CN213124375U - 液处理装置 - Google Patents

液处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN213124375U
CN213124375U CN202021007532.5U CN202021007532U CN213124375U CN 213124375 U CN213124375 U CN 213124375U CN 202021007532 U CN202021007532 U CN 202021007532U CN 213124375 U CN213124375 U CN 213124375U
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
substrate
processing
liquid
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202021007532.5U
Other languages
English (en)
Inventor
梶原英树
米光祐弥
山中晋一郎
水篠真一
饭田成昭
川上浩平
东徹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN213124375U publication Critical patent/CN213124375U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/02—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
    • B05B12/04—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery for sequential operation or multiple outlets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本实用新型提供液处理装置。针对向基板供给涂敷液而形成涂敷膜的液处理装置，获得高生产率且省空间。构成如下装置，其具备：第1喷嘴，其在基板之上的各第1喷出位置向该基板喷出第1处理液，以各基板保持部为单位设置；第2喷嘴，其在各基板之上的第2喷出位置以迟于第1处理液从第1喷嘴的喷出的方式向该基板喷出涂敷膜形成用的第2处理液，被多个基板保持部共用；第3喷嘴，其为了在保持于各基板保持部的基板之上的第3喷出位置向基板喷出第3处理液而以各基板保持部为单位设置；回转机构，其使第1喷嘴于俯视时在第1待机部与第1喷出位置之间回转；以及直动机构，其使第3喷嘴于俯视时在第3待机部与第3喷出位置之间直线移动。

Description

液处理装置
技术领域
本公开涉及一种涂敷装置和涂敷方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中使用涂敷装置，对作为基板的半导体晶圆 (以下，记载为晶圆)供给抗蚀剂等涂敷膜形成用的处理液而形成涂敷膜。在专利文献1中记载有一种作为涂敷装置的液处理装置，该作为涂敷装置的液处理装置具备：两个处理单元，其处理晶圆；喷嘴组，其由许多喷嘴构成；温度调整单元，其使喷嘴组待机；以及喷嘴移动机构。上述的喷嘴移动机构在处理单元与温度调整单元之间输送从喷嘴组所选择的一个喷嘴。对于上述的喷嘴移动机构、喷嘴组以及温度调整单元，被两个处理单元共用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-34210号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本公开提供一种能够针对向基板供给涂敷液而形成涂敷膜的涂敷装置获得高生产率、且省空间的技术。
用于解决问题的方案
本公开的液处理装置具备：
多个基板保持部，其分别保持基板；
第1喷嘴，其为了在保持于各所述基板保持部的基板之上的第1喷出位置向该基板喷出第1处理液而以各所述基板保持部为单位设置；
第2喷嘴，其相对于所述第1喷嘴独立地移动，在保持于各所述基板保持部的基板之上的第2喷出位置以迟于所述第1处理液的喷出的方式向该基板喷出涂敷膜形成用的第2处理液，该第2喷嘴被所述多个基板保持部共用；
第1待机部和第2待机部，其使所述第1喷嘴、所述第2喷嘴分别于俯视时在所述基板由各基板保持部保持的保持区域的外侧待机；以及
回转机构，其使所述第1喷嘴于俯视时在所述第1待机部与所述第1喷出位置之间回转。
对于上述的液处理装置，也可以是，自所述第1喷嘴对所述基板供给稀释剂作为第1处理液，自所述第2喷嘴对所述基板供给在所述基板上形成膜的处理液作为所述第2处理液。
对于上述的液处理装置，也可以是，所述多个基板保持部位包括能够分别独立地保持基板的3个基板保持部。
对于上述的液处理装置，也可以是，除了所述第1喷出位置和所述第2喷出位置在俯视时相互重叠的通用喷出位置之外，所述第1待机部与第1喷出位置之间的所述第1喷嘴在俯视时的第1移动轨迹、和所述第2待机部与第2喷出位置之间的所述第2喷嘴在俯视时的第2移动轨迹成为表示互不重叠的相对于该通用喷出位置不同方向的路径的线。
对于上述的液处理装置，也可以是，该液处理装置具备：照明，其与所述第2喷嘴一起移动，向该第2喷嘴照射光；以及拍摄部，其与所述第2喷嘴一起移动，拍摄由所述照明照射了光的该第2喷嘴。
对于上述的液处理装置，也可以是，所述照明以从互不相同的方向向所述第2喷嘴照射光的方式设置有多个。
对于上述的液处理装置，也可以是，从所述第1喷嘴向所述基板喷出所述第1处理液的期间比从所述第2喷嘴向该基板喷出所述第2处理液的期间长。
对于上述的液处理装置，也可以是，将保持于一个所述基板保持部的所述基板设为第1基板，将保持于另一所述基板保持部的所述基板设为第2基板，将从所述第1喷嘴自所述第1待机部开始移动的时刻到所述第2喷嘴结束第2 处理液的喷出的时刻设为连续处理，该液处理装置设置有控制部，该控制部输出控制信号，以使对所述第1基板进行所述连续处理的期间与对所述第2基板进行所述连续处理的期间重叠。
对于上述的液处理装置，也可以是，所述控制部在对所述第1基板进行的所述连续处理的执行过程中根据该连续处理结束的时刻决定开始对所述第2基板进行所述连续处理的时刻。
对于上述的液处理装置，也可以是，所述控制部将所述第2基板处的从所述第1处理液的喷出结束到喷出所述第2处理液的间隔调整到所预先设定的范围内。
对于上述的液处理装置，也可以是，在从所述第1喷嘴向所述基板喷出所述第1处理液的过程中，所述第2喷嘴在该基板之上待机。
对于上述的液处理装置，也可以是，在自所述第1喷嘴向所述基板喷出所述第1处理液的过程中，所述第2喷嘴在相对于与所述第1喷出位置重叠的所述第2喷出位置在水平方向上偏离的位置待机。
对于上述的液处理装置，也可以是，所述拍摄部和设置有多个的所述照明设为共用所述第2喷嘴的驱动部而能够移动，设置有多个的所述照明从在俯视时由连结所述第2喷嘴和所述拍摄部的直线分隔开的两个区域分别照向该第2喷嘴。
对于上述的液处理装置，也可以是，设置有多个的所述照明具有从所述第2喷嘴的上方照向所述第2喷嘴的上方照射构件。
对于上述的液处理装置，也可以是，该液处理装置设有决定机构，其基于在对所述第1基板进行的所述连续处理的执行过程中是否存在所述第2基板向另一所述基板保持部的输送的预定，而针对所述第2喷嘴决定是在向所述第1基板喷出所述第2处理液之后使所述第2喷嘴向所述第2待机部移动，还是不使所述第2喷嘴向该第2待机部移动而使其朝向与所述第2基板相对应的所述第2喷出位置移动。
对于上述的液处理装置，也可以是，该液处理装置设有决定机构，其根据先被保持于一个所述基板保持部的所述第1基板的所述连续处理的开始的时刻与后被保持于另一基板保持部的所述第2基板的所述连续处理的开始的时刻之间的间隔，而针对所述第2喷嘴决定是在向所述第1基板喷出所述第2 处理液之后使所述第2喷嘴向所述第2待机部移动，还是不使所述第2喷嘴向该第2待机部移动而使其朝向与所述第2基板相对应的所述第2喷出位置移动。
本公开的液处理方法具备：将基板分别保持于多个基板保持部的工序；将以各所述基板保持部为单位设置的第1喷嘴配置于被该各所述基板保持部保持的基板之上的第1喷出位置而向各基板喷出第1处理液的工序；使被所述多个基板保持部共用的第2喷嘴相对于所述第1喷嘴独立地移动，并将其配置于被各所述基板保持部保持的基板之上的第2喷出位置的工序；以迟于所述第1处理液从所述第1喷嘴向所述基板的喷出的方式从所述第2喷出位置处的所述第2喷嘴向该基板喷出涂敷膜形成用的第2处理液的工序；以及使各所述第1喷嘴以于俯视时在第1待机部与所述第1喷出位置之间回转的方式移动的工序，该第1待机部供各所述第1喷嘴在所述基板于俯视时由各所述基板保持部保持的保持区域的外侧待机。
对于上述液处理方法，也可以是，将保持于一个所述基板保持部的所述基板设为第1基板，将保持于另一所述基板保持部的所述基板设为第2基板，将从所述第1喷嘴自所述第1待机部开始移动的时刻到所述第2喷嘴结束第2 处理液的喷出的时刻设为连续处理，对所述第1基板进行连续处理的期间与对所述第2基板进行连续处理的期间重叠。
对于上述液处理方法，也可以是，该液处理方法包括如下工序：在对所述第1基板进行的所述连续处理的执行过程中，根据该连续处理结束的时刻来决定开始对所述第2基板进行所述连续处理的时刻。
实用新型的效果
根据本公开，能够针对向基板供给涂敷液而形成涂敷膜的涂敷装置获得高生产率、且省空间。
附图说明
图1是包括作为本公开的一实施方式的抗蚀剂涂敷模块的基板处理装置的概略图。
图2是所述抗蚀剂涂敷模块的俯视图。
图3是所述抗蚀剂涂敷模块的立体图。
图4是设置于所述抗蚀剂涂敷模块的杯的纵剖侧视图。
图5A是构成所述抗蚀剂涂敷模块的通用臂的立体图。
图5B是表示设置于所述通用臂的构成构件的位置关系的俯视图。
图6是保持于所述通用臂的抗蚀剂喷嘴的侧视图。
图7是表示设置于抗蚀剂涂敷模块的喷嘴的动作的说明图。
图8是表示设置于抗蚀剂涂敷模块的喷嘴的动作的说明图。
图9是表示设置于抗蚀剂涂敷模块的喷嘴的动作的说明图。
图10是表示设置于所述抗蚀剂涂敷模块的各喷嘴的轨迹的俯视图。
图11是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的图表。
图12是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的图表。
图13是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图14是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图15是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图16是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图17是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图18是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图19是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图20是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图21是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图22是表示抗蚀剂涂敷模块的动作的作用图。
图23是表示抗蚀剂涂敷模块的另一处理例的说明图。
具体实施方式
在图1中示出了包括作为本公开的涂敷装置(作为液处理装置)的一实施方式的抗蚀剂涂敷模块2的基板处理装置1。向基板处理装置1输送用于收纳多张晶圆W的载体11。另外，基板处理装置1具备温度调整模块12和输送机构13，输送机构13以载体11、温度调整模块12、抗蚀剂涂敷模块2、载体 11的顺序输送晶圆W。温度调整模块12将晶圆W调整成预定的温度，以便在抗蚀剂涂敷模块2对晶圆W进行恰当的处理。并且，若晶圆W的温度调整完成而能够送出晶圆W，则向随后论述的控制部100输出预定的信号(设为送出信号)。
接下来，一边参照图2的俯视图一边对作为涂敷装置的抗蚀剂涂敷模块2 进行说明。该抗蚀剂涂敷模块2进行作为第1处理液的稀释剂向晶圆W的喷出和迟于该稀释剂的喷出的作为第2处理液的抗蚀剂的喷出，而在晶圆W形成作为涂敷膜的抗蚀剂膜。上述的稀释剂的喷出用于进行去除晶圆W表面的异物的清洗处理，也兼用作提高晶圆W表面的相对于抗蚀剂的润湿性的预湿。对于上述的抗蚀剂的喷出，通过选择分别喷出不同的种类的抗蚀剂的多个喷嘴中的一个来进行，而能够形成与晶圆W的批次相应的抗蚀剂膜。另外，对于抗蚀剂涂敷模块2，在形成抗蚀剂膜后，向晶圆W的周缘部喷出作为第3处理液的稀释剂，来进行呈环状去除抗蚀剂膜的不需要的部位的EBR(边缘珠粒去除：Edge Bead Removal)。
抗蚀剂涂敷模块2具备横长的方形的壳体21，在壳体21内，在横向上依次排列设置有用于分别处理晶圆W的处理部22A、22B、22C。处理部22 (22A～22C)具备用于载置晶圆W且进行上述的清洗处理和EBR的构件。另外，在壳体21内设置有被3个处理部22共用的抗蚀剂供给机构6。若将晶圆W 的清洗、接着该清洗的由抗蚀剂涂敷进行的抗蚀剂膜的形成、抗蚀剂膜形成后的EBR设为一系列的处理，则能够在各处理部22行该一系列的处理。
图中附图标记23是用于向处理部22A、22B、22C分别交接晶圆W的输送口，在壳体21的前侧的侧壁的与处理部22A、22B、22C相对应的位置开口。各输送口23利用闸门24相互独立地开闭。以下，将处理部22的排列方向设为左右方向，只要没有特别记载，右侧、左侧就分别说明为从后侧朝向前侧观察时的右侧、左侧。处理部22A配置于左侧，处理部22C配置于右侧。
也参照作为壳体21内的立体图的图3来进行说明。处理部22A～22C彼此同样地构成。以下，也参照图4的纵剖侧视图而代表性地对处理部22A进行说明。处理部22A具备杯31A，该杯31A的上方开口，并且在其内部的保持区域收容晶圆W。图4中附图标记32是设置于该杯31A的排液口，图4中附图标记 33是用于在晶圆W的处理中使该杯31A内进行排气的排气口。在杯31A内设置有作为基板保持部的旋转卡盘34A，吸附晶圆W的背面的中央部，而水平地保持晶圆W。旋转卡盘34A的下侧与旋转驱动部35连接。利用旋转驱动部 35，旋转卡盘34A与所保持的晶圆W一起绕铅垂轴线旋转。在杯31A内设置有利用升降机构36升降的3根销(在图4中仅表示两根)37，用于在晶圆W的输送机构13与旋转卡盘34A之间交接晶圆W。
处理部22A具备：周缘处理机构4A，其用于进行EBR；和处理机构5A，其用于进行清洗处理。以下，对周缘处理机构4A进行说明。周缘处理机构4A 具备：直动机构41、升降机构42、臂43、喷嘴(以后，记载为周缘喷嘴)44A、以及杯状的待机部45A。直动机构41在杯31A的后侧的右侧区域中左右延伸地设置。在该直动机构41连接有升降机构42，该升降机构42构成为，能够利用直动机构41左右水平地直线移动。在升降机构42连接有臂43的基端部，臂43的顶端侧朝向前方延伸。臂43利用该升降机构42垂直地升降。并且，在臂 43的顶端部的下部侧，以例如朝向相对于水平面倾斜的方向且俯视时的后侧喷出稀释剂的方式设置有作为第3喷嘴的周缘喷嘴44A。在清洗和形成抗蚀剂膜后，即，未从随后论述的单独喷嘴55和抗蚀剂喷嘴71喷出处理液时进行该稀释剂的喷出。周缘喷嘴44A经由配管与向该周缘喷嘴44A供给稀释剂的未图示的稀释剂供给机构连接。
在相对于杯31A的前后方向上的中央而言的右侧区域设置有作为第3待机部的上述的待机部45A。利用直动机构41和升降机构42的协作，周缘喷嘴 44A在待机部45A内的待机位置与稀释剂的喷出位置(第3喷出位置)之间移动，该稀释剂的喷出位置(第3喷出位置)位于杯31A内且是晶圆W的周缘部之上，距该晶圆W的距离为预定的高度。在未被使用时，周缘喷嘴44A在上述的待机位置待机。
接下来，对处理机构5A进行说明。处理机构5A具备：升降机构51、旋转机构52、臂53、喷嘴(以后，记载为单独喷嘴)54A以及杯状的待机部55A。在杯31A的前后方向上的中央部的左侧设置有升降机构51和旋转机构52。旋转机构52与升降机构51连接，利用该升降机构51垂直地升降。在旋转机构52 连接有臂53的基端部，臂53的顶端侧在横向上延伸。利用旋转机构52，使该臂53绕设置于臂53的基部侧的铅垂的旋转轴50(参照图2)旋转。即，臂53的顶端侧绕旋转轴50回转，旋转机构52构成回转机构。在臂53的顶端部的下部侧以向铅垂下方喷出稀释剂的方式设置有作为第2喷嘴的单独喷嘴54A。在单独喷嘴54A连接有配管56的下游端，配管56的上游端与向该单独喷嘴54A 供给稀释剂的稀释剂供给机构57连接。
在臂53的顶端部设置有包围配管56的下游侧的箱体58，温度调整后的水向箱体58内且配管56的外侧的空间供给。在该箱体58分别连接有供给管47的一端和排出管48的一端(参照图4)，供给管47的另一端以及排出管48的另一端与循环流形成机构49连接。循环流形成机构49调整从排出管48供给来的水的温度而经由供给管47向箱体58内的上述的空间供给。也就是说，循环流形成机构49构成冷机，利用上述的温度调整后的水的供给，调整穿过配管56的稀释剂的温度。即，调整从单独喷嘴54A喷出的稀释剂的温度。
在杯31A的左侧且比该杯31A的前后方向上的中央部靠前方的区域设置有作为第1待机部的待机部55A。利用升降机构51与旋转机构52的协作，单独喷嘴54A在待机部55A内的待机位置与喷出位置(第2喷出位置)之间移动，该喷出位置(第2喷出位置)位于杯31A内且是晶圆W的中心部之上，距该晶圆W的距离为预定的高度。并且，在未被使用时，单独喷嘴54A在上述的待机部55内的待机位置待机。
处理部22B、22C分别如上述那样与处理部22A同样地构成。在这些处理部22B、22C的构成构件中，对于与处理部22A的构成构件相同的构成构件，标注与在处理部22A所使用的附图标记相同的数字的附图标记来表示。不过，对于标注到数字后的英文，在处理部间使用不同的英文来表示。作为处理部 22B的附图标记的英文，标注B来表示，作为处理部22C的附图标记的英文，标注C来表示。另外，在以后的说明中，将位于壳体21内且位于杯31A～31C的后方的后方区域设为附图标记38。
接下来，对抗蚀剂供给机构6进行说明。抗蚀剂供给机构6具备：待机部 61、10个抗蚀剂喷嘴71、以及喷嘴输送机构63。作为第2待机部的待机部61 配置于杯31B的后侧。该待机部61在后方区域38沿前后延伸，并且，构成为在俯视时后侧去向右侧的台。并且，在待机部61的上部沿着台的长度方向以相互隔开间隔的方式设置有10个凹部(参照图4)。各凹部构成为用于收纳抗蚀剂喷嘴71而使该抗蚀剂喷嘴71待机的待机位置62。通过向该待机位置62供给稀释剂，防止待机中的抗蚀剂喷嘴71内的抗蚀剂干燥。
如上述那样在杯31A～31C中的中央部的杯31B的后方设置有待机部61的原因在于，在从该待机部61向晶圆W之上输送抗蚀剂喷嘴71时，防止处理部 22间的距待机部61的距离大幅度不同。更具体地说明，通过抑制该距离的不同，抑制施加于与随后论述的抗蚀剂喷嘴71连接的配管74的张力在各处理部 22的处理中不同。由此，抑制在各处理部22的处理间所喷出的液流的状态的波动。
对于作为被各处理部22共用的第2喷嘴的各抗蚀剂喷嘴71，其向铅垂下方喷出抗蚀剂。为了如随后论述那样进行喷嘴内的拍摄，抗蚀剂喷嘴71构成为，具有可见光的透过性。并且，在抗蚀剂喷嘴71上设置有由随后论述的喷嘴输送机构63保持的块状的被保持部72。而且，在各抗蚀剂喷嘴71从左侧连接有挠性的配管74的一端。各配管74的上游侧在去向下方之后，以朝向右侧的方式弯曲，其向该右侧延伸的部位固定于台面。图3中附图标记75是用于进行该固定的固定部。在各配管74的上游侧连接有未图示的抗蚀剂供给机构。抗蚀剂供给机构以各配管74为单位设置，各抗蚀剂供给机构经由配管74向抗蚀剂喷嘴71供给互不相同的种类的抗蚀剂。
接下来，对作为第2喷嘴的驱动部的喷嘴输送机构63进行说明。喷嘴输送机构63具备：直动机构64、升降机构65、升降部66以及在水平方向上延伸的臂(以下，记载为通用臂)67。直动机构64以在待机部61的后侧沿着左右方向延伸的方式设置。在该直动机构64设置有升降机构65，升降机构65构成为，利用直动机构64沿着左右移动自如。在升降机构65连接有沿前后延伸的升降部66的基端侧，在升降部66的顶端侧设置有通用臂67的基端部。在通用臂67的基端部设置有铅垂的旋转轴68(参照图2)，利用未图示的旋转机构，该通用臂67绕该旋转轴68旋转。即，通用臂67的顶端侧绕旋转轴68回转。
在通用臂67的顶端下部设置有用于拆装抗蚀剂喷嘴71的被保持部72的拆装机构60，该拆装机构60能够在待机部61自如地进行抗蚀剂喷嘴71的换持。例如，在被保持部72的上部形成有例如凹部，作为上述的拆装机构，构成为进入该凹部的突起。并且，例如，在该突起的侧面设置有在该侧面突出没入自如的小突起，利用该突出没入而切换与凹部的侧面卡合了的状态和解除了卡合的状态，从而进行上述的拆装。
利用直动机构64、升降机构65以及通用臂67的协作，各抗蚀剂喷嘴71能够在上述的待机部61处的待机位置与喷出位置(第2喷出位置)之间移动，该喷出位置(第2喷出位置)位于杯31(31A～31C)内且是各晶圆W的中心部之上，距该晶圆W的表面的距离为预定的高度。在向晶圆W之上输送抗蚀剂喷嘴71之际，以升降机构65停止到与处理部22A～22C分别相对应的位置的状态，通用臂67从顶端相对于基端向右侧延伸的状态起在俯视观察下逆时针旋转，从而输送抗蚀剂喷嘴71。另外，在将抗蚀剂喷嘴71于待机部61与处理部22之间、以及于各处理部22之间输送时，在升降机构65利用直动机构64而沿左右移动之际，通用臂67的顶端朝向右侧，而成为位于后方区域38的朝向。也就是说，通用臂67以不妨碍各处理部22的处理的方式移动。
对于上述的通用臂67，也参照作为顶端侧的立体图的图5A、作为概略俯视图的图5B而进行说明。在通用臂67的基部侧设置有朝向该通用臂67的延伸方向观察时向左右分别延伸的支承部81。此外，该左右未必与已述的壳体21 的长度方向的左右一致。在各支承部81的顶端部设置有作为LED(发光二极管：Light Emitting Diode)的第1照明82，各第1照明82具备在较宽广的范围内发光的平面，能够从该平面朝向保持于通用臂67的抗蚀剂喷嘴71照射光。第1照明82以相互分离开的方式设置，因此，从互不相同的方向向抗蚀剂喷嘴71照射光。若更详细地记载，则分别从在俯视时被连结照相机84(随后论述)和抗蚀剂喷嘴71的直线L0划分开的两个区域朝向抗蚀剂喷嘴71照射光 (在图5B中以虚线的箭头表示)。具体而言，连结照相机84和抗蚀剂喷嘴71 的直线是指例如照相机84的光轴，是除了照相机84与抗蚀剂喷嘴71之间的直线之外也包括其延长线的直线。此外，如此从互不相同的方向照射光的原因在于，为了确定由随后论述的照相机84取得的图像中的存在于抗蚀剂喷嘴71 内的液的范围，而均同等地识别左和右的抗蚀剂喷嘴71的内壁。也就是说，在液存在于抗蚀剂喷嘴71内时，在抗蚀剂喷嘴71的内壁的、与该液接触的部分和未与液接触的部分产生明暗的对比度，而能够区别两者。因而，即使无法在图像中明确地确定该液的上表面、下表面，也能够利用上述的对比度从与该液接触的内壁的范围确定液存在的范围，另外，通过同等地识别液的左右两方的内壁，能够进行可靠性更高的液的存在范围的确定。
另外，在通用臂67的顶端侧设置有支承部83，在该支承部83设置有照相机84和作为LED的第2照明85。照相机84的光轴朝向斜下方，以便在视场中包含抗蚀剂喷嘴71和该抗蚀剂喷嘴71的下方区域。第2照明85朝向通用臂的 67的基端侧且斜下方照射光。该光在抗蚀剂喷嘴71的上端部形成比较小的照射点。图6的箭头表示如此从第2照明85供给到抗蚀剂喷嘴71的光的在该抗蚀剂喷嘴71内的光路，如图中所示那样光一边在抗蚀剂喷嘴71的流路70的外周面与抗蚀剂喷嘴71的外周面之间反射一边去向下方。如此，通过光穿过抗蚀剂喷嘴71内，而获得抗蚀剂喷嘴71的内部的清楚的图像。另外，通过设置如上述那样将照明、照相机设置于与按照各处理部22A～22C设置的机构独立的、被各处理部22A～22C共有使用的通用臂67，从而能够抑制照明、照相机等的使用个数、削减其设置所需的空间(省空间化)。
例如自比从抗蚀剂喷嘴71进行抗蚀剂的喷出稍微靠前起到该抗蚀剂的喷出结束为止，进行作为拍摄部的照相机84的拍摄。在该拍摄中，既可以利用例如第1照明82和第2照明85同时照射光而取得抗蚀剂喷嘴71的图像，也可以使利用第1照明82照射光的时刻与利用第2照明85照射光的时刻错开，来取得各时刻的图像。由照相机84拍摄而得到的图像数据向随后论述的控制部 100发送。控制部100从所取得的图像检测有无附着到抗蚀剂喷嘴71的污垢、抗蚀剂从抗蚀剂喷嘴71的滴落、喷嘴内的液面的位置、有无由起泡导致的抗蚀剂的液流的中断等，并能够基于该检测结果判定有无异常。第1照明82和第2照明85构成照明部，第2照明85构成为上方照射构件。除了第1照明82之外，存在从上方照射光的第2照明，从而能够抑制由所喷出的液的雾、飞散构成的污垢而导致图像难以看见，同时能够在图像中看见抗蚀剂喷嘴71内的液的上表面和下表面。此外，对于液的下表面，如果成为停留于喷嘴内的程度的微小的高度，也能够如此利用来自上方的照明进行识别。
上述的抗蚀剂喷嘴71的抗蚀剂的喷出位置和上述的单独喷嘴54 (54A～54C)的稀释剂的喷出位置位于晶圆W的中心部上，设为相互重叠的通用喷出位置。若对这些喷嘴的动作进行说明，则为了在晶圆W的清洗后迅速地向晶圆W供给抗蚀剂R而缩短处理时间，在单独喷嘴54向晶圆W喷出稀释剂B1的过程中，抗蚀剂喷嘴71在相对于抗蚀剂R的喷出位置在水平方向上稍微偏离的过渡待机位置待机(图7)。然后，若单独喷嘴54结束稀释剂B1 的喷出，并从该稀释剂B1的喷出位置在水平方向上移动而退避(图8)，则为了可靠地避免喷嘴彼此的干涉，使抗蚀剂喷嘴71稍微迟于该移动地在水平方向上移动，并停止在抗蚀剂R的喷出位置。也就是说，不执行由升降机构65 进行的升降，仅利用通用臂67的回转动作，抗蚀剂喷嘴71从过渡待机位置向喷出位置移动，而开始抗蚀剂R的喷出(图9)。
另外，将在处理部22A处理晶圆W之际的单独喷嘴54A的移动轨迹、抗蚀剂喷嘴71的移动轨迹、周缘喷嘴44A的移动轨迹分别设为D1、D2、D3。在图10中，为了方便图示，以直线或曲线表示各喷嘴的喷出口的移动轨迹。由于抗蚀剂喷嘴71的喷出位置与单独喷嘴54A的喷出位置如已述那样重叠，因此，移动轨迹D1与移动轨迹D2在晶圆W的中心部之上重叠。不过，如果除了该晶圆W的中心部之上的移动轨迹的重叠之外，移动轨迹D1、D2、D3 就相互不重叠。此外，如此设定移动轨迹D1、D2，因此，已述的抗蚀剂喷嘴71的过渡待机位置是与单独喷嘴54A的移动轨迹D1不重叠的位置。
对于移动轨迹D1～D3，重叠越多，则为了防止喷嘴彼此的干涉而越需要详细地设定各喷嘴的动作的顺序、时刻。即，各喷嘴的移动控制变得烦杂。不过，如上述那样，对于移动轨迹D1～D3，除了晶圆W的中心部处的D1、D2的重叠之外，移动轨迹D1～D3不重叠。如此抑制了移动轨迹D1～D3的重叠，因此，抑制上述的各喷嘴的移动控制变得烦杂的情况。代表性地表示处理部 22A的处理晶圆W之际的各喷嘴的移动轨迹，但在其他处理部22的处理晶圆W之际，各喷嘴也描绘同样的移动轨迹。也就是说，对于处理部22B、22C 也是，于俯视时在除了晶圆W的中心部以外的位置，各喷嘴的移动轨迹不重叠。此外，对于各处理部22的周缘喷嘴44的稀释剂的喷出位置，位于晶圆W 之上即可。该晶圆W之上是指相对于晶圆W位于上方的意思，并不限于如各图所示那样在俯视时与晶圆W重叠的情况。
不过，如上述那样单独喷嘴54(54A～54C)的稀释剂的喷出位置位于晶圆W的中心部之上。因而，设置于杯31(31A～31C)的外侧的该单独喷嘴54 (54A～54C)的待机部55(55A～55C)与该喷出位置之间的俯视时的距离比较长。因此，若假设设为利用使周缘喷嘴44(44A～44C)移动这样的直动机构替代旋转机构52来进行单独喷嘴54的借助臂53进行的待机部55与喷出位置之间的移动的结构，则该直动机构的长度较大。也就是说，为了在杯31的一侧设置该直动机构，在横向上需要较大的空间。此外，在设为如此利用直动机构移动单独喷嘴54的结构的情况下，想到通过将直动机构配置于杯31的上方而无需该空间。若设为这样的结构，则从直动机构产生的微粒有可能向晶圆W落下而附着于晶圆W，因此，并不期望这样的配置。因而，为了防止抗蚀剂涂敷模块2的大型化，如上述那样由旋转机构52进行单独喷嘴54的横向上的移动的做法是有效的。
另一方面，周缘喷嘴44的喷出位置位于晶圆W的周缘部之上。因而，设置于杯31的外侧的该周缘喷嘴44的待机部45(45A～45C)与该喷出位置之间的俯视时的距离比较短，因此，即使是如上述那样利用直动机构41移动的结构，该直动机构41的长度也比较小。另外，通过使用了周缘喷嘴44进行的EBR，晶圆W的周缘部的抗蚀剂膜被呈环状去除，但设为变更了该抗蚀剂膜的去除宽度的设定。如上述那样周缘喷嘴44以倾斜了的状态设置于臂43，但在利用直动机构41水平地直线移动的情况下，即使如此变更去除宽度的设定，稀释剂相对于晶圆W的旋转方向的喷出方向也不会变化。
不过，若假设设为利用使单独喷嘴44移动这样的旋转机构替代直动机构 41来进行周缘喷嘴44的借助臂43进行的移动，则由于去除宽度的设定的变更，稀释剂相对于晶圆W的旋转方向的喷出方向变化。也就是说，除了稀释剂的着液位置在晶圆W的径向上变化之外，由于这样的喷出方向的变化，该着液位置的离心力大幅度变化，自着液位置的液体飞溅有可能变大。因此，想到：每次改变上述的去除宽度的设定，都需要调整周缘喷嘴44的倾斜。因而，出于抑制这样的调整的劳力和时间的观点考虑，对于周缘喷嘴44，也优选利用上述的直动机构41使该周缘喷嘴44移动。
不过，由于支承单独喷嘴54的臂53利用旋转机构52回转，因此，作为该臂53的移动所需要的区域(臂53的回转区域)较大。并且，假设设为将单独喷嘴54的待机部55以及该旋转机构52与周缘喷嘴44的待机部45同样地相对于杯31配置于右侧。在该情况下，如上述那样臂53的移动所需要的区域较大，因此，需要确保用于避免与周缘喷嘴44及支承该周缘喷嘴44的臂43之间的干涉的空间，则模块有可能大型化。
另外，假设将单独喷嘴54的待机部55与旋转机构52一起相对于杯31配置于后方，则需要确保用于避免与抗蚀剂喷嘴71及支承该抗蚀剂喷嘴71的通用臂67之间的干涉的空间。因此，模块还是有可能大型化。而且，假设将单独喷嘴54的待机部55与该旋转机构52一起相对于杯31配置于前方。在该情况下，需要使臂53在较高的位置待机，以使臂53不与经由输送口23相对于处理部22 送入送出的晶圆W干涉，因此，模块的高度增加，模块还是有可能大型化。
不过，对于抗蚀剂涂敷模块2，相对于杯31在左右方向上的一方配置有单独喷嘴54的待机部55和旋转机构52，并在左右方向上的另一方配置有周缘喷嘴44的待机部45。通过设为这样的布局，能够防止已述那样的各臂、各喷嘴等模块的构成物彼此的干涉、以及模块的构成物与晶圆W之间的干涉。作为其结果，能够防止模块的大型化，因此优选。
另外，对于抗蚀剂涂敷模块2，对于如上述那样设置于杯31的一侧的单独喷嘴54的旋转机构52和待机部55，旋转机构52位于后侧，待机部55位于前侧。利用这样的配置，如在图7～图9中所示的那样，能够使抗蚀剂喷嘴71从与使单独喷嘴54A从喷出位置退避的一侧相反的一侧向喷出位置移动。因而，在如此使单独喷嘴54和抗蚀剂喷嘴71移动时，不产生彼此的喷嘴之间的干涉，由单独喷嘴54进行的稀释剂的喷出结束后，能够将抗蚀剂喷嘴71迅速地配置于喷出位置而开始抗蚀剂的喷出，因此，能够谋求生产率的提高。
接下来，对构成抗蚀剂涂敷模块2的控制部100(参照图2)进行说明。控制部100由计算机构成。控制部100具有未图示的程序存储部。在该程序存储部存储有编入有命令(步骤组)的程序，以如前述和随后论述那样使抗蚀剂涂敷模块2动作，而在各处理部22进行处理。根据该程序，从控制部100向抗蚀剂涂敷模块2的各部输出控制信号，从而进行这样的动作。上述的程序以存储到例如硬盘、光盘、磁光盘、存储卡或DVD等存储介质的状态向程序存储部存储。
对于抗蚀剂涂敷模块2，利用上述的输送机构13以例如处理部22A、22B、 22C的顺序反复送入晶圆W，而在各处理部22对晶圆W进行由清洗、抗蚀剂膜的成膜、EBR构成的一系列的处理。若从温度调整模块12输出晶圆W的送出信号，则上述的程序设定对于该晶圆W的处理安排(用于对晶圆W进行处理的模块的各部的动作的预定)。并且，该程序输出上述的控制信号，以基于所设定的处理安排进行一系列的处理。
图11是在如上述那样设定的处理安排中表示单独喷嘴54和抗蚀剂喷嘴 71的动作的时刻的时间图。以下，说明在该时间图中所示的连续的期间L1～L6 中的各动作步骤。此外，在该期间L1～L6中，晶圆W以预定的转速旋转。期间L1的开始时间点是上述的一系列的处理的开始时间点。在该期间L1中，对于单独喷嘴54，进行从待机部55向喷出位置的移动。在期间L2中，从移动到喷出位置的单独喷嘴54向旋转中的晶圆W进行稀释剂B1的喷出。
在期间L3中，抗蚀剂喷嘴71从后方区域38向以图8进行了说明的晶圆W 的过渡待机位置移动。如之后具体地表示那样，该向晶圆W的过渡待机位置的移动存在抗蚀剂喷嘴71从待机部61移动的情况和结束了其他晶圆W的处理的抗蚀剂喷嘴71从待机部61的外部移动的情况。继续进行稀释剂B1的喷出。在期间L4的开始时间点使稀释剂B1的喷出停止，在该期间L4中，依次进行以图8、图9进行了说明的、单独喷嘴54从喷出位置的退避、抗蚀剂喷嘴71向喷出位置的移动。并且，从喷出位置退避开的单独喷嘴54去向待机部55。
在期间L5中，从喷出位置的抗蚀剂喷嘴71喷出抗蚀剂R。并且，在期间 L6的开始时间点，该抗蚀剂R的喷出停止，抗蚀剂喷嘴71向后方区域38退避。对于该向后方区域38的退避，如随后论述那样根据后续的晶圆W的输送状态，存在返回待机部61的待机位置的情况和不返回待机位置的情况。控制部100 构成决定这样的抗蚀剂喷嘴71的输送路径的决定机构。在该例子中，清洗用的稀释剂的喷出时间比抗蚀剂的喷出时间长，即期间L2+L3＞期间L5。并且，对各晶圆W进行同样的处理，因此，在各基板的处理中，期间L1～L6的长度分别相同。此外，存在将自单独喷嘴54从待机部55开始移动的期间L1的开始到抗蚀剂从抗蚀剂喷嘴71的喷出结束的期间L5的结束作为连续处理记载的情况。
在晶圆W向抗蚀剂涂敷模块2输送的输送间隔比较短的情况下，相对于先被输送了晶圆W的一个处理部22而言接下来被输送了晶圆W的其他处理部22的处理安排被设定成，与先被输送了晶圆W的一个处理部22的一系列的处理并行地、在接下来被输送了晶圆W的其他处理部22进行一系列的处理。更具体而言，以使在处理部22之间进行已述的连续处理的期间重叠的方式设定处理安排。
如上述那样对于抗蚀剂涂敷模块2，抗蚀剂喷嘴71和通用臂67成为在各处理部22共用的结构。因此，其他处理部22的处理安排被设定成，在一个处理部22使用抗蚀剂喷嘴71和通用臂67的过程中，在其他处理部22进行不使用抗蚀剂喷嘴71和通用臂67的处理。也就是说，基于先设定的一个处理部22的处理安排来设定其他处理部22的处理安排。
对于其他处理部22的处理安排的设定，也参照图12来更具体地说明。将在一个处理部22的抗蚀剂喷嘴71和通用臂67的动作结束的上述的期间L6的结束时间点设为t1，并将在其他处理部22的抗蚀剂喷嘴71和通用臂67的动作开始的期间L3的开始时间点设为t2。其他处理部22的处理安排被设定成，在上述的时间点t1之后变为上述的时间点t2，时间点t1与时间点t2之间的间隔 A1在设定时间以上的范围内成为最短的长度。此外，该设定时间是例如比0 秒长的时间。
也就是说，从向一个处理部22输送晶圆W(第1基板)起到晶圆W(第2 基板)向其他处理部22输送为止的晶圆W的输送间隔越短，上述的间隔A1 越短，在一个处理部22和其他处理部22并行地处理晶圆W的时间越长。不过，不设定成间隔A1比设定时间短。并且，输送间隔越长，间隔A1越长，根据该输送间隔，变为不在处理部22之间进行并行的处理，而于在一个处理部22 结束了一系列的处理之后，在其他处理部22开始一系列的处理。
晶圆W在各处理部22被同样地进行处理，因此，如此设定间隔A1也是在设定处理部22之间的晶圆W的处理的开始的间隔。另外，若如上述那样从温度调整模块12输出晶圆W的送出信号，则处理安排被设定，但设为从在一个处理部22开始处理起以较短的间隔输出下一个送出信号。在该情况下，如上述那样设定间隔A1，因此，以从在一个处理部22抗蚀剂的喷出处理结束的期间L5的结束的时刻起回溯预定的时间A2的方式设定其他处理部22的期间L1 的开始时刻。也就是说，在一个处理部22的晶圆W的处理中，根据抗蚀剂向该晶圆W喷出的喷出处理的结束的预定时刻(连续处理的结束的预定时刻) 决定其他处理部22的晶圆W的连续处理的开始的时刻。
对于上述的图12，示出了如下的时间图：设为一个处理部22是22A，其他处理部22是22B，并表示处理部22B的处理安排被如此设定了的情况下的期间L1～L6。在该例子中，设定成，上述的间隔A1成为上述的设定时间、也就是说最小的时间。间隔A1的设定时间设为比0秒大的时间的原因在于，即使是在一个处理部22的实际的处理相对于处理安排延迟了的情况下，也能够没有不良情况地进行其他处理部22的处理。此外，对于如此设定了处理部22的处理安排的晶圆W，根据该处理安排的开始时刻而使输送机构13动作，以便从温度调整模块12输送该晶圆W。并且，在向处理部22输送后，迅速地基于处理安排开始处理。
此外，通过如上述那样设定处理安排，在各处理部22从稀释剂的喷出结束到抗蚀剂的喷出开始之间的期间成为预先设定的长度。若假设该期间过长，则稀释剂从晶圆W挥发，若过短，则抗蚀剂喷嘴71向喷出位置的移动有可能来不及。也就是说，进行各处理部22的处理安排的设定，以使其不产生这样的不良情况。即，决定其他处理部22的一系列的处理的开始时刻，以使在一个处理部22直到稀释剂喷出结束后的抗蚀剂喷出开始为止的时间不延迟。
另外，补充说明图11、图12的时间图的期间L6的动作。设为：在按照处理安排对晶圆W进行处理的预定的时刻，例如期间L6的开始时，未设定下一个晶圆W的处理安排，即没有下一个晶圆W向抗蚀剂涂敷模块2的输送的预定。在该情况下，被通用臂67保持、并向该晶圆W喷出了抗蚀剂的抗蚀剂喷嘴71被向待机部61的待机位置62输送。由此，防止抗蚀剂喷嘴71内的抗蚀剂的干燥。另一方面，对于在期间L6的开始时设定有下一个晶圆W的处理安排的情况，保持于通用臂67的抗蚀剂喷嘴71不被向待机位置62输送，而是位于例如该待机位置62的上方。在如此的晶圆W向处理部22的输送间隔较短、抗蚀剂的喷出间隔较短从而难以发生抗蚀剂喷嘴71内的干燥的情况下，省略抗蚀剂喷嘴71的向待机位置62的移动和从待机位置62的移动所需要的升降动作。由此，能够谋求生产率的提高。此外，像这样，期间L6内的抗蚀剂喷嘴 71的移动目标不同，从而如已述那样期间L3中的抗蚀剂喷嘴71的移动起点不同。
以下，从晶圆W未向处理部22A～22C输送的状态起，说明向该处理部 22A～22C依次输送晶圆W而进行处理的抗蚀剂涂敷模块2的动作例。如上述那样，实际上向处理部22A～22C反复输送晶圆W，但在此为了避免说明的复杂化，设为向抗蚀剂涂敷模块2连续地输送仅3张相同的批次的晶圆W。对于这些晶圆W，按照向抗蚀剂涂敷模块2的送入顺序设为W1、W2、W3。另外，在该说明中，设为：晶圆W1～W3能够隔开比较短的间隔地分别从温度调整模块12送出，以图12进行了说明的间隔A1设为最小。
在周缘喷嘴44、单独喷嘴54、抗蚀剂喷嘴71在各自的待机部待机的状态下(图13)，从温度调整模块12输出晶圆W1的送出信号，设定处理部22A的处理安排。然后，晶圆W1被向处理部22A输送，并被旋转卡盘34A保持而旋转，按照处理安排开始处理。也就是说，在图11、图12的图表中，依次进行说明为期间L1、L2的动作的、单独喷嘴54A从待机部55向喷出位置的移动、稀释剂B1从单独喷嘴54A向晶圆W1的中心部的喷出。由于离心力，稀释剂 B1向晶圆W1的整个表面扩展而清洗晶圆W1的表面。
在如此在处理部22A进行着处理的期间内，从温度调整模块12输出晶圆 W2的送出信号，设定处理部22B的处理安排。并且，在处理部22A进行期间 L3的动作。也就是说，通用臂67保持一个抗蚀剂喷嘴71，并将其向晶圆W1 的过渡待机位置输送。另一方面，晶圆W2被向处理部22B输送，并被旋转卡盘34B保持而旋转(图14)。之后，在处理部22A，作为期间L4的动作，依次进行单独喷嘴54从喷出位置朝向待机部55的移动、抗蚀剂喷嘴71向喷出位置的移动。另一方面，在处理部22B，按照处理安排开始处理，进行作为期间 L1的动作的单独喷嘴54B从待机部55B向喷出位置的移动。
接着，在处理部22A，进行作为期间L5的动作的抗蚀剂R的喷出，该抗蚀剂R由于离心力而向晶圆W1整个表面扩展(图15)。然后，使该抗蚀剂R 的喷出停止，并作为期间L6的动作使抗蚀剂喷嘴71向后方区域38退避，在此期间内，晶圆W1的表面的抗蚀剂R干燥而成为抗蚀剂膜R1。另外，在处理部 22B，作为期间L2的动作，进行稀释剂B1从喷出位置的单独喷嘴54B向晶圆 W2的喷出(图16)。在如此使处理部22A、22B进行着处理的期间内，从温度调整模块12输出晶圆W3的送出信号，设定处理部22C的处理安排。
之后，在处理部22A，使周缘喷嘴44A向处理位置移动，向晶圆W1的周缘部喷出稀释剂B2，晶圆W1的周缘部处的抗蚀剂膜R1被去除。在此期间内，在处理部22B，作为期间L3的动作，进行抗蚀剂喷嘴71向过渡待机位置的移动。此外，由于在处理部22A的期间L6的开始时设定有处理部22B的处理安排，因此，如已述那样抗蚀剂喷嘴71未被向待机部61输送，而是被直接向上述的过渡待机位置输送。另一方面，晶圆W3被向处理部22C输送，并被旋转卡盘34C保持而旋转(图17)。
然后，在处理部22A，依次进行稀释剂B2自周缘喷嘴44A的喷出停止、周缘喷嘴44A向待机部45A的退避，并将处理完毕的晶圆W1从该处理部22A 送出。在此期间内，在处理部22B，作为期间L4的动作，依次进行单独喷嘴 54B从喷出位置的退避、抗蚀剂喷嘴71向喷出位置的移动。另一方面，在处理部22C，按照处理安排开始处理，进行作为期间L1的动作的单独喷嘴54C 从待机部55C向喷出位置的移动。
接着，在处理部22B，作为期间L5的动作，进行抗蚀剂R的喷出(图18)。然后，使该抗蚀剂R的喷出停止，作为期间L6的动作而使抗蚀剂喷嘴71向后方区域38退避。在此期间内，晶圆W2的表面的抗蚀剂R干燥而成为抗蚀剂膜 R1。另外，另一方面，在处理部22C，作为期间L2的动作，进行稀释剂B1 从喷出位置的单独喷嘴54C向晶圆W3的喷出(图19)。
之后，在处理部22B，周缘喷嘴44B向处理位置移动，向晶圆W2的周缘部喷出稀释剂B2，晶圆W2的周缘部处的抗蚀剂膜R1被去除。在此期间内，在处理部22C，作为期间L3的动作(图20)，进行抗蚀剂喷嘴71向过渡待机位置的直接的移动。
然后，在处理部22B依次进行稀释剂B2自周缘喷嘴44B的喷出停止、周缘喷嘴44B向待机部45的退避，并送出处理完毕的晶圆W2。在此期间内，在处理部22C，作为期间L4的动作，进行单独喷嘴54C从喷出位置的退避、抗蚀剂喷嘴71向喷出位置的移动，并作为期间L5的动作，进行抗蚀剂R的喷出 (图21)。在抗蚀剂R的喷出结束后，作为期间L6的动作，使抗蚀剂喷嘴71 向后方区域38退避。由于未设定下一个晶圆W的处理安排，因此，该抗蚀剂喷嘴71被向待机部61输送而在待机位置62待机。另一方面，在处理部22C，周缘喷嘴44C向处理位置移动，向晶圆W3的周缘部喷出稀释剂B2，晶圆W3 的周缘部处的抗蚀剂膜R1被去除(图22)。之后，晶圆W3被从处理部22C送出。
如上述那样，对于抗蚀剂涂敷模块2，进行清洗处理的单独喷嘴54、进行EBR的周缘喷嘴44以各处理部22为单位设置。并且，对于迟于清洗处理被使用的用于进行抗蚀剂涂敷的抗蚀剂喷嘴71，在处理部22间共用，这些单独喷嘴54、抗蚀剂喷嘴71、周缘喷嘴44能够相互独立地在杯31外的待机部与晶圆W之上间移动。因而，之后在被送入了晶圆W的其他处理部22，在进行清洗处理和/或使清洗处理用的单独喷嘴54移动的期间内，能进行先被送入了晶圆W的一个处理部22的抗蚀剂涂敷和/或进行抗蚀剂喷嘴71从一个处理部22 向其他处理部22的移动。另外，不管其他处理部22的晶圆W的处理如何，能够在一个处理部22进行EBR处理。正因为如此，对于抗蚀剂涂敷模块2，能够获得较高的生产率。
尤其是，在如上述那样由单独喷嘴54进行的稀释剂的喷出时间比由抗蚀剂喷嘴71进行的抗蚀剂的喷出时间长的情况下，能够在该喷出时间中如已述那样进行一个处理部22的抗蚀剂的喷出、抗蚀剂喷嘴71的移动，从而防止生产率的降低，因此，是有利的。而且，如已述那样，在抗蚀剂涂敷模块2，单独喷嘴54利用旋转机构52移动，对于周缘喷嘴44，利用直动机构41移动，从而能够使模块省空间化。
对于已述的专利文献1的涂敷装置，如上述那样设置有许多喷嘴，这些喷嘴全部在处理单元(处理部)被通用化。因而，由于在一个处理单元的处理结束后进行其他处理单元的处理，而难以谋求生产率的提高。另外，在专利文献1中，各喷嘴均同样地利用通用的喷嘴输送机构从处理单元的后方向该处理单元输送。也就是说，在专利文献1中没有如下构思：在如本公开这样设置有互不相同的作用的喷嘴时，根据喷嘴而灵活运用由直动机构进行的移动和由旋转机构进行的移动，从而防止装置的大型化。
而且，如已述那样，在由单独喷嘴54进行的稀释剂的喷出过程中，抗蚀剂喷嘴71在晶圆W之上的过渡待机位置待机，因此，能够迅速地进行从清洗处理向抗蚀剂的喷出处理的切换，因此，能够更可靠地提高生产率。此外，稀释剂的喷出时间比抗蚀剂的喷出时间长，它们的喷出时间之差越大，越易于在稀释剂的喷出过程中使抗蚀剂喷嘴71在已述的过渡待机位置待机。也就是说，易于将处理安排编制成，于在一个处理部22由抗蚀剂喷嘴71进行的处理后，在其他处理部22结束稀释剂的喷出之前，将抗蚀剂喷嘴71配置到过渡待机位置。也就是说，即使抗蚀剂喷嘴71在处理部22被通用化，其动作也不限制晶圆W的处理，而抑制直到对晶圆W进行抗蚀剂涂敷为止的等待时间，从而能够更可靠地获得较高的生产率。
而且，如已述那样，根据一个处理部22的晶圆W的处理状况决定其他处理部22的晶圆W的处理安排。如以图12进行了说明那样以使各处理部22的处理安排彼此重叠的期间较长的方式进行该处理安排的决定。因而，在持续处理多个晶圆W时，能够更可靠地提高生产率。
以下，对与已述的稀释剂和抗蚀剂的处理制程不同的处理制程进行说明。以向相对于旋转的晶圆W的中心部偏离的第1位置喷出抗蚀剂的方式配置有抗蚀剂喷嘴71，并且，以向比第1位置靠近晶圆W的周缘的第2位置喷出稀释剂B1的方式配置单独喷嘴54。并且，分别进行抗蚀剂R、稀释剂B1的喷出。如图23所示，对于抗蚀剂喷嘴71，以使抗蚀剂R所喷出的位置向晶圆W的中心部之上移动的方式使该抗蚀剂喷嘴71在横向上移动，缓和晶圆W在着液时的冲击而抑制自着液位置的飞散。通过如此供给抗蚀剂R和稀释剂B1，从而在晶圆W上，成为抗蚀剂R的积液层位于中央部，稀释剂B1以包围该积液层的方式被供给到晶圆W的状态。之后，使晶圆W的转速上升。由此，在稀释剂B1供给完毕的晶圆W的周缘部，抗蚀剂R以针对该周缘部具有较高的包覆性的方式扩展，使晶圆W的整个表面更可靠地被抗蚀剂R包覆。
在该图23的处理中，对于喷出稀释剂B1的时间段、喷出抗蚀剂R的时间段，也可以不明确地区分。也就是说，并不限于在结束了自任一个喷嘴的喷出之后，开始自另一个喷嘴的喷出，对于喷出抗蚀剂R的时间段、喷出稀释剂B1的时间段，能以重叠的方式进行处理。在图23中，如此地对于抗蚀剂R 和稀释剂B1，以各自的喷出的时间段重叠的方式表示。也可以是，在如此以喷出稀释剂B1的时间段、喷出抗蚀剂R的时间段相互重叠的方式设定了处理制程的情况下，使保持抗蚀剂喷嘴71的通用臂67在与该处理制程相应的时刻进行动作。此外，在执行以该图23进行了说明的处理制程的情况下，在晶圆 W的中心部之上，已述的各喷嘴的移动轨迹D1～D3也不重叠，因此优选。
另外，作为从周缘喷嘴44供给的处理液，并不限于稀释剂。例如，也可以喷出保护膜形成用的处理液来替代稀释剂，并利用保护膜包覆抗蚀剂膜形成后的晶圆W的周缘部。该保护膜是用于防止晶圆W的周缘部处的膜剥离的保护膜。并且，对于形成这样的保护膜的情况，存在要求使晶圆W的膜厚在周向上的均匀性较高的情况。若如上述那样假设利用旋转机构使周缘喷嘴44 移动，则在为了变更保护膜所形成的区域的宽度而使着液位置在径向上偏移的情况下，该着液位置也在晶圆W的周向上偏离。由此，晶圆W的膜厚在周向上的均匀性有可能降低。出于防止上述情况的观点考虑，也优选如上述那样利用直动机构41使周缘喷嘴44移动。
另外，在抗蚀剂的喷出时间比自用于清洗(预湿)的喷嘴的稀释剂的喷出时间长的情况下，也可以是，在各处理部22共用喷出稀释剂的喷嘴，而将喷出抗蚀剂的喷嘴以各处理部22为单位设置。也就是说，处理液的喷出时间较长的喷嘴以各处理部22为单位设置，处理液的喷出时间较短的喷嘴在各处理部22被共用。根据这样的结构，能够在自喷出时间较长的喷嘴的处理液的喷出过程中进行自喷出时间较短的喷嘴的处理液的喷出和/或进行喷出时间较短的喷嘴在处理部22之间的移动。因而，能够提高生产率。
此外，也可以设置成，使用于从与设置于上述的通用臂67的照相机84不同的方向对保持于该通用臂67的抗蚀剂喷嘴71进行拍摄的照相机相对于杯 31固定。另外，也可以是，在通用臂67不设置照相机84，而设置成，使从各不相同的方向对保持于抗蚀剂喷嘴71的抗蚀剂喷嘴71进行拍摄的多个照相机固定于杯31。对于从如此相对于杯31固定的照相机取得的图像，也与从照相机84取得的图像同样地为了检测各种异常而使用。
另外，也可以是，基于以图12进行了说明的一个处理部22的一系列的处理的开始时刻与其他处理部22的一系列的处理的开始时刻之间的时间差，决定是否使在一个处理部22使用结束的抗蚀剂喷嘴71在待机部61的待机位置 62待机。也就是说，在上述的时间差比所预先决定的设定时间短的情况下，不向待机位置62输送抗蚀剂喷嘴71，而是使抗蚀剂喷嘴71在例如该待机位置 62的上方待机。另一方面，在该时间差是所预先决定的设定时间以上的长短的情况下，向待机位置62输送抗蚀剂喷嘴71而使抗蚀剂喷嘴71待机。
也可以是，在上述的臂53设置有喷出不同的种类的稀释剂的多个单独喷嘴54，从任一个被选择的单独喷嘴54喷出稀释剂。另外，处理部22的数量并不限于是3个，也可以是4个以上。另外，处理部22的数量也可以是两个。不过，通过针对比较多的处理部22而使抗蚀剂供给机构6共有化，在将多个抗蚀剂涂敷模块2设置于装置时，能够削减模块数量、处理液的供给管线，而使装置的制造成本降低。另外，能够削减制造、维护的工时。如已述那样采用抗蚀剂涂敷模块2，构成为，即使如此使处理部22的数量较多，也能够抑制生产率的降低，因而是有利的。而且，作为本公开的涂敷装置，并不限于涂敷抗蚀剂而形成抗蚀剂膜的结构。也可以将本公开的技术应用于例如涂敷防反射膜形成用的处理液而形成防反射膜的装置、涂敷绝缘膜形成用的处理液而形成绝缘膜的装置。也就是说，也可以是从共有的喷嘴向处理部22供给用于形成这些膜的处理液的结构。
此外，应该认为此次所公开的实施方式在全部的点都是例示，而并非限制性的。不脱离所附的权利要求书及其主旨，上述的实施方式就可以以各种形态省略、置换、变更。

Claims (16)

1.一种液处理装置，其特征在于，
该液处理装置具备：
多个基板保持部，其分别保持基板；
第1喷嘴，其为了在保持于各所述基板保持部的基板之上的第1喷出位置向该基板喷出第1处理液而以各所述基板保持部为单位设置；
第2喷嘴，其相对于所述第1喷嘴独立地移动，在保持于各所述基板保持部的基板之上的第2喷出位置以迟于所述第1处理液的喷出的方式向该基板喷出涂敷膜形成用的第2处理液，该第2喷嘴被所述多个基板保持部共用；
第1待机部和第2待机部，其使所述第1喷嘴、所述第2喷嘴分别于俯视时在所述基板由各基板保持部保持的保持区域的外侧待机；以及
回转机构，其使所述第1喷嘴于俯视时在所述第1待机部与所述第1喷出位置之间回转。
2.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，
自所述第1喷嘴对所述基板供给稀释剂作为第1处理液，自所述第2喷嘴对所述基板供给在所述基板上形成膜的处理液作为所述第2处理液。
3.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，
所述多个基板保持部位包括能够分别独立地保持基板的3个基板保持部。
4.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，
除了所述第1喷出位置和所述第2喷出位置在俯视时相互重叠的通用喷出位置之外，所述第1待机部与第1喷出位置之间的所述第1喷嘴在俯视时的第1移动轨迹、和所述第2待机部与第2喷出位置之间的所述第2喷嘴在俯视时的第2移动轨迹成为表示互不重叠的相对于该通用喷出位置不同方向的路径的线。
5.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，
该液处理装置具备：
照明，其与所述第2喷嘴一起移动，向该第2喷嘴照射光；以及
拍摄部，其与所述第2喷嘴一起移动，拍摄由所述照明照射了光的该第2 喷嘴。
6.根据权利要求5所述的液处理装置，其特征在于，
所述照明以从互不相同的方向向所述第2喷嘴照射光的方式设置有多个。
7.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，
从所述第1喷嘴向所述基板喷出所述第1处理液的期间比从所述第2喷嘴向该基板喷出所述第2处理液的期间长。
8.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，
将保持于一个所述基板保持部的所述基板设为第1基板，将保持于另一所述基板保持部的所述基板设为第2基板，
将从所述第1喷嘴自所述第1待机部开始移动的时刻到所述第2喷嘴结束第2处理液的喷出的时刻设为连续处理，
该液处理装置设置有控制部，该控制部输出控制信号，以使对所述第1基板进行所述连续处理的期间与对所述第2基板进行所述连续处理的期间重叠。
9.根据权利要求8所述的液处理装置，其特征在于，
所述控制部在对所述第1基板进行的所述连续处理的执行过程中根据该连续处理结束的时刻决定开始对所述第2基板进行所述连续处理的时刻。
10.根据权利要求9所述的液处理装置，其特征在于，
所述控制部将所述第2基板处的从所述第1处理液的喷出结束到喷出所述第2处理液的间隔调整到所预先设定的范围内。
11.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，
在从所述第1喷嘴向所述基板喷出所述第1处理液的过程中，所述第2喷嘴在该基板之上待机。
12.根据权利要求11所述的液处理装置，其特征在于，
在自所述第1喷嘴向所述基板喷出所述第1处理液的过程中，所述第2喷嘴在相对于与所述第1喷出位置重叠的所述第2喷出位置在水平方向上偏离的位置待机。
13.根据权利要求6所述的液处理装置，其特征在于，
所述拍摄部和设置有多个的所述照明设为共用所述第2喷嘴的驱动部而能够移动，
设置有多个的所述照明从在俯视时由连结所述第2喷嘴和所述拍摄部的直线分隔开的两个区域分别照向该第2喷嘴。
14.根据权利要求13所述的液处理装置，其特征在于，
设置有多个的所述照明具有从所述第2喷嘴的上方照向所述第2喷嘴的上方照射构件。
15.根据权利要求8～10中任一项所述的液处理装置，其特征在于，
该液处理装置设有决定机构，其基于在对所述第1基板进行的所述连续处理的执行过程中是否存在所述第2基板向另一所述基板保持部的输送的预定，而针对所述第2喷嘴决定是在向所述第1基板喷出所述第2处理液之后使所述第2喷嘴向所述第2待机部移动，还是不使所述第2喷嘴向该第2待机部移动而使其朝向与所述第2基板相对应的所述第2喷出位置移动。
16.根据权利要求8～10中任一项所述的液处理装置，其特征在于，
该液处理装置设有决定机构，其根据先被保持于一个所述基板保持部的所述第1基板的所述连续处理的开始的时刻与后被保持于另一基板保持部的所述第2基板的所述连续处理的开始的时刻之间的间隔，而针对所述第2喷嘴决定是在向所述第1基板喷出所述第2处理液之后使所述第2喷嘴向所述第2待机部移动，还是不使所述第2喷嘴向该第2待机部移动而使其朝向与所述第2基板相对应的所述第2喷出位置移动。
CN202021007532.5U 2019-06-11 2020-06-04 液处理装置 Active CN213124375U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019108972A JP7314634B2 (ja) 2019-06-11 2019-06-11 塗布装置及び塗布方法
JP2019-108972 2019-06-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN213124375U true CN213124375U (zh) 2021-05-04

Family

ID=73656069

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010500958.2A Pending CN112071771A (zh) 2019-06-11 2020-06-04 液处理装置和液处理方法
CN202021007532.5U Active CN213124375U (zh) 2019-06-11 2020-06-04 液处理装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010500958.2A Pending CN112071771A (zh) 2019-06-11 2020-06-04 液处理装置和液处理方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11752515B2 (zh)
JP (2) JP7314634B2 (zh)
KR (1) KR20200141938A (zh)
CN (2) CN112071771A (zh)
TW (1) TW202106395A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019146456A1 (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5254367A (en) * 1989-07-06 1993-10-19 Tokyo Electron Limited Coating method and apparatus
US5079854A (en) * 1989-12-27 1992-01-14 Xerox Corporation Method and apparatus for cleaning, coating and curing receptor substrates in an enclosed planetary array
TW204411B (zh) * 1991-06-05 1993-04-21 Tokyo Electron Co Ltd
JP2870719B2 (ja) * 1993-01-29 1999-03-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
KR100707107B1 (ko) * 1997-07-17 2007-12-27 동경 엘렉트론 주식회사 세정.건조처리방법및장치
JP4140742B2 (ja) * 1997-08-07 2008-08-27 東京エレクトロン株式会社 圧力及び流量の制御方法並びにその装置
US6248168B1 (en) * 1997-12-15 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit
JP3577580B2 (ja) * 1998-03-17 2004-10-13 東京エレクトロン株式会社 空気駆動式液体供給装置
JP2000056474A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2001210576A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Nikon Corp 荷重キャンセル機構、真空チャンバ結合体、露光装置及び半導体デバイスの製造方法
JP3545672B2 (ja) * 2000-04-21 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US6647642B2 (en) * 2000-12-15 2003-11-18 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and method
JP4100466B2 (ja) * 2000-12-25 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4033689B2 (ja) * 2002-03-01 2008-01-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP4570008B2 (ja) * 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2004039828A (ja) 2002-07-03 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成方法およびプリウェット剤
JP3913625B2 (ja) * 2002-07-12 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法
US7122988B2 (en) * 2002-09-13 2006-10-17 Tokyo Electron Limited Rotation drive device and rotation drive method
JP3890025B2 (ja) * 2003-03-10 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
JP4074593B2 (ja) * 2004-02-26 2008-04-09 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
TWI251857B (en) * 2004-03-09 2006-03-21 Tokyo Electron Ltd Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning device
JP4566035B2 (ja) * 2005-03-11 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
KR101062253B1 (ko) * 2006-06-16 2011-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
JP4767783B2 (ja) * 2006-07-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4999415B2 (ja) * 2006-09-29 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法
JP5045218B2 (ja) 2006-10-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5084236B2 (ja) * 2006-11-30 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 デバイス製造装置およびデバイス製造方法
JP4825178B2 (ja) * 2007-07-31 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4901650B2 (ja) * 2007-08-31 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5122265B2 (ja) * 2007-10-01 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5442226B2 (ja) 2008-07-28 2014-03-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5199792B2 (ja) 2008-08-28 2013-05-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法
JP2010087169A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 気化器およびそれを用いた成膜装置
JP2010144221A (ja) * 2008-12-18 2010-07-01 Tokyo Electron Ltd 原料ガス発生装置及び成膜装置
JP4862903B2 (ja) * 2009-03-06 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、濾材の再生方法及び記憶媒体
KR101534357B1 (ko) * 2009-03-31 2015-07-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 지지 장치 및 기판 지지 방법
WO2010114118A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 東京エレクトロン株式会社 蒸着ヘッドおよび成膜装置
JP5045741B2 (ja) * 2009-12-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 薬液供給ノズル及び薬液供給方法
JP5494146B2 (ja) * 2010-04-05 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5457384B2 (ja) 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
KR101590661B1 (ko) * 2010-09-13 2016-02-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
KR101637170B1 (ko) * 2010-10-14 2016-07-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법
JP5263284B2 (ja) * 2010-12-28 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 塗布方法、塗布装置及び記憶媒体
JP5474853B2 (ja) * 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5844681B2 (ja) * 2011-07-06 2016-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP5672204B2 (ja) 2011-09-13 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5742635B2 (ja) * 2011-09-29 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置のアラーム管理方法および記憶媒体
JP5885989B2 (ja) * 2011-10-13 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5667545B2 (ja) * 2011-10-24 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
TWI524456B (zh) * 2011-11-04 2016-03-01 東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板運送方法、程式及電腦記憶媒體
TWI550686B (zh) * 2011-11-04 2016-09-21 東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板運送方法及電腦記憶媒體
KR101920941B1 (ko) * 2012-06-08 2018-11-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 유체의 공급 방법 및 기억 매체
JP6026241B2 (ja) * 2012-11-20 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6020405B2 (ja) * 2013-10-02 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP6020416B2 (ja) * 2013-11-01 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP6287750B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6104836B2 (ja) * 2014-03-13 2017-03-29 東京エレクトロン株式会社 分離再生装置および基板処理装置
JP6342343B2 (ja) * 2014-03-13 2018-06-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6392035B2 (ja) * 2014-09-02 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6411172B2 (ja) * 2014-10-24 2018-10-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP6430784B2 (ja) * 2014-10-31 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6454629B2 (ja) * 2014-12-16 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6441176B2 (ja) * 2015-07-10 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP6498573B2 (ja) * 2015-09-15 2019-04-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP6614610B2 (ja) * 2016-02-12 2019-12-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN107221491B (zh) * 2016-03-22 2021-10-22 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置
JP2019021747A (ja) * 2017-07-14 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板位置調整方法、記憶媒体及び基板処理システム
JP6980457B2 (ja) * 2017-08-23 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP7253955B2 (ja) * 2019-03-28 2023-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20210143264A (ko) * 2019-03-28 2021-11-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102388407B1 (ko) * 2019-07-02 2022-04-21 세메스 주식회사 노즐 장치, 기판 처리 장치 및 방법
JP7355615B2 (ja) * 2019-11-25 2023-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US20210265177A1 (en) * 2020-02-26 2021-08-26 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP7370277B2 (ja) * 2020-02-26 2023-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2022083862A (ja) * 2020-11-25 2022-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102564512B1 (ko) * 2020-12-28 2023-08-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102479590B1 (ko) * 2020-12-30 2022-12-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2022174633A (ja) * 2021-05-11 2022-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2022188854A (ja) * 2021-06-10 2022-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法
JP2022188853A (ja) * 2021-06-10 2022-12-22 東京エレクトロン株式会社 気体処理装置及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230347369A1 (en) 2023-11-02
KR20200141938A (ko) 2020-12-21
TW202106395A (zh) 2021-02-16
JP7314634B2 (ja) 2023-07-26
JP2023118877A (ja) 2023-08-25
US11752515B2 (en) 2023-09-12
CN112071771A (zh) 2020-12-11
US20200391238A1 (en) 2020-12-17
JP2020202315A (ja) 2020-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101451442B1 (ko) 세정 장치 및 그 방법, 도포 현상 장치 및 그 방법, 및 기억 매체
US8636915B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP4887310B2 (ja) 液処理装置
KR100556012B1 (ko) 현상처리방법 및 현상처리장치
KR101609885B1 (ko) 액처리 장치
KR101732459B1 (ko) 액처리 장치
KR101972225B1 (ko) 주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법
US8522714B2 (en) Wet processing apparatus, wet processing method and storage medium
CN107492513B (zh) 液处理装置、液处理方法以及存储介质
CN213124375U (zh) 液处理装置
JP6503279B2 (ja) 膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法
US7641406B2 (en) Bevel inspection apparatus for substrate processing
KR20180080312A (ko) 막 처리 유닛 및 기판 처리 장치
KR101667432B1 (ko) 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체
KR101198496B1 (ko) 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치
JP5183994B2 (ja) 基板処理装置
CN220691257U (zh) 液处理装置
JP2001274082A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
US20210272826A1 (en) Development processing apparatus and development processing method
JP2023114977A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2024046880A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN114843205A (zh) 基板处理装置、系统及方法、以及计算机存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant