorschubrichtung V ab, was nachfolgend erklär wird.
- Wie aus den Fig. 1 und 2a ersichtlich ist, weist der Einkristall 3 ein Orientierungsmerkmal in Form eines ebenen Außenflächenabschnittes 7 auf, den sogenannten Flat, der derart nach dem Züchten des Einkristalls 1 in definierter Weise angebracht worden ist, daß ein Winkel α, den die bestimmte kristallografische Richtung K mit der Normalen NF auf den ebenen Außenflächenabschnitt in der Waferoberfläche 2 bekannt ist. Da der Winkel α bekannt ist, ist somit auch ein Winkel ρ zwischen der bestimmten kristallografischen Richtung K und der Vorschubrichtung V des Einkristalls in einer Ebene senkrecht zur Mittenlängsachse M des Einkristalls und somit in der Trennebene bekannt. Es ist anzumerken, daß anstelle des Flats auch ein Notch genannter Einschnitt an der Außenseite des Einkristalls vorgesehen sein kann. Entscheidend ist lediglich ein äußeres Merkmal, dessen Anordnung zur bestimmten kristallografischen Richtung K bekannt ist.
- Wie aus Fig. 3 ersichtlich ist, sind beim Eindringen der Drähte 4a, 4b, 4c etc. in den Einkristall die auf jeden Draht wirkenden Kräfte Fx - bzw. Fx + aufgrund unterschiedlicher kritischer Lasten Lx + bzw. Lx - auf der Vorder- und Rückseite S bzw. S' eines Wafers 1a, 1b, 1c etc. unterschiedlich, so daß das auftretende Ungleichgewicht der Kräfte zu einer Drift eines Drahtes führt, bis die rücktreibende Kraft des gespannten Drahtes das Kräftegleichgewicht wiederhergestellt hat. Die kritischen Lasten sind physikalisch äquivalent den kritischen Eindringtiefen. Die Fig. 4a bis 4d zeigen jeweils den Warp bzw. den Bow für einen Wafer in Abhängigkeit von der Winkeleinstellung der bestimmten kristallografischen Richtung K relativ zu der Vorschubrichtung V. Daraus ergibt sich, daß ein kleiner Warp bzw. ein kleiner Betrag des Bowwertes, die angestrebt werden, entweder durch Verringerung der Vorschubgeschwindigkeit v oder, für eine hohe Vorschubgeschwindigkeit, durch Einstellen des Winkels der kristallografischen Richtung K relativ zu der Vorschubrichtung erreicht werden. Bei einer Vorschubgeschwindigkeit von 2 mm/min. werden beispielsweise minimale Bowwerte bei etwa 60°, 150°, 240° und 330° erreicht. Bei diesen Werten ist die resultierende Kraft, die aus der Summe der Zwangskräfte Fx - bzw. Fx + entsteht, minimal. Die bevorzugten Winkel, bei denen sich die oben beschriebenen Zwangskräfte kompensieren und die Drähte ohne Querauslenkung in den Einkristall eindringen, hängen von dem Material des Einkristalls, bzw. bei Halbleitern auch von der Dotierung, und von anderen Faktoren ab. Sie sind für jeden Einkristallwerkstoff empirisch zu bestimmen.
- Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Orientierung eines Einkristalls in der Trennmaschine, insbesondere in der Drahtsägevorrichtung ermöglicht die Ausnutzung dieses Effekts und gleichzeitig eine präzise Einstellung einer gewünschten Fehlorientierung φ.
- Wie aus Fig. 5a ersichtlich ist, weist die Vorrichtung zum Orientieren eines Einkristalls in einer Trennmaschine eine sich außerhalb der eigentlichen Trennmaschine befindliche Vorrichtung 10 zur Bestimmung des Winkels zwischen einer kristallografischen Ebene, beispielsweise der (100) Ebene und der Kristallstirnfläche 2 auf. Die Vorrichtung 10 weist eine Halterung 11 für den Einkristall 3 mit einer ebenen Oberfläche 11a auf, die bevorzugt als Vakuumchuck ausgebildet ist und bei der der im wesentlichen zylindrische Einkristall an einer Stirnfläche über das Einwirken von Unterdruck gehalten ist. Die azimutale Orientierung des Einkristalls, d. h. die Winkelstellung in der späteren Trennebene ist durch die Orientierung des Flats 7 bzw. anderen äußeren Merkmals in der Vorrichtung 10 definiert. Der Einkristall 3 ist dabei entweder auf einer Sägeunterlage 12 festgeklebt, mit der er später in die Drahtsägevorrichtung einsetzbar ist oder das Kleben erfolgt nach der Messung. Die Winkelstellung des an dem Einkristall 3 vorgesehenen Flats 7 relativ zu der Halterung 11 ist über einen Anschlag 13 so eingestellt, daß der Winkel ρ, den die bestimmte kristallografische Richtung K relativ zu der Vorschubrichtung in der Trennmaschine aufweist, wie in Fig. 5b ersichtlich ist, einen zuvor empirisch ermittelten Wert wie oben beschrieben, für die minimale Drahtauslenkung und damit maximal mögliche Vorschubgeschwindigkeit aufweist. Die Halterung 11 ist in vertikaler Richtung verfahrbar. Ferner ist die Halterung 11 mittels eines nicht dargestellten Rotationsmechanismus um ihre zentrale Achse, die parallel zur Mittenlängsachse des Einkristalls verläuft, drehbar. Gegenüberliegend bzw. oberhalb der freien Oberfläche 2 des Einkristalls, die die spätere Oberfläche des ersten abzutrennenden Wafers bildet, ist ein Autokollimationsfernrohr 14 vorgesehen, welches so positioniert ist, daß seine optische Achse O mit der Normalen auf die Oberfläche 11a der Halterung 11 zusammenfällt. Ferner ist ein Röntgengoniometer bestehend aus einer Röntgenröhre 15 und einem zugehörigen Detektor 16 vorgesehen, welches in einem vordefinierten Winkelbereich, beispielsweise von etwa 20° um einen Ursprungspunkt auf der Oberfläche 2 des Einkristalls verfahrbar ist. Ferner ist ein planparalleler optischer Spiegel 17 vorgesehen. Der Spiegel 17 ist mittels eines nicht dargestellten Vakuummechanismus auf der Stirnfläche 2 des Einkristalls befestigbar. Der Spiegel 17 ist ferner an der Stirnfläche 2 des Einkristalls 3 derart befestigbar, daß er auf der optischen Achse des Autokollimationsfernrohrs liegt. Der Meßbereich des Autokollimationsfernrohres beträgt etwa ±1°. Für den Fall, daß der Winkel, den die Kristallstirnfläche 2 relativ zu der ebenen Oberfläche 11a aufweist, diesen Meßbereich überschreitet, ist eine nicht dargestellte optische Keilplatte mit einem definierten Keilwinkel vorgesehen, die eine definierte Strahlablenkung von z. B. 2° bewirkt um die zu vermessende Oberfläche wieder in den Meßbereich zu bringen.
- Die Steuerung der Vorrichtung 10 ist so ausgebildet, daß automatisch zuerst eine Winkelmessung der Spiegelorientierung mit dem Autokollimationsfernrohr durchgeführt wird und anschließend eine Messung der gewünschten kristallografischen Ebene, beispielsweise der (100)-Netzebene mittels des Röntgengoniometers. Die Steuerung ist ferner so ausgebildet, daß in einem zweiten Schritt dieselben Messungen nochmals mit einem um 90° um die Mittenlängsachse M gedrehten Einkristall durchführbar sind.
- Wie aus den Fig. 6 und 7 ersichtlich ist, weist eine Vorrichtung zum Trennen des Einkristalls, die in diesem Ausführungsbeispiel als Drahtsägevorrichtung 20 ausgebildet ist, Drahtrollen 21 auf, über die das Drahtfeld 4 in horizontaler Richtung geführt ist und darunter befindliche Umlenkrollen 22 zum Rückführen des Drahtfeldes unterhalb der eigentlichen Drahtebene, in der die Trennung erfolgt. Oberhalb des Drahtfeldes 4 ist eine Vorschubeinheit 23 vorgesehen, mit der der Einkristall über die Sägeunterlage 12, die an einer X-Y- Positioniereinheit 24 befestigt ist, in vertikaler Richtung relativ zu dem Drahtfeld mit einer bestimmten Vorschubgeschwindigkeit v bewegbar ist. Die X-Y-Positioniereinheit 24 ist so ausgebildet, daß sie den Einkristall 3 bezogen auf ein maschinenseitiges Koordinatensystem XM, YM, ZM in einer Richtung parallel zum Drahtfeld 4, die die XM-Richtung ist, und in einer Richtung senkrecht zum Drahtfeld 4, die die YM-Richtung ist, verstellen kann. Der Schwenkbereich beträgt in XM- Richtung etwa ±5° und in YM-Richtung etwa ±2°. Es ist ferner ein Autokollimationsfernrohr 25, welches identisch zu dem Autokollimationsfernrohr 14 der Vorrichtung 10 ist, vorgesehen, dessen optische Achse O in einer Ebene parallel zum Drahtfeld 4 liegt. Das Autokollimationsfernrohr 25 ist ferner so angeordnet, daß seine optische Achse bei eingebautem Einkristall etwa in Höhe der Mittenachse des Einkristalls liegt. Zur Auswertung der Winkelmessung des Autokollimationsfernrohres ist eine Auswerteeinheit 26 vorgesehen.
- Ferner beinhaltet die Vorrichtung 20 einen Spiegel 27, der identisch zu dem Spiegel 17 der Vorrichtung 10 ist und der mittels eines nicht dargestellten Vakuummechanismus auf der dem Autokollimationsfernrohr 25 zugewandten Stirnfläche 2 des Einkristalls 3 befestigt ist. Ferner ist eine optische Keilplatte 28 in einer drehbaren Fassung 29 zum Erzeugen einer definierten Strahlablenkung von z. B. 2° vorgesehen. Spiegel 27 und Keilplatte 28 sind an einer Halterung 30, die den Vakuummechanismus beinhaltet, befestigt. Es ist ferner ein Anschlag 31 vorgesehen, der einen definierten Abstand des Spiegels 27 mit der Keilplatte 28 von der X-Y-Positioniervorrichtung 24 festlegt.
- Zum Justieren der gesamten Vorrichtung ist ferner eine Referenzfläche 32 vorgesehen, die an der Vorschubeinheit 23 gegenüberliegend dem Autokollimationsfernrohr 25 befestigt ist. Die Referenzfläche weist eine hohe Ebenheit und mechanische Stabilität auf und eine leicht zu reinigende Oberfläche, um Verschmutzungen vor der Messung leicht zu beseitigen. Mit Hilfe einer nicht dargestellten Kamera, die direkt auf der Referenzfläche montierbar ist, ist die Referenzfläche in der horizontalen Ebene parallel zum Drahtfeld 4 ausrichtbar.
- Der Betrieb der erfindungsgemäßen Vorrichtungen 10 und 20 ist wie folgt. Zuerst wird der Einkristall 3, wie in Fig. 5b gezeigt ist, mit dem Flat 7 unter Zuhilfenahme eines nicht dargestellten Anschlages in einer bestimmten Winkelorientierung zu der Sägeunterlage 12 auf diese aufgeklebt. Der Winkel wird dabei so gewählt, daß das Flat 7 in azimutaler Richtung derart orientiert ist, daß die bestimmte kristallografische Richtung K in einem vorgegebenen Winkel ρ zur Vorschubrichtung V steht, bei dem die auf den Draht wirkenden Zwangskräfte sich gegenseitig nahezu aufheben, um somit eine möglichst große Vorschubgeschwindigkeit einstellen zu können. Dann wird, wie in Fig. 5a gezeigt ist, der Einkristall 3 samt der Sägeunterlage 12 auf der Halterung 11 der Vorrichtung zum Bestimmen der Orientierung der kristallografischen Ebene relativ zur Stirnfläche 2 des Einkristalls mittels eines nicht dargestellten Vakuummechanismus eingesetzt. Der Vakuummechanismus erlaubt das direkte Aufliegen des Einkristalls 3 auf der Oberfläche 11a der Halterung 11. Anschließend wird die Halterung 11 in eine bestimmte Höhenposition verfahren, so daß sich die Stirnfläche 2 des Einkristalls in der Fokalebene des Röntgengoniometers befindet. Dann wird der Spiegel 17 mittels des Vakuummechanismus auf die Stirnfläche 2 aufgesetzt und fixiert. Anschließend wird mittels des Autokollimationsfernrohres 14 eine Winkelmessung der Spiegeloberfläche vorgenommen, indem eine Abweichung eines reflektierten Fadenkreuzes von dem auf die Spiegeloberfläche projizierten Fadenkreuz bestimmt wird. Da die Oberfläche des Spiegels 17 parallel zur Stirnfläche 2 des Einkristalls 3 orientiert ist und die optische Achse O des Autokollimationsfernrohres 14 senkrecht auf der Oberfläche 11a der Halterung 11, die die Bezugsfläche bildet, steht, läßt sich mit dieser Messung die Winkeleinstellung der Spiegeloberfläche bzw. der Stirnfläche des Einkristalls relativ zur Oberfläche 11a der Halterung 11 bestimmen.
- Alternativ wird der Einkristall ohne Sägeunterlage vermessen, wobei die Orientierung des Flat in der Röntgeneinrichtung beispielsweise durch einen Anschlag definiert wird.
- Die gewünschte kristallografische Ebene, beispielsweise die (100)-Ebene ist im allgemeinen nicht parallel zur Stirnfläche 2 des Einkristalls 3. Zur Bestimmung der Richtung der kristallografischen Ebene wird der Bragg-Reflex mit dem Röntgengoniometer 15, 16 gemessen, welches hierzu in einem definierten Winkelbereich verfahren wird. Die Röntgenröhre 15 und der Detektor 16 befinden sich hierzu in bekannter Weise in einem festen Winkelabstand zueinander und werden auf einem Kreisbogen in dem vorgegebenen Winkelbereich verfahren. Der Bragg- Reflex gibt den Winkel an, den die kristallografische Ebene mit der Oberfläche 11a der Halterung 11 einschließt. Die röntgengoniometrische Messung wird wiederholt, wobei der Einkristall um 90° gedreht wird. Durch die optische und röntgengoniometrische Messung werden zwei Vektoren erhalten, die Röntgenmeßwerte (x100, y100) und die optischen Meßwerte (xOF, YOF) bezüglich des Nullpunktes der Orientierungsanlage. Die Differenz der beiden Vektoren ergibt die Orientierung der kristallografischen (100)-Ebene zur Kristallstirnfläche 2 unabhängig von allen äußeren Bezugssystemen wie Kitleisten, Druckstücken, Befestigungschucks usw. Nach dieser Messung ist die Orientierung der kristallografischen (100)-Ebene bezüglich der Stirnfläche 2 des Einkristalls bekannt. Daraus ergeben sich Korrekturwerte für die X-Y-Positionierung in der Drahtsäge zur Einstellung einer gewünschten Fehlorientierung.
- Anschließend wird auf der Drahtsäge 20 mit Hilfe des identischen Autokollimationsfernrohres 25 und des identischen planparallelen Spiegels 27 die Position der Stirnfläche 2 an dem Kristall gemessen. Die Nullpunktsjustierung der X-Y- Positioniereinheit 24 in dem maschinenseitigen Koordinatensystem XM, YM erfolgt dabei mittels der Referenzfläche 23. In YM-Richtung, also in Vorschubrichtung wird die Justierung nur einmal werkseitig, beispielsweise mit einer Meßuhr, vorgenommen. Die Nullpunktsbestimmung in XM-Richtung, d. h. in der Drahtebene erfolgt bei jedem Rollenwechsel des Schneiddrahtes. Hierzu wird die Referenzfläche 32 am Drahtfeld horizontal ausgerichtet mit einer an der Referenzfläche befestigten Kamera die X-Position relativ zu einem Referenzdraht des Drahtfeldes bestimmt.
- Zur Justierung des Autokollimationsfernrohres 25 wird die Vorschubeinheit 23 in die Referenzposition verfahren, d. h. die Referenzfläche 32 befindet sich in der optischen Achse des Autokollimationsfernrohres 25, und der Spiegel 27 auf die Referenzfläche aufgesetzt sowie die Position des Autokollimationsfernrohres gemessen. Dann erfolgt eine elektronische Referenzierung anhand der Referenzfläche 32, wobei der Spiegel 27 mittels der Vakuumbefestigungsvorrichtung an die Referenzfläche 32 angesaugt wird. Dann wird der Spiegel 27 entfernt und die Vorschubeinheit in die Belade- bzw. Orientierungsposition gefahren und der Einkristall 3 mit der Sägeunterlage 12 befestigt. Sodann wird der Spiegel 27 an der Kristallstirnfläche 2 befestigt und die Winkeleinstellung der Stirnfläche 2 mit dem Autokollimationsfernrohr 25 gemessen. Dann werden die aus der Messung in der Vorrichtung 10 gewonnenen Korrekturwerte eingegeben und die horizontale und vertikale Positionseinstellung des Einkristalls vorgenommen, so daß die kristallografische Ebene den vorbestimmten Winkel zum Drahtfeld aufweist. Der Spiegel wird entfernt und die Trennung durchgeführt.
- Bei dem beschriebenen Verfahren bleibt die azimutale Winkeleinstellung der bestimmten kristallografischen Richtung K erhalten, und es kann mit hohen Vorschubgeschwindigkeiten im Vergleich zum Stand der Technik gearbeitet werden. Die Vorschubgeschwindigkeiten betragen beispielsweise für das Trennen eines 6-Zoll-GaAs Einkristalls etwa das vierfache verglichen mit der herkömmlichen Orientierung, bei der es nicht möglich ist, die azimutale Winkelposition geeignet einzustellen.
- In einer Abwandlung wird die gewünschte Fehlorientierung durch Vorsehen der Keilplatte berücksichtigt. In einer weiteren Abwandlung der erfindungsgemäßen Trennvorrichtung ist der Einkristall in der Trennvorrichtung um seine in Fig. 1 gezeigte Achse NO, die senkrecht auf der Waferoberfläche steht drehbar, um den optimalen Winkel zu Minimieren der Schnittkräfte einzustellen. Alternativ ist es auch möglich, den optimalen Winkel zum Minimieren der Schnittkräfte über ein Kippen des Drahtfeldes einzustellen. Bevorzugt ist dann eine Meßvorrichtung zu Messen der Auslenkung der Trennvorrichtung beim Schnitt vorgesehen.
- Anstelle des Ausschlags in der Meßvorrichtung 10 kann auch ein berührungsloses Abstandsmeßsystem zur Detektion der Orientierung des Flats verwendet werden.
- Sämtliche Fehler durch die Klebung oder Verunreinigung von Anschlägen, Bezugsflächen usw. entfallen, da auf der Drahtsägevorrichtung 20 direkt gemessen werden kann. Die beschriebene Vorrichtung und das Verfahren lassen eine hochgenaue direkte Messung auf der Drahtsäge ohne Sicherheitsrisiko zu. Ferner ist die Winkelmessung mit dem Autokollimationsverfahren unabhängig vom Meßabstand, so daß die Anbringung des Autokollimationsfernrohres 25 außerhalb des Trennraumes möglich ist. Zum Trennen kann dann die entsprechende Schutzhaube geschlossen werden. Die X-Y-Positionierungseinheit ermöglicht die vertikale und horizontale Einstellung der Komponenten der Fehlorientierung, so daß die Bearbeitungsrichtung des Kristalls jederzeit frei wählbar ist und als Regelgröße für die Drahtauslenkung genutzt werden kann.
- Die Erfindung ist nicht auf eine Drahtsägevorrichtung beschränkt, sondern kann beispielsweise auch in einer Innenlochtrennvorrichtung Verwendung finden.
Claims (21)
1. Vorrichtung zur Bestimmung der Orientierung einer
kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche,
mit einer Halterung (11) für den Einkristall (3), mit der der
Einkristall (3) so gehalten wird, daß seine zu vermessende
Oberfläche (2) freiliegt,
einer Winkelmeßvorrichtung (14, 17) zur Messung des Winkels, den die zu vermessende Oberfläche (2) relativ zu einer Bezugsachse der Halterung aufweist und
mit einer röntgenografischen Meßeinrichtung (15, 16) zur Bestimmung des Winkels der kristallografischen Ebene relativ zu der Bezugsachse.
einer Winkelmeßvorrichtung (14, 17) zur Messung des Winkels, den die zu vermessende Oberfläche (2) relativ zu einer Bezugsachse der Halterung aufweist und
mit einer röntgenografischen Meßeinrichtung (15, 16) zur Bestimmung des Winkels der kristallografischen Ebene relativ zu der Bezugsachse.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Einkristall (3) im wesentlichen zylindrisch ausgebildet
ist und die zu vermessende Oberfläche (2) eine Stirnfläche
des Zylinders ist und die Halterung (11) eine ebene Fläche
(11a) aufweist, auf die der Einkristall (3) mit seiner der zu
vermessenden Oberfläche gegenüberliegenden Stirnfläche
fixierbar ist und daß die Bezugsachse die Normale auf die ebene
Fläche (11a) ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Winkelmeßvorrichtung (14, 17) einen auf der zu
vermessenden Oberfläche (2) angeordneten Spiegel (17) und ein
Autokollimationsfernrohr (14) umfaßt, dessen optische Achse
(O) mit der Bezugsachse zusammenfällt.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die röntgenografische Meßeinrichtung als
Röntgengoniometer ausgebildet ist, welches eine Röntgenröhre
(15) und einen Detektor (16) umfaßt, die in einem
Winkelbereich um die Bezugsachse gemeinsam verfahrbar sind zum Messen
von Bragg-Reflexen für die kristallografische Ebene.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halterung (11) in Richtung der
Bezugsachse verfahrbar ist.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halterung (11) eine
Vakuumansaugvorrichtung zum Fixieren des Einkristalls (3) mittels Unterdruck
aufweist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß der Einkristall in der Halterung einen
Anschlag (13) aufweist, mit der der Einkristall (3) in einer
vorgegebenen Winkelorientierung in einer Ebene senkrecht zur
Bezugsachse fixierbar ist, wobei bevorzugt ein Anschlag (13)
vorgesehen ist.
8. Vorrichtung zum Trennen von Einkristallen mit
einer Trenneinrichtung (4) zum Abtrennen von Wafern von einem im wesentlichen zylindrisch ausgebildeten Einkristall (3) mit einer Mittenlängsachse (M),
einer in der Vorrichtung vorgesehenen Orientierungseinrichtung (24) zum Orientieren des Einkristalls relativ zu der Trenneinrichtung,
einer Vorschubeinrichtung (23) zum Bewegen des Kristalles (3) in einer Vorschubrichtung (V) im wesentlichen senkrecht zu seiner Mittenlängsachse relativ zu der Trenneineinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die Orientierungseinrichtung (24) so ausgebildet ist, daß der Einkristall (3) um eine durch die Vorschubrichtung definierte Achse und eine Achse, die senkrecht zu der Ebene ist, die durch die Mittenlängsachse (M) und die Vorschubrichtung (V) definiert ist, drehbar ist.
einer Trenneinrichtung (4) zum Abtrennen von Wafern von einem im wesentlichen zylindrisch ausgebildeten Einkristall (3) mit einer Mittenlängsachse (M),
einer in der Vorrichtung vorgesehenen Orientierungseinrichtung (24) zum Orientieren des Einkristalls relativ zu der Trenneinrichtung,
einer Vorschubeinrichtung (23) zum Bewegen des Kristalles (3) in einer Vorschubrichtung (V) im wesentlichen senkrecht zu seiner Mittenlängsachse relativ zu der Trenneineinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die Orientierungseinrichtung (24) so ausgebildet ist, daß der Einkristall (3) um eine durch die Vorschubrichtung definierte Achse und eine Achse, die senkrecht zu der Ebene ist, die durch die Mittenlängsachse (M) und die Vorschubrichtung (V) definiert ist, drehbar ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
die Trenneinrichtung als Drahtsäge mit einer Mehrzahl von
parallelen Drähten (4), die eine Drahtebene bilden, zum
Trennen ausgebildet ist und daß die Orientierungseinrichtung (24)
als X-Y-Positioniereinheit ausgebildet ist, mit der der
Einkristall in einer Ebene parallel zu der Drahtebene und
einer Ebene senkrecht zu der Drahtebene verstellbar ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
daß eine Winkelmeßvorrichtung vorgesehen ist zum Messen der
Orientierung einer Stirnfläche (2) des Einkristalls (3)
relativ zu der Drahtebene.
11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Winkelmeßvorrichtung einen auf der
Stirnfläche (2) des Einkristalls (3) befestigbaren Spiegel (27)
und ein Autokollimationsfernrohr (25) aufweist, dessen
optische Achse (O) senkrecht auf der Trennebene steht.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß der Spiegel (27) mittels einer Vakuumeinrichtung an der
Stirnfläche (2) des Einkristalls befestigbar ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Referenzvorrichtung (32, 25) für die
X-Y-Positionierungseinheit vorgesehen ist.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Keilplatte (28) mit einem
definierten Keilwinkel vorgesehen ist, zum Einstellen eines
vorgegebenen Winkeloffsets der X-Y-Orientierung des Einkristalls.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die Keilplatte (28) in der Trennebene um die
Mittenlängsachse des Einkristalls derart drehbar ist, daß eine bestimmte
azimutale Orientierung des Keilwinkels einstellbar ist.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Halterung (12) für den Einkristall
vorgesehen ist, mit der der Einkristall in der
Trennvorrichtung derart positioniert ist, daß ein vorbestimmtes äußeres
Merkmal des Einkristalls in einer vorbestimmten um die
Mittenlängsachse (M) gedrehten Position orientiert ist.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Dreheinrichtung zum Drehen des
Einkristalls um seine Mittenlängsachse vorgesehen ist und daß
bevorzugt eine Vorrichtung zur Messung der Auslenkung der
Trenneinrichtung beim Trennen vorhanden ist, die mit der
Dreheinrichtung gekoppelt ist.
18. Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer
kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche mit
den Schritten:
Messen des Winkels, den die Kristalloberfläche (2) mit einer Bezugsachse einschließt mittels eines Autokollimationsverfahrens,
Messen des Winkels der kristallografischen Ebene relativ zu der Bezugsachse mittels Röntgengoniometrie, und Bilden der Differenz der gemessenen Winkel.
Messen des Winkels, den die Kristalloberfläche (2) mit einer Bezugsachse einschließt mittels eines Autokollimationsverfahrens,
Messen des Winkels der kristallografischen Ebene relativ zu der Bezugsachse mittels Röntgengoniometrie, und Bilden der Differenz der gemessenen Winkel.
19. Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer
Trennmaschine in der eine Abtrennung von Wafern von dem
Einkristall durch Bewegung des Einkristalls in einer
Vorschubrichtung (V) relativ zu einer Trenneinrichtung erfolgt, mit den
Schritten:
Bestimmen des Winkels zwischen der kristallografischen Ebene und einer äußeren Oberfläche (2) des Einkristalls;
Messen der Orientierung der außeren Oberfläche (2) des Einkristalls in der Trennmaschine;
Positionieren des Einkristalls auf der Grundlage der Orientierung der äußeren Oberfläche derart, daß die bestimmte kristallografische Ebene mit der Vorschubrichtung einen vorgegebenen Winkel einschließt, und
Durchführen der Trennung.
Bestimmen des Winkels zwischen der kristallografischen Ebene und einer äußeren Oberfläche (2) des Einkristalls;
Messen der Orientierung der außeren Oberfläche (2) des Einkristalls in der Trennmaschine;
Positionieren des Einkristalls auf der Grundlage der Orientierung der äußeren Oberfläche derart, daß die bestimmte kristallografische Ebene mit der Vorschubrichtung einen vorgegebenen Winkel einschließt, und
Durchführen der Trennung.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß
das Bestimmen des Winkels mit einem Verfahren nach Anspruch
18 durchgeführt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch
gekennzeichnet, daß die Winkelstellung einer bestimmten
kristallographischen Richtung (K) des Einkristalls in der
Trennebene so eingestellt wird, daß beim Trennen des
Einkristalls die auf die Trenneinrichtung wirkenden Kräfte
minimiert werden.
Priority Applications (16)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10128630A DE10128630A1 (de) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine |
CNB028118340A CN100569475C (zh) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | 用于在切割机内切割单晶体的方法和设备 |
DE50210714T DE50210714D1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Verfahren und vorrichtung zum trennen eines einkristalls |
SK1493-2003A SK286829B6 (sk) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Spôsob rezania monokryštálu a zariadenie na vykonávanie tohto spôsobu |
CNB2005100916038A CN100546793C (zh) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | 用于确定晶面相对于晶体表面定向的设备和方法 |
EP02778889A EP1399306B1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Verfahren und vorrichtung zum trennen eines einkristalls |
CZ2003-3395A CZ304828B6 (cs) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Způsob řezání monokrystalu v řezacím stroji a zařízení pro provádění tohoto způsobu |
DE50210785T DE50210785D1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche |
JP2003503420A JP4716652B2 (ja) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | 切断機にて単結晶を切断する装置 |
AT02778889T ATE369956T1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Verfahren und vorrichtung zum trennen eines einkristalls |
US10/480,560 US6923171B2 (en) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Device and method for determining the orientation of a crystallographic plane in relation to a crystal surface and device for cutting a single crystal in a cutting machine |
RU2004100543/03A RU2296671C2 (ru) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Устройство и способ определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также аппарат и способ резки монокристалла в режущей машине |
EP05010482A EP1568457B1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche |
PCT/EP2002/006407 WO2002100619A1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Vorrichtung und verfahren zur bestimmung der orientierung einer kristallografischen ebene relativ zu einer kristalloberfläche sowie vorrichtung und verfahren zum trennen eines einkristalls in einer trennmaschine |
TW091112851A TWI224670B (en) | 2001-06-13 | 2002-06-13 | Apparatus and method for determining the orientation of a crystallographic plane relative to a crystal surface as well as apparatus and method for cutting a single crystal in a cutting machine |
JP2010210286A JP5357122B2 (ja) | 2001-06-13 | 2010-09-20 | 単結晶を切断する方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10128630A DE10128630A1 (de) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10128630A1 true DE10128630A1 (de) | 2003-01-02 |
Family
ID=7688120
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10128630A Ceased DE10128630A1 (de) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine |
DE50210714T Expired - Lifetime DE50210714D1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Verfahren und vorrichtung zum trennen eines einkristalls |
DE50210785T Expired - Lifetime DE50210785D1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50210714T Expired - Lifetime DE50210714D1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Verfahren und vorrichtung zum trennen eines einkristalls |
DE50210785T Expired - Lifetime DE50210785D1 (de) | 2001-06-13 | 2002-06-11 | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6923171B2 (de) |
EP (2) | EP1568457B1 (de) |
JP (2) | JP4716652B2 (de) |
CN (2) | CN100569475C (de) |
AT (1) | ATE369956T1 (de) |
CZ (1) | CZ304828B6 (de) |
DE (3) | DE10128630A1 (de) |
RU (1) | RU2296671C2 (de) |
SK (1) | SK286829B6 (de) |
TW (1) | TWI224670B (de) |
WO (1) | WO2002100619A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1757419A1 (de) | 2005-08-25 | 2007-02-28 | Freiberger Compound Materials GmbH | Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen |
US7195542B2 (en) | 2005-08-25 | 2007-03-27 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process, apparatus and slurry for wire sawing |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8275147B2 (en) * | 2004-05-05 | 2012-09-25 | Deka Products Limited Partnership | Selective shaping of communication signals |
CN103203671B (zh) * | 2007-06-25 | 2015-07-22 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 对单晶体进行晶体再取向的方法 |
DE102008028213A1 (de) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zum Befestigen eines Silizium-Blocks an einem Träger dafür und entsprechende Anordnung |
JP5007706B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-08-22 | 信越半導体株式会社 | ワークの切断方法 |
KR100995877B1 (ko) * | 2008-07-23 | 2010-11-22 | 한국기계연구원 | 투과전자현미경의 고니오미터를 이용한 이웃하는 결정립의결정학적 방위관계 측정장치 및 그에 의한 결정립계 특성규명 방법 |
CN101486231B (zh) * | 2009-01-22 | 2011-12-07 | 四川大学 | 黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法 |
CN101486232B (zh) * | 2009-01-22 | 2011-09-07 | 四川大学 | 黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法 |
CN101733848B (zh) * | 2009-12-29 | 2012-01-18 | 西北工业大学 | 定向切割晶体任意晶面的简便方法 |
DE102010007459B4 (de) * | 2010-02-10 | 2012-01-19 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial |
CN101994157A (zh) * | 2010-03-22 | 2011-03-30 | 浙江星宇电子科技有限公司 | 一种开单晶1*0参考面的方法 |
CN102152410A (zh) * | 2010-12-23 | 2011-08-17 | 万向硅峰电子股份有限公司 | 一种旋转单晶棒调整晶向偏移的切割方法 |
JP5678653B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-03-04 | 三菱化学株式会社 | 六方晶系半導体板状結晶の製造方法 |
EP2520401A1 (de) | 2011-05-05 | 2012-11-07 | Meyer Burger AG | Verfahren zur Befestigung eines auf einer Verarbeitungsvorrichtung zu behandelnden Einkristallwerkstücks |
JP6011339B2 (ja) | 2011-06-02 | 2016-10-19 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板の製造方法 |
CN102490278B (zh) * | 2011-11-30 | 2014-07-16 | 峨嵋半导体材料研究所 | 线切割晶体激光仪定向切割方法 |
KR101360906B1 (ko) * | 2012-11-16 | 2014-02-11 | 한국표준과학연구원 | 고분해능 x-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법 |
KR101449572B1 (ko) * | 2013-03-25 | 2014-10-13 | 한국생산기술연구원 | 리프트-업 스윙을 구현하는 와이어 쏘 |
JP6132621B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-05-24 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 |
EP3050075A1 (de) * | 2013-09-24 | 2016-08-03 | Siltronic AG | Halbleiterwafer und verfahren zur herstellung des halbleiterwafers |
US9682495B2 (en) * | 2013-09-30 | 2017-06-20 | Gtat Corporation | Method and apparatus for processing sapphire |
JP6459524B2 (ja) * | 2015-01-08 | 2019-01-30 | 株式会社ジェイテクト | 複合研削盤および研削方法 |
CN104985709B (zh) * | 2015-06-16 | 2017-01-11 | 浙江海纳半导体有限公司 | 调整单晶棒晶向的方法及测量方法 |
JP6610026B2 (ja) * | 2015-06-23 | 2019-11-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライブ装置 |
JP6272801B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2018-01-31 | 信越半導体株式会社 | ワークホルダー及びワークの切断方法 |
JP6349290B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2018-06-27 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ウェーハの表裏判定方法 |
CN105269696B (zh) * | 2015-10-30 | 2017-04-05 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石晶体的复合定向方法 |
WO2017091945A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | Rhodia Operations | Wafering process for water based slurries |
CN105842263A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-08-10 | 中锗科技有限公司 | 一种偏晶向太阳能锗单晶定向仪及其检测方法 |
JP6690983B2 (ja) * | 2016-04-11 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法及び実第2のオリエンテーションフラット検出方法 |
JP6222393B1 (ja) * | 2017-03-21 | 2017-11-01 | 信越半導体株式会社 | インゴットの切断方法 |
CN108312370B (zh) * | 2017-12-20 | 2020-05-01 | 天通控股股份有限公司 | 一种基于水平传感器定位晶体的定向加工方法 |
JP6923067B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2021-08-18 | 株式会社Sumco | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 |
CN108621316B (zh) * | 2018-05-03 | 2020-02-18 | 大连理工大学 | 一种易潮解光学晶体的水溶解辅助精密高效切割方法 |
JP7148437B2 (ja) * | 2019-03-01 | 2022-10-05 | 信越半導体株式会社 | ワークの切断加工方法及びワークの切断加工装置 |
WO2021039379A1 (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 配向度分布計算方法、配向度分布解析装置および配向度分布解析プログラム |
CN111745305B (zh) * | 2020-05-23 | 2022-03-04 | 山东大学 | 一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法 |
CN112590032B (zh) * | 2020-12-03 | 2022-12-02 | 天津市环智新能源技术有限公司 | 一种太阳能硅片及其粗糙度控制方法 |
CN113787636B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-05-27 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | 一种用于12寸半导体晶圆的手动粘棒方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1114649B (de) * | 1960-03-17 | 1961-10-05 | Zeiss Carl Fa | Optisches Geraet zur Orientierung von Einkristallen nach der Kristallachse |
JPS5562742A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-12 | Toshiba Corp | Method of cutting monocrystal |
DE3305695A1 (de) * | 1983-02-18 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum zerteilen von halbleitermaterial |
EP0242489A1 (de) * | 1986-04-17 | 1987-10-28 | Maschinenfabrik Meyer & Burger AG | Verfahren zum Trennen eines Stabes in Teilstücke, Trennschleifmaschine zur Durchführung dieses Verfahrens und Verwendung dieser Trennschleifmaschine |
US5768335A (en) * | 1997-02-10 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for measuring the orientation of a single crystal surface |
JPH112614A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Rigaku Corp | 単結晶軸方位x線測定方法及び装置 |
US6055293A (en) * | 1998-06-30 | 2000-04-25 | Seh America, Inc. | Method for identifying desired features in a crystal |
EP1041179A1 (de) * | 1999-03-31 | 2000-10-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Einkristallines optisches Element mit einer bezüglich einer Spaltungsebene geneigten lichtdurchlässigen Oberfläche |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60197361A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-05 | Fujitsu Ltd | ワイヤ・スライシング方法 |
JPH06103674B2 (ja) * | 1987-06-19 | 1994-12-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体単結晶インゴツトの角度調整法と装置 |
JPH11162909A (ja) * | 1987-07-14 | 1999-06-18 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウエーハの製造方法 |
JPH07118473B2 (ja) * | 1987-07-14 | 1995-12-18 | 九州電子金属株式会社 | 半導体ウエ−ハの製造方法 |
JPH02255304A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウェーハのスライス装置及び方法 |
JPH0310760A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-18 | Nippon Spindle Mfg Co Ltd | 結晶質脆性材料切断用ワイヤソー |
JPH0671639A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-15 | Toshiba Corp | 単結晶の加工方法 |
CH690845A5 (de) * | 1994-05-19 | 2001-02-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür. |
US5529051A (en) | 1994-07-26 | 1996-06-25 | At&T Corp. | Method of preparing silicon wafers |
JP3427956B2 (ja) | 1995-04-14 | 2003-07-22 | 信越半導体株式会社 | ワイヤーソー装置 |
TW355151B (en) | 1995-07-07 | 1999-04-01 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | A method for cutting single chip material by the steel saw |
JPH0985736A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-03-31 | Toray Eng Co Ltd | ワイヤ式切断装置 |
US6024814A (en) | 1995-11-30 | 2000-02-15 | Nippei Toyama Corporation | Method for processing ingots |
DE19607695A1 (de) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
CH692331A5 (de) | 1996-06-04 | 2002-05-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Drahtsäge und Schneidverfahren unter Einsatz derselben. |
JP3079203B2 (ja) * | 1996-11-15 | 2000-08-21 | 住友金属工業株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法 |
JP3918216B2 (ja) * | 1997-01-08 | 2007-05-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶の切断装置と方法 |
JPH10272620A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 結晶材料加工装置 |
JPH10278040A (ja) * | 1997-04-01 | 1998-10-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 結晶材料加工装置及び結晶材料の設置方法 |
US5878737A (en) | 1997-07-07 | 1999-03-09 | Laser Technology West Limited | Apparatus and method for slicing a workpiece utilizing a diamond impregnated wire |
JP3709664B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2005-10-26 | 株式会社東京精密 | 結晶軸の傾き角度測定方法 |
JP3195760B2 (ja) * | 1997-08-05 | 2001-08-06 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | インゴット切断面の結晶方位設定方法 |
JP3847913B2 (ja) * | 1997-08-27 | 2006-11-22 | 東芝Itコントロールシステム株式会社 | 結晶方位決定装置 |
US6120597A (en) * | 1998-02-17 | 2000-09-19 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Crystal ion-slicing of single-crystal films |
JP2000171417A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 方位測定補助装置及びそれを用いた方位測定加工方法 |
JP2000354940A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Rigaku Corp | 単結晶インゴットの加工装置 |
DE10052154A1 (de) * | 2000-10-20 | 2002-05-08 | Freiberger Compound Mat Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Einkristallen, Justiervorrichtung und Testverfahren zum Ermitteln einer Orientierung eines Einkristalls für ein derartiges Verfahren |
-
2001
- 2001-06-13 DE DE10128630A patent/DE10128630A1/de not_active Ceased
-
2002
- 2002-06-11 CZ CZ2003-3395A patent/CZ304828B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2002-06-11 AT AT02778889T patent/ATE369956T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-06-11 DE DE50210714T patent/DE50210714D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-11 RU RU2004100543/03A patent/RU2296671C2/ru active
- 2002-06-11 CN CNB028118340A patent/CN100569475C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-11 DE DE50210785T patent/DE50210785D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-11 US US10/480,560 patent/US6923171B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-11 CN CNB2005100916038A patent/CN100546793C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-11 EP EP05010482A patent/EP1568457B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-11 JP JP2003503420A patent/JP4716652B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-11 WO PCT/EP2002/006407 patent/WO2002100619A1/de active IP Right Grant
- 2002-06-11 EP EP02778889A patent/EP1399306B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-11 SK SK1493-2003A patent/SK286829B6/sk unknown
- 2002-06-13 TW TW091112851A patent/TWI224670B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-09-20 JP JP2010210286A patent/JP5357122B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1114649B (de) * | 1960-03-17 | 1961-10-05 | Zeiss Carl Fa | Optisches Geraet zur Orientierung von Einkristallen nach der Kristallachse |
JPS5562742A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-12 | Toshiba Corp | Method of cutting monocrystal |
DE3305695A1 (de) * | 1983-02-18 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum zerteilen von halbleitermaterial |
EP0242489A1 (de) * | 1986-04-17 | 1987-10-28 | Maschinenfabrik Meyer & Burger AG | Verfahren zum Trennen eines Stabes in Teilstücke, Trennschleifmaschine zur Durchführung dieses Verfahrens und Verwendung dieser Trennschleifmaschine |
US5768335A (en) * | 1997-02-10 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for measuring the orientation of a single crystal surface |
JPH112614A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Rigaku Corp | 単結晶軸方位x線測定方法及び装置 |
US6055293A (en) * | 1998-06-30 | 2000-04-25 | Seh America, Inc. | Method for identifying desired features in a crystal |
EP1041179A1 (de) * | 1999-03-31 | 2000-10-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Einkristallines optisches Element mit einer bezüglich einer Spaltungsebene geneigten lichtdurchlässigen Oberfläche |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1757419A1 (de) | 2005-08-25 | 2007-02-28 | Freiberger Compound Materials GmbH | Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen |
US7195542B2 (en) | 2005-08-25 | 2007-03-27 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process, apparatus and slurry for wire sawing |
EP2275241A1 (de) | 2005-08-25 | 2011-01-19 | Freiberger Compound Materials GmbH | Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2004100543A (ru) | 2005-06-10 |
DE50210785D1 (de) | 2007-10-04 |
TWI224670B (en) | 2004-12-01 |
CN1736681A (zh) | 2006-02-22 |
JP5357122B2 (ja) | 2013-12-04 |
US20040168682A1 (en) | 2004-09-02 |
CZ20033395A3 (cs) | 2004-05-12 |
CZ304828B6 (cs) | 2014-11-26 |
SK14932003A3 (sk) | 2004-06-08 |
JP2004533347A (ja) | 2004-11-04 |
JP4716652B2 (ja) | 2011-07-06 |
CN1529647A (zh) | 2004-09-15 |
ATE369956T1 (de) | 2007-09-15 |
US6923171B2 (en) | 2005-08-02 |
JP2011003929A (ja) | 2011-01-06 |
EP1399306A1 (de) | 2004-03-24 |
CN100569475C (zh) | 2009-12-16 |
WO2002100619A1 (de) | 2002-12-19 |
SK286829B6 (sk) | 2009-06-05 |
EP1568457A1 (de) | 2005-08-31 |
EP1399306B1 (de) | 2007-08-15 |
RU2296671C2 (ru) | 2007-04-10 |
CN100546793C (zh) | 2009-10-07 |
EP1568457B1 (de) | 2007-08-22 |
DE50210714D1 (de) | 2007-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1568457B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche | |
DE102005019358B4 (de) | Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine | |
DE19517107C2 (de) | Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks, wie eines stabförmigen Einkristallmaterials und Vorrichtung hierfür | |
DE112011103677B4 (de) | Ionenätzvorrichtung | |
DE3507778A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur eichung eines mikroskopischen bearbeitungssystems mit hilfe einer justierplatte | |
DE1165163B (de) | Schneidvorrichtung fuer Germanium-Halbleitereinkristalle in Barrenform zum Herstellen von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente | |
EP1332247B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum trennen von einkristallen, sowie eine justiervorrichtung und ein testverfahren zum ermitteln einer kristallorientierung | |
EP0962284B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls und Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben | |
DE102007049810A1 (de) | Simultanes Doppelseitenschleifen von Halbleiterscheiben | |
DE102020208553A1 (de) | Laserbearbeitungsvorrichtung | |
DE102020216417A1 (de) | Bearbeitungsvorrichtung | |
DE3112417A1 (de) | Vorrichtung zum einstellen der schneide eines in einem werkzeughalter eingesetzten werkzeuges ausserhalb einer werkzeugmaschine oder zum messen der schneidenlage | |
DE19526711A1 (de) | Verfahren zur Bearbeitung von Siliciumwafern | |
DE60007609T2 (de) | Verfahren und gerät zur zentrierung einer ophtalmischen linse | |
DE102022130253A1 (de) | Korrekturbetragsspezifizierungsvorrichtung, Verfahren, Programm und JIG | |
DE1961010A1 (de) | Werkzeugmaschine | |
EP0128993B1 (de) | Verfahren zum Feststellen von Referenzdaten zum Zwecke der Korrektur von mechanischen Bewegungen beim Schreiben von Linien mit einem Schreiblaserstrahl in einem metallisierten Raster und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE102005038639B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung, Ausrichtung und Fixierung sowie Befestigung von Einkristallen auf einem gemeinsamen Träger | |
DE19725535A1 (de) | Verfahren zur Ermittlung der kristallographischen Orientierung von Einkristall-Oberflächen | |
DE102007048559B4 (de) | Vorrichtung zur Strahlbearbeitung von Werkstücken, Ionenstrahlbearbeitungsanlage | |
DE2041385A1 (de) | Einstellgerät für das Voreinstellen mindestens eines in einem Werkzeugträger einer Werkzeugmaschine angeordneten Werkzeuges | |
DE19825050C2 (de) | Verfahren zum Anordnen und Orientieren von Einkristallen zum Abtrennen von Scheiben auf einer ein Drahtgatter aufweisenden Drahtsäge | |
DE2326024C2 (de) | Vorrichtung zum Schneiden von Platten, Folien oder dergleichen | |
DE102022207637A1 (de) | Bestimmungswerkzeug und formbestimmungsverfahren | |
DE19741290A1 (de) | Autokollimator zur Ausrichtung von Histologieblöcken |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |