CN1288920A - 抛光组合物 - Google Patents

Abstract

用于用作存储硬盘的磁盘基片的抛光组合物,它含有:(a):水;(b):至少一种选自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯、乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物;(c):成分(b)的磷酸酯化合物之外的至少一种选自无机酸、有机酸、及它们的盐的抛光促进剂;(d):至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和二氧化锰的研磨剂。

Description

抛光组合物

本发明涉及在制造存储硬盘过程中适用于存储硬盘表面最后抛光的抛光组合物，所述存储硬盘即为磁盘基片(此后简单地称为“基片”)，它用于对例如计算机有用的存储装置。更确切地说，本发明涉及在制造各种基片的工艺的最后抛光工序中，能够防止形成占很小表面面积的细凹坑、微凸起和其他表面缺陷的抛光组合物，所述基片为例如Ni-P盘、Ni-Fe盘、铝盘、碳化硼盘和碳盘，同时，它也能够抛光这种基片，提供对高容量和高记录密度存储硬盘有用的优异抛光表面。存储硬盘为例如计算机的一种存储装置，它的尺寸逐年变得更小，容量变得更大，目前使用最广泛的基片，是一种对坯料施加Ni-P化学镀的基片。这里，用于基片的坯料，是一种含有铝或其他基础材料的坯料，为了赋予平行性或平直度，基片的形状是利用金刚石磨轮通过车床加工而成，利用由固化SiC磨料制成的PVA磨轮通过研磨而成，或者通过其他方法形成。

然而，通过这些成形方法，不可能完全去除较大的波度。而且Ni-P化学镀也可以沿坯料的这种波度形成，并且这种波度会留在基片中。实施抛光是为了去除基片的波度，使表面平坦。

此外，随着存储硬盘向高容量发展，同时，记录密度以每年百分之几十的速度提高。因此，存储硬盘上被预定量记录信息所占据的空间会越来越狭窄，记录所需的磁力就会变弱。因此，近来有使磁头的飞行高度减至最小的需求，飞行高度是磁头与存储硬盘之间的间距。目前，磁头的飞行高度已降低到至多1.0微英寸(约0.025微米)的水平。

此外，为了防止磁头读和写信息时粘住存储硬盘，或者为了防止由于抛光在基片表面上沿与存储硬盘的旋转方向不同的方向形成痕线，有时在抛光之后可以在基片上施加所谓的纹理，形成同心圆痕线，由此存储硬盘上的磁场就会是不均匀的。近来，为了进一步降低飞行高度，有人建议实施浅纹理，以在基片上形成更浅的痕线，或者采用不施加纹理的无痕线的无纹理基片。支持这种低飞行高度磁头发展趋势的技术已经被开发出来，而且已经更深入地发展了磁头的低飞行高度的趋势。

磁头沿着以很高速度旋转的存储硬盘的表面形状飞行。如果存储硬盘表面上存在数微米的凹坑，就会发生不能在盘上完全地写入信息的现象，由此导致信息的丢失或记录信息失败，即所谓的会产生错误的比特误差。

这里，“凹坑”可以是最初存在于基片内的凹痕，或在基片表面上由抛光形成的凹痕。微小凹坑是直径小于约10微米的凹痕。

因此，作为一个制成存储硬盘之前的步骤，在抛光工序中，降低基片的表面粗糙度，而同时必需完全去除较大的波度、微凸起、凹坑和其他的表面缺陷是很重要的。

出于该目的，迄今为止，通常利用含有氧化铝或其他各种研磨剂、水和各种抛光促进剂的抛光组合物(从其性质考虑，下面也称为“浆料”)，采用单一的抛光修饰。例如JP-B-64-436和JP-B-2-23589揭示了用于存储硬盘的抛光组合物，它是通过向水和氢氧化铝中加入作为抛光促进剂的例如硝酸铝、硝酸镍或硫酸镍，并混合，而将其制成浆料的。此外，JP-B-4-38788揭示了用于铝磁盘的酸性抛光组合物，它含有水、细粉末状的氧化铝磨料、作为抛光促进剂的葡糖酸或乳酸、和作为表面改善剂的氧化铝胶体。

然而，任何一种这样的抛光组合物，都很难通过单一抛光步骤来满足需去除基片表面上的表面缺陷或较大波度，在预定的时间期间内使表面粗糙度降低至很低的水平，并防止形成微凸起、微小凹坑和其他表面缺陷的所有需求。因此，已经开始研究包括两步或多步的抛光工艺。

所要求的表面粗糙度根据制成基片的工艺、存储硬盘最终的记录容量和其他的条件确定。根据所要求的表面粗糙度，可以采用包括两步以上步骤的抛光工艺。

当抛光工艺以两步的方式实施时，第一步抛光主要是去除基片表面上较大的波度、凹坑和其他表面缺陷，即修整形态。因此，需要这样一种抛光组合物，它对上述波度或表面缺陷具有较大修正能力，同时使不能被第二步的最后抛光所去除的划痕深度最浅，而不是降低表面粗糙度。由此，为了提高基料脱除的速度，将粒度较大的研磨剂用作组合物的磨料。

第二步抛光即最后的抛光，旨在将基片的表面粗糙度降至最小。因此，就要求抛光组合物能够将表面粗糙度降至最小，并能防止形成微凸起、微凹坑或其他表面缺陷，而不是对较大波度或表面缺陷具有较大的修正能力，这是第一步抛光所要求的。

近来，为了降低加工成本，对利用PVA磨石对坯料的加工工艺进行了改进，它被设计成在使用抛光组合物之前，就可降低坯料的表面粗糙度，由此使基片的质量(例如表面粗糙度或波度)在抛光之前就可达到第一步抛光后的质量等级。如果实施这样的加工，就不需要第一步抛光了，只有所谓的最后抛光是必需的。

因此，不管是第一步抛光或是第二步抛光，作为一种降低基片表面粗糙度的方法，通常采用较小粒度的研磨剂，作为抛光组合物中的磨料，或使用含有表面活性剂的抛光组合物。例如，JP-A-5-32959(现有技术1)就揭示了一种含有水、氧化铝研磨剂和氟类表面活性剂的抛光组合物，JP-A-5-59351(现有技术2)揭示了用于金属材料的抛光组合物，它含有水、氧化铝研磨剂、作为抛光促进剂的可溶于水的金属盐、和氟类表面活性剂，或者JP-A-5-112775(现有技术3)揭示了用于金属材料的抛光组合物，它含有水、氧化铝研磨剂、氟类表面活性剂和氨基酸。

然而，就本发明人所知，当使用含有粒度较小、尤其平均粒度最大为2微米的氧化铝研磨剂、水、可溶于水的金属盐或氨基酸、和氟类表面活性剂的抛光组合物时，存在一个问题，即基料脱除的速度很低，对于实际生产不适用；而且有可能形成微凹坑或划痕，因为组合物的抛光能力小。

此外，即使不会形成缺陷例如凹坑，也有可能在基片表面上形成不能被洗掉的研磨粒子沉积物，或会粘着的残留物；因为研磨剂的粒度小。因此，很难获得充分好的表面质量。

本发明的一个目的是解决上述问题，并提供一种抛光组合物，它与常规抛光组合物相比，形成较少的表面残留物，而且它的基料脱除速度高，并能够形成处理过的优异表面，而在用作存储硬盘的基片的最后抛光中，能防止形成微凹坑、微凸起和其他表面缺陷。

本发明提供用于用作存储硬盘的磁盘基片的抛光组合物，它含有：

(a)：水；

(b)：至少一种选自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯和乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物；

(c)：(b)成分的磷酸酯化合物之外的至少一种选自无机酸、有机酸、及它们的盐的抛光促进剂；

(d)：至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和二氧化锰的研磨剂。

下面将详细说明本发明，下面的描述旨在容易地理解本发明，而决不限制本发明。

磷酸酯化合物

作为本发明抛光组合物中一种成分的乙氧基化的烷基醇的磷酸酯和乙氧基化的芳基醇的磷酸酯，是可自醇或苯酚衍生物与环氧乙烷的反应获得的醇的磷酸酯化合物，而且它们可以含有任意比例的单酯、二酯和三酯。此外，这些磷酸酯化合物可以在不损害本发明效果的范围内以任意比例多个组合使用。

此外，乙氧基化的烷基醇的磷酸酯的烷基优选具有12-18个碳原子，乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的芳基优选为苯基或苯环上的氢被任选取代基取代的苯基，更优选苯基或苯环上的氢被C_1-10烷基取代的苯基。

对这种磷酸酯化合物的环氧乙烷加入量(摩尔)(下面称为“EO”)没有特别限制，但它优选在3-15范围内。通过将EO控制在上述范围内，就有可能调整基料脱除的速度与阻止表面缺陷之间的平衡。

此外，磷酸酯化合物在抛光组合物中的含量通常为0.001-2％(重量)，优选为0.005-1％(重量)，更优选为0.01-0.6％(重量)，以组合物总重量为基准。如果含量增加，抛光基片上的表面残留物就会减少，或形成的微凹坑和其他表面缺陷会减少。然而如果增加得太多，基料脱除的速度或加工能力就有可能劣化，就有可能形成微凹坑或划痕。另一方面，如果含量过小，就很难获得本发明的降低基片上表面残留物或阻止凹坑和其他表面缺陷形成的效果。

抛光促进剂

上述磷酸酯化合物以外的作为本发明抛光组合物中成分之一的所述至少一种选自无机酸、有机酸、和它们的盐的抛光促进剂，可以是至少一种选自硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、杏仁酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、水合乙醛酸、苹果酸、羟基乙酸、乳酸、葡糖酸、丁二酸、酒石酸和柠檬酸、和它们的盐及衍生物的成分。它具体包括硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁(III)、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁(III)、硫酸铵、氯化铝、氯化铁(III)、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍和氨基磺酸铵。这些抛光促进剂可以在不损害本发明效果的范围内以任意比例多个组合使用。

抛光组合物中抛光促进剂的含量随所使用的抛光促进剂的种类而变。然而，它通常为0.01-30％(重量)，优选为0.1-25％(重量)，更优选为0.5-20％(重量)，以组合物总重为基准。增加抛光促进剂的含量，会提高基料脱除的速度。然而，如果含量过量，抛光组合物的化学作用会很强，由此有可能在基片表面上形成微凸起、微凹坑或其他表面缺陷。另一方面，如果含量过小，基料脱除的速度也会小，就不会获得充足的阻止基片表面上微凹坑、微凸起和其他表面缺陷的效果。

研磨剂

作为本发明抛光组合物的成分之一，研磨剂的主要研磨材料是氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化钛、氮化硅、氧化锆和二氧化锰。

当应用需要时，这些研磨剂可以任选组合使用。当它们组合使用时，组合的方式或它们的比例，没有特别限制。

氧化铝包括α-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝、κ-氧化铝和其他不同形态的氧化铝。此外，有一种由其制备方法得名的所谓锻制氧化铝。

二氧化硅包括胶体二氧化硅，锻制二氧化硅和性能或制备方法不同的各种其他类型的二氧化硅。

氧化铈包括氧化值为三价和四价的氧化铈，从晶体晶系来说，它包括六角晶系、等轴晶系、面心立方晶系。

从晶体晶系来说，氧化锆包括单斜晶系、四方晶系和无定形。另外，从其制备方法来说，有一种所谓的锻制氧化锆。

从其晶体晶系来说，氧化钛包括一氧化钛、三氧化二钛、二氧化钛和其他类型。另外，从其制备方法来说，有一种所谓的锻制二氧化钛。

氮化硅包括α-氮化硅、β-氮化硅、无定形氮化硅和其他的不同形态的氮化硅。

从其形态来说，二氧化锰包括α-二氧化锰、β-二氧化锰、γ-二氧化锰、δ-二氧化锰、ε-二氧化锰、η-二氧化锰和其他的不同形态的二氧化锰。

上述研磨剂旨在通过研磨粒子的机械作用，抛光需要抛光的表面(即基片表面)。其中，二氧化硅的粒度通常为0.005-0.5微米，优选0.01-0.3微米，这是通过BET方法自所测量的表面所获得的平均粒度。同样，氧化铝、氧化锆、氧化钛、氮化硅或二氧化锰的粒度通常为0.01-2微米，优选为0.05-1.5微米，这是由激光衍射体系的粒度测量仪LS-230(由美国的Coulter Co.制造)测得的平均粒度。此外，氧化铈的粒度通常为0.01-0.5微米，优选0.05-0.45微米，这是由扫描电子显微镜观察到的平均粒度。如果这些研磨剂的平均粒度超过上述各自范围，那么会出现抛光表面的表面粗糙度会很大的问题，或有可能形成划痕。另一方面，如果平均粒度小于上述各自的范围，那么基料脱除的速度就会非常低，以致于不可操作。

研磨剂在抛光组合物中的含量通常为0.1-50％(重量)，优选1-25％(重量)，以组合物的总重为基准。如果研磨剂的含量过小，那么有可能在基片表面上形成微凸起、微凹坑或其他表面缺陷，而且基料脱除的速度有时也会降低。另一方面，如果含量过高，就很难保持在抛光组合物中的均匀分散，而且抛光组合物的粘度也会过大，由此，有时使操作变得困难。

水

作为本发明抛光组合物成分之一的水，可以使用工业水、离子交换水、蒸馏水、纯水和超纯水中的任意一种。然而，考虑到抛光组合物的稳定性，和抛光加工中不希望有金属杂质，优选采用尽可能脱除了这种杂质的去离子水、离子交换水、蒸馏水、纯水或超纯水。

抛光组合物

本发明的抛光组合物通常通过将上述各种成分分散或溶解到水中来制备，即通过将选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和二氧化锰的研磨剂以所需的量混合并分散到水中，而且进一步将磷酸酯化合物和抛光促进剂也溶解进去。将这些成分分散或溶解入水中的方法是任选的。例如，它们可以通过超声波分散来分散，或利用叶片类型搅拌器通过搅拌来分散。

为了使成品质量稳定或保持成品质量，在制备上述抛光组合物时，根据需要处理的对象的类型、处理条件或抛光处理的其他必需物，可以进一步加入各种已知的添加剂。

这种另外的添加剂的例子包括以下添加剂：

(a)纤维素类，例如纤维素、羧甲基纤维素和羟乙基纤维素；

(b)可溶于水的醇，例如乙醇、丙醇和乙二醇；

(c)有机多阴离子材料，例如木质素磺酸盐和聚丙烯酸酯；

(d)可溶于水的聚合物(乳化剂)，例如聚乙烯醇；

(e)螯合剂，例如二甲基乙二肟、双硫腙、8-羟基喹啉、乙酰丙酮、甘氨酸、EDTA和NTA；

(f)杀真菌剂，例如arginate？钠和碳酸氢钾；

(g)羧酸类或磺酸类的表面活性剂，乙二醇类或聚硅氧烷类的消泡剂和脂肪酸类的分散剂。

另外，上述适用于本发明抛光组合物中的研磨剂、磷酸酯化合物或抛光促进剂，可以用作非上述目的的辅助添加剂，例如防止研磨剂的沉积。

本发明的抛光组合物可以以浓度较高的储备液形式制备，使它可以以该形式储存或运输，而且可以在进行实际抛光操作时，稀释后使用。上述优选的浓度范围是实际抛光操作时的浓度范围。当组合物以这种原液形式制备时，当然，它是高浓度的液体，它以该状态储存或运输。从加工效率的角度看，组合物优选以这种浓度形式来制备。

关于为什么本发明抛光组合物与含有烷基苯磺酸盐或氟类表面活性剂的常规抛光组合物相比，呈现较少的表面残留物和小表面粗糙度，并能够降低微凹坑、微凸起或其他表面缺陷，而呈现表面粗糙度小的抛光表面，详细机理不清楚，但可以以镀Ni-P的基片为例子，解释如下：

第一，磷酸酯化合物具有使研磨粒子合适地絮凝的作用，由此，小研磨粒子会在较弱的絮凝力作用下产生絮凝。总的来说，当抛光组合物的抛光能力低时，会形成微凹坑。然而，用本发明的抛光组合物，粒度较小的抛光粒子在较弱的力作用下会絮凝，而且该絮凝在抛光处理期间会逐渐解离，由此对处理表面的损害就小，就能够获得表面粗糙度小的处理表面。另外，表面缺陷例如微凹坑(产生处理应变的部位)不会在上述絮凝的研磨粒子的机械作用和抛光促进剂的化学作用下，有选择性地受到处理，来扩大这种缺陷，由此就能够获得均匀的处理表面。而且，聚认为，由抛光形成的切屑表面或组合物内的研磨剂被磷酸酯化合物所覆盖，由此它几乎不沉积在基片表面上，因此就减少了表面缺陷例如微凸起的形成。

当用本发明的抛光组合物实施抛光处理时，在抛光处理之前和/或之后，优选用已除掉研磨剂的本发明抛光组合物的清洗组合物实施清洗处里。通过在抛光处理之前用清洗组合物处理，就能够增强抛光组合物的化学作用。另外，通过在抛光处理之后用清洗组合物处理，就有可能有效地脱掉保留在基片表面上的切屑或抛光组合物的各种成分。

下面，将参照实施例进一步对本发明进行详细说明。但是，应当明白，本发明决不受下述实施例的具体解释的限制。

实施例1-7和对比例1-5

抛光组合物的制备

将作为研磨剂的氧化铝用搅拌器分散入水中，获得研磨剂浓度为10％(重量)的浆料。接着，以表1所示的用量，加入表1所示的抛光促进剂和至少一种选自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯和乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物，然后进行混合，获得实施例1-7和对比例1-5的抛光组合物。在对比例1-3中，没有加入磷酸酯化合物，而在对比例4-5中，分别加入聚苯乙烯磺酸钠和季铵盐，代替磷酸酯化合物。

                                  表1

	抛光促进剂	含量(重量％)	磷酸酯化合物*	含量(重量％)
					实施例1	硝酸铝	1.0	A	0.1
实施例2	硝酸铝	1.0	A	0.2
					实施例3	硫酸铝	0.5	A	0.1
实施例4	丁二酸	0.2	A	0.1
					实施例5	硝酸铝	1.0	B	0.1
实施例6	硝酸铝	1.0	C	0.1
					实施例7	硝酸铝	1.0	D	0.1
实施例8	硝酸铝	1.0	E	0.1
					实施例9	硝酸铝	1.0	F	0.1
对比例1	硝酸铝	1.0	-	-
					对比例2	硫酸铝	1.0	-	-
对比例3	丁二酸	1.0	-	-
					对比例4	硝酸铝	1.0	聚苯乙烯磺酸钠	0.8
对比例5	硝酸铝	1.0	季铵盐	1.0

*A：乙氧基化的壬基苯酚的磷酸酯(10EO)

 B：乙氧基化的壬基苯酚的磷酸酯(9EO)

 C：乙氧基化的二壬基苯酚的磷酸酯(10EO)

 D：乙氧基化的烷基醇的磷酸酯(烷基＝C：12-15，3EO)

 E：乙氧基化的烷基醇的磷酸酯(烷基＝C：12-15，6EO)

 F：乙氧基化的烷基醇的磷酸酯(烷基＝C：12-15，9EO)

用于抛光测试的基片的制备

制备了用于抛光测试的采用实施例1-7和对比例1-5抛光组合物的基片。为了评价两步抛光(修整抛光)，首先，在下述条件下实施第一步抛光，制备用于抛光测试的基片。

抛光条件(第一步)

工件                       3.5英寸无电镀Ni-P基片

工件数                     10盘

抛光机                     双面抛光机(工作台直径640毫米)

抛光垫                     Politex DG(由美国Rodel Inc.制造)

处理压力                   80克/厘米²

工作台转速                 60转/分钟

抛光组合物                 DISKLITE-3471(由FUJIMI INCORPORATED制造)

组合物的稀释               1∶2纯水

抛光组合物的喂入速率       100毫升/分钟

抛光时间                   5分钟

抛光测试

接着，使用实施例1-7和对比例1-5的抛光组合物，在下述条件下，对已完成第一步抛光的基片实施第二步抛光(修整抛光)。

抛光条件(第二步)

工件                       3.5英寸无电镀Ni-P基片(已完成第

                           一步抛光)

工件数                     10盘

抛光机                     双面抛光机(工作台直径640毫米)

抛光垫                     Politex DG(由美国Rodel Inc.制造)

处理压力                   60克/厘米²

工作台转速                 60转/分钟

抛光组合物的喂入速率       100毫升/分钟

抛光时间                   5分钟

抛光之后，将基片依序洗涤和干燥，并利用差分干涉显微镜(放大50倍)，检测基片表面，测量有无微凸起或微凹坑，评价标准如下所述，获得的结果如表2所示：

：目力未观察到微凹坑

O：目力未观察到大量的微凹坑

×：目力观察到大量的微凹坑，认为它们不合格。

另外，利用扫描电子显微镜(放大20,000倍)，检测了基片表面，目力评价了吸附或粘着研磨剂粒子的残留物等级。评价标准如下所述，获得的结果如表2所示。

：未观察到大量的残留物

O：观察到少量的残留物，但在操作上属合格。

×：观察到大量微凹坑，认为它们不合格。

                  表2

	微凹坑	表面残留物
			实施例1		
实施例2		
			实施例3		O
实施例4		O
			实施例5		
实施例6		
			实施例7		
实施例8		
			实施例9		
对比例1	×	×
			对比例2	×	×
对比例3	×	×
			对比例4		×
对比例5		×

从表2显而易见，在对比例1-3中，其中没有加入磷酸酯化合物，观察到大量的微凹坑和表面残留物，而在对比例4和5中，其中加入了磷酸酯化合物之外的表面活性剂，虽然微凹坑的形成被阻止了，但仍观察到大量的表面残留物。此外，在对比例4和5情形中，必须增加表面活性剂的含量才能获得防止形成微凹坑的效果。然而，在实施例1-9中，其中加入有磷酸酯，在每例中微凹坑的形成都被阻止，而且没有观察到大量的表面残留物。从该结果显而易见，用实施例1-9的抛光组合物，就有可能在修整抛光中获得优异的抛光表面。

如上所述，本发明的抛光组合物是用于用作存储硬盘的磁盘基片的抛光组合物，它含有(a)：水，(b)：至少一种选自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯和乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物，(c)：(b)成分的磷酸酯化合物以外的至少一种选自无机酸、有机酸、和它们的盐的抛光促进剂，(d)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅、二氧化锰的研磨剂。

由此，就有可能获得一种抛光组合物，它与常规的抛光组合物相比，几乎不形成表面残留物，它提供大的基料脱除的速度，并在用作存储硬盘的基片的修整抛光中，能够防止形成微凹坑、微凸起和其他表面缺陷，而且它能够提供优异的抛光表面。

本发明抛光组合物中(b)成分的磷酸酯化合物含量为0.001-2％(重量)，以组合物总重为基准，由此，有可能将抛光基片表面上的残留物的形成降至最少，并阻止微凹坑和其他表面缺陷的形成。

本发明的抛光组合物中(c)成分的抛光促进剂含量为0.01-30％(重量)，以组合物的总重为基准，由此，有可能提高基料脱除的速度，并阻止微凹坑、微凸起和其他表面缺陷在基片表面上的形成。

此外，本发明的抛光组合物中(d)成分的研磨剂含量为0.01-50％(重量)，以组合物的总重为基准，由此，有可能阻止微凸起、微凹坑和其他表面缺陷在基片表面上的形成，并防止基料脱除速度下降，而且有可能保持研磨剂在组合物中的均匀分散性，并阻止组合物粘度的过度增加。

1999年9月21申请的日本专利申请的全部内容，包括说明书、权利要求书和概述，都在这里引入以供参考。

Claims (7)

1.用于存储硬盘的磁盘基片的抛光组合物，它含有：

(a)：水；

(b)：至少一种选自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯或乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物；

(c)：成分(b)的磷酸酯化合物之外的至少一种选自无机酸、有机酸及其盐类的抛光促进剂；

(d)：至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和二氧化锰的研磨剂。

2.如权利要求1所述的抛光组合物，其中所述的成分(b)的磷酸酯化合物是乙氧基化的芳基醇的磷酸酯，其中芳基是苯基、壬苯基或二壬苯基、或其混合物、或其中烷基的碳原子数为1-20的乙氧基化的烷基醇磷酸酯。

3.如权利要求1或2所述的抛光组合物，其中所述的成分(c)的抛光促进剂是至少一种选自硝酸、亚硝酸、硫酸、盐酸、钼酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、杏仁酸、丙二酸、抗坏血酸、谷氨酸、水合乙醛酸、苹果酸、羟基乙酸、乳酸、葡糖酸、丁二酸、酒石酸和柠檬酸、和它们的盐及衍生物的成分。

4.如权利要求3所述的抛光组合物，其中所述的成分(c)的抛光促进剂是至少一种选自硝酸铝、硝酸镍、硝酸锂、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铁(III)、亚硝酸钠、亚硝酸钾、硫酸铝、硫酸镍、硫酸锂、硫酸钠、硫酸铁(III)、硫酸铵、氯化铝、氯化铁(III)、氯化铵、钼酸钠、钼酸铵、氨基磺酸镍和氨基磺酸铵的成分。

5.如权利要求1-4中任一项所述的抛光组合物，其中所述成分(b)的磷酸酯化合物的含量为0.001-2％(重量)，以组合物的总重为基准。

6.如权利要求1-5中任一项所述的抛光组合物，其中所述成分(c)的抛光促进剂的含量为0.01-30％(重量)，以组合物的总重为基准。

7.如权利要求1-6中任一项所述的抛光组合物，其中所述成分(d)的研磨剂的含量为0.01-50％(重量)，以组合物的总重为基准。