CN1285687C - 表面处理组合物及其用途 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面处理组合物，它包括水和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。

Description

表面处理组合物及其用途
本申请是申请日为1999年6月22日、发明名称为“抛光组合物和表面处理组合物”的专利申请CN99108532.9的分案申请。
技术领域
本发明涉及适合于半导体晶片表面处理的表面处理组合物或抛光组合物。更具体地说，本发明涉及一种表面处理组合物或抛光组合物，它具有高的抛光除去率，通过在低电阻硅晶片(在该晶片中含大量掺杂物并且电阻率最大为0.1Ω·cm)的镜面抛光中减少波度的形成，能获得极光滑的表面。
背景技术
近年来，已经开发了高集成并且大容量的用于高技术产品(包括计算机)的高性能半导体元件芯片，并且由于这种大的容量而正在扩大芯片的尺寸。对用作分立的半导体元件、双极IC、MOSIC和其它高性能半导体元件的取向附生晶片的需求正在逐年增加。半导体元件设计标准的小型化已年复一年地取得进展，因此在元件制造方法中的焦深变浅，并且对形成元件前的晶片抛光表面的精度要求更趋严格。
作为抛光表面的精度参数，有例如各种表面缺陷，如LPD、沉积较大的外来物质、划痕、表面粗糙度、雾度级别和SSS(次表面划痕，它是一种细的划痕，也称隐划痕)。
LPD包括沉积在晶片表面上细小外来物质(下面称之为“颗粒”)形成的缺陷和COP(晶体原生颗粒)形成的缺陷。沉积在晶片上的较大的外来物质包括由抛光组合物干燥及其它原因形成的干的凝胶。
如果存在这种LPD或较大的外来物质，则很可能形成图形缺陷、绝缘体电压击穿、不能离子注入或元件的其它性能下降，并且成品率(yield)很可能很低。因此，目前正在研究这种表面缺陷低的晶片或制造所述晶片的方法。
硅晶片是常用的半导体基材，它是将硅单晶坯料切成晶片，随后粗抛光(称为磨配(lapping))成大致的形状而制得的。接着，浸蚀除去在切片或磨配过程中在晶片表面上形成的损伤层，随后将该晶片表面抛光成镜面形成硅晶片。这种抛光常包括多个抛光步骤，具体为毛坯除去抛光、第二级抛光和精制抛光(最后抛光)。根据所使用的方法，可省略第二级抛光，或者在第二级抛光和最后抛光之间增加进一步抛光步骤。
上述硅单晶坯料是用CZ法或FZ法生长的硅单晶。FZ法的优点在于杂质污染很小，可生长具有高电阻率的单晶，但其缺点在于其直径难以增加或电阻率难以控制，作为制造单晶的方法它是具有特色的。目前主要使用CZ法。CZ法用这种方法生长单晶，即用具有预定取向的晶种诱发单晶的生长(所述晶种位于一个具有减压的氩气气氛的密闭容器中的石英坩埚内加热并熔融的硅熔体表面的中央)，并将该单晶拉成具有所需形状的坯料。
通常，可以以大于常见的量向上述硅熔体中掺入锑、砷、硼或其它掺杂物来降低晶片的电阻率。最大具有0.1Ω·cm电阻率的晶片常称为低电阻晶片。上面提到的取向附生晶片是一种有硅单晶薄膜(下面称为取向附生层)的晶片，该薄膜无晶体缺陷，通过化学或物理方法生长在这种低电阻晶片的表面上。
当在CZ法中拉该单晶硅时，在硅熔体中的掺杂物可能较容易加入单晶中，随着拉晶的进行，在硅熔体中的掺杂物浓度下降。因此，为了保持坯料中掺杂物的浓度恒定，在拉晶(withdrawn)过程中向石英坩埚中补充适量的硅熔体或掺杂物，但是这难以使拉制坯料中掺杂物浓度均匀。如果将用这种方法由含掺杂物的熔体制得的坯料切片，则会以环状方式显示出掺杂物浓度的不均匀性。
以前，为了抛光常见的低电阻晶片，常使用包括水、二氧化硅和抛光促进剂(如胺或氨)的抛光组合物。如果将这种抛光组合物用于抛光具有高掺杂物浓度的低电阻晶片，则会在晶片表面上形成与掺杂物浓度不均匀性相对应的环状波度(下面称为“掺杂物条纹”)。在抛光除去率高的毛坯除去抛光中形成这种掺杂物条纹是明显的。在毛坯除去抛光后进行的第二级抛光或最后抛光中，与毛坯除去抛光相比抛光除去率通常较低，难以通过第二级或随后的抛光操作修补在毛坯除去抛光中形成的波度。即使为了减少形成这种掺杂物条纹而减少用于毛坯除去抛光中的抛光促进剂的量，减少掺杂物条纹的效果也是微小的，并且还会导致抛光除去率显著下降的另一个问题。在实际的抛光操作中，通过循环重复使用抛光组合物，如果在减少添加剂量的状态下通过循环重复使用所述组合物，则会产生抛光除去率显著下降的问题。
另一方面，第二次和随后的抛光操作，尤其是最后的抛光步骤用于修光在前面步骤中抛光的晶片表面。即在第二次和随后的抛光操作中，重要的是能降低表面粗糙度，防止形成微突起、微凹坑和其它细小的表面缺陷，而非如毛坯除去抛光中所需的那样具有大的修补波度或较大的表面缺陷的能力。另外，从生产率的观点看，高的抛光除去率是重要的。就本发明人所知，在常规的两步抛光中，可在第二级抛光中获得低表面粗糙度的晶片表面，但是使用的抛光除去率很低，不适合于实际的制造，并且难以防止形成微突起、微凹坑和其它表面缺陷。
发明内容
因此，需要开发一种抛光组合物或表面处理组合物，它具有高的抛光除去率，在抛光最大具有0.1Ω·cm电阻率的低电阻晶片时，能形成无掺杂物条纹的非常光滑的抛光表面。
本发明已解决上述问题，本发明的目的是提供一种抛光组合物，它具有高的抛光除去率，在抛光用CZ法制得的最大具有0.1Ω·cm电阻率的低电阻晶片时，能形成无掺杂物条纹的非常光滑的抛光表面。本发明另一个目的是提供一种表面处理组合物，在抛光前将其施加在要处理的物体表面上，减少在抛光中形成掺杂物条纹，并能有效地清洁抛光物体的表面。
本发明提供一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光组合物，它包括水、磨料和至少一种作为添加剂选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物的化合物。
本发明提供上述抛光组合物用于抛光电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的用途。
本发明还提供一种抛光硅晶片的方法，该方法中将上述抛光组合物用作抛光电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的组合物。
另外，本发明提供一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面处理组合物，它包括水和至少一种作为添加剂选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物的化合物。
在抛光电阻率最大为0.1Ω·cm的低电阻硅晶片，尤其是用CZ法制得的晶片时，本发明抛光组合物能形成无波度的很光滑的抛光表面，当循环使用该组合物时，抛光除去率的下降很小。
在抛光电阻率最大为0.1Ω·cm的低电阻硅晶片前或抛光后使用本发明表面处理组合物，可在抛光处理中减少形成波度，或抛光后的表面清洁效果将很好。
具体实施方式
下面将参照较好的实例详细地描述本发明。
添加剂
本发明表面处理组合物或抛光组合物包括水和添加剂。在抛光组合物中这种添加剂通过作为抛光促进剂的化学作用而促进抛光作用，在表面处理组合物中不含磨料，在抛光前它起表面处理的作用，或在抛光后起漂清表面的作用。
这种添加剂可包括下列物料：
(a)碱金属氢氧化物，如氢氧化钾或氢氧化钠，
(b)碱金属碳酸盐，如碳酸钾或碳酸钠，
(c)碱金属碳酸氢盐，如碳酸氢钾或碳酸氢钠，
(d)季铵盐，如氢氧化四甲铵、氢氧化四乙铵或氢氧化四丁铵，
(e)过氧化物，如过氧化氢、过氧化钠、过氧化钾、过氧化锂、过氧化钙或过氧化锆，和
(f)过氧酸盐，如过二硫酸(peroxodisulfuric acid)、过二硫酸铵、过二硫酸钾、过二硫酸钠、过二磷酸(peroxodiphosphoric acid)、过二磷酸钾、过碳酸钾、过碳酸钠、过硼酸钠、过硼酸镁或过硼酸钾。
要求这种添加剂能溶解在组合物中。可在不影响本发明效果的范围内以任意的比例组合使用这些添加剂。在本发明组合物中这种添加剂的含量随所使用的化合物类型的不同或随组合物使用目的的不同而不同，但是按组合物的总重量计，它通常为0.001-50重量％。
当将本发明组合物用于毛坯除去抛光时，最好将添加剂的浓度设定在较高的水平。尤其当所述添加剂是碱金属的氢氧化物、碳酸盐或碳酸氢盐时，该浓度宜为0.001-30重量％，较好为0.01-5重量％，最好为0.05-3重量％。当所述添加剂是季铵盐时，该浓度宜为0.05-15重量％，较好为0.1-10重量％，最好为0.5-5重量％。当所述添加剂是过氧化物时，该浓度宜为0.01-50重量％，较好为0.1-30重量％，最好为0.5-25重量％。当所述添加剂是过氧酸盐时，该浓度较好为0.01-50重量％，较好为0.1-30重量％，最好为0.5-25重量％。
另一方面，当将本发明组合物用于第二次或随后的抛光操作，尤其是用于最后的抛光时，该添加剂最好是低浓度的。尤其当该添加剂是碱金属的氢氧化物、碳酸盐或碳酸氢盐时，其浓度宜为0.001-30重量％，较好为0.01-5重量％，最好为0.05-3重量％。当该添加剂是季铵盐时，其浓度宜为0.005-15重量％，较好为0.01-10重量％，最好为0.05-5重量％。当所述添加剂是过氧化物时，其浓度宜为0.001-50重量％，较好为0.01-30重量％，最好为0.05-25重量％。当所述添加剂是过氧酸盐时，其浓度宜为0.001-50重量％，较好为0.01-30重量％，最好为0.05-25重量％。
当将这种添加剂用作抛光组合物时，随着其含量的增加，抛光除去率有增加的趋势，当通过循环而重复使用这种添加剂时，抛光除去率的下降很小。但是，如果含量太大，抛光组合物的化学作用会太强，很可能会由于强的浸蚀作用而在晶片表面形成表面缺陷(如表面变粗糙)；或者会失去磨粒的分散稳定性，形成沉淀。另一方面，如果用量太小，抛光除去率会变低，需要长的时间进行抛光操作，使生产率下降，这在实践中是不可取的。尤其当煅制二氧化硅用作磨料时，在抛光组合物中会产生凝胶，使分散稳定性变差，组合物的粘度会高得难以操作。
当在抛光处理后将含这种添加剂的表面处理组合物用于漂清处理时，便于除去在表面上的残余物或除去干的抛光组合物。
水溶性聚合物
本发明组合物可含有水溶性聚合物。尤其当本发明组合物用于第二次或随后的抛光(特别是最后抛光)时，该组合物最好含有水溶性聚合物。抛光后的晶片表面马上具有疏水性，在这种情况下当抛光组合物、空气中的灰尘或其它外来物质沉积在晶片表面上时，该组合物中的磨料或外来物质会变干和固化，紧紧地固定在晶片表面上，从而导致在晶片表面上沉积颗粒。然而，在本发明抛光组合物中，水溶性聚合物具有在晶片表面上形成亲水性的功能，使得在完成抛光至随后的清洗步骤之间的短时间内晶片表面不会变干。要求欲使用的水溶性聚合物能溶解在组合物中。所述欲使用的水溶性聚合物无特别的限制，只要它不影响本发明效果即可。但是，该聚合物通常具有亲水性基团并且分子量至少为100,000，较好至少为1,000,000。在本发明中，所述亲水性基团可以是，例如羟基、羧基、羧酸酯基、磺基等。具体地说，这种水溶性聚合物最好是至少一种选自纤维素衍生物和聚乙烯醇的聚合物。所述纤维素衍生物较好是至少一种选自羧甲基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、甲基纤维素、乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素和羧甲基乙基纤维素的纤维素衍生物。最好是羟乙基纤维素。可以任选的比例组合使用这些水溶性聚合物。
在本发明抛光组合物中所述水溶性聚合物的含量随所使用的水溶性聚合物的种类不同或者该组合物中其它组分的含量不同而不同。但是，按抛光组合物的总量计，其通常宜为0.001-10重量％，较好为0.003-3重量％，最好为0.005-0.3重量％。如果水溶性聚合物的含量显著超过上述范围，组合物的粘度将太高，从抛光垫上除去组合物废液的能力将变差。另一方面，如果含量太小，抛光后晶片的亲水性将较差，会沉积颗粒。
另外，所述水溶性聚合物在所述组合物中的溶解度取决于其它组分的含量。因此，即使水溶性聚合物的量在上述范围之内，所述聚合物也可能不完全溶解，或者已溶解的水溶性组分还会沉淀。该沉淀物可能会与磨料颗粒等聚结，从而使处理效率变差。因此需要引起注意。
磨料
除了上述添加剂外，本发明抛光组合物含有磨料。作为磨料，可使用在不影响本发明效果范围内的任何磨料。但是最好使用二氧化硅。
本发明抛光组合物通过磨料而具有机械抛光作用，通过添加剂的化学作用而具有抛光或帮助抛光作用。
二氧化硅具有许多类型，它们具有不同的性能或具有不同的制造方法。其中，较好用于本发明抛光组合物的二氧化硅有，例如胶态二氧化硅、煅制二氧化硅或沉淀二氧化硅。
其中，胶态二氧化硅通常是通过硅酸钠离子交换(或用酸或碱水解烷氧基硅烷)得到的超细胶态二氧化硅的颗粒生长制得的。用这种湿法制得的胶态二氧化硅通常是淤浆状的，二氧化硅以初级粒子或二次粒子的状态分散在水中。这种胶态二氧化硅可购自，例如Catalysts & Chemicals Ind.Co.，Ltd.名为SPHERICASlurry的商品。
在本发明中，当使用胶态二氧化硅时，常使用用上述方法制得的胶态二氧化硅。但是，在半导体基材的抛光操作中，在许多情况下金属杂质是不合需求的，因此最好使用高纯胶态二氧化硅。这种高纯胶态二氧化硅可在湿体系中通过有机硅化合物的热分解制得，它具有金属杂质极其微小并且即使在中性区也相对稳定的特性。
煅制二氧化硅是一种通过四氯化硅和氢燃烧而制得的二氧化硅。这种用气相法制得的煅制二氧化硅是具有链结构的二次颗粒状态的，其中数个或数十个初级颗粒聚集在一起，并具有金属杂质含量较小的特征。这种煅制二氧化硅可以例如Aerosil的商品名购自Nippon Aerosil Co.，Ltd.
沉淀二氧化硅是含水的无定形二氧化硅，它通过硅酸钠与酸反应制得。这种通过湿体系制得的沉淀二氧化硅是球状的初级颗粒如葡萄般团聚的松散颗粒状的，并具有比表面积和孔体积较大的特性。这种沉淀二氧化硅可例如以Carplex的商品名购自Shionogi & Co..
这些二氧化硅可根据需要以任意的比例组合使用。
二氧化硅用于对要用磨粒的机械作用抛光的表面进行抛光。用于本发明抛光组合物的二氧化硅的平均粒径通常为10-3000nm(平均二次颗粒的粒径，用光散射法测得)。具体地说，在胶态二氧化硅的情况下，平均粒径宜为10-1,000nm，较好为15-500nm，最好为20-300nm.在煅制二氧化硅的情况下，粒径宜为50-300nm，较好为100-300nm，最好为150-300nm。同样，在沉淀二氧化硅的情况下，粒径宜为100-3,000nm，较好为200-2,500nm，最好为300-2,000nm。
对于本发明抛光组合物，如果二氧化硅的平均粒径超过上述范围，磨粒的分散难以维持，产生组合物稳定性下降、磨粒沉淀的问题，在抛光的晶片表面上会产生刮痕。另一方面，如果粒径小于上述范围，抛光去除率会极低，需要长的时间进行加工，生产率太低难以在实践中使用。
按组合物的总量计，在抛光组合物中磨料的含量通常为0.01-50重量％，较好为0.05-30重量％，最好为0.1-20重量％。如果磨料的含量太小，则抛光除去率将很低，需要长的时间进行加工，从而使生产率太低难以在实践中使用。另一方面，如果含量太高，则难以维持均匀的分散，组合物的粘度会太高，难以进行操作。
表面处理组合物和抛光组合物
本发明组合物通常是通过以所需的含量将上述各个组分(即在表面处理组合物情况下的添加剂，或者在抛光组合物情况下的磨料和添加剂)混合在水中，使之分散或溶解而制得的。将这些组分分散或溶解在水中的方法是任选的。例如，可以用叶轮型搅拌器或通过超声波分散使之分散。另外，这些组分的混合次序是任选的。即在抛光组合物的情况下，可先分散磨料或溶解添加剂，或者可同时进行所述分散和溶解。
另外，在制造上述抛光组合物时，出于保持或稳定产品质量的目的，或者根据要抛光的物体的类型，抛光条件和抛光加工的其它因素，可根据需要，混入各种已知的添加剂。对于这种附加的添加剂，可列举出下列物料：
(a)水溶性醇，如乙醇、丙醇、乙二醇等；
(b)表面活性剂，如烷基苯磺酸钠、萘磺酸与甲醛的缩合物等；
(c)聚有机阴离子物质，如木素磺酸盐，聚丙烯酸盐等；
(d)鳌合剂，如二甲基乙二肟，双硫腙，8-羟基喹啉，乙酰丙酮，氨基乙酸，EDTA，NTA等；
(g)杀真菌剂，如藻酸钠，碳酸氢钾等。
另外，适用于本发明抛光组合物的上述磨料或添加剂可作为辅助添加剂，以达到上述目的以外的目的，例如，用于防止磨料的沉淀。
可以以较高浓度的原料液形式制备、储存或运输本发明抛光组合物，并可在实际抛光操作时稀释使用。前面所述较好的浓度范围是就实际抛光操作而言的，如果采用实际使用时才稀释组合物的方法，不言而喻，该组合物是在储存和运输过程中的高浓度溶液。另外，从处理效率的观点看，最好以这种浓缩的形式制备组合物。
另外，所述组合物中各组分的溶解度随其它组分的种类或含量的不同而不同。因此，即使各组分的量落在上述优选范围之内，仍可能出现不是所有组分都均匀地溶解或分散，或者已溶解的组分又发生沉淀的情况。当组合物中任一组分聚结或者应溶解的组分发生沉淀时，如果这些组分能再次溶解或分散，则没有任何问题。尽管如此，还是需要进行附加的处理。因此，不仅在使用时，而且在上述浓缩状态下，本发明的组合物最好都处于均匀溶解或分散状态。具体来说，在抛光组合物中包含作为磨料的胶态二氧化硅、作为添加剂的氢氧化四甲铵(TMAH)和作为水溶性聚合物的分子量为1.3×106的羟乙基纤维素(HEC)，较好的是HEC的含量为0.25重量％，TMAH的浓度为0.001至0.3重量％，由此得到的组合物是稳定的，不存在诸如胶凝等问题。
与含胺或氨的常规抛光组合物相比本发明抛光组合物几乎不形成掺杂剂条纹的原因还不很清楚。但是，可能是本发明抛光组合物提供的某些化学作用与晶片中掺杂剂的浓度无关。认为在抛光前将本发明表面处理组合物施加至晶片上，它也会产生相同的作用。另外，在抛光后施加表面处理组合物以漂清晶片时，认为它提供了抗含掺杂剂的刮屑的化学作用，以增强清洗效果。
下面将参照本发明抛光组合物的实施例更详细地描述本发明。但是，应理解本发明不受这些具体实施例的限制。
毛坯去除抛光试验
制备抛光组合物
首先，用搅拌器将作为磨料的胶态二氧化硅(初级颗粒粒径：35nm，二次颗粒粒径：70nm)分散在水中，得到磨料浓度为2重量％的淤浆。随后，将该淤浆分成数份，加人如表1所示的添加剂，制得实施例1-13和比较例1-4的试样作为抛光组合物。
抛光试验
在下列条件下进行抛光试验。
抛光条件
抛光机：单面抛光机(面板直径：810mm)，四头；
抛光物体：三个5英寸的硅晶片基本相同地粘结在直径300mm的陶瓷板上(电阻率：0.01Ω·cm，晶体取向P<100>)；
压力：350g/cm2；
面板转速：87rpm；
抛光垫：BELLATRIX K0013(Kanebo Ltd.制)；
施加的抛光组合物量：6,000cc/min(循环使用)；
抛光时间：20分钟。
抛光后，依次洗涤并干燥晶片，对于全部12块晶片，用微米计测得抛光造成的晶片厚度变化，将这些数据的平均值作为抛光去除率的替代数据。
接着，使用影象图仪(shadow graph，LX-230B，Mizojiri Optical Co.，Ltd.制)，在暗室中用光照射在晶片表面上，检查投射在屏幕上的影象以评价形成的掺杂剂条纹。评价标准如下：
：未观察到掺杂剂条纹；
：未观察到显著的掺杂剂条纹，该条纹的量不会引起麻烦；
×：观察到会造成麻烦的掺杂剂条纹。
另外，使用WYKO TOPO-3D物镜(WYKO Corporation，USA制，放大倍数1.5倍)测定抛光后晶片的表面粗糙度Ra。
获得的结果列于表1.
                                      表1
  添加剂   抛光除去率(微米/20分钟)   表面状态   表面粗糙度(nm)
  种类*   含量(每升)
  实施例1   KOH   0.1g   9.0      0.9
  实施例2   KOH   0.5g   10.7      0.9
  实施例3   KOH   2.0g   13.2      1.0
  实施例4   KOH   4.0g   13.7      1.1
  实施例5   NaOH   0.1g   10.6      0.9
  实施例6   NaOH   2.0g   12.7      1.0
  实施例7   KC   0.1g   10.0      0.9
  实施例8   KC   5.0g   10.4      0.9
  实施例9   TMAH   2.0cc   10.7      1.0
  实施例10   TMAH   7.5cc   11.9      0.9
  实施例11   TMAH   10cc   12.6      0.9
  实施例12   TMAH   15cc   13.7      0.9
  实施例13   TMAH   40cc   14.6      1.0
  实施例14   H2O2   1.5cc   6.0      0.9
  实施例15   H2O2   4.5cc   6.9      0.9
  比较例1   -   -   4.0   ×   1.5
  比较例2   MEA   4.0g   10.2   ×   1.9
  比较例3   AEEA   4.0g   11.3   ×   2.0
  比较例4   PIZ   4.0g   13.5   ×   1.9
*KOH：氢氧化钾
NaOH：氢氧化钠
KC：碳酸钾
TMAH：3.6％氢氧化四甲铵溶液
H2O2：30％过氧化氢水溶液
MEA：一乙醇胺
AEEA：N-(β-氨基乙基)乙醇胺
PIZ：哌嗪六水合物
由表1的结果可见，使用本发明抛光组合物，在抛光加工低电阻硅晶片时的抛光除去率是高的，可以获得几乎不形成掺杂剂条纹的非常光滑的抛光表面。
最后抛光试验
制备抛光组合物
首先，用搅拌器将作为磨料的胶态二氧化硅(初级颗粒粒径：35nm，二次颗粒粒径：70nm)分散在水中，得到磨料浓度如表2所示的淤浆。随后，将该淤浆分成数份，加入如表2所示的添加剂，接着，以加人如表2所示的水溶性聚合物，制得实施例16-30和比较例5-7的试样作为抛光组合物。
抛光试验
在下列条件下进行抛光试验。
抛光条件
抛光机：单面抛光机(面板直径：810mm)，四头；
抛光物体：实施例10的抛光晶片(表面粗糙度：Ra＝0.9nm)；
压力：100g/cm2；
面板转速：60rpm；
抛光垫：Surfin 000(FUJIMI INCORPORATED制)；
施加的抛光组合物量：200cc/min；
抛光时间：10分钟。
抛光后，用与上述相同的方法评价晶片表面的状态。获得的结果列于表2.
                                  表2
  胶态二氧化硅含量(克/升)   添加剂   水溶性聚合物   表面状态   表面粗糙度(nm)
  种类**   含量(每升)   种类   含量(克/升)
  实施例16   50   KOH   0.5g   HEC   5.0      0.5
  实施例17   50   KOH   0.05g   HEC   5.0      0.5
  实施例18   5   KOH   0.2g   HEC   0.1      0.5
  实施例19   50   TMAH   2.0cc   HEC   5.0      0.5
  实施例20   50   TMAH   20cc   HEC   5.0      0.5
  实施例21   5   TMAH   0.5cc   HEC   0.2      0.5
  实施例22   5   TMAH   0.5cc   HEC   0.06      0.5
  实施例23   5   TMAH   60cc   HEC   2.5      0.5
  实施例24   5   TMAH   10cc   HEC   0.04      0.5
  实施例25   5   TMAH   10cc   HEC   0.015      0.5
  实施例26   5   TMAH   30cc   HEC   0.2      0.5
  实施例27   5   TMAH   1.0cc   HEC   0.015      0.5
  实施例28   5   TMAH   2.0cc   PVA   0.035      0.5
  实施例29   5   TMAH   50cc   PVA   1.0      0.5
  实施例30   5   TMAH   5.0cc   PVA   0.2      0.5
  比较例5   5   NH3   0.75cc   HEC   5.0   ×   0.7
  比较例6   5   NH3   0.75cc   HEC   0.1   ×   0.7
  比较例7   5   PIZ   0.075g   HEC   5.0   ×   0.7
**KOH：氢氧化钾
TMAH：3.6％氢氧化四甲铵溶液
NH3：29％的氨水溶液
PIZ：哌嗪六水合物
HEC：羟乙基纤维素(平均分子量为1.3×106)
PVA：聚乙烯醇(平均分子量1.3×105)
由表2的结果可见，使用本发明抛光组合物，在抛光加工低电阻硅晶片时可以获得不形成掺杂剂条纹的非常光滑的抛光表面.
如上所述，在抛光加工电阻率最大为0.1Ω·cm的低电阻晶片时，本发明抛光组合物能形成非常光滑的无波度的抛光表面并提供高的抛光除去率，并且在循环使用时抛光除去率很少下降，本发明表面处理组合物适用于在抛光加工低电阻硅晶片之前或加工后减少抛光处理形成的波度，或者在抛光后高效地进行表面清洗。

Claims (6)

1.表面处理组合物在处理电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面中的用途，所述表面处理组合物包括水和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物，在表面处理组合物中不含磨料，在抛光前它起表面处理的作用，或在抛光后起漂清表面的作用。
2.如权利要求1所述的用途，其特征在于所述添加剂选自氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钾、碳酸钠、碳酸氢钾、碳酸氢钠、氢氧化四甲铵、氢氧化四乙铵、氢氧化四丁铵、过氧化氢、过氧化钠、过氧化钾、过氧化锂、过氧化钙、过氧化锆、过二硫酸、过二硫酸铵、过二硫酸钾、过二硫酸钠、过二磷酸、过二磷酸钾、过碳酸钾、过碳酸钠、过硼酸钠、过硼酸镁和过硼酸钾中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的用途，其特征在于按表面处理组合物的总重量计，所述添加剂的含量为0.001-50重量％。
4.如权利要求1或2所述的用途，其特征在于它还含有选自纤维素衍生物和/或聚乙烯醇的水溶性聚合物。
5.如权利要求1或2所述的用途，它包括用所述表面处理组合物对所述硅晶片进行表面处理，随后抛光。
6.如权利要求1或2所述的用途，其特征在于它包括对所述硅晶片进行抛光，随后施用所述表面处理组合物。
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